KR20070071648A - Photo mask and method for fabricating liquid crystal display panel using thereof - Google Patents
Photo mask and method for fabricating liquid crystal display panel using thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070071648A KR20070071648A KR1020050135314A KR20050135314A KR20070071648A KR 20070071648 A KR20070071648 A KR 20070071648A KR 1020050135314 A KR1020050135314 A KR 1020050135314A KR 20050135314 A KR20050135314 A KR 20050135314A KR 20070071648 A KR20070071648 A KR 20070071648A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light
- light transmitting
- transmitting layer
- region
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
도 1a 내지 도 1g는 종래의 액정 표시 패널의 제조 방법의 제조 공정 단계별 각각의 단면도들이다.1A to 1G are cross-sectional views of respective steps of a manufacturing process of a conventional method for manufacturing a liquid crystal display panel.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a photo mask according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 레지스트 패턴을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a photoresist pattern according to an embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 다른 액정 표시 패널의 제조 방법 의 제조 공정 단계별 각각의 단면도들이다.4A to 4H are cross-sectional views of respective manufacturing process steps of a method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
200: 포토 마스크 210: 투명 기판200: photo mask 210: transparent substrate
220: 광차단층 230: 제 1 광투과층220: light blocking layer 230: first light transmitting layer
240: 제 2 광투과층 310: 포토 레지스트 패턴240: second light transmitting layer 310: photoresist pattern
본 발명은 포토 마스크 및 이를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단차에 관계없이 포토 레지스트 패턴의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 포토 마스크 및 이를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask and a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the same, and more particularly, to a photomask and a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the same, which can uniformly form a thickness of a photoresist pattern regardless of a step difference. It is about.
최근에 반도체 기술의 급속한 진보에 의하여 각종 전자 장치의 저전압화 및 저전력화와 함께 전자 기기의 소형화, 박형화 및 경량화의 추세에 따라 새로운 환경에 적합한 전자 표시 장치로서 평판 패널형 표시 장치에 대한 요구가 급격히 증대되고 있다. 이에 따라 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel), 유기 이엘 표시 장치(Organic Electro Luminescence Display) 등과 같은 평판 패널형 표시 장치가 개발되고 있다. 특히, 평판 패널형 표시 장치 중에서 소형화, 경량화 및 박형화가 용이하며, 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖는 액정 표시 장치가 특히 주목 받고 있다.In recent years, due to the rapid progress of semiconductor technology, the demand for flat panel display devices as an electronic display device suitable for a new environment is rapidly increasing according to the trend of miniaturization, thinning, and lightening of electronic devices along with low voltage and low power of various electronic devices. It is increasing. Accordingly, flat panel display devices such as a liquid crystal display, a plasma display panel, an organic EL display, and the like are being developed. In particular, among flat panel display devices, a liquid crystal display device having a small size, a light weight, and a thin film is easy, and has a low power consumption and a low driving voltage.
액정 표시 장치는 화상을 표시하는 액정 표시 패널과 액정 표시 패널에 구동 신호를 인가하기 위한 구동부를 포함한다. 여기서, 액정 표시 패널은 소정의 간격을 가지고 합착되는 전면 기판과 배면 기판, 전면 기판과 배면 기판 사이에 형성되는 액정층으로 구성된다. The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel displaying an image and a driver for applying a driving signal to the liquid crystal display panel. Here, the liquid crystal display panel is composed of a front substrate and a rear substrate and a liquid crystal layer formed between the front substrate and the rear substrate to be bonded at predetermined intervals.
전면 기판은 컬러 필터 어레이 기판으로서, 화소영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층과 칼라 색상을 표현하기 위한 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통전극이 형성된다. 배면 기판은 박막 트렌지스터 어레이 기판으로서, 복수의 게이트 라인과 게이트 라인과 교차하는 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인과 게이트 라인과 데이 터 라인이 교차되어 정의되는 각 픽셀에 형성되는 복수의 화소 전극과 데이터 라인의 신호를 각 화소 전극에 전달하는 복수의 박막 트랜지스터가 형성된다. 액정 표시 패널에 포함되는 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 액정층의 액정 물질의 분자 배열을 변경시킨다. 변경되는 분자 배열에 따라 투명한 액정 표시 패널에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 원하는 화상을 구현할 수 있다.The front substrate is a color filter array substrate. The front substrate is a black matrix layer for blocking light except for the pixel region, and a red, green, and blue color filter layer for displaying color colors and images. A common electrode for implementation is formed. The back substrate is a thin film transistor array substrate, and includes a plurality of data lines arranged in a direction crossing the plurality of gate lines and the gate lines, and a plurality of pixel electrodes and data formed at each pixel defined by crossing the gate lines and the data lines. A plurality of thin film transistors for transmitting a line signal to each pixel electrode is formed. By applying different potentials to the pixel electrode and the common electrode included in the liquid crystal display panel, the molecular arrangement of the liquid crystal material of the liquid crystal layer is changed. The desired image may be realized by adjusting the amount of light transmitted through the transparent liquid crystal display panel according to the changed molecular arrangement.
이와 같은 구조를 갖는 액정 표시 패널의 제조 방법은 앞서 언급한 바와 같이, 소형화 박막화가 요구됨에 따라 투명 기판 상에 각 구성 요소들을 극세화된 패턴으로 형성시키기 위해 일반적인 반도체 제조 방법인 포토리소그래피 공정 방법에 따른다.As described above, the manufacturing method of the liquid crystal display panel having such a structure is required in the photolithography process method, which is a general semiconductor manufacturing method, to form each component in a micronized pattern on a transparent substrate as miniaturization and thinning are required. Follow.
도 1a 내지 도 1g는 종래의 액정 표시 패널의 제조 방법의 제조 공정 단계별 각각의 단면도들이다.1A to 1G are cross-sectional views of respective steps of a manufacturing process of a conventional method for manufacturing a liquid crystal display panel.
도 1a 내지 도 1g를 참조하면, 액정 표시 패널의 배면 기판을 제조하는 공정을 나타낸 것으로 다음의 단계에 따라 배면 기판이 형성된다.1A to 1G, which illustrate a process of manufacturing a back substrate of a liquid crystal display panel, the back substrate is formed according to the following steps.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 투명 절연 기판(101) 상에 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 증착시켜 화소 전극층(102)을 형성한다. 이후, 화소 전극층(102) 상에 구리(Cu)등의 게이트 물질을 증착시켜 게이트 전극층(103)을 형성한다. 이후, 하프톤 마스크(Half Tone Mask)를 이용하여 두께가 서로 다른 제 1 포토 레지스트 패턴(104)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, an ITO (Indium-Tin-Oxide) is deposited on the transparent
다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극층(103)을 습식 식각 방법으로 식각하고, 화소 전극층(102)을 습식 식각한다. 이후, 애싱(ashing) 공정을 통 해 제 1 포토 레지스트 패턴(104)을 부분적으로 제거한 후, 게이트 전극층(103)을 습식 식각한다. 이후, 박리(strip) 공정을 통해 제 1 포토 레지스트 패턴(104)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 1B, the
다음으로, 도 1c에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(105)를 증착하고, 게이트 절연층(105) 상에 반도체층(106)을 형성한다. 이후, 소스 전극과 드레인 전극을 형성하기 위한 소스 드레인 전극층(107)을 반도체층(106) 상에 형성한다. 이후, 하프톤 마스크를 이용하여 제 2 포토 레지스트 패턴(108)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1C, the
다음으로, 도 1d에 도시된 바와 같이, 소스 드레인 전극층(107)을 습식 식각 방법으로 식각한다.Next, as shown in FIG. 1D, the source
다음으로, 도 1e에 도시된 바와 같이, 반도체층(106)과 게이트 절연층(105)을 건식 식각 방법으로 연속하여 식각한다.Next, as shown in FIG. 1E, the
다음으로, 도 1f에 도시된 바와 같이, 제 2 포토 레지스트 패턴(108)을 애싱 공정을 통해 부분적으로 제거한다. Next, as shown in FIG. 1F, the second
다음으로, 도 1g에 도시된 바와 같이, 도 1f의 애싱 공정 후, 포토리소그래피 방법을 이용한 적어도 하나의 공정 단계를 더 거쳐 배면 기판을 완성한다. 완성된 배면 기판(100)은 게이트 패드(110)와, 데이터 패드(120)와, 데이터 라인(130)과, 화소 전극(140)과, 게이트 라인(150)과, 박막 트랜지스터(160)을 포함한다.Next, as shown in FIG. 1G, after the ashing process of FIG. 1F, the back substrate is further completed through at least one process step using a photolithography method. The completed back substrate 100 includes a
한편, 도 1e에 도시된 X 영역과 Y 영역의 제 2 포토 레지스트 패턴(108)은 패턴 형성 과정에서 평평하게 형성된다. 즉, 제 2 포토 레지스트 패턴(108)은 X 영역과 Y 영역에서 투명 절연 기판(101)으로부터의 높이가 동일하지만, X 영역과 Y 영역에서 단차를 갖는 소스 드레인 전극층(107)에 의해 제 2 포토 레지스트 패턴(108)은 X 영역의 두께가 Y 영역의 두께보다 두껍게 된다. 이로 인해, 도 1f의 애싱 시간이 길어지는 문제점이 발생한다.Meanwhile, the second
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 단차에 관계없이 포토 레지스트 패턴의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 포토 마스크를 제공하고자 하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a photomask capable of uniformly forming a thickness of a photoresist pattern regardless of a step.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상술한 포토 마스크를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하고자 하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the photo mask described above.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성되는 광차단층, 상기 투명 기판 상에 형성되는 제 1 광투과층 및 상기 투명 기판 상에 형성되며, 상기 제 1 광투과층 보다 투과율이 높은 제 2 광투과층을 포함한다.A photo mask according to an embodiment of the present invention for achieving the technical problem is formed on a transparent substrate, a light blocking layer formed on the transparent substrate, a first light transmitting layer formed on the transparent substrate and the transparent substrate And a second light transmitting layer having a higher transmittance than the first light transmitting layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 상기 광차단층이 크롬(Cr)을 포함하는 것이 바람직하다.In the photomask according to the embodiment of the present invention, the light blocking layer preferably includes chromium (Cr).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 상기 제 1 광투과층이 유기 물질을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the photomask according to the embodiment of the present invention, the first light transmitting layer preferably includes an organic material.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 상기 유기 물질이 포토 아크릴을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the photo mask according to the embodiment of the present invention, the organic material preferably includes photo acryl.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 상기 제 2 광투과층이 크롬 옥사이드(CrOx)를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the photomask according to the embodiment of the present invention, the second light transmitting layer preferably includes chromium oxide (CrOx).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크는 상기 제 2 광투과층이 상기 광차단층 또는 상기 제 1 광투과층 중 적어도 어느 하나의 층 상에 형성되는 것이 바람직하다.In addition, in the photomask according to the embodiment of the present invention, the second light transmitting layer is preferably formed on at least one layer of the light blocking layer or the first light transmitting layer.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 기판 상에 금속층, 절연층, 보호층 또는 반도체층 중 적어도 어느 하나의 층을 형성하는 단계, 높이가 서로 다른 적어도 둘 이상의 영역을 포함하는 상기 기판의 최상위층 상에 평평한 포토 레지스트를 도포하는 단계 및 상기 각 영역에 대응하며 광투과율이 서로 다른 적어도 둘 이상의 광투과층을 포함하는 포토 마스크를 이용하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display panel, wherein forming at least one layer of a metal layer, an insulating layer, a protective layer, or a semiconductor layer on a substrate is different from each other. Applying a flat photoresist on the uppermost layer of the substrate including at least two other regions, and a photoresist pattern using a photo mask corresponding to each of the regions and including at least two light transmission layers having different light transmittances. Forming a step.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 기판의 최상위층이 제 1 높이를 갖는 제 1 영역과, 상기 제 1 높이 보다 낮은 제 2 높이를 갖는 제 2 영역을 포함하고, 상기 포토 마스크가 상기 제 1 영역과 대응하며 제 1 광투과율을 갖는 제 1 광투과층과, 상기 제 2 영역과 대응하며 상기 제 1 광투과율 보다 높은 제 2 광투과율을 갖는 제 2 광투과층을 포함하는 것이 바람직하다.A method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention includes a first region having a first height of the substrate and a second region having a second height lower than the first height, The mask includes a first light transmitting layer corresponding to the first region and having a first light transmittance, and a second light transmitting layer corresponding to the second region and having a second light transmittance higher than the first light transmittance. It is preferable.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 제 1 광투과층이 유기 물질을 포함하는 것이 바람직하다. In the method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, it is preferable that the first light transmitting layer includes an organic material.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 유기 물질이 포토 아크릴을 포함하는 것이 바람직하다. In addition, in the method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention, it is preferable that the organic material includes photoacryl.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 제 2 광투과층이 크롬옥사이드(CrOx)를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, in the method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention, the second light transmitting layer preferably includes chromium oxide (CrOx).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 제 2 투과층이 상기 제 1 광투과층 또는 광을 차단하는 광차단층 중 적어도 어느 하나의 층 상에 형성되는 것이 바람직하다.In addition, in the method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, it is preferable that the second transmission layer is formed on at least one layer of the first light transmitting layer or the light blocking layer that blocks the light.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하에서는 본 발명에 따른 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a specific embodiment according to the present invention will be described.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a photo mask according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크(200)는 투명 기판(210), 광차단층(220), 제 1 광투과층(230) 및 제 2 광투과층(240)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the
투명 기판(210)은 노광시 불투명 물질이 형성되지 않는 영역에서는 광을 완 전히 통과시킨다. 이에 따라, 포토 레지스트에 광이 조사된다.The
광차단층(220)은 형성하고자 하는 포토 레지스트의 패턴에 따라 투명 기판(210) 상의 소정의 영역에 형성된다. 노광시, 광차단층(220)이 형성되는 영역에서는 광이 완전히 차단된다. 이에 따라, 포토 레지스트에 광이 조사되지 않는다. 광차단층(220)은 금속 물질을 포함하며, 바람직하게는 크롬(Cr)을 포함하는 광차단 물질로 광차단층(220)을 형성하는 것이 효과적이다.The
제 1 광투과층(230)은 형성하고자 하는 포토 레지스트의 패턴에 따라 투명 기판(210) 상의 소정의 영역에 형성된다. 노광시, 제 1 광투과층(230)이 형성되는 영역에서는 광이 일부만 투과된다. 제 1 광투과층(230)이 소정의 투과율을 가짐에 따라, 포토 레지스트에는 광이 일부만 조사된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 광투과층(230)은 투과율을 조절하기 위해 유기 물질을 포함한다. 유기 물질에는 포토 아크릴이 포함되는 것이 바람직하다. The first
제 2 광투과층(240)은 형성하고자 하는 포토 레지스트의 패턴에 따라 투명 기판(210) 상의 소정의 영역에 형성된다. 제 2 광투과층(240)은 제 1 광투과층(230) 보다 투과율이 높다. 따라서, 노광시 제 2 광투과층(240)이 형성되는 영역에서는 광이 일부만 투과되며, 아울러 제 1 광투과층(230)보다 많은 량의 광이 투과된다. 제 2 광투과층(240)이 소정의 제 2 투과율을 가짐에 따라, 포토 레지스트에는 광이 일부만 조사된다. 제 2 투과층(240)은 투과율을 조절하기 위해 크롬 옥사이드(CrOx)를 포함한다. 또한, 제 2 광투과층(240)은 광차단층(220) 및 제 1 광투과층(230) 보다 광투과율이 높기 때문에, 광차단층(220) 또는 제 1 광투과층(230) 중 적어도 어느 하나의 층 상에 형성할 수 있다. 즉, 포토 마스크의 제조 공정을 용이하게 하기 위해 광을 완전히 통과시키고자 하는 영역을 제외한 나머지 영역 상에 제 2 광투과층(240)을 형성하는 것이 가능하다.The second
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 레지스트 패턴을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a photoresist pattern according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 투명 기판(210) 상에 형성되는 각 층(220, 230, 240)의 패턴에 따라 복수의 단층을 갖는 포토 레지스트 패턴(310)이 형성된다. 즉, 포토 마스크의 광차단층(220)이 형성된 영역에서는 포토 레지스트 현상시, 포토 레지스트가 전혀 제거되지 않아 기준면으로부터 제 1 높이(h1)를 갖게 된다. 또한, 포토 마스크(200)의 제 1 광투과층(230)이 형성된 영역에서는 포토 레지스트 현상시, 포토 레지스트가 일부 제거됨에 따라 기준면으로부터 제 2 높이(h2)를 갖게 된다. 또한, 포토 마스크의 제 2 광투과층(240)이 형성된 영역에서는 포토 레지스트 현상시, 포토 레지스트가 일부 제거됨에 따라 기준면으로부터 제 2 높이(h2)보다 낮은 제3 높이(h3)를 갖게 된다. 또한, 포토 마스크의 투명 기판(210)만 형성된 영역에서는 포토 레지스트 현상시 포토 레지스트가 완전히 제거된다.As shown in FIG. 3, a
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크를 이용하여 형성되는 포토 레지스트 패턴(310)은 기준면으로부터 높이가 서로 다른 3중의 단층(h1, h2, h3)을 가지게 된다. 앞서 도 1에서 언급한 것과 같이, 종래의 하프톤 마스크를 이용할 때, 포토 레지스트 패턴이 2중의 단층을 가짐에 따라 발생되는 문제를 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크를 이용함으로써, 효과적을 개선할 수 있다. As described above, the
본 발명의 다른 실시예에서는 필요와 용도에 따라 포토 마스크에 형성되는 각 층(220, 230, 240)의 패턴을 달리할 수 있다. 또한, 복수의 단층을 갖는 포토 레지스트 패턴이 필요한 다양한 공정에서 본 발명의 포토 마스크는 사용하는 것이 가능하다.In another embodiment of the present invention, the patterns of the
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 다른 액정 표시 패널의 제조 방법 의 제조 공정 단계별 각각의 단면도들이다.4A to 4H are cross-sectional views of respective manufacturing process steps of a method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4h를 참조하면, 본 발명의 일 실시얘에 따른 액정 표시 패널의 배면 기판을 제조하는 공정을 나타낸 것으로 다음의 단계에 따라 배면 기판이 형성된다.4A to 4H, which illustrate a process of manufacturing a back substrate of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, the back substrate is formed according to the following steps.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 투명 절연 기판(401) 상에 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 증착시켜 화소 전극층(402)을 형성한다. 이후, 화소 전극층(402) 상에 구리(Cu)등의 게이트 물질을 증착시켜 게이트 전극층(403)을 형성한다. 이후, 하프톤 마스크(Half Tone Mask)를 이용하여 두께가 서로 다른 제 1 포토 레지스트 패턴(404)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, an indium-tin-oxide (ITO) is deposited on the transparent insulating
다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 게이트 전극층(403)을 습식 식각 방법으로 식각하고, 화소 전극층(402)을 습식 식각한다. 이후, 애싱(ashing) 공정을 통해 제 1 포토 레지스트(404)를 부분적으로 제거한 후, 게이트 전극층(403)을 습식 식각한다. 이후, 박리(strip) 공정을 통해 제 1 포토 레지스트(404)를 제거한다.Next, as shown in FIG. 4B, the
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(405)를 증착하고, 게이트 절연층(405) 상에 반도체층(406)을 형성한다. 이후, 소스 전극과 드레인 전극을 형성하기 위한 소스 드레인 전극층(407)을 반도체층(406) 상에 형성한다. 이때, 소스 드레인 전극층(407)은 투명 절연 기판(401)로부터 높이가 서로 다른 적어도 둘 이상의 영역을 포함한다. 즉, 제 1 높이를 갖는 제 1 영역인 Y 영역과, 제 1 높이 보다 낮은 제 2 높이를 갖는 제 2 영역인 X 영역을 포함한다. Next, as shown in FIG. 4C, the
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 소스 드레인 전극층(407) 상에 제 2 포토 레지스트(408)를 형성한다. 이때, 제 2 포토 레지스트(408)은 투명 절연 기판(401)로부터 동일한 높이를 갖도록 평평하게 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 4D, a
이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크를 이용하여 3중 단층을 갖는 제 2 포토 레지스트 패턴(408)을 형성한다. 즉, X 영역과 Y 영역에 대응하며, 광투과율이 서로 다른 적어도 둘 이상의 광투과층을 포함하는 포토 마스크를 이용하여 포토 레지스트를 노광한다. 바람직하게는 Y 영역과 대응하며 제 1 광투과율을 갖는 제 1 광투과층과, X 영역과 대응하며 제 1 광투과율 보다 높은 제 2 광투과율을 갖는 제 2 광투과층을 포함하는 포토 마스크를 사용하도록 한다. 제 2 포토 레지스터의 X 영역과 Y 영역은 단차, 즉 투명 절연 기판(401)으로부터 서로 다른 높이를 가짐으로써, 서로 동일한 두께를 가지게 된다. 여기서, 포토 마스크에 관한 보다 상세한 설명은 도 2 및 도 3을 통해 충분히 기술하였으므로 생략하기로 한다. 이후, 소스 드레인 전극층(407)을 습식 식각한다.Thereafter, as shown in FIG. 4E, a
이후, 도 4f에 도시된 바와 같이, 반도체층(406)과 게이트 절연층(405)을 건식 식각 방법으로 연속하여 식각한다.Thereafter, as shown in FIG. 4F, the
이후, 도 4g에 도시된 바와 같이, 제 2 포토 레지스트 패턴(408)을 애싱 공 정을 통해 부분적으로 제거한다. 이때, 제 2 포토 레지스터(408)의 X 영역과 Y 영역은 서로 동일한 두께를 가지고 있으므로, 애싱 시간을 종래와 비교하여 보다 줄일 수 있다. 이로써, 제조 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. Thereafter, as shown in FIG. 4G, the
이후, 도 4h에 도시된 바와 같이, 도 4g의 애싱 공정 후, 포토리소그래피 방법을 이용한 적어도 하나의 공정 단계를 더 거쳐 배면 기판을 완성한다. 완성된 배면 기판(400)은 게이트 패드(410)와, 데이터 패드(420)와, 데이터 라인(430)과, 화소 전극(440)과, 게이트 라인(450)과, 박막 트랜지스터(460)을 포함한다.Thereafter, as shown in FIG. 4H, after the ashing process of FIG. 4G, the back substrate is further completed through at least one process step using a photolithography method. The completed back substrate 400 includes a
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.As such, the technical configuration of the present invention described above can be understood by those skilled in the art that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다 는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타나며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the exemplary embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects, and the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
이상에서와 같이 본 발명은 포토 마스크의 구조를 개선함으로써, 단차에 관계없이 포토 레지스트 패턴의 두께를 균일하게 형성할 수 있다.As described above, according to the present invention, the thickness of the photoresist pattern can be uniformly formed regardless of the step by improving the structure of the photomask.
또한, 본 발명은 상술한 포토 마스크를 이용하여 액정 표시 패널을 제조함으로써, 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Moreover, this invention has the effect which can improve the efficiency of a manufacturing process by manufacturing a liquid crystal display panel using the photomask mentioned above.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050135314A KR101191450B1 (en) | 2005-12-30 | 2005-12-30 | Photo Mask and Method for fabricating liquid crystal display panel using thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050135314A KR101191450B1 (en) | 2005-12-30 | 2005-12-30 | Photo Mask and Method for fabricating liquid crystal display panel using thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070071648A true KR20070071648A (en) | 2007-07-04 |
KR101191450B1 KR101191450B1 (en) | 2012-10-16 |
Family
ID=38506757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050135314A KR101191450B1 (en) | 2005-12-30 | 2005-12-30 | Photo Mask and Method for fabricating liquid crystal display panel using thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101191450B1 (en) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100215850B1 (en) | 1996-04-12 | 1999-08-16 | 구본준 | Half-tone phase shift mask and fabrication method thereof |
US5914202A (en) | 1996-06-10 | 1999-06-22 | Sharp Microeletronics Technology, Inc. | Method for forming a multi-level reticle |
-
2005
- 2005-12-30 KR KR1020050135314A patent/KR101191450B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101191450B1 (en) | 2012-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5314085B2 (en) | Horizontal electric field type array substrate for liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
KR101578692B1 (en) | Color filter array of liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR100978260B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR100978266B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
JP4594292B2 (en) | Photomask and method for manufacturing array substrate for liquid crystal display device using the same | |
US8045077B2 (en) | Liquid crystal display device and fabrication method thereof | |
KR101241129B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
JP4818718B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device | |
KR101880875B1 (en) | Manufacturing method for tft-lcd array substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display | |
KR100983716B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
JP2008158485A (en) | Method for fabricating color-filter layer | |
KR20060097924A (en) | Liquid crystal display panel and method of fabricating the same | |
KR101191450B1 (en) | Photo Mask and Method for fabricating liquid crystal display panel using thereof | |
KR101227408B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR101408257B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR101141535B1 (en) | Forming method electrode pattern and method of fabricating liquid crystal display device using the same | |
KR20070072204A (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating liquid crystal dispaly device | |
KR101206286B1 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
KR20080057034A (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR100949498B1 (en) | The mask for liquid crystal display device and the method for fabricating the one using the same | |
KR101183377B1 (en) | Method for liquid crystal display device | |
KR100785196B1 (en) | Method of manufacturing liquid crystal display device | |
KR20120066517A (en) | Tft of liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR20070072277A (en) | Method for fabricating liquid crystal dispaly device | |
KR20060095699A (en) | Method of fabricating the array substrate for liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180917 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190917 Year of fee payment: 8 |