KR20070087612A - 반결정질 중합체 조성물 및 그것으로부터 제조한 물품 - Google Patents
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Abstract
(i) 폴리아미드, 폴리아릴에테르케톤, 액정 중합체, 폴리알킬렌 프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴렌 설파이드 및 폴리아릴렌 옥사이드로부터 선택되는 반결정질 중합체 (SCP) 하나 이상 및 (ⅱ) 전기음성도가 최대 2.2 인 원소의 산 산화물 및 양쪽성 산화물로부터 선택되는 산화물 (OX) 하나 이상, 및 (ⅲ) 전기음성도가 1.3 내지 2.5 인 원소의 질화물 (NI) 하나 이상을 함유하는 중합체 조성물. 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 함유하는 부품을 하나 이상 포함하는 물품. 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 함유하는 물품의 부품.
Description
본 출원은 2004 년 12 월 17 일에 출원한 U.S. 가출원 60/636531, 및 2005 년 8 월 23 일에 출원한 U.S. 가출원 60/710161 에 대한 우선권을 주장하며, 이들의 내용은 본원에 참조로 반영된다.
본 발명은 반결정질 중합체 조성물, 특히 폴리프탈아미드 조성물, 및 그것으로부터 제조한 물품에 관한 것이다.
대부분의 종래 기술의 반결정질 중합체 조성물 및 그것으로부터 제조한 물품은 그들을 특정한 최종-용도에 적합하도록 하는데 필요한 필요조건을 충족시키지 못한다. 특히, 그들은 보통 열전도성이 너무 낮다. 이 문제에 대응하고자, 반결정질 조성물에 각종 무기 충전제를 첨가하는 것이 이미 제안되었다.
예를 들어, US 6,600,633 은 (i) 베이스 수지, 예컨대 액정 중합체, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리프탈아미드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리카보네이트, 폴리에테르에테르케톤 또는 폴리페닐렌 옥사이드, 및 (ⅱ) 질화붕소, 알루미나, 질화알루미늄, 산화 마그네슘, 산화아연, 탄화규소, 산화베릴륨 및 산화크롬과 같이 상기 수지와 배합되는 세라믹 충전제를 함유하는 작동기 코일 재료를 캡슐화하고 지지하기 위한 디스크 드라이브 작동기 조립품용 오버몰드 (overmold) 를 기재한다 (컬럼 4, 1. 10-25 참고). US 6,600,633 이, 세라믹 충전제가 명백하게는 앞서 나열한 충전제의 평범한 혼합물로 이루어질 수 있음을 추가로 명시한 것은 사실이지만 (컬럼 4, 1. 25-27 참고), 앞서 나열한 충전제의 어떠한 특정 조합도 기재하지 않았을 뿐만 아니라; 그러한 특정 조합으로부터 생길 어떠한 이득도 시사하지 않았으며; 거꾸로, US 6,600,633 은 질화붕소 또는 알루미나 (즉, 산화알루미늄) 를 단독 세라믹 충전제로서 사용하는 것을 분명히 선호한다 (컬럼 4, 1. 20-22 참고).
또다른 예는 구체적으로는 폴리프탈아미드 조성물과 관련된다: Kuraray 명의의 JP 2004/059,638 은 60-100 몰% 테레프탈산 단위체 및 60-100 몰% 1,9-노난디아민 및/또는 2-메틸-1,8-옥탄디아민 단위체를 포함하는 폴리프탈아미드를 열전도성 충전제 및 임의로 가소제와 배합하여, 열전도성, 내열성, 낮은 흡수성 및 성형성이 우수한 폴리프탈아미드 조성물을 수득할 수 있음을 교시한다. 적합한 열전도성 충전제의 예가 단락 [0020] 에 나열되어 있고; 그들 중에서도, 특히, 규산칼슘 단결정, 탄소 섬유, 금속 산화물, 금속 분말, 알루미나, 산화물 예컨대 금, 은, 구리, 철, 알루미늄, 마그네슘, 베릴륨 및 티타늄 산화물, 질화붕소 및 질화알루미늄이다. JP 2004/059,638 이, 일반적으로, 열전도성 충전제가 앞서 나열한 충전제 중 하나, 둘 또는 그 이상으로 이루어질 수 있다고 언급하고 있지만, 거기서 예시한 6 개의 조성물 모두 단독 세라믹 충전제를 함유하며 (표 1 참고); 더욱 일반 적으로는, US 6,600,633 과 마찬가지로, JP 2004/059,638 은 앞서 나열한 충전제의 어떠한 특정 조합도 기재하지 않을 뿐만 아니라, 무기 충전제의 그러한 특정한 조합으로부터 생길 수 있는 어떠한 이득도 시사하지 않고 있다.
US 6,600,633 및 JP 2004/059,638 에 나와 있는 조성물 및/또는 물품에는 여전히 몇몇 단점이 있다. 앞서 상술한 조성물 및/또는 물품에 의해서 달성되는 열전도성에서의 향상은 일반적으로 충분치 못하고, 또는 다량의 값비싼 무기 충전제, 예컨대 질화붕소를 요하며; 게다가, 산화알루미늄과 같이 특정의 저렴한 무기 충전제를 매우 다량으로 사용하는 것은 전기절연성과 같이 반결정질 중합체 조성물의 어떤 다른 중요한 특성에 해가 될 수 있다. 그렇다면, 개량된 조성물 및/또는 물품이 여전히 매우 요구된다.
본 발명의 제 1 목적은 종래 기술의 반결정질 중합체 조성물에 비하여 다양한 장점, 특히 향상된 열전도성을 제공하지만, 그들의 단점, 특히 불량한 절연성은 보유하지 않는 반결정질 중합체 조성물, 특히 폴리프탈아미드 조성물을 제공하는 것이다.
이로써, 본 발명은 하기를 함유하는 중합체 조성물에 관한 것이다:
ㆍ 폴리아미드, 폴리에테르케톤, 액정 중합체, 폴리알킬렌 프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴렌 설파이드 및 폴리아릴렌 옥사이드로부터 선택되는 반결정질 중합체 (Semi-Crystalline Polymer: SCP) 하나 이상, 및
ㆍ 전기음성도가 최대 2.2 인 원소의 산 산화물 및 양쪽성 산화물로부터 선택되는 산화물 (OX) 하나 이상, 및
ㆍ 전기음성도가 1.3 내지 2.5 인 원소의 질화물 (NI) 하나 이상.
본 발명의 목적상, "원소" 는 원소 주기율표의 원소를 가리키기 위함이다.
본 발명의 목적상 고려할 원소, 뿐만 아니라 특정 산화 단계에서 원소로부터 유래한 산화물의 산, 양쪽성 또는 염기 성질의 전기음성도 값은 1987 년 2 월에 벨기에에서 출판된, J. Breysem, c/o VEL s.a., "Produits, appareillage et fournitures pour le laboratoire" 에서 수정된 원소 주기율표에 기록된 것들이다.
본 발명의 목적상, "양쪽성 산화물" 은 현저한 산 양쪽성 산화물 또는 그 용어의 가장 엄격한 의미 (즉, 산 또는 염기가 지배적이지 않음) 의 양쪽성 산화물을 가리키기 위함이다. 현저한 염기 양쪽성 산화물은 본 발명의 목적상 양쪽성 산화물이 아니다.
본 발명의 목적에 적합한 폴리에테르케톤의 비제한적 예는 폴리에테르에테르케톤케톤 (PEEKK), 폴리에테르케톤케톤 (PEKK), 폴리에테르케톤에테르케톤 (PEKEK) 및 폴리에테르에테르케톤 (PEEK) 이다. 폴리에테르케톤 중에서, PEEK 중합체가 바람직하다.
본 발명의 목적에 적합한 액정 중합체의 비제한적 예는 액정 폴리에스테르, 특히 XYDAR® 액정 폴리에스테르로서 SOLVAY ADVANCED POLYMERS, L.L.C. 가 판매하는 액정 폴리에스테르이다.
본 발명의 목적에 적합한 폴리알킬렌 프탈레이트의 비제한적 예는 폴리에틸렌 나프탈렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리부틸렌 테레프탈레이트이다.
본 발명의 목적에 적합한 폴리아릴렌 설파이드의 비제한적 예는 폴리페닐렌 설파이드, 특히 PRIMEF® 폴리페닐렌 설파이드로서 SOLVAY ADVANCED POLYMERS, L.L.C. 가 판매하는 폴리페닐렌 설파이드이다.
반결정질 중합체 (SCP) 는 ASTM D648 에 따라 측정하였을 때, 1.82 ㎫ 의 하중 하에 열변형 온도가 유리하게는 80 ℃ 를 초과한다.
반결정질 중합체 (SCP) 는 유리하게는 중축합 중합체이다. 또한, 반결정질 중합체 (SCP) 는 유리하게는 하나 이상의 아릴렌기를 포함하는 반복 단위체를 포함한다. 반결정질 중합체 (SCP) 는 바람직하게는 하나 이상의 아릴렌기를 포함하는 반복 단위체를 포함하는 중축합 중합체이다.
반결정질 중합체 (SCP) 는 바람직하게는 폴리아미드이다.
폴리아미드는 특히 지방족 폴리아미드 예컨대 나일론 6, 나일론 66 또는 나일론 12, 반복 단위체의 50 몰% 이하가 하나 이상의 방향족 기를 포함하는 폴리아미드, 또는 이후에 정의하는 바와 같은 방향족 폴리아미드일 수 있다.
본 발명의 목적상, "방향족 폴리아미드" 는 50 몰% 를 초과하는 반복 단위체가 하나 이상의 방향족 기를 포함하는 임의의 중합체를 가리키기 위함이다.
폴리아미드는 특히 하나 이상의 이산 및 하나의 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서, 및/또는 하나 이상의 아미노산의 자가-중축합 반응에 의해서 형성된다.
방향족 폴리아미드의 방향족 반복 단위체의 방향족성은 이산으로부터 및/또는 디아민으로부터 및/또는 아미노산으로부터 올 수 있다. 방향족 이산의 비제한적 예는 프탈산 및 나프탈렌디카르복실산이다. 메타자일릴렌디아민이 방향족 디아민의 예이다.
바람직한 제 1 군의 방향족 폴리아미드는 PMXDA, 즉, 50 몰% 를 초과하는 반복 단위체가 하나 이상의 지방족 이산 및 메타자일릴렌디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 방향족 폴리아미드로 이루어진다.
지방족 이산은 특히 아디프산일 수 있다.
적합한 PMXDA 는 특히 Solvay Advanced Polymers, L.L.C. 로부터 IXEF® PMXDA 로서 입수가능하다.
바람직한 제 2 군의 방향족 폴리아미드는 폴리프탈아미드, 즉, 50 몰% 를 초과하는 반복 단위체가 하나 이상의 프탈산 및 하나 이상의 지방족 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 방향족 폴리아미드로 이루어진다.
지방족 디아민은 특히 헥사메틸렌디아민, 노난디아민, 2-메틸-1,5-펜타디아민, 및 1,4-디아미노부탄일 수 있다.
적합한 폴리프탈아미드는 특히 Solvay Advanced Polymers, L.L.C. 로부터 AMODEL® 폴리프탈아미드로서 입수가능하다.
폴리프탈아미드 중에서, 폴리테레프탈아미드가 종종 바람직하다. 그러나, 본 발명의 어떤 특정 구현예에서는 폴리(테레/이소)프탈아미드가 바람직할 수 있다.
본 발명의 목적상, 폴리(테레/이소)프탈아미드는 (i) 50 몰% 를 초과하는 반복 단위체가 테레프탈산, 이소프탈산 및 하나 이상의 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는, (ⅱ) 25 초과 50 몰% 이하의 반복 단위체가 테레프탈산 및 하나 이상의 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는, (ⅲ) 1 내지 25 몰% 의 반복 단위체가 테레프탈산 및 하나 이상의 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 방향족 폴리아미드로서 정의된다. 바람직하게는, 폴리(테레/이소)프탈아미드는 하나 이상의 지방족 이산 및 하나 이상의 지방족 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 반복 단위체를 추가로 포함한다. 또한, 폴리(테레/이소)프탈아미드는 바람직하게는 o-프탈산 및 하나 이상의 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 반복 단위체가 없다.
본 발명의 목적상, 폴리테레프탈아미드는 50 몰% 를 초과하는 반복 단위체가 테레프탈산 및 하나 이상의 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 방향족 폴리아미드로서 정의된다.
바람직한 제 1 군의 폴리테레프탈아미드는 그것의 반복 단위체가 테레프탈산 및 하나 이상의 지방족 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 폴리테레프탈아미드로 이루어진다 [(I) 군].
바람직한 제 2 군의 폴리테레프탈아미드는 그것의 반복 단위체가 테레프탈산, 이소프탈산 및 하나 이상의 지방족 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 폴리테레프탈아미드로 이루어진다 [(Ⅱ) 군].
바람직한 제 3 군의 폴리테레프탈아미드는 그것의 반복 단위체가 테레프탈산, 하나 이상의 지방족 이산 및 하나 이상의 지방족 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 폴리테레프탈아미드로 이루어진다 [(Ⅲ) 군]. 그와 같은 반복 단위체는 테레프탈아미드 및 지방족 산-아미드 반복 단위체라고 각각 칭한다.
(Ⅲ) 군 중에서, 바람직한 제 1 하위 군은 반복 단위체 (즉, 테레프탈아미드 + 지방족 산-아미드 반복 단위체) 의 총 몰수에 대한 테레프탈아미드 반복 단위체의 몰비가 60 몰% 이상인 폴리테레프탈아미드로 이루어지고; 또한, 유리하게는 80 몰% 이하, 바람직하게는 70 몰% 이하이다 [하위 군 (Ⅲ-1)].
(Ⅲ) 군 중에서, 바람직한 제 2 하위 군은 반복 단위체 (즉, 테레프탈아미드 + 지방족 산-아미드 반복 단위체) 의 총 몰수에 대한 테레프탈아미드 반복 단위체의 몰비가 60 몰% 미만인 폴리테레프탈아미드로 이루어진다 [하위 군 (Ⅲ-2)].
바람직한 제 4 군의 폴리테레프탈아미드는 그것의 반복 단위체가 테레프탈산, 이소프탈산, 하나 이상의 지방족 이산 및 하나 이상의 지방족 디아민 사이의 중축합 반응에 의해서 형성되는 폴리테레프탈아미드로 이루어진다 [(Ⅳ) 군].
반결정질 중합체 (SCP) 는 중합체 조성물 내에 유리하게는 10 중량% 이상, 바람직하게는 20 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 30 중량% 이상 (조성물의 총 중량 기준) 의 양으로 포함된다.
이전의 항 중 임의의 하나에 따른 중합체 조성물에서는, 반결정질 중합체 (SCP) 가 유리하게는 최대 70 중량%, 바람직하게는 최대 60 중량%, 더욱 바람직하게는 최대 50 중량% (조성물의 총 중량 기준) 의 양으로 존재한다.
전기음성도 (ε) 가 최대 2.2 인 원소의 산 산화물의 비제한적 예는 산화붕소 (ε=2.0), 산화규소 (ε=1.8), 게르마늄(Ⅱ) 산화물 (ε=1.8), 인(Ⅲ) 및 (V) 산화물 (ε=2.1), 비소(V) 산화물 (ε=2.0), 안티몬(V) 산화물 (ε=1.9), 비스무트(V) 산화물 (ε=1.9), 탄탈룸(Ⅳ) 산화물 (ε=1.5), 볼프람(Ⅵ) 산화물 (ε=1.7), 망간(Ⅶ) 산화물 (ε=1.5), 레늄(Ⅳ) 및 (Ⅶ) 산화물 (ε=1.9) 이다.
양쪽성 산화물의 비제한적 예는 산화베릴륨 (ε=1.5), 산화알루미늄 (ε=1.5), 산화갈륨 (ε=1.6), 게르마늄(Ⅳ) 산화물 (ε=1.8), 주석(Ⅱ) 및 (Ⅳ) 산화물 (ε=1.8), 납(Ⅳ) 산화물 (ε=1.8), 비소(Ⅲ) 산화물 (ε=2.0), 안티몬(Ⅲ) 산화물 (ε=1.9), 티타늄(Ⅳ) 산화물 (ε=1.5), 바나듐(Ⅳ) 및 (V) 산화물 (ε=1.6), 니오븀(V) 산화물 (ε=1.6), 탄탈룸(V) 산화물 (ε=1.5), 망간(Ⅳ) 산화물 (ε=1.5) 및 산화아연 (ε=1.6) 이다.
상기 목록에서, ε 은 산화물이 유래하는 원소의 전기음성도를 가리킨다.
산화물 (OX) 은 바람직하게는 양쪽성 산화물이다.
게다가, 산화물 (OX) 은 전기음성도가 바람직하게는 최대 2.0, 더욱 바람직하게는 최대 1.8, 더 더욱 바람직하게는 최대 1.6 인 원소의 산화물이다. 또한, 산 화물 (OX) 은 바람직하게는 전기음성도가 1.4 이상인 원소의 산화물이다.
가장 바람직한 산화물 (OX) 은 산화알루미늄이다.
전기음성도 (ε) 가 1.3 내지 2.5 인 원소의 질화물 (NI) 의 비제한적 예는 《Handbook of Chemistry and Physics》, CRC Press, 64 판, B-65 내지 B-158 면에 나열되어 있다. 괄호 안의 코드는 CRC Handbook 이 관련 질화물에 부여한 코드이고, ε 은 그 질화물이 유래한 원소의 전기음성도를 가리킨다. 그렇다면, 본 발명의 목적에 적합한, 전기음성도 (ε) 가 1.3 내지 2.5 인 원소의 질화물 (NI) 은 특히 질화알루미늄 (AlN, a45, ε=1.5), 질화안티몬 (SbN, a271, ε=1.9), 질화베릴륨 (Be3N2, b123, ε=1.5), 질화붕소 (BN, b203, ε=2.0), 질화크롬 (CrN, c406, ε=1.6), 질화구리 (Cu3N, c615, ε=1.9), 질화갈륨 (GaN, g41, ε=1.6), 이질화삼게르마늄 (Ge3N2, g82, ε=1.8), 사질화삼게르마늄 (Ge3N4, g83, ε=1.8), 질화하프늄 (HfN, h7, ε=1.3), Fe4N (i151, ε=1.8) 및 Fe2N 또는 Fe4N2 (i152, ε=1.8) 와 같은 질화철, 질화수은 (Hg3N2, m221, ε=1.9), 질화니오븀 (n109, ε=1.6), 질화규소 (Si3N4, s109, ε=1.8), 질화탄탈룸 (TaN, t7, ε=1.5), 질화티탄 (Ti3N4, t249, ε=1.5), 이질화볼프람 (WN2, t278, ε=1.7), 질화바나듐 (VN, v15, ε=1.6), 질화아연 (Zn3N2, z50, ε=1.6) 및 질화지르코늄 (ZrN, z105, ε=1.4) 이다.
질화물 (NI) 은 전기음성도가 바람직하게는 1.6 이상, 더욱 바람직하게는 1.8 이상인 원소의 질화물이다. 또한, 질화물 (NI) 은 전기음성도가 바람직하게는 최대 2.2 인 원소의 질화물이다.
게다가, 질화물 (NI) 은 바람직하게는 원소 주기율표의 Ⅲa, Ⅳa, Ⅳb, Va, Vb, Ⅵa, Ⅵb, Ⅶb 및 Ⅷ 족으로부터 선택된 원소의 질화물로부터, 더욱 바람직하게는 원소 주기율표의 Ⅲa 족 원소의 질화물로부터 선택된다.
가장 바람직한 질화물 (NI) 은 질화붕소이다.
산화물 (OX) 및 질화물 (NI) 은 중합체 조성물 내에 유리하게는 40 중량% 초과, 바람직하게는 50 중량% 초과 (조성물의 총 중량 기준) 의 누적량 [(OX)+(NI)] 으로 포함된다. 또한, 산화물 (OX) 및 질화물 (NI) 은 중합체 조성물 내에 유리하게는 80 중량% 미만, 바람직하게는 70 중량% 미만 (조성물의 총 중량 기준) 의 누적량 [(OX)+(NI)] 으로 포함된다.
질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 는 유리하게는 0.5 초과, 바람직하게는 1.0 초과, 더욱 바람직하게는 2.0 초과, 더 더욱 바람직하게는 2.5 초과이다. 또한, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 는 유리하게는 12.0 미만, 바람직하게는 6.0 미만, 더욱 바람직하게는 4.0 미만, 더 더욱 바람직하게는 3.5 미만이다.
중합체 조성물은 추가적인 성분, 예를 들어, 충격 조절제 예컨대 엘라스토머, 충전제 예컨대 유리 섬유 및 탈크, 몰드 이형제, 가소제, 윤활제, 악화방지 안정화제, 예를 들어, 열 안정화제, 광 안정화제 및 항산화제를 임의로 함유할 수 있다.
이러한 임의의 추가적인 성분의 수준은 예상되는 특정 용도에 대하여 결정되며, 업계 통상의 실행 범위에 속한다고 생각되는 그와 같은 추가적인 첨가제는 50 중량% 이하, 바람직하게는 10 중량%, 더욱 바람직하게는 5 중량% 이하 (중합체 조성물의 총 중량 기준) 이다.
본 발명의 또다른 목적은 반결정질 중합체 조성물을 함유하는 물품 또는 물품의 부품, 특히 폴리프탈아미드 조성물을 포함하는 전동 공구 전기자 (power tool armature) 를 제공하는 것이고, 이것은 종래 기술의 부품 및 물품을 능가하는 다양한 장점, 특히 향상된 열전도성을 제공하며, 그들의 단점, 특히 불량한 절연성은 보유하지 않는다.
이로써, 본 발명은 물품의 부품으로서, 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 포함하는 부품에 관한 것이다. 바람직하게는, 상기 부품은 상기 중합체 조성물로 이루어진다. 특히 본 발명의 틀 안에서 예상되는 물품의 부품은 캡슐화 부품이다. 특히 본 발명의 틀 안에서 예상되는 물품의 또다른 부품은 반사기 컵이다.
동일하게, 본 발명은 또한 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 포함하는 물품에 관한 것이다. 바람직하게는, 상기 물품은 상기 중합체 조성물로 이루어진다.
역시 동일하게, 본 발명은 나아가 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 포함하는 하나 이상의 부품을 포함하는 물품에 관한 것이다. 바람직하게는, 상기 부품은 상기 중합체 조성물로 이루어진다.
상기 물품은 전자 구성요소, 광전자 구성요소, 컴퓨터 구성요소, 표면-부착 기술 구성요소 및 휴대전화 구성요소로부터 선택될 수 있다.
또한 자동차 센서와 같은 센서로부터 선택될 수 있다.
또한 전기 모터 엔드 캡, 변압기 구성요소 및 배터리 구성요소와 같은 전기 구성요소로부터 선택될 수 있다.
또한 연료 전지 구성요소로부터 선택될 수 있다.
또한 조리 기구 및 열원으로부터 선택될 수 있다.
또한 베어링 (bearing) 및 부싱 (bushing) 과 같은 기계 구성요소로부터 선택될 수 있다.
특히 본 발명의 틀 안에서 예상되는 제 1 물품은 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물로 이루어지는 오버몰드 부품으로 캡슐화된 코일을 포함하는 전기 모터 전기자이다.
오버몰드 부품의 캡슐화는 특히 오버코팅으로 달성할 수 있다.
오버몰드 부품은 전기자 전체를 감은 필름일 수 있다.
코일은 특히 구리 권취물로 이루어질 수 있다. 전류를 줄 때, 그 구리 권취물은 보통 전기장, 따라서 자기장을 생성하고, 그것이 모터를 구동시킨다.
오버몰드 부품은 유리하게는 구리 권취물 위 코팅의 가루 침식 (grit eroding) 가능성을 제거한다. 그리하여 상기 권취물은 보통 쇼트 회로 없이 유지되어, 전력을 유지한다.
오버몰드 부품의 전도성은 유리하게는 통상의 열제거 시스템 (모터를 통한 통풍) 이 효과가 있도록 해 준다.
특히 본 발명의 틀 안에서 예상되는 또다른 물품은 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물로 이루어지는 오버몰드 부품으로 캡슐화되고 지지되는 작동기 코일을 포함하는 디스크 드라이브 작동기 조립품이다.
특히 본 발명의 틀 안에서 예상되는 더욱 또다른 물품은 방사물을 방출하는 광전자 구성요소, 이하에서의 "방출 기구" 이다. 방출 기구의 비제한적 예는 자동차의 무선 도어 시스템 (keyless entry system), 냉장고에서의 조명, 액정 디스플레이 기구, 자동차 전면 패널 조명 기구, 책상 램프, 헤드라이트, 가정용 전기 설비 계기 및 실외 디스플레이 기구 예컨대 교통 표지판, 및 흔히 발광 다이오드 장치 (Lignt Emitting Diode: LED) 라고 알려져 있는, 전자기 방사물을 방출 및/또는 발신하는 하나 이상의 반도체 칩을 포함하는 광전자 장치이다. 바람직하게는, 방출 기구는 발광 다이오드 장치 (LED) 이다.
LED 는 보통 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 포함하는, 바람직하게는 그것으로 이루어진 하나 이상의 부품을 포함한다.
상기 부품은 바람직하게는 기본틀 및 탈열기 슬러그로부터 선택된다. 상기 부품은 보통 반사기로서 작용한다.
바람직하게는, 부품의 50 중량% 초과가 상기 중합체 조성물을 포함한다 (상기 부품은 아마도 특히 금속을 추가로 포함할 수 있으며; 예를 들어, 특정의 최종 용도에 있어서는, 반사기로서 작용하는 부품의 표면을 금속 도금할 수 있다). 더욱 바람직하게는, 부품의 90 중량% 초과가 상기 중합체 조성물을 포함한다. 더 더욱 바람직하게는, 상기 부품은 본질적으로 상기 중합체 조성물로 이루어진다. 가장 바람직하게는, 상기 부품은 상기 중합체 조성물로 이루어진다.
LED 는 바람직하게는 탑 뷰 LED, 사이드 뷰 LED 및 파워 LED 군으로부터 선택된다. 탑 뷰 및 사이드 뷰 LED 는 보통, 일반적으로는, 반사기로서 작용하는 기본틀을 포함하고; 게다가, 탑 뷰 및 사이드 뷰 LED 는 보통 임의의 탈열기 슬러그는 포함하지 않는다. 한편, 파워 LED 는 보통, 일반적으로는, 반사기로서 작용하는 탈열기 슬러그를 포함하고; 파워 LED 는 보통, 탈열기 슬러그와 별개의 부품인 기본틀을 추가로 포함한다.
탑 뷰 LED 는 특히 자동차 조명 용도 예컨대 계기판 디스플레이, 정지신호 및 깜박이에 사용된다. 사이드 뷰 LED 는 특히, 예를 들어, 휴대전화 및 PDA 와 같은 휴대 설비 용도에 사용된다. 파워 LED 는 특히 손전등, 자동차 주간 주행등, 간판에 그리고 LCD 디스플레이 및 TV 용 백라이트로서 사용된다.
탑 뷰 LED 의 예시적 구현예를 도 1 에 제공하며, 이것은 상기 구현예의 단면도를 예시한다. 탑 뷰 LED (1) 은 상기 중합체 조성물을 포함하고, 바람직하게는 그것으로 이루어지는 기본틀 (2) 를 포함한다. 이후에 상술하듯, 기본틀 (2) 는 또한 반사기 컵으로서 작용한다. 탈열기 슬러그는 없다.
보통, LED (1) 은 사전조립한 전기용 리드 프레임 (lead frame) (3) 을 추가로 포함한다. 리드 프레임 (3) 은 유리하게는 기본틀 (2) 에 포함되어 있는 중합체 조성물로 사출 성형하여 캡슐화시킨다.
기본틀 (2) 에는 공동 (6) 이 있다. LED 칩과 같이, 전자기 방사물을 방출하는 반도체 칩 (4) 를 그 공동 내부에 탑재한다. 반도체 칩 (4) 는 일반적으로 본딩 와이어 (bonding wire) (5) 에 의해서 리드 프레임 중 하나에 본딩되고 전기적으로 접촉-연결된다.
투명 또는 반투명 충전 (potting) 화합물 (예를 들어, 에폭시, 폴리카보네이트 또는 실리콘 수지, 도 1 에 나타내지 않음) 을 일반적으로 공동에 넣어서 LED 칩을 보호한다.
LED 칩의 외부 효율을 증가시키기 위해서, 기본틀의 공동을 수직의 내부 구역이 없게, 그 공동이 전면을 향하여 열린 형태를 갖도록 하는 방식으로 성형하는 것이 통례적이다 (공동의 내벽 단면도는, 예를 들어, 도 1 에 따른 예시적 구현예에서와 같이 직사선, 또는 포물선 형태를 가질 수 있다).
따라서, 공동의 내벽 (7) 은 반도체 칩에 의해서 측면으로 방출되는 방사물용 반사기 컵으로서 작용하며, 특히 이 방사물을 기본틀의 전면을 향하여 반사시킨다.
기본틀의 공동에 탑재할 수 있는 칩의 개수, 뿐만 아니라 기본틀 내부에 형성할 수 있는 공동의 개수는 하나로 제한되지 않음은 물론이다.
파워 LED 의 예시적 구현예를 도 2 에 제공하며, 이것은 상기 구현예의 단면도를 예시한다. 파워 LED (8) 은 상기 중합체 조성물을 포함하고, 바람직하게는 그것으로 이루어지는 기본틀 (2) 를 포함한다. 보통, LED (8) 은 사전조립한 전기용 리드 프레임 (3) 을 추가로 포함한다.
파워 LED (8) 은 또한 금속 (예를 들어, 알루미늄) 일 수 있거나, 상기 중합체 조성물을 포함할 수 있는, 또는 그것으로 이루어질 수 있는 캐리어 본체 (carrier body) 또는 탈열기 슬러그 (9) 를 포함한다. 공동 (6) 은 탈열기 슬러그 (9) 의 상부에 구현된다.
전자기 방사물을 방출하는 반도체 LED 칩 (4) 는 공동 (6) 의 바닥 구역에 탑재하며, 이것은 일반적으로 칩 캐리어 기판 또는 납땜 연결 (10) 을 이용하여 탈열기 슬러그 (9) 에 고정시킨다. 납땜 연결 (10) 은 일반적으로 에폭시 수지 또는 또다른 동급의 부착 물질이다.
LED 칩은 일반적으로 본딩 와이어 (5) 를 통해서 리드 프레임 (3) 의 전기 단자에 전도성 있게 연결된다.
공동 (6) 의 내벽 (7) 은 일반적으로 공동의 바닥 구역으로부터 전면까지 이어져서, LED 칩의 외부 효율을 증가시키는 반사기 컵을 형성한다. 반사기 컵의 내벽 (7) 은, 예를 들어, 직선 및 사선 (도 2 에 따른 예시적 구현예에서와 마찬가지) 이거나, 오목하게 휘어질 수 있다.
리드 프레임 (3) 및 탈열기 슬러그 (9) 는 기본틀 (2) 내에 캡슐화된다. LED 칩 (4) 를 보호하기 위해서, 도 1 의 제 1 예시적 구현예에서와 마찬가지로, 방사물-전달성인, 예를 들어 투명한 캡슐화 화합물 (밀봉제는 도 2 에 나타내지 않음) 로 공동을 일반적으로는 완전히 채운다.
본 발명의 중합체 조성물은 앞서 기재한 바와 같은 기본틀 및/또는 탈열기 슬러그를 만드는데 특히 적합한데, 이는, 열전도성이 우수하여 광전자 장치에 의해서 생기는 열을 쉽게 방산시키는 것 외에도, 또한 물성이 양호하고, 열변형 온도가 높고, 도금성이 양호하고, 리드 프레임에 대한 부착성이 양호하고, 광학 특성이 우수하고, 초기 백색도가 특히 우수하고, 반사율 유지가 높기 때문이다.
상기 중합체 조성물의 광학 특성은 일반적으로 내벽의 반사율이 우수한 반사기 컵을 만드는데 대체로 충분하다.
본 발명에 따른 중합체 조성물은 유리하게는 종래 기술의 중합체 조성물에 비하여 향상된 백색도 및 표면 외관을 나타낸다.
따라서, 본 발명의 또다른 측면은 방출 기구, 특히 LED 에서 반사기로서 작용할 수 있는 부품에 대한 것이고, 상기 부품은 앞서 기재한 바와 같은 중합체 조성물을 포함한다.
바람직하게는, 부품의 50 중량% 초과가 상기 중합체 조성물을 포함한다 (상기 부품은 아마도 특히 금속을 추가로 포함할 수 있고; 예를 들어, 특정의 최종 용도에 있어서, 반사기로서 작용하는 부품의 표면은 금속 도금될 수 있다). 더욱 바람직하게는, 부품의 90 중량% 초과가 상기 중합체 조성물을 포함한다. 더 더욱 바람직하게는, 상기 부품은 본질적으로 상기 중합체 조성물로 이루어진다. 가장 바람직하게는, 상기 부품은 상기 중합체 조성물로 이루어진다.
바람직하게는, 상기 부품은 LED 의 기본틀 및/또는 탈열기 슬러그를 구성할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 부품은 LED 의 기본틀 또는 LED 의 탈열기 슬러그이다.
본 발명은 앞서 나열한 물품에 한정되지 않는다.
실시예
1 (본 발명)
AMODEL® 폴리프탈아미드로서 SOLVAY ADVANCED POLYMERS, L.L.C. 에서 시판되는, 앞서 정의한 바와 같은 (Ⅲ) 군 - (Ⅲ-2) 하위 군의 폴리테레프탈아미드 수지를 표 1 에 명시한 첨가제와 함께 용기 내에서, 균질 혼합물이 수득될 때까지, 물리적으로 배합 (드럼 텀블링) 하였다. 배합 혼합물을 8 개의 통을 포함하는 트윈 스크류 압출기의 첫번째 통에 중량 감소식 공급기를 통하여 공급하였다. 압출기의 통 5 에서, 측면 충전기로 표 1 에 명시한 바와 같은 보강 충전제와 함께 열전도성 충전제를 도입하였다. 통 8 에서 배합 혼합물을 압축 및 냉각시켰다. 통 8 로부터 압출물 (E1) 을 회수하였다. 압출물을 냉각시키고, 통상의 장비로 펠릿화시켰다.
압출물 (E1) 의 열전도성을 ASTM D5930-01 에 따라 측정하였다. (E1) 의 열전도성은 약 3.5 W/(m.K) 였다.
실시예
2 (본 발명)
실시예 1 에서와 동일한 절차에 따라, 표 1 에 명시한 성분을 물리적으로 배합하고 압출시켜 압출물 (E2) 를 제조하였다.
(E2) 의 열전도성 (ASTM D5930-01) 은 약 2.5 W/(m.K) 였다.
실시예
3 (대조)
실시예 1 에서와 동일한 절차에 따라, 표 1 에 명시한 성분을 물리적으로 배합하고 압출시켜 압출물 (E3) 을 제조하였다.
(E3) 의 열전도성 (ASTM D5930-01) 은 약 1 W/(m.K) 였다.
실시예
4 (대조)
실시예 1 에서와 동일한 절차에 따라, 표 1 에 명시한 성분을 물리적으로 배합하고 압출시켜 압출물 (E4) 를 제조하였다.
(E4) 의 열전도성 (ASTM D5930-01) 은 약 0.5 W/(m.K) 였다.
실시예
5 (대조)
실시예 1 에서와 동일한 절차에 따라, 표 1 에 명시한 성분을 물리적으로 배합하고 압출시켜 압출물 (E5) 를 제조하였다.
(E5) 의 열전도성 (ASTM D5930-01) 은 약 3 W/(m.K) 였다.
표 1. 반결정질 중합체 조성물
미리 지적한 바와 같이, 본 발명의 제 1 목적은 종래 기술의 반결정질 중합체 조성물을 능가하는 다양한 장점, 특히 향상된 열 전도성을 가지는 반결정질 중합체 조성물, 특히 폴리프탈아미드 조성물을 제공하는 것이다.
명확히 하자면, 3 W/(m.K) 를 상당히 초과하는 열 전도성 값을 갖는 반결정질 중합체 조성물을 당업자는 보통 최고위 재료로 간주하고, "초고성능 수준" 부분에 둔다. 열전도성이 2 내지 3 W/(m.K) 인 중합체 조성물을 당업자는 보통 "고성능 수준" 부분의 재료로 간주한다. 열전도성이 1 내지 2 W/(m.K) 인 중합체 조성물을 당업자는 보통 "중성능 수준" 부분의 재료로 간주한다. 마지막으로, 열전도성이 1 W/(m.K) 미만인 중합체 조성물을 당업자는 보통 "저성능 수준" 부분의 재료로 간주한다.
그에 따라서 표 2 에 압출물 (E1) 내지 (E5) 의 순위를 매겼다.
이미 언급한 바와 같이, 종래 기술은 반결정질 중합체 조성물에서의 열전도성의 향상은 일반적으로, 예를 들어, 질화붕소와 같은 값비싼 무기 충전제를 대량으로 요한다고 교시한다.
사실상, 종래 기술은 생산 비용을 최저로 유지하면서 향상된 열전도성을 제공할 수 있는 특정 조합의 열전도성 충전제를 함유하는 어떠한 반결정질 중합체 조성물도 기재하지도 않고, 시사하지도 않았다.
결과적으로, 본 발명의 또다른 목적은 열전도 성능 수준과 비용 사이의 균형이 향상된, 특히 열전도성 충전제에서의 부하 비용이 개선된 반결정질 중합체 조성물을 제공하는 것이다.
이런 특정한 문제와 관련하여 본 발명이 가져올 이득을 식별하기 위해서, 각 중합체 조성물 (E1) 내지 (E5) 에 포함된 열전도성 충전제의 전체 비용을 중합체 조성물의 단위 중량을 기초로 추정하였고, 그와 같은 비용을 조성물 (E1) 을 참조하여 상대적인 기준으로 표현하였다. 비용 평가 결과를 또한 표 2 에 나타낸다.
표 2 열전도 성능 수준 및 열전도성 충전제의 상대적 비용
특성 | 반결정질 중합체 조성물 | ||||
E1 (본 발명) | E2 (본 발명) | E3 (대조) | E4 (대조) | E5 (대조) | |
열전도 성능 수준 | 매우 높음 | 높음 | 중간 | 낮음 | 높음 |
열전도성 충전제 총량의 상대적 비용 (E1 과 비교) | 1.00 | 0.68 | 0.14 | 0.10 | 3.03 |
본 출원인은, 놀랍게도, 중합체 조성물 (E1) 및 (E2) (본 발명) 가 중합체 조성물 (E3) (대조) 보다 열전도성 충전제의 총량을 더 많이 함유하지 않았지만, 중합체 조성물 (E1) 및 (E2) 가 조성물 (E3) 보다 열전도성 수준이 상당히 더 높은 것을 특징으로 하였음을 발견하였다.
본 출원인은 또한, 놀랍게도, 중합체 조성물 (E1) 및 (E2) 가 중합체 조성물 (E5) (대조) 에 함유된 질화붕소의 양의 단지 약 1/3 내지 1/5 인 양으로 질화붕소를 함유하고, 열전도성 충전제의 총량 [즉, (OX)+(NI)] 이 조성물 (E5) 에 근사하였으나, 조성물 (E1) 및 (E2) 가 조성물 (E5) 와 유사하거나 심지어 더 양호한 열전도성 수준을 제공할 수 있었음을 발견하였다.
더욱이, 표 2 에 나타낸 비용 평가 결과는 조성물 (E1) 및 (E2) 에 함유되어 있는 열전도성 충전제의 총량의 비용이 조성물 (E5) 에 함유되어 있는 열전도성 충전제 비용의 약 1/3 내지 약 1/5 에 불과하였음을 보여준다.
요컨대, 이러한 결과들은 하나 이상의 산화물 및 하나 이상의 질화물의 특정 조합을 함유하는 본 발명의 반결정질 중합체 조성물이, 종래 기술의 조성물과 비교하였을 때, 매우 바람직하게 균형잡힌 특성들을 나타내며, 특히 유사하거나 향상된 열전도 성능 수준을 제공하면서 생산 비용을 매우 절감할 수 있음을 보여준다.
Claims (48)
- 하기를 함유하는 중합체 조성물:ㆍ 폴리아미드, 폴리아릴에테르케톤, 액정 중합체, 폴리알킬렌 프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴렌 설파이드 및 폴리아릴렌 옥사이드로부터 선택되는 반결정질 중합체 (Semi-Crystalline Polymer: SCP) 하나 이상, 및ㆍ 전기음성도가 최대 2.2 인 원소의 산 산화물 및 양쪽성 산화물로부터 선택되는 산화물 (OX) 하나 이상 및,ㆍ 전기음성도가 1.3 내지 2.5 인 원소의 질화물 (NI) 하나 이상.
- 제 1 항에 있어서, ASTM D648 에 따라 측정하였을 때, 1.82 ㎫ 의 하중 하에서 반결정질 중합체 (SCP) 의 열변형 온도가 80 ℃ 를 초과하는 중합체 조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 반결정질 중합체 (SCP) 가 하나 이상의 아릴렌기를 포함하는 반복 단위체를 포함하는 중축합 중합체인 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 반결정질 중합체 (SCP) 가 폴리아미드인 중합체 조성물.
- 제 4 항에 있어서, 반결정질 중합체 (SCP) 가 폴리테레프탈아미드인 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 반결정질 중합체 (SCP) 가 중합체 조성물 내에 20 중량% 이상의 양 (조성물의 총 중량 기준) 으로 함유되어 있는 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 반결정질 중합체 (SCP) 가 최대 60 중량% 의 양 (조성물의 총 중량 기준) 으로 존재하는 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 (OX) 이 양쪽성 산화물인 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 (OX) 이 전기음성도가 최대 2.0, 바람직하게는 최대 1.8 인 원소의 산화물인 중합체 조성물.
- 제 9 항에 있어서, 산화물 (OX) 이 전기음성도가 최대 1.6 인 원소의 것인 중합체 조성물.
- 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 (OX) 이 전기음성도가 1.4 이상인 원소의 산화물인 중합체 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 산화물 (OX) 이 산화알루미늄인 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 질화물 (NI) 이 전기음성도가 1.6 이상인 원소의 질화물인 중합체 조성물.
- 제 13 항에 있어서, 질화물 (NI) 이 전기음성도가 1.8 이상인 원소의 질화물인 중합체 조성물.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 질화물 (NI) 이 전기음성도가 최대 2.2 인 원소의 질화물인 중합체 조성물.
- 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 질화물 (NI) 이 원소 주기율표의 Ⅲa, Ⅳa, Ⅳb, Va, Vb, Ⅵa, Ⅵb, Ⅶb 및 Ⅷ 족으로부터 선택되는 원소의 질화물로부터 선택되는 중합체 조성물.
- 제 16 항에 있어서, 질화물 (NI) 이 원소 주기율표의 Ⅲa 족 원소의 질화물로부터 선택되는 중합체 조성물.
- 제 17 항에 있어서, 질화물 (NI) 이 질화붕소인 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 (OX) 및 질화물 (NI) 이 중합체 조성물 내에 40 중량% 를 초과하는 누적량 [(OX)+(NI)] (조성물의 총 중량 기준) 으로 함유되어 있는 중합체 조성물.
- 제 19 항에 있어서, 산화물 (OX) 및 질화물 (NI) 이 중합체 조성물 내에 50 중량% 를 초과하는 누적량 [(OX)+(NI)] (조성물의 총 중량 기준) 으로 함유되어 있는 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 (OX) 및 질화물 (NI) 이 중합체 조성물 내에 80 중량% 미만의 누적량 [(OX)+(NI)] (조성물의 총 중량 기준) 으로 함유되어 있는 중합체 조성물.
- 제 21 항에 있어서, 산화물 (OX) 및 질화물 (NI) 이 중합체 조성물 내에 70 중량% 미만의 누적량 [(OX)+(NI)] (조성물의 총 중량 기준) 으로 함유되어 있는 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 0.5 를 초과하는 중합체 조성물.
- 제 23 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 1.0 을 초과하는 중합체 조성물.
- 제 24 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 2.0 을 초과하는 중합체 조성물.
- 제 25 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 2.5 를 초과하는 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 12.0 미만인 중합체 조성물.
- 제 27 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 6.0 미만인 중합체 조성물.
- 제 28 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 4.0 미만인 중합체 조성물.
- 제 29 항에 있어서, 질화물 (NI) 에 대한 산화물 (OX) 의 중량비 [(OX):(NI)] 가 3.5 미만인 중합체 조성물.
- 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 따른 중합체 조성물을 함유하는 물품.
- 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 따른 중합체 조성물을 함유하는 하나 이상의 부품을 포함하는 물품.
- 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 따른 중합체 조성물을 함유하는 물품의 부품.
- 제 33 항에 있어서, 캡슐화 부품인 부품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 전자 구성요소, 광전자 구성요소, 컴퓨터 구성요소, 표면-부착 기술 구성요소 및 휴대전화 구성요소로부터 선택되는 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 자동차 센서와 같은 센서로부터 선택되는 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 전기 모터 엔드 캡, 변압기 구성요소 및 배터리 구성요소와 같은 전기 구성요소로부터 선택되는 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 연료 전지 구성요소로부터 선택되는 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 조리 기구 및 열원으로부터 선택되는 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 베어링 (bearing) 및 부싱 (bushing) 과 같은 기계 구성요소로부터 선택되는 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 중합체 조성물로 이루어지는 오버몰드 (overmold) 부품으로 캡슐화된 전동 공구 전기자 (power tool armature) 인 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 중합체 조성물로 이루어지는 오버몰드 부품으로 캡슐화되고 지지되는 작동기 코일을 포함하는 디스크 드라이브 작동기 조립품인 물품.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 방사물을 방출하는 광전자 구성요소인 물품.
- 제 43 항에 있어서, 방사물을 방출하는 광전자 구성요소가 LED 인 물품.
- 제 32 항에 있어서, LED 이며, 그 부품이 기본틀 및 탈열기 슬러그로부터 선택되는 물품.
- 제 33 항에 있어서, 방출 기구 내 반사기로서 작용가능한 부품.
- 제 46 항에 있어서, 방출 기구가 LED 인 부품.
- 제 47 항에 있어서, LED 의 기본틀 및/또는 탈열기 슬러그를 구성할 수 있는 부품.
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