KR20070047440A - System and method for manufacturing a flat panel display - Google Patents
System and method for manufacturing a flat panel display Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070047440A KR20070047440A KR1020050104177A KR20050104177A KR20070047440A KR 20070047440 A KR20070047440 A KR 20070047440A KR 1020050104177 A KR1020050104177 A KR 1020050104177A KR 20050104177 A KR20050104177 A KR 20050104177A KR 20070047440 A KR20070047440 A KR 20070047440A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- forming
- cleaning
- carbon dioxide
- section
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1316—Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은, 기판과의 물리적 접촉을 피하면서 기판의 유기 이물과 무기 이물을 동시에 제거할 수 있는 평판 표시 장치의 제조 시스템 및 제조 방법을 제공하는 것이 그 기술적 과제이다. 이를 위해, 본 발명은 이전 공정 라인에서 기판을 반입하는 반입기, 상기 반입기에 의해 반입된 상기 기판을 세정하는 세정기, 그리고 상기 세정기에 의해 세정된 상기 기판을 다음 공정 라인으로 반출하는 반출기를 포함하고, 상기 세정기는, 챔버가 형성된 바디, 그리고 상기 챔버 내에 구비되어 상기 기판을 향해 초임계 상태의 이산화탄소를 분사시키는 분사기를 포함한다.It is a technical object of the present invention to provide a manufacturing system and a manufacturing method of a flat panel display device capable of simultaneously removing organic and inorganic foreign materials on a substrate while avoiding physical contact with the substrate. To this end, the present invention includes an importer carrying a substrate in a previous process line, a scrubber for cleaning the substrate loaded by the importer, and an ejector for carrying the substrate cleaned by the scrubber to a next process line; The scrubber includes a body in which a chamber is formed, and an injector provided in the chamber to inject carbon dioxide in a supercritical state toward the substrate.
평판 표시 장치, 세정, 초임계, 이산화탄소 Flat Panel Display, Cleaning, Supercritical, Carbon Dioxide
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 평판 표시 장치의 제조 시스템의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a manufacturing system of a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 세정기의 구성도이다. 2 is a block diagram of a washing machine according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 평판 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 평판 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flat panel display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
100: 반입기 300: 세정기100: importer 300: washing machine
310: 바디 311: 챔버310: body 311: chamber
330: 분사기 350: 공급기330: injector 350: feeder
500: 건조기 700: 반출기500: dryer 700: ejector
A: 초임계 상태의 이산화탄소A: supercritical carbon dioxide
본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 세정과 관련한 평판 표시 장치의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a flat panel display related to substrate cleaning.
일반적으로, 평판 표시 장치는, 현재 널리 사용되고 있는 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD, liquid crystal display)와 유기 발광 다이오드(OLED, organic light emitting diode) 표시 장치 등 여러 종류가 있다.In general, a flat panel display device is a display device which is widely used at present, and there are various types such as a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED) display device.
이 중, 액정 표시 장치는, 전계 생선 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어진다. 따라서 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시키면서 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표시한다.Among these, the liquid crystal display device consists of two display substrates in which the electric field fish electrode is formed, and the liquid crystal layer inserted between them. Accordingly, an image is displayed by adjusting a transmittance of light passing through the liquid crystal layer while rearranging the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer by applying a voltage to the electrode.
특히, 이러한 액정 표시 장치는 다음과 같은 제조 방법에 의해 제조된다.In particular, such a liquid crystal display device is manufactured by the following manufacturing method.
첫째, 하부 표시 기판에 작업층(예를 들어, 반도체 층 등)을 형성한다.First, a work layer (eg, a semiconductor layer) is formed on the lower display substrate.
둘째, 작업층이 형성된 하부 표시 기판에 액정 물질의 액정 분자를 배향하기 위한 배향막을 도포한다.Second, an alignment layer for orienting liquid crystal molecules of the liquid crystal material is applied to the lower display substrate on which the working layer is formed.
셋째, 하부 표시 기판에 밀봉재를 사용하여 폐각 형상의 틀로 정의된 액티브 영역(active area)을 만든다.Third, an active area defined by a closed-angled frame is formed by using a sealing material on the lower display substrate.
넷째, 두 표시 기판을 진공중에서 어셈블리하고 밀봉재를 경화시킨다.Fourth, the two display substrates are assembled in a vacuum and the sealing material is cured.
특히, 첫째 과정이 수행되는 동안 기판에는 오염물질이 안착되거나 발생될 수 있으므로, 별도의 세정과정을 수행하게 된다.In particular, since the contaminants may be deposited or generated on the substrate during the first process, a separate cleaning process is performed.
이러한 세정과정을 수행하기 위한 종래의 세정장치는, 브러쉬를 이용하여 기 판의 무기 이물(예를들어, 파티클 등)을 제거하는 제1 습식 세정기와, 탈이온수(De-Ionized water, DIW)를 이용하여 기판의 유기 이물을 제거하는 제2 습식 세정기를 포함한다.Conventional cleaning apparatus for performing this cleaning process, the first wet scrubber to remove the inorganic foreign matter (for example, particles, etc.) of the substrate using a brush, and de-ionized water (DIW) And a second wet scrubber to remove organic foreign matter from the substrate.
하지만, 제1 습식 세정기는 브러쉬를 이용하여 물리적으로 기판의 무기 이물을 제거하므로, 기판 표면이 긁힐 수 있다. 나아가, 브러쉬의 계속적인 충격에 의해 기판의 편평도(평평한 정도)가 떨어져 갭(gap)불량이 발생될 수 있다.However, since the first wet cleaner physically removes the inorganic foreign matter from the substrate using a brush, the surface of the substrate may be scratched. Further, the flatness (flatness) of the substrate may be degraded due to the continuous impact of the brush, which may cause gap defects.
또한, 제2 습식 세정기에서 사용되는 탈이온수는 고가이므로, 제조 비용이 많이 소요될 수 있다. In addition, since the deionized water used in the second wet scrubber is expensive, the manufacturing cost may be high.
본 발명은 종래기술에 대한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 기술적 과제는, 기판과의 물리적 접촉을 피하면서 기판의 유기 이물과 무기 이물을 동시에 제거할 수 있는 평판 표시 장치의 제조 시스템 및 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems associated with the prior art, and the technical problem of the present invention is a manufacturing system and a manufacturing system of a flat panel display device capable of simultaneously removing organic and inorganic foreign matter on a substrate while avoiding physical contact with the substrate. To provide a way.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 시스템은, 이전 공정 라인에서 기판을 반입하는 반입기, 상기 반입기에 의해 반입된 상기 기판을 세정하는 세정기, 그리고 상기 세정기에 의해 세정된 상기 기판을 다음 공정 라인으로 반출하는 반출기를 포함하고, 상기 세정기는 챔버가 형성된 바디, 그리고 상기 챔버 내에 구비되어 상기 기판을 향해 초임계 상태의 이산화탄소를 분사시키는 분사기를 포함한다.In order to achieve the above object, a manufacturing system of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention, an importer for loading the substrate in the previous process line, a cleaner for cleaning the substrate carried by the importer, and the cleaner And an ejector for carrying out the substrate cleaned by the following process line, wherein the cleaner includes a body in which a chamber is formed, and an injector provided in the chamber to inject a supercritical carbon dioxide toward the substrate.
또한, 상기 세정기는 상기 바디의 외부에 구비되며, 상기 분사기에 상기 초임계 상태의 이산화탄소를 공급하는 공급기를 더 포함할 수 있다.In addition, the scrubber may be provided on the outside of the body, and may further include a feeder for supplying carbon dioxide in the supercritical state to the injector.
또한, 상기 세정기와 상기 반출기 사이에 구비되며, 상기 세정기에서 세정을 마친 기판을 건조시키는 건조기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a dryer provided between the cleaner and the ejector and drying the substrate having been cleaned by the cleaner.
또한, 상기 기판에는 적어도 하나의 작업층이 증착되고, 상기 세정기는 상기 기판에 상기 적어도 하나의 작업층을 각각 증착하기 전에 세정을 수행하는 것일 수 있다.In addition, at least one working layer may be deposited on the substrate, and the cleaner may perform cleaning before depositing the at least one working layer on the substrate, respectively.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은, 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성하는 단계, 상기 저항성 접촉층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터선을 형성하는 단계, 상기 데이터선 위해 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 위에 상기 드레인 전극과 접촉구를 통해 연결하는 화소전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 각 형성단계 전에 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정하는 단계를 포함한다.Meanwhile, the method of manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a gate line on a substrate, forming a gate insulating layer, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer on the gate line, on the ohmic contact layer. Forming a data line including a source electrode and a drain electrode, forming a passivation film for the data line, forming a pixel electrode connecting the drain electrode and a contact hole on the passivation film, and forming each of the forming steps Prior to cleaning with supercritical carbon dioxide.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은, 상기 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정한 후, 상기 기판을 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing method of the flat panel display device according to an embodiment of the present invention may further include the step of drying the substrate after cleaning using the carbon dioxide in the supercritical state.
또한, 상기 각 형성단계는, 증착단계, 감광막 코팅단계, 현상단계, 식각단계, 그리고 감광막 제거단계를 포함하고, 그리고 상기 세정단계는 상기 증착단계와 상기 감광막 코팅단계 사이의 구간, 상기 감광막 코팅단계와 상기 현상단계 사이의 구간, 상기 현상단계와 상기 식각단계 사이의 구간, 그리고 상기 식각단계와 상기 감광막 제거단계 사이의 구간 중, 적어도 어느 하나의 구간에서 더 수행될 수 있다.In addition, each forming step may include a deposition step, a photoresist coating step, a developing step, an etching step, and a photoresist removal step, and the cleaning step may include a section between the deposition step and the photoresist coating step and the photoresist coating step And at least one of a section between the developing step, a section between the developing step and the etching step, and a section between the etching step and the photoresist removing step.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은, 기판 위에 블랙 매트릭스 막을 형성하는 단계, 상기 블랙 매트릭스 막에 걸쳐서 상기 기판 위해 컬러 필터 막을 형성하는 단계, 상기 컬러 필터 막 위해 오버 코트 막을 형성하는 단계, 상기 오버 코트 막 위해 ITO막을 형성하는 단계, 그리고 상기 각 형성단계 전에 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정하는 단계를 포함한다.Meanwhile, a method of manufacturing a flat panel display device according to another embodiment of the present invention includes forming a black matrix film on a substrate, forming a color filter film for the substrate over the black matrix film, and overcoat the color filter film. Forming a film, forming an ITO film for the overcoat film, and cleaning with carbon dioxide in a supercritical state before each forming step.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은, 상기 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정한 후, 상기 기판을 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing method of the flat panel display device according to another embodiment of the present invention may further include the step of drying the substrate after cleaning using the carbon dioxide in the supercritical state.
또한, 상기 블랙 매트릭스 막 형성 단계 및 상기 컬러 필터 막 형성 단계 각각은, 증착단계, 감광막 코팅단계, 현상단계, 식각단계, 그리고 감광막 제거단계를 포함하고, 그리고 상기 세정단계는 상기 증착단계와 상기 감광막 코팅단계 사이의 구간, 상기 감광막 코팅단계와 상기 현상단계 사이의 구간, 상기 현상단계와 상기 식각단계 사이의 구간, 그리고 상기 식각단계와 상기 감광막 제거단계 사이의 구간 중, 적어도 어느 하나의 구간에서 더 수행될 수 있다.In addition, each of the black matrix film forming step and the color filter film forming step may include a deposition step, a photoresist coating step, a developing step, an etching step, and a photoresist removal step, and the cleaning step includes the deposition step and the photoresist film. At least one of a section between a coating step, a section between the photoresist coating step and the developing step, a section between the developing step and the etching step, and a section between the etching step and the photoresist removing step Can be performed.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 평판 표시 장치의 제조 시스템의 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 세정기의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a manufacturing system of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a configuration diagram of a cleaner according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 시스템은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 반입기(100), 세정기(300), 그리고 반출기(700)를 포함한다.As illustrated in FIGS. 1 and 2, a manufacturing system of a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes an
반입기(100)는 로더(110, loader)와 제1 로봇암(120)을 포함할 수 있다. 로더(110)는 이전 공정 라인에서 공정을 마친 기판(10)을 수용하는 곳으로서, 필요에 따라 다수개의 기판들을 적재할 수 있다. 제1 로봇암(120)은 로더(110)의 기판(10)을 세정기(300)로 이송시키는 장치로서, 컨베이어 타입(conveyer type)으로 대체될 수도 있다.The
반출기(700)는 제2 로봇암(710)와 언로더(720, un-loader)를 포함할 수 있다. 제2 로봇암(710)은 세정기(300)에서 세정을 마친 기판(10)을 언로더(720)로 이송시키는 장치로서, 컨베이어 타입(conveyer type)으로 대체될 수도 있다. 언로더(720)는 제2 로봇암(710)에 의해 이송된 기판(10)을 수용하는 곳으로서, 필요에 다라 다수개의 기판을 적재할 수 있고, 다음 공정 라인으로 옮겨지기 위해 기판(10)을 대기시킨다.The
세정기(300)는, 반입기(100)에 의해 로더(110)로부터 이송된 기판(10)을 세정하는 장치이다.The
이하, 도 1과 도 2를 참조하여, 세정기(300)에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the
세정기(300)는 챔버(311)가 형성된 바디(310)와, 그리고 챔버(311) 내에 구 비되어 기판(10)을 향해 초임계 상태의 이산화탄소(A)를 분사시키는 분사기(330)를 포함한다.The
초임계 상태(Supercritical State)란 기체와 액체의 성질을 두루 가진 물질의 상태를 말한다. 구체적으로, 초임계 상태란 유체를 임계 온도 이상으로 가열하고 임계 압력 이상으로 가압한 상태이다. Supercritical State refers to the state of a substance with both gas and liquid properties. Specifically, the supercritical state is a state in which the fluid is heated above the critical temperature and pressurized above the critical pressure.
초임계 상태의 유체는 밀도를 이상기체에 가까운 희박상태에서부터 액체 밀도에 가까운 고 밀도 상태까지 연속적으로 변화시킬 수 있기 때문에, 유체의 평형 물성(용해도), 전달 물성(점도, 확산계수, 열전도도)뿐만 아니라 분자 클러스터링(clustering) 상태를 조절할 수 있다. 또한, 실험을 통해 기판에 잔류하는 유기 이물이 쉽게 분해되는 것을 알 수 있었다.Supercritical fluids can continuously change their density from lean to near ideal gas to high density near liquid density, so that the fluid's equilibrium (solubility) and transfer properties (viscosity, diffusion coefficient, and thermal conductivity) In addition, molecular clustering can be controlled. In addition, the experiment showed that the organic foreign matter remaining on the substrate is easily decomposed.
구체적으로, 탈이온수(DIW)와 초음파를 이용하여 기판의 유기 이물을 제거한 제1 방식과, 초임계 상태의 유체를 이용하여 기판의 유기 이물을 제거한 제2 방식을 실험을 통해 비교한 바, 제1 방식에서는 세척한 기판에서 약 40nm의 유기 이물들이 관찰되었으나, 제2 방식에서는 유기 이물이 거의 관찰되지 않았다.Specifically, a first method of removing organic foreign material from a substrate using deionized water (DIW) and ultrasonic waves and a second method of removing organic foreign material from a substrate using a supercritical fluid were performed through experiments. In the first method, about 40 nm of organic foreign matters were observed on the washed substrate. In the second method, organic foreign matters were hardly observed.
특히, 이러한 유체 중 이산화탄소는 인체에 무해하고 환경오염에 미치는 영향이 적기 때문에 그의 가치는 다른 유체에 비해 매우 크다고 볼 수 있다. 나아가, 이산화 탄소는 31?? 이상으로 가열하고 73기압 이상으로 가압하게 되면 초임계 상태가 된다.In particular, the carbon dioxide in such a fluid is harmless to the human body and has a low impact on environmental pollution, its value is very large compared to other fluids. Furthermore, carbon dioxide is 31 ?? When heated above and pressurized to 73 atmospheres or more, it becomes supercritical state.
또한, 분사기(330)가 챔버(311)에 있는 기판(10)을 향해 초임계 상태의 이산화탄소(A)를 고압으로 분사하기 때문에, 기판(10)의 표면에 붙어 있는 미세한 파티 클과 같은 무기 이물 또한 함께 제거될 수 있다.In addition, since the
나아가, 세정기(300)는 바디(310)의 외부에 구비되며, 분사기(330)에 초임계 상태의 이산화탄소(A)를 공급하는 공급기(350)를 더 포함할 수 있다.Furthermore, the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 시스템은 세정기(300)와 반출기(700) 사이에 구비되며, 세정기(300)에서 세정을 마친 기판(10)을 건조시키는 건조기(500)를 더 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing system of the flat panel display device according to an embodiment of the present invention is provided between the cleaner 300 and the
또한, 상기 기판(10)에는 적어도 하나의 작업층(미도시)이 증착된다. 예를 들어, 작업층은, 게이트전극 형성층, 게이트 절연막층, 반도체층, 저항성 접촉층, 데이터선 형성층, 보호막층, 그리고 화소전극 형성층 등을 포함한다.In addition, at least one working layer (not shown) is deposited on the substrate 10. For example, the working layer includes a gate electrode forming layer, a gate insulating film layer, a semiconductor layer, an ohmic contact layer, a data line forming layer, a protective film layer, a pixel electrode forming layer, and the like.
그리고 상기 세정기(300)는. 기판(10)에 상술한 층들을 각각 증착하기 전에 세정을 수행하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 오염물이 있는 상태에서 증착을 수행하게 되면, 작업층의 증착이 제대로 이루어지지 않을 뿐만 아니라 궁극적으로 제품의 불량을 초래할 수 있기 때문이다.And the cleaner 300 is. It is preferable to perform cleaning before depositing each of the above-mentioned layers on the substrate 10. This is because if the deposition is performed in the presence of contaminants, not only the deposition of the working layer may be performed properly but also ultimately, the product may be defective.
이하, 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명한다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은 액정 표시 장치 중 하부 기판인 TFT(thin film transistor)기판을 제조하는 방법에 해당될 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3. In particular, the manufacturing method of the flat panel display device according to the exemplary embodiment of the present invention may correspond to a method of manufacturing a thin film transistor (TFT) substrate which is a lower substrate of the liquid crystal display device.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 평판 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
먼저, 세정기(300)를 이용하여 기판(10)을 세정한다(S11). 그리고 기판(10) 위에 게이트선을 형성한다(S13). 특히, 이러한 게이트선은, 증착, 감광막 코팅, 현상, 식각, 그리고 감광막 제거 과정 등을 순서대로 진행하면서 형성된다.First, the substrate 10 is cleaned using the cleaner 300 (S11). A gate line is formed on the substrate 10 (S13). In particular, such a gate line is formed by sequentially performing deposition, photoresist coating, development, etching, and photoresist removal processes.
이후, 감광막 제거 과정 등에서 발생되는 오염물(예를 들어, 파티클 등)을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S15). 그리고 게이트선 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성한다(S17). 특히, 이러한 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층은, 상술한 게이트선 형성 과정과 동일한 과정을 거쳐 형성된다.Subsequently, contaminants (eg, particles, etc.) generated during the photoresist film removal process are cleaned using the cleaner 300 (S15). A gate insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer are formed on the gate line (S17). In particular, the gate insulating film, the semiconductor layer, and the ohmic contact layer are formed through the same process as the above-described gate line forming process.
이후, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성하는 과정에서 발생된 오염물을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S19). 그리고 저항성 접촉층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터선을 형성한다(S21). 특히, 이러한 데이터선은, 상술한 게이트선 형성 과정과 동일한 과정을 거쳐 형성된다.Thereafter, the contaminants generated in the process of forming the gate insulating layer, the semiconductor layer, and the ohmic contact layer are cleaned using the cleaner 300 (S19). In operation S21, a data line including a source electrode and a drain electrode is formed on the ohmic contact layer. In particular, such data lines are formed through the same process as the above-described gate line forming process.
이후, 데이터선 형성과정에서 발생된 오염물을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S23). 그리고 데이터선 위해 보호막을 형성한다(S25). 특히, 이러한 보호막은, 상술한 게이트선 형성 과정과 동일한 과정을 거쳐 형성된다.Thereafter, the contaminants generated in the process of forming the data lines are cleaned using the cleaner 300 (S23). A protective film is formed for the data line (S25). In particular, such a protective film is formed through the same process as the above-described gate line forming process.
이후, 보호막 형성과정에서 발생된 오염물을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S27). 그리고 보호막 위에 상기 드레인 전극과 접촉구를 통해 연결하는 화소 전극을 형성한다(S29). 특히, 이러한 화소전극은, 상술한 게이트선 형성 과정과 동일한 과정을 거쳐 형성된다.Thereafter, the contaminants generated in the protective film formation process are cleaned using the cleaner 300 (S27). In operation S29, a pixel electrode is formed on the passivation layer to connect the drain electrode and the contact hole. In particular, the pixel electrode is formed through the same process as the gate line forming process described above.
특히, 상기 세정기(300)는 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정한다.In particular, the
또한, 상기 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정한 후, 건조기(500)를 이용하여 기판(10)을 건조시킨다.In addition, after washing with carbon dioxide in the supercritical state, the substrate 10 is dried using a
또한, 상술한 각 형성단계는 증착단계, 감광막 코팅단계, 현상단계, 식각단계, 그리고 감광막 제거단계를 포함할 수 있다. 나아가, 증착 과정과 감광막 코팅 과정 사이의 구간, 감광막 코팅 과정과 현상 과정 사이의 구간, 현상 과정과 식각 과정 사이의 구간, 그리고 식각 과정과 감광막 제거 과정 사이의 구간 중, 세정을 필요로 하는 구간에서는 상술한 세정기(300)를 이용하여 세정을 행할 수 있다. In addition, the above-described forming step may include a deposition step, a photoresist coating step, a developing step, an etching step, and a photoresist removal step. Furthermore, in the section between the deposition process and the photoresist coating process, the section between the photoresist coating process and the development process, the section between the development process and the etching process, and the section between the etching process and the photoresist removal process, Cleaning can be performed using the above-described
특히, 세정을 필요로 하는 구간은 오염물 발생량, 공정시간 및 품질 등의 변수를 모두 고려하여 선택된다. 또한, 초임계 상태의 이산화탄소가 이물만을 제거할 수 있도록 분사기의 분사력은 적절하게 조절된다.In particular, the section requiring cleaning is selected in consideration of all variables such as the amount of contaminants generated, the process time and quality. In addition, the injection force of the injector is properly adjusted so that carbon dioxide in the supercritical state can remove only foreign matter.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명한다. 특히, 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은 액정 표시 장치 중 상부 기판인 CF(color filter)기판을 제조하는 방법에 해당될 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing a flat panel display device according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 4. In particular, the manufacturing method of the flat panel display device according to another embodiment of the present invention may correspond to a method of manufacturing a color filter (CF) substrate which is an upper substrate of the liquid crystal display device.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 평판 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flat panel display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
먼저, 세정기(300)를 이용하여 기판(20)을 세정한다(S110). 그리고 기판(20) 위에 블랙 매트릭스 막을 형성한다(S130). 일예로, 이러한 블랙 매트릭스 막은, 증착, 감광막 코팅, 현상, 식각, 그리고 감광막 제거 과정 등을 순서대로 진행하면서 형성될 수 있다.First, the substrate 20 is cleaned using the cleaner 300 (S110). A black matrix film is formed on the substrate 20 (S130). For example, the black matrix film may be formed by sequentially performing deposition, photoresist coating, development, etching, and photoresist removal.
이후, 감광막 제거 과정 등에서 발생되는 오염물(예를 들어, 파티클 등)을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S150). 그리고 블랙 매트릭스 막에 걸쳐서 기판 (20) 위해 컬러 필터 막을 형성한다(S170). 특히, 이러한 컬러 필터 막은 상술한 블랙매트릭스 형성 과정과 동일한 과정을 거쳐 형성될 수 있다.Thereafter, the contaminants (eg, particles, etc.) generated during the photoresist film removal process are cleaned using the cleaner 300 (S150). Then, a color filter film is formed for the substrate 20 over the black matrix film (S170). In particular, the color filter film may be formed through the same process as the above-described black matrix forming process.
이후, 컬러 필터 막을 형성하는 과정에서 발생된 오염물을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S190). 그리고 컬러 필터 막 위해 오버 코트 막을 형성한다(S210). 특히, 이러한 오버 코트 막은, 패턴을 형성할 필요가 없으므로 단지 증착 과정을 거쳐 형성될 수 있다.Thereafter, the contaminants generated in the process of forming the color filter film are cleaned using the cleaner 300 (S190). An overcoat film is formed for the color filter film (S210). In particular, such an overcoat film can be formed only through a deposition process since there is no need to form a pattern.
이후, 오버 코트 막 형성과정에서 발생된 오염물을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S230). 그리고 오버 코트 막 위해 공통 전극인 ITO(indium tin oxide)막을 형성한다(S250). 특히, 이러한 ITO막은 패턴을 요하는 경우에는 상술한 블랙 매트릭스 막 형성 과정과 동일한 과정을 거쳐 형성될 수 있다. 그러나, 패턴을 형성할 필요가 없는 ITO막은 단지 증착 과정을 거쳐 형성될 수 있다.Thereafter, the contaminants generated during the overcoat film formation process are cleaned using the cleaner 300 (S230). An indium tin oxide (ITO) film, which is a common electrode, is formed for the overcoat film (S250). In particular, when the ITO film requires a pattern, the ITO film may be formed through the same process as the above-described black matrix film forming process. However, an ITO film which does not need to form a pattern can be formed only through a deposition process.
이후, ITO막 형성과정에서 발생된 오염물을 세정기(300)를 이용하여 세정한다(S270).Thereafter, the contaminants generated during the ITO film formation process are cleaned using the cleaner 300 (S270).
특히, 상기 세정기(300)는 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정한다.In particular, the
또한, 상기 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하여 세정한 후, 건조기(500)를 이용하여 기판(20)을 건조시킨다.In addition, after washing with carbon dioxide in the supercritical state, the substrate 20 is dried using a
또한, 상술한 블랙 매트릭스 막 형성 단계(S130) 및 컬러 필터 막 형성 단계(S170)는 증착단계, 감광막 코팅단계, 현상단계, 식각단계, 그리고 감광막 제거단계를 포함할 수 있다. 나아가, 증착 과정과 감광막 코팅 과정 사이의 구간, 감광막 코팅 과정과 현상 과정 사이의 구간, 현상 과정과 식각 과정 사이의 구간, 그리 고 식각 과정과 감광막 제거 과정 사이의 구간 중, 세정을 필요로 하는 구간에서는 상술한 세정기(300)를 이용하여 세정을 행할 수 있다. In addition, the above-described black matrix film forming step (S130) and the color filter film forming step (S170) may include a deposition step, a photoresist coating step, a developing step, an etching step, and a photoresist film removing step. Furthermore, the section between the deposition process and the photoresist coating process, the section between the photoresist coating process and the development process, the section between the development process and the etching process, and the section between the etching process and the photoresist removal process, requiring cleaning In the above, cleaning can be performed using the above-described
특히, 세정을 필요로 하는 구간은 오염물 발생량, 공정시간 및 품질 등의 변수를 모두 고려하여 선택된다. 또한, 초임계 상태의 이산화탄소가 이물만을 제거할 수 있도록 분사기의 분사력은 적절하게 조절된다.In particular, the section requiring cleaning is selected in consideration of all variables such as the amount of contaminants generated, the process time and quality. In addition, the injection force of the injector is properly adjusted so that carbon dioxide in the supercritical state can remove only foreign matter.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것이 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
이상에서와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치의 제조 시스템 및 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the manufacturing system and the manufacturing method of the flat panel display according to the embodiment of the present invention has the following effects.
본 발명의 실시예에 의하면, 초임계 상태의 이산화탄소를 이용하는 세정기가 채용됨에 따라, 기판과의 물리적 접촉을 피하면서 기판의 유기 이물과 무기 이물을 동시에 제거할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since a scrubber using carbon dioxide in a supercritical state is employed, organic and inorganic foreign matters on the substrate can be simultaneously removed while avoiding physical contact with the substrate.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 고가의 탈이온수(DIW)를 사용하지 않아도 되므로, 비용을 줄일 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since it is not necessary to use expensive deionized water (DIW), the cost can be reduced.
또한, 본 발명의 실시예에 의면, 작업층들을 각각 증착하기 전에, 초임계 상태의 이산화탄소 세정 등을 하므로, 증착이 제대로 수행되며 제품 불량을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, before each of the working layers are deposited, supercritical carbon dioxide cleaning is performed, so that deposition is performed properly and product defects can be minimized.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050104177A KR20070047440A (en) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | System and method for manufacturing a flat panel display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050104177A KR20070047440A (en) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | System and method for manufacturing a flat panel display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070047440A true KR20070047440A (en) | 2007-05-07 |
Family
ID=38272304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050104177A KR20070047440A (en) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | System and method for manufacturing a flat panel display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070047440A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022172080A (en) * | 2012-06-25 | 2022-11-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | Large area organic solar cell |
-
2005
- 2005-11-02 KR KR1020050104177A patent/KR20070047440A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022172080A (en) * | 2012-06-25 | 2022-11-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | Large area organic solar cell |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7806986B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method using the same | |
KR20070047440A (en) | System and method for manufacturing a flat panel display | |
JP2007047353A (en) | Manufacturing method for electro-optical device, and washing device for electro-optical panel | |
KR20070060713A (en) | Apparatus and method for cleaning a substrate | |
KR20130020069A (en) | In-line apparatus for developing having a cleaning device and method of fabricating liquid crystal display device using thereof | |
KR102009883B1 (en) | Apparatus and method of cleaning display module | |
KR20110080818A (en) | Wafer transfer robot | |
JP4904138B2 (en) | Liquid crystal display panel manufacturing system and liquid crystal display panel manufactured using the same | |
KR102236478B1 (en) | Cleaning apparatus | |
KR20180042884A (en) | Cleaning device for back surface of OLED carrier glass plate before laser lift off process | |
KR102266844B1 (en) | Cleaning apparatus | |
KR102266843B1 (en) | Cleaning apparatus | |
JP4665564B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device | |
KR20060013882A (en) | Plate cleaning apparatus for liquid crystal display device and cleaning method for the same | |
KR101184063B1 (en) | Apparatus For Fabricating Liquid Crystal Display Panel | |
KR100760931B1 (en) | Method for fabricating liquid crystal display panel | |
KR100733878B1 (en) | Apparatus of Strip With slit type nozzle | |
KR20010055632A (en) | Apparatus and Method of Wet Etching | |
KR20040057144A (en) | Apparatus for treating substrate in in-line | |
KR20060000936A (en) | Apparatus and method cleaning of substartes | |
JP4200740B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and cleaning method in liquid crystal display device | |
KR20030071316A (en) | A Method for Removing Extraneous Matters When A Glass Of Liquid Crystal Display Device Is Loading | |
KR101801162B1 (en) | A substrate cleaning apparatus | |
KR20030046057A (en) | Apparatus For Aging Liquid Crystal Panel | |
JPH04221925A (en) | Method and apparatus for producing substrate for liquid crystal display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |