KR20070045090A - 반도체 제조에서 포토리소그래피 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 포토레지스트층을 코팅하는 단계; 및고각 조명법 및 초점 산란 노출법의 조합을 이용하여 상기 기판을 노출시키는 방법을 포함하는 반도체 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 초점 산란 노출법은 기판을 기울이는 단계 또는 기판을 노출시키기 위하여 사용되는 마스크를 기울이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 초점 산란 노출법은 약 30 내지 약 250μrad 사이의 각도로 상기 기판을 기울이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 초점 산란 노출법은 약 120 내지 약 1000mrad 사이의 각도로 상기 마스크를 기울이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고각 조명법은 약 1 시그마(sigma)의 반경을 가진 조명 영역 내에 실질적인 원 영역을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 실질적인 원 영역의 반경은 적어도 약 0.65 시그마인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고각 조명법은,약 1 시그마의 반경을 가진 조명 영역 내에 형성된 제1 실질적인 원 영역을 형성하는 단계; 및상기 조명 영역 내에 상기 제1 실질적인 원 영역에 바로 인접한 제2 실질적인 원환형 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 실질적인 원 영역의 반경은 적어도 약 0.2 시그마인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제2 영역의 내부 반경은 적어도 약 0.2 시그마이고, 상기 제2 영역의 외부 반경은 적어도 약 0.7 시그마인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고각 조명법은,약 1 시그마의 반경을 가진 조명 영역 내에 제1 실질적인 원 영역을 형성시키는 단계;상기 조명 영역 내에 상기 제1 실질적인 원 영역과 바로 인접한 제2 실질적인 원환형 영역을 형성시키는 단계; 및상기 조명 영역 내에 상기 제1 실질적인 원 영역과 인접하지 않은 제3 실질적인 원환형 영역을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 제1 실질적인 원 영역의 반경은 적어도 약 0.2 시그마이고,상기 제2 실질적인 원환형 영역은 약 0%의 광 전송률을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제3 영역의 내부 반경은 약 0.2 시그마보다 크고, 상기 제3 영역의 외부 반경은 적어도 약 0.7 시그마인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고각 조명법은,조명 영역 내의 제1 실질적인 원 영역을 형성하는 단계; 및상기 조명 영역 내에 상기 제1 영역의 주변을 둘러싸는 다수의 제2 영역들을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 제1 실질적인 원 영역의 반경은 적어도 약 0.2 시그마인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제2 영역의 내부 반경은 적어도 약 0.2 시그마이고, 상기 제2 영역의 외부 반경은 적어도 약 0.7 시그마인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 노출은 습식 리소그래피 또는 건식 리소그래피를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 웨이퍼를 노출시키기 위하여 광원에 의해 제공된 조명;대략적으로 약 0.2 시그마 내지 약 0.7 시그마 사이의 반경을 가진 실질적인 원 영역;포토리소그래피 공정 내에서 상기 웨이퍼 및/또는 마스크를 기울일 수 있는 제어 시스템을 포함하고,상기 실질적인 원 영역 내의 광 전송률은 약 0% 내지 약 100% 사이인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 포토리소그래피 시스템.
- 제 13 항에 있어서,상기 실질적인 원 영역 내의 광 전송률은 약 20% 내지 약 100% 사이이고, 상 기 광원의 파장은 250㎚보다 작은 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 시스템.
- 반도체 기판 상에 포토레지스트층을 코팅하는 단계;노출 시스템에 사용되는 마스크에 상대적인 각으로 상기 기판을 기울이는 단계;상기 노출 시스템의 조명 영역 내에 원을 필터링하는 단계; 및상기 노출 시스템을 사용하여 상기 포토레지스트층 상의 패턴을 노출시키는 단계를 포함하는 반도체 기판의 패터닝 방법.
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