KR20070097331A

KR20070097331A - 발광 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기

Info

Publication number: KR20070097331A
Application number: KR1020070029297A
Authority: KR
Inventors: 다케히코 구보타
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2006-03-28
Filing date: 2007-03-26
Publication date: 2007-10-04
Also published as: JP2007265756A; TW200802841A; US20070273305A1; CN101047201A; JP4702136B2; US7491975B2

Abstract

본 발명은 개구율의 향상과 음극에서의 전압 강하의 억제를 양립시키는 것을 과제로 한다.

소자 어레이부(A)에는 X방향 및 Y방향에 걸쳐 복수의 발광 소자(E)가 배열된다. 각 발광 소자(E)는 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)과 양 전극간에 개재(介在)하는 발광층(23)을 포함한다. 보조 배선(27)은 제 2 전극(22)보다도 저항률이 낮은 재료에 의해 형성되어 각 발광 소자(E)의 제 2 전극(22)에 전기적으로 접속된다. 제 i행과 제 (i+1)행의 간극(S1)은 제 (i+1)행과 제 (i+2)행의 간극(S2)보다도 넓다. 보조 배선(27)은 간극(S1) 내에서 X방향으로 연장된다. 간극(S2)에 보조 배선(27)은 형성되지 않는다.

소자 어레이부, 발광 소자, 구동 트랜지스터, 게이트 절연층, 마진 영역

Description

발광 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기{LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR MAKING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 전기적인 구성을 나타내는 회로도.

도 2는 소자 어레이부의 구성을 나타내는 평면도.

도 3은 도 2에서의 III-III선으로부터 본 단면도.

도 4는 보조 배선을 형성하는 공정에 대해서 설명하기 위한 단면도.

도 5는 제 2 실시예에서의 소자 어레이부의 구성을 나타내는 평면도.

도 6은 제 3 실시예에서의 소자 어레이부의 구성을 나타내는 평면도.

도 7은 도 6에서의 VII-VII선으로부터 본 단면도.

도 8은 본 발명에 따른 전자 기기의 형태(퍼스널 컴퓨터)를 나타내는 사시도.

도 9는 본 발명에 따른 전자 기기의 형태(휴대 전화기)를 나타내는 사시도.

도 10은 본 발명에 따른 전자 기기의 형태(휴대 정보 단말)를 나타내는 사시도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

A : 소자 어레이부 12 : 주사선

14 : 데이터선 16 : 전원선

18 : 접지선 U : 단위 회로

E : 발광 소자 Tdr : 구동 트랜지스터

10 : 기판 F0 : 게이트 절연층

F1 : 제 1 절연층 F2 : 제 2 절연층

21 : 제 1 전극 22 : 제 2 전극

23 : 발광층 25 : 격벽층

27 : 보조 배선 M : 마진 영역

본 발명은 유기 발광 다이오드 소자 등의 발광 소자를 이용한 발광 장치의 구조에 관한 것이다.

다수의 발광 소자를 매트릭스 형상으로 배열한 발광 장치가 종래부터 제안되어 있다. 각 발광 소자는 제 1 전극 및 제 2 전극과 양 전극간에 개재하는 발광층을 포함한다. 특허문헌 1에는 복수의 발광 소자에 걸쳐 연속하는 광 투과성의 도전막이 제 2 전극으로 된 톱 이미션형의 발광 장치에서, 각 발광 소자의 간극에 보조 배선을 형성한 구성이 개시되어 있다. 보조 배선은 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 도전 재료에 의해 형성된다. 이 구성에 의하면, 제 2 전극이 고저항의 재료로 형성된 경우라도 제 2 전극에서의 전압 강하가 저감되기 때문에, 각 발광 소자 에 인가되는 전압이 균일화되어 각각의 계조(階調)의 불균일이 억제된다.

[특허문헌 1] 일본국 특허 공개 2002-352963호 공보

보조 배선의 재료로서 채용되는 저저항의 금속의 대부분은 차광성을 갖는다. 따라서, 발광 소자로부터 보아 광출사측(광취출측)에 보조 배선이 배치된 구성에서는 복수의 발광 소자가 배열된 영역 중 각 발광 소자에 의한 방사광이 실제로 출사하는 면적의 비율(이하「개구율」이라고 함)이 보조 배선에 의해 제약된다고 하는 문제가 있다. 보조 배선의 선의 폭을 삭감하면 높은 개구율을 유지하는 것도 가능하지만, 이 경우에는 보조 배선의 저항값의 증가에 의해 제 2 전극의 전압 강하의 억제가 불충분해질 가능성이 있다.

또한, 보조 배선의 위치에 오차가 발생한 경우에도, 보조 배선과 발광 소자가 중복되지 않도록 보조 배선이 형성되는 설계상의 영역과 각 발광 소자의 간극에 스페이스(이하「마진 영역」이라고 함)를 확보할 경우가 있다. 마진 영역에는 보조 배선도 발광 소자도 형성되지 않기 때문에 개구율의 향상과 전압 강하의 충분한 억제의 양립은 한층 더 곤란해진다. 이상의 사정을 고려하여, 본 발명은 개구율의 향상과 제 2 전극에서의 전압 강하의 억제를 양립시킨다는 과제의 해결을 목적으로 한다.

이상의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 발광 장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재(介在)하는 복수의 발광 소자를 제 1 방향(예를 들 어 도 2의 X방향)으로 배열한 복수의 소자 그룹(예를 들어 각 행에 속하는 발광 소자의 집합)이 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 병렬된 소자 어레이부와, 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 재료에 의해 형성되어 각 발광 소자의 제 2 전극에 전기적으로 접속되는 보조 배선을 구비하고, 보조 배선은 복수의 소자 그룹 중 서로 인접하는 제 1 소자 그룹(예를 들어 도 2의 제 i행)과 제 2 소자 그룹(예를 들어 도 2의 제 (i+1)행)의 간극에서 제 1 방향으로 연장되고, 제 2 소자 그룹에 대하여 제 1 소자 그룹과는 반대측에 인접하는 제 3 소자 그룹(예를 들어 도 2의 제 (i+2)행)과 제 2 소자 그룹의 간극에는 형성되지 않는다.

본 발명에서는 제 2 소자 그룹과 제 3 소자 그룹의 간극에 보조 배선이 형성되지 않기 때문에, 소자 어레이부의 모든 소자 그룹의 간극에 보조 배선이 형성된 구성과 비교하여, 소자 어레이부 중 보조 배선이 형성되는 영역이나 마진 영역의 면적을 저감하는 것이 가능하다. 따라서, 개구율의 향상과 보조 배선의 저 저항화의 양립이 용이해진다. 예를 들어 보조 배선의 선의 폭을 유지하면서 개구율을 향상시키고, 또는 개구율을 유지하면서 보조 배선의 선의 폭을 확대(저 저항화)할 수 있다.

본 발명의 적합한 형태에서, 제 1 소자 그룹의 각 발광 소자와 제 2 소자 그룹의 각 발광 소자의 간격(예를 들어 도 2에서의 폭(B1)의 간극(S1))은 제 2 소자 그룹의 각 발광 소자와 제 3 소자 그룹의 각 발광 소자의 간격(예를 들어 도 2에서의 폭(B2)의 간격(S2))보다도 넓다. 이 형태에 의하면, 각 소자 그룹이 동일한 간격으로 배치된 구성과 비교하여, 보조 배선의 저항을 저감하면서 개구율을 높은 수 준으로 유지하는 것이 가능해진다.

다른 형태에서, 제 2 전극은 복수의 발광 소자에 걸쳐 연속으로 형성되고, 보조 배선은 제 2 전극의 바로 아래 또는 바로 위에(즉 제 2 전극 사이에 절연층이 개재하지 않고) 형성되어 그 제 2 전극에 면 접촉한다. 이 구성에 의하면, 제 2 전극과 보조 배선이 양자간의 절연층의 콘택트 홀을 통해서 도통하는 구성과 비교하여, 제 2 전극과 보조 배선을 확실히 도통시킬 수 있다. 또한, 제 2 전극과 보조 배선을 도통시키는 콘택트 홀이 불필요해지기 때문에, 발광 장치의 제조 공정의 간소화나 제조 비용의 저감이 실현된다.

예를 들어 각 발광 소자의 제 1 전극이 배치된 기판의 면 위에 형성되어 제 1 전극에 대응한 개구부를 갖는 격벽층을 구비하고, 발광층은 개구부의 내측에 위치하는 부분을 포함하며, 제 2 전극은 개구부의 내측에서 발광층을 사이에 두고 제 1 전극에 대향하는 부분과 격벽층의 표면을 덮는 부분을 포함하고, 보조 배선은 격벽층과 제 2 전극 사이에 개재한다. 이상의 구성에 의하면, 보조 배선이 제 2 전극에 덮이기 때문에 외기(外氣)나 수분의 부착에 기인한 보조 배선의 부식을 방지할 수 있다.

본 발명의 적합한 형태에서, 각 발광 소자는 제 1 방향을 따라 긴 형상으로 형성된다. 환언하면, 보조 배선은 각 발광 소자의 길이 방향을 따라 연장된다. 이 형태에 의하면, 각 발광 소자의 짧은 방향을 따라 보조 배선이 연장되는 구성과 비교하여, 각 발광 소자로부터 보조 배선에 이르는 전류의 경로폭(예를 들어 도 5의 폭(W))이 용이하게 확보되기 때문에, 발광 소자로부터 보조 배선까지의 구간에 서의 저항값을 저감할 수 있다. 또한, 이 형태의 구체적 예는 제 2 실시예로서 후술된다.

본 발명의 구체적인 형태에서는, 각 발광 소자에 공급되는 전류를 제어하는 복수의 구동 트랜지스터와, 복수의 구동 트랜지스터를 피복하는 절연층(예를 들어 도 3의 제 2 절연층(F2))을 구비하고, 복수의 발광 소자는 절연층의 면 위에 배치되고, 각 발광 소자의 제 1 전극은 절연층에 형성된 콘택트 홀을 통해서 구동 트랜지스터에 전기적으로 접속된다.

이 형태에서, 제 1 소자 그룹 및 제 2 소자 그룹 각각에 속하는 각 발광 소자에 대응한 콘택트 홀은 상기 소자 그룹의 각 발광 소자로부터 보아 보조 배선측, 보다 구체적으로는 상기 소자 그룹에 속하는 각 발광 소자의 보조 배선측의 가장자리와 보조 배선에서의 상기 발광 소자측의 가장자리의 간극(예를 들어 도 2에서의 마진 영역(M))에 형성된다. 이 형태에서는 발광 소자가 존재하지 않는 보조 배선의 측방의 영역에 콘택트 홀이 형성되기 때문에, 개구율을 저하시키지 않고 콘택트 홀의 확대에 의해 제 1 전극과 구동 트랜지스터를 양호하게 접속하는 것이 가능하다.

또한, 적합한 형태에서 콘택트 홀은 제 1 방향을 따라 긴 형상으로 형성된다. 이 형태에 의하면, 콘택트 홀에 대해서 충분한 면적이 확보되기 때문에, 제 1 전극과 구동 트랜지스터의 접속부의 저항을 저감하는 동시에 양자의 도통의 불량을 억제할 수 있다.

다른 관점에서 보면, 본 발명에 따른 발광 장치의 특징은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재하는 복수의 발광 소자를 제 1 방향으로 배열한 복수의 소자 그룹이 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 병렬된 소자 어레이부와, 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 재료에 의해 형성되어 각 발광 소자의 제 2 전극에 전기적으로 접속되는 복수의 보조 배선을 구비하고, 보조 배선은 서로 인접하는 2 이상의 소자 그룹마다 소자 어레이부를 구분한 각 단위(예를 들어 도 2에서의 짝수행과 그 Y방향의 플러스측에 인접하는 홀수행의 세트)의 간극에서 제 1 방향으로 연장되고, 각 단위에 속하는 각 소자 그룹의 간극에는 형성되지 않는 구성이다. 즉, 복수의 소자 그룹을 단위로서 1개의 보조 배선이 형성되기 때문에 개구율의 향상과 보조 배선의 저저항화의 양립이 용이해진다.

본 발명에 따른 발광 장치는 각종 전자 기기에 이용된다. 이 전자 기기의 전형예는 발광 장치를 표시 장치로서 이용한 기기이다. 이 종류의 전자 기기로서는 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화기 등이 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들어 광선의 조사에 의해 감광체 드럼 등의 상담지체(像擔持體)에 잠상을 형성하기 위한 노광 장치(노광 헤드), 액정 장치의 후방측에 배치되어 이것을 조명하는 장치(백라이트), 또는 스캐너 등의 화상 독해 장치에 탑재 배치되어 원고를 조명하는 장치 등 각종의 조명 장치 등 다양한 용도에 본 발명의 발광 장치를 적용할 수 있다.

본 발명은 이상의 각 형태에 따른 발광 장치를 제조하는 방법으로서도 특정된다. 이 제조 방법은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재하는 복수의 발광 소자를 제 1 방향으로 배열한 복수의 소자 그룹이 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 병렬된 소자 어레이부와 각 발광 소자의 제 2 전극에 전기적으로 접속되는 보조 배선을 구비하는 발광 장치를 제조하는 방법으로서, 복수의 소자 그룹 중 서로 인접하는 제 1 소자 그룹과 제 2 소자 그룹의 간극에 대향하는 영역(예를 들어 도 4의 영역(RA))이 개구하고, 제 2 소자 그룹에 대하여 제 1 소자 그룹과는 반대측에 인접하는 제 3 소자 그룹과 제 2 소자 그룹의 간극에 대향하는 영역(예를 들어 도 4의 영역(RB3))을 차폐(遮蔽)하는 마스크를 준비하는 과정과, 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 재료를 마스크를 통해서 증착함으로써 보조 배선을 형성하는 과정을 포함한다.

이상의 방법에 사용되는 마스크는 제 2 소자 그룹과 제 3 소자 그룹의 간극에 대향하는 영역이 차폐되어 있기 때문에, 모든 소자 그룹의 간극에 대향하는 영역이 개구한 마스크와 비교해서 기계적인 강도가 높다. 따라서, 마스크의 변형(휨)에 기인한 보조 배선의 오차나 마스크의 파손을 억제하는 것이 가능하다.

<A: 제 1 실시예>

<발광 장치의 구성>

도 1은 본 발명에 따른 발광 장치의 전기적인 구성을 나타내는 회로도이다. 발광 장치는 복수의 단위 회로(화소 회로)(U)가 배열된 소자 어레이부(A)를 구비한다. 소자 어레이부(A)에는 X방향으로 연장되는 복수의 주사선(12)과 X방향과 직교하는 Y방향으로 연장되는 복수의 데이터선(14)이 형성된다. 각 단위 회로(U)는 주사선(12)과 데이터선(14)의 각 교차에 대응한 위치에 배치된다. 따라서, 복수의 단위 회로(U)는 X방향 및 Y방향을 걸쳐 매트릭스 형상으로 배열한다.

한 개의 단위 회로(U)는 전원선(16)(전원 전압(VEL))으로부터 접지선(18)(접지 전압(Gnd))에 이르는 경로 위에 배치된 구동 트랜지스터(Tdr)와 발광 소자(E)를 포함한다. 발광 소자(E)는 서로 대향하는 제 1 전극(21)과 제 2 전극(22) 사이에 유기 EL(Electro Luminescence) 재료의 발광층(23)을 개재시킨 유기 발광 다이오드 소자이다. 발광 소자(E)는 발광층(23)에 흐르는 전류(이하「구동 전류」라고 함)(Iel)에 따른 휘도로 발광한다. 제 1 전극(양극)(21)은 발광 소자(E)마다 서로 이간해서 형성된다. 제 2 전극(음극)(22)은 복수의 발광 소자(E)에 걸쳐 연속으로 형성되어 접지선(18)에 도통한다. 단, 접지 전위(Gnd)를 기준으로서 마이너스극성의 전압이 제 2 전극(22)에 공급되는 구성으로 해도 된다.

구동 트랜지스터(Tdr)는 구동 전류(Iel)의 전류량을 게이트의 전압에 따라 제어하는 p채널형의 트랜지스터이다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인은 발광 소자(E)의 제 1 전극(21)에 접속된다. 각 단위 회로(U)에서의 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스는 전원선(16)에 대하여 공통으로 접속된다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 소스(전원선(16)) 사이에는 용량 소자(C)가 삽입된다. 또한, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 데이터선(14) 사이에는 양자의 전기적인 접속을 제어하는 선택 트랜지스터(Tsl)가 개재된다.

이상의 구성에서, 주사선(12)에 공급되는 주사 신호(G)에 따라 선택 트랜지스터(Tsl)가 온(on) 상태로 변화되면, 발광 소자(E)에 지정된 계조에 따른 데이터 전압(S)이 데이터선(14)으로부터 선택 트랜지스터(Tsl)를 경유하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트에 공급된다. 이때 데이터 전압(S)에 따른 전하가 용량 소자(C) 에 축적되기 때문에, 선택 트랜지스터(Tsl)가 오프(off) 상태로 변화되어도, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트는 데이터 전압(S)에 유지된다. 따라서, 발광 소자(E)에는 데이터 전압(S)에 따른 구동 전류(Iel)가 계속적으로 공급된다.

다음으로, 도 2 및 도 3을 참조해서 소자 어레이부(A)의 구체적인 구성을 설명한다. 도 2는 소자 어레이부(A)의 구성을 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2에서의 III-III선으로부터 본 단면도이다. 또한, 도 2나 도 3에서는 주사선(12)이나 데이터선(14)이나 선택 트랜지스터(Tsl)와 같은 각 요소의 도시가 적당히 생략되어 있다. 또한, 이하에서 참조하는 각 도면에서는 설명의 편의를 위해 각 요소의 치수의 비율을 실제의 장치로부터 적당히 다르게 하고 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 구동 트랜지스터(Tdr)나 발광 소자(E)와 같은 도 1의 각 요소는 기판(10)의 면 위에 형성된다. 기판(10)은 유리나 플라스틱 등 각종의 절연 재료로 이루어지는 판재이다. 또한, 본 실시예의 발광 장치는 발광 소자(E)로부터의 방사광이 기판(10)과는 반대측에 출사하는 톱 이미션형이기 때문에, 기판(10)에 광 투과성은 요구되지 않는다.

기판(10)의 면 위에는 구동 트랜지스터(Tdr)가 배치된다. 구동 트랜지스터(Tdr)는 기판(10)의 표면에 반도체 재료에 의해 형성된 반도체층(31)과 게이트 절연층(F0)을 사이에 두고 반도체층(31)(채널 영역)에 대향하는 게이트 전극(32)을 포함한다. 게이트 전극(32)은 제 1 절연층(F1)에 덮인다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극(33) 및 드레인 전극(35)은 제 1 절연층(F1)의 면 위에 형성되는 동시에 제 1 절연층(F1)의 콘택트 홀을 통해서 반도체층(31)(소스 영역·드레인 영역) 에 도통한다. 구동 트랜지스터(Tdr)가 형성된 기판(10)의 표면은 제 2 절연층(F2)에 덮인다. 제 1 절연층(F1)이나 제 2 절연층(F2)은 SiO₂ 등의 절연 재료로 형성된 막체이다.

도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 2 절연층(F2)의 면 위에는 제 1 전극(21)이 발광 소자(E)마다 서로 이간해서 형성된다. 제 1 전극(21)은 Y방향을 길이로 하는 직사각형 형상의 전극이며, 제 2 전극(22)보다도 일함수가 높은 광반사성의 도전 재료에 의해 형성된다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1 전극(21)은 제 2 절연층(F2)을 두께 방향으로 관통하는 콘택트 홀(CH)을 통해서 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극(35)에 전기적으로 접속된다.

제 1 전극(21)이 형성된 제 2 절연층(F2)의 표면에는 격벽층(25)이 형성된다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 격벽층(25)은 제 1 전극(21)과 중첩되는 각 영역에 개구부(251)(격벽층(25)을 두께 방향으로 관통하는 구멍)가 형성된 절연성의 막체이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, Z방향으로부터 보면 개구부(251)의 안쪽 둘레는 그 전체 둘레에 걸쳐 제 1 전극(21)의 가장자리보다도 내측에 위치한다. 즉, 제 1 전극(21)은 개구부(251)를 통해서 격벽층(25)으로부터 노출된다. 또한, 이상과 같이 제 1 전극(21)의 가장자리는 실제로는 격벽층(25)에 덮이지만, 도 2에서는 제 1 전극(21)의 외형이 편의적으로 실선으로 도시되어 있다.

발광층(23)은 격벽층(25)이 형성된 제 2 절연층(F2)의 전역을 피복하도록 복수의 발광 소자(E)에 걸쳐 연속으로 형성된다. 즉, 발광층(23)은 개구부(251)의 내측에 들어가서 제 1 전극(21)에 접촉하는 부분(즉 실제로 발광하는 부분)과 격벽층(25)의 면 위에 위치하는 부분을 포함한다. 제 1 전극(21)은 발광 소자(E)마다 서로 이간해서 형성되기 때문에, 발광층(23)이 복수의 발광 소자(E)에 걸쳐 연속한다고는 해도, 발광층(23)의 휘도는 각 제 1 전극(21)의 전압에 따라 발광 소자(E)마다 개별적으로 제어된다. 또한, 발광층(23)에 의한 발광을 촉진 또는 효율화하기 위한 각종의 기능층(정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 블록층, 전자 블록층)이 발광층(23)에 적층된 구성으로 해도 된다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 제 2 전극(22)은 복수의 발광 소자(E)에 걸쳐 연속으로 형성되어 발광층(23)과 격벽층(25)을 덮는 전극이다. 즉, 제 2 전극(22)은 개구부(251)의 내측에서 발광층(23)을 사이에 두고 제 1 전극(21)에 대향하는 부분과 격벽층(25)의 면 위에 위치하는 부분을 포함한다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1 전극(21)과 제 2 전극(22)과 발광층(23)의 적층 중 Z방향으로부터 보아 개구부(251)의 안쪽 둘레의 내측에 위치하는 부분(즉 제 1 전극(21)으로부터 제 2 전극(22)에 구동 전류(Iel)가 흐르는 영역)이 발광 소자(E)이다. 발광층(23) 중 격벽층(25)과 중첩되는 영역은 제 1 전극(21)과 제 2 전극(22) 사이에 개재하는 격벽층(25)에 의해 전류가 차단되기 때문에 발광하지 않는다. 즉, 격벽층(25)은 각 발광 소자(E)의 윤곽선을 획정하는 수단으로서 기능한다.

제 2 전극(22)은 ITO(Indium Tin 0xide)나 IZO(Indium Zinc 0xide)와 같은 광 투과성의 도전 재료에 의해 형성된다. 따라서, 발광층(23)으로부터 기판(10)과는 반대측에 출사한 광과 발광층(23)으로부터 기판(10)측에 출사해서 제 1 전 극(21)의 표면에서 반사한 광은 제 2 전극(22)을 투과하여 출사한다. 즉, 본 실시예의 발광 장치는 톱 이미션형이다.

그런데, 광 투과성의 도전 재료의 대부분은 저항률이 높기 때문에, 이 종류의 재료에 의해 형성된 제 2 전극(22)은 고저항이 되어 그 면 내에서의 전압 강하가 현저해진다. 따라서, 각 발광 소자(E)에 인가되는 전압이 제 2 전극(22)의 면 내(X-Y평면 내)의 위치에 따라 상위하고, 이 결과적으로 각 발광 소자(E)의 휘도에 불균일이 발생할 경우가 있다. 이상과 같은 광량의 편차를 억제하기 위해서 본 실시예에서는 제 2 전극(22)의 도전성을 보조하기 위한 보조 배선(27)이 형성된다. 보조 배선(27)은 제 2 전극(22)보다도 저항률이 낮은 도전 재료(예를 들어 알루미늄)에 의해 형성되어 제 2 전극(22)에 도통한다. 본 실시예의 보조 배선(27)은 제 2 전극(22)과 격벽층(25) 사이(제 2 전극(22)의 바로 아래)에 형성된다.

다음으로, 도 2 및 도 3을 참조하면서 각 요소의 구체적인 배치에 대해서 상세히 설명한다. 도 2에는 제 i행으로부터 제 (i+3)행까지의 각 행에 속하는 3열 분의 발광 소자(E)가 도시되어 있다. 제 i행 및 제 (i+2)행은 짝수행이며, 제 (i+1)행 및 제 (i+3)행은 홀수행이다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 짝수행의 각 발광 소자(E)와 그 Y방향의 플러스측에 인접하는 홀수행의 각 발광 소자(E)의 간극(S1)(폭(B1))은 홀수행의 각 발광 소자(E)와 그 Y방향의 플러스측에 인접하는 짝수행의 각 발광 소자(E)의 간극(S2)(폭(B2))보다도 넓다(B1>B2). 보조 배선(27)은 간극(S1) 내에서 X방향으로 연장하도록 형성되어 간격(S2)에는 형성되지 않는다. 예를 들어 제 i행과 제 (i+1) 행의 간극(S1) 및 제 (i+2)행과 제 (i+3)행의 간극(S1) 각각에는 보조 배선(27)이 형성되고, 제 (i+1)행과 제 (i+2)행의 간극(S2)에는 보조 배선(27)이 존재하지 않는다. 즉, 홀수행과 그 Y방향의 플러스측에 인접하는 짝수행의 2행을 단위로서 소자 어레이부(A)를 구분하면, Y방향에 인접하는 각 단위의 간극에는 보조 배선(27)이 형성되고, 한 개의 단위에 속하는 각 행의 간극에는 보조 배선(27)이 존재하지 않는다. 이상과 같이, 본 실시예에서는 복수행(2행)마다 1개의 비율로 보조 배선(27)이 형성된다.

보조 배선(27)이 형성되는 위치에는 제조 기술상의 이유로 오차가 발생할 경우가 있다. 예를 들어 마스크를 통한 증착(상세한 것은 후술함)에 의해 보조 배선(27)을 형성할 경우에는, 마스크의 치수의 오차나 기판(10)과 마스크의 위치 조합의 오차에 기인하여 보조 배선(27)이 소기의 위치(설계상의 위치)와는 상위하는 위치에 형성될 경우가 있다. 보조 배선(27)의 위치에 오차가 있는 경우에도 보조 배선(27)과 발광 소자(E)가 Z방향으로부터 보아서 중복되지 않도록, 본 실시예에서는 보조 배선(27)의 설계상의 위치와 그 폭 방향(Y방향)의 양측에 인접하는 발광 소자(E)의 각 간극에는 마진 영역(M)이 확보된다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 마진 영역(M)은 보조 배선(27) 중 발광 소자(E)측의 가장자리와 상기 발광 소자(E) 중 보조 배선(27)측의 가장자리(개구부(251)의 안쪽 둘레) 사이에 끼어있는 영역이다.

보조 배선(27)은 2행마다 1개의 비율로 형성되기 때문에, 마진 영역(M)은 짝수행과 그 Y방향의 플러스측의 홀수행의 간극(S1)에서만 확보되고, 홀수행과 그 Y 방향의 플러스측의 짝수행의 간극(S2)에는 존재하지 않는다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 각 발광 소자(E)의 제 1 전극(21)과 구동 트랜지스터(Tdr)를 도통시키는 콘택트 홀(CH)은 상기 발광 소자(E)와 이것에 인접하는 보조 배선(27) 사이의 마진 영역(M) 내에, 보조 배선(27)이 연장되는 X방향을 따라 긴 형상으로 형성된다. 따라서, 발광 소자(E)와 이것에 대응한 콘택트 홀(CH)의 Y방향의 배치는 홀수행과 짝수행으로 반대가 된다. 즉, 짝수행에서는 발광 소자(E)로부터 보아 Y방향의 플러스측에 콘택트 홀(CH)이 위치하는 것에 대해, 홀수행에서는 발광 소자(E)로부터 보아 Y방향의 마이너스측에 콘택트 홀(CH)이 위치한다. 환언하면, 서로 인접하는 홀수행과 짝수행의 각 발광 소자(E)의 배치는 2행 사이에서 X방향에 연장되는 축선(T)에 관하여 선대칭이 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 2행마다 1개의 보조 배선(27)이 형성되기 때문에, 전(全) 행의 간극에 보조 배선(27)이 형성된 구성(이하「종래 구성」이라고 함)과 비교하여, 발광 소자(E)가 분포되는 영역(소자 어레이부(A)) 중 보조 배선(27)의 형성이나 마진 영역(M)의 확보에 필요한 총면적이 삭감(단순하게는 반 정도로 삭감)된다. 따라서, 개구율의 유지와 보조 배선(27)의 저 저항화의 양립이 용이하다는 이점이 있다. 예를 들어 소자 어레이부(A)의 개구율을 종래 구성과 동등하게 유지한다고 하면, 보조 배선(27)의 개수나 각각에 대응하는 마진 영역(M)의 면적이 삭감된 만큼, 각 보조 배선(27)의 선의 폭을 종래 구성보다도 널리 확보할 수 있다. 또는, 각 보조 배선(27)의 선의 폭을 종래 구성과 동등하게 유지한다고 하면, 소자 어레이부(A)의 전체에 차지하는 보조 배선(27)이나 마진 영 역(M)의 면적이 삭감된 만큼, 각 발광 소자(E)의 면적을 넓게 확보하여 종래 구성보다도 개구율을 증가시킬 수 있다. 그리고, 구동 전류(Iel)의 전류량이 종래 구성과 동등하다고 하면, 개구율의 증가에 의해 각 발광 소자(E)의 광량을 증대시키는 것이 가능해진다. 또한, 발광 장치로부터 소기의 광량을 출사시키기 위해 각 발광 소자(E)에 공급해야 할 전기 에너지(구동 전류(Iel))가 개구율의 증가에 의해 저감되기 때문에, 전기 에너지의 공급에 기인한 열화를 억제하여 발광 소자(E)가 장수명화 된다는 이점도 있다.

홀수행과 그 Y방향의 플러스측의 짝수행의 간극(S2)(폭(B2))은 발광에 기여하지 않는 영역(소위 데드 스페이스)이 된다. 따라서, 전(全) 행의 각 발광 소자(E)가 Y방향을 따라 동일한 간극(B1)으로 배열하는 구성이라고 하면, 소자 어레이부(A)에서의 개구율이 제약된다고 하는 문제가 있다. 본 실시예에서는 간극(S2)이 간극(S1)보다도 좁다(B2<B1). 따라서, 각 발광 소자(E)가 Y방향을 따라 동일한 간극(B1)으로 배열된 구성과 비교하여, 개구율의 증가를 용이하게 실현할 수 있다.

그런데, 제 1 전극(21)의 표면 중 콘택트 홀(CH)과 중첩되는 부위에는 콘택트 홀(CH)의 형상을 반영한 홈이 나타난다. 따라서, 콘택트 홀(CH)과 중첩되도록 발광 소자(E)가 형성된 구성(즉 개구부(251)의 내측에 콘택트 홀(CH)이 존재하는 구성)에서는 콘택트 홀(CH)에 대향하는 영역과 그 이외의 영역에서 발광층(23)의 막 두께가 상위하고, 이것에 의해 각 발광 소자(E)의 휘도의 균일성이 손상될 경우가 있다. 또한, 제 1 전극(21)의 표면의 홈에서 발광 소자(E)로부터의 출사광이 산란하는 것도 휘도의 불균일성의 원인이 된다. 이에 대해 본 실시예에서는 Z방향 으로부터 보아 콘택트 홀(CH)과는 중첩되지 않도록 발광 소자(E)가 형성된다. 즉, 제 1 전극(21) 중 홈이 없는 평탄면의 표면에만 발광 소자(E)의 발광층(23)이 형성되기 때문에, 각 발광 소자(E)의 휘도를 균일화하는 것이 가능하다.

또한, 마진 영역(M)의 외측에 콘택트 홀(CH)이 형성된 구성에서는 콘택트 홀(CH)의 면적을 증가시킬 만큼 발광 소자(E)의 면적이 축소해서 개구율이 저하된다는 문제가 있다. 이에 대해, 본 실시예에서는 본래 발광에 기여하지 않는(즉, 발광 소자(E)가 형성되지 않는) 마진 영역(M) 내에 콘택트 홀(CH)이 형성되기 때문에, 발광 소자(E)의 면적을 축소하지 않고 콘택트 홀(CH)의 면적을 충분히 확보하는 것이 가능하다. 예를 들어 도 2와 같이, 콘택트 홀(CH)을 X방향으로 긴 형상으로 형성함으로써 제 1 전극(21)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 접촉 저항을 저하시키는 동시에 양자간의 도통의 불량을 억제할 수 있다는 이점이 있다.

<발광 장치의 제조 방법>

다음으로, 본 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법 중 보조 배선(27)을 형성하는 공정에 대해서 설명한다. 본 실시예의 보조 배선(27)은 마스크를 이용한 증착(진공 증착)에 의해 형성된다. 또한, 보조 배선(27) 이외의 요소의 형성에는 모든 공지한 기술이 채용된다.

도 4는 보조 배선(27)을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도(도 3에 대응하는 단면)이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 보조 배선(27)의 형성에 앞서 증착용의 마스크(50)가 준비된다. 마스크(50)는 영역(RA)이 개구하는 동시에 그 이외의 영역(RB)을 차폐하는 형상으로 작성된다. 영역(RA)은 보조 배선(27)이 형성되는 영역과 대향하도록 X방향을 따라 연장되는 슬릿 모양의 영역이다. 즉, 영역(RA)은 짝수행(제 i행이나 제 (i+2)행)과 그 Y방향의 플러스측에 인접하는 홀수행(제 (i+1)행이나 제(i+3)줄)의 간극(S1)(보다 상세하게는 간극(S1)으로부터 마진 영역(M)을 제외한 영역)에 대향하는 영역이다. 한편, 영역(RB)은 영역(RB1)과 영역(RB2)과 영역(RB3)을 포함한다. 영역(RB1)은 각 발광 소자(E)에 대향하는 영역이다. 영역(RB2)은 마진 영역(M)에 대향하는 영역이다. 영역(RB3)은 홀수행(제 (i+1)행)과 그 Y방향의 플러스측의 짝수행(제 (i+2)행)의 간극(S2)에 대향하는 폭(B2)의 영역이다.

이상의 마스크(50)를 이용한 증착에 의해 보조 배선(27)이 형성된다. 즉, 발광층(23)이 형성된 단계(제 2 전극(22)의 형성 전)에 있는 발광 장치가 진공 중에 배치되고, 발광층(23)과 대향하도록 마스크(50)가 배치된다. 그리고, 제 2 전극(22)보다도 저항률이 낮은 도전 재료의 증기(V)를 마스크(50)측으로부터 발광 장치에 스프레이 한다. 이상의 공정에서, 마스크(50)의 영역(RB)에 의해 차단된 증기(V)는 발광 장치에 도달하지 않고, 마스크(50)의 영역(RA)을 통과한 증기(V)가 선택적으로 발광층(23)의 표면에 부착·퇴적함으로써 보조 배선(27)이 도 2의 형상으로 형성된다.

본 실시예의 발광 장치에서는 발광 소자(E)의 2행마다 1개의 보조 배선(27)이 형성되기 때문에, 도 4에 나타낸 바와 같이 마스크(50)의 영역(RB3)을 개구시킬 필요는 없다. 즉, 종래 구성과 같이 전(全) 행의 간극으로 보조 배선(27)을 형성할 경우(마스크(50)의 영역(RA)에 더해서 영역(RB3)도 개구할 경우)와 비교하여 마 스크(50)의 기계적인 강도를 충분히 유지할 수 있다. 따라서, 마스크(50)의 변형(예를 들어 자체 중량에 의한 휨)에 기인한 보조 배선(27)의 치수나 위치의 오차를 억제하는 것이 가능하다.

<B: 제 2 실시예>

다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시예 중 제 1 실시예와 공통되는 요소에 대해서는 이상과 동일한 부호를 첨부해서 그 상세한 설명을 적당히 생략한다.

도 5는 본 실시예에 따른 소자 어레이부(A)의 구성을 나타내는 평면도(도 2에 대응하는 평면도)이다. 제 1 실시예에서는 보조 배선(27)이 발광 소자(E)의 짧은 변(X방향)을 따라 연장되는 구성을 예시했다. 이에 대해 본 실시예에서의 보조 배선(27)은 도 5에 나타낸 바와 같이, 발광 소자(E)의 긴 변(Y방향)을 따라 연장된다. 또한, 도 5에서는 제 j열로부터 제 (j+3)열까지의 각 열에 속하는 3행 분의 발광 소자(E)가 도시되어 있다. 제 j열 및 제 (j+2)열은 짝수열이며, 제 (j+1)열 및 제 (j+3)열은 홀수열이다.

도 5에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 복수열(2열)마다 1개의 보조 배선(27)이 형성된다. 즉, 제 j열과 제 (j+1)열의 간극(S1) 및 제 (j+2)열과 제 (j+3)열의 간극(S1)(폭(B1))에는 Y방향으로 연장되는 보조 배선(27)이 형성되는 한편, 제 (j+1)열과 제 (j+2)열의 간극(S2)(폭(B2)(<B1))에 보조 배선(27)은 형성되지 않는다. 따라서, 제 1 실시예와 동일한 효과가 나타난다.

다음으로, 각 발광 소자(E)를 통과한 구동 전류(Iel)가 보조 배선(27)에 유 입되기까지의 구간의 저항값(이하「음극측 저항」이라고 함)에 대해서 검토한다. 음극측 저항(R)은 발광 소자(E)의 가장자리로부터 보조 배선(27)까지의 거리(L)에 비례하는 동시에 보조 배선(27)이 연장되는 방향에 따른 발광 소자(E)의 치수(W)에 반비례한다(도 2 및 도 5 참조). 제 2 실시예에서는 발광 소자(E)의 긴 변을 따라 보조 배선(27)이 연장되기 때문에, 발광 소자(E)의 짧은 변을 따라 보조 배선(27)이 연장되는 제 1 실시예와 비교하여 치수(W)를 충분히 확보할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 의하면 제 1 실시예와 비교하여 음극측 저항(R)이 저감된다. 이것에 의해 제 2 전극(22)에서의 전압 강하가 억제되기 때문에, 음극측 저항(R)이 높은 경우와 비교하여 발광 소자(E)의 구동에 필요한 전원 전압(VEL)을 저하시키는 것이 가능해 진다.

또한, 본 실시예에서는 발광 소자(E)의 긴 변을 따라 보조 배선(27)이 연장되기 때문에, 한 개의 발광 소자(E)에 대응한 마진 영역(M)이 제 1 실시예와 비교하여 확대되고, 이것에 의해 마진 영역(M) 내의 콘택트 홀(CH)의 면적을 증가시키는 것이 가능해진다. 따라서, 콘택트 홀(CH)의 확대에 기인한 개구율의 저하를 회피하면서 제 1 전극(21)과 구동 트랜지스터(Tdr)를 양호하게 도통시킬 수 있다.

<C: 제 3 실시예>

다음으로, 본 발명의 제 3 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시예 중 제 1 실시예와 공통되는 요소에 대해서는 이상과 동일한 부호를 첨부하고 그 상세한 설명을 적당히 생략한다.

도 6은 본 실시예에 따른 소자 어레이부(A)의 구성을 나타내는 평면도(도 2 에 대응하는 평면도)이며, 도 7은 도 6에서의 VII-VII선으로부터 본 단면도이다. 제 1 실시예에서는 보조 배선(27)과 콘택트 홀(CH)이 중첩되지 않는 구성을 예시했다. 이에 대해 본 실시에서는 도 6이나 도 7에 나타낸 바와 같이, Z방향으로부터 보아 콘택트 홀(CH)과 중첩되도록 보조 배선(27)이 형성된다. 즉, 보조 배선(27)은 격벽층(25)의 거의 전폭에 걸쳐 형성되어, 홀수행의 각 발광 소자(E)의 콘택트 홀(CH)과 그 Y방향의 플러스측에 인접하는 짝수행의 각 발광 소자(E)의 콘택트 홀(CH)에 중첩된다. 또한, 홀수행과 그 Y방향의 플러스측의 짝수행의 간극에 보조 배선(27)이 형성되지 않는 구성은 제 1 실시예와 동일하다. 또한, 보조 배선(27)의 가장자리와, 발광 소자(E)의 가장자리의 간극(콘택트 홀(CH)의 가장자리와, 발광 소자(E)의 간극의 일부)은 마진 영역(M)이 된다.

이상의 구성에 의하면, 제 1 실시예와 비교하여 보조 배선(27)의 저항값이 저감되기 때문에, 제 2 전극(22)에서의 전압 강하를 억제하는 효과는 한층 더 현저해진다. 또한, 도 6이나 도 7에서는 제 1 실시예의 발광 장치를 변형한 형태를 예시했지만, 보조 배선(27)이 콘택트 홀(CH)에 중첩된다는 구성은 제 2 실시예의 발광 장치에도 동일하게 적용된다.

또한, 보조 배선(27)은 차광성을 갖기 때문에, 제 1 전극(21)의 표면 중 콘택트 홀(CH)과 중첩되는 부분의 홈에 발광 소자(E)로부터의 출사광이나 외광이 도달했다고 해도, 이 홈에서의 산란광은 보조 배선(27)에 의해 차단되어 외부에는 출사하지 않는다. 따라서, 소자 어레이부(A)의 전체에 걸쳐 휘도의 균일성이 실현된다는 이점도 있다.

<D: 변형예>

이상의 각 형태에는 다양한 변형을 부가할 수 있다. 구체적인 변형의 형태를 예시하면 아래와 같다. 또한, 이하의 각 형태를 적당히 조합시켜도 된다.

(1) 변형예 1

이상의 각 형태에서는 2행(제 2 실시예에서는 2열)마다 1개의 비율로 보조 배선(27)이 형성된 구성을 예시했지만, 행수 또는 열수와 보조 배선(27)의 비율은 적당히 변경된다. 예를 들어 발광 소자(E)의 3행(3열) 이상을 단위로서 1개의 보조 배선(27)이 형성되는 구성이라도 된다. 또한, 보조 배선(27)이 배치되는 피치(서로 인접하는 각 보조 배선(27)의 간극에 위치하는 발광 소자(E)의 행수나 열수)가 소자 어레이부(A)의 전체 영역에 걸쳐 반드시 공통될 필요는 없고, 소자 어레이부(A) 내의 위치에 따라 보조 배선(27)의 소밀(疏密)을 상위시켜도 된다.

(2) 변형예 2

이상의 각 형태에서는 복수의 발광 소자(E)에 걸쳐 연속하도록 발광층(23)이 형성된 구성을 예시했지만, 발광층(23)이 발광 소자(E)마다 분리된 구성(예를 들어 발광층(23)이 격벽층(25)의 개구부의 내측에만 형성된 구성)도 채용된다. 또한, 격벽층(25)은 적당히 생략된다.

(3) 변형예 3

이상의 각 형태에서의 단위 회로(U)의 구체적인 구성은 임의이다. 예를 들어 도 1에서는 발광 소자(E)의 휘도가 데이터선(14)의 전압값에 따라 결정되는 전압 프로그래밍 방식의 회로를 예시했지만, 발광 소자(E)의 휘도가 데이터선(14)의 전류값에 따라 결정되는 전류 프로그래밍 방식의 회로로 해도 된다. 또한, 이상의 각 형태에서는 구동 전류(Iel)가 구동 트랜지스터(Tdr)에 의해 제어되는 액티브 매트릭스 방식의 발광 장치를 예시했지만, 단위 회로(U)가 능동 소자를 포함하지 않는 패시브 매트릭스 방식의 발광 장치에도 본 발명은 적용된다.

(4) 변형예 4

이상의 각 형태에서는 격벽층(25)과 제 2 전극(22) 사이에 보조 배선(27)이 개재하는 구성을 예시했지만, 보조 배선(27)이 배치되는 위치는 적당히 변경된다. 예를 들어 제 2 전극(22)의 상면(격벽층(25)과는 반대측의 표면)에 보조 배선(27)이 형성되어도 된다. 보조 배선(27)과 제 2 전극(22) 사이에 절연층 등의 타층이 개재하지 않는 구성(즉, 보조 배선(27)이 제 2 전극(22)의 바로 위 또는 바로 아래에 형성된 구성)에 의하면, 보조 배선(27) 및 제 2 전극(22)의 한쪽을 다른쪽에 계속해서 형성함으로써 쌍방이 전기적으로 접속된다. 따라서, 예를 들어 양자간에 절연층이 개재하는 구성(보조 배선(27)과 제 2 전극(22)이 절연층의 콘택트 홀을 통해서 도통하는 구성)과 비교하여 제조 공정의 간소화나 제조 비용의 저감이 실현된다.

또한, 발광층(23)보다도 기판(10)측에 보조 배선(27)이 형성되어도 된다. 예를 들어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극(32)과 동일한 도전막의 패터닝에 의해 보조 배선이 형성되어, 제 1 절연층(F1)이나 제 2 절연층(F2)을 관통하는 콘택트 홀을 통해서 제 2 전극(22)에 전기적으로 접속된 구성도 채용된다.

(5) 변형예 5

이상의 각 형태에서는 유기 EL 재료로 이루어지는 발광층(23)을 포함하는 발광 소자(E)를 예시했지만, 본 발명에서의 발광 소자(E)는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어 무기 EL 재료로 이루어지는 발광층(23)을 포함하는 발광 소자(E)나 LED(Light Emitting Diode) 소자 등 다양한 발광 소자(E)를 채용할 수 있다. 본 발명에서의 발광 소자(E)는 전기 에너지의 공급(전형적으로는 전류의 공급)에 의해 발광하는 소자이면 충분하고, 그 구체적인 구조나 재료의 여하는 불문한다.

<E: 응용예>

다음으로, 본 발명에 따른 발광 장치를 이용한 전자 기기에 대해서 설명한다. 도 8 내지 도 10에는 이상의 어느 하나의 형태에 따른 발광 장치를 표시 장치로서 채용한 전자 기기의 형태가 도시되어 있다.

도 8은 발광 장치를 채용한 모바일형 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는 각종의 화상을 표시하는 발광 장치(D)와 전원 스위치(2001)나 키보드(2002)가 설치된 본체부(2010)를 구비한다. 발광 장치(D)는 유기 발광 다이오드 소자를 발광 소자(E)로서 사용하고 있기 때문에 시야각이 넓어 보기 쉬운 화면을 표시할 수 있다.

도 9는 발광 장치를 적용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 사시도이다. 휴대 전화기(3000)는 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002)과 각종의 화상을 표시하는 발광 장치(D)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써 발광 장치(D)에 표시되는 화면이 스크롤된다.

도 10은 발광 장치를 적용한 휴대 정보 단말(PDA: Personal Digital Assistants)의 구성을 나타내는 사시도이다. 정보 휴대 단말(4000)은 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002)와 각종의 화상을 표시하는 발광 장치(D)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케줄 수첩과 같은 다양한 정보가 발광 장치(D)에 표시된다.

또한, 본 발명에 따른 발광 장치가 적용되는 전자 기기로서는 도 8 내지 도 10에 나타낸 기기 이외에, 디지털 스틸 카메라, 텔레비전, 비디오 카메라, 카 내비게이션 장치, 페이저, 전자수첩, 전자 페이퍼, 전자 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 프린터, 스캐너, 복사기, 비디오 플레이어, 터치 패널을 구비한 기기 등등을 들 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들어 광기입형 프린터나 전자 복사기와 같은 화상 형성 장치에서는 용지에 형성되어야 할 화상에 따라 감광체를 노광하는 광헤드(기입 헤드)가 사용되지만, 이 종류의 광헤드로서도 본 발명의 발광 장치는 이용된다.

본 발명에 의하면, 개구율의 향상과 제 2 전극에서의 전압 강하의 억제를 양립시킬 수 있다.

Claims

제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재(介在)하는 복수의 발광 소자를 제 1 방향으로 배열한 복수의 소자 그룹이 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 병렬된 소자 어레이부와,

상기 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 재료에 의해 형성되어 상기 각 발광 소자의 제 2 전극에 전기적으로 접속되는 보조 배선을 구비하고,

상기 보조 배선은 상기 복수의 소자 그룹 중 서로 인접하는 제 1 소자 그룹과 제 2 소자 그룹의 간극에서 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 2 소자 그룹에 대하여 상기 제 1 소자 그룹과는 반대측에 인접하는 제 3 소자 그룹과 상기 제 2 소자 그룹의 간극에는 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 소자 그룹의 각 발광 소자와 상기 제 2 소자 그룹의 각 발광 소자의 간격은 상기 제 2 소자 그룹의 각 발광 소자와 상기 제 3 소자 그룹의 각 발광 소자의 간격보다도 넓은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제 2 전극은 복수의 발광 소자에 걸쳐 연속으로 형성되고,

상기 보조 배선은 상기 제 2 전극의 바로 아래 또는 바로 위에 형성되어 상 기 제 2 전극에 면 접촉하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 각 발광 소자의 제 1 전극이 배치된 기판의 면 위에 형성되어 상기 제 1 전극에 대응한 개구부를 갖는 격벽층을 구비하고,

상기 발광층은 상기 개구부의 내측에 위치하는 부분을 포함하며,

상기 제 2 전극은 상기 개구부의 내측에서 상기 발광층을 사이에 두어 상기 제 1 전극에 대향하는 부분과 상기 격벽층의 표면을 덮는 부분을 포함하고,

상기 보조 배선은 상기 격벽층과 상기 제 2 전극 사이에 개재하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 각 발광 소자는 상기 제 1 방향을 따라 긴 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 각 발광 소자에 공급되는 전류를 제어하는 복수의 구동 트랜지스터와,

상기 복수의 구동 트랜지스터를 피복하는 절연층을 구비하고,

상기 복수의 발광 소자는 상기 절연층의 면 위에 배치되고,

상기 각 발광 소자의 제 1 전극은 상기 절연층에 형성된 콘택트 홀을 통해서 상기 구동 트랜지스터에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 6 항에 있어서,

상기 제 1 소자 그룹 및 상기 제 2 소자 그룹 각각에 속하는 각 발광 소자에 대응한 콘택트 홀은 상기 소자 그룹의 각 발광 소자로부터 보아 상기 보조 배선측에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 제 1 소자 그룹 및 상기 제 2 소자 그룹 각각에 속하는 각 발광 소자에 대응한 콘택트 홀은 상기 소자 그룹에 속하는 각 발광 소자의 상기 보조 배선측의 가장자리와 상기 보조 배선에서의 상기 발광 소자측의 가장자리의 간극에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 콘택트 홀은 상기 제 1 방향을 따라 긴 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재하는 복수의 발광 소자를 제 1 방향으로 배열한 복수의 소자 그룹이 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 병렬된 소자 어레이부와,

상기 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 재료에 의해 형성되어 상기 각 발광 소자의 제 2 전극에 전기적으로 접속되는 복수의 보조 배선을 구비하고,

상기 보조 배선은 서로 인접하는 2 이상의 소자 그룹마다 상기 소자 어레이부를 구분한 각 단위의 간극에서 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 각 단위에 속하는 각 소자 그룹의 간극에는 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항 또는 제 10 항에 기재된 발광 장치를 구비하는 전자 기기.
제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 개재하는 복수의 발광 소자를 제 1 방향으로 배열한 복수의 소자 그룹이 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 병렬된 소자 어레이부와, 상기 각 발광 소자의 제 2 전극에 전기적으로 접속되는 보조 배선을 구비하는 발광 장치를 제조하는 방법으로서,

상기 복수의 소자 그룹 중 서로 인접하는 제 1 소자 그룹과 제 2 소자 그룹의 간극에 대향하는 영역이 개구하고, 상기 제 2 소자 그룹에 대하여 상기 제 1 소자 그룹과는 반대측에 인접하는 제 3 소자 그룹과 상기 제 2 소자 그룹의 간극에 대향하는 영역을 차폐(遮蔽)하는 마스크를 준비하는 과정과,

상기 제 2 전극보다도 저항률이 낮은 재료를 상기 마스크를 통해서 증착함으로써 상기 보조 배선을 형성하는 과정을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.