KR20070082324A - 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 액정 표시 장치를 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 제조한 후에 테스트하는 공정에서 더미 영역에 형성된 전극 라인의 저항값을 일정하게 하여 테스트 공정에서 시인되는 세로줄 얼룩을 개선할 수 있다.
액정 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판, 검사 라인, 연결 라인, 더미 영역

Description

박막 트랜지스터 기판{Thin Film Transistor Substrate}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 더미 영역을 확대한 확대 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 홀수 라인 및 짝수 라인의 데이터 라인 및 그 검사 라인을 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1000: 모 기판 1100: 유효 영역
1200: 더미 영역 1210, 1220, 1230: 검사 라인
1240: 연결 라인 1260, 1270, 1280: 검사 패드
1290: 컨택홀
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로, 특히 액정 표시 장치를 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 제조한 후에 테스트하는 공정에서 더미 영역에 형성된 전극 라인의 저항값을 일정하게 하여 테스트 공정에서 시인되는 세로줄 얼룩 을 개선할 수 있는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD, Liquid Crystal Display)는 두 기판 사이에 주입되어 있는 이방성 유전율을 갖는 액정 물질에 전계를 인가하고, 이 전계의 세기를 조절하여 기판에 투과되는 광의 양을 조절함으로써 원하는 화상을 표시하는 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 게이트 라인과 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인, 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 대응하여 형성되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판과, 상기 화소 전극에 대응하여 형성되는 컬러 필터 및 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판을 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 박막 트랜지스터 기판은 투광성 물질로 형성된 모 기판 상에 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터 및 검사 라인을 형성하고, 검사 라인을 통하여 게이트 라인, 복수의 그룹으로 나뉜 데이터 라인에 소정의 전압을 인가한 후에 각 라인에 흐르는 전류의 양 등을 측정하여 양품임이 확인되면, 모 기판으로부터 더미 영역을 제외한 유효 영역만을 잘라내서 완성한다.
이때, 상기 박막 트랜지스터 기판은 복수의 그룹으로 나뉜 데이터 라인에 소정의 전압을 인가할 때에, 박막 트랜지스터 기판의 더미 영역에서 각 그룹의 데이터 라인의 병렬 저항의 값이 동일하게 형성되지 않아서 테스트 공정에서 세로줄 얼룩이 시인되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 특히 액정 표 시 장치를 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 제조한 후에 테스트하는 공정에서 더미 영역에 형성된 전극 라인의 저항값을 일정하게 하여 테스트 공정에서 시인되는 세로줄 얼룩을 개선할 수 있는 박막 트랜지스터 기판을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 유효 영역과 더미 영역으로 이루어지는 모 기판; 일방향으로 연장된 복수의 게이트 라인; 상기 게이트 라인과 교차하는 복수의 데이터 라인; 상기 유효 영역에서 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 대응하여 형성된 박막 트랜지스터; 상기 더미 영역에서 상기 짝수 라인의 데이터 라인 또는 홀수 라인의 데이터 라인을 서로 연결하는 연결 라인; 상기 연결 라인과 인접하여 형성되며, 연결된 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 검사 라인; 및 상기 연결 라인과 연결되지 않은 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제2 검사 라인을 포함하는 박막 트랜지스터 기판이 제공된다.
상기 더미 영역에 연장된 데이터 라인에서의 홀수 라인의 병렬 저항과 짝수 라인의 병렬 저항은 대략 1 대 1 인 것을 특징으로 한다.
상기 연결 라인과 전기적으로 연결된 검사 라인과, 상기 연결 라인과, 상기 연결 라인과 전기적으로 연결되지 않은 검사 라인의 폭은 대략 1 대 2 대 3인 것을 특징으로 한다.
상기 더미 영역에서 연장된 게이트 라인과 전기적으로 연결되는 제3 검사 라 인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 데이터 라인과 검사 라인은 컨택홀을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명은 액정 표시 장치를 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 제조한 후에 테스트하는 공정에서 더미 영역에 형성된 전극 라인의 저항값을 일정하게 하여 테스트 공정에서 시인되는 세로줄 얼룩을 개선할 수 있는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 하나의 모 기판(1000)을 포함하여 이루어지며, 상기 모 기판(1000)은 복수의 유효 영역(1100)과 나머지 영역인 더미 영역(1200)으로 나뉜다.
유효 영역(1100)에는 상기 기판(1000) 상에 형성되는 게이트 라인(G1 ~ Gn)과 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인(D1 ~ Dm), 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 대응하여 형성되는 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor), 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극이 형성된다.
더미 영역(1200)에는 상기 유효 영역(1100)에 형성된 게이트 라인과 데이터 라인의 연장부가 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인과 연결되는 검사 라인(1210, 1220, 1230)이 형성된다. 상기 각각의 검사 라인(1210, 1220, 1230)의 일단부에는 검사 패드(1260, 1270, 1280)가 각각 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인은 컨택홀(1290)을 통하여 각 검사 라인(1210, 1220, 1230)과 연결된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 데이터 라인(D1 ~ Dm)은, 홀수 라인과 짝수 라인 중 어느 하나의 라인이 연결 라인(1240)에 의해 연결되며, 상기 홀수 라인과 짝수 라인은 서로 다른 검사 라인(1210, 1220)과 연결된다. 즉, 도면에서는 홀수 라인의 데이터 라인이 연결 라인과 연결된 것으로 설명하였지만, 이와는 달리 짝수 라인의 데이터 라인이 연결 라인과 연결될 수도 있다.
본 발명의 실시예에서는 데이터 라인을 홀수 라인과 짝수 라인으로 나누었지만, 이와는 달리 소정의 복수의 그룹으로 나눌 수 있다.
상기 기판(1000)의 유효 영역(1100)에 대응하는 컬러 필터 기판 상에는 컬러 필터와 공통 전극이 형성되며, 상기 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판 사이에 액정 물질을 형성하여 액정 표시 장치를 완성한다.
상기 액정 표시 장치에서, 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 액정 물질, 그리고 컬러 필터 기판의 공통 전극으로 액정 화소가 이루어진다.
상기 액정 표시 장치는 게이트 라인에 게이트 온 전압이 인가되면 박막 트랜지스터의 양단에 연결된 데이터 라인과 액정 소자가 전기적으로 연결되고, 이때 데이터 라인을 통하여 액정 소자에 계조 전압이 인가되면, 해당 액정 소자의 화소 전 극과 공통 전극 사이에 전계가 형성되어, 상기 전계에 의하여 액정 물질의 광 투과율이 조절되어 화상을 표시한다.
상기 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 제조 시에는, 모 기판에서 유효 영역(1100)을 잘라내기 전에 검사 라인을 통하여 게이트 라인, 복수의 그룹으로 나뉜 데이터 라인에 소정의 전압을 인가한 후에 각 라인에 흐르는 전류의 양 등을 측정하여 테스트 하는 공정이 있다.
다음으로, 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 더미 영역(1200)에 형성되며 테스트 공정에 사용되는 연결 라인(1240)과 검사 라인(1260, 1270)에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 더미 영역을 확대 도시한 확대 평면도이며, 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 홀수 라인 및 짝수 라인의 데이터 라인 및 그 검사 라인을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 더미 영역(1200)에서 홀수 라인의 데이터 라인의 일단부에는 연결 라인(1240)이 연결되고, 상기 연결 라인(1240)과 인접하여 제1 검사 라인(1210)이 컨택홀(1290)을 통하여 해당 데이터 라인과 연결된다. 또한, 짝수 라인의 데이터 라인을 가로지르는 제2 검사 라인(1220)이 컨택홀(1290)을 통하여 해당 데이터 라인과 연결된다.
이와 같이 연결 라인 및 검사 라인을 형성하면, 도 3a에 도시된 홀수 라인의 데이터 라인에서 검사 라인까지의 병렬 저항과 도 3b에 도시된 짝수 라인의 데이터 라인에서 검사 라인까지의 병렬 저항이 비슷해지므로, 테스트 공정에서 세로줄 얼 룩 현상을 개선할 수 있으므로 보다 정확한 테스트 공정을 진행할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 더미 영역(1200)에 형성되는 연결 라인(1240), 제1 검사 라인(1210), 제2 검사 라인(1220)의 라인 폭은 각각 100um, 55um, 150um 로 하면 홀수 라인과 짝수 라인으로 나뉜 데이터 라인에서 검사 라인까지의 병렬 저항이 거의 동일해지므로, 테스트 공정에서 세로줄 얼룩 현상을 개선할 수 있으므로 보다 정확한 테스트 공정을 진행할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 상기 연결 라인(1240), 제1 검사 라인(1210), 제2 검사 라인(1220)의 라인 폭은 각각 100um, 55um, 150um 으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결 라인(1240), 제1 검사 라인(1210), 제2 검사 라인(1220)의 라인 폭을 2 : 1 : 3 (오차범위 ±15프로) 정도로 하면 대략 비슷한 결과를 얻을 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 액정 표시 장치를 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 제조한 후에 테스트하는 공정에서 더미 영역에 형성된 전극 라인의 저항값을 일정하게 하여 테스트 공정에서 시인되는 세로줄 얼룩을 개선할 수 있다.
본 발명의 권리 범위는 앞에서 설명한 각 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자에 의한 모든 변경 및 개량도 본 발명의 권리 범위에 속한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 액정 표시 장치 를 구성하는 박막 트랜지스터 기판을 제조한 후에 테스트하는 공정에서 더미 영역에 형성된 전극 라인의 저항값을 일정하게 하여 테스트 공정에서 시인되는 세로줄 얼룩을 개선할 수 있다.

Claims (5)

  1. 유효 영역과 더미 영역으로 이루어지는 모 기판;
    일방향으로 연장된 복수의 게이트 라인;
    상기 게이트 라인과 교차하는 복수의 데이터 라인;
    상기 유효 영역에서 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 대응하여 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 더미 영역에서 상기 짝수 라인의 데이터 라인 또는 홀수 라인의 데이터 라인을 서로 연결하는 연결 라인;
    상기 연결 라인과 인접하여 형성되며, 연결된 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 검사 라인; 및
    상기 연결 라인과 연결되지 않은 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제2 검사 라인을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 더미 영역에 연장된 데이터 라인에서의 홀수 라인의 병렬 저항과 짝수 라인의 병렬 저항은 대략 1 대 1 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 연결 라인과 전기적으로 연결된 검사 라인과, 상기 연결 라인과, 상기 연결 라인과 전기적으로 연결되지 않은 검사 라인의 폭은 대략 1 대 2 대 3인 것(오차범위 ±15프로)을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 더미 영역에서 연장된 게이트 라인과 전기적으로 연결되는 제3 검사 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 데이터 라인과 검사 라인은 컨택홀을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150059239A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR101530388B1 (ko) * 2008-02-06 2015-06-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치 및 전자 기기
KR20150101044A (ko) * 2014-02-25 2015-09-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9191663B2 (en) 2013-02-28 2015-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530388B1 (ko) * 2008-02-06 2015-06-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치 및 전자 기기
US9191663B2 (en) 2013-02-28 2015-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel
KR20150059239A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20150101044A (ko) * 2014-02-25 2015-09-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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