KR20070037242A - 전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법, 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법, 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법, 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기전도성 금속 입자, 및 상기 전기전도성 금속입자의 표면을 덮으며 형성된 올레익산 코팅층을 포함하는 전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 형성 방법 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명의 전극 형성용 전도성 분체는 산화 또는 황화현상으로 표현되는 부식현상과 이온화로 인한 마이그레이션 현상, 및 콜로이드화로 표현되는 패널 전극의 황변 현상을 근원적으로 해결할 수 있는 장점이 있다.
플라즈마 디스플레이 패널, 전극, 단자부, 올레익산

Description

전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법, 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널{CONDUCTIVE POWDER FOR PREPARING AN ELECTRODE, A METHOD FOR PREPARING THE SAME, A METHOD FOR PREPARING AN ELECTRODE OF PLASMA DISPLAY PANEL BY USING THE SAME, AND A PLASMA DISPLAY PANEL COMPRISING THE SAME}
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 일 예를 나타낸 부분 분해 사시도.
도 2는 본 발명이 적용 가능한 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극의 단자부, TCP 및 ACF의 연결부의 단면을 나타낸 모식도.
도 3는 올레익산 코팅되지 않은 전극 형성용 니켈(Ni) 분체의 주사 전자 현미경(SEM) 사진.
도 4는 올레익산 코팅층이 형성된 전극 형성용 니켈(Ni) 분체의 주사 전자 현미경(SEM) 사진.
[산업상 이용분야]
본 발명은 전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 및 버스 전극의 노출 단자부의 산화 방지효과를 가지는 전극 형성용 전도성 분체, 이의 제조방법, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
[종래기술]
플라즈마 디스플레이 패널은 플라즈마 현상을 이용한 표시 장치로서, 비진공 상태의 기체 분위기에서 공간적으로 분리된 두 접점간에 어느 이상의 전위차가 인가되면 방전이 발생되는데, 이를 기체 방전 현상으로 지칭한다.
플라즈마 표시 소자는 이러한 기체 방전 현상을 화상 표시에 응용한 평판 표시 소자이다. 현재 일반적으로 사용되고 있는 플라즈마 디스플레이 패널은 반사형 교류 구동 플라즈마 디스플레이 패널로서, 후면기판(이하 제1기판이라 한다.) 구조의 경우 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체층이 형성되어 있다. 또한, 전면기판(이하 제2기판이라 한다.)의 경우에는 방전 표시 전극과 상기 표시 전극을 덮는 유전체층을 포함하고 있다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 형광 표시관(VFD)이나 전계 방출 디스플레이(FED)와 같은 다른 평판 디스플레이 장치와 마찬가지로, 임의의 거리를 두고 제1기판과 제2기판을 실질적으로 평행하게 배치하여 그 외관을 형성하고 있으며, 이 때 상기 기판들은 그 사이 둘레를 따라 배치되는 접합재에 의해 접합됨으로써 진공상태의 방전셀을 형성하게 된다.
지금까지의 플라즈마 디스플레이 패널은 봉합프릿(seal frit)에 의해 제1기판과 제2기판이 봉착되고, 실장공정에서 TCP(tape carrier package)와 같은 드라이브 IC 패키지 및 이방성 전도성 필름(ACF: anisotropic conductive film)(이하 'ACF')과 접착되고 있다.
그러나, 플라즈마 디스플레이 패널을 조립한 후, 모듈과 조립하기까지는 상당한 시간의 간격이 생기게 되고, 이 기간 동안에 플라즈마 디스플레이 패널의 노출 전극이 수분, 이물, 전계의 인가 또는 공기중의 방치로 인해 산소 또는 이산화황 등의 외부 기체에 의해서 쉽게 산화 또는 황화되어 부식되는 문제점이 있다. 이러한 단자부의 부식은 단자부의 저항을 증가시키고, 전극의 종선(vertical line) 불량 등의 단자부 불량이 발생시켜 결국은 패널의 불량으로 이어진다.
이러한 불량을 막기 위해 다양한 방법들이 제시되고 있으나, 대부분 외부의 이물, 수분, 습기 및 외부 유입가스 등을 차단하는 간접적인 방법이며, 전극 자체에 내부식성을 부여하고자 하는 시도는 찾아보기 힘들다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전기전도성 금속 입자의 표면이 올레익산으로 코팅된 전극 형성용 전도성 분체를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전극 형성용 전도성 분체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전극 형성용 전도성 분체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 페널의 전극 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전극 형성용 전도성 분체를 이용하여 제조된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 전기전도성 금속 입자, 및 상기 전기전도성 금속입자의 표면을 덮으며 형성된 올레익산(C18H34O2) 코팅층을 포함하는 전극 형성용 전도성 분체를 제공한다.
본 발명은 또한 용매에 올레익산을 용해시켜 올레익산 코팅액을 제조하는 단계, 상기 올레익산 코팅액에 전기전도성 금속 입자를 첨가하여 혼합하는 단계 및 상기 혼합액을 소성 및 건조하는 단계를 포함하는 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 고분자 수지, 광중합성 모노머, 및 광중합 개시제를 혼합하여 감광성 비이클을 제조하는 단계, 상기 전극 형성용 전도성 분체, 및 분산제를 상기 비이클과 혼합하여 감광성 페이스트를 제조하는 단계, 상기 제조된 감광성 페이스트를 기판에 인쇄하는 단계, 및 상기 인쇄된 감광성 페이스트를 건조하고, 노광, 현상, 및 소성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극을 덮는 유전체층, 상기 유전체층 전면에 형성된 격벽 및 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 위치하는 형광체층을 포함하는 제1기판, 및 투명 전극 및 버스 전극을 포함하는 표시 전극, 상기 표시 전극을 덮으며 전면에 형성된 투명 유전체층 및 상기 투명 유전체층 위에 코팅된 보호막을 포함하는 제2기판을 포함하며, 상기 어드레스 전극, 또는 버스 전극 중 적어도 하나의 전극은 전기전도성 금속 입자 및 상기 금속 입자에 코팅된 올레익산을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 일 예를 나타낸 부분 분해 사시도이다. 도면을 참고하면, 플라즈마 디스플레이 패널은 제1기판(1) 상에 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 어드레스 전극들(3)이 형성되고, 어드레스 전극들(3)을 덮으면서 제1기판(1)의 전면에 유전체층(5)이 형성된다. 이 유전체층(5) 위로 각 어드레스 전극(3) 사이에 격벽(7)이 형성되며, 상기 격벽(7)은 필요에 따라 개방형 또는 폐쇄형으로 형성될 수 있다. 각각의 격벽(7) 사이에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층(9)이 위치한다.
그리고, 제1기판(1)에 대향하는 제2기판(11)의 일면에는 어드레스 전극(3)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 한쌍의 투명 전극(13a)과 버스 전극(13b)으로 구성되는 표시 전극들(13)이 형성되고, 표시 전극들(13)을 덮으면서 제2기판(11) 전체에 투명 유전체층(15)과 보호막(17)이 위치한다. 이로서 어드레스 전극(3)과 표시 전극(13)의 교차 지점이 방전 셀을 구성하게 되며, 방전 셀들은 방전 가스로 채워져 있다.
이러한 구성에 의해, 어드레스 전극(3)과 어느 하나의 표시 전극(13) 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고, 다시 한쌍의 표시 전극(13) 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하면, 유지 방전시 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체층(9)을 여기시켜 투명한 전면 기판(11)을 통해 가시광을 방출하게 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널은 봉합프릿(seal frit)에 의해서 제1기판과 제2기판이 봉착되며, 드라이브 IC 패키지 및 ACF가 어드레스 전극의 단자부와 압착 고정된다.
도 2는 본 발명이 적용 가능한 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극의 단자부, 드라이브 IC 패키지 및 ACF의 연결부의 단면을 나타낸 모식도이다. 도 2에서 보는 바와 같이, 제1기판(1)과 제2기판(11)이 봉합프릿(seal frit)(21)에 의해 접합되며, 이 때, 어드레스 전극(3)의 단자부와 드라이브 IC 패키지(24) 및 ACF(25)가 압착되고, 접착제(23)가 상기 드라이브 IC 패키지(24) 및 ACF(25)를 지지한다. 이 때, 경우에 따라서는 제1기판(1) 및 제2기판(11)과 드라이브 IC 패키지(24) 및 ACF(25) 사이에 불필요한 공간(26)이 생길 수도 있으며, 상기 공간에 노출된 전극이 산화 또는 황화되는 경우도 발생할 수 있다.
다만, 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극의 단자부, 드라이브 IC 패키지 및 ACF의 연결부의 단면이 도 2의 구성으로만 한정되는 것은 아니다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 상기 어드레스 전극, 및 버스전극은 은, 금, 팔라듐, 백금, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들 중 2 이상의 금속의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 은은 전기전도성이 우수하여 가장 바람직하게 사용될 수 있다. 하기 반응식 1 내지 5는 은(Ag) 전극의 산화과정과 이로 인한 은(Ag) 이동 현상의 메커니즘을 나타낸다.
[반응식 1]
Ag -> Ag+
[반응식 2]
H2O -> H+ + OH-
[반응식 3]
Ag+ + OH- -> AgOH
[반응식 4]
2AgOH -> Ag2O + H2O
[반응식 5]
Ag2O + H2O -> 2AgOH -> 2Ag+ + 2OH-
플라즈마 디스플레이 패널의 조립공정 중에 외부로 노출된 전극의 단자부는 인가 전압과 습기 등에 의해 쉽게 이온화 된다(반응식 1). 한편, 공기 중의 수분은 수소이온(H+)과 수산화이온(OH-)으로 쉽게 분리되며(반응식 2), 이 중에서 수산화이온은 은이온(Ag+)과 결합하여 수산화은(AgOH)으로 변화한다(반응식 3).
수산화은(AgOH)은 매우 불안정한 상태여서 쉽게 황색 혹은 검은색의 산화은(Ag2O)을 형성하게 되며(반응식 4), 이렇게 생성된 산화은은 계속적인 가역 반응을 진행하게 되고(반응식 5), 은이 점차적으로 이동하는 은 이동(silver migration) 현상이 나타난다.
황화은의 생성 메카니즘도 상기 산화은의 생성 메카니즘과 매우 유사하다.
이처럼 어드레스 전극의 산화 또는 황화에 의해 생긴 부식층은 노출 단자부는 저항을 증가시키고, 단자부 불량, 및 패널의 불량을 야기할 염려가 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 부식 현상을 방지할 수 있는 전극 형성용 전도성 분체를 제공하며, 상기 전극 형성용 전도성 분체는 전기전도성 금속 입자, 및 상기 전기전도성 금속입자의 표면을 덮으며 형성된 올레익산 코팅층을 포함한다.
상기 전기전도성 금속 입자는 전기전도성이 우수한 금속 입자라면 어느 것이라도 사용가능하나, 은(Ag), 금, 팔라듐, 백금, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들 중 2 이상의 금속의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 은(Ag)은 전기전도성이 우수하여 가장 바람직하다. 상기 전기전도성 금속 입자는 10nm 내지 5㎛의 평균입경을 가지는 것이 바람직하다. 전기전도성 금속 입자의 평균입경이 10nm 미만인 경우에는 경제적으로 바람직하지 못하며, 5㎛를 초과하는 경우에는 표면적이 줄어들어 원하는 전기전도성을 나타내지 못한다.
상기 전기전도성 금속 입자의 표면에 코팅되는 올레익산 코팅층은 10 nm 내 지 500nm의 두께를 가지는 것이 바람직하고, 10nm 내지 50nm의 두께를 가지는 것이 더 바람직하다. 올레익산 코팅층의 두께가 10nm 미만인 경우에는 부식방지 성능이 떨어지며, 500nm를 초과하는 경우에는 전극 형성시 전기 전도 성능이 떨어질 수 있다.
본 발명은 또한 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법은 용매에 올레익산을 용해시켜 올레익산 코팅액을 제조하는 단계, 상기 올레익산 코팅액에 전기전도성 금속 입자를 첨가하여 혼합하는 단계, 및 상기 혼합액을 건조 및 소성하는 단계를 포함한다.
상기 올레익산 코팅액을 제조하는 단계에서, 상기 올레익산은 상기 전기전도성 금속 입자 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 0.5내지 10중량부로 포함되는 것이 더 바람직하다. 올레익산 의 함량이 0.5중량부 미만인 경우에는 충분한 두께의 코팅층을 형성하기 어려우며, 20중량부를 초과하는 경우에는 코팅성이 나빠지는 문제가 있다.
상기 용매는 부틸 셀로솔브(BC:butyl cellosolve), 부틸 카르비톨 아세테이트(BCA:butyl carbitol acetate), 테르피테올(TP:terpineol), 톨루엔 및 텍사놀(texanol)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 방법으로 제조되는 전극 형성용 전도성 분체는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법인 잉크-젯트법, 오프-세트법, 감광성 페이스트법, 직접인쇄법 또는 TMT(Transfer Materials Technology)법 등에 사용될 수 있다.
그 중에서도 감광성 페이스트법은 박막 공정에서 이용되던 기술을 후막에 적용한 기술로서, 기판 위에 감광성 페이스트를 도포한 후, 포토마스크를 통하여 자외선을 조사한 후, 현상과정을 거쳐 경화되지 않은 부분을 제거함으로써, 패턴을 형성하는 공정이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조 방법은 고분자 수지, 광중합성 모노머, 및 광중합 개시제를 혼합하여 비이클을 제조하는 단계, 상기 전극 형성용 전도성 분체, 및 분산제를 상기 비이클과 혼합하여 감광성 페이스트를 제조하는 단계, 상기 제조된 감광성 페이스트를 기판에 인쇄하는 단계 및 상기 인쇄된 감광성 페이스트를 건조하고, 노광, 현상, 및 소성하는 단계를 포함한다.
상기 감광성 페이스트는 전체 페이스트 100 중량부에 대하여 상기 전극 형성용 전도성 분체 70 내지 80 중량부, 고분자 수지 10 내지 20 중량부, 광중합성 모노머 5 내지 10 중량부, 광중합 개시제 1 내지 3 중량부, 및 분산제 0.1 내지 3중량부를 혼합하여 제조되는 것이 바람직하다.
상기 고분자 수지는 탄소-탄소 불포화 결합을 갖는 화합물 중 적어도 1종류를 중합하여 얻어진 중량 평균 분자량 500 내지 100,000의 고분자 수지인 것이 바람직하며, 보다 구체적으로는 메타크릴 폴리머, 폴리에스테르 아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리에톡시 트리아크릴레이트, 크레졸 에폭시 아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 더 바람직하다.
상기 광중합성 모노머는 자외선 조사에 의해 중합되어 감광성 전극 형성용 조성물을 경화시키는 것으로서, 광중합성 모노머의 함량이 5 중량부 미만인 경우에는 감광성 전극 형성용 조성물을 충분히 경화시킬 수 없으며, 10 중량부를 초과하는 경우에는 전극의 전기전도성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 상기 광중합성 모노머는 아크릴레이트계 모노머 등이 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, 이소-부틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 글리세롤아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 및 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 광중합 개시제는 광중합성 모노머의 광중합반응을 일으키는 것으로서, 광중합 개시제의 함량이 1 중량부 미만인 경우에는 광중합 속도가 느리게 되며, 3 중량부를 초과하는 경우에는 광중합 속도가 필요이상으로 빨라져, 패턴의 균일성 및 물성이 저하될 수 있다.
상기 광중합 개시제는 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아 민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탄올, 벤질메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, ??-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조스베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥사논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 2-페닐-1,2-부타디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜타논, 2,6-비스(4-디메틸아미니벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미히라케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)-벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)-이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐-비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠말린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오-테트라졸, 및 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오-테트라졸로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 감광성 페이스트에 포함되는 분산제는 전극 형성용 전도성 분체, 고분 자 수지, 광중합성 모노머, 및 광중합 개시제의 성능을 좋게 하기 위하여 첨가되는 것이다.
또한, 상기 감광성 페이스트는 소포제, 산화방지제, 중합금지제, 가소제, 금속분말 등의 첨가제를 더욱 포함할 수 있다. 이들 첨가제는 반드시 사용되는 것은 아니고 필요에 따라 사용되며, 첨가 시에는 일반적으로 알려진 양을 적절하게 조절하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 감광성 전극 형성용 조성물은 에폭시계 수지, 에틸 셀룰로오스 또는 니트로 셀룰로오스와 같은 셀룰로오스계 수지 등의 비감광성 수지를 더 포함할 수도 있다.
이하 인쇄, 건조, 노광, 현상, 및 소성 단계는 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법과 동일하므로, 상세한 설명을 생략한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극을 덮는 유전체층, 상기 유전체층 전면에 형성된 격벽 및 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 위치하는 형광체층을 포함하는 제1기판, 및 투명 전극 및 버스 전극을 포함하는 표시 전극, 상기 표시 전극을 덮으며 전면에 형성된 투명 유전체층 및 상기 투명 유전체층 위에 코팅된 보호막을 포함하는 제2기판을 포함하며, 상기 어드레스 전극, 또는 버스 전극 중 적어도 하나의 전극은 올레익산으로 코팅된 전극 형성용 전도성 분체를 포함하는 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
비교예 1
폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)-폴리메틸아크릴레이트(PMAA) 공중합체, 히드록시프로필셀룰로오즈(HPC), 에틸셀룰로오즈(EC), 및 폴리이소부틸메타크릴레이트(PIBMA)를 포함하는 혼합 바인더 77.2 중량부와 트리메틸펜타메디올모노이소부틸레이트(TPM), 부틸카비톨(BC), 부틸카비톨아세테이트(BCA), 및 터피놀 아이소머를 포함하는 용매 22.8 중량부를 포함하는 비이클 29.8 중량%와 평균입경 1.5~3 ㎛ 분포를 가지는 전극 형성용 니켈(Ni) 분말65 중량%, PbO 3 중량%, B2O3 2 중량%, 실리카 0.2 중량%를 혼합하고, 3-롤 밀링(three roll milling)하여 페이스트를 제조하였다.
도 3는 올레익산 코팅되지 않은 전극 형성용 니켈(Ni) 분말의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다.
상기 제조된 페이스트를 기판에 인쇄하고, 건조, 노광, 현상, 및 소성하는 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법에 따라 어드레스 전극을 제조하였다.
실시예 1
올레익산 1 중량% 및 상기 비교예 1에서 제조된 감광성 페이스트 99 중량%를 혼합하여 페이스트를 제조하였다.
상기 제조된 페이스트를 기판에 인쇄하고, 건조, 노광, 현상, 및 500℃에서 소성하였으며, 소성하는 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법에 따라 어드레스 전극을 제조하였다.
도 4는 올레익산 코팅층이 형성된 전극 형성용 전도성 분체의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다.
비교예 1 및 실시예 1에 따라 제조된 전극 단자와 인접한 패널유리의 색지수값을 측정한 결과, 실시예 1에 따라 제조된 전극 단자와 인접한 패널유리의 색지수값이 훨씬 낮음을 확인하였다.
본 발명의 전극 형성용 전도성 분체는 산화 및 황화로 대표되는 부식현상과 이온화로 표현되는 마이그레이션 현상 및 콜로이드화로 표현되는 패널 전극의 황변 현상을 근원적으로 해결할 수 있도록 하며, 이로부터 제조되는 전극의 전기전도도가 그대로 유지될 수 있다는 장점이 있다.

Claims (17)

  1. 전기전도성 금속 입자, 및
    상기 전기전도성 금속입자의 표면을 덮으며 형성된 올레익산(C18H34O2) 코팅층
    을 포함하는 전극 형성용 전도성 분체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전기전도성 금속 입자는 은, 금, 팔라듐, 백금, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들 중 2 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 것인 전극 형성용 전도성 분체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전기전도성 금속 입자는 10nm 내지 5㎛의 평균입경을 가지는 것인 전극 형성용 전도성 분체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 올레익산 코팅층은 10nm 내지 500nm의 두께를 가지는 것인 전극 형성용 전도성 분체.
  5. 용매에 올레익산을 용해시켜 올레익산 코팅액을 제조하는 단계;
    상기 올레익산 코팅액에 전기전도성 금속 입자를 첨가하여 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합액을 소성 및 건조하는 단계
    를 포함하는 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 용매는 부틸 셀로솔브(BC:butyl cellosolve), 부틸 카르비톨 아세테이트(BCA:butyl carbitol acetate), 테르피테올(TP:terpineol), 톨루엔, 및 텍사놀(texanol)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 올레익산은 상기 전기전도성 금속 입자 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20 중량부로 포함되는 것인 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 올레익산은 상기 전기전도성 금속 입자 100 중량부에 대하여 0.5 내지 10 중량부로 포함되는 것인 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 전기전도성 금속 입자는 은, 금, 팔라듐, 백금, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 전극 형성용 전도성 분체의 제조방법.
  10. 고분자 수지, 광중합성 모노머, 및 광중합 개시제를 혼합하여 비이클을 제조하는 단계;
    제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 전극 형성용 전도성 분체, 및 분산제를 상기 비이클과 혼합하여 감광성 페이스트를 제조하는 단계;
    상기 제조된 감광성 페이스트를 기판에 인쇄하는 단계; 및
    상기 인쇄된 감광성 페이스트를 건조하고, 노광, 현상, 및 소성하는 단계
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 페이스트는 전체 페이스트 100 중량부에 대하여 상기 전극 형성용 전도성 분체 70 내지 80중량부, 상기 고분자 수지 10 내지 20 중량부, 상기 광중합성 모노머 5 내지 10 중량부, 상기 광중합 개시제 1 내지 3 중량부, 및 상기 분산제 0.1 내지 3 중량부를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 고분자 수지는 메타크릴 폴리머, 폴리에스테르 아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리에톡시 트리아크릴레이트, 및 크레졸 에폭시 아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 광중합성 모노머는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, 이소-부틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 글리세롤아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 및 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탄올, 벤질메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조스베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥사논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 2-페닐-1,2-부타디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜타논, 2,6-비스(4-디메틸아미니벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미히라케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)-벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)-이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐-비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠말린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오-테트라졸, 및 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오-테트라졸로 이루어진 군에서 선택 되는 1종 이상인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법.
  15. 고분자 수지, 광중합성 모노머, 광중합 개시제, 및 실리카 입자를 혼합하여 비이클을 제조하는 단계;
    전기전도성 금속 입자를 상기 비이클과 혼합하여 감광성 페이스트를 제조하는 단계;
    상기 제조된 감광성 페이스트를 기판에 인쇄하는 단계; 및
    상기 인쇄된 감광성 페이스트를 건조하고, 노광, 현상, 및 소성하는 단계
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법.
  16. 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극을 덮는 유전체층, 상기 유전체층 전면에 형성된 격벽 및 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 위치하는 형광체층을 포함하는 제1기판; 및
    투명 전극 및 버스 전극을 포함하는 표시 전극, 상기 표시 전극을 덮으며 전면에 형성된 투명 유전체층 및 상기 투명 유전체층 위에 코팅된 보호막을 포함하는 제2기판
    을 포함하며, 상기 어드레스 전극, 또는 버스 전극 중 적어도 하나의 전극은 전기전도성 금속 입자 및 실리카 입자를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 어드레스 전극, 또는 버스 전극 중 적어도 하나의 전극은 상기 전기전도성 금속입자의 표면이 상기 실리카로 코팅되어 있는 전극 형성용 전도성 분체를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
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