KR20070053103A - Semiconductor device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

표면형상(surface morphology) 특성이 개선되도록 그 구조가 개선된 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, r-면 사파이어 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장된 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 버퍼층 및 상기 버퍼층 위에 형성된 제1 a-면 GaN층을 포함한다.Disclosed are a semiconductor device having improved structure and a method of manufacturing the same so that surface morphology is improved. The semiconductor device according to the present invention is a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on the r-plane sapphire substrate and Al x Ga ( epitaxially grown to a thickness in the range of 100 Pa to 20000 Pa in the temperature range of 900 ℃ to 1100 ℃ 1-x) N (0 ≦ x <1) buffer layer and a first a-plane GaN layer formed on the buffer layer.

Description

반도체 소자 및 그 제조방법{Semiconductor device and method of fabricating the same}Semiconductor device and method of fabrication {Semiconductor device and method of fabricating the same}

도 1은 종래 a-면 GaN 반도체 기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional a-plane GaN semiconductor substrate.

도 2는 도 1의 a-면 GaN 반도체 기판의 단면 SEM 사진이다.FIG. 2 is a cross-sectional SEM photograph of the a-plane GaN semiconductor substrate of FIG. 1.

도 3은 도 1의 a-면 GaN 반도체 기판의 표면 SEM 사진이다.3 is a SEM image of the surface of the a-plane GaN semiconductor substrate of FIG. 1.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 단면 SEM 사진이다.5 is a cross-sectional SEM photograph of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 표면 SEM 사진이다.6 is a SEM image of the surface of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 반도체 소자의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a semiconductor device in accordance with a second embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.8A through 8C are flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with a first embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조공정에서 버퍼층의 두께증가에 따른 제1 a-면 GaN층의 결정성의 경향을 보여주는 결과그래프이다.FIG. 9 is a result graph showing a tendency of crystallinity of a first a-plane GaN layer with increasing thickness of a buffer layer in a manufacturing process of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 제2 실시예에 반도체 소자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.10A through 10D are flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with a second embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

12:r-면 사파이어 기판 14:버퍼층12: r-plane sapphire substrate 14: buffer layer

16:제1 a-면 GaN층 20:제1 a-면 GaN층16: first a-plane GaN layer 20: first a-plane GaN layer

22:활성층 24:제2 a-면 GaN층22: active layer 24: second a-plane GaN layer

30:n-전극 40:p-전극30: n-electrode 40: p-electrode

본 발명은 GaN 반도체 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표면형상 특성이 개선되도록 그 구조가 개선된 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a GaN semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device having improved structure and a manufacturing method thereof so as to improve surface shape characteristics.

종래 GaN-베이스 디바이스(GaN based device), 예를 들어 질화물 반도체 레이저 다이오드는 일반적으로 c-면 GaN 기판 위에 구현되었다. 그러나, GaN 결정의 c-면(c-plane)은 극성면(polar plane)으로 알려져 있다. 따라서, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드 경우, c-면의 극성(polarization)에 의해 형성된 내부 전기장의 영향으로 전자(electron)와 정공(hole)의 결합확률이 감소될 수 있으며, 결국 상기 레이저 다이오드의 발광효율이 낮아질 수 있다.Conventional GaN-based devices, such as nitride semiconductor laser diodes, have generally been implemented on c-plane GaN substrates. However, the c-plane of GaN crystals is known as the polar plane. Therefore, in the case of the nitride semiconductor laser diode, the coupling probability of electrons and holes may be reduced by the influence of the internal electric field formed by the polarization of the c-plane, and thus the luminous efficiency of the laser diode. Can be lowered.

이를 해결하기 위해 극성(polarization)을 갖지 않는 a-면(a-plane) GaN 기판 위에 반도체 디바이스를 구현하기 위한 기술의 개발에 관심이 모이고 있다.In order to solve this problem, there is an interest in developing a technology for implementing a semiconductor device on an a-plane GaN substrate having no polarization.

도 1은 종래 실시된 a-면 GaN 기판의 단면도이며, 도 2와 도 3은 각각 도 1의 a-면 GaN 기판의 단면 SEM 사진 및 표면 SEM 사진이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional a-plane GaN substrate, and FIGS. 2 and 3 are cross-sectional SEM photographs and surface SEM photographs of the a-plane GaN substrate of FIG. 1, respectively.

상기 a-면(a-plane) GaN 기판은 r-면 사파이어 기판(2) 위에 a-면 GaN층(6)을 에피텍셜 성장시킴으로써, 그 결과로 얻을 수 있다. 그러나, r-면 사파이어 기 판(2)과 a-면 GaN층(6)간의 격자불일치(lattice mismatch)가 16.2% 정도로 상당히 크기 때문에, r-면 사파이어 기판(2) 위에 적층된 a-면 GaN층(6)의 표면에 스트레인에 의한 V-형상 결함(V-shape defect)이 발생된다는 문제점이 있다. 이와 같은 V-형상 결함이 형성된 a-GaN층의 표면에 디바이스를 구현할 경우, 디바이스 특성이 저하되는 문제점이 있다.The a-plane GaN substrate can be obtained by epitaxially growing the a-plane GaN layer 6 on the r-plane sapphire substrate 2. However, since the lattice mismatch between the r-plane sapphire substrate 2 and the a-plane GaN layer 6 is large, such as 16.2%, the a-plane GaN deposited on the r-plane sapphire substrate 2 is large. There is a problem that V-shape defects due to strain are generated on the surface of the layer 6. When the device is implemented on the surface of the a-GaN layer in which such V-shaped defects are formed, there is a problem in that device characteristics are degraded.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 표면형상 특성이 개선되도록 그 구조가 개선된 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to improve the above-described problems of the related art, and to provide a semiconductor device having improved structure and a method of manufacturing the same so as to improve surface shape characteristics.

본 발명에 따른 반도체 소자는,The semiconductor device according to the present invention,

r-면 사파이어 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장된 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 버퍼층; 및Al x Ga (1-x) N (0≤ epitaxially grown to a thickness ranging from 100 kPa to 20000 kPa in a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on an r-plane sapphire substrate and at a temperature ranging from 900 ° C to 1100 ° C. x <1) buffer layer; And

상기 버퍼층 위에 형성된 제1 a-면 GaN층;을 포함한다.And a first a-plane GaN layer formed on the buffer layer.

상기 질소(N2)를 포함하는 가스분위기는 질소(N2)와 수소(H2)의 혼합가스 분위기로 형성될 수 있으며, 상기 혼합가스 중 질소의 함유비율이 1% 내지 99.99% 으로 제어될 수 있다.Gas atmosphere containing the nitrogen (N 2) is a nitrogen (N 2) and can be formed of a mixed gas atmosphere of hydrogen (H 2), the content ratio of the mixed gas of nitrogen is controlled to 1% to 99.99% Can be.

바람직하게, 상기 제1 a-면 GaN층 상에 제2 a-면 GaN층이 더 성장될 수 있 다. 여기에서, 상기 제1 a-면 GaN층은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 제2 a-면 GaN층은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체로 형성될 수 있다.Preferably, a second a-plane GaN layer may be further grown on the first a-plane GaN layer. Here, the first a-plane GaN layer may be formed of an n-type semiconductor including an n-type dopant, and the second a-plane GaN layer may be formed of a p-type semiconductor including a p-type dopant. .

본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법은,Method for manufacturing a semiconductor device according to the invention,

r-면 사파이어 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 물질을 에피텍셜 성장시켜 버퍼층을 형성하는 단계; 및Al x Ga (1-x) N (0≤x <1) with a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on the r-plane sapphire substrate and a thickness in the range of 100 Pa to 20000 Pa in the temperature range of 900 ° C to 1100 ° C Epitaxially growing the material to form a buffer layer; And

상기 버퍼층 위에 제1 a-면 GaN층을 형성하는 단계;를 포함한다.And forming a first a-plane GaN layer on the buffer layer.

바람직하게, 상기 제1 a-면 GaN층 상에 제2 a-면 GaN층이 더 성장될 수 있다. 여기에서, 상기 제1 a-면 GaN층은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 제2 a-면 GaN층은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제1 a-면 GaN층 및 제2 a-면 GaN층은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 1torr 내지 200torr 범위의 압력에서 형성될 수 있다.Preferably, a second a-plane GaN layer may be further grown on the first a-plane GaN layer. Here, the first a-plane GaN layer may be formed of an n-type semiconductor including an n-type dopant, and the second a-plane GaN layer may be formed of a p-type semiconductor including a p-type dopant. . The first a-plane GaN layer and the second a-plane GaN layer may be formed at a temperature range of 900 ° C. to 1200 ° C., and the buffer layer may be formed at a pressure in a range of 1 tor to 200 tor.

본 발명에 따르면, 표면형상(surface morphology) 특성이 개선된 반도체 소자를 얻을 수 있다.According to the present invention, a semiconductor device having improved surface morphology characteristics can be obtained.

이하에서는, 본 발명에 따른 반도체 소자 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 상세한 설명을 위하여 과장되게 도시된 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of a semiconductor device and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail. In this process, the thicknesses of the layers or regions illustrated in the drawings are exaggerated for the detailed description.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 단면도이며, 도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 단면 SEM 사진과 표면 SEM 사진이다.4 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are cross-sectional SEM and surface SEM photographs of the semiconductor device according to the first exemplary embodiment of the present invention, respectively.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자는 r-면 사파이어 기판(12) 위에 순차로 적층된 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 버퍼층(buffer layer, 14) 및 제1 a-면 GaN층(16)을 포함한다. 상기 제1 실시예에 따른 반도체 소자는 GaN-베이스 디바이스(GaN based device)의 제조를 위한 반도체 기판으로 이용될 수 있다.4 to 6, in the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, Al x Ga (1-x) N (0 ≦ x <1) sequentially stacked on an r-plane sapphire substrate 12. A buffer layer 14 and a first a-plane GaN layer 16 are included. The semiconductor device according to the first embodiment may be used as a semiconductor substrate for manufacturing a GaN-based device.

상기 버퍼층(14)은 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장될 수 있다. 여기에서, 상기 질소(N2)를 포함하는 가스분위기는 질소(N2)가스 분위기 또는 질소(N2)와 수소(H2)의 혼합가스 분위기이다. 상기 버퍼층(14)이 혼합가스 분위기에서 형성되는 경우, 상기 혼합가스 중 질소의 함유비율이 1% 내지 99.99% 인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 버퍼층(14)은 1torr 내지 200torr의 압력범위에서 형성될 수 있으며, 바람직하게는 100torr의 압력에서 형성될 수 있다.The buffer layer 14 may be epitaxially grown to a thickness of 100 kPa to 20000 kPa in a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) and a temperature range of 900 ° C to 1100 ° C. Here, the gas atmosphere containing the nitrogen (N 2) is a mixed gas atmosphere of nitrogen (N 2) gas atmosphere or a nitrogen (N 2) and hydrogen (H 2). When the buffer layer 14 is formed in a mixed gas atmosphere, the content ratio of nitrogen in the mixed gas is preferably 1% to 99.99%. At this time, the buffer layer 14 may be formed at a pressure range of 1 tor to 200 torr, preferably at a pressure of 100 torr.

상기 버퍼층(14)은 r-면 사파이어 기판(12)과 제1 a-면 GaN층(16)간의 격자불일치(lattice mismatch)를 완화시키는 기능을 한다. 따라서, 상기 버퍼층(14) 위에 에피텍셜 성장되는 상기 제1 a-면 GaN층(16)의 표면형상(surface morphology) 특성이 개선될 수 있다. 구체적으로, 상기 버퍼층(14) 위에 적층된 제1 a-면 GaN 층(16)은 V-형상 결함(V-shape defect)을 포함하지 않으며, 미러-유사 표면형상(mirror-like surface morphology)을 가질 수 있다. 특히, GaN 결정의 a면(a-plane)은 비극성면(non-polar plane)으로 알려져 있기 때문에, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 위에 GaN-베이스의 디바이스(GaN based device), 예를 들어 질화물 반도체 레이저 다이오드를 구현할 경우(도 7참조), 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 발광효율 및 광출력이 종래 보다 향상될 수 있다.The buffer layer 14 functions to mitigate lattice mismatch between the r-plane sapphire substrate 12 and the first a-plane GaN layer 16. Accordingly, surface morphology of the first a-plane GaN layer 16 epitaxially grown on the buffer layer 14 may be improved. Specifically, the first a-plane GaN layer 16 stacked on the buffer layer 14 does not include a V-shape defect and does not have a mirror-like surface morphology. Can have In particular, since the a-plane of the GaN crystal is known as a non-polar plane, a GaN-based device, for example, a GaN-based device on the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, For example, when implementing a nitride semiconductor laser diode (see FIG. 7), the luminous efficiency and light output of the nitride semiconductor laser diode may be improved.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 반도체 소자의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 상기 제2 실시예에 따른 반도체 소자는 질화물 반도체 레이저 다이오드로 구현될 수 있다.7 is a cross-sectional view of a semiconductor device in accordance with a second embodiment of the present invention. As shown, the semiconductor device according to the second embodiment may be implemented as a nitride semiconductor laser diode.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 반도체 소자, 즉 질화물 반도체 레이저 다이오드는, r-면 사파이어 기판(12) 상에 순차로 적층된 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 버퍼층(14), 제1 a-면 GaN층(20), 활성층(22) 및 제2 a-면 GaN층(24)을 포함한다. 그리고, 상기 제1 a-면 GaN층(20)의 단차부 및 제2 a-면 GaN층(24) 위에 Ag 또는 Au와 같은 도전성 물질로 각각 n-전극(30) 및 p-전극(40)이 형성되었다.Referring to FIG. 7, in the second embodiment of the present invention, a semiconductor device, that is, a nitride semiconductor laser diode, includes Al x Ga (1-x) N (0≤ ) sequentially stacked on an r-plane sapphire substrate 12. x <1) buffer layer 14, first a-plane GaN layer 20, active layer 22, and second a-plane GaN layer 24. The n-electrode 30 and the p-electrode 40 are formed of a conductive material such as Ag or Au on the stepped portion of the first a-plane GaN layer 20 and the second a-plane GaN layer 24, respectively. Was formed.

상기 버퍼층(14)은 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장될 수 있다. 여기에서, 상기 질소(N2)를 포함하는 가스분위기는 질소(N2)가스 분위기 또는 질소(N2)와 수소(H2)의 혼합가스 분위기이다. 상기 버퍼층(14)이 혼합가스 분위기에서 형성되는 경우, 상기 혼합가스 중 질소의 함유비율이 1% 내지 99.99% 인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 버퍼층(14)은 1torr 내지 200torr의 압력범위에서 형성될 수 있으며, 바람직하게는 100torr의 압력에서 형성될 수 있다. 이와 같은 공정으로 형성된 상기 버퍼층(14)은 상기 r-면 사파이어 기판(12)과 제1 a-면 GaN층(16)간의 격자불일치(lattice mismatch)를 완화시키는 기능을 할 수 있다. 따라서, 상기 버퍼층(14) 위에 에피텍셜 성장되는 상기 제1 a-면 GaN층(16)의 표면형상(surface morphology) 특성이 개선될 수 있다. 구체적으로, 상기 버퍼층(14) 위에 적층된 제1 a-면 GaN층(16)은 V-형상 결함(V-shape defect)을 포함하지 않으며, 미러-유사 표면형상(mirror-like surface morphology)을 가질 수 있다.The buffer layer 14 may be epitaxially grown to a thickness of 100 kPa to 20000 kPa in a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) and a temperature range of 900 ° C to 1100 ° C. Here, the gas atmosphere containing the nitrogen (N 2) is a mixed gas atmosphere of nitrogen (N 2) gas atmosphere or a nitrogen (N 2) and hydrogen (H 2). When the buffer layer 14 is formed in a mixed gas atmosphere, the content ratio of nitrogen in the mixed gas is preferably 1% to 99.99%. At this time, the buffer layer 14 may be formed at a pressure range of 1 tor to 200 torr, preferably at a pressure of 100 torr. The buffer layer 14 formed as described above may function to alleviate lattice mismatch between the r-plane sapphire substrate 12 and the first a-plane GaN layer 16. Accordingly, surface morphology of the first a-plane GaN layer 16 epitaxially grown on the buffer layer 14 may be improved. Specifically, the first a-plane GaN layer 16 stacked on the buffer layer 14 does not include a V-shape defect and does not have a mirror-like surface morphology. Can have

본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자에서, 상기 제1 a-면 GaN층(20)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체로 형성되는 것이 바람직하며, 또한 상기 제2 a-면 GaN층(24)은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체로 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 제1 a-면 GaN층(20)은 n-GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체층이며, 특히 n-GaN층인 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정되지 않으며 레이저 발진(레이징)이 가능한 Ⅲ-Ⅴ족의 다른 화합물 반도체층일 수 있다. 또한, 제2 a-면 GaN층(24)은 p-GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체층이며, 특히 p-GaN층인 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정되지 않으며 레이저 발진(레이징)이 가능한 Ⅲ-Ⅴ족의 다른 화합물 반도체층일 수 있다.In the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, the first a-plane GaN layer 20 is preferably formed of an n-type semiconductor including an n-type dopant, and the second a-plane GaN layer (24) is preferably formed of a p-type semiconductor containing a p-type dopant. Specifically, the first a-plane GaN layer 20 is an n-GaN-based group III-V nitride compound semiconductor layer, particularly preferably an n-GaN layer. However, the present invention is not limited thereto, and may be another compound semiconductor layer of group III-V capable of laser oscillation (raising). In addition, the second a-plane GaN layer 24 is a p-GaN series III-V nitride compound semiconductor layer, particularly preferably a p-GaN layer. However, the present invention is not limited thereto, and may be another compound semiconductor layer of group III-V capable of laser oscillation (raising).

상기 활성층(22)은 레이징이 일어날 수 있는 물질층이면 어떠한 물질층이라도 사용할 수 있으며 바람직하게는 임계전류값이 작고 횡모드 특성이 안정된 레이저광을 발진할 수 있는 물질층을 사용한다. 상기 활성층(22)으로 Al이 소정 비율 함유된 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1 그리고 x+y<1)인 GaN계열의 Ⅲ-V족 질화물계 화합물 반도체층을 사용하는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 활성층(22)은 다중양자우물 또는 단일양자우물 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며 이러한 활성층의 구조는 본 발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다.The active layer 22 may be any material layer as long as it is a material layer capable of lasing. Preferably, the active layer 22 uses a material layer capable of generating a laser light having a low threshold current value and stable lateral mode characteristics. GaN-based III-V group nitride based on In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y <1) containing Al in a predetermined ratio in the active layer 22 It is preferable to use a compound semiconductor layer. Here, the active layer 22 may have a structure of any one of a multi-quantum well or a single quantum well, and the structure of the active layer does not limit the technical scope of the present invention.

전술한 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자에서, 상기 제1 a-면 GaN층(20)의 표면형상(surface morphology) 특성이 우수할 뿐만 아니라, 그 상면이 비극성면(non-polar plane)으로 형성되기 때문에, 상기 제1 a-면 GaN층(20) 위에 적층되는 박막들, 즉 활성층(22) 및 제2 a-면 GaN층(24)의 표면특성이 종래 보다 향상될 수 있다. 그 결과, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 내부 양자효율 및 광추출 효율이 종래 보다 향상되어 발광효율 및 광출력이 향상될 수 있다.As described above, in the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, not only the surface morphology characteristics of the first a-plane GaN layer 20 are excellent, but the upper surface thereof is a non-polar plane. Since the polar planes are formed on the surface of the first thin film stacked on the first a-plane GaN layer 20, that is, the surface characteristics of the active layer 22 and the second a-plane GaN layer 24 may be improved. have. As a result, the internal quantum efficiency and light extraction efficiency of the nitride semiconductor laser diode can be improved than before, so that the luminous efficiency and light output can be improved.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 보여주는 공정도이다. 여기에서, 각각의 층들은 화학적 기상증착(CVD;Chemical Vapor Deposition)에 의해 형성될 수 있으며, 여기에서 상기 CVD는 단원자증착(ALD;Atomic Layer Deposition), 유기금속 화학기상증착(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 그 밖에 널리 알려진 진공증착을 모두 포함하는 개념으로 한다.8A through 8C are flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with a first embodiment of the present invention. Here, each of the layers may be formed by chemical vapor deposition (CVD), wherein the CVD is Atomic Layer Deposition (ALD), organometallic chemical vapor deposition (MOCVD) Chemical Vapor Deposition) and other well-known vacuum deposition.

도 8a 내지 도 8c를 참조하면, r-면 사파이어 기판(12)을 준비한 후, 상기 r-면 사파이어 기판(12) 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 물질을 에 피텍셜 성장시켜 버퍼층(14)을 형성한다. 여기에서, 상기 질소(N2)를 포함하는 가스분위기는 질소(N2)가스 분위기 또는 질소(N2)와 수소(H2)의 혼합가스 분위기일 수 있다. 상기 버퍼층(14)이 혼합가스 분위기에서 형성되는 경우, 상기 혼합가스 중 질소의 함유비율이 1% 내지 99.99% 인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 버퍼층(14)은 1torr 내지 200torr의 압력범위에서 형성될 수 있으며, 바람직하게는 100torr의 압력에서 형성될 수 있다.8A to 8C, after preparing an r-plane sapphire substrate 12, a gas atmosphere including nitrogen (N 2 ) on the r-plane sapphire substrate 12 and a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C. A buffer layer 14 is formed by epitaxially growing an Al x Ga (1-x) N (0≤x <1) material in a thickness ranging from 100 kPa to 20,000 kPa. Here, the gas atmosphere containing the nitrogen (N 2) may be a nitrogen (N 2) gas atmosphere or a nitrogen (N 2) and a mixed gas atmosphere of hydrogen (H 2). When the buffer layer 14 is formed in a mixed gas atmosphere, the content ratio of nitrogen in the mixed gas is preferably 1% to 99.99%. At this time, the buffer layer 14 may be formed at a pressure range of 1 tor to 200 torr, preferably at a pressure of 100 torr.

상기 버퍼층(14)을 성장시킨 후에, 상기 버퍼층(14) 상에 제1 a-면 GaN층(16)을 형성한다. 상기 제1 a-면 GaN층(16)은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 형성되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 상기 제1 a-면 GaN층(16)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체로 형성될 수 있다.After the buffer layer 14 is grown, a first a-plane GaN layer 16 is formed on the buffer layer 14. The first a-plane GaN layer 16 is preferably formed in a temperature range of 900 ℃ to 1200 ℃. Preferably, the first a-plane GaN layer 16 may be formed of an n-type semiconductor including an n-type dopant.

상기 버퍼층(14)은 r-면 사파이어 기판(12)과 제1 a-면 GaN층(16) 사이에 개재되어, 이들간의 격자불일치(lattice mismatch)를 완화시키는 완충 기능을 할 수 있다. 그 결과, 상기 버퍼층(14) 위에 적층된 제1 a-면 GaN층(16)은 표면특성이 개선되어 V-형상 결함(V-shape defect)을 포함하지 않으며, 미러-유사 표면형상(mirror-like surface morphology) 특성을 가질 수 있다. 특히, GaN 결정의 a면(a-plane)은 비극성면(non-polar plane)으로 알려져 있기 때문에, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 위에 GaN-베이스의 디바이스(GaN based device), 예를 들어 질화물 반도체 레이저 다이오드가 구현될 경우(도 10참조), 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 발광효율 및 광출력이 종래 보다 향상될 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 제조공정에서, 상기 버퍼층(14)의 에피텍셜 성장시에 상기 버퍼층(14)의 두께를 제어하여, 그 위에 적층되는 상기 제1 a-면 GaN층(16)의 결정성을 조절할 수 있으며, 이에 대하여 도 9가 참조될 수 있다.The buffer layer 14 is interposed between the r-plane sapphire substrate 12 and the first a-plane GaN layer 16, and may function as a buffer to alleviate lattice mismatch between them. As a result, the first a-plane GaN layer 16 stacked on the buffer layer 14 has improved surface properties and does not include V-shape defects, and mirror-like surface shapes. like surface morphology). In particular, since the a-plane of a GaN crystal is known as a non-polar plane, a GaN-based device, for example, a GaN-based device on a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, For example, when a nitride semiconductor laser diode is implemented (see FIG. 10), the luminous efficiency and light output of the nitride semiconductor laser diode may be improved. In particular, in the manufacturing process according to the present invention, the thickness of the buffer layer 14 is controlled during epitaxial growth of the buffer layer 14, and the crystallinity of the first a-plane GaN layer 16 deposited thereon is controlled. This may be adjusted, and reference may be made to FIG. 9.

도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조공정에서 버퍼층의 두께증가에 따른 제1 a-면 GaN층의 결정성의 경향을 보여주는 결과그래프이다. 도 9를 참조하면, 상기 제1 a-면 GaN층(16)의 결정성은 상기 버퍼층(14)의 두께에 의존한다는 것을 보여준다. 구체적으로, 상기 버퍼층(14)의 두께가 증가할수록, 상기 제1 a-면 GaN층(16)의 결정성이 향상되는 것을 알 수 있다.FIG. 9 is a result graph showing a tendency of crystallinity of a first a-plane GaN layer with increasing thickness of a buffer layer in a manufacturing process of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, it is shown that the crystallinity of the first a-plane GaN layer 16 depends on the thickness of the buffer layer 14. Specifically, it can be seen that as the thickness of the buffer layer 14 increases, the crystallinity of the first a-plane GaN layer 16 is improved.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 제2 실시예에 반도체 소자의 제조방법을 보여주는 공정도이다. 상기 제2 실시예에 반도체 소자로 질화물 반도체 레이저 다이오드가 구현되었다. 여기에서, 상기 제2 실시예에 반도체 소자의 제조공정은 도 8a 내지 도 8c에 도시된 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조공정을 그대로 포함할 수 있으므로, 반복되는 동일한 공정에 대하여는 도 8a 내지 도 8c 및 이에 대한 설명을 그대로 인용하기로 한다.10A through 10D are flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, a nitride semiconductor laser diode is implemented as a semiconductor device. Here, since the manufacturing process of the semiconductor device in the second embodiment may include the manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment shown in FIGS. 8A to 8C as it is, the same process is repeated with respect to FIGS. 8C and a description thereof will be referred to as it is.

도 10a 및 도 10b를 함께 참조하면, r-면 사파이어 기판(12)을 준비한 후, 상기 r-면 사파이어 기판(12) 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 물질을 에피텍셜 성장시켜 버퍼층(14)을 형성한다. 그리고나서, 상기 버퍼층(14) 상에 순차적으로 제1 a-면 GaN층(20), 활성층(22) 및 제2 a-면 GaN층(24)을 형성한다.10A and 10B, after preparing the r-plane sapphire substrate 12, the gas atmosphere including nitrogen (N 2 ) on the r-plane sapphire substrate 12 and 900 ° C. to 1100 ° C. The buffer layer 14 is formed by epitaxially growing an Al x Ga (1-x) N (0≤x <1) material at a thickness ranging from 100 kPa to 20,000 kPa in the temperature range. Then, the first a-plane GaN layer 20, the active layer 22, and the second a-plane GaN layer 24 are sequentially formed on the buffer layer 14.

특히, 본 발명에 따른 제조공정에서, 상기 버퍼층(14)의 에피텍셜 성장시에 상기 버퍼층(14)의 두께를 제어하여, 그 위에 적층되는 상기 제1 a-면 GaN층(16)의 결정성을 조절할 수 있음은 전술한 바와 같다. In particular, in the manufacturing process according to the present invention, the thickness of the buffer layer 14 is controlled during epitaxial growth of the buffer layer 14, and the crystallinity of the first a-plane GaN layer 16 deposited thereon is controlled. It can be adjusted as described above.

상기 제1 a-면 GaN층(20)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체로 형성되는 것이 바람직하며, 또한 상기 제2 a-면 GaN층(24)은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 제1 a-면 GaN층(16) 및 제2 a-면 GaN층(24) 각각은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 형성되는 것이 바람직하다.The first a-plane GaN layer 20 is preferably formed of an n-type semiconductor including an n-type dopant, and the second a-plane GaN layer 24 is a p-type semiconductor including a p-type dopant. It is preferable to form. Each of the first a-plane GaN layer 16 and the second a-plane GaN layer 24 is preferably formed in a temperature range of 900 ° C to 1200 ° C.

구체적으로, 상기 제1 a-면 GaN층(20)은 n-GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체층이며, 특히 n-GaN층인 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정되지 않으며 레이저 발진(레이징)이 가능한 Ⅲ-Ⅴ족의 다른 화합물 반도체층일 수 있다. 또한, 제2 a-면 GaN층(24)은 p-GaN 계열의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체층이며, 특히 p-GaN층인 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정되지 않으며 레이저 발진(레이징)이 가능한 Ⅲ-Ⅴ족의 다른 화합물 반도체층일 수 있다.Specifically, the first a-plane GaN layer 20 is an n-GaN-based group III-V nitride compound semiconductor layer, particularly preferably an n-GaN layer. However, the present invention is not limited thereto, and may be another compound semiconductor layer of group III-V capable of laser oscillation (raising). In addition, the second a-plane GaN layer 24 is a p-GaN series III-V nitride compound semiconductor layer, particularly preferably a p-GaN layer. However, the present invention is not limited thereto, and may be another compound semiconductor layer of group III-V capable of laser oscillation (raising).

상기 활성층(22)은 레이징이 일어날 수 있는 물질층이면 어떠한 물질층이라도 사용할 수 있으며 바람직하게는 임계전류값이 작고 횡모드 특성이 안정된 레이저광을 발진할 수 있는 물질층을 사용한다. 상기 활성층(22)으로 Al이 소정 비율 함유된 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1 그리고 x+y<1)인 GaN계열의 Ⅲ-V족 질화물계 화합물 반도체층을 사용하는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 활성층(22)은 다중양자우물 또는 단일양자우물 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며 이러한 활성층 의 구조는 본 발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다.The active layer 22 may be any material layer as long as it is a material layer capable of lasing. Preferably, the active layer 22 uses a material layer capable of generating a laser light having a low threshold current value and stable lateral mode characteristics. GaN-based III-V group nitride based on In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y <1) containing Al in a predetermined ratio in the active layer 22 It is preferable to use a compound semiconductor layer. Here, the active layer 22 may have a structure of any one of a multi-quantum well or a single quantum well, and the structure of the active layer does not limit the technical scope of the present invention.

도 10c 및 도 10d를 함께 참조하면, 최상층인 상기 제2 a-면 GaN층(24) 상에 소정영역을 선택하여, 그로부터 상기 제1 a-면 GaN층(20)의 소정 깊이까지 식각(etching)/제거함으로써, 상기 제1 a-면 GaN층(20)에 단차부를 형성한다. 그리고나서, 상기 제1 a-면 GaN층(20)의 단차부 및 제2 a-면 GaN층(24) 위에 Ag 또는 Au와 같은 도전성 물질로 각각 n-전극(30) 및 p-전극(40)을 형성한다.Referring to FIGS. 10C and 10D, a predetermined region is selected on the second a-plane GaN layer 24 which is the uppermost layer, and is etched therefrom to a predetermined depth of the first a-plane GaN layer 20. ), A stepped portion is formed in the first a-plane GaN layer 20. Then, on the stepped portion of the first a-plane GaN layer 20 and the second a-plane GaN layer 24, the n-electrode 30 and the p-electrode 40 are each made of a conductive material such as Ag or Au. ).

본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자에서, 상기 제1 a-면 GaN층(20)의 표면형상(surface morphology) 특성이 우수할 뿐만 아니라, 그 상면이 비극성면(non-polar plane)으로 형성되기 때문에, 상기 제1 a-면 GaN층(20) 위에 적층되는 박막들, 즉 활성층(22) 및 제2 a-면 GaN층(24)의 표면특성이 종래 보다 향상될 수 있다. 그 결과, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 내부 양자효율 및 광추출 효율이 종래 보다 향상되어 발광효율 및 광출력이 향상될 수 있다.In the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, not only the surface morphology characteristics of the first a-plane GaN layer 20 are excellent, but the upper surface is a non-polar plane. Since the thin film is formed on the first a-plane GaN layer 20, that is, the surface characteristics of the active layer 22 and the second a-plane GaN layer 24 may be improved. As a result, the internal quantum efficiency and light extraction efficiency of the nitride semiconductor laser diode can be improved than before, so that the luminous efficiency and light output can be improved.

본 발명에 의하면, 표면형상(surface morphology) 특성이 개선된 질화물계 반도체 소자를 얻을 수 있다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 V-형상 결함(V-shape defect)을 포함하지 않으며, 미러-유사 표면형상(mirror-like surface morphology)을 갖는다. 특히, GaN 결정의 a면(a-plane)은 비극성면(non-polar plane)으로 알려져 있기 때문에, 본 발명에 따른 반도체 소자에서 버퍼층 위에 형성된 제1 a-면 GaN층(20) 위에 GaN-베이스의 디바이스(GaN based device), 예를 들어 질화물 반도체 레이저 다이오드를 구현할 경우, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 발광효 율 및 광출력이 종래 보다 향상될 수 있다.According to the present invention, a nitride-based semiconductor device having improved surface morphology characteristics can be obtained. The semiconductor device according to the present invention does not include V-shape defects and has a mirror-like surface morphology. In particular, since the a-plane of the GaN crystal is known as a non-polar plane, the GaN-base on the first a-plane GaN layer 20 formed on the buffer layer in the semiconductor device according to the present invention. When implementing a GaN based device, for example, a nitride semiconductor laser diode, the luminous efficiency and light output of the nitride semiconductor laser diode can be improved than before.

이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.While some exemplary embodiments have been described and illustrated in the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention, it should be understood that these embodiments merely illustrate the broad invention and do not limit it, and the invention is illustrated and described. It is to be understood that the invention is not limited to structured arrangements and arrangements, as various other modifications may occur to those skilled in the art.

Claims (27)

r-면 사파이어 기판;과r-plane sapphire substrate; and 상기 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장된 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 버퍼층; 및Al x Ga (1-x) N (0 ≦ x <1 epitaxially grown to a thickness ranging from 100 kPa to 20000 kPa at a temperature ranging from 900 ° C. to 1100 ° C. and a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on the substrate. ) Buffer layer; And 상기 버퍼층 위에 형성된 제1 a-면 GaN층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And a first a-plane GaN layer formed on the buffer layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 a-면 GaN층은 미러-유사 표면형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And said first a-plane GaN layer has a mirror-like surface shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 질소(N2)를 포함하는 가스분위기는 질소(N2)와 수소(H2)의 혼합가스 분위기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.A semiconductor device, characterized in that a gas atmosphere is a mixed gas atmosphere of nitrogen (N 2) and hydrogen (H 2) comprising the nitrogen (N 2). 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 혼합가스 중 질소의 함유비율이 1% 내지 99.99% 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.The content of nitrogen in the mixed gas is a semiconductor device, characterized in that 1% to 99.99%. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 a-면 GaN층 상에 제2 a-면 GaN층이 더 성장된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And a second a-plane GaN layer is further grown on the first a-plane GaN layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 a-면 GaN층은 n형 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And the first a-plane GaN layer comprises an n-type dopant. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 a-면 GaN층은 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And the first a-plane GaN layer is an n-type semiconductor. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제2 a-면 GaN층은 p형 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And the second a-plane GaN layer comprises a p-type dopant. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제2 a-면 GaN층은 p형 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And said second a-plane GaN layer is a p-type semiconductor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 a-면 GaN층은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 성장된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.The first a-plane GaN layer is a semiconductor device, characterized in that grown in the temperature range of 900 ℃ to 1200 ℃. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제2 a-면 GaN층은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 성장된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.The second a-plane GaN layer is a semiconductor device, characterized in that grown in the temperature range of 900 ℃ to 1200 ℃. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 버퍼층은 1torr 내지 200torr 범위의 압력에서 성장된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.The buffer layer is a semiconductor device, characterized in that grown at a pressure in the range of 1torr to 200torr. r-면 사파이어 기판;과r-plane sapphire substrate; and 상기 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장된 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 버퍼층;Al x Ga (1-x) N (0 ≦ x <1 epitaxially grown to a thickness ranging from 100 kPa to 20000 kPa at a temperature ranging from 900 ° C. to 1100 ° C. and a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on the substrate. ) Buffer layer; 상기 버퍼층 위에 형성된 것으로 n형 도펀트를 포함하는 제1 a-면 GaN층;A first a-plane GaN layer formed on the buffer layer and including an n-type dopant; 상기 제1 a-면 GaN층 상에 형성된 활성층; 및An active layer formed on the first a-plane GaN layer; And 상기 활성층 상에 형성된 것으로 p형 도펀트를 포함하는 제2 a-면 GaN층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.And a second a-plane GaN layer formed on the active layer and including a p-type dopant. r-면 사파이어 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 물질을 에피텍셜 성장시켜 버퍼층을 형성하는 단계; 및Al x Ga (1-x) N (0≤x <1) with a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on the r-plane sapphire substrate and a thickness in the range of 100 Pa to 20000 Pa in the temperature range of 900 ° C to 1100 ° C Epitaxially growing the material to form a buffer layer; And 상기 버퍼층 위에 제1 a-면 GaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Forming a first a-plane GaN layer on the buffer layer. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 a-면 GaN층은 미러-유사 표면형상을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And the first a-plane GaN layer is formed to have a mirror-like surface shape. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 질소(N2)를 포함하는 가스분위기는 질소(N2)와 수소(H2)의 혼합가스 분위기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Gas atmosphere containing the nitrogen (N 2) is a method of producing a semiconductor device, characterized in that a mixed gas atmosphere of nitrogen (N 2) and hydrogen (H 2). 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 혼합가스 중 질소의 함유비율이 1% 내지 99.99% 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the content of nitrogen in the mixed gas is 1% to 99.99%. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 a-면 GaN층 상에 제2 a-면 GaN층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And forming a second a-plane GaN layer on the first a-plane GaN layer. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 a-면 GaN층은 n형 도펀트를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And the first a-plane GaN layer is formed to include an n-type dopant. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 제1 a-면 GaN층은 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The first a-plane GaN layer is a semiconductor device manufacturing method, characterized in that the n-type semiconductor. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제2 a-면 GaN층은 p형 도펀트를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And said second a-plane GaN layer is formed to include a p-type dopant. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제2 a-면 GaN층은 p형 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And said second a-plane GaN layer is a p-type semiconductor. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 a-면 GaN층은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The first a-plane GaN layer is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that formed in the temperature range of 900 ℃ to 1200 ℃. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제2 a-면 GaN층은 900℃ 내지 1200℃의 온도범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The second a-plane GaN layer is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that formed in the temperature range of 900 ℃ to 1200 ℃. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 버퍼층은 1torr 내지 200torr 범위의 압력에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The buffer layer is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that formed at a pressure in the range of 1torr to 200torr. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 버퍼층의 두께를 제어하여 상기 제1 a-면 GaN층의 결정성을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And controlling the crystallinity of the first a-plane GaN layer by controlling the thickness of the buffer layer. r-면 사파이어 기판 상에 질소(N2)를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 AlxGa(1-x)N(0≤x<1) 물질 을 에피텍셜 성장시켜 버퍼층을 형성하는 단계;Al x Ga (1-x) N (0≤x <1) with a gas atmosphere containing nitrogen (N 2 ) on the r-plane sapphire substrate and a thickness in the range of 100 Pa to 20000 Pa in the temperature range of 900 ° C to 1100 ° C Epitaxially growing the material to form a buffer layer; 상기 버퍼층 위에 n형 도펀트를 포함하는 제1 a-면 GaN층을 형성하는 단계;Forming a first a-plane GaN layer including an n-type dopant on the buffer layer; 상기 제1 a-면 GaN층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및Forming an active layer on the first a-plane GaN layer; And 상기 활성층 상에 p형 도펀트를 포함하는 제2 a-면 GaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Forming a second a-plane GaN layer comprising a p-type dopant on the active layer.
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