KR20070044895A - 전자 방출 표시 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 진공의 내부 공간을 마련하도록 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 제공되며 전자 방출부들과 전자 방출부들의 전자 방출 및 전자빔 경로를 제어하는 구동 전극들을 구비하는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 제공되며 형광층들과 형광층들의 일면에 위치하는 애노드 전극을 구비하는 발광 유닛을 포함하고, 상기 진공의 내부 공간에 노출되는 구동 전극들과 상기 애노드 전극에 전압을 인가하는 애노드 단자가 서로 대향하는 부위를 구비하며, 상기 구동 전극들의 대향 부위와 상기 애노드 단자의 대향 부위 중 적어도 어느 하나에 산화 크롬을 함유한 보호층을 포함한다.

전자 방출, 방전, 아킹, 집속 전극, 보호층

Description

전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 사시도이다.

도 3 및 도 4는 애노드 단자에 형성되는 보호층의 실시예들을 나타낸 평면도이다.

도 5 및 도 6은 집속 전극에 형성되는 보호층의 실시예들을 나타낸 평면도이다.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자빔 가속을 위한 애노드 전극을 구비하는 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.

일반적으로, 전자 방출 소자(electron emission element)는 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 구분될 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이 (Field Emitter Array; FEA, 이하 FEA라 함)형, 표면 전도 에미션(Surface Conduction Emission; SCE, 이하 SCE라 함)형, 금속-절연체-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM, 이하 MIM이라 함)형 및 금속-절연체-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS, 이하 MIS라 함)형 등이 알려져 있다.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출되는 원리를 이용한다.

상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

상기 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극이 구비되는 구성을 가지며, 상기 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뽀죡한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

상기 전자 방출 표시 디바이스들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로는 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 어느 일 기판(이하 '제1 기판'이라 함) 위에 전자 방출부와 더불어 화소별 전자 방출의 온/오프를 제어하는 제1 구동 전극들을 구비하며, 다른 일 기판(이하 '제2 기판'이라 함) 위에 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들을 형광층을 향해 가속시키는 애노드 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.

또한, 전자빔 경로를 제어하기 위한 목적으로 일례로 제1 구동 전극들 상부에 제2 구동 전극인 집속 전극을 형성한 전자 방출 표시 디바이스가 개시되어 있다. 집속 전극은 전자빔 경로를 둘러싸는 개구부를 구비하며, 대략 수 내지 수십 볼트의 (-)전압을 인가받아 개구부를 통과하는 전자들을 집속시킨다.

통상적으로 집속 전극과 애노드 전극은 진공의 내부 공간을 사이에 두고 서로 마주보며 위치하고, 실질적인 전자 방출이 이루어지는 유효 영역 전체에 구비된다. 이때 애노드 전극은 대략 수백 내지 수천 볼트의 (+)전압을 인가받아 제1 기판 측에서 방출된 전자들을 제2 기판 측으로 가속시킨다.

이와 같이 애노드 전극에 고전압을 인가하는 전자 방출 표시 디바이스에서는 제1 기판에 제공되는 제1 및 제2 구동 전극들이 애노드 전압에 대해 전기적으로 안정된 상태를 유지하여야 안정된 구동 특성을 확보할 수 있다. 특히 집속 전극은 애노드 전극과 마주보며 위치하므로 애노드 전압에 대해 전기적 안정성을 반드시 확보해야 한다.

그런데, 최근에 화면의 휘도를 높이기 위해 애노드 전압을 증가시키는 추세에 있으므로, 전자 방출 표시 디바이스에서 안정된 구동 특성을 확보하는데 많은 어려움이 있다. 특히 종래의 전자 방출 표시 디바이스에서 집속 전극은 대략 애노드 전극과 유사한 면적을 갖도록 형성되어 그 가장자리가 애노드 전극의 애노드 단자를 향해 노출되어 위치한다.

그런데 집속 전극의 가장자리는 형상적으로 날카로운 부위라 할 수 있으므로, 전자 방출 표시 디바이스 구동시 이 부위에 전기장이 집중되어 의도하지 않은 글로(Glow) 방전이 발생할 수 있다. 이 글로 방전은 집속 전극의 손상을 유발하고, 진공 용기 내부를 전기적으로 불안정하게 하여 아킹을 발생시키는 원인을 제공한다.

상기한 문제는 특히 전계를 이용하여 전자 방출부로부터 전자를 방출시키는 FEA형 전자 방출 표시 디바이스에서 치명적으로 작용한다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공의 내부 공간에 노출되는 전극들과 애노드 전극의 애노드 단자와의 전기적인 상호 작용으로 인한 의도하지 않은 방전을 억제하며, 그 결과 안정된 구동 특성 을 확보할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스를 제공함에 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 진공의 내부 공간을 마련하도록 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 제공되며 전자 방출부들과 전자 방출부들의 전자 방출 및 전자빔 경로를 제어하는 구동 전극들을 구비하는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 제공되며 형광층들과 형광층들의 일면에 위치하는 애노드 전극을 구비하는 발광 유닛을 포함하고, 상기 진공의 내부 공간에 노출되는 구동 전극들과 상기 애노드 전극에 전압을 인가하는 애노드 단자가 서로 대향하는 부위를 구비하며, 상기 구동 전극들의 대향 부위와 상기 애노드 단자의 대향 부위 중 적어도 어느 하나에 산화 크롬으로 형성된 보호층을 포함한다.

또한, 상기 구동 전극들은 서로 절연 상태를 유지하며 교차하도록 배치되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과, 이 캐소드 전극들 및 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극을 포함할 수 있으며, 이때 상기 애노드 단자와 상기 집속 전극이 서로 대향하는 부위를 구비할 수 있다.

또한, 상기 산화 크롬은 Cr₂O₃일 수 있다.

또한, 상기 집속 전극은 그 일측 가장자리가 상기 애노드 단자와 서로 대향하는 부위를 구비할 수 있으며, 이때 상기 보호층은 상기 집속 전극의 일측 가장자리를 따라 위치할 수 있다.

또한, 상기 보호층은 상기 집속 전극의 윗면 일부와 측면 전체를 덮도록 형성될 수 있다.

또한, 상기 애노드 단자는 복수개로 구비될 수 있으며, 상기 보호층은 각각의 애노드 단자에 대응하여 위치할 수 있다.

또한, 상기 보호층은 상기 애노드 단자의 폭보다 큰 길이를 가지며 형성될 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 사시도이다.

도면을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 소정 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 측면 격벽으로 기능하는 글라스 프레임(6)이 배치되어 이 기판들과 함께 진공의 내부 공간을 형성한다. 이로써 제1 기판(2), 제2 기판(4) 및 글라스 프레임(6)이 진공 용기를 구성한다.

제1 기판(2)에는 전자 방출 유닛이 제공되어 제2 기판(4)을 향해 전자들을 방출하고, 제2 기판(4)에는 이 전자들에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 발광 유닛이 제공된다. 도 1과 도 2에서는 일례로 FEA형 전자 방출 표시 디바이스에 적용되는 전자 방출 유닛(8)과 발광 유닛(10)의 구성을 도시하였다.

먼저 도 1및 도 2를 참고하여 전자 방출 유닛(8)에 대해 살펴보면, 제1 기판 (2) 위에는 전자 방출부(12)와, 전자 방출부(12)의 전자 방출을 제어하는 제1 구동 전극들로서, 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(16)이 구비되고, 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(16) 상부에 전자빔 집속을 위한 제2 구동 전극으로서 집속 전극(18)이 구비된다.

본 실시예에서 캐소드 전극들(14)은 제1 기판(2) 위에서 제1 기판(2)의 일 방향(도 2에서 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(14)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(20)이 형성된다. 제1 절연층(20) 위에는 게이트 전극들(16)이 캐소드 전극들(14)과 직교하는 방향(도 2에서 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

또한, 캐소드 전극(14) 위로 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(16)의 교차 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성되고, 게이트 전극(16)과 제1 절연층(20)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(161, 201)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)로 사용 바람직한 물질로는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 풀러렌(C₆₀), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있다.

도면에서는 전자 방출부들(12)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극들(14)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전 자 방출부(12)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않는다. 또한, 도시는 생략하였으나 상기 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.

이로써 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(16) 중 어느 하나의 전극에 스캔 구동 전압이 인가되고, 다른 하나의 전극에 데이터 구동 전압이 인가되면, 두 전극 간 전압차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(12)부터 전자들이 방출된다.

그리고, 게이트 전극(16)과 제1 절연층(20) 위에는 제2 절연층(22)과 집속 전극(18)이 형성된다. 제2 절연층(22)과 집속 전극(18) 역시 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 하는 각각의 개구부(221, 181)를 형성한다.

집속 전극(18)은 제2 절연층(22) 위 전체에 형성될 수 있으며, 전자 방출 표시 디바이스 구동시 수 내지 수십 볼트의 (-)전압을 인가받아 개구부(181)를 통과하는 전자들을 집속시킨다. 이러한 집속 전극(18)은 제2 절연층(22) 위에 코팅된 도전막으로 이루어지거나, 개구부를 구비한 금속 플레이트를 제2 절연층(22) 위에 부착시키는 구조로 이루어진다.

한편, 상기에서는 제1 절연층(20)을 사이에 두고 게이트 전극(16)이 캐소드 전극(14) 상부에 위치하는 구조를 설명하였으나, 그 반대의 경우, 즉 캐소드 전극이 게이트 전극의 상부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 구조에서는 전자 방출부가 캐소드 전극의 일측면과 접촉하며 제1 절연층 위에 형성될 수 있다.

다음으로 발광 유닛(10)에 대해 살펴보면, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(24)과 더불어 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(26)이 형성되고, 형광층(24)과 흑색층(26) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(28)이 형성된다.

애노드 전극(28)은 그 일측 가장자리로 인출된 애노드 단자(30)를 통해 애노드 전압(대략, 수백 내지 수천 볼트의 (+)전압)을 인가받아 전자 방출부(12)에서 방출된 전자들을 제2 기판(4)을 향해 가속시킨다. 또한 애노드 전극(28)는 형광층(24)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.

그리고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 다수의 스페이서(32)가 설치되어 양 기판(2, 4)의 간격을 일정하게 유지시킨다. 이러한 스페이서(32)의 형상은 기둥형, 벽체형 등 다양하게 변형될 수 있으며, 도 2는 대표적으로 원기둥형 스페이서를 도시하였다.

본 실시예에서 집속 전극(18)의 가장자리와 애노드 단자(30)는 제1,2 기판(2, 4)의 두께 방향으로 서로 대향하는 부위(도 1에 점선으로 표시)를 구비하며, 이 집속 전극(18)의 대향 부위와 애노드 단자(30)의 대향 부위에는 보호층(34, 36)이 각각 형성되어 각각의 대향 부위가 진공의 내부공간으로 노출되지 않도록 한다.

이때 보호층(34)은 집속 전극(18)의 윗면 일부와 측면 전체 및 제2 절연층 (22)의 윗면 일부를 덮도록 형성될 수 있다.

보호층(34, 36)은 산화 크롬을 포함하여 형성되며, 보다 구체적으로 산화 크롬은 화학식 Cr_XO_Y로 표현될 수 있으며, 여기서 X와 Y는 1보다 큰 자연수로서 크롬(Cr)과 산소(O)의 몰수비에 부합되도록 조절될 수 있다. 일례로, 산화 크롬에는 산화제이크롬(Cr₂O₃), 삼산화크롬(CrO₃), 산화제일크롬(CrO) 등이 있으나, 보호층(34, 36)으로는 산화제이크롬(Cr₂O₃)을 사용하는 것이 바람직하다. Cr₂O₃는 이차전자 방출계수가 1에 근접하여 전자 방출부(12)에서 방출된 전자가 보호층(34, 36)에 충돌하더라도 이차전자의 방출량이 적어 보호층내 차징이 억제되고 이에 따라 차징에 의한 아킹을 줄일 수 있다. Cr₂O₃를 사용하여 P-Tube Test시 10 kV를 인가하여도 차징성 아킹이 발생하지 않았다.

도 3 및 도 4는 애노드 단자에 형성되는 보호층의 실시예들을 나타낸 평면도이다. 여기서, 애노드 전극(28)의 일측면으로부터 한 쌍의 애노드 단자(30)가 제2 기판(4)의 가장자리로 인출되었으나, 애노드 단자(30)의 개수는 조건에 따라 증감될 수 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 보호층(38)은 애노드 단자(30)에 각각 대응하여 위치할 수 있다. 이때, 보호층(38)은 애노드 단자의 대향 부위를 완전히 덮을 수 있도록 애노드 단자(30)의 폭(W) 보다 큰 길이(L)를 가지며 형성된다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 보호층(40)은 각각의 애노드 단자(30)를 일체로 덮을 수 있도록 형성될 수 있다.

도 5 및 도 6은 집속 전극에 형성되는 보호층의 실시예들을 나타낸 평면도이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 보호층(42)은 집속 전극(18)의 가장자리 가운데 애노드 단자(30)와 중첩되는 부위에 제공되어 이 부위가 고압이 인가되는 애노드 단자(30)에 의한 전기적 영향을 받지 않도록 한다. 일례로 보호층(42)은 애노드 단자(30)의 개수에 대응하여 한 쌍으로 구비될 수 있다.

도 6에 도시된 바와 같이, 보호층(44)은 애노드 단자(30)와 마주보는 집속 전극(18)의 일측 가장자리를 따라 일체로 형성될 수 있다. 이 경우, 보호층(44)은 집속 전극(18)의 일측 가장자리가 진공의 내부 공간을 향해 노출되는 것을 원천적으로 차단하여 애노드 전압에 의한 이상 방전을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극(28)에 고전압을 인가하여도 보호층이 형상적으로 날카로운 집속 전극(18)의 가장자리와 애노드 단자(30)를 덮어 집속 전극(18)과 애노드 단자(30)와의 상호 작용에 의한 방전을 효율적으로 억제할 수 있으며, 그 결과 진공의 내부 공간을 전기적으로 안정된 상태로 유지할 수 있다.

보호층은 집속 전극(18)과 애노드 단자(30) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있으나, 양쪽 모두에 형성되는 것이 집속 전극에 대한 애노드 전압의 영향을 차단하는데 유리하다.

또한, 상기에서는 집속 전극(18)이 구비된 경우에 대해서만 설명하였으나, 본 발명은 집속 전극이 구비되지 않은 전자 방출 표시 디바이스라도 적용할 수 있 다. 이 경우, 보호층은 애노드 단자와 마주하며 진공의 내부공간에 노출된 캐소드 전극 또는 게이트 전극 중 어느 일 전극의 가장자리에 형성될 수 있다.

또한, 본 실시예에서는 전계를 이용해 전자를 방출하는 전계 방출 어레이(FEA)형에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 전계 방출 어레이형에 한정되지 않으며, SCE형과 같이 집속 전극과 애노드 전극을 구비할 수 있는 다른 전자 방출 표시 디바이스 모두에 적용될 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 진공의 내부 공간에 노출되는 구동 전극들의 가장자리와 애노드 단자에 보호층을 형성함으로써, 애노드 전극의 고전압으로 인하여 구동 전극들에서 발생할 수 있는 이상 방전을 억제한다. 이에 따라 본 발명은 구동 전극들의 손상과 진공 용기 내부에 전기적인 불안정으로 발생할 수 있는 아킹을 방지하여 보다 안정된 구동 특성을 제공한다.

Claims (8)

1. 진공의 내부 공간을 마련하도록 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판에 제공되며, 전자 방출부들과, 전자 방출부들의 전자 방출 및 전자빔 경로를 제어하는 구동 전극들을 구비하는 전자 방출 유닛과;

   상기 제2 기판에 제공되며, 형광층들과, 형광층들의 일면에 위치하는 애노드 전극을 구비하는 발광 유닛을 포함하고,

   상기 진공의 내부 공간에 노출되는 구동 전극들과 상기 애노드 전극에 전압을 인가하는 애노드 단자가 서로 대향하는 부위를 구비하며,

   상기 구동 전극들의 대향 부위와 상기 애노드 단자의 대향 부위 중 적어도 어느 하나에 산화 크롬으로 형성된 보호층을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
2. 제1항에 있어서,

   상기 구동 전극들은 서로 절연 상태를 유지하며 교차하도록 배치되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과, 이 캐소드 전극들 및 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극을 포함하며,

   상기 애노드 단자와 상기 집속 전극이 서로 대향하는 부위를 구비하는 전자 방출 표시 디바이스.
3. 제2항에 있어서,

   상기 산화 크롬은 Cr₂O₃인 전자 방출 표시 디바이스.
4. 제3항에 있어서,

   상기 애노드 단자와 상기 집속 전극의 일측 가장자리가 서로 대향하는 부위를 구비하며,

   상기 보호층이 상기 집속 전극의 일측 가장자리를 따라 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
5. 제4항에 있어서,

   상기 보호층이 상기 집속 전극의 윗면 일부와 측면 전체를 덮도록 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
6. 제3항에 있어서,

   상기 애노드 단자가 복수개로 구비되며, 상기 보호층이 각각의 애노드 단자에 대응하여 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
7. 제3항에 있어서,

   상기 보호층이 상기 애노드 단자의 폭보다 큰 길이를 가지며 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
8. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 풀러렌(C₆₀) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.

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