KR20070058241A - 광 제어 구조 및 이를 구비한 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 구조가 간단하고 응답속도가 빠른 새로운 구조의 광 제어 구조 및 이를 구비한 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1전극과, 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발열부와, 상기 발열부에 접촉하여 배치되며 온도에 따라 광 투과도가 변화하는 상변화물질을 포함하는 광 제어 구조 및 이를 구비한 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 개략적인 부분 절개 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 작용을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 개략적인 부분 절개 사시도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 개략적인 부분 절개 사시도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 작용을 도시한 개략적인 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200, 300: 디스플레이 장치 110, 210, 310: 광 제어 구조
111, 211, 311: 제1전극 112, 212, 312: 제2전극
113, 213, 313: 발열부 114, 214, 314: 상변화물질
120, 220, 320: 램프 230: 기판
231: 제1기판 232: 제2기판
330: 필터
본 발명은 광 제어 구조 및 이를 구비한 디스플레이 장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 구조가 간단하고 응답속도가 빠른 새로운 구조의 광 제어 구조 및 이를 구비한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
평판 디스플레이 장치의 일종인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD)는 박막 트랜지스터가 배열된 어레이 기판과 컬러 필터가 형성된 기판 사이에 액정을 주입하여 봉착된 구조를 가지고 있으며, 백라이트 유닛에 의해 입사하는 백색광이 액정을 경유하여 청색, 적색, 녹색의 컬러 필터를 통과함으로써, 화상을 형성하는 장치이다.
그런데, 그러한 액정 표시 장치는 백라이트 유닛에 의해 입사된 광을 제어하는 방법으로써, 전계를 조절하여 액정의 운동을 이용하고 있으므로, 그 구조가 복잡하고, 응답속도가 느리다는 단점이 있었다. 즉, TFT-LCD의 경우 화소마다 스위칭소자인 박막 트랜지스터, 액정, 게이트 전극, 영상신호 전극, 커패시터 등이 필요 하므로 그 구조가 복잡하여, 화소의 소형화를 구현하는데 한계를 겪어왔으며, 또한, 광을 제어함에 있어 액정의 물리적인 배열 운동을 이용함으로써, 구동 시에 응답속도가 지연된다는 단점이 있었다.
이에, 간단하고 효율적인 구조를 가지고, 응답속도가 빠르며, 높은 해상도를 구현할 수 있는 새로운 구조의 광 제어 구조 및 그 광 제어 구조를 구비한 디스플레이 장치를 개발할 필요성이 대두된다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 주된 목적은, 간단하고 효율적인 구조를 가지며 빠른 응답속도를 구현할 수 있는 새로운 구조의 광 제어 구조 및 이를 구비한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
위와 같은 목적을 포함하여 그 밖에 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 제1전극과, 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발열부와, 상기 발열부에 접촉하여 배치되며 온도에 따라 광 투과도가 변화하는 상변화물질을 포함하는 광 제어 구조를 제공한다.
여기서, 상기 제1전극은 광이 투과되는 소재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 제2전극은 광이 투과되는 소재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 광이 투과되는 소재는 ITO일 수 있다.
여기서, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에는 상기 발열부 및 상기 상변화물질이 위치할 수 있다.
여기서, 상기 발열부는 전기 저항 소자를 포함하여, 상기 제1전극과 상기 제2전극에 의해 흐르는 전류에 의해 가열될 수 있다.
여기서, 상기 상변화물질은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질일 수 있다.
여기서, 상기 상변화물질은 상기 발열부의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다.
또한, 상기와 같은 본 발명의 목적은, 제1전극과, 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발열부와, 상기 발열부에 접촉하며 온도에 따라 광 투과도가 변화하는 상변화물질과, 상기 상변화물질에 광을 입사시키는 램프를 포함하는 디스플레이 장치를 제공함으로써 달성된다.
여기서, 상기 제1전극은 광이 투과되는 소재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 제2전극은 광이 투과되는 소재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 광이 투과되는 소재는 ITO일 수 있다.
여기서, 본 발명의 디스플레이 장치는 상기 제1전극이 배치되는 제1기판을 더 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 디스플레이 장치는 상기 제2전극이 배치되는 제2기판을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에는 상기 발열부 및 상기 상변화물질이 위치할 수 있다.
여기서, 상기 발열부는 전기 저항 소자를 포함하여, 상기 제1전극과 상기 제2전극에 의해 흐르는 전류에 의해 가열될 수 있다.
여기서, 상기 상변화물질은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질일 수 있다.
여기서, 상기 상변화물질은 상기 발열부의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다.
여기서, 본 발명의 디스플레이 장치는 상기 상변화물질에서 투과되어 나오는 광을 조절하기 위한 필터를 더 구비할 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 개략적인 부분 절개 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 광 제어 구조(110) 및 램프(120)를 포함한다.
우선, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광 제어 구조(110)에 대해 살펴보기로 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광 제어 구조(110)는 하나의 화소에 대한 구조로써, 제1전극(111), 제2전극(112), 발열부(113), 상변화물질(114)을 포함한다.
제1전극(111) 및 제2전극(112)은 광이 투과되는 소재인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어져 있는데, 제1전극(111) 및 제2전극(112)의 면적은 충분이 넓게 형성되어, 제1전극(111)과 제2전극(112) 사이에 발열부(113) 및 상변화물질(114)이 배치된다.
본 제1 실시예의 제1전극(111) 및 제2전극(112)은 그 면적이 넓게 형성되고 ITO로 이루어지지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 제1전극 및 제2전극은 광이 투과될 수 있도록 메쉬(mesh) 형태로 형성할 수 있으며, 그 경우, 그 소재는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 불투명의 소재로 이루어질 수도 있다. 다만, 본 발명의 제1전극 및 제2전극은 가시광의 투과율을 높이기 위해 가급적 투명한 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 제1 실시예의 경우에는 제1전극(111) 및 제2전극(112)의 전기 전도성을 향상하기 위한 보조적인 전극을 구비하고 있지 않지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따르면, 제1전극 및 제2전극의 전기 전도성을 높이기 위하여, 전기 전도성이 높은 소재로 이루어진 추가적인 보조전극을 설치할 수도 있다. 그 경우, 보조전극은 광 투과도를 저하하지 않도록 충분히 얇은 폭으로 형성되는 것이 바람직하다.
도 1 및 도 2에 도시된 본 제1 실시예의 디스플레이 장치(100)는 하나의 화소에 대한 구조이므로, 발광을 제어할 화소를 지정하는 어드레싱 구조는 도시되어 있지 않다. 그러나, 본 발명의 디스플레이 장치가 복수의 화소를 가지는 경우 각 화소를 가로지르는 제1전극과 제2전극을 교차하여 배치하면, 필요한 어드레싱 작용도 수행할 수 있다. 또한, 그 경우의 디스플레이 장치는 오작동을 방지하기 위해 각 화소마다 상변화물질을 구분하는 격벽을 구비하는 것이 바람직하다.
한편, 발열부(113)는 제1전극(111) 및 제2전극(112)과 전기적으로 연결되어 있으며, 전기적으로 저항인 소자를 포함하여 이루어진다.
발열부(113)는 원형의 기둥의 형상을 가지고 있어, 발열을 수행하는 기능뿐만 아니라, 상변화물질(114)의 배치를 위하여 제1전극(111) 및 제2전극(112) 사이의 간격을 유지하는 스페이서(spacer)의 기능을 수행한다.
발열부(113)는 램프(120)로부터 나오는 광을 가급적 적게 차단하는 것이 바람직하므로, 그 단면의 직경을 가급적 작게 하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서는 발열부(113)의 형상은 원형 기둥의 형상이지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 발열부의 형상은 특별한 제한은 없으며, 예를 들면, 사각 기둥, 단면이 타원형을 가지는 기둥 등의 형상으로 형성될 수도 있다. 또한, 본 발명의 발열부는 주위에 배치된 상변화물질로 빠르게 열을 전달하기 위하여, 그 둘레를 따라 방열핀 기능을 수행하는 돌기 등을 추가로 구비할 수도 있다.
본 실시예에서는 발열부(113)가 1개로 형성되어, 발열부는 화소 당 1개씩으로 형성되었지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 발열부는 화소당 복수개로 형성될 수 있다.
상변화물질(114)은 발열부(113)에 접촉하여 형성되되, 발열부(113)를 둘러싸도록 형성된다.
본 제1 실시예의 상변화물질(114)은 온도에 따라 광투과도가 변화하는 물질인 Ge-Sb-Te(게르마늄-안티몬-텔루르)를 포함하는 물질로 이루어진다. 그 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질은 응답속도가 나노초(nano sec) 대로서, 매우 빠른 응답속도를 가지고 있으며, 저온인 경우에는 비정질 상태(amorphous state)로 되고, 고온인 경 우에는 다결정성 상태(polycrystalline state)로 되는 성질을 가지고 있다. 여기서, Ge-Sb-Te를 포함하는 물질은 화합물 또는 합금의 구조를 가지는데, 화합물의 예로서 삼원 화합물인 Ge2Sb2Te5, 사원 화합물인 (Ge,Sn)SbTe, GeSb(SeTe) 등이 적용될 수 있다.
즉, Ge-Sb-Te를 포함하는 물질은 일반적으로 소정의 온도를 기점으로 하여 그 이상이 되면, 다결정성 상태로 되고, 그 이하이면 비정질 상태로 된다. 여기서, 비정질 상태는 광을 투과시키지 않는 불투명 상태이고, 다결정성 상태는 광을 투과시키는 투명한 상태이므로, Ge-Sb-Te를 포함하는 물질을 사용하면 그 온도에 따라 광의 투과를 제어할 수 있게 된다. 일반적으로, Ge-Sb-Te를 포함하는 물질은 500∼600℃의 온도를 기점으로 하여 상변화가 이루어지나, 그 구체적인 조성에 따라 상변화가 이루어지는 기준 온도는 달라질 수도 있다.
본 실시예의 상변화물질(114)은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질을 이용하였지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 상변화물질은 온도에 의해 광투과도가 변하는 물질이면 제한없이 사용될 수 있다.
또한, 본 실시예의 상변화물질(114)은 발열부(113)를 둘러싸도록 배치되는데, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 상변화물질은 발열부와 접촉하여 열을 전달받을 수 있으면, 그 접촉형태에 특별한 제한이 없다.
한편, 램프(120)는 제2전극(112)의 하면에 밀착되어 형성되어 있는데, 본 제1 실시예에서는 플라즈마 방전을 이용한 평판 램프를 사용한다. 이러한 플라즈마 방전을 이용한 평판 램프는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구조와 거의 동일 한 구조를 가진다.
즉, 본 제1 실시예의 램프(120)는 화소마다 색상에 따른 빛발광 형광체가 도포되고, 방전을 일으키는 유지전극쌍이 위치하며, 크세논(Xe)등을 포함한 방전가스가 봉입된다. 상기 빛발광 형광체는 자외선을 받아 가시광을 발생하는 성분을 가지는데, 적색의 가시광을 발광하는 적색 형광체층은 Y(V,P)O4:Eu 등과 같은 형광체를 포함하고, 녹색의 가시광을 발광하는 녹색 형광체층은 Zn2SiO4:Mn 등과 같은 형광체를 포함하며, 청색의 가시광을 발광하는 청색 형광체층은 BAM:Eu 등과 같은 형광체를 포함한다. 본 제1 실시예의 램프(120)는 구동회로에서 유지전극쌍에 방전유지전압을 인가하면, 플라즈마 방전이 일어나는데, 그렇게 되면, 여기된 방전가스의 에너지 준위가 낮아져 자외선을 발생시켜 형광체를 여기시키고, 여기된 형광체의 에너지 준위가 낮아지면서 가시광이 발생되게 된다.
본 제1 실시예의 램프(120)는 플라즈마 방전을 이용한 평판 램프를 사용하지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 램프는 가시광을 방출할 수 있는 장치면 그 종류에 상관없이 사용될 수 있다. 즉, 본 발명의 램프는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescence Lamp: CCFL), 발광다이오드(LED) 등 액정 표시 장치에 사용되는 백라이트 유닛 등도 사용될 수 있다.
본 제1 실시예의 램프(120)는 제2전극(112)의 하면에 밀착되어 형성되어 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 램프는 제1전극의 상부에 형성될 수도 있다. 그렇게 되면, 본 제1 실시예의 경우와는 반대로, 최종적으로 방 출되는 빛은 광 제어 구조(110)를 통과한 뒤 제2전극의 외부로 방출되게 된다. 또한, 본 발명의 램프는 제2전극과 이격되어 형성될 수도 있으며, 그 경우 제2전극과 램프 사이에 필터 등이 배치될 수도 있다.
본 제1 실시예의 디스플레이 장치(100)의 램프는 플라즈마 디스플레이 패널처럼 방전셀마다 색상에 따른 형광체가 도포되어 각각의 색상에 따른 빛을 방출하므로, 색상 구현을 위한 필터를 구비하고 있지 않지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 램프가 백색광만을 방출하는 램프라고 하면, 광 제어 구조의 외부에 적색, 녹색, 청색 색상을 구현하는 필터가 따로 설치될 수도 있다. 또한, 본 발명의 디스플레이 장치는 전자파 차폐, 근적외선 차폐, 색상 보정등의 기능을 수행하는 필터를 추가적으로 구비할 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)의 작용을 살펴본다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)의 작용을 도시한 개략적인 단면도이다.
우선, 디스플레이 장치(100)의 광 제어 구조(110)가 광을 투과시키는 경우를 설명한다.
먼저, 발열부(113)에 전류가 흐르도록, 외부의 전원으로부터 제1전극(111)과 제2전극(112)에 각각 전압을 인가한다.
전압이 인가되면, 발열부(113)에 전류가 흐르고, 저항 소자를 포함하여 이루어진 발열부(113)는 열을 방출하게 된다.
발열부(113)가 열을 방출하기 시작하면, 상변화물질(114)의 온도가 상승하여 상변화를 일으키게 되는데, 도 3에 도시된 바와 같이, 우선 발열부(113)에 접한 상변화물질(114)의 부분부터 상변화가 일어나기 시작하여, 도 4에 도시된 바와 같이 한 화소에 배치된 상변화물질(114) 전체로 상변화가 확산된다. 즉, 상변화물질(114)은 광을 투과하지 못하는 저온의 비정질 상태(S1)에서, 광을 투과할 수 있는 고온의 다결정성 상태(S2)로 변화하게 된다.
한편, 램프(120)는 디스플레이 장치(100)의 작동 중에 지속적으로 광을 방출하도록 되어 있는데, 램프(120)에서 방출하는 광은 다결정성 상태(S2)의 상변화물질(114)을 투과하여 제1전극(111)의 상부로 방출되게 된다.
다음으로, 디스플레이 장치(100)의 광 제어 구조(110)가 광을 투과시키지 않는 경우를 설명하면 다음과 같다.
광 제어 구조(110)가 광을 투과시키지 않기 위해서는, 상변화물질(114)을 비정질 상태로 한다. 즉, 방열부(113)가 열을 방출하지 않도록, 제1전극(111) 및 제2전극(112)의 전압을 적절히 조절하여 방열부(113)에 전류가 흐르지 않도록 한다. 그렇게 되면, 상변화물질(114)의 온도가 낮아지게 되므로, 상변화물질(114)은 저온의 비정질 상태(S1)로 되고, 그러한 상태의 상변화물질(114)은 램프(120)에서 나온 광의 투과를 막게 된다.
이와 같은 방식으로, 본 제1 실시예의 디스플레이 장치(100)의 광 제어 구조(110)는 광의 투과를 제어할 수 있게 되는데, 본 제1 실시예의 상변화물질(114)은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질을 사용하므로 그 응답속도가 빨라, 섬세한 계조 표현이 가능하게 된다.
즉, 본 제1 실시예의 상변화물질(114)인 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질은 그 상변화속도를 나노초(nano sec) 단위로 제어할 수 있게 되므로, 광 투과의 제어 속도도 빠르게 구현할 수 있게 된다. 따라서, 매우 짧은 시간 내에 광 투과의 on/off를 반복적으로 수행할 수 있으므로, 계조 표현 방식으로 플라즈마 디스플레이 패널의 계조 표현 방식을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널보다 더욱 더 짧은 타임필드(time-field)와 서브필드(sub-field)를 가질 수 있어, 더욱 더 섬세한 계조 표현이 가능하게 된다.
본 제1 실시예의 디스플레이 장치(100)의 계조 표현은 소정의 시간 내에 이루어지는 광 투과의 on/off 동작의 횟수에 의해 이루어질 수 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명은 온도에 따라 광투과도의 세부 투과도을 조절할 수 있는 상변화물질을 사용한다면, 가해주는 열을 조절함으로써, 계조 표현을 수행할 수도 있다. 즉, 예를 들어, 400℃에서 광투과도가 40%이고, 600℃에서 광투과도가 100%인 성질을 가지되, 온도와 광투과도의 관계가 비교적 선형인 성질을 가지는 상변화물질을 이용한다면, 상변화물질에 가해주는 열을 조절하여 온도를 제어함으로써, 디스플레이 장치의 계조표현을 가능하게 할 수 있다.
이상과 같이, 본 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 그 구조가 간단하여 비용이 절감될 뿐만 아니라, 미세 방전셀을 구현하기가 용이하므로, 고해상도의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치는 응답속도가 매우 빠른 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질의 상변화물질을 이용함으로써, 섬세한 계조표현이 가능하다는 장점이 있다.
이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 관하여 설명하되, 상기 제1 실시예와 상이한 사항을 중심으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 개략적인 부분 절개 사시도이고, 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치(200)는 광 제어 구조(210), 램프(220) 및 기판(230)을 포함한다.
본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 따른 광 제어 구조(210)는 하나의 화소에 대한 구조로써, 전술한 제1 실시예의 광 제어 구조와 마찬가지로 제1전극(211), 제2전극(212), 발열부(213), 상변화물질(214)을 포함한다.
제1전극(211)과 제2전극(212)은 그 소재로 ITO을 포함하여 이루어져 있다.
제1전극(211)과 제2전극(212)은 서로 교차하도록 연장되어 있으므로, 복수개의 화소로 구성되는 경우 어드레싱 작용을 수행하도록 되어 있다. 또한, 제1전극(211)과 제2전극(212)은, 전술한 제1 실시예의 제1전극(111) 및 제2전극(112)과 상이하게 그 폭이 발열부(213)의 단면의 직경 정도로 형성되어, 제1 실시예의 경우보다 전체적으로 ITO의 사용을 줄일 수 있다.
발열부(213)는 제1전극(211) 및 제2전극(212)과 전기적으로 연결되어 있으며, 전기적으로 저항인 소자를 포함하여 이루어진다.
상변화물질(214)은 전술한 제1 실시예의 상변화물질(114)과 동일한 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질이 사용되며, 발열부(213)를 둘러싸며 배치된다.
램프(220)도 전술한 제1 실시예의 램프(120)와 동일한 램프를 사용한다.
기판(230)은 제1기판(231)과 제2기판(232)을 포함하는데, 제1전극(211)은 제1기판(231)의 안쪽 면에 배치되고, 제2전극(212)은 제2기판(232)의 안쪽 면에 배치되며, 제1기판(231)과 제2기판(232)의 사이에는 상변화물질(214)이 배치된다.
기판(230)은 얇은 유리로 이루어질 수도 있고, 합성수지제의 필름으로 이루어질 수도 있는데, 상변화물질(214)의 최대 온도를 견딜 수 있을 정도의 내열 소재로 이루어져야 한다.
이와 같이 이루어진, 본 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치(200)는 그 구조가 간단하여 비용이 절감될 뿐만 아니라, 미세 방전셀을 구현하기가 용이하므로, 고해상도의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치(200)는 제1전극 (211)및 제2전극(212)의 폭을 줄여 배치함으로써, 소재를 절감할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치(200)는 제1기판(231)에 제1전극(211)을 배치하고, 제2기판(232)에 제2전극(212)을 배치함에 있어, 종래의 인쇄법 등의 전극 형성 공정을 이용할 수 있어, 공정의 용이함을 도모할 수 있다.
이상과 같이 살펴본 구성, 작용 및 효과 이외의 본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 따른 디스플레이 장치의 구성, 작용 및 효과는 상기 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구성, 작용 및 효과와 동일하므로, 본 설명에서는 생략하기로 한다.
이하, 도 7 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 관하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 개략적인 부분 절개 사시도이고, 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ선을 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)는 광 제어 구조(310), 램프(320) 및 필터(330)를 포함한다.
우선, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광 제어 구조(310)에 대해 살펴보기로 한다.
도 7 및 도 8에 도시된, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광 제어 구조(310)는 하나의 화소에 대한 구조로써, 제1전극(311), 제2전극(312), 발열부(313), 상변화물질(314)을 포함한다.
제1전극(311) 및 제2전극(312)은 광이 투과되는 소재인 ITO로 이루어져 있는데, 제1전극(311) 및 제2전극(312)의 측면 사이에는 발열부(313)가 설치되어 있고, 제1전극(311) 및 제2전극(312)과 램프(320) 사이에는 상변화물질(314)이 배치된다.
즉, 본 제2 실시예의 제1전극(311) 및 제2전극(312)은 동일한 평면에 배치되 는데, 그러한 본 제2 실시예의 구조는, 사이에 상변화물질(114)이 위치하도록 배치된 전술한 제1 실시예의 제1전극(111) 및 제2전극(112)과 상이한 구조를 가지고 있다.
또한, 본 제2 실시예의 제1전극(311) 및 제2전극(312)은 그 면적이 넓게 형성되고 ITO로 이루어지지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 제1전극 및 제2전극은 광이 통과할 수 있도록 메쉬 형태로 형성할 수 있으며, 그 경우, 그 소재는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 불투명의 소재로 이루어질 수도 있다. 다만, 본 발명의 제1전극 및 제2전극은 가시광의 투과율을 높이기 위해 가급적 투명한 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.
발열부(313)는 제1전극(311) 및 제2전극(312)과 전기적으로 연결되어 있으며, 전기적으로 저항인 소자를 포함하여 이루어진다.
발열부(313)는 사각 기둥의 형상을 가지고, 제1전극(311) 및 제2전극(312) 사이에 배치되어 있어, 발열을 수행하는 기능뿐만 아니라 제1전극(311) 및 제2전극(312)이 직접적으로 통전되는 것을 방지하는 기능도 수행한다.
상변화물질(314)은 발열부(313)에 접촉하여 형성되며, 발열부(313)를 둘러싸도록 형성된다.
상변화물질(314)은 전술한 제1 실시예의 경우와 같이, 온도에 따라 광투과도가 변화하는 물질인 Ge-Sb-Te(게르마늄-안티몬-텔루르)를 포함하는 물질로 이루어진다.
한편, 램프(320)는 상변화물질(314)의 하부에 배치되는데, 본 제2 실시예의 램프(320)는 액정 표시 장치 등에서 많이 사용되는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescence Lamp: CCFL)가 사용된다.
상변화물질(314)이 배치되지 않은 제1전극(311) 및 제2전극(312)의 상부 쪽에는 필터(330)가 배치된다. 필터(330)는 색상을 구현하는 필터로써, 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터가 각 화소별로 배치되어, 색상을 구현하는 기능을 수행한다.
본 제2 실시예의 필터(330)는 색상만을 구현하지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명의 필터는 전술한 바와 같이, 전자파 차폐, 근적외선 차폐, 색상 보정 등의 기능까지 수행할 수 있도록 여러 층으로 이루어진 필터가 될 수 있다.
이하, 도 9 및 도 10을 참조하여, 본 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)의 작용을 살펴본다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 작용을 도시한 개략적인 단면도이다.
우선, 디스플레이 장치(300)의 광 제어 구조(310)가 광을 투과시키는 경우를 설명한다.
먼저, 발열부(313)에 전류가 흐르도록, 외부의 전원으로부터 제1전극(311)과 제2전극(312)에 각각 전압을 인가한다.
전압이 인가되면, 발열부(313)에 전류가 흐르고, 저항 소자를 포함하여 이루어진 발열부(313)는 열을 방출하게 된다.
발열부(313)가 열을 방출하기 시작하면, 상변화물질(314)의 온도가 상승하여 상변화를 일으키게 되는데, 도 9에 도시된 바와 같이, 우선 발열부(313)에 접한 상변화물질(314)의 부분부터 상변화가 일어나기 시작하여, 도 10에 도시된 바와 같이 한 화소에 배치된 상변화물질(314) 전체로 상변화가 확산된다. 즉, 상변화물질(314)은 광을 투과하지 못하는 저온의 비정질 상태(S1)에서, 광을 투과할 수 있는 고온의 다결정성 상태(S2)로 변화하게 된다.
한편, 램프(320)는 디스플레이 장치(300)의 작동 중에 지속적으로 광을 방출하도록 되어 있는데, 램프(320)에서 방출하는 광은 다결정성 상태(S2)의 상변화물질(314)을 투과한 후, 제1전극(311) 및 제2전극(312)과 필터(330)를 경유하여 전방으로 방출되게 된다.
다음으로, 디스플레이 장치(300)의 광 제어 구조(310)가 광을 투과시키지 않는 경우를 설명하면 다음과 같다.
광 제어 구조(310)가 광을 투과시키지 않기 위해서는, 상변화물질(314)을 비정질 상태로 한다. 즉, 방열부(313)가 열을 방출하지 않도록, 제1전극(311) 및 제2전극(312)의 전압을 적절히 조절하여 방열부(313)에 전류가 흐르지 않도록 한다. 그렇게 되면, 상변화물질(314)의 온도가 낮아지게 되므로, 상변화물질(314)은 저온의 비정질 상태(S1)로 되고, 그러한 상태의 상변화물질(314)은 램프(320)에서 나온 광의 투과를 막게 된다.
이와 같은 방식으로, 본 제2 실시예의 디스플레이 장치(300)의 광 제어 구조(310)는 광의 투과를 제어할 수 있게 되는데, 전술한 제1 실시예의 경우와 마찬가 지로, 본 제2 실시예의 상변화물질(314)은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질을 사용하므로 그 응답속도가 빨라, 섬세한 계조 표현이 가능하게 된다.
이상과 같이, 본 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)는 그 구조가 간단하여 비용이 절감될 뿐만 아니라, 미세 방전셀을 구현하기가 용이하므로, 고해상도의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)는 응답속도가 매우 빠른 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질의 상변화물질(314)을 이용함으로써, 섬세한 계조표현이 가능하다는 장점이 있다.
또한, 본 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)의 제1전극(311) 및 제2전극(312)은 동일한 평면에 배치됨으로써, 상변화물질(314)을 투과한 광은 제1전극(311) 또는 제2전극(312)만을 투과하게 되므로, 제1전극(111)과 제2전극(112) 모두를 투과하는 전술한 제1 실시예의 경우보다 광 투과 효율이 높은 장점이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광 제어 구조 및 디스플레이 장치는 그 구조가 간단하여, 제조비용이 적게 들고, 소형화가 가능하다. 그렇게 되면, 미세 발광셀을 구현할 수 있어, 소형 디스플레이 장치에서도 높은 해상도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 광 제어 구조 및 디스플레이 장치는 응답속도가 매우 빠른 상변화물질인 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질을 이용할 수 있으므로, 섬세한 계조 표현이 가능하다는 장점이 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (19)
- 제1전극;상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극;상기 제1전극 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발열부; 및상기 발열부에 접촉하여 배치되며, 온도에 따라 광 투과도가 변화하는 상변화물질을 포함하는 광 제어 구조.
- 제1항에 있어서,상기 제1전극은 광이 투과되는 소재로 이루어진 광 제어 구조.
- 제1항에 있어서,상기 제2전극은 광이 투과되는 소재로 이루어진 광 제어 구조.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 광이 투과되는 소재는 ITO인 광 제어 구조.
- 제1항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에는 상기 발열부 및 상기 상변화물질이 위치하는 광 제어 구조.
- 제1항에 있어서,상기 발열부는 전기 저항 소자를 포함하여, 상기 제1전극과 상기 제2전극에 의해 흐르는 전류에 의해 가열되는 광 제어 구조.
- 제1항에 있어서,상기 상변화물질은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질인 광 제어 구조.
- 제1항에 있어서,상기 상변화물질은 상기 발열부의 적어도 일부를 둘러싸는 광 제어 구조.
- 제1전극;상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극;상기 제1전극 및 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발열부;상기 발열부에 접촉하며 온도에 따라 광 투과도가 변화하는 상변화물질; 및상기 상변화물질에 광을 입사시키는 램프를 포함하는 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제1전극은 광이 투과되는 소재로 이루어진 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제2전극은 광이 투과되는 소재로 이루어진 디스플레이 장치.
- 제10항 또는 제11항에 있어서,상기 광이 투과되는 소재는 ITO인 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제1전극이 배치되는 제1기판을 더 포함하는 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제2전극이 배치되는 제2기판을 더 포함하는 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에는 상기 발열부 및 상기 상변화물질이 위치하는 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 발열부는 전기 저항 소자를 포함하여, 상기 제1전극과 상기 제2전극에 의해 흐르는 전류에 의해 가열되는 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 상변화물질은 Ge-Sb-Te를 포함하는 물질인 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 상변화물질은 상기 발열부의 적어도 일부를 둘러싸는 디스플레이 장치.
- 제9항에 있어서,상기 상변화물질에서 투과되어 나오는 광을 조절하기 위한 필터를 더 구비하는 디스플레이 장치.
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