KR20070069927A - 이미지 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20070069927A
KR20070069927A KR1020050132594A KR20050132594A KR20070069927A KR 20070069927 A KR20070069927 A KR 20070069927A KR 1020050132594 A KR1020050132594 A KR 1020050132594A KR 20050132594 A KR20050132594 A KR 20050132594A KR 20070069927 A KR20070069927 A KR 20070069927A
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현우석
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Abstract

본 발명은 공정을 단순화하며, 초점 길이(focal length)의 감소에 의해 포토 다이오드(photo diode)의 민감도(sensitivity)와 크로스토크(crosstalk)의 향상을 꾀한 이미지 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판에 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토다이오드와 각각 대응되도록 제 1 컬러 필터층, 제 2 컬러 필터층 및 제 3 컬러 필터층 형성하는 단계와, 상기 제 1 내지 제 3 컬러 필터층의 표면을 리플로우하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
초점 길이, 이미지 센서, 마이크로 렌즈, 컬러 필터층, 평탄화층, 민감도

Description

이미지 센서 및 이의 제조 방법{Image Sensor and Method for Manufacuturing the Same}
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도
도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도
도 3은 종래 기술에 의한 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 4는 본 발명에 의한 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
200 : 반도체 기판 201 : 에피층
202 : 소자 격리막 203 : 게이트 절연막
204 : 게이트 전극 205a,25b,205c : n-형 확산 영역
206 : 절연막 측벽 207 : 고농도 n+형 확산 영역
208 : 확산 저지용 질화막 209 : 제 1 층간 절연막
210 : 금속배선 211 : 제 2 층간 절연막
212 : 제 3 층간 절연막 215 : 마이크로렌즈
213a : 제 1 컬러 필터층 213b : 제 2 컬러 필터층
213c : 제 3 컬러 필터층
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 공정을 단순화하며, 초점 길이(focal length)의 감소에 의해 포토 다이오드(photo diode)의 민감도(sensitivity)와 크로스토크(crosstalk)의 향상을 꾀한 이미지 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로,　이미지 센서라　함은　광학　영상(optical　image)을　전기　신호로　변환시키는　반도체소자로서,　이중에서　전하결합소자(CCD　:　charge　coupled　device)는　개개의　MOS(Metal-Oxide-Silicon)　커패시터가　서로　매우　근접한　위치에　있으면서　전하　캐리어가　커패시터에　저장되고　이송되는　소자이다.
한편, 씨모스　이미지센서는　제어회로(control　circuit)　및　신호 처리 회로(signal　processing　circuit)를　주변회로로　사용하는　CMOS　기술을　이용하여　화소 수　만큼의 MOS트랜지스터를　만들고　이것을　이용하여　차례차례　출력(output)을　검출하는　스위칭　방식을　채용하는　소자이다.
CCD(charge　coupled　device)는　구동　방식이　복잡하고　전력소모가　많으며,　마스크　공정　스텝　수가　많아서　공정이　복잡하고　시그날　프로세싱　 회로를　CCD　칩내에　구현　할　수　없어　원칩(One　Chip)화가　곤란하다는　등의　여러　단점이　있는　바,　최근에　그러한　단점을　극복하기　위하여　서브-마이크론(sub-micron)　CMOS　제조기술을　이용한　CMOS　이미지센서의　개발이　많이　연구되고　있다.
상기 CMOS　이미지센서는　단위　화소(Pixel)　내에　포토다이오드와　모스　트랜지스터를　형성시켜　스위칭　방식으로　차례로　신호를　검출함으로써　이미지를　구현하게　되는데,　CMOS　제조기술을　이용하므로　전력　소모도　적고　마스크　수도　20개　정도로　30～40개의　마스크가　필요한　CCD　공정에　비해　공정이　매우　단순하며　여러　신호　처리　회로와　원칩화가　가능하여　차세대　이미지센서로　각광을　받고　있으며,　DSC(Digital　Still　Camera),　PC　카메라,　모빌카메라　등의　많은　응용부분에　사용되고　있다.　
한편, CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 씨모스 이미지 센서에 대해 설명한다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(120, 130, 140)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(120)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(130)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(140)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(120, 130, 140) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다.
따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(120, 130, 140)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 소자 격리영역과 액티브 영역(포토다이오드 영역 및 트랜지스터 영역)으로 정의된 p++형 반도체 기판(100)상에 p-형 에피층(101)이 성장되고, 상기 반도체 기판(100)의 소자 격리영역에 녹색광, 적색광, 청색광의 입력영역간 분리를 위한 필드 산화막(102)이 형성되며, 상기 반도체 기판(100)의 포토 다이오드 영역에 n-형 확산 영역(103)이 형성된다.
이어, 상기 반도체 기판(100)의 트랜지스터 영역에는 게이트 절연막(104)을 개재하여 게이트 전극(105)들이 형성되고, 상기 게이트 전극(105)의 양측면에 절연막 측벽(106)이 형성되며, 상기 게이트 전극(105)을 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 확산 저지막(107)이 형성된다.
그리고 상기 확산 저지막(107)상에 제 1 층간 절연막(108)이 형성되고, 상기 제 1 층간 절연막(108)상에는 일정한 간격을 갖고 각종 금속배선(109)들이 형성되어 있다.
또한, 상기 금속배선(109)을 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 제 2 층간 절연막(110)이 약 4000Å의 두께로 형성되고, 상기 제 2 층간 절연막(110)상에 제 1 평탄화층(111)이 형성되며, 상기 제 1 평탄화층(111)상에 상기 각 n-형 확산 영역(103)과 대응되게 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러 필터층(112)이 형성된다.
또한, 상기 각 컬러필터층(112)을 포함한 반도체 기판(100)의 전면에 제 2 평탄화층(113)이 형성되고, 상기 제 2 평탄화층(113)상에 상기 각 컬러필터층(112)과 대응되게 마이크로렌즈(114)가 형성된다.
여기서, 미설명한 도면부호 115는 트랜지스터의 소오스 및 드레인 불순물 영역이다.
그러나 상기와 같은 종래의 씨모스 이미지 센서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
일반적으로 이미지 센서에 있어서, 초점 길이는 마이크로 렌즈로부터 포토다이오드 표면까지인 것으로, 종래의 씨모스 이미지 센서에서는 포토다이오드와 마이크로 렌즈 사이에는 복수개의 층간 절연막과 컬러 필터층, 평탄화층 등이 개재되어 있어, 초점 길이가 매우 길다.
이와 같이, 초점 길이가 길게 되면, 이미지 센서의 민감도가 떨어지고, 크로 스토크 특성이 열화되며, 또한, 공정 단계가 복잡하여 수율이 떨어지는 단점을 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 초점 길이(focal length)의 감소에 의해 포토 다이오드(photo diode)의 민감도(sensitivity)와 크로스토크(crosstalk)의 향상을 꾀한 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 전면에 형성되는 층간 절연막과, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 형성되며, 그 표면이 리플로우 처리되어 형성된 마이크로 렌즈를 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈는 서로 다른 영역에 형성된 R, G, B 컬러 필터로 이루어진다.
그리고, 상기 층간 절연막은 SiN이다.
또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판에 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토다이오드와 각각 대응되도록 제 1 컬러 필터층, 제 2 컬러 필터층 및 제 3 컬러 필터층 형성하는 단계와, 상기 제 1 내지 제 3 컬 러 필터층의 표면을 리플로우하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 또 다른 특징이 있다.
상기 제 1 내지 제 3 컬러 필터층은 각각 R, G, B 컬러 필터이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 의한 이미지 센서를 나타낸 단면도이며, 도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 소자 격리영역과 액티브 영역(포토다이오드 영역 및 트랜지스터 영역)으로 정의된 p++형 반도체 기판(200)상에 p-형 에피층(201)이 성장되고, 상기 반도체 기판(200)의 소자 격리영역에 녹색광, 적색광, 청색광의 입력영역간 분리를 위한 필드 산화막(202)이 형성되며, 상기 반도체 기판(200)의 액티브 영역에 게이트 절연막(203)을 개재하여 게이트 전극(204)이 형성된다.
또한, 상기 반도체 기판(200)의 포토 다이오드 영역에 n-형 확산 영역(205a, 205b, 205c)이 형성되고, 상기 게이트 전극(204)의 양측면에 절연막 측벽(206)이 형성되며, 상기 게이트 전극(204)을 포함한 반도체 기판(200)의 전면에 확산 저지용 질화막(208)이 형성된다.
그리고 상기 확산 저지용 질화막(208) 상에 제 1 층간 절연막(209)이 형성되고, 상기 제 1 층간 절연막(209) 상에는 일정한 간격을 갖고 각종 금속배선(210)들이 형성되어 있다.
또한, 상기 금속배선(210)을 포함한 반도체 기판(200)의 전면에 제 2 층간 절연막(211)이 약 4000Å의 두께로 형성되고, 상기 제 2 층간 절연막(211)상에 제 3 층간 절연막(212)이 형성되며, 상기 제 3 층간 절연막(212)상에 상기 각 n-형 확산 영역(205a,205b,205c)과 대응되게 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 제 1 , 제 2 , 제 3 컬러 필터층으로 이루어진 마이크로 렌즈(215)가 형성된다. 이러한 마이크로 렌즈는 표면이 리플로우(reflow)처리되어, 라운딩된 면을 나타낸다.
여기서, 미설명한 도면부호 207은 트랜지스터의 소오스 및 드레인 불순물 영역이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다(도 4 참조, 도 5a 및 도 5b에서는 211 이하의 층들이 생략되어 도시).
도 4에 도시한 바와 같이, 고농도 제 1 도전형(P++형) 다결정 실리콘 등의 반도체 기판(200)에 에피택셜(epitaxial) 공정으로 저농도 제 1 도전형(P-형) 에피층(201)을 형성한다.
여기서, 상기 에피층(201)은 포토 다이오드에서 공핍 영역(depletion region)을 크고 깊게 형성하여 광 전하를 모으기 위한 저전압 포토 다이오드의 능력을 증가시키고 나아가 광 감도를 향상시키기 위함이다.
그리고, 상기 반도체 기판(200)을 포토다이오드 영역 및 트랜지스터 영역과 소자 분리 영역을 정의하고, STI 공정 또는 LOCOS 공정을 이용하여 상기 소자 분리 영역에 소자 분리막(202)을 형성한다.
그 후, 상기 소자 분리막(202)이 형성된 에피층(201) 전면에 게이트 절연막(203)과 도전층(예를들면, 고농도 다결정 실리콘층)을 차례로 증착하고, 선택적으로 상기 도전층 및 게이트 절연막(203)을 제거하여 각 트랜지스터의 게이트 전극(204) 을 형성한다.
여기서, 상기 게이트 절연막(203)은 열산화 공정에 의해 형성하거나 CVD법으로 형성할 수 있으며, 상기 도전층위에 실리사이드층을 더 형성하여 게이트 전극을 형성할 수 있다.
한편, 상기 게이트 전극(204) 및 반도체 기판(200)의 표면에 열산화 공정을 실시하여 열산화막(도시되지 않음)을 형성할 수도 있다.
또한, 상기 게이트 전극(204)의 폭은 종래의 게이트 전극폭보다 크게 하여 상기 열산화막의 두께 증가량을 반영할 수도 있다.
이어, 상기 반도체 기판(200)의 포토다이오드 영역에 저농도 제 2 도전형(n-형) 불순물 이온을 주입하여 n-형 확산 영역(205a,205b,205c)을 형성한다.
이어, 상기 반도체 기판(200)의 전면에 절연막을 형성한 후 에치백하여 상기 게이트 전극(204)의 양측면에 절연막 측벽(206)을 형성한다.
그리고 상기 반도체 기판(200)의 트랜지스터 영역에 고농도 제 2 도전형(n+형) 불순물 이온을 주입하여 고농도 n+형 확산 영역(207)을 형성한다.
이어, 상기 반도체 기판(200)에 열처리 공정(예를 들면, 급속 열처리 공정) 을 실시하여 상기 n-형 확산 영역(205a,205b,205c), 고농도 n+형 확산 영역(207) 내의 불순물 이온을 확산시킨다.
한편, 상기 고농도 n+형 확산 영역(207)을 형성하기 전에 상기 n-형 확산 영역(205a,205b,205c)보다 낮은 이온 주입에너지를 통해 상기 트랜지스터 영역에 n-형 확산 영역(도시되지 않음)을 형성할 수도 있다.
이어, 상기 반도체 기판(200)의 전면에 확산 저지용 질화막(208)을 형성한다.
이어, 상기 확산 저지용 질화막(208)을 포함한 반도체 기판(200)의 전면에 제 1 층간 절연막(209)을 형성한다.
여기서, 상기 제 1 층간 절연막(209)은 사일렌 계열의 절연막으로 형성하여 그 속에 포함되어 있는 다량의 수소 이온으로 인하여 반도체 기판(200)의 댕글린 본드를 회복시킴으로써 암전류를 효과적으로 줄일 수도 있다.
도 5a와 같이, 상기 제 1 층간 절연막(209)상에 금속막을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막을 선택적으로 식각하여 각종 금속배선(210)들을 형성한다.
이어, 상기 금속배선(210)을 포함한 반도체 기판(200)의 전면에 제 2 층간 절연막(211)을 3000 ~ 4000Å의 두께로 형성한다.
여기서, 상기 제 2 층간 절연막(211)은 USG(Undoped Silicate Glass), PSG, BSG, BPSG 중에서 어느 하나를 사용한다.
이어, 상기 제 2 층간 절연막(211)상에 2000 ~ 3000Å의 두께를 갖는 실리콘 질화(SiN)막으로 이루어진 제 3 층간 절연막(212)을 형성한다.
이어, 상기 제 3 층간 절연막(212)상에 상기 각 n-형 확산 영역(205a, 205b, 205c)과 대응되게 적색(R), 청색(B), 녹색(G))의 컬러 필터층(213a, 213b, 213c)을 형성한다.
여기서, 상기 각 컬러 필터층(213a, 213b, 213c)은 상기 제 1 평탄화층(212)상에 가염성 레지스트를 사용하여 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 진행하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 컬러 필터층들을 형성한다.
또한, 상기 각 컬러 필터층(213)은 약 0.9㎛ 내외의 두께를 갖도록 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 사용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 컬러 필터층을 단일층으로 형성한다.
도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 각 컬러필터층(213a, 213b, 213c)의 표면을 약 200~700℃의 고온에서 리플로우(reflow)처리하여 그 표면이 라운딩되게 하여 마이크로 렌즈(215)로 형성한다.
여기서, 리플로우는 상기 제 1 내지 제 3 컬러 필터층(213a, 213b, 213c)이 형성된 반도체 기판(200)을 핫 플레이트(hot plate)(도시되지 않음) 상부에 올려놓은 상태에서 200 ~ 700℃의 온도로 열처리하여 반구형의 마이크로렌즈(215)를 형성하도록 이루어진다.
이어, 상기 열처리로 리플로우된 마이크로 렌즈(215)를 쿨링(cooling) 처리 한다. 여기서, 상기 쿨링 처리는 쿨 플레이트에 반도체 기판(200)을 올려놓은 상태에서 행해진다.
한편, 상기 제 1 내지 제 3 컬러 필터층(213a, 213b, 213c)를 이루는 성분은 감광성의 포토 레지스트로 이루어진다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 이미지 센서 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 마이크로 렌즈를 컬러 필터층을 리플로우하여 직접 형성함으로써, 컬러 필터층 형성 후 별도로 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 공정이 요구되지 않기 때문에 공정이 단순화된다.
둘째, 이와 같이, 마이크로 렌즈를 컬러 필터층으로 형성하기 때문에, 평탄화층 등의 감소로 포토 다이오드와 마이크로 렌즈와의 사이의 초점 길이가 감소하여, 이미지 센서의 민감도를 향상시킬 수 있으며, 또한, 크로스 토크 특성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 마이크로 렌즈를 컬러 필터층을 리플로우하여 직접 형성하기 때문에, 컬러 필터층 상부의 층이 형성되지 않아, 색재현성이 우수하다.

Claims (5)

  1. 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판과,
    상기 반도체 기판의 전면에 형성되는 층간 절연막과,
    상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 형성되며, 그 표면이 리플로우 처리되어 형성된 마이크로 렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈는 서로 다른 영역에 형성된 R, G, B 컬러 필터로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 층간 절연막은 SiN인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 반도체 기판에 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막상에 상기 각 포토다이오드와 각각 대응되도록 제 1 컬러 필터층, 제 2 컬러 필터층 및 제 3 컬러 필터층 형성하는 단계;
    상기 제 1 내지 제 3 컬러 필터층의 표면을 리플로우하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 컬러 필터층은 각각 R, G, B 컬러 필터인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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