CN117250822A - Euv光掩模及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的第一多层、设置在第一多层上的第二吸收体层、以及设置在第二吸收体层之上的第二多层，该第二多层为反射掩模的最上层。
Description
技术领域
本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进展产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。然而，这些进展增加了加工和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进展，需要在IC加工和制造方面进行类似的发展。在IC演进的过程中，功能密度(即每芯片面积互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以创建的最小组件)减少。
在与光刻图案化相关联的一个示例中，用于光刻工艺的光掩模(或掩模)被限定有将转移到晶圆的电路图案。在先进的光刻技术中，极紫外(EUV)光刻工艺与反射掩模一起使用。EUV光刻工艺中需要解决的问题之一是邻近效应，其中曝光区域的角落部分被多次曝光。
发明内容
根据本公开的一方面，提供了一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的第一调整层、所述第一调整层上的第二吸收层、所述第二吸收层上的第二调整层、所述第二调整层上的第三吸收层、所述第三吸收层上的第四吸收层、以及所述第四吸收层上的硬掩模层；对所述光刻胶层进行图案化；通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模对所述硬掩模层进行图案化；执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第四吸收层、所述第三吸收层和所述第二调整层进行图案化；执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层作为蚀刻掩模来对所述第一调整层、所述第二吸收层和所述第一吸收层进行图案化；以及去除经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层。
根据本公开的一方面，提供了一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的调整层、所述调整层上的第二吸收层、以及所述第二吸收层上的硬掩模层；对所述光刻胶层进行图案化；通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模来对所述硬掩模层进行图案化；执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第二吸收层进行图案化；执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第二吸收层作为蚀刻掩模来对所述调整层和所述第一吸收层进行图案化；通过去除所述第二吸收层和所述调整层的一部分来形成由所述第一吸收层组成的吸收体图案，其中，黑色边缘区域包括所述第一吸收层、所述调整层和所述第二吸收层。
根据本公开的一方面，提供了一种反射掩模，包括：衬底；反射多层，设置在所述衬底上；帽盖层，设置在所述反射多层上；第一吸收体层，设置在所述帽盖层上；第一多层，设置在所述第一吸收体层之上；第二吸收体层，设置在所述第一多层上；以及第二多层，设置在所述第二吸收体层之上，所述第二多层为所述反射掩模的最上层。
附图说明
当与附图一起阅读时，可以从以下详细描述最佳地理解本公开的各个方面。应注意，根据行业标准惯例，各种特征并未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚性，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1、图2、图3、图4、图5A、图5B、图5C、图5D、图6A和图6B示出了根据一些实施例的用于制造光掩模的工艺的各个阶段的截面图。
图7、图8、图9、图10和图11A示出了根据一些实施例的用于制造光掩模的工艺的各个阶段的截面图，并且图11B示出了根据一些实施例的用于制造光掩模的工艺的各个阶段的平面图。
图12、图13、图14、图15、图16A、图16B、图16C和图17示出了根据一些实施例的用于制造光掩模的工艺的各个阶段的截面图。
图18、图19、图20和图21示出了根据一些实施例的用于制造光掩模的工艺的各个阶段的截面图。
图22A和图22B示出了根据一些实施例的光掩模的截面图。
图23A示出了根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的流程图，以及图23B、图23C、图23D和图23E示出了根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的顺序制造操作。
具体实施方式
以下公开内容提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下面描述了组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅是示例并且不旨在进行限制。例如，在下面的描述中，在第二特征上或之上形成第一特征包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。本公开可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外，为了便于描述，本文可以使用诸如“下方”、“之下”、“低于”、“之上”、“上方”等之类空间相关术语来描述如图所示的一个元素或特征与另外(一个或多个)元素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相对术语旨在涵盖器件在使用或操作中除了图中描绘的方向之外的不同方向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，并且本文使用的空间相对描述符同样可以相应地解释。
图1-图6B是根据一些实施例的制造光掩模(标线)的工艺的各个阶段的截面图。可以理解，可以在图1-图6B所示的工艺之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于该方法的额外实施例，可以替换或消除下面描述的一些操作。操作/工艺的顺序可以互换。
在一些实施例中，光掩模是极紫外(EUV)光掩模。EUV光刻工艺利用反射光掩模而不是透射光掩模。EUV光刻工艺利用发射极紫外(EUV)区域的光(具有极紫外波长的光，例如，10-15nm)的EUV扫描仪。在一些实施例中，EUV源产生波长为约13.6nm的EUV。一些EUV扫描仪可以使用反射光学器件(即反射镜)并在真空环境中工作。EUV扫描仪可以在反射光掩模上所形成的吸收层(例如，“EUV”光掩模吸收体)上提供所需的图案。在EUV范围内，所有的掩模材料都是高度吸收的。因此，使用反射光学器件而不是折射光学器件。
在一些实施例中，用于制造光掩模的工艺包括坯件(blank)光掩模制造工艺和光掩模图案化工艺。在坯件光掩模制造工艺期间，通过在合适的衬底上沉积合适的层(例如，反射多层、帽盖层和吸收层)形成坯件光掩模。坯件光掩模在光掩模图案化工艺期间被图案化，以具有集成电路(IC)的层设计。然后，经图案化的光掩模被用于将电路图案(例如，IC的层设计)转移到半导体晶圆上。光掩模上的图案可以通过各种光刻工艺而反复转移到多个晶圆上。若干光掩模(例如，一组15至30个光掩模)可用于构建完整IC。一般来说，各种光掩模被制造用于各种光刻工艺。EUV光掩模的类型可以包括二元强度掩模(BIM)类型和相移掩模(PSM)类型。
如图1所示，接收掩模衬底，例如，坯件光掩模250。坯件光掩模250包括光掩模衬底200，该光掩模衬底200具有前侧表面201以及与前侧表面201相对的背侧表面203。掩模衬底200由合适的材料制成，例如，在一些实施实施例中为低热膨胀材料(LTEM)或熔融石英。在一些实施例中，LTEM包括掺杂有TiO2的SiO2，或另一种合适的具有低热膨胀的材料。掩模衬底200可以用于最小化由于掩模加热而造成的图像失真。此外，掩模衬底200可以包括具有低缺陷水平和光滑表面的材料。
如图1所示，在掩模衬底200的与掩模衬底200的前侧表面201相对的背侧表面203之上形成导电层218。导电层218设置在掩模衬底200的背侧表面203上以用于静电夹持(electrostatic chucking)目的。在一些实施例中，导电层218包括硼化钽(TaB)或氮化铬(CrN)，但其他合适的组分是可能的。
如图1所示，第一反射多层(ML)206通过沉积工艺而形成在掩模衬底200的前侧表面201之上。根据菲涅尔(Fresnel)方程，当光传播穿过两种不同折射率的材料之间的界面时发生光反射。各层的折射率之间的差异越大，则反射光在层间传播时的强度就越高。为了提高反射光的强度，在一些实施例中，可以使用多层交替材料来增加界面的数量，以便使从每个不同的界面反射的光发生相长干涉。在一些实施例中，第一反射ML 206包括多个膜对(例如，在每个膜对中，第一层在第二层之上或之下)，例如，钼-硅(Mo/Si)膜对。在一些其他实施例中，第一反射ML 206可以包括钼-铍(Mo/Be)膜对，或其他可配置为反射EUV光的合适材料。第一反射ML 206的特性被选择为使得它对所选择的电磁辐射类型/波长提供高反射率。例如，为了EUV光刻的目的，第一反射ML 206可以被设计为反射EUV范围内的光。第一反射ML 206的每一层的厚度取决于EUV波长和入射角。具体地，第一反射ML 206的厚度(以及膜对的厚度)被调整以实现在每个界面处衍射的EUV光的最大相长干涉、以及EUV光的最小吸收。在一些实施例中，第一反射ML 206中的膜对的数量在约20到约80的范围内。然而，可以使用任何数量的膜对。例如，第一反射ML 206可以包括四十对Mo/Si层。例如，每个Mo/Si膜对的厚度为约7nm，并且第一反射ML 206的总厚度为280nm。在一些实施例中，每个Mo/Si膜对中的第一层(例如，Si层)的厚度为约4nm。此外，在一些实施例中，每个Mo/Si膜对中的第二层(例如，Mo层)的厚度为约3nm。在这种情况下，实现了约70％的反射率。
在一些实施例中，第一反射ML 206可以通过各种沉积工艺形成。沉积工艺的示例包括物理气相沉积(PVD)工艺，例如，蒸镀和DC磁控溅射；镀覆工艺，例如，无电极镀或电镀；化学气相沉积(CVD)工艺，例如，大气压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)或高密度等离子体CVD(HDP CVD)；离子束沉积；旋涂；金属有机物分解(MOD)；以及本领域内已知的其他方法。MOD是在非真空环境下使用基于液体的方法的沉积技术。通过使用MOD，溶解在溶剂中的金属有机前体被旋涂到衬底上，并且溶剂被蒸发。使用真空紫外线(VUV)源将金属有机前体转化为其组成金属元素。
之后，在第一反射ML 206之上形成帽盖层210。帽盖层210被配置为对EUV光透明并保护第一反射ML 206不被损坏和/或氧化。此外，帽盖层210可以在对帽盖层210之上的吸收层的图案化或修复/清洗工艺中用作蚀刻停止层。在一些实施例中，帽盖层210具有与吸收层不同的蚀刻特性。
在一些实施例中，帽盖层210由钌(Ru)、Ru化合物(如RuB、RuSi、RuN或RuON)、铬(Cr)、氧化Cr和氮化Cr、硼(B)、氮化硼和碳化硼形成。例如，掩模衬底200、帽盖层210的工艺可以与第一反射ML 206的工艺类似或相同，其细节在此不再赘述。例如，对于帽盖层210通常选择低温沉积工艺以防止第一反射ML 206的相互扩散。在一些实施例中，帽盖层210的厚度在约2nm至约5nm的范围内。
之后，在帽盖层210之上沉积第一吸收层212A。在一些实施例中，第一吸收层212A是吸收投射到光掩模的图案部分上、EUV波长范围内的辐射的吸收材料。例如，光掩模250可以称为二元强度光掩模(BIM)。在一些实施例中，第一吸收层212A是根据IC布局图案(或简称IC图案)的图案的一部分。
在一些实施例中，第一吸收层212A由基于Ta的材料形成。在一些实施例中，第一吸收层212A由氮化钽硼(TaBN)、TaBO或TaN形成。在一些实施例中，第一吸收层212A包括Ta以及下列元素中的一种或多种：Mo、Si、Cr、Pt、Re、Co、Te、Ni、W、Al、Nb、Zr、V、Y、Rh、Ir、Pd或Ru。在一些实施例中，第一吸收层212A包括一层或多层下列项：铬、氧化铬、氮化铬、钛、氧化钛、氮化钛、钽、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、氧化钽硼、氮氧化钽硼、铝、铝铜、氧化铝、银、氧化银、钯、钌、钼、其他合适的材料、和/或一些上述项的混合物。在一些实施例中，第一吸收层212A的厚度在约1nm至约70nm的范围内。
接下来，在第一吸收层212A之上形成第一调整层220A。在一些实施例中，第一调整层220A包括多层(ML)Mo/Si膜对。在一些实施例中，第一调整层220A包括两对、三对、四对或五对Mo层和Si层。在一些实施例中，在每一对中Si层的厚度大于Mo层的厚度。在一些实施例中，Mo层的厚度在约1.5nm至约4.5nm的范围内。在一些实施例中，Si层的厚度在约2nm至约6nm的范围内。在一些实施例中，Mo层和Si层的厚度分别为约1.5nm和约2nm、约3nm和约4nm、或约4.5nm和约6nm。在一些实施例中，第一调整层220A的总厚度在约7nm至约52.5nm的范围内。在一些实施例中，第一调整层220A的EUV反射率小于约0.1％。在一些实施例中，第一调整层220A基本上是EUV透射的。
此外，在第一调整层220A之上形成第二吸收层212B。在一些实施例中，第二吸收层212B的材料、配置、结构和/或工艺与第一吸收层212A类似或相同。在一些实施例中，第二吸收层212B由与第一吸收层212A不同的材料制成。在一些实施例中，第二吸收层212B包括下列项中的一种或多种：Pt、Re、Co、Te、Ni、W、Al、Nb、Zr、V、Y、Rh、Ir、Ti、Pd或Ru、或其合金。在一些实施例中，第二吸收层212B包括TaBO、铂或铂合金、Ir或Ir合金、或Cr或Cr合金。在一些实施例中，第二吸收层212B的厚度在约1nm至约30nm的范围内。
接下来，在第二吸收层212B之上形成第二调整层220B。在一些实施例中，第二调整层220B包括多层(ML)Mo/Si膜对。在一些实施例中，第二调整层220B包括两对、三对、四对或五对Mo层和Si层。在一些实施例中，在每一对中Si层的厚度大于Mo层的厚度。在一些实施例中，Mo层的厚度在约1.5nm至约4.5nm的范围内。在一些实施例中，Si层的厚度在约2nm至约6nm的范围内。在一些实施例中，Mo层和Si层的厚度分别为约1.5nm和约2nm、约3nm和约4nm、或约4.5nm和约6nm。在一些实施例中，第二调整层220B具有小于约0.1％的EUV反射率。在一些实施例中，第二调整层220B基本上是EUV透射的。在一些实施例中，第二调整层220B的总厚度在约7nm至约52.5nm的范围内。在一些实施例中，第二调整层220B的材料、配置、结构(例如，对数、厚度)和/或工艺与第一调整层220A类似或相同，而在其他实施例中，第二调整层220B的材料、配置、结构和/或工艺中的至少一个与第一调整层220A不同。
此外，在第二调整层220B之上形成第三吸收层212C。在一些实施例中，第三吸收层212B的材料、配置、结构和/或工艺与上述的第一和/或第二吸收层类似或相同。在一些实施例中，第三吸收层212C由与第一和/或第二吸收层不同的材料制成。在一些实施例中，第三吸收层212C包括TaBN、TaON、TaBO或氧化钽(TaO)。在一些实施例中，第三吸收层212C包括CrN、CrON或氧化铬。在一些实施例中，第一吸收层212A包括Ta或Cr以及下列元素中的一种或多种：Mo、Si、Pt、Re、Co、Te、Ni、W、Al、Nb、Zr、V、Y、Rh、Ir或Ru。在一些实施例中，第三吸收层212C的厚度在约1nm至约70nm的范围内。
此外，在第三吸收层212C之上形成第四吸收层212D。在一些实施例中，第四吸收层212C的材料、配置、结构和/或工艺与上述的第一、第二和/或第三吸收层类似或相同。在一些实施例中，第四吸收层212D由与第一、第二和/或第三吸收层不同的材料制成。在一些实施例中，第四吸收层212D包括硅化物或Si化合物。在一些实施例中，第四吸收层212D包括硅化钽、或硅化钛。在一些实施例中，第一吸收层212A包括Ta、Si或Cr以及下列元素中的一种或多种：Mo、Pt、Re、Co、Te、Ni、W、Al、Nb、Zr、V、Y、Rh、Ir、Pd或Ru。在一些实施例中，第四吸收层212C的厚度在约1nm至约30nm的范围内。
此外，如图1所示，在第四吸收层212D之上形成硬掩模层230。在一些实施例中，硬掩模层230由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物、其他合适的材料或其组合形成。在一些实施例中，硬掩模层230由氮化钽硼(TaBN)、氮氧化铬、氮氧化铝或其组合形成。硬掩模层230可以通过沉积工艺形成，包括化学气相沉积(CVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺和/或其他合适的工艺。
之后，根据一些实施例，在坯件光掩模的硬掩模层230之上形成光刻胶层222，如图2所示。光刻胶层222可以包括正性(positive)光刻胶层，并且可以通过旋涂工艺、然后进行软烘烤工艺形成。
然后，根据一些实施例，光刻胶层222通过图案化工艺被图案化以在硬掩模层220上形成光刻胶图案222A，如图3所示。在一些实施例中，图案化工艺包括光刻工艺。光刻工艺被配置为在光刻胶层222中形成开口224A，如图3所示。开口224A穿过光刻胶层222形成以暴露硬掩模层230。在一些实施例中，光刻工艺包括曝光、曝光后烘烤、显影、冲洗、干燥(例如，硬烘烤)、其他合适的工艺和/或其组合，以形成光刻胶图案222A。例如，电子、离子或光子束直接写入可用于掩模图案化工艺中的曝光步骤。
之后，通过蚀刻工艺去除未被光刻胶图案222A覆盖的硬掩模层230的部分，以形成硬掩模图案230A。在一些实施例中，蚀刻工艺基本上在第四吸收层212D上停止，以在硬掩模层230中形成开口。开口穿过硬掩模层230形成以暴露第四吸收层212D。在一些实施例中，蚀刻工艺包括使用与O2、N2和H2O混合的卤素基气体、以及诸如He或Ar或其混合物之类的载气而执行的干法蚀刻工艺，以去除硬掩模层230的未覆盖部分。卤素基气体可以包括Cl2、CHF3、CH3F、C4F8、CF4、SF6、CF3Cl、或其混合物。在一些实施例中，蚀刻工艺包括使用Cl2和O2。在一些实施例中，蚀刻工艺包括使用CF3Cl和O2。
在一些实施例中，在执行对硬掩模层230的蚀刻工艺之后，去除光刻胶图案222A。例如，在执行对硬掩模层230的蚀刻工艺之后，可以通过湿法蚀刻工艺或其他合适的工艺去除光刻胶图案222A。湿法蚀刻工艺(例如，光刻胶剥离工艺)可以使用光刻胶剥离剂、碱性水溶液、胺-溶剂混合物或有机溶剂。
之后，根据一些实施例，执行第一图案化工艺以去除第四吸收层212D、第三吸收层212C和第二调整层220B的一些部分，直到第二吸收层212B暴露为止，以形成开口234A，如图4所示。因此，第二吸收层212B的材料被选择为使得第二吸收层212B用作蚀刻停止层。
在一些实施例中，第一图案化工艺包括根据将蚀刻的材料而使用不同条件(例如，气体)的多个蚀刻步骤。在一些实施例中，第二调整层220B在蚀刻第四和第三吸收层时用作蚀刻停止层。
此外，根据一些实施例，执行第二图案化工艺以形成穿过第二调整层220B、第二吸收层212B、第一调整层220A和第一吸收层212A的开口244A，直到帽盖层210暴露为止，如图5A所示。在一些实施例中，根据将蚀刻的材料在第二图案化工艺期间改变一个或多个蚀刻条件(例如，气体)。在一些实施例中，第二图案化工艺包括根据将蚀刻的材料而使用不同条件(例如，气体)的多个蚀刻步骤。在一些实施例中，第一调整层220A在蚀刻第二吸收层212B时用作蚀刻停止层。
在一些实施例中，如图5B所示，蚀刻操作在第一吸收层212A暴露时停止。在一些实施例中，在硬掩模层230A被去除之后，执行表面处理280以保护第二吸收层212B的侧面，如图5C所示。在一些实施例中，在第二吸收层212B的侧面上形成薄含硅层。在一些实施例中，表面处理280包括应用六甲基二硅氮烷(HMDS)。Si(CH3)的分子通过氧原子与第二吸收层212B的表面金属原子耦合以形成含硅层。在一些实施例中，表面处理280在硬掩模图案230A被去除之前执行。
在表面处理之后，第一吸收层212A被蚀刻，如图5D所示。通过调整表面处理中的一个或多个条件，对第二吸收层212B的侧蚀刻被控制以获得第一吸收层212A和第二吸收层212B之间基本相同的图案宽度。在一些实施例中，宽度差异大于第一吸收层212A的宽度的0％至小于其约5％。
然后，如图6A所示，去除硬掩模图案230A、经图案化的第四吸收层212D和经图案化的第三吸收层212C。在一些实施例中，执行一个或多个干法和/或湿法蚀刻操作来去除这些层，而在其他实施例中，执行化学机械抛光(CMP)操作来去除这些层。在去除操作之后，经图案化的第二调整层220B、经图案化的第二吸收层212B、经图案化的第一调整层220A和经图案化的第一吸收层212A共同形成图案化吸收结构来作为反射光掩模的不透明图案，而吸收结构之间的沟槽为明亮的反射图案。
在一些实施例中，如图6B所示，第二调整层220B也被去除，使得经图案化的第二吸收层212B、经图案化的第一调整层220A和经图案化的第一吸收层212A共同形成图案化吸收结构来作为反射光掩模的不透明图案，而吸收结构之间的沟槽为明亮的反射图案。
在一些实施例中，第三或第四吸收层212C、212D中的一个被省略，或者第三和第四吸收层由同一材料制成一层。
在一些实施例中，第一吸收层212A或第二吸收层212B中的至少一个的图案的侧壁轮廓可以通过调整第一和/或第二调整层的厚度和反射率中的一个或多个来改善。
图7-图11A示出了根据本公开的实施例的顺序光掩模制造操作的各个阶段的截面图。可以理解，可以在图7-图11A所示的工艺之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于该方法的额外实施例，可以替换或消除下面描述的一些操作。操作/工艺的顺序可以互换。关于前述实施例所解释的材料、配置、工艺和/或尺寸可以在以下实施例中采用，其详细描述可以省略。
在一些实施例中，在形成图6A的结构之后，在沟槽中并且在第二调整层220B之上形成光刻胶层260，如图7所示。
然后，对光刻胶层260进行图案化以形成如图8所示的潜在光刻胶图案260A，以及如图9所示的显影光刻胶图案260B。在一些实施例中，图案化工艺包括光刻工艺。在一些实施例中，光刻工艺包括曝光、曝光后烘烤、显影、冲洗、干燥(例如，硬烘烤)、其他合适的工艺和/或其组合，以形成光刻胶图案。例如，电子、离子或光子束直接写入可用于掩模图案化工艺中的曝光步骤。
随后，使用光刻胶图案260D作为蚀刻掩模通过一个或多个蚀刻操作去除第二调整层220B、第二吸收层212B和第一调整层220A，如图10所示。然后，去除光刻胶层，如图11A所示。
图11A和图11B(平面图或布局图)所示的光掩模包括低反射区域和普通反射区域。在一些实施例中，低反射区域包括黑色边缘图案。在本申请中，黑色边缘图案具有较低反射率，因此可以在EUV光刻操作中减少相邻效应。普通反射区域用作电路区域。黑色边缘区域进一步包括围绕电路区域的沟槽开口，该开口中从ML 206到第二调整层220B的所有层被去除。
图12-图17示出了根据本公开的实施例的顺序光掩模制造操作的各个阶段的截面图。可以理解，可以在图12-图17所示的工艺之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于该方法的额外实施例，可以替换或消除下面描述的一些操作。操作/工艺的顺序可以互换。关于前述实施例所解释的材料、配置、工艺和/或尺寸可以在以下实施例中采用，其详细描述可以省略。
在一些实施例中，如图12所示，坯件掩模结构包括衬底200、设置在衬底200之上的第一反射多层(ML)206、设置在第一ML 206之上的帽盖层210、设置在帽盖层210之上的下吸收层312A、设置在下吸收层312A之上的调整层320A、以及设置在调整层320A之上的上吸收层312B。在一些实施例中，在上吸收层312B之上设置硬掩模层230。
在一些实施例中，下吸收层312A和上吸收层312B中的每一个包括与上述的第一、第二、第三或第四吸收层的材料之一相同的材料。在一些实施例中，上吸收层312B由与下吸收层312A相同的材料或不同的材料制成。在一些实施例中，下吸收层312A由与上述的第二吸收层212B相同的材料制成。在一些实施例中，上吸收层312B由与上述的第四吸收层212D相同的材料制成的。在其他实施例中，下吸收层312A由与第一吸收层212A相同的材料制成，并且上吸收层312B由与上述的第二或第三吸收层212B或212C相同的材料制成。
如图13所示，在坯件光掩模的硬掩模层230之上形成光刻胶层222，类似于关于图2所解释的操作。然后，通过图案化工艺对光刻胶层222进行图案化，以在硬掩模层220上形成光刻胶图案222A，如图14所示，类似于关于图3解释的操作。
之后，通过蚀刻工艺去除未被光刻胶图案222A覆盖的硬掩模层230的部分，以形成硬掩模图案230A。在一些实施例中，蚀刻工艺基本上在上吸收层312B上停止，以在硬掩模层230中形成开口。开口穿过硬掩模层230形成以暴露上吸收层312B。在一些实施例中，在执行对硬掩模层230的蚀刻工艺之后，光刻胶图案222A被去除。
然后，执行第一图案化工艺以去除上吸收层312B的部分，直到调整层320A暴露为止，如图15所示。
此外，执行第二图案化工艺以形成穿过上吸收层312B、调整层320A和下吸收层312A的开口324A，直到帽盖层210暴露为止，如图16A所示。在一些实施例中，根据将蚀刻的材料在第二图案化工艺期间改变一个或多个蚀刻条件(例如，气体)。然后，通过一个或多个蚀刻操作或CMP操作去除硬掩模层230A，如图17所示。
在一些实施例中，如图16B所示，蚀刻操作在第一吸收层312A暴露时停止。在一些实施例中，在硬掩模层230A被去除后，执行表面处理280以保护第二吸收层312B的侧面，如图16C所示。在一些实施例中，在第二吸收层312B的侧面上形成薄含硅层。在一些实施例中，表面处理280包括应用六甲基二硅氮烷(HMDS)。Si(CH3)的分子通过氧原子与第二吸收层312B的表面金属原子耦合以形成含硅层。在一些实施例中，表面处理280在硬掩模图案230A被去除之前执行。
在表面处理之后，第一吸收层312A被蚀刻，如图17所示。通过调整表面处理中的一个或多个条件，第二吸收层312B的侧蚀刻被控制以获得第一吸收层312A和第二吸收层312B之间基本相同的图案宽度。在一些实施例中，宽度差异大于第一吸收层312A的宽度的0％至小于其约5％。
图18-图21示出了根据本公开的实施例的顺序光掩模制造操作的各个阶段的截面图。可以理解，可以在图18-图21所示的工艺之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于该方法的额外实施例，可以替换或消除下面描述的一些操作。操作/工艺的顺序可以互换。关于前述实施例所解释的材料、配置、工艺和/或尺寸可以在以下实施例中采用，其详细描述可以省略。
一些实施例中，在形成图6B或图17的结构之后，在沟槽中并且在上吸收层312B之上形成光刻胶层260，如图18所示。然后，光刻胶层260被图案化形成如图19所示的显影光刻胶图案260B。随后，使用光刻胶图案260D作为蚀刻掩模通过一个或多个蚀刻操作去除上吸收层312B和调整层320A。然后，去除光刻胶层，如图21所示。
图21所示的光掩模包括低反射区域和普通反射区域。在一些实施例中，低反射区域包括黑色边缘图案。在本申请中，黑色边缘图案具有较低反射率，因此可以在EUV光刻操作中减少相邻效应。普通反射区域用作电路图案。
在一些实施例中，EUV光掩模包括两个吸收层412A和412B，如图22A和图22B所示。在一些实施例中，第一吸收层412A的配置与上述的第一吸收层212A的配置相同，并且第二吸收层412B的配置与上述的第二吸收层212B的配置相同。在一些实施例中，第一吸收层412A由TaN制成，而第二吸收层412B由Pt(大于99％的Pt)制成。
图23A示出了根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的流程图，并且图23B、图23C、图23D和图23E示出了根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的顺序制造操作。提供半导体衬底或其他合适的衬底，其将被图案化以在其上形成集成电路。在一些实施例中，半导体衬底包括硅。替代地或另外地，半导体衬底包括锗、硅锗或其他合适的半导体材料，例如，III-V族半导体材料。在图23A的S101，在半导体衬底之上形成将图案化的目标层。在某些实施例中，目标层是半导体衬底。在一些实施例中，目标层包括导电层(例如，金属层或多晶硅层)、电介质层(例如，氧化硅、氮化硅、SiON、SiOC、SiOCN、SiCN、氧化铪或氧化铝)、或半导体层(例如，外延形成的半导体层)。在一些实施例中，目标层形成在下层结构之上，例如，隔离结构、晶体管或导线。在图23A的S102，在目标层之上形成光刻胶层，如图23B所示。在随后的光刻曝光工艺期间，光刻胶层对来自曝光源的辐射敏感。在本实施例中，光刻胶层对光刻曝光工艺中使用的EUV光敏感。光刻胶层可以通过旋涂或其他合适的技术而形成在目标层之上。所涂覆的光刻胶层可以进一步被烘烤以驱除光刻胶层中的溶剂。在图23A的S103，使用如上所述的EUV反射掩模对光刻胶层进行图案化，如图23B所示。对光刻胶层的图案化包括由EUV曝光系统使用EUV掩模执行光刻曝光工艺。在曝光工艺期间，在EUV掩模上限定的集成电路(IC)设计图案被成像到光刻胶层以在其上形成潜在图案。对光刻胶层的图案化还包括对经曝光的光刻胶层进行显影，以形成具有一个或多个开口的图案化光刻胶层。在其中光刻胶层是正性调整光刻胶层的一个实施例中，光刻胶层的曝光部分在显影工艺期间被去除。对光刻胶层的图案化可以进一步包括其他工艺步骤，例如，在不同阶段的各种烘烤步骤。例如，可以在光刻曝光工艺之后且显影工艺之前实施曝光后烘烤(PEB)工艺。
在图23A的S104，利用经图案化的光刻胶层作为蚀刻掩模对目标层进行图案化，如图23D所示。在一些实施例中，图案化目标层包括利用经图案化的光刻胶层作为蚀刻掩模来对目标层施加蚀刻工艺。在经图案化的光刻胶层的开口内暴露的目标层的部分被蚀刻，而其他部分被保护不被蚀刻。此外，如图23E所示，可以通过湿法剥离或等离子体灰化去除经图案化的光刻胶层。
在上述实施例中，考虑到蚀刻选择性、吸收系数和/或反射率，帽盖层、硬掩模层和/或第一至第四吸收层的材料可以选自Ta、B、O、N、Mo、Si、Cr、Pt、Re、Co、Te、Ni、W、Al、Nb、Zr、V、Y、Rh、Ir、Ti或Ru、或者其合金。各层的任何材料组合都在本公开的范围内。
如上所述，EUV反射光掩模包括多个吸收层，该多个吸收层具有一个或多个调整层，该一个或多个调整层包括少量的Mo/Si对层。吸收层可以通过两步图案化工艺(例如，第一图案化工艺和第二图案化工艺)来进行图案化。此外，可以通过使用表面处理工艺来更精确地控制该两步图案化工艺。在一些实施例中，可以减少或消除晶圆相邻效应。
可以理解，本文不一定讨论了所有的优点，没有特定的优点对于所有的实施例或示例是必需的，并且其他实施例或实例可以提供不同的优点。
根据本申请的一个方面，在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯件之上形成光刻胶层。该掩模坯件包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的第一吸收层、第一吸收层上的第一调整层、第一调整层上的第二吸收层、第二吸收层上的第二调整层、第二调整层上的第三吸收层、第三吸收层上的第四吸收层、以及第四吸收层上的硬掩模层。对光刻胶层进行图案化，通过使用经图案化的光刻胶层作为蚀刻掩模对硬掩模层进行图案化，执行第一吸收体图案化，以通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来对第四吸收层、第三吸收层和第二调整层进行图案化，执行第二吸收体图案化，以通过使用经图案化的第四吸收层和经图案化的第三吸收层作为蚀刻掩模来对第一调整层、第二吸收层和第一吸收层进行图案化，以及去除经图案化的第四吸收层和经图案化的第三吸收层。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一调整层和第二调整层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，对的数量为2至5。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si的厚度、Mo的厚度或对的数量中的至少一个在第一调整层和第二调整层之间不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层和第四吸收层的材料彼此不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收层包括TaN。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。在上述及以下一个或多个实施例中，第三吸收层包括TaO或TaBO中的至少一种。在上述及以下的一个或多个实施例中，第四吸收层包括硅化物。在上述及以下的一个或多个实施例中，在第二吸收体图案化中，第二吸收层和第一调整层被图案化，在第一调整层被图案化后，经图案化的硬掩模层被去除，并且第一吸收层被图案化。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收体图案化进一步包括在第一吸收层被图案化之前，在经图案化的第二吸收层的侧面上形成含Si层。在上述及以下的一个或多个实施例中，由第一吸收层组成的吸收体图案通过去除第二调整层、第二吸收层和第一调整层的一部分而形成。在上述及以下的一个或多个实施例中，黑色边缘区域包括第一吸收层、第一调整层、第二吸收层和第二调整层。在上述及以下的一个或多个实施例中，经图案化的第二调整层被去除。
根据本公开的另一方面，在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯件之上形成光刻胶层。该掩模坯件包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的第一吸收层、第一吸收层上的调整层、调整层上的第二吸收层、以及第二吸收层上的硬掩模层。对光刻胶层进行图案化，通过使用经图案化的光刻胶层作为蚀刻掩模来对硬掩模层件图案化，执行第一吸收体图案化，以通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来对第二吸收层进行图案化，执行第二吸收体图案化，以通过使用经图案化的第二吸收层作为蚀刻掩模来对调整层和第一吸收层进行图案化，由第一吸收层组成的吸收体图案通过去除第二吸收层和调整层的一部分而形成。在上述及以下的一个或多个实施例中，黑色边缘区域包括第一吸收层、调整层和第二吸收层。在上述及以下的一个或多个实施例中，调整层包括2对至5对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si层的厚度在2nm至6nm的范围内，Mo层的厚度小于Si层的厚度并且在1.5nm至4.5nm的范围内。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收层和第二吸收层的材料彼此不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收层包括硅化物，第一吸收层包括Pt。在上述及以下的一个或多个实施例中，在第二吸收体图案化中，调整层被图案化，在调整层被图案化之后，经图案化的硬掩模层被去除，并且第一吸收层被图案化。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收体图案化进一步包括在第一吸收层被图案化之前，对经图案化的第二吸收层的侧面执行表面处理。
根据本公开的另一方面，在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯件之上的光刻胶层。该掩模坯件包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的第一吸收层、第一吸收层上的第一调整层、第一调整层上的第二吸收层、第二吸收层上的第二调整层、第二调整层上的第三吸收层、以及第三吸收层上的硬掩模层。对光刻胶层进行图案化，通过使用经图案化的光刻胶层作为蚀刻掩模对硬掩模层进行图案化，执行第一吸收体图案化，以通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来对第三吸收层和第二调整层进行图案化，执行第二吸收体图案化，以通过使用经图案化的第四吸收层和经图案化的第三吸收层作为蚀刻掩模来对第一调整层、第二吸收层和第一吸收层进行图案化，以及去除经图案化的第三吸收层。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一调整层和第二调整层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，对的数量为2至5。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si的厚度、Mo的厚度或对的数量中的至少一个在第一调整层和第二调整层之间不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收层、第二吸收层和第三吸收层的材料彼此不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收层包括TaN。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。在上述及以下的一个或多个实施例中，第三吸收层包括TaO或硅化物中的至少一种。在上述及以下的一个或多个实施例中，在第二吸收体图案化中，第二吸收层和第一调整层被图案化，在第一调整层被图案化之后，经图案化的硬掩模层被去除，并且第一吸收层被图案化。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收体图案化进一步包括在第一吸收层被图案化之前，在经图案化的第二吸收层的侧面上形成含Si层。在上述及以下的一个或多个实施例中，由第一吸收层组成的吸收体图案通过去除第二调整层、第二吸收层和第一调整层的一部分而形成。在上述及以下的一个或多个实施例中，黑色边缘区域包括第一吸收层、第一调整层、第二吸收层和第二调整层。在上述及以下的一个或多个实施例中，经图案化的第二调整层被去除。
根据本公开的另一方面，一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的第一多层、设置在第一多层上的第二吸收体层、以及设置在第二吸收体层之上的第二多层，该第二多层为反射掩模的最上层。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一多层和第二多层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，对的数量为2至5。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si的厚度、Mo的厚度或对的数量中的至少一个在第一调整层和第二调整层之间不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，Mo层的厚度小于Si层的厚度。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si层的厚度在2nm至6nm的范围内，Mo层的厚度在1.5nm至4.5nm的范围内。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收体层和第二吸收体层的材料彼此不同。在一个或多个前述及以下的实施例中，第一吸收体层包括TaN。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收体层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。
根据本公开的另一方面，一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的多层、以及设置在多层层上的第二吸收体层，该第二吸收体层是反射掩模的最上层。在上述及以下的一个或多个实施例中，该多层包括一对或多对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，对的数量为2至5。在上述及以下的一个或多个实施例中，Mo层的厚度小于Si层的厚度。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si层的厚度在2nm至6nm的范围内，Mo层的厚度在1.5nm至4.5nm的范围内。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收体层和第二吸收体层的材料彼此不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收体层包括TaN。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收体层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。
根据本公开的另一方面，一种反射掩模包括电路区域，以及围绕电路区域的黑色边缘区域。电路区域和黑色边缘区域中的每一个包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层板的帽盖层、以及设置在帽盖层上的第一吸收体层。黑色边缘区域进一步包括设置在第一吸收体层之上的第一多层，以及设置在第一多层上的第二吸收体层。在上述及以下的一个或多个实施例中，黑色边缘区域进一步包括第二多层，该第二多层包括设置在第二吸收体层之上的一对或多对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一多层包括一对或多对Si层和Mo层。在上述及以下的一个或多个实施例中，对的数量为2至5。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si的厚度、Mo的厚度或对的数量中的至少一个在第一调整层和第二调整层之间不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，Mo层的厚度小于Si层的厚度。在上述及以下的一个或多个实施例中，Si层的厚度在2nm至6nm的范围内，Mo层的厚度在1.5nm至4.5nm的范围内。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收体层和第二吸收体层的材料彼此不同。在上述及以下的一个或多个实施例中，第一吸收体层包括TaN。在上述及以下的一个或多个实施例中，第二吸收体层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。
示例1.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：
在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的第一调整层、所述第一调整层上的第二吸收层、所述第二吸收层上的第二调整层、所述第二调整层上的第三吸收层、所述第三吸收层上的第四吸收层、以及所述第四吸收层上的硬掩模层；
对所述光刻胶层进行图案化；
通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模对所述硬掩模层进行图案化；
执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第四吸收层、所述第三吸收层和所述第二调整层进行图案化；
执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层作为蚀刻掩模来对所述第一调整层、所述第二吸收层和所述第一吸收层进行图案化；以及
去除经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层。
示例2.根据示例1所述的方法，其中，所述第一调整层和所述第二调整层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。
示例3.根据示例2所述的方法，其中，对的数量为2至5。
示例4.根据示例3所述的方法，其中，Si的厚度、Mo的厚度或所述对的数量中的至少一个在所述第一调整层和所述第二调整层之间不同。
示例5.根据示例1所述的方法，其中，所述第一吸收层、所述第二吸收层、所述第三吸收层和所述第四吸收层的材料彼此不同。
示例6.根据示例5所述的方法，其中，所述第一吸收层包括TaN。
示例7.根据示例5所述的方法，其中，所述第二吸收层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。
示例8.根据示例5所述的方法，其中，所述第三吸收层包括TaO或TaBO中的至少一种。
示例9.根据示例5所述的方法，其中，所述第四吸收层包括硅化物。
示例10.根据示例1所述的方法，其中，所述第二吸收体图案化包括：
对所述第二吸收层和所述第一调整层进行图案化；
在所述第一调整层被图案化后，去除经图案化的所述硬掩模层；以及
对所述第一吸收层进行图案化。
示例11.根据示例10所述的方法，其中，所述第二吸收体图案化进一步包括：在所述第一吸收层被图案化之前，在经图案化的所述第二吸收层的侧面上形成含Si层。
示例12.根据示例1所述的方法，还包括：
通过去除所述第二调整层、所述第二吸收层和所述第一调整层的一部分来形成由所述第一吸收层组成的吸收体图案，
其中，黑色边缘区域包括所述第一吸收层、所述第一调整层、所述第二吸收层和所述第二调整层。
示例13.根据示例1所述的方法，还包括：去除经图案化的所述第二调整层。
示例14.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：
在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的调整层、所述调整层上的第二吸收层、以及所述第二吸收层上的硬掩模层；
对所述光刻胶层进行图案化；
通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模来对所述硬掩模层进行图案化；
执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第二吸收层进行图案化；
执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第二吸收层作为蚀刻掩模来对所述调整层和所述第一吸收层进行图案化；
通过去除所述第二吸收层和所述调整层的一部分来形成由所述第一吸收层组成的吸收体图案，
其中，黑色边缘区域包括所述第一吸收层、所述调整层和所述第二吸收层。
示例15.根据示例14所述的方法，其中，所述调整层包括2对至5对Si层和Mo层。
示例16.根据示例15所述的方法，其中，所述Si层的厚度在2nm至6nm的范围内，并且所述Mo层的厚度小于所述Si层的厚度且在1.5nm至4.5nm的范围内。
示例17.根据示例15所述的方法，其中，所述第一吸收层和所述第二吸收层的材料彼此不同。
示例18.根据示例15所述的方法，其中，所述第二吸收层包括硅化物，并且所述第一吸收层包括Pt。
示例19.一种反射掩模，包括：
衬底；
反射多层，设置在所述衬底上；
帽盖层，设置在所述反射多层上；
第一吸收体层，设置在所述帽盖层上；
第一多层，设置在所述第一吸收体层之上；
第二吸收体层，设置在所述第一多层上；以及
第二多层，设置在所述第二吸收体层之上，所述第二多层为所述反射掩模的最上层。
示例20.根据示例19所述的反射掩模，其中，所述第一多层和所述第二多层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。
以上公开内容概述了若干实施例或示例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本公开的各方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺和结构以实施本文介绍的实施例或示例的相同目的和/或实现本文介绍的实施例或示例的相同优点的基础。本领域技术人员还应该认识到，这样的等同构造不脱离本公开的精神和范围，并且他们可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替换和变更。
Claims (10)
1.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：
在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的第一调整层、所述第一调整层上的第二吸收层、所述第二吸收层上的第二调整层、所述第二调整层上的第三吸收层、所述第三吸收层上的第四吸收层、以及所述第四吸收层上的硬掩模层；
对所述光刻胶层进行图案化；
通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模对所述硬掩模层进行图案化；
执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第四吸收层、所述第三吸收层和所述第二调整层进行图案化；
执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层作为蚀刻掩模来对所述第一调整层、所述第二吸收层和所述第一吸收层进行图案化；以及
去除经图案化的所述第四吸收层和经图案化的所述第三吸收层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一调整层和所述第二调整层中的至少一个包括一对或多对Si层和Mo层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，对的数量为2至5。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，Si的厚度、Mo的厚度或所述对的数量中的至少一个在所述第一调整层和所述第二调整层之间不同。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一吸收层、所述第二吸收层、所述第三吸收层和所述第四吸收层的材料彼此不同。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一吸收层包括TaN。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二吸收层包括Pt、Ir、Re、Ru或其合金中的一种或多种。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三吸收层包括TaO或TaBO中的至少一种。
9.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：
在掩模坯件之上形成光刻胶层，所述掩模坯件包括衬底、所述衬底上的反射多层、所述反射多层上的帽盖层、所述帽盖层上的第一吸收层、所述第一吸收层上的调整层、所述调整层上的第二吸收层、以及所述第二吸收层上的硬掩模层；
对所述光刻胶层进行图案化；
通过使用经图案化的所述光刻胶层作为蚀刻掩模来对所述硬掩模层进行图案化；
执行第一吸收体图案化，所述第一吸收体图案化通过使用经图案化的所述硬掩模层作为蚀刻掩模来对所述第二吸收层进行图案化；
执行第二吸收体图案化，所述第二吸收体图案化通过使用经图案化的所述第二吸收层作为蚀刻掩模来对所述调整层和所述第一吸收层进行图案化；
通过去除所述第二吸收层和所述调整层的一部分来形成由所述第一吸收层组成的吸收体图案，
其中，黑色边缘区域包括所述第一吸收层、所述调整层和所述第二吸收层。
10.一种反射掩模，包括：
衬底；
反射多层，设置在所述衬底上；
帽盖层，设置在所述反射多层上；
第一吸收体层，设置在所述帽盖层上；
第一多层，设置在所述第一吸收体层之上；
第二吸收体层，设置在所述第一多层上；以及
第二多层，设置在所述第二吸收体层之上，所述第二多层为所述反射掩模的最上层。
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