KR20070091573A - 검사용 패턴 및 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 검사 용패턴(test pattern, 1)과, 한 세트의 검사용패턴(13)과, 검사용패턴(test pattern) 의트랜스퍼 프로퍼티(transfer properties) 를 구하는방법과, 이와 더불어 트랜스퍼(transfer) 과정에서적어도하나의파라미터(parameter)를 결정하는 방법에 대해 언급한다. 본 발명의 검사용 패턴에 의해, 라인 에지 러프니스(line edge roughness)가 트랜스퍼된 패턴에 주는 효과를 분석할 수 있다.

특히, 검사용 패턴은 라인(line)과 공간(space) 패턴에 바탕을 두는데, 여기에 잘 정의된 주기(period)와 진폭(amplitude)를 갖는 주기적 구조(periodic structure, 3)가 상기 라인(2)에 인접하고 접촉한다.

본 발명은 더 나아가 이러한 검사용 패턴에서의 트랜스퍼 프로퍼티(transfer properties)를 구하는 방법에 관한 것이다. 덧붙여서, 검사용 패턴을 이용하여 이미징 과정(imaging process)과 같은 트랜스퍼 과정에서 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법에 관한 것이다.

검사용 패턴, 트랜스퍼 프로퍼티, 라인 에지 러프니스, 파라미터

Description

검사용 패턴 및 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법 {A TEST PATTERN AND A METHOD OF EVALUATING THE TRANSFER PROPERTIES OF A TEST PATTERN}

도 1은 본 발명에 따른 검사용 패턴의 일부를 구성하는 다양한 구성요소를 보여준다.

도 2는 본 발명을 실시한 검사용 패턴의 일부를 형성하는 다른 구성요소를 보여준다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 한 세트의 검사용 패턴을 보여준다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 한 세트의 검사용 패턴을 보여준다.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 한 세트의 검사용 패턴을 보여준다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 한 어레이의 검사용 패턴을 보여준다.

도 7은 본 발명에 따른 한 그룹의 검사용 패턴을 보여준다.

도 8은 본 발명에 따른 검사용 패턴의 다섯 개의 배열을 통합한 포토마스크를 보여준다.

도 9A는 포토마스크로부터 에어리얼 이미지(aerial image)의 기록을 얻는 과정을 나타낸 개략적인 도표이다.

도 9B는 웨이퍼 처리 방법의 과정을 개략적으로 보여준다.

도 10은 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 과정을 개략적으로 보여준다.

도 11A 내지 11D는 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하기 위한 방법의 단일 과정들의 결과들을 보여준다.

본 발명은 검사용 패턴과, 한 세트의 검사용 패턴과, 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법과, 이와 더불어 트랜스퍼 과정에서 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 라인 에지 러프니스가 트랜스퍼된 패턴에 주는 효과를 분석하는데 쓰이는 검사용 패턴에 관한 것이다.

반도체 소자의 제조 중에, 소자의 구성요소들은 반도체 웨이퍼(wafer), 특히 실리콘 웨이퍼 위에 증착된 레이어들을 패터닝함으로써 형성된다. 이러한 레이어들을 패터닝하는 것은 패터닝되어야 하는 레이어 위에 레지스트 머테리얼(resist material)을 도포하고, 그 후 노출 파장에 민감한 레지스트 레이어의 소정 영역을 노출시킴으로써 구현된다. 그 후, 복사와 함께 (혹은 복사 없이) 조사되었던 영역이 디벨롭먼트(development)되고, 조사되거나 복사되었던 영역은 결과적으로 제거된다. 이러한 과정의 결과로서, 상기 레이어의 여러 영역들이 에칭 단계 또는 인플랜테이션 단계와 같은 뒤따르는 처리 단계를 거치면서 발생된 포토레지스트 패턴으로 마스킹된다. 기저 레이어 중 노출되었던 영역을 처리한 후, 상기 레지스트 마스크는 제거된다.

레지스트 레이어를 패터닝하는 경우에, 보통 포토리쏘그래피 마스크(phothlithographical mask)(포토마스크: photomask)나 레티클(reticle)이 미리 정해진 패턴을 패터닝될 레이어 위로 트랜스퍼하는데 사용된다. 예를 들어, 광학적인 리쏘그래피에 쓰일 수 있는 포토마스크(photomask)는, 수정 유리(quartz glass)과 같이 투명한 재질로 만들어진 기판(substrate)과, 크롬(chromium)과 같이 불투명한 재질로 만들어질 수 있는 패터닝된 레이어(patterned layer)를 포함한다. 다르게는, MoSiON (몰리브덴 실리옥시니트라이드: molybdene silioxinitride)같은 상-전이성(phase-shifting) 반투명 재질로 만들어질 수도 있다. 다른 공지의 포토마스크로, 수정 기판 자체가 상-전이성(phase-shifting) 레이어로 만들어진 패턴으로 덮여질 수 있다. 패터닝되는 재질에 따라 투과 광의 세기가 변화하게 된다.

익스트림 자외선 리쏘그래피(Extreme UltraViolet Lithography: EUV)의 경우, 마스크는 기판과 그 위에 EUV 복사를 반사하는 레이어로 만들어진다. 이러한 반사 레이어는 EUV를 흡수하는 레이어(들)로 덮여있다. 이러한 흡수 레이어(들)를 패터닝함으로써, EUV용 흡수 바이너리 마스크를 얻을 수 있다. 흡수 레이어가 EUV 반사 레이어 위에 증착되지 않는 경우에는, EUV 반사 레이어를 패터닝함으로써 에칭된 다수층의 바이너리 마스크나 EUV 상 전이성 마스크를 얻을 수 있다.

반도체 표면을 처리하는 중에, 라인 에지 러프니스(line edge roughness)는 중요한 역할을 한다. 라인 에지 러프니스는 패턴의 에지 위치가 이상적인 직선으로부터 갖는 편차를 나타낸다. 특히, 포토마스크는 그 자체의 특유한 라인 에지 러프니스를 보여준다. 더군다나, 포토마스크와 블랭킷 웨이퍼에서 시작하여 패터닝된 웨이퍼 표면에 이르는 처리 단계에서, 추가의 라인 에지 러프니스가 도입된다. 따라서, 포토마스크에 라인 에지 러프니스의 영향과 패터닝된 웨이퍼 표면의 라인 에지 러프니스에 대한 특유한 처리 파라미터의 영향을 조사하는 것이 바람직하다.

게다가, 특징의 크기를 축소시킬수록, 소자 성능에 대한 라인 에지 러프니스의 영향이 엄청나게 커진다고 생각된다. 예를 들어, 게이트의 길이를 더욱 줄이면, 게이트 전극의 라인 에지 러프니스(line edge roughness)가 트랜지스터의 성능을 지배하는 요소가 될 것으로 예상된다. 따라서, 라인 에지 러프니스는 크기를 줄이는 데에 장애가 된다. 따라서 라인 에지 러프니스의 관점에서 제조 공정을 분석하는 툴은 극히 바람직하다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 목적은 검사용 패턴을 제공하여, 그로 인해 그 라인 에지 러프니스가 특정 제조 공정에 미치는 영향을 결정할 수 있도록 한다.

본 발명의 또 다른 목적은, 한 셋트의 검사용 패턴을 제공함과 더불어, 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법과 트랜스퍼 과정의 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 검사용 패턴과, 한 세트의 검사용 패턴과, 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법과, 이와 더불어 트랜스퍼 과정(transfer process)에서 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법에 관한 것이다.

특히, 본 발명은 라인 에지 러프니스가 트랜스퍼된 패턴에 주는 효과를 분석하는데 쓰이는 검사용 패턴에 관한 것이다.

본 발명에 의하면, 위의 목적은 레티클의 일부를 구성하는 검사용 패턴에 의해 달성된다. 그 검사용 패턴은 기준 방향으로 연장이 가능한 두 옆면을 포함하는 라인을 포함하고 있다. 그 라인은 너비가 w이며, 그 라인 바로 옆에 붙고 연결된 주기적인 구조(periodic structure)를 가지고 있다. 주기적인 구조는 그 라인으로부터 돌출되고, 각각의 구조는 구조의 바깥쪽부터 라인까지의 거리가 가장 큰 최대점(maximum)을 가지며, A라는 진폭을 가진다.진폭은 라인과의 거리가 가장 클 때와 작을 때의 차이를 뜻하며, 차이는 기준방향에 수직한 방향으로 측정된 것이다. 주기적인 구조는 주기가 1/f로 배열되어 있고, 여기서 모든 주기적인 구조의 진폭(A)는 동일하며, 그리고 스페이스(spaces)는, 그 스페이스는 주기적인 구조를 포함하는 라인에 인접하여 각 주기적인 구조를 포함하는 라인의 양쪽 면은 두 개의 스페이스에 놓여지고 상대적으로, 역도 성립하는 스페이스는 기준 방향에 수직하게 측정한 너비 s를 가진다. 스페이스의 너비 s는 두 라인의 거리와 일치하며, 검사용 패턴의 평균적인 라인 너비 CD는 다음과 같이 정의된다.

CD x l = B, 여기서 덧붙여서 더 바람직한 발명의 구현은 종속적인 청구항에서 규정되어 있다. 덧붙여서, 본 발명은 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티값을 구하는 방법을 제공한다. 그 방법은 위에서 정의된 검사용 패턴을 포함하는 포토마스크를 제공하고, 검사용 패턴을 트랜스퍼시키고, 그로 인해 검사용 이미지의 이미지를 얻고, 검사용 이미지의 에지를 결정하고, 그로 인해 에지 위치의 데이터의 세트를 얻고, 에지 위치의 데이터를 직선에 대해 조정하고, 그 오차를 결정한다. 그리고 주파수에 대한 진폭 스펙트럼(amplitude spectrum)을 계산하여, 그로 인해 진폭 스펙트럼이 주파수에 의존하는 것을 나타내는 A(fx)를 얻는 단계를 포함한다.

특별히, 검사용 패턴의 이미지는 포토마스크의 에어리얼 이미지를 기록하거나 직접 트랜스퍼된 이미지를 예를 들어, SEM(scanning electron microscope, SEM)등을 통해 얻을 수 있다. 덧붙여서, 검사용 패턴의 이미지는 포토마스크에서 형성된 패턴을 SEM으로 스캔해서 얻은 이미지로 될 수 있다. 그렇지 않으면, 이미지는 다른 적당한 방법, 예를 들어 STM(scanning tunneling microscope, STM) , AFM(atomic force microscope, AFM) 이나 AIMS같이 간섭계를 이용한 방법이 있다. 검사용 패턴은 익스포져(exposure) 과정과 디벨롭먼트 과정을 포함하는 보통의 리쏘그래픽 과정을 통해 트랜스퍼될 수 있다. 게다가, 에칭(etching) 과정이나 다른 적당한 처리과정을 통해서 트랜스퍼가 가능하다.

더욱이,본 발명은 트랜스퍼 과정에서 적어도 하나의 매개변수를 결정할 수 있는 방법을 제공한다. 그 과정은 위에서 규정한 복수의 검사용 패턴을 포함하는 포토마스크를 제공하고, 그 각각의 복수의 검사용 패턴들은 미리 결정된 범위에서 선택된 서로 다른 고정된 주기(1/fx)를 가진다. 트랜스퍼 과정에서 매개변수를 다양하게 사용하여 수행하면서, 그로 인해 각자 다른 매개변수에 일치하는 트랜스퍼된 검사용 패턴의 세트를 얻을 수 있고,트랜스퍼된 패턴의 세트의 이미지의 세트를 제공하고, 검사용 패턴의 이미지의 세트에서 에지를 결정하는 과정을 통해 트랜스퍼된 패턴의 이미지의 세트를 계산할 수 있고, 그로 인해 에지 위치의 데이터의 세트를 얻을 수 있다; 이 데이터를 직선에 조정하고 그 에지 위치의 오차를 결정한 후, 주파수에 의존하는 진폭 스펙트럼(amplitude spectrum)으로 이를 계산한다. 그를 통해 진폭이 특정 주파수에 따라 의존하는 것을 나타내는 A(f,image)를 얻을 수 있으며, 그 관계에서 maximum A(fx,image)를 결정한다;기준 진폭 스펙트럼의 maximum A(fx,photomask)를 결정하고, Maximum A(fx,image)와 Maximum A(fx, photomask)의 비를 구해서 A(fx,photomask) / A(fx,image)의 값이 가장 작게 하는 처리과정의 매개변수를 선택한다.

트랜스퍼과정의 예는 익스포져 과정, 디벨롭먼트 과정, 에칭 과정 등을 포함한다.

그에 따라, 본 발명은 라인과 스페이스를 포함하는 검사용 패턴을 제공하고, 여기서 라인은 추가적으로 미리 정해진 러프니스(roughness)를 갖는 주기적 구조를 포 함한다. 따라서, 특정한 처리를 미리 정해진 러프니스를 갖는 주기적인 구조에 했을 때의 행동도 분석할 수 있다. 본 발명은 게다가 트랜스퍼할 때의 라인 에지 러프니스나 라인 위드 러프니스(line width roughness) 효과를 분석하고 특성을 기술하는 방법을 제공하고, 또한 반도체 공정 전체, 포토마스크를 만드는 것부터, 이를 웨이퍼 레지스트(resist)에 트랜스퍼시키고, 그리고 그 후 웨이퍼 위에 레이어를 구성해 웨이퍼 위에 기능적인 구조물, 예를 들어 마이크로 프로세서나 메모리 칩의 전기적인 성능 등의 최종효과까지를 통해 에지 러프니스나 라인 위드 러프니스로 인한 효과가 어떠한지를 분석하고 특징을 기술할 수 있는 방법을 제공한다.

그 방법은 포토마스크가 여러 단계의 생산 과정을 거친 포토마스크 또는 웨이퍼에서의 검사용 디자인(test design)에 대해서 다양하게 프로그램 된 라인의 라인 에지/위드 러프니스을 측정하는 여러 단계의 과정을 포함한다. 그 자료들은 분석되고 라인 에지/위드 러프니스가 트랜스퍼 함수가 유도된다. 덧붙여서, 프로그램된 라인 에지/위드 러프니스는 처리 과정 중 임계적인 과정 뿐 아니라 웨이퍼에 있는 결과적인 기능적인 구조물들의 전기적인 행동을 알 수 있게 한다. 게다가 최대로 용인이 가능한 라인 에지/위드 러프니스의 한계의 범위도 유도된다. 이러한 것들은 마스크(mask)를 만드는 과정의 조건 뿐만 아니라 마스크를 특정하는 기술을 발전시키는데 쓰일 수 있다.

다음에서 본 발명은 참조할 수 있는 도면에 기초하여 더욱 자세하게 설명될 것이다

도면 1A부터 1D는 다양한 검사용 패턴의 예를 보여준다.

도면 1A에서, 검사용 패턴의 엘리먼트(element, 11)는 두 측면선(lateral line, 21, 22)을 가지고 있으며 기준 방향(23)으로 연장되는 라인(2)을 포함한다. 덧붙여서, 검사용 패턴의 엘리먼트는 주기적인 구조(periodic structure, 3)를 가진다. 도 1A에서 보여지는 각각의 주기적인 구조는 같은 모양을 가진다 특히 같은 너비와 높이를 가진다. 각각의 주기적인 구조는 같은 거리(1/f)만큼 떨어져서 배열된고, 여기서 1/f를 주기적인 구조의 공간적인 주기(spatial period)라고 한다. 도 1A에서 보여지듯이, 주기적인 구조(3)는 사각형으로 만들어지며, 여기서 폭과 주기적인 구조의 높이와는 다를 수 있다. 주기는 두 이웃하는 주기적 구조 사이의 거리와 일치한다. 각각의 주기적인 구조는 가장 클 때와 측면사이의 차이인 진폭 A를 가진다. 주기적인 구조와 라인사이에 경계가 보이지 않도록 주기적인 구조는 라인에 직접적으로 이웃해있다.

도 1B에서 보이는 검사용 패턴에서, 주기적인 구조는 삼각형 모양을 하고 있으며, 진폭 A와 가장 너비가 클 때 사이의 거리 1/f는 임의로 고를 수 있다.

도 1C에서는 주기적인 구조가 물결 모양 또는 사인파형을 하고 있다. 특히 한 파동의 골짜기는 라인의 측면과 일치할 수 있다.

도 1D에서 보이는 검사용 패턴에서, 주기적 구조는 원의 일부가 될 수 있으며, 예를 들어 반원이 가능하다.

당해 분야의 전문가에게는 명백하게 되듯이, 주기적인 구조는 임의의 모양을 할 수 있고, 도 1에 나온 것들은 단지 예시일 뿐이다. 각 라인은 너비가 W이고, 이것은 두 측면 선간의 기준 방향과 수직한 방향의 거리와 일치한다. 검사용 패턴의 평균적인 선의 너비 CD 는 CD x l = B 라는 식을 통해 구할 수 있다. L은 기준 방향(23)으로의 길이를 나타내고, B는 라인과 주기적인 구조의 넓이를 나타낸다.

특별하게, 도 1A에서 보인 패턴을 고려하면, 각 주기적인 구조의 기준 방향으로 측정한 너비는 1/2f이고, 평균적인 라인의 너비 CD는 한 면에만 주기적인 부분이 있을 때는 w + A/2로 되고, 두 면 다 주기적인 부분이 있을 때는 w + A로 된다.

라인과 주기적인 부분은 마스크를 만드는 물질로 만들어진다. 특히 위에서 설명했듯이, 라인과 주기적인 부분은 불투명한 물질, 예를 들어 금속인 크로뮴등으로 만들어진다. 덧붙여서, MoSiON처럼 상 전이성 반투명 물질로 만들어질 수 있다. 그렇지 않으면 마스크가 익스트림 자외선(Extreme Ultraviolet) 마스크로 만들어지는 것을 대비하여, 익스트림 자외선을 흡수하거나 반사하는 레이어로 만들어진다. 명확하게 이해되기 위해서, 레티클의 기질 자체에 라인과 주기적인 부분을 만들기 위해 일정한 모양을 새길 수 있다. 라인과 주기적인 부분의 재료는 리쏘그래픽 처리과정 및 어떤 검사용 패턴이 쓰이는 지에 영향을 받는다. 위에서 설명했듯이, 주기적인 부분과 라인의 경계는 보이지 않고, 주기적인 부분과 라인은 바로 이웃해서 붙어있게 된다.

검사용 패턴의 공간적 주기는 80~4000nm까지 가능하다. 그럼에도 불구하고, 본 발명에서는 더 작거나 큰 주기도 가능하다. 덧붙여서 상한선은 더 커질 수 잇으며, 하한선은 더 작아질 수 있다. 다르게 말하자면, 주기적인 구조의이웃하는 피크 또는 이웃하는 최대점 사이의 거리가 기준 방향에서 측정했을 때 80~ 4000nm 까지 가능하다는 것이다. 각 최대점(31)과 인접하는 측면(21,22)의 거리와 일치하는 주기적인 구조의 진폭은 80~220nm까지 가능하다. 특별히, 평균적인 라인의 너비 CD는 주기적인 부분의 진폭 A보다 크다는 것이 중요하다. 특별히, 주기가 80nm보다 작으면, 트랜스퍼된 패턴의 처리가 더 어려워진다. 주기가 220nm보다 크면, 트랜스퍼된 패턴의 이미지를 얻을 때 추가적인 정보를 얻을 수 없다. 특별히, 마스크 처리 방법의 질에 따라 80nm보다 작은 주기도 쓰일 수 있다. 예를 들어 40nm를 주기로 가지는 것도 쓰일 수 있다.

도 2에서는 검사용 패턴의 엘리먼트를 예시하고 있는데, 주기적인 모양이 다른 방식으로 배열되어 있다. 도 2A는 라인에서 돌출된 어떤 추가적인 구조물도 없는 라인을 보여준다. 이것을 기준 패턴(reference pattern)으로 언급한다. 도 2B 는 라인의 한 쪽 면에만 주기적인 구조가 생성되었다. 이러한 패턴을 싱글 사이디드 패턴(single sided pattern)으로 언급한다.

도 2C는 주기적인 구조는 라인(2)의 양 측면(21,22)에 놓여져 있고, 한 쪽의 주기적인 구조의 진폭이 최대일 때 다른 쪽의 진폭도 최대가 된다.덧붙여서, 라인의 첫번째 면(21)의 주기적인 구조(3)의 최대점(31)은 기준 방향에서 측정했을 때 두번째 면(22)의 최대점(31)과 같은 높이에 있다. 이러한 패턴은 안티 코릴레이티드 피쳐(anti correlated feature)라고 언급한다.

도 2D는 라인(2)의 양쪽 면(21,22)에 모두 주기적인 구조가 있다.볼 수 있듯이, 주기적인 구조(3)의 최대점(31)은 라인의 첫번째 면(21)에 놓여져 있고, 그 위치는 기준 방향(23)에서 측정했을 때 두 번째 면(22)의 최대점(31)의 높이에서 주기의 반만큼 이동된 것이다. 다르게 말하면, 도 2C에서는 기준 방향으로 수직하게 잘랐을 때, 한 쪽의 주기적인 구조의 진폭이 최대가 될 때,첫번째 면(21)의 피크는 두 번째 면(22)에서의 피크와 일치한다. 이와 대조적으로 도 2D에서는 도 2D의 모양을기준 방향으로 수직하게 잘랐을 때, 첫번째 면(21)에 놓여진 주기적인 구조의 피크는 두 번째 면에 놓인 구조의 밸리와 일치하고, 역도 성립하게 된다.

이러한 패턴은 풀리 코릴레이티드 패턴(fully correlated pattern)라고 언급한다.

도 3은 본 발명에 의한 검사용 패턴의 세트을 예시한 것이다. 볼 수 있듯이, 도 3에서 보이는 검사용 패턴은 첫 번째와 두 번째 검사용 패턴의 서브세트을 포함하는데, 여기서 두 번째 검사용 패턴의 서브세트은 첫 번째 서브세트에 대해서 기준 방향이 90도 돌아가 있다. 두 번째 검사용 패턴의 기준 방향이 90도 돌아간 것은 유리하다, 왜냐하면 그로 인해 패턴의 기준 방향이 미치는 영향을 조사할 수 있기 때문이다. 특별히, 리쏘그래픽 처리는 라인/스페이스 패턴의 방향에 영향을 많이 받는다. 이러한 영향은 검사용 패턴을 회전시키는 것을 통해 조사할 수 있다.

도 3에서 보인 검사용 패턴의 세트에서, 라인/스페이스 패턴은 싱글 사이디드 패턴, 안티 코릴레이티드, 풀리 코릴레이티드 패턴 뿐 아니라 기준 패턴도 섞여 있게 된다.

도 3에서 볼 수 있듯이. 스페이스(4)는 주기적인 구조를 포함하는 라인들 사이에 놓이게 된다. 특히, 스페이스는 너비가 s이며 이것은 기준 방향에서 수직한 방향으로 측정했을 때, 인접한 라인의 옆면 사이의 거리와 일치한다. 특히, 도 3에서 볼 수 있는 검사용 패턴의 세트에서, 스페이스의 너비는 라인의 평균적인 너비 CD와 거의 같다. 각각의 싱글 사이디드 패턴이 검사용 패턴의 서브세트 중 하나를 형성하면서, 진폭, 주기 뿐 아니라 평균적인 라인의 너비 CD는 서로 같게 된다. 검사용 패턴의 세트 또는 서브세트에서 평균적인 라인의 너비 CD와 스페이스의 너비 s가 거의 같을 때, 이를 덴스 테스트 패턴(dense test pattern)으로 언급한다. 특별히 다음과 같은 요건을 만족해야 한다.

0.5 x cd ≤ s ≤ 2 x CD

도 4는 검사용 패턴의 세트으로 이는 서로 기준 방향을 90도로 돌아간 두 서브세트을 포함한 것이다. 각 서브세트의 조합은 도 3에서 설명되었던 것과 같다. 특별히, 라인/스페이스 패턴은 싱글 사이디드 패턴, 안티 코릴레이티드, 풀리 코릴레이티드 패턴 뿐 아니라 기준 패턴이 섞여 있게 된다. 도 4에서 보인 검사용 패턴의 세트에서, 스페이스의 너비 s는 평균적인 라인의 너비 CD보다 훨씬 작다. S ＜ CD x 0.5. 그에 따라, 도 4에서 보인 검사용 패턴의 세트은 이소 스페이스(iso space) 패턴으로 언급한다.

도 5는 다른 세트의 검사용 패턴의 일례를 보여준다. 도 5에서 보인 세트은 두 서브세트을 포함하고, 각 서브세트의 기준 방향은 서로 90도 차이가 난다. 라인/스페이스 패턴은 싱글 사이디드 패턴, 안티 코릴레이티드, 풀리 코릴레이티드 패턴 뿐 아니라 기준 패턴이 섞여 있게 된다 도 5에서 보이는 각각의 검사용 패턴은 스페이스의 너비 s가 평균적인 라인의 너비 CD보다 훨씬 크다. S ＞ 2 x CD 도 5에서 예시된 검사용 패턴은 이소 라인(iso line) 패턴으로 언급한다.

도 6은 평균 라인너비가 CD로 고정된 검사용 패턴의 어레이(14)의 일례를 보 여준다. 화살표로 가리키고 있듯이, 배열은 다양한 검사용 패턴의 세트(13)을 포함하고, 각각의 검사용 패턴의 세트(13)은 각 기준 방향은 서로 90도 차이가 나는 두 개의 서브세트을 포함한다. 각각의 서브세트(12)는 예를 들어, 라인/스페이스 패턴(기준 패턴) 싱글 사이디드 패턴, 풀리 코릴레이티드 패턴뿐 아니라 안티 코릴레이티드 패턴을 포함한다. 그럼에도 불구하고, 이해를 돕기 위해서, 각각의 서브세트들은 더 적거나 많은 수의 검사용 패턴을 포함할 수 있다. 도 6에서 보여지는 배열은 이러한 검사용 패턴의 복수의 세트들을 보여주고 있다. 이러한 세트들의 진폭(A)은 다양하고, 예를 들어 진폭(A)는80~220nm 범위에서 20nm 단위로 변하고, 공간적인 주기(spatial period)는 80nm보다 큰 범위에서 임의로,예를 들면 4000nm로 변할 수 있다. 특별히 주기는 주기 1/f가 80nm, 90nm, 100nm, 120nm, 140nm, 160nm, 200nm, 250nm, 300nm, 400nm, 500nm, 600nm, 700nm, 800nm, 900nm 1000nm, 1500nm, 2000nm, 2500nm, 3000nm, 4000nm을 수행할 수 있도록 변할 수 있다.

도 7은 평균 라인 너비가 CD로 고정된 검사용 패턴의 그룹(15)의 일례를 보여준다. 특별히, 도 7에서 보이는 그룹(15)은 도 6에서 있었던 검사용 패턴의 배열(14)를 포함하고, 여기서 처음 배열은 덴스 테스트 패턴으로, 두번째 배열은 이소 라인 검사용 패턴이며, 세번째 배열은 이소 스페이스 검사용 패턴이다.

포토마스크는 예를 들어 검사용 패턴을 하나나 그 이상 포함하며, 특별히 5개의 검사용 패턴의 정렬(16)을 포함한다. 여기서 각각의 검사용 패턴의 정렬(16) 은 각각 다른 검사용 패턴의 그룹(15)을 포함하고 있으며, 그 그룹들은 각각 다른 평균적인 라인 너비 CD를 가지고 있다. 예를 들어, 평균적인 라인의 너비 CD는 100~360nm사이에서 변할 수 있고, 이는 도 8에서 볼 수 있듯이 검사용 패턴의 정렬(16)은 6개의 그룹(15)을 포함하고 있다. 도 8에서 볼 수 있듯이, 포토마스크에서, 예를 들어 검사용 패턴의 정렬(16)이 5개가 놓일 수 있다. 특별히, 이러한 정렬(16)들은 십(+)자 형태로 놓일 수 있다.

그 이상의 구현에 따르면, 본 발명은 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법에 대해 언급한다, 여기서 포토마스크의 일부분인 검사용 패턴이 트랜스퍼되면, 그로 인해 검사용 패턴의 이미지가 얻어진다. 특별히, 이러한 이미지는 위에서 언급한 검사용 패턴의 세트를 포함하는 포토마스크를 사용한 에어리얼 이미지를 구성함으로써 얻을 수 있다. 트랜스퍼된 패턴은 익스포져 과정의 툴과 위에 설명된 검사용 패턴의 세트를 포함하는 포토마스크를 이용한 표준적인 리쏘그래픽 과정으로 구성될 수도 있다. 덧붙여서, 트랜스퍼된 패턴은 그 이상의 과정, 예를 들면 에칭 단계 이후에 패턴이 될 수 있다.

도 9는 트랜스퍼된 검사용 패턴의 이미지를 얻은 다음의 과정을 설명하고 있다.

예를 들어 도 9A에서 보여지듯이, 포토마스크(5)는 이미지될 수 있으며, 이 에 의해 에어리얼 이미지(51)이 만들어진다. 이 에어리얼 이미지가 기록되면, 에어리얼 이미지의 기록(52)가 얻어진다. 이러한 에어리얼 이미지의 기록(52)은 밑에서 설명될 본 발명의 방법을 쓰면 값을 구하는 것이 가능해진다. 덧붙여서, 포토마스크의 SEM 이미지(56)를 얻을 수 있고, 이는 밑에서 설명될 본 발명의 방법을 쓰면 값을 구하는 것이 가능해진다.

도 9B는 마스크 제조 과정(mask manufacturing sequence, 59)의 일례와 웨이퍼 처리 과정(wafer processing sequence, 60)의 일례와 트랜스퍼된 패턴의 이미지를 얻은 후의 과정 및 본 발명의 방법에 의해 연산하는 것을 도식적으로 설명하고 있다.

도 9B에서 보여지듯이 먼저, 포토마스크는 예를 들어, 전자 빔 라이터(electron beam writer)를 이용해 일치하는 패턴을 적절한 레지스트 머테리얼에 라이팅하는 라이팅 스텝(writing step, 57)을 통해 만들어질 수 있다. 패턴은 위에서 설명했던 검사용 패턴이나 그의 세트을 포함한다. 그 후에, 하나나 그 이상의 마스크 처리 과정(58)이 수행된다. 포토마스크로부터 포토마스크의 SEM 이미지(56)를 얻을 수 있다. 마스크 처리 과정을 거친 포토마스크의 SEM 이미지는 밑에서 설명될 방법을 통해 값을 구할 수 있다.

포토마스크(5)를 완료한 후에, 검사용 패턴이나 그의 세트을 포함하는 패턴 은 실리콘 웨이퍼(6) 같은 기판의 표면에 레지스트 머테리얼로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 리쏘그래픽 과정(lithographic step, 53)에서 패턴은 보통의 리쏘그래픽 과정을 통해 레지스트 머테리얼로 트랜스퍼되고 이것은 디벨롭먼트 과정을 거친다. 그 후에, 예를 들어 디벨롭먼트 과정을 거친 레지스트 머테리얼의 SEM 이미지(56)를 얻을 수 있다. 그 후에, 예를 들어 에칭 단계(54)가 수행될 수 있고, 그 후에 SEM 이미지(56)를 얻을 수 있다. 선택적으로, 이온 이식 과정(ion implantation step) 등의 추가적인 처리 과정이 수행될 수 있고, 그 후에도 SEM 이미지를 얻을 수 있다(56).

그에 따라, 이미지, 특히 SEM 이미지(56)는 웨이퍼 처리 과정이나 마스크 제조 과정 등의 진행에서 얻어질 수 있다. 게다가, 에어리얼 이미지의 기록(52)도 얻을 수 있고, 다음에서 설명될 과정으로 값을 계산할 수 있다.

이러한 이미지들의 값을 구하는 것은 도 10과 도 11을 참조하면서 다음에서 설명될 것이다.

도 10은 처리 과정을 설명하고 있는 도식적인 도표를 보여주는 것이고, 도 11A부터 11D까지는 각자의 처리과정을 수행한 후의 결과를 설명하고 있는 것이다.

도 10은 트랜스퍼된 패턴의 값을 구하는 처리 과정의 순서의 일례를 보여준 다. 에어리얼 이미지의 기록(52)이나 SEM 이미지(56) 등의 트랜스퍼된 패턴의 이미지로부터 출발하여, 에지를 결정하는 과정(edge determination step, 61)이 수행된다. 예를 들어, 도 11A는 설명된 처리 과정에 의해 분석될 이미지를 보여주고 있다. 특별히 도 11A에서 보이는 이미지는 레지스트 패턴의 SEM 이미지(56) 등이 가능하다.

에지를 결정하는 공정(61)은 그레이 레벨(gray level)의 행렬에서 에지를 결정하는 알고리즘(edge determination algorithm)을 통해 유리하게 수행될 수 있다. 도 11은 이러한 끝부분을 결정하는 공정의 예시적인 결과를 보여준다.

그 후에, 도 10에서 보았듯이 조정 과정( fitting step, 62)이 끝부분의 데이터를 직선에 대해 조정하고, 오차를 결정하기 위해 수행된다. 그로 인해, 트랜스퍼된 주기적인 구조의 제로 라인(zero line)을 얻는다. 도 11C는 조정 과정의 예시적인 결과를 보여준다.

다음 과정으로, 라인의 오차 테이터는 패스트 푸리에 트랜스포메이션(fast fourier transformation)을 수행하는 기구에 입력되고 진폭의 스펙트럼이 얻어진다. 특별히 도 11C에서 설명된 값은 푸리에 트랜스폼 알고리즘(fourier transform algorithm, 63)을 통해서 분석된다. 그로 인해 도 11D에서 보이는 스펙트럼 A(f)가 얻어진다.

도 11D에서 보이듯이, 값을 구하는 과정의 결과로서, 주파수에 따른 진폭 A(f)가 얻어진다. 도 11D에서 볼 수 잇듯이, 도 11C에서 보이는 스펙트럼은 필수적으로 검사용 패턴이 쓴 주기의 역수와 일치하는 주파수 fx를 가진다.

A(fx, image)의 값을 얻고 이것은 포토마스크(5)의 일부를 이루고 있는 기준값 A(fx, mask)와 비교될 것이다. 기준값은 검사용 패턴의 디자인 데이터 등을 통해 얻을 수 있다. 그렇지 않으면, 기준값은 포토마스크(5)의 SEM 이미지를 도 10과 도 11를 참조하면서 설명된 방법을 통해 값을 구하는 방법으로 구할 수 있다. 또 다른 방법으로 포토마스크의 에어리얼 이미지를 통해서도 구할 수 있다. 이러한 방법의 결과로 A(fx, mask)가 얻어진다.

다음 과정으로, A(fx,image)와 A(fx, mask)의 비는 정해지고, 이로 인해 라인 에지 러프니스가 이러한 과정과 특정한 주파수 fx에 대해 결정된다. 마찬가지로, A(fx,image)와 A(fx, mask)의 비는 포토마스크에 포함된 다른 검사용 패턴의 다른 주기 1/fx에 의해 결정된다. 그 결과로, 라인 에지 러프니스 전달 함수 (LTF (fx))가 에어리얼 이미지처리, 프린팅(printing) 과정, 에칭 단계등 조사되는 다른 모든 과정을 통해 얻어질 수 있다.

본 발명은 더 나아가 특정한 처리 과정에서 최적의 처리 매개변수(process parameter)를 정하는 방법에 대해서도 언급한다. 이 방법에 따르면, 검사용 패턴의 정렬(16)을 포함하는 포토마스크( 도 8 참조)는 에어리얼 이미지를 만드는데 쓰이거나 기판에 일치하는 패턴을 명백히 하는 데에 쓰인다. 특정한 트랜스퍼과정이 라인 에지 러프니스에 미치는 영향을 조사하기 위해, 처리할 때 매개변수를 달리 사용하면서 고려하고 있는 처리 과정이 수행된다. 게다가, 검사용 패턴의 정렬(16)은 각각 다른 주기 fx를 가지고 있는 복수의 검사용 패턴을 포함한다.

예를 들어, 고려하고 있는 처리 과정이 익스포져 과정일 때 여러 개의 조명 조건이 쓰인다 이러한 조건에서, 원 모양(circular), 고리 모양(annular), 디사(disar), 퀘이사(quasar) 등의 조명 조건이 구현가능한데, 각각의 조명 조건이 달라짐에 따라 트랜스퍼되는 패턴에 영향을 미친다. 그 후에, 레지스트 머테리얼에 트랜스퍼된 패턴의 이미지를 얻는다.그 후, 각각 다른 조명 조건과 복수의 fx에 따른 진폭 스펙트럼인 A(fx, illumination condition)이 결정되고, 라인 에지 러프니스 전달 함수(LTF(fx, illumination condition))는 A(fx, illumination condition, image)와 A(fx, illumination condition, mask)의 비를 통해 각각의 조명 조건과 다양한 fx값에 대해 결정된다. 그 후, 라인 에지 러프니스 전달 함수( LTF)가 1에 가깝거나 1보다 작은 특정한 조명 조건이 선택된다. 즉 특정한 공정에서 최적의 조명 조건을 결정하는 것이다. 이러한 선택으로, 정해진 주기 1/fx에 대해 트랜스퍼로 인한 러프니스를 최소로 할 수 있는 공정이 선택되는 것이다.

레지스트 머테리얼에 있는 패턴의 이미지 대신에. 에어리얼 이미지가 각각의 조명 조건에 대해서 기록될 수 있고, 최적의 조명 조건을 결정하기 위해 계산이 되는 대상이 될 수 있다.

비슷한 방법으로 위에서 설명했듯이, 임의의 처리 과정에서의 매개변수는 위에서 설명된 과정을 통해 결정될 수 있다. 이러한 처리 공정의 예는 디벨롭먼트 과정, 에칭 과정 등의 다른 적절한 처리 과정을 포함한다.

일반적으로, 라인 에지 러프니스 전달함수(LTF (fx)) 주기 fx에 의존해서 결정된다. (LTF (fx)) LTF(fx)가 1보다 작은 범위에서는 라인 에지 러프니스는 트랜스퍼하면서 억압된다. LTF(fx)가 1보다 큰 범위에서는 라인 에지 러프니스는 트랜스퍼하면서 증가한다. 처리과정에서의 매개변수를 적당히 선택함으로 인해, 라인 에지 러프니스 전달 함수( LTF)가 감소한다. 덧붙여서, 라인 에지 러프니스 전달 함수에 의존하면서, 특정한 포토마스크가 필요한 라인 에지 러프니스 특성을 만족하는지 여부를 판단할 수 있다.

본 발명은 검사용 패턴과, 한 세트의 검사용 패턴과, 검사용 패턴의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법과, 이와 더불어 트랜스퍼 과정에서 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법에 관한 것이다.

본 발명을 통해, 마이크로 프로세서나 메모리 칩의 전기적인 성능을 통해 에지 러프니스나 라인 위드 러프니스로 인한 효과가 어떠한지를 분석하고 특징을 기술할 수 있는 방법을 제공한다. 그 방법은 포토마스크가 여러 단계의 생산 과정을 거친 것 뿐 아니라 웨이퍼에서의 검사용 디자인에 대해서 다양하게 프로그램 된 라인의 라인 에지/위드 러프니스을 구하는 여러 단계의 과정을 포함한다. 그 자료들은 분석되고 라인 에지/위드 러프니스가 트랜스퍼 함수가 유도된다. 덧붙여서, 프로그램된 라인 에지/위드 러프니스는 처리 과정 중 임계적인 과정과 웨이퍼에 있는 기능적인 구조물들의 전기적인 행동을 알 수 있게 한다. 게다가 최대로 용인이 가능한 라인 에지/위드 러프니스의 한계의 범위도 유도된다. 이러한 것들은 마스크를 만드는 과정의 조건 뿐만 아니라 마스크를 특정하는 기술을 발전시키는데 쓰일 수 있다.

Claims (14)

1. 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법으로,

   - 기준 방향(23)을 따라 연장되는 두 개의 측면(21,22)를 포함하며, 라인 너비가 w인 라인(2)과, 상기 라인에 바로 인접하게 연결되는 주기적인 구조물(3)을 포함하는 검사용 패턴(1)을 포함하는 포토마스크를 제공하고, 상기 구조물 각각은, 상기 구조물(3)의 외곽 에지로부터 상기 라인(2)까지의 거리가 가장 큰 곳에서 최대점과, 상기 최대점과 상기 구조물(3)의 외곽 에지 및 상기 라인(2) 사이의 최소 거리 사이의 차이인 진폭(A)을 가지고, 여기서 상기 차이가 기준 방향(23)에 대하여 수직으로 측정되며, 상기 구조물(3)은 고정된 주기 1/f로 배열되고, 여기서 상기 모든 구조물(3)의 진폭(A)이 동일하고, 상기 라인(2)에 인접하는 스페이스(4)은 상기 구조물(3)를 포함하여 상기 구조물(3)를 포함하는 각 라인(2)의 어느 한 측면(21, 22) 위에, 두 개의 스페이스(4)이 각각 배치되거나 그 역으로 되고, 상기 스페이스(4)은 상기 기준 방향(23)에 대해 수직으로 측정되는 스페이스 너비 s를 갖고, 상기 스페이스 너비 s는 두 개의 인접하는 라인(2) 사이의 거리에 대응하고, 상기 검사용 패턴(1)의 유효 라인 너비 CD는 CD X l = B로 정의되고, 여기서 l은 기준 방향으로 라인(2)의 길이에 대응하고, B는 주기적인 구조물(3)을 포함하는 특정 라인의 면적에 대응하고, 상기 라인(2)과 상기 주기적인 구조물(3)은 마스크 형성 재료로 만들어진다;

   - 상기 검사용 패턴(1)을 트랜스퍼함으로써, 상기 검사용 패턴(1)의 이미지 (52, 56)을 얻고;

   - 상기 검사용 패턴(1)의 이미지(52, 56)의 에지를 결정함으로써, 한 세트의 에지 위치 데이터를 얻고;

   - 상기 에지 위치 데이터를 직선에 대해 조정하고 상기 에지 위치 에지 위치 오차를 결정하고;

   - 공간 주파수에 의존하여 진폭 스펙트럼을 산출해냄으로써 공간 주파수에 의존하는 진폭을 나타내는 관계 A(f, image)를 얻고;

   - 상기 관계 A(f, image)의 최대점 A(fx, image)을 결정하고;

   - 상기 검사용 패턴의 이미지의 최대점 A(fx, image)과 상기 최대점 A(fx, photomask)의 비율을 형성하는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 주기적인 구조물(3)은, 상기 라인(2) 중 양 측면(21, 22) 위에 배치되고, 양측의 상기 구조물(3)의 진폭과 주기는 동일한 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
3. 제2항에 있어서,

   상기 구조물의 최대점(31)은, 제1측면 위에, 제2측면의 최대점(31)과 같은 높이로 배치되고, 상기 높이는 기준 방향(23)을 따라 측정되는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
4. 제2항에 있어서,

   상기 구조물의 최대점(31)은 제1측면 위에 제2측면(22)의 최대점의 높이에 대해 기준 방향으로 주기의 반 만큼 이동시킨 위치에 배열되는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 라인의 너비 w는 상기 스페이스의 너비 s와 대략 동등한 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 라인의 너비 w는 상기 스페이스의 너비 s보다 더 큰 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 라인의 너비 w는 상기 스페이스의 너비 s보다 더 작은 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 주기적인 구조물의 진폭 A는 20내지 220 nm 의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
9. 제7항에 있어서,

   상기 주기적인 구조물의 진폭 A는 80 내지 150 nm 의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 주기적인 구조물의 주기 1/f는 4000 nm 보다 작은 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

    유효 라인 너비 CD는 360nm 보다 작은 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    기준이 되는 진폭 스펙트럼의 최대점인 A(fx, photomask)은, 포토마스크(5)의 디자인 데이터를 구함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    기준이 되는 진폭 스펙트럼의 최대점 A(fx, photomask)는,

    - 포토마스크의 이미지(56)를 얻고;

    - 포토마스크의 이미지에서 에지를 정함으로써 한 세트의 포토마스크 에지 위치 데이터를 얻고;

    - 포토마스크 에지 위치 데이터를 직선에 대해 조정하고, 포토마스크 에지 위치 오차를 결정하고;

    - 공간 주파수에 의존하여 진폭 스펙트럼을 산출함으로써, 공간 주파수에 의 존하는 진폭을 나타내는 관계 A(f, photomask)를 얻고;

    - 관계 A(f, photomask)의 최대점 A(fx, photomask)를 얻는; 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 검사용 패턴(1)의 트랜스퍼 프로퍼티를 구하는 방법.
14. 트랜스퍼 처리에서 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법으로,

    - 그 각각이, 기준 방향(23)을 따라 연장되는 두 개의 측면(21,22)를 포함하며, 라인 너비가 w인 라인(2)과, 상기 라인에 바로 인접하게 연결되는 주기적인 구조물(3)을 포함하는 복수개의 검사용 패턴(1)을 포함하는 포토마스크를 제공하고, 상기 구조물 각각은, 상기 구조물(3)의 외곽 에지로부터 상기 라인(2)까지의 거리가 가장 큰 곳에서 최대점과, 상기 최대점과 상기 구조물(3)의 외곽 에지 및 상기 라인(2) 사이의 최소 거리 사이의 차이인 진폭(A)을 가지고, 여기서 상기 차이는 기준 방향(23)에 대하여 수직으로 측정되며, 상기 구조물(3)은 고정된 주기 1/f로 배열되고, 여기서 상기 모든 구조물(3)의 진폭(A)이 동일하고, 상기 라인(2)에 인접하는 스페이스(4)은 상기 구조물(3)를 포함하여 상기 구조물(3)를 포함하는 각 라인(2)의 어느 한 측면(21, 22) 위에, 두 개의 스페이스(4)가 각각 배치되거나 그 역으로 되고, 상기 스페이스(4)은 상기 기준 방향(23)에 대해 수직으로 측정되는 스페이스 너비 s를 갖고, 상기 스페이스 너비 s는 두 개의 인접하는 라인(2) 사이의 거리에 대응하고, 상기 검사용 패턴(1)의 유효 라인 너비 CD는 CD X l = B로 정의되고, 여기서 l은 기준 방향으로 라인(2)의 길이에 대응하고, B는 주기적인 구조 물(3)을 포함하는 특정 라인의 면적에 대응하고, 상기 라인(2)과 상기 주기적인 구조물(3)은 마스크 형성 재료로 만들어지고; 상기 복수개의 검사용 패턴 각각이 f의 소정 범위로부터 선택되는 다른 고정 주기 1/f를 갖는다;

    - 상기 트랜스퍼 처리를 다양한 처리 파라미터를 사용하여 수행함으로써, 다양한 처리 파라미터 각각에 대응하는 한 세트의 트랜스퍼된 패턴을 얻고;

    - 한 세트의 트랜스퍼된 패턴에서 한 세트의 이미지를 제공하고;

    트랜스퍼된 패턴의 이미지의 에지를 결정함으로써, 한 세트의 에지 위치 데이터를 얻고;

    에지 위치 데이터를 직선에 대해 조정하고 에지 위치 오차를 결정하고; 공간 주파수에 의존하는 진폭 스펙트럼을 산출해냄으로써, 공간 주파수에 의존하는 진폭을 나타내는 관계 A(f, image)를 얻는; 것을 수행함으로써 트랜스퍼된 패턴에서 한 세트의 이미지를 구하고;

    - A(f, image)의 관계에서 최대점 A(fx, image)을 결정하고;

    - 기준 진폭 스펙트럼에서 최대점 A(fx,photomask)를 결정하고;

    - 검사용 패턴의 이미지의 최대점 A(fx, image)과 최대점 A(fx, photomask)의 비율을 형성하고;

    - 처리 파라미터를, A(fx, photomask)/A(fx, image)의 비가 fx의 소정범위 내에서 최소가 되게끔 선택하는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 처리에서 적어도 하나의 파라미터를 결정하는 방법.

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