KR20070065203A - Ｍｃｖｄ 공정을 이용한 저 수산기 농도를 갖는 광섬유모재의 제조방법 - Google Patents

Ｍｃｖｄ 공정을 이용한 저 수산기 농도를 갖는 광섬유모재의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 MCVD 공정을 이용한 저 수산기 농도를 갖는 광섬유 모재의 제조방법 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 수정화학기상증착공정을 이용하여 석영 튜브의 내벽에 상대적으로 굴절률이 낮은 클래드층을 레이어 단위로 반복적으로 형성하는 공정과, 상기 클래드층 위에 상대적으로 굴절률이 높은 코어층을 레이어 단위로 반복적으로 형성하는 공정을 포함하는 광섬유 모재 제조방법에 있어서, 상기 코어층을 형성하는 공정은, (a) 상기 석영튜브를 회전시키면서 그 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 주입하는 한편, 수트의 생성 및 소결을 유발하는 제1 온도 분포 영역과 상기 제1 온도 분포 영역의 전방에서 퇴적된 수트층의 탈수반응을 유발하는 제2 온도 분포 영역을 연속적으로 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 상기 제1 온도 분포 영역에서 열산화 반응으로 생성된 수트가 열원의 전방에 수트층으로 퇴적됨과 동시에 제2 온도 분포 영역에서 탈수가스에 의해 탈수되고 열원의 이동에 따라 제1 온도 분포 영역의 통과에 의해 소결되도록 하는 단계;를 1회 또는 그 이상을 반복 수행하여 일부 코어층을 형성하는 제1 공정; 및 (b) 상기 석영튜브를 회전시키면서 그 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 주입하는 한편, 수트의 생성을 유발하는 제1 온도 분포 영역, 상기 제1 온도 분포 영역의 전방에 위치하고 퇴적된 수트층의 탈수반응을 1차 유발하는 제2 온도 분포 영역, 및 제2 온도 분포 영역에서 탈수된 수트층의 탈수반응을 2차 유발하는 제3 온도 분포 영역을 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 상기 제1 온도 분포 영역에서 열산화 반응 으로 생성된 수트가 열원의 전방에 수트층으로 퇴적됨과 동시에 열원 전방에 형성된 제2 온도 분포 영역에서 탈수가스에 의해 1차 탈수되고 제2 온도 분포 영역의 후방에 위치한 제3 온도 분포 영역의 통과에 의해 2차 탈수되도록 하는 단계; 및 2차 탈수된 수트층의 소결을 유발하는 온도 범위를 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 퇴적된 수트층을 소결하는 단계;를 1회 또는 그 이상을 반복 수행하여 나머지 코어층을 형성하는 제2 공정;을 포함하는 광섬유 모재의 제조방법이 개시된다. 이로써 1340nm 내지 1460nm 파장대의 손실이 광전송 시스템에서 사용되는 1385nm 파장대 광손실이 1310nm 파장대 보다 낮은 0.33dB/Km 이하의 광손실을 갖는 광섬유 모재를 제조할 수 있다.
광섬유, 클래드, 코어, 수산기(OH)

Description

ＭＣＶＤ 공정을 이용한 저 수산기 농도를 갖는 광섬유 모재의 제조방법{Method for fabricating optical fiber preform with low OH concentration using MCVD process}
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 종래 기술에 따른 수정화학기상증착공정(MCVD)으로 광섬유 모재를 제조하는 과정을 도시하는 도면.
도 2는 도 1의 공정에 의해 제조된 광섬유 모재를 도시하는 단면도.
도 3은 도 1의 공정에 의해 증착된 수트에 수산기(OH)가 흡착된 상태를 확대하여 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 클래드층 형성 공정을 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광파워비가 낮은 코어층을 형성하는 공정을 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열원이 제공하는 온도 분포 프로 파일의 일 예를 도시하는 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광파워비가 높은 코어층의 형성 공정을 도시하는 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 석영 튜브 내벽에 클래드층과 코어층이 증착되어 있는 중공의 모재를 도시하는 도면.
도 10은 광섬유 코어층의 파장에 따른 흡수 손실을 종래의 방법과 본 발명의 방법에 의해 각각 제조된 광섬유를 서로 비교하여 도시한 그래프.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 석영 튜브 20 : 열원
30 : 클래드층 40 : 광파워비가 낮은 코어층
50 : 광파워비가 높은 코어층 60 : 제1 분포 영역
70,70' : 제2 분포 영역
본 발명은 광섬유 모재의 제조 방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition : MCVD) 공정을 이용하여 저 수산기 농도를 갖는 광섬유 모재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래의 기상 증착 방식으로 광섬유 모재를 제조하는 대표적인 공정기술로는 수정화학기상증착(MCVD), 기상축증착(Vapor-phase Axial Deposition : VAD), 외부 기상증착(Qutside Vapor Deposition : OVD) 공법 등을 들 수 있다.
그 중 MCVD 공법은 내부증착방식으로 실리카 튜브 내면에 클래드층을 형성한 후 그 내부에 코어층을 순차적으로 형성하여 광섬유 모재를 제조하는 방법이다.
보다 구체적으로, 도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 MCVD 공정은 석영 튜브(1)를 선반의 주축대(미도시)에 거치시킨 후 일정한 속도로 회전시킨다. 그리고, 회전하는 석영 튜브(1) 내부에 SiCl4, GeCl4 등 할라이드(halide)계열의 수트 형성가스를 산소가스와 함께 유입시킨다. 동시에 산소/수소 토치(2) 등을 이용하여 석영 튜브(1)를 1600도 이상의 온도로 가열하면서 석영 튜브(1)의 축 방향을 따라 왕복 운동시켜준다. 그러면 토치(2)가 한번 왕복할 때마다 반응온도에 도달한 튜브(1)내 영역에서는 하기 반응식과 같은 열산화반응이 유발되어 유리미분체(3a)(fine glass particle, 이하 수트(soot)라고 한다)가 생성된다.
SiCl4(g) + O2(g) → SiO2(s) + 2Cl2(g)
GeCl4(g) + O2(g) → GeO2(s) + 2Cl2(g)
상기 반응식 1에 따라서 생성된 수트입자(3a)들은 열영동 현상(thermophoresis)에 의해 상대적으로 온도가 낮은 석영 튜브(1) 내벽에 증착된다. 그리고 증착된 수트(3b)는 바로 이어서 접근하는 토치(2)의 화염에 의해 유리화 및 소결(sintering)되어 투명한 유리층(4)이 된다. 상기와 같은 과정이 계속적으로 반복되면 석영 튜브(1) 내벽 표면에는 복수의 클래드층과 그 위에 복수의 코 어층이 증착된다. 도 2는 상기와 같이 제조된 광섬유 모재의 단면을 도시한다. 도 2에서, 도면부호 5는 코어, 6은 클래드, 7은 튜브를 나타내고, 8은 코어의 직경을, 그리고 9는 클래드의 직경을 나타낸다.
그런데 종래의 MCVD 공정에서는 복수의 클래드층과 코어층이 형성되는 과정에서 그 내부에 수산기(OH)가 불순물로 포함되는 문제가 발생한다. 왜냐하면 석영 튜브(1)로 유입되는 수트 형성가스에 미량의 수분이 불순물로 포함되어 수분이 석영 튜브(1) 증착층 표면에 흡착된 후 고온에서 증착층 내부로 확산되어 Si와 수산기(OH)의 결합이 생기기 때문이다.
도 3은 종래의 MCVD 공정을 이용한 광섬유 모재 제조시 수트 증착층이 소결된 이후의 원자간 결합구조를 보여준다. 도 3을 참조하면 다량의 수산기(OH)가 Si와 결합되어 있는 것을 확인할 수 있다.
상기한 바와 같이 종래 기술에 따른 MCVD 공정에서는 토치(2)에 의해 수트층(3b)의 증착과 소결이 일련의 과정으로 이루어지기 때문에 별도의 탈수공정을 진행하지 않는 이상 클래드층 또는 코어층에 불순물로 포함되는 수산기(OH)의 제거가 거의 불가능하다. 왜냐하면, MCVD 공정이 고온에서 진행된다고 하여도 수트층(3b)에 화학반응을 통하여 불순물로 포함된 수산기(OH)는 Si와 안정적으로 결합 되어 그대로 잔존하기 때문이다.
한편, 광섬유의 가장 중요한 특성인 광손실은 광섬유 모재의 밀도차 및 조성차에 기인한 레일라이(Rayleigh) 산란 손실, 원자내 전자전이 에너지 흡수에 따른 자외선 흡수 손실, 격자 진동시 에너지 흡수에 따른 적외선 흡수 손실, 수산기(OH) 의 진동에 따른 수산기 흡수 손실 또는 거시적 구부러짐 손실로 구성된다.
광섬유를 통하여 신뢰성 있는 신호 전송을 보장하기 위해서는 광손실이 적어야 한다. 광섬유는 1280nm 이상 1620nm 이하 파장 대역에서 일정 수준 이하의 광손실을 가지므로, 현재 1310nm 및 1550nm의 두 파장대가 광통신 중심 파장대역으로 사용되고 있다. 그리고, 1385nm 파장대에서는 수산기(OH) 흡수에 의한 광손실이 다른 파장대에서보다 손실의 중요한 요인으로 여겨지고 있다.
따라서, 1310nm 에서 1550nm 까지의 모든 파장 대역을 사용하기 위해서는, 광섬유 내의 수산기(OH)에 의한 1385nm 파장대의 평균적 광손실 값이 1310nm에서의 광손실 값(평균0.34.dB/Km) 보다 작은 값을 가져야만 한다. 게르마늄 산화물과 실리콘 산화물로 구성된 코어는 재료 자체의 밀도차와 조성차에 기인한 레일라이 산란 손실값이 약 0.28dB/Km 정도이므로, 수산기(OH)에 의해 야기되는 광손실이 적어도 0.06dB/Km 이하로 제어되어야 1310nm 내지 1550nm 파장대에서 광섬유를 사용할 수 있다. 이를 위해서는, 광섬유 내의 수산기(OH)의 농도가 1ppb 이하가 되도록 광섬유 모재의 제조공정이 제어되어야 한다. 하지만, 1㎛의 직경을 가진 입자 표면에 2개의 수산기(OH)만 존재하여도 수산기의 농도는 30ppm 정도에 이르고 이를 광손실로 환산하면 0.75dB/Km 나 된다. 이러한 사실은 종래기술에 따른 MCVD 공정에서는 광섬유 모재에 불순물로 함유되는 수산기(OH) 농도를 1ppb 이하로 제어하는 것이 매우 어렵다는 것을 시사한다.
수산기(OH)가 없는 (OH-free) 단일모드 광섬유는, 미국특허 US3,737,292, US3,823,995, US3,884,550 등에 게시된 외부기상증착공정(OVD)과 미국특허 US4,737,179, US6,131,415 등에 게시된 기상축증착공정(VAD)에 의해 제조가 가능하다고 알려져 있다.
하지만, 종래의 MCVD 공정은 OVD 공정이나 VAD 공정과는 달리 증착과 소결 과정이 동시에 진행되어, 수트가 형성됨과 동시에 수트들이 용융되면서 치밀화된다. 따라서 기존의 MCVD 공정으로 제조한 광섬유에서는 소결로 인해 치밀화된 유리층 내부의 Si-OH가 1385nm 대역에서 임계적인 수산기(OH) 흡수 손실을 야기한다. 이에 따라, MCVD 공정에 의해 제조된 광섬유 모재로부터 인선되는 광섬유는 사용할 수 있는 광통신 파장대역에 제한이 따르게 되는 것이다.
한편, 대한민국 특허등록 제2004-0002720호(이하, 720'호 특허로 약칭한다)는 MCVD 공정을 이용하여 코어층 내의 수산기(OH)가 제거된 광섬유 모재를 제조하는 방법을 개시한다. 이 방법은 크게 클래드층 형성단계와 코어층 형성단계를 포함한다.
상기 클래드층 형성단계는 다시 클래드층의 증착단계 및 클래드층 소결단계로 이루어지고, 상기 코어층 형성단계는 베이스 코어층 퇴적단계, 베이스 코어층 탈수단계, 베이스 코어층 소결단계 및 상기 베이스 코어층 위에 적어도 하나 이상의 코어층을 추가적으로 형성하는 단계로 이루어진다. 그런데, 베이스 코어층 형성시 수트 입자형성 및 퇴적, 탈수, 및 소결 과정이 서로 다른 온도조건을 필요로 하므로, 상기와 같이 코어층을 형성하면 여러 번의 열원 이송이 필요하며, 그 결과 생산성이 기존에 비해 감소하게 된다.
따라서, 상기 720'호 특허와 같은 방법으로 광섬유 모재를 제조하면, 모재 크기의 대형화 및 생산성 향상이 절실히 요구되는 현 시점에서 제조 효율과 생산성을 현저히 떨어뜨리는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 높은 생산성을 유지하면서 코어층 내부에 잔존하는 수산기를 효과적으로 제거할 수 있는 광섬유 모재의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 수산기(OH)가 제거된 광섬유 모재를 이용하여 1385nm의 흡수 손실이 충분히 낮아 1100nm 내지 1700nm 파장 대역 모두에서 광통신을 수행할 수 있는 광섬유의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 MCVD 공정을 이용한 저 수산기 농도를 갖는 광섬유 모재의 제조방법은, 수정화학기상증착공정을 이용하여 석영 튜브의 내벽에 상대적으로 굴절률이 낮은 클래드층을 레이어 단위로 반복적으로 형성하는 공정과, 상기 클래드층 위에 상대적으로 굴절률이 높은 코어층을 레이어 단위로 반복적으로 형성하는 공정을 포함하는 광섬유 모재 제조방법에 있어서, 상기 코어층을 형성하는 공정은, (a) 상기 석영튜브를 회전시키면서 그 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 주입하는 한편, 수트의 생성 및 소결을 유발하는 제1 온도 분포 영역과 상기 제1 온도 분포 영역의 전방에서 퇴적된 수트층의 탈수반응을 유발하는 제2 온도 분포 영역을 연속적으로 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 상기 제1 온도 분포 영역에서 열산화 반응으로 생성된 수트가 열원의 전방 에서 수트층으로 퇴적됨과 동시에 제2 온도 분포 영역에서 탈수가스에 의해 탈수되고 열원의 이동에 따라 제1 온도 분포 영역의 통과에 의해 소결되도록 하는 단계;를 1회 또는 그 이상을 반복 수행하여 일부 코어층을 형성하는 제1 공정; 및 (b) 상기 석영튜브를 회전시키면서 그 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 주입하는 한편, 수트의 생성을 유발하는 제1 온도 분포 영역, 상기 제1 온도 분포 영역의 전방에 위치하고 퇴적된 수트층의 탈수반응을 1차 유발하는 제2 온도 분포 영역, 및 제2 온도 분포 영역에서 탈수된 수트층의 탈수반응을 2차 유발하는 제3 온도 분포 영역을 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 상기 제1 온도 분포 영역에서 열산화 반응으로 생성된 수트가 열원의 전방에서 수트층으로 퇴적됨과 동시에 열원 전방에 형성된 제2 온도 분포 영역에서 탈수가스에 의해 1차 탈수되고 제2 온도 분포 영역의 후방에 위치한 제3 온도 분포 영역의 통과에 의해 2차 탈수되도록 하는 단계; 및 2차 탈수된 수트층의 소결을 유발하는 온도 범위를 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 퇴적된 수트층을 소결하는 단계;를 1회 또는 그 이상을 반복 수행하여 나머지 코어층을 형성하는 제2 공정;을 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 공정은, 광섬유 코어 중심의 최대 광파워 대비 광파워 비율이 90％ 미만인 영역에 대해서 실행한다.
바람직하게, 상기 제2 공정은, 광섬유 코어 중심의 최대 광파워 대비 광파워 비율이 30％ 이상인 영역에 대해서 실행한다.
바람직하게, 상기 제1 공정에서, 제1 온도 분포 영역은 1700도 이상이고, 제2 온도 분포 영역은 700도 내지 1200도이다.
바람직하게, 상기 제2 공정의 퇴적/탈수공정에서, 제1 온도 분포 영역은 1200도 내지 1500도이고, 제2 및 제3 온도 분포 영역은 700도 내지 1200도이다.
바람직하게, 상기 제2 공정의 소결공정에서, 상기 석영 튜브 내의 온도는 1700도 이상이다.
한편, 상기 탈수가스는 염소(Cl2) 또는 불소(F2) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함한다.
또한, 상기 열원의 이동속도는 500mm/min 이하이다.
그리고, 상기 석영 튜브의 회전속도는 20rpm 내지 100rpm이다.
본 발명에 따르면, 상기 광섬유 모재를 응축하여 모재봉을 형성하는 단계; 및 상기 모재봉으로부터 광섬유를 인선하는 단계;를 더 진행할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 광섬유 모재의 제조방법은 크게 클래드층 형성단계와 코어층 형성단계로 이루어진다.
상기 클래드층 형성단계는 클래드층의 증착 및 소결이 동시에 일어나는 공정으로 이루어지고, 상기 코어층 형성단계는 광파워비에 따라서 광파워비가 낮은 코어층을 형성하는 공정과 광파워비가 높은 코어층을 형성하는 공정으로 이루어진다.
광파워비가 낮은 코어층을 형성하는 공정은 수트층의 증착/부분탈수/소결의 과정이 한 번의 열원 이송에 의해 이루어지고, 광파워비가 높은 코어층을 형성하는 공정은 수트증착 및 탈수가 동시에 일어나는 수트퇴적/탈수 공정과 코어층의 소결 공정을 상호 분리하여 2번의 열원 이송에 의해 이루어진다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 클래드층 형성 공정을 도시하는 도면이다.
도면을 참조하면, 수산기(OH)의 농도가 0.5ppm 미만의 석영 튜브(10)를 회전시키면서 튜브(10) 내부로 수트 형성가스(SiCl4, GeCl4)와 산소가스의 혼합가스를 불어 넣으면서 열원(20)을 이용하여 석영 튜브(10) 내의 온도를 1600도 이상으로 가열한다.
도 4의 화살표 방향으로 유입된 수트 형성가스는 석영 튜브(10)의 표면으로부터 전도된 열에 의해 산화 반응하여 수트(30a)를 생성하고, 이 수트(30a)는 튜브 내에서 상대적으로 저온 영역인 열원(20)의 전방으로 이동하여 열영동 현상에 의해 튜브(10)의 내벽에 퇴적되어 퇴적층(30b)을 형성한다.
상기 석영 튜브(10)의 내벽에 적어도 한 층 이상 퇴적된 클래드 수트 입자(30a)는 도면에 도시된 바와 같이, 곧이어 접근하는 열원(20)에 의해 소결 및 유리화되어 소결층(30c)이 된다.
이와 같은 수트퇴적/소결 공정을 수행하면 한 층의 클래드층(30)이 형성된다. 이러한, 상기 수트퇴적 및 소결 공정은 클래드층(30)이 원하는 두께가 될 때까지 지속적으로 반복한다.
이때, 상기 석영 튜브(10)의 회전속도는 20rpm 내지 100rpm인 것이 바람직하다. 만약, 상기 석영 튜브(10)의 회전속도가 20rpm 이하이면 수트가 균일한 두께로 퇴적되지 않고, 100rpm 이상이면 수트의 퇴적이 저하되는 현상이 발생한다.
또한, 상기 열원(20)은 500mm/min 이하의 이송속도로 석영 튜브(10)의 길이방향을 따라 움직이는 것이 바람직하다. 이는 열원(20)의 이송속도가 500mm/min 이상이 되면, 튜브 내벽에 증착되어 있는 입자들의 유리화가 불규칙하게 진행되어 증착된 면에 왜곡이 발생한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광파워비가 낮은 코어층을 형성하는 공정을 도시하는 도면이다.
도면을 참조하면, 클래드층(30)이 소정의 두께로 형성되어 있는 석영 튜브(10)의 내부에 수트 형성가스와 염소 등의 탈수 반응가스를 함께 불어 넣으면서 화살표 방향으로 이송되는 열원(20)을 이용하여 석영 튜브(10)를 가열한다.
상기 열원(20)은 500㎜/min 이하의 이송속도로 석영 튜브(10)의 길이방향을 따라 움직이는 것이 바람직하다. 만약, 열원(20)의 이송속도가 500㎜/min 이상이 되면, 튜브(10) 내부로 주입된 산소가스와 수트 형성가스가 충분하게 반응을 하지 못하므로 수트 입자가 충분하게 생성되지 않는다.
상기 석영 튜브(10)의 회전속도는 20rpm 내지 100rpm인 것이 바람직하다. 만약, 석영 튜브(10)의 회전속도가 20rpm 이하이면 균일한 두께로 수트 입자(40a)의 퇴적이 이루어지지 않고, 100rpm 이상이면 수트 입자(40a)의 퇴적이 저하되는 현상이 발생한다.
상기 수트 형성가스는 SiCl4(g) 및 GeCl4(g)를 포함하며, 코어층의 광파워비에 따른 굴절율을 감안하여 각 반응가스의 분압비는 적절하게 조절된다. 상기 탈수 반응가스는 염소(Cl2) 또는 불소(F2) 중 어느 하나를 포함한다.
상기 열원(20)은 석영 튜브(10) 내에 수트의 생성 및 소결을 유발하는 제1 온도 분포 영역(60)과, 열원(20)의 직 전방에 퇴적된 수트 내의 수산기(OH) 제거를 위한 탈수 반응을 유발하는 제2 온도 분포 영역(70)을 제공한다. 상기 제1 온도 분포 영역(60)은 수트의 생성 및 소결 조건을 제공하여야 한다는 점을 감안하여 전체적으로 1700도 이상인 온도 분포 영역을 가진다. 그리고, 상기 제2 온도 분포 영역(70)은 퇴적된 수트층의 탈수반응이 활발하게 이루어지는 온도 구간인 700도 내지 1200도인 것이 바람직하다.
도 6은 열원(20)이 제공하는 온도 분포 프로파일의 일 예를 도시하고 있다. 도면을 참조하면, 열원(20)의 좌측 단부를 기준으로 우측과 좌측에 각각 수트의 생성 및 소결을 유발하는 제1 온도 분포 영역(60)과 퇴적된 수트의 탈수반응을 유발 하는 제2 온도 분포 영역(70)이 실질적으로 연속적으로 존재한다. 그리고, 제1 온도 분포 영역(60)은 1200도 이상이되, 소정 구간에서 1700도 이상인 온도 분포를 가진다.
상기 열원은 산소/수소 버너, 플라즈마 토치 또는 전기 가열로 중 어느 하나로 구성할 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 온도 분포영역(60 및 70)을 제공하기 위해 산소/수소 버너와 플라즈마 토치의 경우 버너와 토치를 다중으로 배치할 수 있고, 전기 가열로의 경우 핫존을 제공하는 저항체를 가열로의 하우징에 복수개 배치할 수 있다.
그러면, 상술한 구성에 의해 광파워비가 낮은 코어층(40)을 형성하는 과정을 상세하게 설명한다.
도 5의 화살표 방향으로 수트 형성가스가 유입되면, 열원(20)이 제공하는 제1 온도 분포 영역(60)에서 수트 형성가스의 열산화 반응에 의해 미분상의 수트(40a)가 생성된다. 이렇게 생성된 수트(40a)는 열영동 현상에 의해 상대적으로 저온 영역인 열원(20)의 전방으로 이동하여 클래드층(30)에 퇴적되어 수트 퇴적층(40b)을 형성한다.
한편, 영원(20) 전방의 제2 온도 분포 영역(60)에 퇴적된 수트 퇴적층(40b)에 서는 수트 형성가스와 함께 투입된 탈수가스에 의해 탈수반응이 유발되어 수트 퇴적층(40b)으로부터 수산기(OH)가 제거된다. 그런데, 열원(20)이 좌측으로 이송되고 있으므로, 탈수반응이 유발되는 시간이 짧다. 따라서, 제2 온도 분포 영역(60)에서 이루어지는 수트 퇴적층(40b)의 탈수는 부분적으로 이루어진다. 탈수가스로 Cl₂가 사용된 경우, 상기 탈수 반응은 다음 반응식 2와 같다.
4Si-OH + 2Cl2 ↔ 2Si-O-Si + 4HCl + O2
2H2O + 2Cl2 ↔ 4HCl + O2
탈수반응에 의해 부분 탈수된 수트 퇴적층(40b)은 열원(20)의 이동에 따라 제1 온도 분포 영역으로 진입한다. 제1 온도 분포 영역은 1200도 이상이되, 수트 퇴적층(40b)의 소결 및 유리화를 유발하는 온도 구간(도 6 참조)을 포함하고 있다. 따라서, 제1 온도 분포 영역(60)에 진입된 수트 퇴적층(40b)의 상부에서는 수트 생성 반응이 유발됨과 동시에, 수트 퇴적층(40b) 자체에 대해서는 소결 및 유리화가 이루어지게 된다.
위와 같이 열원(20)이 우측에서 좌측으로 이송됨에 따라 수트의 생성 및 퇴적, 퇴적된 수트층의 부분 탈수 및 수트층의 소결에 의한 유리화가 연속적으로 이루어지면 석영 튜브(10) 내벽에 광파워비가 낮은 소정 두께의 코어층(40)이 형성된다. 이러한 코어층의 형성과정은 광파워비가 낮은 코어층(40)의 두께가 소망하는 두께가 될 때까지 반복적으로 이루어진다. 바람직하게, 낮은 광파워비의 코어층(40)을 형성하는 공정은 광섬유 코어 중심의 최대 광파워 대비 광파워 비율이 90％ 미만인 영역에 대해, 보다 바람직하게 70％ 미만인 영역에 대해 실행한다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광파워비가 높은 코어층의 형성 공정을 도시하는 도면이다.
도 7을 참조하면, 석영 튜브(10)의 내벽에 광파워비가 낮은 코어층(40)이 형성된 상태에서 일정한 속도로 회전하는 석영 튜브(10)의 내부로 수트 형성가스와 염소 등의 탈수 반응가스를 함께 불어 넣으면서 화살표 방향으로 이송되는 열원(20)을 이용하여 석영 튜브(10)를 가열한다.
상기 수트 형성가스와 탈수 반응가스의 종류는 광파워비가 낮은 코어층(도 5의 40 참조)을 형성할 때와 실질적으로 동일하다. 다만, 수트 형성가스인 SiCl4(g)와 GeCl4(g)의 분압비는 형성하고자 하는 코어층의 광파워비에 상응하는 굴절율에 따라 적절하게 조절된다.
아울러, 상기 석영 튜브(10)의 회전속도와 열원(20)의 이송속도는 광파워비가 낮은 코어층(도 5의 40 참조)을 형성할 때와 실질적으로 동일하다.
상기 열원(20)은 수트 형성가스의 열산화 반응에 의해 수트 생성을 유발하는 제1 온도 분포 영역(60), 열원(20)의 직 전방에서 퇴적된 수트층의 탈수반응을 유발하는 제2 온도 분포 영역(70) 및 제1 온도 분포 영역(60)의 후방에 위치하여 퇴적된 수트층의 탈수반응을 다시 한번 유발하는 제3 온도 분포 영역(70')을 제공한다.
바람직하게, 상기 제1 온도 분포 영역(60)은 수트 생성을 위한 열산화 반응이 활발하게 이루어지는 온도 구간인 1200도 내지 1500도이고, 제2 및 제3 온도 분포 영역(70, 70')은 퇴적된 수트층의 탈수반응이 활발하게 이루어지는 온도 구간인 700도 내지 1200도이다.
상기 열원은 산소/수소 버너, 플라즈마 토치 또는 전기 가열로 중 어느 하나로 구성할 수 있다. 그리고, 제1 온도 분포영역(60)과 제2 및 제3 온도 분포영역(70 및 70')을 제공하기 위해 산소/수소 버너와 플라즈마 토치의 경우 버너와 토치를 다중으로 배치할 수 있고, 전기 가열로의 경우 핫존을 제공하는 저항체를 가열로의 하우징에 복수개 배치할 수 있다.
그러면, 상술한 바를 기초로 하여 광파워비가 높은 코어층(50)의 형성을 위한 공정을 구체적으로 설명하기로 한다.
석영 튜브(10) 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 함께 투입하면, 열원(20)이 제공하는 제1 온도 분포 영역(60)에서 수트 형성가스의 열산화 반응이 유발되어 수트(50a)가 생성된다. 이렇게 생성된 수트(50a)는 열영동 현상에 의해 상대적으로 저온 영역인 열원(20)의 전방으로 이동하여 광파워비가 낮은 코어층(40) 위에 퇴적되어 수트 퇴적층(50b)을 형성한다.
한편, 열영동 현상에 의해 퇴적된 수트층(50b) 중 제2 온도 분포 영역(70)에 위치하는 수트층에서는 수트 형성가스와 함께 투입된 탈수가스에 의해 탈수반응이 유발된다. 따라서, 수트층으로부터 수분과 수산기(OH)가 1차로 제거된다.
나아가, 열원(20)이 우측에서 좌측으로 이송됨에 따라 제2 온도 분포 영역(70)에서 수분과 수산기(OH)가 1차 제거된 수트층은 제1 온도 분포 영역(60)을 통과하여 제3 온도 분포 영역(70')으로 진입한다.
상기 제3 온도 분포 영역(70')은 탈수가스에 의한 탈수반응이 활발하게 유발될 수 있는 온도 범위를 가지고 있으므로, 제3 온도 분포 영역(70')에 진입한 수트 층에서는 탈수반응이 다시 유발되어 수트층으로부터 수분과 수산기(OH)가 2차로 제거된다.
위와 같이, 열영동 현상에 의해 열원(20)의 전방에 퇴적된 수트층은 열원(20)의 이송에 따라 제2 온도 분포 영역(70)과 제3 온도 분포 영역(70')을 통과하면서 2번에 걸쳐 탈수가 이루어진다. 따라서, 광섬유에 있어 광도파가 주로 이루어지는 광파워비가 높은 코어층에 수산기의 농도를 현저히 저감시킴으로써 수산기에 의해 야기되는 종래의 흡수손실 문제를 해결할 수 있게 되는 것이다.
상기한 바에 따라 수트층의 증착 및 탈수가 진행되고 나면, 열원(20)의 위치를 복귀시킨 후 수트층의 소결에 의한 유리화 과정을 진행한다.
도 8을 참조하면, 열원(20)을 공정 시작 지점으로 복귀시킨 후, 열원(20)으로 석영 튜브(10)를 가열하여 그 내부의 온도가 1600도, 보다 바람직하게는 1700도 이상이 되도록 하면서 일정한 속도로 좌측으로 이송시킨다.
이때, 석영 튜브(10) 내부를 산화 분위기로 만들어 주기 위해, 산소가스를 캐리어 가스와 함께 불어넣는다. 아울러, 수트층(50b)에 잔존하는 수분과 수산기(OH)를 완전히 제거하기 위해 탈수가스를 더 불어넣는다.
수트층(50b)의 소결 및 유리화 공정의 진행시 열원(20)의 이송속도는 500㎜/min 이하로 하는 것이 바람직하다. 만약, 열원(20)의 이송속도가 500㎜/min을 초과하면, 수트층의 소결 및 유리화가 균일하게 이루어지지 않아 코어층의 표면이 왜곡되는 문제가 발생한다.
상기한 조건에 의해 공정을 진행하면, 열원(20)이 이송됨에 따라 열원(20)이 통과하는 영역의 수트층(50b)은 소결이 되어 유리화되며, 동시에 수트층에 잔존하는 극미량의 수분과 수산기(OH)도 함께 제거된다.
위와 같은 수트층의 소결 및 유리화 공정이 완료되면, 광파워비가 높은 코어층이 소정 두께로 형성된다. 그리고, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 공정은 광파워비가 높은 코어층의 두께가 원하는 두께가 될 때까지 반복적으로 진행한다. 여기서, 광파워비가 높은 코어층을 형성하는 공정은 광섬유 코어 중심의 최대 광파워 대비 광파워 비율이 바람직하게는 30％ 이상인 영역에 대해 실행한다.
그러면, 도 9에 도시된 바와 같이, 석영 튜브(10) 내에 클래드층(30), 광파워비가 낮은 코어층(40) 및 광파워비가 높은 코어층(50)이 순차적으로 적층되고 내부에 중공이 있는 1차 광섬유 모재의 제조가 완료된다. 이어서, 공지된 응축(collapsing) 공정에 의해 붕괴시키면 내부의 중공이 매립됨으로써 광섬유의 인선을 위한 모재봉의 제조가 완료된다.
본 발명에 있어서, 열원(20)은 산소/수소 버너, 플라즈마 토치, 가열로, 전기저항로 등의 다양한 가열 수단이 채용될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 광섬유 모재의 제조 과정에서 석영 튜브(10) 내부에 포함된 수산기(OH)가 열확산에 의해 코어층까지 침투할 수 있으므로, 이를 방지하기 위해 클래드층 및 코어층 증착시 클래드층을 두껍게 증착한다. 바람직하게, 응축 공정 후 클래드층 대 코어층의 외경비가 1.5 이상이 되도록 한다. 예를 들어, 코어층의 두께가 6.0mm이면, 클래드층의 두께는 9.0mm 이상으로 한다.
도 10은 광섬유 코어에서 발생하는 1100nm 에서 1700nm 영역의 광손실을 나타낸 것으로서, 점선은 수산기(OH)의 제거를 위한 공정이 추가되지 않은 종래의 방법으로 제조한 광섬유 모재로부터 인선한 광섬유의 흡수 손실을 나타낸 것이고, 실선은 본 발명에 따른 방법으로 제조한 광섬유 모재로부터 인선한 광섬유의 흡수 손실을 나타낸다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 방법에 의해 제조된 광섬유 모재로부터 인선된 광섬유의 경우, 1385nm 파장대에서 수산기(OH)에 의한 흡수 손실이 0.33dB/Km 이하로 현저하게 감소되었고, 1310nm와 1500nm 대역의 산란에 의한 손실도 각각 0.34dB/Km, 0.20dB/Km이하로 낮아 기존의 단일모드 광섬유와 대비하여 흡수 손실 특성이 향상되었음을 알 수 있다. 이러한 실험 결과는, MCVD 공정을 적용하여 광섬유 모재를 제조할 때 본 발명을 적용하게 되면 수산기의 농도를 효과적으로 제어할 수 있다는 것을 뒷받침해 준다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 발명에 따르면, MCVD 공정을 이용하여 광섬유 모재의 코어층을 형성할 때 광파워비의 크기에 따라 공정을 분리하되, 수산기(OH)에 의한 흡수 손실 문제가 작은 코어층은 수트층의 증착, 탈수 및 소결을 동시에 진행하여 탈수공정의 삽입에 따른 생산성 저하를 방지하고, 수산기(OH)에 의한 흡수 손실 문제가 큰 코어층은 수트층의 증착 및 탈수와 수트층의 소결을 분리하여 수산기(OH)의 농도를 1ppb 이하까지 제어하면서도 수트층의 증착과 탈수를 한 공정으로 진행함으로써 탈수공정의 삽입에 따른 생산성 저하를 완화시킬 수 있다.
본 발명에 따른 광섬유 모재로부터 제조된 광섬유는 수산기(OH) 흡수 손실이 문제되는 1340nm 내지 1460nm 파장대의 손실이 광전송 시스템에서 일반적으로 사용하는 1310nm 파장대보다 낮은 0.33dB/Km 이하의 광손실을 가지며, 따라서 1100nm 내지 1700nm 파장 대역 모두에서 광통신을 수행할 수 있다.

Claims (11)

  1. 수정화학기상증착공정을 이용하여 석영 튜브의 내벽에 상대적으로 굴절률이 낮은 클래드층을 레이어 단위로 반복적으로 형성하는 공정과, 상기 클래드층 위에 상대적으로 굴절률이 높은 코어층을 레이어 단위로 반복적으로 형성하는 공정을 포함하는 광섬유 모재 제조방법에 있어서,
    상기 코어층을 형성하는 공정은,
    (a) 상기 석영튜브를 회전시키면서 그 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 주입하는 한편, 수트의 생성 및 소결을 유발하는 제1 온도 분포 영역과 상기 제1 온도 분포 영역의 전방에서 퇴적된 수트층의 탈수반응을 유발하는 제2 온도 분포 영역을 연속적으로 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 상기 제1 온도 분포 영역에서 열산화 반응으로 생성된 수트가 열원의 전방에서 수트층으로 퇴적됨과 동시에 제2 온도 분포 영역에서 탈수가스에 의해 탈수되고 열원의 이동에 따라 제1 온도 분포 영역의 통과에 의해 소결되도록 하는 단계;를 1회 또는 그 이상을 반복 수행하여 일부 코어층을 형성하는 제1 공정; 및
    (b) 상기 석영튜브를 회전시키면서 그 내부로 수트 형성가스와 탈수가스를 주입하는 한편, 수트의 생성을 유발하는 제1 온도 분포 영역, 상기 제1 온도 분포 영역의 전방에 위치하고 퇴적된 수트층의 탈수반응을 1차 유발하는 제2 온도 분포 영역, 및 제2 온도 분포 영역에서 탈수된 수트층의 탈수반응을 2차 유발하는 제3 온도 분포 영역을 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 상기 제1 온도 분 포 영역에서 열산화 반응으로 생성된 수트가 열원의 전방에서 수트층으로 퇴적됨과 동시에 열원 전방에 형성된 제2 온도 분포 영역에서 탈수가스에 의해 1차 탈수되고 제2 온도 분포 영역의 후방에 위치한 제3 온도 분포 영역의 통과에 의해 2차 탈수되도록 하는 단계; 및
    2차 탈수된 수트층의 소결을 유발하는 온도 범위를 제공하는 열원을 공정진행 방향으로 이송시켜 퇴적된 수트층을 소결하는 단계;를 1회 또는 그 이상을 반복 수행하여 나머지 코어층을 형성하는 제2 공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제1 공정은,
    광섬유 코어 중심의 최대 광파워 대비 광파워 비율이 90％ 미만인 영역에 대해서 실행하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제2 공정은,
    광섬유 코어 중심의 최대 광파워 대비 광파워 비율이 30％ 이상인 영역에 대해서 실행하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 열원은 산소/수소 버너, 플라즈마 토치 또는 전기 가열로 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제1 공정에서,
    제1 온도 분포 영역은 1700도 이상이고,
    제2 온도 분포 영역은 700도 내지 1200도인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 제2 공정의 퇴적/탈수공정에서,
    제1 온도 분포 영역은 1200도 내지 1500도이고,
    제2 및 제3 온도 분포 영역은 700도 내지 1200도인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 제2 공정의 소결공정에서,
    상기 석영 튜브 내의 온도는 1700도 이상인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 탈수가스는 염소(Cl2) 또는 불소(F2) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 열원의 이동속도는 500mm/min 이하인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 석영 튜브의 회전속도는 20rpm 내지 100rpm인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법.
  11. 제 1항에 의해 제조된 광섬유 모재를 응축하여 모재봉을 형성하는 단계;
    및 상기 모재봉으로부터 광섬유를 인선하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007073031A1 (en) 2005-12-19 2007-06-28 Ls Cable Ltd. Method for fabricating optical fiber preform with low oh concentration using mcvd process
JP6402466B2 (ja) * 2014-03-31 2018-10-10 住友電気工業株式会社 マルチコア光ファイバの製造方法
CN105859112B (zh) * 2016-03-30 2018-10-23 江苏圣达石英制品有限公司 一种光敏石英管的处理工艺

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2612941B2 (ja) * 1989-09-22 1997-05-21 信越化学工業株式会社 光ファイバ多孔質母材の製造方法
JP3517848B2 (ja) * 1994-08-26 2004-04-12 住友電気工業株式会社 光ファイバ母材の製造方法
KR20020073748A (ko) * 2001-03-16 2002-09-28 (주)옵토네스트 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 제조방법 및이를 이용하여 제조된 비선형광섬유
KR100450928B1 (ko) * 2001-07-23 2004-10-02 삼성전자주식회사 수정된 화학기상 증착법을 이용한 광섬유 모재의 제조장치 및 방법
JP2004002106A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 低損失光ファイバ母材とその製造方法
BR0305622A (pt) * 2002-06-29 2004-10-19 Lg Cable Ltd Método para fabricar pré-formados de fibra óptica sem grupo hidroxila no núcleo
KR100521958B1 (ko) * 2002-09-18 2005-10-14 엘에스전선 주식회사 수정화학기상증착법에 있어서 이중토치를 이용한 광섬유모재의 제조 방법 및 장치
US20040139765A1 (en) * 2003-01-16 2004-07-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of producing optical fiber preform, and optical fiber preform and optical fiber produced with the method
WO2005054144A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-16 Lg Cable Ltd. Fabrication method of optical fiber preform and optical fiber containing few hydroxyl groups
WO2007073031A1 (en) 2005-12-19 2007-06-28 Ls Cable Ltd. Method for fabricating optical fiber preform with low oh concentration using mcvd process

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