CN1955847A - 用于半导体微影制程的系统与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。

Description

用于半导体微影制程的系统与方法
技术领域
本发明涉及一种制造半导体元件的方法，特别是涉及一种应用在半导体制造上的光微影制程。
背景技术
当半导体工业开始发展，光微影就被用来形成积体电路中的元件。也因为光微影技术的不断进步，尤其是曝光辐射波长一直降低，所以单一晶片上面可以放置的元件密度也持续增加。只要电路元件的关键尺寸大于用来曝光光阻的辐射波长，技术上也就不会要求在光罩特性上有任何重大的改变。
但是，当成像的辐射波长大于关键尺寸时，一直都存在的绕射效应在此时就变得非常明显，导致投影影像的严重失真。尤其是各种特殊影像样式之间的距离，会特别容易受到这种失真的影响，而此现象通常被称为邻近效应(proximity effects)。
当波长接近电路尺寸时，光微影还会遇到的另一个焦点深度(depth offocus；DOF)的问题。当焦点深度小于要被曝光的光阻厚度时，影像的锐利度便会丧失。在实做上，因为绕射效应的影响，所得到的影像通常变成一个模糊圆(blurred circle)。
当解析度较不重要的时候，可将入射光限制于透镜的中央处来增加焦点深度，如此减少光锥角度而使被聚焦光在离开模糊圆之前可有更深的行进距离。然而，当解析度也变为需要考虑的条件时，这个方法就无法再被接受。
传统上，增加焦点深度的方法是同时聚焦密集填充和隔离接触洞。但是，密集填充接触洞的焦点深度的增加却也导致降低了隔离接触洞的焦点深度，因此经常会得到没有聚焦的影像。举例来说，为了平衡密集填充以及隔离接触洞各自的焦点深度，先前习知的技术是利用传统的照明方法来多重或是连续曝光以增加焦点深度。然而这种方法会导致密集洞的焦点深度不足。
因此，需要改良现有的微影系统与方法来得到更好的结果。
由此可见，上述现有的微影系统与方法在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的微影系统与方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的微影系统与方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的用于半导体微影系统与方法，能够改进一般现有的微影系统与方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的微影系统与方法存在的缺陷，而提供一种新的用于半导体微影系统与方法，所要解决的技术问题是使其提供一种改良的微影系统方法来降低邻近效应，并增加焦点深度，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体制造方法，其特征在于该制造方法包含：提供一基材；覆盖一光阻层于该基材之上；以及利用高角度照明方法以及焦点漂移曝光方法的组合曝光该基材。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体制造方法，其中所述的焦点漂移曝光方法包含倾斜该基材，或倾斜用以曝光该基材的一光罩。
前述的半导体制造方法，于其中所述的焦点漂移曝光方法包含倾斜该基材角度约30到约250微径度之间。
前述的半导体制造方法，其中所述的焦点漂移曝光方法包含倾斜该光罩角度约120到约1000毫径度之间。
前述的半导体制造方法，其中所述的高角度照明方法包含在一半径约1西格马的照明区域内形成一实质圆形区域，其中该实质圆形区域的半径最少约0.65西格马。
前述的半导体制造方法，其中所述的高角度照明方法包含：在一半径约1西格马的照明区域内形成一第一实质圆形区域，其中该第一实质圆形区域的半径最少约0.2西格马；以及在该照明区域之内形成一第二实质圆环状区域并直接相邻于该第一实质圆形区域。
前述的半导体制造方法，其中所述的第二实质圆环状区域的一内部半径最少约0.2西格马，其中该第二实质圆环状区域的一外部半径最少约0.7西格马。
前述的半导体制造方法，其中所述的高角度照明方法包含：在一半径约1西格马的照明区域内形成一第一实质圆形区域，其中该第一实质圆形区域的半径最少约0.2西格马，以及在该照明区域之内形成一第二实质圆环状区域并直接相邻于该第一实质圆形区域，其中该第二实质圆环状区域的一光穿透率约为0％；以及在该照明区域内形成一第三实质圆环状区域且没有相邻于该第一实质圆形区域。
前述的半导体制造方法，其中所述的该第三实质圆环状区域的一内部半径大于约0.2西格马以及其中该第三实质圆环状区域的一外部半径最少约0.7西格马。
前述的半导体制造方法，其中所述的高角度照明方法包含：在一照明区域内形成一第一实质圆形区域，其中该第一实质圆形区域的一半径于最少约0.2西格马，以及在照明范围之内顺着该第一实质圆形区域的圆周形成复数个第二区域。
前述的半导体制造方法，其中所述的第二区域的一内部半径最少约0.2西格马，其中该第二区域的一外部半径于最少约0.7西格马。
前述的半导体制造方法，其中所述的曝光是使用湿式微影制程或干式微影制程。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一半导体晶圆光微影系统包含：一照明区域是由一光源所提供，其中该光源是用以曝光一晶圆；一实质圆形区域，位于该照明区域内，该实质圆形区域的一半径大约在约0.2到约0.7西格马之间，其中该实质圆形区域的一光穿透率约0％到约100％之间；以及一控制装置，用以让微影过程中的该晶圆和/或一光罩倾斜一角度。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体晶圆光微影系统，其中所述的实质圆形区域的该光穿透率约20％到约100％之间，且该光源波长至少小于250纳米。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种形成图案于一半导体基材上的方法包含：覆盖一光阻层于该半导体基材之上；倾斜该基材至一角度相对于一曝光系统内的一光罩；在曝光系统内的一照明区域中过滤出一圆形区域；以及使用该曝光系统曝光一图案于该光阻层上。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：
为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体制造方法，根据本发明的一较佳实施例，此半导体制造方法包含提供一基材，并覆盖一光阻层于基材之上，以及利用高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的组合来曝光基材。
另外，为了达到上述目的，本发明另提供了一种光微影系统，根据本发明的另一较佳实施例，此光微影系统是供用于半导体的晶圆制程中，此系统包含一光罩以及由一光源所提供的一照明区域，且此光源是用以曝光晶圆。照明区域包含一实质圆形区域，其半径大约在约0.2到约0.7西格马之间。此实质圆形区域的光穿透率约0％到约100％之间。一光罩是用以投影影像到晶圆之上，且光罩与晶圆之中至少一个必须被倾斜。
再者，为了达到上述目的，本发明还提供了一种形成图案于一半导体基材上的方法，根据本发明的另一较佳实施例，形成图案于一半导体基材上的方法包含覆盖一光阻层于该半导体基材之上，倾斜该基材至一角度相对于一曝光系统内的一光罩，在曝光系统内的一照明区域中过滤出一圆形区域，以及使用曝光系统曝光一图案于光阻层上。
借由上述技术方案，本发明用于半导体微影制程的系统与方法至少具有下列优点：利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。
综上所述，本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构、加工方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的微影系统与方法具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的光微影方式流程图，用来说明本发明一或多个实施例。
图2是绘示依照本发明的整个光微影系统图，用来说明本发明一或多个实施例。
图3到图6是绘示本发明的光微影系统的照明区域，用来说明本发明一或多个实施例。
图7是绘示第2图光微影系统中所选出的一小部份，用来说明本发明一或多个实施例。
图8是绘示第2图光微影系统中所选出的一小部份，用来说明本发明一或多个实施例。
图9是绘示一晶圆，用来说明本发明一或多个实施例。
10：光微影方法                         12：步骤
14：步骤                               16：步骤
20：微影系统                           21：光源
22：聚光透镜                           23：光线
24：光罩                               25：光线
26：投影镜                             27：光线
28：晶圆                               29：半径
30：照明区域                           31：半径
32：半径                               33：半径
34：半径                               35：照明区域
36：半径                               37：半径
38：半径                               40：照明区域
41：半径                               42：半径
44：半径                               46：角度
48：照明区域                           50a：图案
50b：图案                              52：角度
54：角度                               110：基材
114：介电层                            120：抗反射覆盖层
122：光阻层                            C1：实质圆形区域
C2：第一实质圆形区域                   A2：第二相邻圆环状区域
C3：第一实质圆形区域                   A3：圆环状区域
B3：第二圆环状区域                     A4：第二区域
C4：第一实质圆形区域
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的用于半导体微影制程的系统与方法其具体实施方式、结构、加工方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
接下来所要揭露的发明会提供许多不同的实施例，或者是本发明用于不同结构上的例子。特定的构成样品，以及设计过的部份，将在下面叙述使得本发明容易了解。当然，这些实施例并非用以限定本发明。另外，本发明在各个实施例里面会重复一些参考数字或者名词，这是为了简化并清楚的了解本发明，并非特别指明各实施例或各结构讨论之间有任何连接关系。此外，以下描述中关于第一特征形成于第二特征的上方或是形成在第二特征上的情形，应包含了第一特征与第二特征两者是直接接触形成，以及第一特征与第二特征之间具有额外特征而使第一特征与第二特征并非直接接触形成等实施例。
本发明提供一种新的微影方式，此微影方式使用了高角度照明方法及焦点漂移曝光方法两者的组合。高角度照明方法包含偏轴式照明，将在下面用图3-6作更详细的描述。焦点漂移曝光方法包含多重曝光及/或倾斜晶圆/光罩并使用干蚀刻或湿蚀刻制程，这些也将在下面有更进一步叙述。请参照第1图，其绘示一简单的光微影方法10用于本发明一个或多个实施例中。本方法一开始的步骤12为提供一个有覆盖光阻剂的基材。接着步骤14为提供一个光罩来曝光晶圆。最后，方法10的步骤16为利用结合高角度照明方法与焦点漂移曝光方式来曝光晶圆。
方法10可以应用在工业上的各种半导体元件，像是记忆体元件(包含静态随机存取记忆体(SRAM)等)，逻辑元件(包含金属氧化半导体场效应电晶体(MOSFET)等)，以及其他元件。方法10由步骤12开始，此步骤12是提供一晶圆。
请参阅图2，方法10步骤12中所使用的晶圆28可以图解为微影系统20的简单一小部份。在这个实施例里，一个光源21发出光线23，被一个聚光透镜22所聚光。光源所使用的波长小于250纳米，在本发明的实施例里约248纳米、193纳米或者157纳米。具有图案的光罩24被光线27均匀地照射。在经过光罩24之后，光线25被投影镜26聚焦成为影像投影在晶圆28上。
因为微影系统20已经在现有习知技术中被使用，在这个文件中许多部份因此不会被进一步的叙述。
依照方法10的步骤16，晶圆28利用一种组合高角度照明方法以及焦点漂移曝光方法来曝光，各方法将在下面被详细地说明。
现在将更进一步说明高角度照明方法。在一实施例里，光源21可用一些现有习知的方法来作调整，以形成如图3-6所示的高角度照明。
请参阅图3，在一实施例里，一实质圆形区域C1被形成在半径29为约1西格马的照明区域30内。实质圆形区域C1的半径31大约最少0.65西格马，可使用滤光器或者其他元件来呈现此实质圆形区域C1，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。
请参阅图4，在另一实施例里，第一实质圆形区域C2与相邻于第一实质圆形区域C2的第二相邻圆环状区域A2，都被形成在半径33为约1西格马的照明区域35内。第一实质圆形区域C2的半径32大约最少0.2西格马，可使用滤光器或者其他元件来呈现此实质圆形区域C2，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。第二相邻圆环状区域A2拥有最少约0.2西格马的内部半径32，以及拥有最少约0.7西格马的外部半径34，可使用滤光器或者其他元件来呈现此第二相邻圆环状区域A2，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。
请参阅图5，在另一实施例里，第一实质圆形区域C3以及两个圆环状区域(A3和一第二圆环状区域B3)皆形成在半径37为约1西格马的照明区域40内。第一实质圆形区域C3的半径36大约最少0.2西格马，可使用滤光器或者其他元件来呈现此第一实质圆形区域C3，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。
第二圆环状区域B3相邻于第一实质圆形区域C3。圆环状区域A3并没有与第一实质圆形区域C3相邻。圆环状区域A3拥有大于约0.2西格马的内部半径38，以及拥有约最少0.7西格马的外部半径41。圆环状区域A3可使用滤光器或者其他元件来呈现，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。这里注意到，在圆环状区域A3与第一实质圆形区域C3之间的第二圆环状区域B3有一光穿透率约0％。
请参阅图6，在这一个例子里，第一实质圆形区域C4以及复数个围绕于第一实质圆形区域C4周长的第二区域A4是形成于照明区域48内。第一实质圆形区域C4的半径42大约最少0.2西格马，可使用滤光器或者其他元件来呈现此第一实质圆形区域C4，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。
各个第二区域A4可能完全相似或者有所不同，也可能仅有一个第二区域A4。在这个例子里面至少一个第二区域A4有最少约0.2西格马的内部半径42，以及有最少约0.7西格马的外部半径44。要注意到至少一个第二区域A4可使用滤光器或者其他元件来呈现，而且可以控制光穿透率大约在0％到100％之间。在这个较佳实施例中，光穿透率约在20％到100％之间。在一实施例里，角度46最少约30度。
接下来将进一步说明焦点漂移曝光方法。请参阅图7，在一实施例里，基材28会被控制装置倾斜一个角度52，这个角度约30到约250微径度(urad)之间，是用以曝光基材28。如图所示，一图案50a会从光罩形成一相同的图案50b在晶圆28上。
请参阅图8，在另一个实施例里，光罩24为覆盖一层高精确度电子电路微影像的薄板，此光罩24可包含各种物质，像是石英(quartz)、碱石灰(soda lime)、白冠(white crown)，或者是其他物质。一般来说，光罩24的一面会包含一铬层，电子电路(通常被称为几何图案)可以被蚀刻到铬层上。光罩24的厚度可以为现有习知技术的任何适当厚度。在一实施例里，光罩24可被控制装置倾斜一角度54，约120到约1000毫径度(mrad)之间，是用以曝光基材28。在同一个曝光过程里，光罩24与基材28两者都可以被倾斜。
在改进过的实施例里，焦点漂移曝光方法可包含最少两种曝光方式，可为使用独立或者结合图7及/或图8的结构。这多重曝光方法可利用扫描或静态方法，或者是其他现有习知技术的方法来完成。在一实施例里，第一以及第二曝光的焦点范围可大概在约0.1mm到0.6mm之间。在第二实施例里，多重曝光的焦点差异在约0.1mm到0.4mm之间。然而，要注意到的是其他的焦点范围或差异也在先前习知技术中有所讨论。由于多重曝光为现有习知技术，在这里不作进一步讨论。
请参阅图9，为了特殊目的的实施例，图2中的晶圆28可被扩充包含一基材110、一介电层114、一抗反射覆盖层120，以及一光阻层122。
基材110可包含一个或多个非导体、导体，或是半导体层。例如基材110可包含一基本半导体，像是单晶硅、多晶硅、非晶硅，或者锗；一化合物半导体，像是碳化硅，或者砷化镓；一合金半导体，像是硅锗(SiGe)、磷化砷镓(GaAsP)、砷化铟铝(AlInAs)、砷化铝镓(AlGaAs)，以及磷化铟镓(GaInP)。更进一步，基材110可以包含一块状半导体，像是块状硅，而块状半导体也可包含一磊晶硅层。这或可包含一绝缘层上覆盖半导体基材，像是绝缘层上覆硅(Silicon-on-insulator SOI)基材，或者一薄膜电晶体(thin-film transistor TFT)基材。基材110也可包含一复合硅结构或者一多层化合物半导体结构。
介电层114可沉积在基材110表面之上。介电层114可由化学气相沉积(chemical vapor deposition CVD)，电浆加强式CVD(PECVD)，原子层沉积(atomic layer deposition ALD)，物理气相沉积(physical vapordeposition PVD)，旋涂覆盖(spin-on coating)或者其他方式来形成。介电层114可为一内金属介电层(inter-metal dielectric-IMD)，以及可包含低介电材料(low-k materials)、二氧化硅、聚亚酰胺(polyimide)、旋涂玻璃(spin-on-glass)、氟硅玻璃(fluoride-doped silicate glass FSG)、黑钻石(加州，圣克拉拉，应用材料的产品)、干凝胶、气凝胶、非晶氟化碳，以及其他材料。
抗反射覆盖层120可利用多样的技术来沉积在介电层114上，包含旋涂覆盖、PVD、CVD，或者其他制程。在另一实施例中，抗反射覆盖层120可以利用双抗反射覆盖层接近(dual ARC approach)来形成，例如一旋涂抗反射覆盖层薄膜被涂布在另一CVD抗反射覆盖层薄膜上。在此实施例中，抗反射覆盖层120为一底抗反射层(bottom anti-reflective coating-BARC)，厚度在10nm到150nm之间。
在此实施例中，抗反射覆盖层120吸收了一部份穿透底部光阻层的光(图上无标示)。为了做到光的吸收，抗反射覆盖层120可包含拥有高消光系数的物质，或者是设计过的厚度。但是，拥有高消光系数的抗反射覆盖层120会导致抗反射覆盖层有高反射率，这样反而使抗反射覆盖层120效率降低。所以抗反射覆盖层120需控制高消光系数在约0.2到约0.5之间，以及可控制厚度约200nm。然而，还有其他的高消光系数范围以及厚度已经在现有习知技术里被讨论过。
另一个折射率匹配方法也可以运用在抗反射覆盖层120上。当利用这种方法时，抗反射覆盖层120包含折射率及厚度匹配于光线的物质。在运作的时候，一旦光照射到抗反射覆盖层120时，部份的光会由抗反射覆盖层120被反射出来。同时，另一部份照射到抗反射覆盖层120的光，被转换成另一道与第一部份的光之间具有相位差的光，如此造成与第一部份由抗反射覆盖层120反射出来的光互相干涉，因而降低了光的反射。
抗反射覆盖层120可以同时利用光线吸收以及折射率匹配方法来达到想要的结果。在某些情形下，抗反射覆盖层120可以简单地留在介电层114之上并且当作晶圆28的扩散障碍，因为要移除抗反射覆盖层120并不是很容易的事情。
光阻层122可以利用旋涂覆盖或者其他制程来沉积在抗反射覆盖层120之上。在实作中，一光阻溶液被涂布在部份晶圆表面上，接着晶圆28开始被旋转直到该光阻溶液几乎干掉。在一实施例里，光阻层112可以是一利用酸催化剂的化学放大型阻剂(chemically amplified resist)。在那个实施例里，可将酸敏感性聚合物分解于一铸膜液(casting solution)来形成光阻层。
在将光阻层122沉积后，晶圆28要经过干烤(现有习知技术)以及曝光过程(先前在方法10以说明)。
接下来的步骤为采用其他的方法来形成完整的半导体元件。因为这已经是现有习知技术，所以不在这里作进一步说明。
要注意的是之前讨论了许多不同的变化实施例。在第一实施例中，方法10可适用于最少形成一条线的图案。在第二实施例中，方法10可适用于最少形成一洞的图案。在第三实施例中，方法10可适用于包含密集以及隔离结构图案。在第四实施例中，方法10可适用于包含密集结构图案。在第五实施例中，方法10可被使用于一非镶嵌、镶嵌或者双镶嵌制程。因此，此技术可以应用在多种变化的形式。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1、一种半导体制造方法，其特征在于该制造方法包含：
提供一基材；
覆盖一光阻层于该基材之上；以及
利用高角度照明方法以及焦点漂移曝光方法的组合曝光该基材。
2、根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的焦点漂移曝光方法包含倾斜该基材，或倾斜用以曝光该基材的一光罩。
3、根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的焦点漂移曝光方法包含倾斜该基材角度约30到约250微径度之间。
4、根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的焦点漂移曝光方法包含倾斜该光罩角度约120到约1000毫径度之间。
5、根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的高角度照明方法包含在一半径约1西格马的照明区域内形成一实质圆形区域，其中该实质圆形区域的半径最少约0.65西格马。
6、根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的高角度照明方法包含：
在一半径约1西格马的照明区域内形成一第一实质圆形区域，其中该第一实质圆形区域的半径最少约0.2西格马；以及
在该照明区域之内形成一第二实质圆环状区域并直接相邻于该第一实质圆形区域。
7、根据权利要求6所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的第二实质圆环状区域的一内部半径最少约0.2西格马，其中该第二实质圆环状区域的一外部半径最少约0.7西格马。
8、根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的高角度照明方法包含：
在一半径约1西格马的照明区域内形成一第一实质圆形区域，其中该第一实质圆形区域的半径最少约0.2西格马，以及
在该照明区域之内形成一第二实质圆环状区域并直接相邻于该第一实质圆形区域，其中该第二实质圆环状区域的一光穿透率约为0％；以及
在该照明区域内形成一第三实质圆环状区域且没有相邻于该第一实质圆形区域。
9、根据权利要求8所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的该第三实质圆环状区域的一内部半径大于约0.2西格马以及其中该第三实质圆环状区域的一外部半径最少约0.7西格马。
10、根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的高角度照明方法包含：
在一照明区域内形成一第一实质圆形区域，其中该第一实质圆形区域的一半径于最少约0.2西格马，以及
在照明范围之内顺着该第一实质圆形区域的圆周形成复数个第二区域。
11、根据权利要求10所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的第二区域的一内部半径最少约0.2西格马，其中该第二区域的一外部半径于最少约0.7西格马。
12、根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于其中所述的曝光是使用湿式微影制程或干式微影制程。
13、一半导体晶圆光微影系统包含：
一照明区域是由一光源所提供，其中该光源是用以曝光一晶圆；
一实质圆形区域，位于该照明区域内，该实质圆形区域的一半径大约在约0.2到约0.7西格马之间，其中该实质圆形区域的一光穿透率约0％到约100％之间；以及
一控制装置，用以让微影过程中的该晶圆和/或一光罩倾斜一角度。
14、根据权利要求13所述的半导体晶圆光微影系统，其特征在于其中所述的实质圆形区域的该光穿透率约20％到约100％之间，且该光源波长至少小于250纳米。
15、一种形成图案于一半导体基材上的方法包含：
覆盖一光阻层于该半导体基材之上；
倾斜该基材至一角度相对于一曝光系统内的一光罩；
在曝光系统内的一照明区域中过滤出一圆形区域；以及
使用该曝光系统曝光一图案于该光阻层上。
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