KR20070034807A - Semiconductor Wafer Drying Apparatus and Drying Method - Google Patents

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KR20070034807A KR1020050089376A KR20050089376A KR20070034807A KR 20070034807 A KR20070034807 A KR 20070034807A KR 1020050089376 A KR1020050089376 A KR 1020050089376A KR 20050089376 A KR20050089376 A KR 20050089376A KR 20070034807 A KR20070034807 A KR 20070034807A
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조현기
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법을 제공한다. 이 장치는 구동 모터와 회전축으로 연결되어 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전판 및 회전판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼의 중앙에서 가장자리까지 소정의 기체를 동시에 분사할 수 있는 다수개의 분사구를 가진 분사 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치이다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼의 전면에 소정의 기체를 골고루 분사함으로써, 건조 효과 및 공정 효율이 높은 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법을 제공할 수 있다.The present invention provides a semiconductor wafer drying apparatus and a drying method. The apparatus includes a rotating plate connected to a drive motor and a rotating shaft and positioned on the rotating plate for rotating the semiconductor wafer, and having a plurality of injection holes capable of simultaneously spraying a predetermined gas from the center to the edge of the semiconductor wafer. It is a semiconductor wafer drying apparatus characterized by the above-mentioned. Accordingly, by spraying a predetermined gas evenly over the entire surface of the semiconductor wafer, it is possible to provide a semiconductor wafer drying apparatus and a drying method with high drying effect and process efficiency.

건조 장치, 회전 건조 방식, 분사구 Drying device, rotary drying method, nozzle

Description

반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법{Apparatus And Method for Semiconductor Wafer Dry Process}Apparatus And Method for Semiconductor Wafer Dry Process

도 1은 종래기술에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도;1 is a schematic cross-sectional view for explaining a semiconductor wafer drying apparatus according to the prior art;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도;2 is a schematic cross-sectional view for explaining a semiconductor wafer drying apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치의 분사 장치를 설명하기 위한 사시도;3 is a perspective view for explaining an injection apparatus of a semiconductor wafer drying apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도.Figure 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a semiconductor wafer drying apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법에 관한 것으로, 더 구체적으로 건조 효과를 증대시키는 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer drying apparatus and a drying method, and more particularly to a semiconductor wafer drying apparatus and a drying method for increasing the drying effect.

일반적으로 반도체 웨이퍼는 사진, 식각, 확산, 화학적 기상 증착 및 금속 배선 등의 다양한 공정들이 반복적으로 수행됨에 따라 반도체 소자로 제조된다.In general, a semiconductor wafer is manufactured as a semiconductor device as various processes such as photography, etching, diffusion, chemical vapor deposition, and metal wiring are repeatedly performed.

상기한 공정 중에 있어서, 습식 세정 공정 또는 습식 식각 공정과 같은 습식 공정은 반도체 웨이퍼를 사용하는 반도체 소자의 제조에 자주 사용된다. 따라서 습식 공정을 완료한 후, 습식 공정 중에 사용된 화학 물질을 제거하기 위하여 세정 공정이 실시되어야 한다. 또한, 세정 공정을 완료한 후, 세정 공정 중에 사용된 탈이온수(deionized water)를 제거하기 위하여 건조 공정이 실시되어야 한다.Among the above processes, wet processes such as a wet cleaning process or a wet etching process are frequently used for the manufacture of semiconductor devices using semiconductor wafers. Therefore, after the wet process is completed, a cleaning process must be performed to remove chemicals used during the wet process. In addition, after the cleaning process is completed, a drying process must be carried out to remove deionized water used during the cleaning process.

상기한 탈이온수 공급에 의한 세정 공정 이후, 반도체 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질 및 탈이온수는 반도체 웨이퍼를 회전판에 장착하여 고속 회전시키는 방법 또는 알콜(alcohol) 등과 같은 특정 화학 물질을 이용하는 방법 등으로 제거하게 된다.After the cleaning process by supplying the deionized water, foreign matter and deionized water remaining on the semiconductor wafer may be removed by mounting the semiconductor wafer on the rotating plate at high speed or by using a specific chemical such as alcohol. do.

건조 공정 중에 반도체 웨이퍼 상의 탈이온수가 완전히 제거되지 않으면, 반도체 웨이퍼 상에 물반점(water mark)이라고 불리는 결함(defect)이 생성된다. 이러한 결함은 후속 공정에서 잔류 입자(particle) 또는 콘택 불량(contact fail)을 유발시킨다. 따라서, 반도체 웨이퍼 상에 탈이온수가 잔류하는 것을 방지하기 위한 건조 장치가 요구된다. If deionized water on the semiconductor wafer is not completely removed during the drying process, defects called water marks are created on the semiconductor wafer. Such defects cause residual particles or contact failures in subsequent processes. Therefore, a drying apparatus for preventing deionized water from remaining on the semiconductor wafer is desired.

도 1은 종래기술에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a semiconductor wafer drying apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 건조 장치(10)는 구동 모터(12)와 회전축(14)으로 연결된 회전판(16) 및 소정의 기체를 분사하는 분사 장치(20)로 이루어진다. 회전판(16)은 반도체 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하기 위한 고정핀(18)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 1, the semiconductor wafer drying apparatus 10 includes a rotating plate 16 connected to a driving motor 12 and a rotating shaft 14, and an injection apparatus 20 for spraying a predetermined gas. The rotating plate 16 may include a fixing pin 18 to prevent the semiconductor wafer W from being separated.

회전판(16)은 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 고정시켜 회전시키는 역할을 한다. 분사 장치(20)는 회전판(16)의 상부에 위치하면서 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부에 수직으로 소정의 기체를 분사하게 설치되어 있다.The rotating plate 16 serves to rotate by adsorbing and fixing the semiconductor wafer (W). The injection device 20 is located above the rotating plate 16 and is provided to inject a predetermined gas perpendicularly to the central portion of the semiconductor wafer W. As shown in FIG.

이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼 건조 장치(10)의 동작을 설명하면, 세정 공정을 거친 반도체 웨이퍼(W)는 회전판(16)의 상면에 장착된 상태로 흡착되고, 회전판(16)의 가장자리 부위에 구비된 고정핀(18)에 의해 회전판(16)의 고속 회전에도 반도체 웨이퍼(W)가 위치를 이탈하지 않도록 고정된다.Referring to the operation of the semiconductor wafer drying apparatus 10 configured as described above, the semiconductor wafer W subjected to the cleaning process is adsorbed in a state of being mounted on the upper surface of the rotating plate 16 and provided at the edge portion of the rotating plate 16. The semiconductor wafer W is fixed by the fixing pin 18 so as not to deviate from the position even at a high speed rotation of the rotating plate 16.

반도체 웨이퍼(W)가 고정된 상태에서 구동 모터(12)가 가동되어 회전축(14)으로 연결된 회전판(16)을 회전시키게 된다. 이때 회전판(16)의 상부에 이격되면서 수직이게 설치된 분사 장치(20)는 회전판(16)에 흡착 고정되어 고속 회전하는 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부로 소정의 기체를 분사하게 된다.In the state where the semiconductor wafer W is fixed, the driving motor 12 is operated to rotate the rotating plate 16 connected to the rotating shaft 14. At this time, the injection device 20 vertically spaced apart from the upper portion of the rotating plate 16 is sucked and fixed to the rotating plate 16 to inject a predetermined gas to the center portion of the semiconductor wafer (W) that rotates at high speed.

따라서, 반도체 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질 및 탈이온수는 회전판(16)의 고속 회전과 분사 장치(20)를 통해 분사되는 소정의 기체에 의해 제거됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)가 건조된다.Therefore, the foreign matter and deionized water remaining on the semiconductor wafer W are removed by the high-speed rotation of the rotating plate 16 and the predetermined gas injected through the injection device 20, thereby drying the semiconductor wafer W.

상기한 분사 장치로 소정의 기체를 분사하는 경우에는 반도체 웨이퍼의 중앙부에서만 분사되기 때문에 반도체 웨이퍼 전면에 소정의 기체가 골고루 분포될 수 없는 동시에 건조 시간이 길어지게 된다. 결과적으로, 반도체 웨이퍼를 건조하는 효과 및 공정의 효율이 떨어지는 문제점이 있다.In the case of spraying a predetermined gas with the above-described spraying device, since the spraying is performed only at the center portion of the semiconductor wafer, the predetermined gas cannot be evenly distributed on the entire surface of the semiconductor wafer and the drying time is long. As a result, there is a problem that the effect of drying the semiconductor wafer and the efficiency of the process are inferior.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 웨이퍼를 건조하는 효과 및 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer drying apparatus and a drying method that can improve the effect of drying the semiconductor wafer and the efficiency of the process.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법을 제공한다. 이 장치는 구동 모터와 회전축으로 연결되어 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전판 및 회전판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼의 중앙부에서 가장자리까지 소정의 기체를 동시에 분사할 수 있는 다수개의 분사구를 가진 분사 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치이다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a semiconductor wafer drying apparatus and drying method. The apparatus includes a rotating plate connected to a drive motor and a rotating shaft and positioned on the rotating plate for rotating the semiconductor wafer, and having a plurality of injection holes capable of simultaneously spraying a predetermined gas from the center to the edge of the semiconductor wafer. It is a semiconductor wafer drying apparatus characterized by the above-mentioned.

분사구는 서로 다른 크기로 이루어질 수 있으며, 분사구의 크기는 반도체 웨이퍼 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 할 수 있다. 기체는 질소일 수 있다.The injection holes may be formed in different sizes, and the size of the injection holes may be characterized in that the size decreases toward the edge from the center portion of the semiconductor wafer. The gas may be nitrogen.

이 방법에 따르면, 먼저 구동 모터와 회전축으로 연결되고, 반도체 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 고정핀을 구비한 회전판에 반도체 웨이퍼를 장착한다. 회전판을 회전시키면서 분사 장치를 작동시켜 소정의 기체를 분사함으로써, 반도체 웨이퍼를 건조할 수 있다. 다수개의 분사구를 구비한 분사 장치는 상기 회전판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼의 중앙부에서 가장자리까지 소정의 기체를 동시에 분사하는 것을 특징으로 할 수 있다.According to this method, a semiconductor wafer is first mounted on a rotating plate connected to a drive motor and a rotating shaft, and having a fixing pin for preventing separation of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer can be dried by operating the injection apparatus while injecting a predetermined gas while rotating the rotating plate. An injection apparatus having a plurality of injection holes may be positioned on the top of the rotating plate, and may simultaneously spray a predetermined gas from the center to the edge of the semiconductor wafer.

분사구는 서로 다른 크기로 이루어질 수 있으며, 분사구의 크기는 반도체 웨이퍼 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 할 수 있다. 기체 는 질소일 수 있다.The injection holes may be formed in different sizes, and the size of the injection holes may be characterized in that the size decreases toward the edge from the center portion of the semiconductor wafer. The gas may be nitrogen.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다. 도면들에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. In the drawings, like reference numerals designate like elements that perform the same function.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor wafer drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼 건조 장치(110)는 구동 모터(112)와 회전축(114)으로 연결된 회전판(116) 및 소정의 기체를 분사하는 분사 장치(120)로 이루어진다. 회전판(116)은 반도체 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하기 위한 고정핀(118)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 2, the semiconductor wafer drying apparatus 110 includes a rotating plate 116 connected to the driving motor 112 and the rotating shaft 114, and an injection apparatus 120 for spraying a predetermined gas. The rotating plate 116 may include a fixing pin 118 to prevent the semiconductor wafer W from being separated.

회전판(116)은 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 고정시켜 회전시키는 역할을 할 수 있다. 분사 장치(120)는 회전판(116)의 상부에 위치하면서 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부에서 가장자리까지 수직으로 소정의 기체를 동시에 분사할 수 있는 다수개의 분사구를 구비할 수 있다. 소정의 기체는 질소(N2)일 수 있다.The rotating plate 116 may serve to rotate the adsorption and fixation of the semiconductor wafer (W). The injection device 120 may be provided with a plurality of injection holes which are positioned above the rotating plate 116 to simultaneously spray a predetermined gas vertically from the center portion of the semiconductor wafer W to the edge. The predetermined gas may be nitrogen (N 2 ).

이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼 건조 장치(110)의 동작을 설명하면, 세정 공정을 거친 반도체 웨이퍼(W)는 회전판(116)의 상면에 장착된 상태로 흡착되고, 회전판(116)의 가장자리 부위에 구비된 고정핀(118)에 의해 회전판(116)의 고속 회전에도 반도체 웨이퍼(W)가 위치를 이탈하지 않도록 고정될 수 있다.Referring to the operation of the semiconductor wafer drying apparatus 110 configured as described above, the semiconductor wafer W subjected to the cleaning process is adsorbed in a state of being mounted on the upper surface of the rotating plate 116, and is provided at the edge portion of the rotating plate 116. The semiconductor wafer W may be fixed by the fixing pin 118 so that the semiconductor wafer W does not leave its position even at a high speed rotation of the rotating plate 116.

반도체 웨이퍼(W)가 고정된 상태에서 구동 모터(112)가 가동되어 회전축(114)으로 연결된 회전판(116)을 회전시킬 수 있다. 이때 회전판(116)의 상부에 이격되면서 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부에서 가장자리까지 평행하게 설치된 분사 장치(120)는 회전판(116)에 흡착 고정되어 고속 회전하는 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부에서 가장자리까지 질소를 골고루 동시에 분사할 수 있다. 이는 분사 장치(140)에 형성되어 있는 다수개의 분사구가 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 그 크기가 작아지는 방식으로 형성되기 때문이다. 따라서, 도면의 화살표와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 분사되는 질소의 양이 점차적으로 줄어들게 된다.The driving motor 112 may be operated while the semiconductor wafer W is fixed to rotate the rotating plate 116 connected to the rotating shaft 114. At this time, the injection device 120 installed parallel to the edge of the semiconductor wafer W while being spaced apart from the upper portion of the rotating plate 116 is adsorbed and fixed to the rotating plate 116 to the center portion of the semiconductor wafer W to rotate at high speed. Nitrogen can be sprayed evenly and simultaneously. This is because a plurality of injection holes formed in the injection device 140 are formed in such a manner that their size decreases from the center portion of the semiconductor wafer W toward the edge. Therefore, as shown by the arrow in the drawing, the amount of nitrogen injected from the central portion toward the edge of the semiconductor wafer W gradually decreases.

따라서, 반도체 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질 및 탈이온수가 회전판(116)의 고속 회전과 분사 장치(120)를 통해 골고루 분사되는 질소에 의해 제거됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)가 건조되는 효과 및 공정 효율이 향상될 수 있다.Therefore, foreign matter and deionized water remaining on the semiconductor wafer W are removed by the high-speed rotation of the rotating plate 116 and nitrogen evenly injected through the injection device 120, thereby drying the semiconductor wafer W, and Process efficiency can be improved.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치의 분사 장치를 설명하기 위한 사시도이다.3 is a perspective view for explaining an injection apparatus of a semiconductor wafer drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 반도체 웨이퍼 건조 장치(도 2의 110)의 분사 장치(도 2의 120)를 설명하기 위해 그 일부분(도 2의 A)을 확대한 도면이다. 분사 장치는 회전판(도 2의 116)에 수평으로 인입되어 반도체 웨이퍼(도 2의 W)의 중앙부에서 아래 로 수직으로 꺾여 내려온 다음, 다시 회전판과 수평이 되게 꺾여서 반도체 웨이퍼의 가장자리까지 연장되는 형태를 가질 수 있다. 도면은 분사 장치(120)의 분사구(125)를 설명하기 위하여 도 2의 A 부분의 아래와 위가 뒤바뀐 모습이다.Referring to FIG. 3, a portion (A of FIG. 2) is enlarged to explain the injection device (120 of FIG. 2) of the semiconductor wafer drying apparatus (110 of FIG. 2). The injection device is horizontally drawn into the rotating plate (116 in FIG. 2) to be bent vertically downward from the center of the semiconductor wafer (W in FIG. 2), and then bent horizontally with the rotating plate to extend to the edge of the semiconductor wafer. Can have Figure is a view of the upside down portion A of Figure 2 to explain the injection port 125 of the injection device 120.

분사 장치(120)의 끝단은 막혀 있는 반면에 회전판과 수평을 이루는 분사 장치(120)의 하부에 다수개의 분사구(125)가 형성되어 있다. 분사구(125)는 반도체 웨이퍼의 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 그 크기가 작아지는 것을 특징으로 할 수 있다. 이는 분사 장치(120)의 분사구(125)의 크기가 동일한 경우, 반도체 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질 및 탈이온수가 분사 장치(120)의 분사구(125)를 통해 분사되는 질소에 의해 반도체 웨이퍼의 중심으로 역류하거나 잔류할 수 있기 때문이다.While the end of the injection device 120 is blocked, a plurality of injection holes 125 are formed in the lower part of the injection device 120 which is parallel to the rotating plate. The injection hole 125 may be characterized in that its size decreases toward the edge from the center portion of the semiconductor wafer. This is because when the injection holes 125 of the injection device 120 have the same size, foreign substances and deionized water remaining on the semiconductor wafer are discharged to the center of the semiconductor wafer by nitrogen injected through the injection holes 125 of the injection device 120. This may be due to backflow or residuals.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor wafer drying apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 반도체 웨이퍼 건조 장치(210)는 구동 모터(212)와 회전축(214)으로 연결된 회전판(216) 및 소정의 기체를 분사하는 분사 장치(220)로 이루어진다. 회전판(216)은 반도체 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하기 위한 고정핀(218)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor wafer drying apparatus 210 includes a rotating plate 216 connected to the driving motor 212 and the rotating shaft 214, and an injection apparatus 220 for spraying a predetermined gas. The rotating plate 216 may include a fixing pin 218 to prevent the semiconductor wafer W from being separated.

회전판(216)은 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 고정시켜 회전시키는 역할을 할 수 있다. 분사 장치(220)는 회전판(216)의 상부에 위치하면서 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부에서 가장자리까지 수직으로 소정의 기체를 동시에 분사할 수 있는 다수개의 분사구를 구비할 수 있다. 소정의 기체는 질소일 수 있다.The rotating plate 216 may serve to rotate the suction of the semiconductor wafer (W). The injection apparatus 220 may include a plurality of injection holes positioned at the upper portion of the rotating plate 216 to simultaneously spray a predetermined gas vertically from the center portion of the semiconductor wafer W to the edge. Certain gases may be nitrogen.

이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼 건조 장치(210)의 동작은 도 2의 반도체 웨이퍼 건조 장치(도 2의 110)와 동일하게 작동될 수 있다.The operation of the semiconductor wafer drying apparatus 210 configured as described above may be operated in the same manner as the semiconductor wafer drying apparatus 110 of FIG. 2.

다만, 분사 장치(220)는 회전판(216)에 수평으로 인입되어 반도체 웨이퍼(W)의 가장자리에서 아래로 수직으로 꺾여 내려온 다음, 다시 회전판(216)과 수평이 되게 꺾여서 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부까지 연장되는 형태를 가질 수 있다. 분사 장치(220)는 회전판(216)에 흡착 고정되어 고속 회전하는 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부에서 가장자리까지 질소를 골고루 동시에 분사할 수 있다.However, the injection apparatus 220 is drawn horizontally into the rotating plate 216 to be bent vertically downward from the edge of the semiconductor wafer W, and then bent horizontally to the rotating plate 216 again to form a central portion of the semiconductor wafer W. It may have a form extending to. The injection apparatus 220 may spray nitrogen evenly from the central portion to the edge of the semiconductor wafer W which is sucked and fixed to the rotating plate 216 and rotates at high speed.

분사 장치(220)의 끝단은 막혀 있는 반면에 회전판과 수평을 이루는 분사 장치(220)의 하부에 다수개의 분사구가 형성되어 있다. 분사구는 반도체 웨이퍼의 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 그 크기가 작아지는 것을 특징으로 할 수 있다. 따라서, 도면의 화살표와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 분사되는 질소의 양이 점차적으로 줄어들게 된다. 이는 분사 장치(220)의 분사구 크기가 동일한 경우, 반도체 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질 및 탈이온수가 분사 장치(220)의 분사구를 통해 분사되는 질소에 의해 반도체 웨이퍼의 중심으로 역류하거나 잔류할 수 있기 때문이다.While the end of the injection device 220 is blocked, a plurality of injection holes are formed in the lower part of the injection device 220 which is parallel to the rotating plate. The injection hole may be characterized in that its size decreases toward the edge from the center portion of the semiconductor wafer. Therefore, as shown by the arrow in the drawing, the amount of nitrogen injected from the central portion toward the edge of the semiconductor wafer W gradually decreases. This is because foreign matter and deionized water remaining on the semiconductor wafer may flow back to the center of the semiconductor wafer or remain due to nitrogen injected through the injection hole of the injection device 220 when the injection hole size of the injection device 220 is the same. to be.

따라서, 반도체 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질 및 탈이온수는 회전판(216)의 고속 회전과 분사 장치(220)를 통해 반도체 웨이퍼(W)에 골고루 분사되는 질소에 의해 제거됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)가 건조되는 효과 및 공정 효율이 향상될 수 있다.Accordingly, the foreign matter and deionized water remaining on the semiconductor wafer W are removed by the high-speed rotation of the rotating plate 216 and nitrogen evenly sprayed onto the semiconductor wafer W through the spraying device 220, whereby the semiconductor wafer W ) Drying and process efficiency can be improved.

상기한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치를 사용하여 반 도체 웨이퍼를 건조함으로써, 건조 효과 및 공정 효율이 향상될 수 있다. 이에 따라, 품질이 우수한 반도체 웨이퍼를 짧은 공정 시간에 생산할 수 있다.By drying the semiconductor wafer using the semiconductor wafer drying apparatus according to the embodiments of the present invention described above, the drying effect and the process efficiency can be improved. As a result, a semiconductor wafer having excellent quality can be produced in a short process time.

상술한 것과 같이, 본 발명에 따르면 반도체 웨이퍼의 전면에 소정의 기체를 골고루 분사함으로써, 건조 효과 및 공정 효율이 향상될 수 있는 반도체 웨이퍼 건조 장치 및 건조 방법을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, by spraying a predetermined gas evenly on the entire surface of the semiconductor wafer, it is possible to provide a semiconductor wafer drying apparatus and a drying method that can improve the drying effect and process efficiency.

Claims (8)

구동 모터와 회전축으로 연결되어 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전판; 및A rotating plate connected to the driving motor and the rotating shaft to rotate the semiconductor wafer; And 상기 회전판의 상부에 위치하되, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙부에서 가장자리까지 소정의 기체를 동시에 분사할 수 있는 다수개의 분사구를 가진 분사 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.Located in the upper portion of the rotating plate, a semiconductor wafer drying apparatus comprising a plurality of injection holes that can simultaneously spray a predetermined gas from the center portion to the edge of the semiconductor wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사구는 서로 다른 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.The injection hole is a semiconductor wafer drying apparatus, characterized in that the different size. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분사구의 크기는 상기 반도체 웨이퍼 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.And the size of the injection hole becomes smaller toward the edge from the center portion of the semiconductor wafer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기체는 질소인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.The gas is a semiconductor wafer drying apparatus, characterized in that the nitrogen. 구동 모터와 회전축으로 연결되고, 반도체 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 고정핀을 구비한 회전판에 상기 반도체 웨이퍼를 장착하는 단계; 및Mounting the semiconductor wafer on a rotating plate connected to a driving motor and a rotating shaft and having a fixing pin for preventing separation of the semiconductor wafer; And 상기 회전판을 회전시키면서 분사 장치를 작동시켜 소정의 기체를 분사하는 단계를 포함하되,Injecting a predetermined gas by operating the injection device while rotating the rotating plate, 다수개의 분사구를 구비한 상기 분사 장치는 상기 회전판의 상부에 위치하되, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙부에서 가장자리까지 소정의 상기 기체를 동시에 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 방법.The injection apparatus having a plurality of injection holes is located on top of the rotating plate, the semiconductor wafer drying method, characterized in that for simultaneously spraying the predetermined gas from the center portion to the edge of the semiconductor wafer. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 분사구는 서로 다른 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 방법.The injection hole is a semiconductor wafer drying method, characterized in that the different size. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 분사구의 크기는 상기 반도체 웨이퍼 중앙부 쪽에서 가장자리로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 방법.The size of the injection port is a semiconductor wafer drying method, characterized in that the smaller toward the edge from the center portion of the semiconductor wafer. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 기체는 질소인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 방법.The gas is a semiconductor wafer drying method, characterized in that the nitrogen.
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