KR20070048479A - 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응챔버에 코일이 감긴 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 반응챔버는 적어도 본 챔버와 보조 챔버로 구성된 다층 구조이고, 상기 코일은 상기 보조 챔버에 배치되어 단방향성 자기장을 유도하는 보조 코일과, 상기 본 챔버에 배치되어 시계 방향으로 전류가 흐르는 제1 코일과 반시계 방향으로 전류가 흐르는 제2 코일이 연결되어 양방향성 자기장을 유도하는 투-턴 코일을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 단방향성 자기장과 양방향성 자기장에 의해 특히 반응챔버의 가장자리에 발생되는 플라즈마의 밀도가 향상된다.
반도체, 플라즈마 처리, 유도 결합형 플라즈마

Description

유도 결합형 플라즈마 처리 장치{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA TREATMENT APPARATUS}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서 코일 구조를 도시한 사시도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100; 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
110; 반응챔버
120; 투-턴 코일
122; 상부 코일
124; 하부 코일
130,160; 전원 공급부
140,170; 접지부
150; 보조 코일
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 반도체 소자를 제조하는데 유용하게 쓰이는 처리 장치이다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 생성 방법을 기준으로 축전 결합형 플라즈마(CCP) 처리 장치와 유도 결합형 플라즈마(ICP) 처리 장치로 대별할 수 있다. 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 나선형의 코일(또는 안테나)을 반응챔버에 설치한 후 고주파의 유도 전력을 인가하여 반응챔버 내에 자기장을 유발하여 플라즈마를 발생시키는 장치이다. 이러한 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 구조적인 면에서 비교적 간단하고 대면적 플라즈마를 상대적으로 용이하게 얻을 수 있다는 장점으로 인하여 널리 사용되고 있다.
그런데, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 단방향성 자기장에 따른 불균일한 플라즈마가 분포한다는 문제가 있다. 이는 반응챔버에 단방향으로 감긴 코일 구조이어서, 하나의 고주파 입력 라인을 통해 파워가 인가되며 이렇게 발생된 유도 전류가 하나의 고주파 출력 라인을 통해 접지되는 구조에 기인한다고 여겨지고 있다.
이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 코일 구조를 개선시켜 균일한 플라즈마 분포를 얻을 수 있는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 양방향성 자기장이 형성되도록 코일 구조를 이중 구조로 개선시킨 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는, 반응챔버에 코일이 감긴 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 반응챔버는 적어도 본 챔버와 보조 챔버로 구성된 다층 구조이고, 상기 코일은 상기 보조 챔버에 배치되어 단방향성 자기장을 유도하는 보조 코일과, 상기 본 챔버에 배치되어 시계 방향으로 전류가 흐르는 제1 코일과 반시계 방향으로 전류가 흐르는 제2 코일이 연결되어 양방향성 자기장을 유도하는 투-턴 코일을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 코일의 전단부는 상기 제2 코일의 후단부와 전원 공급부를 매개로 연결되고, 상기 제1 코일의 후단부는 상기 제2 코일의 전단부와 접지부를 매개로 서로 연결된다.
본 실시예에 있어서, 상기 전원 공급부는 상기 제1 코일의 전단부와 상기 제2 코일의 후단부에 동시에 플라즈마 소스 파워를 인가한다.
본 실시예에 있어서, 상기 보조 코일과 상기 투-턴 코일은 동일한 주파수의 플라즈마 소스 파워를 인가받거나, 또는 각각 다른 주파수의 플라즈마 소스 파워를 인가받는다. 상기 보조 코일과 상기 투-턴 코일은 동일한 전원 공급부로부터 파워를 인가받거나, 또는 각각 다른 전원 공급부로부터 파워를 인가받는다.
본 실시예에 있어서, 상기 보조 챔버는 상기 본 챔버 위에 배치된다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변경 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리가 진행되는 본 챔버와, 상기 본 챔버 위에 배치된 보조 챔버를 포함하는 다층 구조의 반응챔버와, 상기 보조 챔버를 감싸고 단방향성의 자기장을 유도하는 보조 코일과, 상기 본 챔버의 상부를 감싸는 상부 코일과 상기 본 챔버의 하부를 감싸는 하부 코일을 포함하고, 상기 상부 코일의 일단은 상기 하부 코일의 타단과 연결되고 상기 상부 코일의 타단은 상기 상부 코일의 일단에 연결되어 양방향성 자기장을 유도하는 투-턴 코일과, 상기 보조 코일의 일단에 연결되어 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가하는 제1 전원 공급부와, 상기 상부 코일의 일단과 상기 하부 코일의 타단에 고주파 플라즈마 소스 파워를 동시에 인가하는 제2 전원 공급부와, 상기 보조 코일의 타단을 접지시키는 제1 접지부와, 상기 상부 코일의 타단과 상기 하부 코일의 일단을 접지시키는 제2 접지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 변경 실시예에 있어서, 상기 상부 코일에 흐르는 원형의 전류 방향과 상기 하부 코일에 흐르는 원형의 전류 방향은 서로 반대이다.
본 변경 실시예에 있어서, 상기 상부 및 하부 코일 각각은 같은 직경을 가지는 환형 형태이거나 또는 다른 직경을 가지는 환형 형태이다.
본 변경 실시예에 있어서, 상기 제1 전원 공급부와 상기 제2 전원 공급부는 각각 상기 보조 코일과 상기 투-턴 코일에 동일한 주파수의 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가하거나, 또는 각각 다른 주파수의 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가한 다.
본 변경 실시예에 있어서, 상기 반응챔버는 원통형이고, 상기 보조 챔버는 상기 본 챔버에 비해 상대적으로 작은 직경을 가진다.
이하, 본 발명에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
(실시예)
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 유도 결합형 플라즈마 처리 장치(100)는 유도 결합형 플라즈마(ICP)가 생성되는 장소를 제공하고, 플라즈마 식각과 같은 소정의 플라즈마 처리가 이루어지는 반응챔버(110)를 가진다. 이 반응챔버(110)는 상대적으로 큰 직경을 가지는 본 챔버(111)와 상대적으로 작은 직경을 가지는 보조 챔버(112)가 본 챔버(111) 상부에 배치된 2층 구조의 원통형 챔버(110)이다. 여기서, 보조 챔버(112)와 본 챔버(111)는 외관상 2층 구조일 뿐이지 위아래가 폐쇄된 2층 구조인 것은 아니다.
이 반응챔버(110)에는, 도면에는 자세히 도시되어 있지 아니하지만, 플라즈마 처리에 필요한 반응가스의 공급 및 배출부가 있고, 반도체 웨이퍼와 같은 플라즈마 처리 대상물이 장착되는 스테이지 등과 같은 플라즈마 처리에 있어서 일반적으로 필요한 부재들이 구비된다.
반응챔버(110)의 바깥쪽에는 자기장을 유도하는 원형 전류가 흐르는 환형의 코일(110,150)이 감겨져 있다. 코일(110,150)은 본 챔버(111)를 감는 코일(120)과 보조 챔버(112)를 감는 코일(150)로 구성된다. 여기서, 본 챔버(111)를 감는 코일(120)은 양방향성 자기장을 유도하고, 보조 챔버(112)를 감는 코일(150)은 단방향성 자기장을 유도한다.
특히, 본 챔버(111)에 배치된 코일(120)은 2회로 감긴 투-턴(two-turen) 구조이다. 즉, 투-턴 코일(120)은 본 챔버(111)의 상부쪽을 감는 환형의 상부 코일(122)과 하부쪽을 감는 환형의 하부 코일(124)로 구성된다. 상부 코일(122)과 하부 코일(124)은 서로 같은 직경을 가지는 환형 형태이거나 또는 각각 다른 직경을 가지는 환형 형태일 수 있다. 이 코일(120)의 일부분에는 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가하는 전원 공급부(130)가 배치되고, 다른 부분에는 접지부(140)와 연결된다. 보조 챔버(112)에 배치된 코일(150)은 어느 한 방향의 전류를 흐르게 하여 특히 본 챔버(111)의 가장자리 부분에서 발생되는 플라즈마의 밀도를 향상시키는데 일조를 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 처리 장치의 코일 구 조를 도시한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 보조 챔버(112)를 감는 코일(150)의 일단은 전원 공급부(160)와 연결되어 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가받으며, 타단은 접지부(170)와 연결되어 접지된다. 코일(150)에 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가되면, 코일(150)에는 반시계 방향의 전류(A)가 흐르게 되어 코일(150) 내부에서 위로 향하는 단방향의 자기장이 유도된다. 필요에 따라서는 전류 방향을 본 실시예에서와 다르게 시계 방향이 되도록 설정할 수 있다.
본 챔버(111)를 감는 투-턴 코일(120)에 있어서 상부 코일(122)은 하부 코일(124)과 일체로 구성된다. 상부 코일(122)을 전반부(122a)와 후반부(122b)로 구분하고, 마찬가지로 하부 코일(124)을 전반부(124a)와 후반부(124b)로 구분된다고 가정한다. 상부 코일(122)의 후반부(122b)는 접지부(140)를 매개로 하부 코일(124)의 전반부(124a)와 연결되고, 하부 코일(124)의 후반부(124b)는 전원 공급부(130)을 매개로 상부 코일(122)의 전반부(122a)와 연결되어, 전체적으로는 투-턴 코일(120) 형태를 이룬다. 일례로, 코일(120)은 대략 3/8 인치의 구리 튜브로 구성되고, 상부 코일(122)과 하부 코일(124)간의 간격(d)은 대략 50 mm 정도이다.
전원 공급부(130)는 상부 코일(122)의 전반부(122a)와 하부 코일(124)의 후반부(124b)에 동시에 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가한다. 여기서, 각 전원 공급부(160,130)는, 예를 들어, 2 MHz ~ 10 MHz 사이의 동일한 주파수 또는 다른 주파수를 코일(150,120)에 각각 인가할 수 있다. 본 실시예에서는 각각의 코일(120,150)에 각각의 전원 공급부(130,160)가 연결된 것을 개시하고 있지만, 이와 다르게 하나의 전원 공급부에 양 코일(120,150)이 연결되어 양 코일(120,150)에 하나의 전원 공급부로써 파워를 인가시키는 구조로 변경할 수 있다. 가령, 어느 하나의 전원 공급부(160 또는 130)가 양 코일(120,150)과 연결되어 양 코일(120,150)에 동시에 파워를 인가시킬 수 있다.
고주파 플라즈마 소스 파워가 인가되면 전류는 상부 코일(122)의 전반부(122a)에서 후반부(122b) 쪽으로 흐르고, 이와 동시에 하부 코일(124)의 후반부(124b)에서 전반부(124a) 쪽으로 흐른다. 즉, 상부 코일(122)에는 시계 방향의 원형 전류(B)가 흐르고, 하부 코일(124)에는 반시계 방향의 원형 전류(C)가 흐르게 된다. 그러므로, 상부 코일(122) 내에서는 위로 향하는 자기장이 유도되고, 하부 코일(124) 내에서는 아래로 향하는 자기장이 유도됨으로써, 양방향성 자기장이 형성된다. 양방향성 자기장이 형성됨으로써 자기장 내에서 나선 운동을 하는 전자와 다른 입자간의 충돌 확률이 높아지게 된다. 충돌 확률이 높아지게 됨으로써 플라즈마 밀도가 높아지는 것은 물론이거니와 플라즈마의 균일성이 향상된다.
한편, 플라즈마 균일도 향상을 위해 코일(120)의 길이를 크게 할 필요도 없다. 투-턴 구조의 코일(120)에 의해서도 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 더군다나 보조 챔버(112)에 배치된 코일(150)에 의해 유도되는 자기장에 의해 특히 본 챔버(111)의 가장자리에 발생하는 플라즈마의 밀도를 증가시킬 수 있기 때문이다. 투-턴 코일(120)의 길이를 크게 할 필요가 없으므로 코일 길이 증가에 따른 인덕턴스값의 증가 및 파워 효율이 낮아지는 문제가 해결된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 단방향의 자기장을 유도하는 코일과 전기장의 방향이 서로 반대되도록 고주파를 인가할 수 있는 투-턴 코일 구조로 인해 고밀도의 균일한 플라즈마, 특히 반응챔버의 가장자리에 발생하는 플라즈마의 밀도를 향상시킬 수 있게 된다. 따라서, 고밀도의 균일한 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리 효과가 높아지는 효과가 있다.
또한, 투-턴 코일 구조로 인해 파워 효율을 높일 수 있게 됨으로써 낮은 파워의 인가로써 플라즈마의 대면적화가 용이해지는 효과가 있다. 아울러, 적절한 주파수 및 플라즈마 발생 제어를 통해 최적의 플라즈마 특성 도출이 용이해지면 이에 따른 플라즈마 처리 공정 특성의 조절 능력 제고가 용이해진다는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 반응챔버에 코일이 감긴 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 반응챔버는 적어도 본 챔버와 보조 챔버로 구성된 다층 구조이고,
    상기 코일은 상기 보조 챔버에 배치되어 단방향성 자기장을 유도하는 보조 코일과, 상기 본 챔버에 배치되어 시계 방향으로 전류가 흐르는 제1 코일과 반시계 방향으로 전류가 흐르는 제2 코일이 연결되어 양방향성 자기장을 유도하는 투-턴 코일을 포함하는,
    것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 코일의 전단부는 상기 제2 코일의 후단부와 전원 공급부를 매개로 연결되고, 상기 제1 코일의 후단부는 상기 제2 코일의 전단부와 접지부를 매개로 서로 연결된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전원 공급부는 상기 제1 코일의 전단부와 상기 제2 코일의 후단부에 동시에 플라즈마 소스 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보조 코일과 상기 투-턴 코일은 동일한 주파수의 플라즈마 소스 파워를 인가받거나, 또는 각각 다른 주파수의 플라즈마 소스 파워를 인가받는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보조 챔버는 상기 본 챔버 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보조 코일과 상기 투-턴 코일은 동일한 전원 공급부로부터 파워를 인가받거나, 또는 각각 다른 전원 공급부로부터 파워를 인가받는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  7. 플라즈마 처리가 진행되는 본 챔버와, 상기 본 챔버 위에 배치된 보조 챔버를 포함하는 다층 구조의 반응챔버;
    상기 보조 챔버를 감싸고 단방향성의 자기장을 유도하는 보조 코일;
    상기 본 챔버의 상부를 감싸는 상부 코일과 상기 본 챔버의 하부를 감싸는 하부 코일을 포함하고, 상기 상부 코일의 일단은 상기 하부 코일의 타단과 연결되고 상기 상부 코일의 타단은 상기 상부 코일의 일단에 연결되어 양방향성 자기장을 유도하는 투-턴 코일;
    상기 보조 코일의 일단에 연결되어 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가하는 제1 전원 공급부;
    상기 상부 코일의 일단과 상기 하부 코일의 타단에 고주파 플라즈마 소스 파워를 동시에 인가하는 제2 전원 공급부;
    상기 보조 코일의 타단을 접지시키는 제1 접지부; 및
    상기 상부 코일의 타단과 상기 하부 코일의 일단을 접지시키는 제2 접지부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 상부 코일에 흐르는 원형의 전류 방향과 상기 하부 코일에 흐르는 원형의 전류 방향은 서로 반대인 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 코일 각각은 같은 직경을 가지는 환형 형태이거나 또는 다른 직경을 가지는 환형 형태인 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전원 공급부와 상기 제2 전원 공급부는 각각 상기 보조 코일과 상 기 투-턴 코일에 동일한 주파수의 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가하거나, 또는 각각 다른 주파수의 고주파 플라즈마 소스 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 반응챔버는 원통형이고, 상기 보조 챔버는 상기 본 챔버에 비해 상대적으로 작은 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치.
KR1020050105607A 2005-11-04 2005-11-04 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 KR100737750B1 (ko)

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JP4194164B2 (ja) * 1999-02-16 2008-12-10 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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