KR20070093697A

KR20070093697A - 웨이퍼 테스트 장치

Info

Publication number: KR20070093697A
Application number: KR1020060023877A
Authority: KR
Inventors: 남주현; 김덕겸; 문병준; 이인철; 최지만
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-03-15
Filing date: 2006-03-15
Publication date: 2007-09-19

Abstract

본 발명은 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 웨이퍼 테스트 장치를 개시한다. 그의 장치는, 소정의 전기적인 신호를 발생시켜 출력하고, 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 웨이퍼에 형성된 칩의 불량 유무를 테스트하는 테스트 스테이션; 상기 테스트 스테이션에서 발생되는 상기 전기적인 신호를 인가받아 상기 웨이퍼의 표면에 접촉되는 탐침을 구비하는 프로브 스테이션; 및 상기 프로브 스테이션의 상기 탐침을 세정하는 세정액을 상기 탐침에 접촉되는 세정 기판, 또는 상기 세정 기판 상에 형성되는 세정포에 습윤시켜 상기 탐침에서 유발되는 금속층 또는 상기 금속층이 산화된 산화막을 제거토록 형성된 습윤 유닛을 포함함에 의해 상기 탐침의 오염을 방지시키고, 상기 탐침의 수명을 증가시킬 수 있기 때문에 생산수율을 향상시킬 수 있다.

탐침(probe needle), 프로브 스테이션(probe station), 테스트 스테이션(test station), 습윤(wetting)

Description

웨이퍼 테스트 장치{Apparatus for testing semiconductor device wafer}

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 테스트 장치를 개략적으로 나타낸 구성단면도.

도 2는 도 1의 프로브 스테이션의 탐침과 웨이퍼를 상세하게 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 장치를 개략적으로 나타낸 구성단면도.

도 4는 도 3의 습윤 유닛을 나타내는 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 테스트 스테이션 120 : 테스트 헤드

200 : 프로브 스테이션 220 : 척

240 : 프로브 카드 300 : 습윤 유닛

본 발명은 반도체 테스트 설비에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 제조공정 이 완료된 웨이퍼 레벨에서의 단위 칩당 불량(fail) 여부를 테스트하는 웨이퍼 테스트 장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 장치는 실리콘(Silicon) 재질로 구성되는 웨이퍼(Wafer)를 사용하여 제조되는 바, 이는 순수 실리콘 웨이퍼 상에 다수개의 반도체 칩(Chip)을 형성시키는 FAB(Fabrication) 공정을 수행한 다음 이 다수개의 반도체 칩 중 양품과 불량품을 선별하는 EDS 공정과 이러한 EDS 공정에 의해 양품으로 선별된 반도체 칩을 개개로 분리하여 개개의 반도체 칩이 전기적·물리적 특성을 지닐 수 있도록 칩을 패키징(packaging)하는 어셈블리(Assembly) 공정을 수행함으로서 제조된다.

여기에서, EDS 공정은 칩을 패키징하는 어셈블리 공정을 수행하기 전 불량품인 반도체 칩을 사전에 제거함으로써 불량품인 반도체 칩을 패키징하는데 소요되는 시간과 비용 등을 미연에 절감하기 위함이며, 대부분 반도체 칩 테스트 설비에 의해 수행된다.

이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 웨이퍼 테스트 장치를 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 테스트 장치를 개략적으로 나타낸 구성단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 테스트 장치는 크게, 소정의 전기적인 신호를 발생시켜 출력하고, 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 웨이퍼(W)에 형성된 칩의 불량 유무를 테스트하는 테스트 스테이션(10)과, 상기 테스트 스테이션(10)에서 발생되는 상기 전기적인 신호를 인가받아 상기 웨이퍼(W)의 칩 검사 영역에 인가토록 형성된 프로브 스테이션(20)을 포함하여 구성된다.

여기서, 상기 테스트 스테이션(10)은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 칩을 임으로 동작시켜 상기 칩의 불량 여부를 판단할 수 있다. 또한, 상기 테스트 스테이션(10)은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 상기 칩이 주위의 어떠한 환경에 따라 테스트될 수 있도록 상기 프로브 스테이션(20)을 제어하는 제어신호를 출력한다. 예컨대, 상기 테스트 스테이션(10)은 외부에서 인가되는 전원전압을 이용하여 상기 웨이퍼(W)에 형성된 칩에 입력될 소정의 전기적인 신호를 생성하는 전압변환부(도시하지 않음)와, 상기 전압변환부에서 생성된 상기 전기적인 신호를 제어하는 테스트 제어부(도시하지 않음)와, 상기 테스트 제어부에서 제어되는 상기 전기적인 신호를 상기 프로브 스테이션(20)에 전달토록 형성된 테스트 헤드(12)와, 상기 테스트 헤드(12)에서 상기 프로브 스테이션(20)에 전달되어 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 상기 제어부에서 상기 칩의 불량여부를 판단하여 표시하는 표시부(도시하지 않음)를 포함하여 이루어진다.

또한, 상기 프로브 스테이션(20)은 상기 테스트 스테이션(10)에서 출력되는 상기 전기적인 신호가 인가될 해당 칩이 설정된 위치에 위치되도록 상기 웨이퍼(W)를 위치시키고 지지하는 척(22)과, 상기 척(22) 상에 지지되는 상기 웨이퍼(W)에 형성된 상기 칩 영역에 전기적으로 접촉되는 적어도 하나이상의 탐침(prove needle, 도시되지 않음)이 형성되고 상기 테스트 스테이션(10)의 상기 테스트 헤드(12)와 전기적으로 연결되도록 형성된 프로브 카드(24)를 포함하여 이루어진다. 이 때, 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역은 알루미늄과 같은 도전성이 우수한 금속층으로 형성되어 있다. 또한, 상기 프로브 카드(24)에 형성된 상기 탐침은 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역에 점 접촉(point contact)되도록 끝이 뾰족하고, 소정의 탄성력을 갖도록 형성되어 있으며, 전기적인 도전성이 우수한 금속재질로 형성되어 있다.

도 2는 도 1의 프로브 스테이션(20)의 탐침과 웨이퍼를 상세하게 나타낸 단면도로서, EDS 공정 중 상기 탐침이 상기 웨이퍼의 칩 영역에 일정한 면적 이상 접촉된다. 여기서, 상기 탐침은 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역에 점 접촉(point contact)되도록 끝이 뾰족하고, 소정의 탄성력을 갖도록 형성되어 있으며, 전기적인 도전성이 우수한 금속재질로 형성되어 있다. 이때, 복수개의 상기 탐침은 상기 프로브 카드(24) 하부로 돌출되어 평탄한 상기 웨이퍼(W)의 상기 칩 영역에 접촉되도록 형성되어 있다. 또한, 상기 웨이퍼(W)의 상기 칩 영역은 상기 웨이퍼(W)의 내부에 형성된 다양한 반도체소자와 전기적으로 연결되도록 형성되어 있고, 상기 전기적인 신호에 응답하여 동작되며 상기 프로브 카드(24)를 통해 상기 테스트 스테이션(10)에 상기 전기적인 신호가 피드백되도록 상기 프로브 카드(24)의 탐침에 전기적으로 접촉되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역은 알루미늄과 같은 도전성이 우수한 금속층으로 형성되어 있다. 이때, 상기 탐침은 상기 금속층 상에서 소정의 힘으로 가압된다. 또한, 상기 탐침의 팁이 상기 금속층의 표면이하의 깊이로 파묻혀 상기 금속층의 내부로 일부 삽입될 수 있다.

그러나, EDS 공정이 완료되어 상기 탐침이 상기 금속층의 외부로 이탈되어야 할 경우, 상기 금속층의 일부가 상기 탐침의 팁에 잔존하게 되어 후속의 웨이퍼 EDS 공정에 영향을 미치게 된다. 예컨대, 상기 금속층이 대기중에 노출되면 상기 금속층이 산화되어 전기적인 특성이 주위의 환경 또는 시간에 따라 가변될 수 있다. 따라서, 종래의 웨이퍼 테스트장치는 탐침의 팁에 잔존되는 금속층이 주위의 환경과, 일정한 누적 사용시간에 따라 증가되고, 상기 금속층이 다량으로 유발되거나 상기 금속층이 산화되는 정도가 증가됨에 따라 EDS 공정 불량을 야기시킬 수 있기 때문에 생산수율이 줄어드는 단점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 웨이퍼 테스트장치는 탐침의 팁에 잔존되는 금속층을 일정 누적 사용시간에 따라 제거하고, EDS 공정 불량을 방지토록 하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 웨이퍼 테스트 장치를 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 웨이퍼 테스트 장치는, 소정의 전기적인 신호를 발생시켜 출력하고, 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 웨이퍼에 형성된 칩의 불량 유무를 테스트하는 테스트 스테이션; 상기 테스트 스테이션에서 발생되는 상기 전기적인 신호를 인가받아 상기 웨이퍼의 표면에 접촉되는 탐침을 구비하는 프로브 스테이션; 및 상기 프로브 스테이션의 상기 탐침을 세정하는 세정액을 상기 탐침에 접촉되는 세정 기판, 또는 상기 세정 기판 상에 형성되는 세정포에 습윤시켜 상기 탐침에서 유발되는 금속층 또는 상기 금속층이 산화된 산화막을 제거토록 형성된 습윤 유닛을 포함함을 특징으로 한다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 장치를 개략적으로 나타낸 구성단면도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 테스트 장치는, 소정의 전기적인 신호를 발생시켜 출력하고, 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 웨이퍼에 형성된 칩의 불량 유무를 테스트하는 테스트 스테이션(100)과, 상기 테스트 스테이션(100)에서 발생되는 상기 전기적인 신호를 인가받아 상기 웨이퍼의 표면에 접촉되는 탐침을 구비하는 프로브 스테이션(200)과, 상기 프로브 스테이션(200)의 상기 탐침을 세정하는 세정액을 상기 웨이퍼 표면 또는 상기 웨이퍼 상에 형성되는 세정포에 습윤시키는 습윤 유닛(300)을 포함하여 구성된다.

여기서, 상기 테스트 스테이션(100)은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 칩을 임으로 동작시켜 상기 칩의 불량 여부를 판단할 수 있다. 예컨대, 상기 테스트 스테이션(100)에서 생성된 상기 전기적인 신호는 약 수V 정도의 전압을 갖고, 다양한 주파수의 클럭을 갖는 전원전압이다. 또한, 상기 테스트 스테이션(100)은 상기 웨이퍼(W)에 형성된 상기 칩이 주위의 어떠한 환경에 따라 테스트될 수 있도록 상기 프로브 스테이션(200)을 제어하는 제어신호를 출력한다.

도시되지는 않았지만, 상기 테스트 스테이션(100)은 외부에서 인가되는 전원전압을 이용하여 상기 웨이퍼(W)에 형성된 칩에 입력될 소정의 전기적인 신호를 생성하는 전압변환부와, 상기 전압변환부에서 생성된 상기 전기적인 신호를 제어하는 테스트 제어부와, 상기 테스트 제어부에서 제어되는 상기 전기적인 신호를 상기 프로브 스테이션(200)에 전달토록 형성된 테스트 헤드(120)와, 상기 테스트 헤드(120)에서 상기 프로브 스테이션(200)에 전달되어 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 상기 제어부에서 상기 칩의 불량여부를 판단하여 표시하는 표시부를 포함하여 이루어진다.

상기 프로브 스테이션(200)은 상기 테스트 스테이션(100)에서 출력되는 제어신호에 의해 EDS 공정이 이루어질 해당 칩이 상기 설정된 위치에 로딩되도록 상기 웨이퍼(W)를 위치시키고, 상기 웨이퍼(W)의 주위 환경을 가변시키면서 상기 테스트 스테이션(100)에서 출력되는 상기 전기적인 신호가 상기 칩 영역에 입출력되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 프로브 스테이션(200)은 상기 테스트 스테이션(100)에서 출력되는 상기 전기적인 신호가 인가될 해당 칩이 설정된 위치에 위치되도록 상기 웨이퍼(W)를 위치시키고 지지하는 척(220)과, 상기 척(220) 상에 지지되는 상기 웨이퍼(W)에 형성된 상기 칩 영역에 전기적으로 접촉되는 적어도 하나이상의 탐침(prove needle)이 형성되고 상기 테스트 스테이션(100)의 상기 테스트 헤드(120)와 전기적으로 연결되도록 형성된 프로브 카드(240)를 포함하여 이루어진다. 상기 척(220)은 상기 테스트 스테이션(100)의 제어부에서 출력되는 제어신호에 의해 상기 전기적인 신호가 인가될 해당 칩이 설정된 위치에 로딩되도록 할 수 있다. 상기 척(220)은 상기 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하면서 소정의 진공압으로 고정시키도록 형성되어 있다. 또한, 상기 척(220)은 상기 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 이동시키거나 회전시키도록 형성되어 있다. 이때, 상기 척(220)은 상기 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 냉각시키거나 가열하여 EDS 공정을 수행토록 할 수 있다. 예컨대, 상기 프로버 스테이션에서 수행되는 웨이퍼(W)의 콜드 테스트(Cold Tast)는 웨이퍼(W)를 - 5℃ ~ - 40℃의 저온상태로 냉각시켜 이루어질 수 있다. 반면, 상기 웨이퍼(W)의 핫 테스트는 상기 웨이퍼(W)를 약 30℃ 내지 약 100℃의 고온상태로 가열하여 이루어질 수 있다.

상기 프로브 카드(240)는 테스트되어야 할 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역을 상기 테스트 스테이션(100)에 전기적으로 연결시킨다. 예컨대, 상기 포로브 카드는 상기 테스트 스테이션(100)의 상기 테스트 헤드(120)에 전기적으로 연결되는 테스트용 인쇄 회로 기판(PCB)과, 인쇄 회로 기판에 전기적으로 연결되는 복수개의 상기 탐침을 구비하여 이루어진다. 예컨대, 상기 탐침은 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역에 점 접촉(point contact)되도록 끝이 뾰족하고, 소정의 탄성력을 갖도록 형성되어 있으 며, 전기적인 도전성이 우수한 금속재질로 형성되어 있다. 이때, 복수개의 상기 탐침은 상기 인쇄 회로 기판의 중심 부위에서 하부로 돌출되어 평탄한 상기 웨이퍼(W)의 상기 칩 영역에 접촉되도록 형성되어 있다. 즉, 프로브 카드(240)는 웨이퍼(W) 상의 상기 칩을 테스트하기 위해 테스트용 인쇄 회로 기판에 연결된 상기 탐침을 테스트하고자 하는 칩에 패드에 접촉시킨 후, 인쇄 회로 기판에 전기적으로 연결된 검사 장비(미도시됨)의 전기적 신호를 칩으로 전해줌으로써 EDS 공정을 수행토록 할 수 있다.

한편, 상기 웨이퍼(W)의 상기 칩 영역은 상기 웨이퍼(W)의 내부에 형성된 다양한 반도체소자와 전기적으로 연결되도록 형성되어 있고, 상기 전기적인 신호에 응답하여 동작되며 상기 프로브 카드(240)를 통해 상기 테스트 스테이션(100)에 상기 전기적인 신호가 피드백되도록 상기 프로브 카드(240)의 탐침에 전기적으로 접촉되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 웨이퍼(W)의 칩 영역은 알루미늄과 같은 도전성이 우수한 금속층으로 형성되어 있다. 상기 탐침은 상기 금속층 상에서 소정의 힘으로 가압된다. 또한, 상기 탐침의 팁이 상기 금속층의 표면이하의 깊이로 파묻혀 상기 금속층의 내부로 일부 삽입되어도 무방하다. 이때, 해당 웨이퍼의 EDS 공정이 완료되어 상기 탐침이 상기 금속층의 외부로 이탈되어야 할 경우, 상기 금속층의 일부가 상기 탐침의 팁에 잔존하게 되어 후속의 웨이퍼 EDS 공정에 영향을 미치게 된다. 또한, 상기 금속층이 대기중에 노출되면 상기 금속층이 산화되어 전기적인 특성이 주위의 환경 또는 시간에 따라 가변될 수 있다. 예컨대, 상기 금속층이 대기중에 노출될 경우 상기 금속층이 산화되어 저항이 높아지게 되고 EDS 공정 불량을 야기시킬 수 있다.

따라서, 상기 습윤 유닛(300)은 EDS 공정이 진행되는 누적시간 또는 웨이퍼의 개수에 따라 상기 프로브 스테이션(200)의 탐침을 세정하는 세정액을 상기 탐침에 습윤시켜 상기 탐침의 팁에 유발되는 상기 금속층 또는 상기 금속층이 산화된 산화물을 제거토록 할 수 있다.

도 4는 도 3의 습윤 유닛(300)을 나타내는 단면도로서, 상기 습윤 유닛(300)은 상기 프로브 스테이션(200)의 척(220) 상에 위치되는 세정 기판(310) 또는 상기 세정 기판(310) 상에 형성된 세정포(320)와, 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 상기 세정액을 습윤(wetting)시키는 브러시(brush, 330)를 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 상기 세정액 공급부에서 공급된 상기 세정액이 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)를 통해 상기 프로브 스테이션(200)의 탐침에 습윤된 이후, 상기 탐침에서 상기 금속층 또는 상기 금속층이 산화된 산화막을 세정시킨 상기 세정액을 제거하는 송풍기 또는 진공 흡입기를 더 포함하여 이루어진다.

여기서, 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)는 상기 프로브 스테이션(200)의 상기 탐침 팁에 잔존하는 상기 금속층 또는 상기 산화막을 제거하는 상기 세정액을 상기 탐침에 습윤시킬 뿐만 아니라, 소정의 마찰력으로 상기 탐침의 팁에 형성된 상기 금속층 또는 상기 산화막을 폴리싱 시킬 수 있다. 예컨대, 상기 세정 기판(310)은 베어 웨이퍼(bare wafer)로 이루어지고, 상기 세정포(320)는 마 이크로 파이버(micro fiber)가 채용되는 면재질로 이루어진다. 이때, 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 습윤되는 상기 세정액은 상기 탐침과, 상기 금속층을 손상시키지 않도록 부식성이 낮고, 상기 탐침의 팁과 상기 금속층에 흡착이 우수하고, 친수력이 높은 수산화물(hydroxide)을 포함하여 이루어진다. 예컨대, 상기 세정액은 테트라부틸암모늄하이드로옥사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide)를 포함하여 이루어진다.

상기 브러시(330)는 상기 세정액 공급부에서 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 공급되는 상기 세정액을 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)의 전면에 균일하게 습윤시키도록 할 수 있다. 또한, 상기 브러시(330)는 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)가 상기 세정액을 상기 탐침의 팁에 습윤시키고, 상기 탐침의 팁에서 상기 금속층 또는 산화막이 세정된 이후, 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320) 상에 유발되는 상기 금속층 또는 상기 산화막 오염물을 제거토록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 브러시(330)는 웨이퍼의 습식 세정시 사용되는 회전 브러시를 포함하여 이루어진다. 따라서, 상기 회전 브러시가 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 상기 세정액을 습윤시킬 경우 저속으로 회전되고, 상기 회전 브러시가 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 유발된 상기 금속층 또는 상기 산화막 오염물을 제거시킬 경우 고속으로 회전되도록 형성되어 있다.

상기 세정액 공급부는 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정포(320)에 상기 세정액이 일정하게 습윤되도록 상기 세정액을 상기 세정 기판(310) 또는 상기 세정 포(320)에 공급되며, 상기 송풍기 또는 진공 흡입기는 상기 탐침의 팁에 습윤되는 상기 세정액을 증발 또는 흡입하여 상기 탐침이 전기적으로 단락되거나, 후속의 EDS 공정 불량을 야기시키지 않도록 할 수 있다.

따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 테스트 장치는 프로브 스테이션(200)의 탐침 팁에 유발되는 금속층 또는 산화막을 세정하는 세정액을 상기 탐침에 습윤시켜 상기 금속층 또는 산화막을 세정토록 형성된 습윤 유닛(300)을 구비하여 탐침의 팁에 잔존되는 금속층 또는 상기 산화막을 EDS 공정의 일정 누적시간 또는 웨이퍼 개수에 따라 제거하고, EDS 공정 불량을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.

그리고, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 프로브 스테이션의 탐침 팁에 유발되는 금속층 또는 산화막을 세정하는 세정액을 상기 탐침에 습윤시켜 상기 금속층 또는 산화막을 세정토록 형성된 습윤 유닛을 구비하여 탐침의 팁에 잔존되는 금속층 또는 상기 산화막을 EDS 공정의 일정 누적시간 또는 웨이퍼 개수에 따라 제거하고, EDS 공정 불량을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims

소정의 전기적인 신호를 발생시켜 출력하고, 피드백되는 상기 전기적인 신호를 이용하여 웨이퍼에 형성된 칩의 불량 유무를 테스트하는 테스트 스테이션;

상기 테스트 스테이션에서 발생되는 상기 전기적인 신호를 인가받아 상기 웨이퍼의 표면에 접촉되는 탐침을 구비하는 프로브 스테이션; 및

상기 프로브 스테이션의 상기 탐침을 세정하는 세정액을 상기 탐침에 접촉되는 세정 기판, 또는 상기 세정 기판 상에 형성되는 세정포에 습윤시켜 상기 탐침에서 유발되는 금속층 또는 상기 금속층이 산화된 산화막을 제거토록 형성된 습윤 유닛을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 습윤 유닛은 상기 세정 기판, 또는 상기 세정포 상에서 상기 세정액을 습윤시키는 브러시를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 세정 기판 또는 상기 세정포에 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 상기 세정액 공급부에서 공급된 상기 세정액이 상기 세정 기판 또는 상기 세정 포를 통해 상기 프로브 스테이션의 탐침에 습윤된 이후, 상기 탐침에서 상기 금속층 또는 상기 금속층이 산화된 산화막을 세정시킨 상기 세정액을 제거하는 송풍기 또는 진공 흡입기를 더 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 세정 기판은 베어 웨이퍼를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 세정포는 마이크로 파이버 면을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 세정액은 테트라부틸암모늄하이드로옥사이드를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트 장치.