KR102672853B1 - Cleaning apparatus for substrate - Google Patents

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Abstract

기판의 세정을 위한 기판 세정 장치에서 챔버 내벽면을 세정할 수 있는 기판 세정 장치가 개시된다. 기판 세정 장치는, 기판을 세정하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판이 안착되어 회전 가능하게 구비되는 스핀척, 상기 챔버 내부에서 상기 스핀척 주변에 구비되며, 상기 기판에 세정액을 제공하는 세정부 및 상기 세정부에서 상기 챔버의 내벽면에 대향하는 부분에 구비되어 상기 내벽면에 세정액을 제공하는 벽면 세정 노즐을 포함하여 구성된다.A substrate cleaning device capable of cleaning the inner wall of a chamber is disclosed. The substrate cleaning device includes a chamber that provides a space where a substrate cleaning process is performed, a spin chuck provided inside the chamber, on which the substrate is seated and rotatable, and a spin chuck provided inside the chamber around the spin chuck, , a cleaning part that provides a cleaning solution to the substrate, and a wall cleaning nozzle provided in a portion of the cleaning part facing the inner wall of the chamber to provide a cleaning solution to the inner wall.

Description

기판 세정 장치{CLEANING APPARATUS FOR SUBSTRATE}Substrate cleaning device {CLEANING APPARATUS FOR SUBSTRATE}

반도체 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.It relates to a substrate cleaning device for cleaning semiconductor substrates.

일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher)나 파티클 등의 불순물 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되는데, 이러한 공정의 진행에 따라 반도체 기판 내에는 식각이나 불순물 제거 공정으로 완전히 제거되지 않은 불순물이 남게 된다. 반도체 장치의 미세화가 진행됨에 따라 수율과 신뢰성 측면에서 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 불순물 제거의 중요성 또한 증대되고 있다. 이러한 불순물은 반도체 장치의 성능과 수율을 좌우하는 중요한 요소이기 때문에 반도체 장치를 제조하기 위한 각 공정을 진행하기 전에 세정 공정을 거쳐야 한다.In general, in the semiconductor manufacturing process, deposition of insulating films and metal materials, etching, coating of photoresist, development, and removal of impurities such as asher or particles are repeated several times. This creates an array of fine patterning, and as this process progresses, impurities that are not completely removed through the etching or impurity removal process remain within the semiconductor substrate. As the miniaturization of semiconductor devices progresses, the importance of removing impurities such as fine particles, metal impurities, organic contaminants, and natural oxide films is also increasing in terms of yield and reliability. Since these impurities are important factors that determine the performance and yield of semiconductor devices, they must undergo a cleaning process before proceeding with each process to manufacture semiconductor devices.

이와 같이, 반도체 장치를 제조하기 위한 기판의 세정 공정은 기판 표면에 잔류하는 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 표면 피막 등의 다양한 대상물을 제거하기 위하여 실시한다. 통상적으로 세정 공정은 반도체 장치를 제조하는 총 공정의 약 1/4 ∼ 1/3을 차지하고 있으며, 이것은 세정 횟수뿐만 아니라 각 공정에 적합한 다양한 세정 공정이 요구되고 있다는 것을 의미한다.As such, the substrate cleaning process for manufacturing a semiconductor device is performed to remove various objects such as fine particles remaining on the surface of the substrate, metal impurities, organic contaminants, and surface films such as natural oxide films. Typically, the cleaning process accounts for about 1/4 to 1/3 of the total process for manufacturing a semiconductor device, which means that not only the number of cleanings but also various cleaning processes suitable for each process are required.

일반적으로 반도체 기판의 습식 세정 장치는, 화학용액이 채워진 세정조(Bath) 내에 복수의 기판을 침지하여 처리하는 방식의 배치식(Batch type)과, 한 장의 기판을 수평으로 배치하여 회전시키면서 처리하는 방식의 매엽식(single type)으로 구분된다.In general, wet cleaning devices for semiconductor substrates are of the batch type, which processes multiple substrates by immersing them in a cleaning bath filled with a chemical solution, and the batch type, which processes a single substrate by placing it horizontally and rotating it. It is classified into a single type.

매엽식 세정 장치는 고속으로 회전하는 기판의 표면에 세정제를 분사하여 원심력으로 기판 표면을 세정하고, 기판 표면에 액상의 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol)과 같은 건조액을 이용하여 기판을 건조시키게 된다. 또한, 매엽식 세정 장치에서 세정 공정은, RCA 공정, 즉, SC1(Standard Cleaning 1, NH4OH:H2O2:H2O가 혼합된 세정제), SC2(Standard Cleaning 2, HPM-HCl:H2O2:H2O가 혼합된 세정제), Piranha(SPM, Sulfuric Peroxide Mixture), DHF(Dilute HF) 약액을 이용하여 기판 표면에서 박막을 제거하고, 파티클을 제거한 후 초순수(DI)로 린스 처리 한 다음 건조 공정을 거치게 된다. 그리고 건조 공정은 일반적으로 고RPM(예를 들어, 1500~2500RPM)으로 기판을 회전시키면서 건조하는 스핀(Spin) 방식과 동시에 기판 표면에 불활성 가스(예를 들어, N2 가스)를 공급하여 건조시키는 방식이 있다. 최근에는 스핀 방식과 동시에 IPA/N2 가스를 분사하여 건조시키는 로타고니 방식(Rotagoni Dry)이 각광을 받고 있다. 로타고니 방식은 IPA를 액체 또는 기체 상태로 제공하는 동시에 N2 가스를 분사함으로써, 마랑고니 효과(Marangoni Effect; 기판에 잔류하는 수분의 표면장력을 낮춰서 건조시키는 효과)를 이용하여 기판의 수분을 제거하게 된다.A single-wafer cleaning device sprays a cleaner on the surface of a substrate rotating at high speed, cleans the substrate surface using centrifugal force, and dries the substrate using a drying liquid such as liquid isopropyl alcohol (IPA) on the substrate surface. do. In addition, the cleaning process in the single wafer type cleaning device is the RCA process, that is, SC1 (Standard Cleaning 1, a mixed cleaner of NH4OH:H2O2:H2O), SC2 (Standard Cleaning 2, a mixed cleaner of HPM-HCl:H2O2:H2O) ), Piranha (SPM, Sulfuric Peroxide Mixture), and DHF (Dilute HF) chemicals are used to remove the thin film from the substrate surface, remove particles, rinse with ultrapure water (DI), and then go through a drying process. The drying process is generally a spin method in which the substrate is dried by rotating it at high RPM (e.g., 1500 to 2500 RPM), and at the same time, an inert gas (e.g., N2 gas) is supplied to the surface of the substrate to dry it. There is. Recently, the Rotagoni Dry method, which involves drying by spraying IPA/N2 gas at the same time as the spin method, has been in the spotlight. The Rotagoni method provides IPA in a liquid or gaseous state while spraying N2 gas to remove moisture from the substrate using the Marangoni Effect (an effect that dries by lowering the surface tension of moisture remaining on the substrate). do.

한편, 기존의 매엽식 세정 장치에서는 세정 공정 동안 챔버 내벽면에 오염 물질이 부착될 수 있는데, 이를 제거하기 위한 세정 공정을 추가로 실시하여야 한다.Meanwhile, in existing single wafer cleaning devices, contaminants may adhere to the inner wall of the chamber during the cleaning process, and an additional cleaning process must be performed to remove them.

전술한 배경기술로서 설명된 내용은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 인정하는 것이라고 할 수는 없다.The content described as the above-mentioned background technology is what the inventor possessed or acquired in the process of deriving the present invention, and it cannot necessarily be said to be recognized as known technology disclosed to the general public before the application for the present invention.

실시 예의 목적은, 챔버의 내벽면의 오염을 제거할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.The purpose of the embodiment is to provide a substrate cleaning device capable of removing contamination from the inner wall surface of the chamber.

또한, 기존의 세정부를 이용하여 챔버 내벽면을 세정할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.In addition, the present invention provides a substrate cleaning device that can clean the inner wall of a chamber using an existing cleaning unit.

실시 예들에서 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved in the embodiments are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예들에 따르면, 기판 세정 장치는, 기판을 세정하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판이 안착되어 회전 가능하게 구비되는 스핀척, 상기 챔버 내부에서 상기 스핀척 주변에 구비되며, 상기 기판에 세정액을 제공하는 세정부 및 상기 세정부에서 상기 챔버의 내벽면에 대향하는 부분에 구비되어 상기 내벽면에 세정액을 제공하는 벽면 세정 노즐을 포함하여 구성된다.According to embodiments of the present invention for achieving the above-described object of the present invention, a substrate cleaning device includes a chamber that provides a space where a substrate cleaning process is performed, and is provided inside the chamber, and the substrate is seated and rotated. A spin chuck that can be provided, a cleaning part that is provided around the spin chuck inside the chamber and provides cleaning liquid to the substrate, and a part of the cleaning part that faces the inner wall of the chamber and that provides cleaning liquid to the inner wall. It is configured to include a wall cleaning nozzle that provides.

이상에서 본 바와 같이, 본 실시 예에 따르면, 챔버의 내벽면을 세정할 수 있어서 기판 세정 장치의 내부 환경을 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 기존의 세정부의 구조를 변경하지 않고 적용시킬 수 있으므로 구조가 단순하다.As seen above, according to this embodiment, the inner wall surface of the chamber can be cleaned and the internal environment of the substrate cleaning device can be kept constant. In addition, the structure is simple because it can be applied without changing the structure of the existing cleaning unit.

일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the substrate cleaning device according to one embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 세정 장치에서 세정부의 사시도이다.
도 3은 도 1의 기판 세정 장치의 동작을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1의 기판 세정 장치의 정면도이다.
1 is a plan view of a substrate cleaning device according to an embodiment.
Figure 2 is a perspective view of a cleaning unit in the substrate cleaning device of Figure 1.
FIG. 3 is a plan view for explaining the operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 4 is a front view of the substrate cleaning device of FIG. 1.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through illustrative drawings. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing an embodiment, if a detailed description of a related known configuration or function is judged to impede understanding of the embodiment, the detailed description will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the essence, order, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being “connected,” “coupled,” or “connected” to another component, that component can be connected or connected directly to that other component, but there is no need for another component between each component. It should be understood that may be “connected,” “combined,” or “connected.”

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description given in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed description will be omitted to the extent of overlap.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 실시 예들에 따른 기판 세정 장치(10)에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치(10)의 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 세정 장치(10)에서 세정부의 사시도이다. 도 3은 도 1의 기판 세정 장치(10)의 동작을 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 기판 세정 장치(10)의 정면도이다.Hereinafter, with reference to FIGS. 1 to 4 , the substrate cleaning device 10 according to embodiments will be described in detail. For reference, FIG. 1 is a perspective view of a substrate cleaning device 10 according to an embodiment, and FIG. 2 is a perspective view of a cleaning unit in the substrate cleaning device 10 of FIG. 1 . FIG. 3 is a top view for explaining the operation of the substrate cleaning device 10 of FIG. 1, and FIG. 4 is a front view of the substrate cleaning device 10.

도면을 참조하면, 기판 세정 장치(10)는 한 장의 기판(1)을 수평으로 지지하여 소정 속도로 회전시키고, 회전하는 기판(1) 상에 세정을 위한 세정액을 제공함으로써 기판(1)을 세정 및 건조하는 방식의 매엽식(single spin type) 세정 장치이다. 세정액은 기판(1)을 세정하기 위한 액체 또는 기체 등의 물질을 포함하며, 제거하고자 하는 물질의 종류에 따라 복수의 약액이 사용될 수 있으며, 약액 뿐만 아니라 건조를 위해서 제공되는 IPA 및 N2 가스 등도 포함한다.Referring to the drawing, the substrate cleaning device 10 supports a sheet of substrate 1 horizontally, rotates it at a predetermined speed, and cleans the substrate 1 by providing a cleaning liquid for cleaning on the rotating substrate 1. and a drying type single spin type cleaning device. The cleaning liquid contains substances such as liquid or gas for cleaning the substrate 1. Depending on the type of substance to be removed, multiple chemical liquids may be used. In addition to the chemical liquid, it also includes IPA and N2 gas provided for drying. do.

기판 세정 장치(10)는 기판(1)을 지지하여 회전하는 스핀척(13)과, 스핀척(13)을 수용하여 기판(1)의 세정 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버(11) 및 기판(1)에 세정액을 제공하는 세정부(14)를 포함할 수 있다.The substrate cleaning device 10 includes a spin chuck 13 that supports and rotates the substrate 1, a chamber 11 that accommodates the spin chuck 13 and provides a space where the cleaning process of the substrate 1 is performed, and It may include a cleaning unit 14 that provides cleaning liquid to the substrate 1.

일 예로, 기판(1)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(1)은 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)나 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP)와 같은 평판 디스플레이 (flat panel display, FPD) 장치용 유리 기판일 수 있다. 또한, 기판(1)은 그 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형이나 사각형의 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 그리고 기판(1)의 형상 및 크기에 따라 스핀척(13)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.As an example, the substrate 1 may be a silicon wafer that becomes a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited to this, and the substrate 1 is glass for a flat panel display (FPD) device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). It may be a substrate. In addition, the shape and size of the substrate 1 are not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes, such as a circular or square plate. And, depending on the shape and size of the substrate 1, the size and shape of the spin chuck 13 may also be changed.

챔버(11)는 스핀척(13)이 내부에 수용되는 공간을 제공하고, 기판(1)의 세정 공정을 위한 환경을 제공한다. 또한, 챔버(11)의 상부에는 챔버(11) 내부의 환경을 형성하기 위한 FFU(Fan Filter Unit)(미도시) 등이 구비될 수 있다. 또한, 챔버(11)의 바닥면(112) 측에는 챔버(11) 내부에서 세정액을 배출시키기 위한 배출구(115) 및 배출부(15)가 구비된다.The chamber 11 provides a space in which the spin chuck 13 is accommodated, and provides an environment for a cleaning process of the substrate 1. Additionally, a fan filter unit (FFU) (not shown), etc. may be provided at the upper part of the chamber 11 to create an environment inside the chamber 11. In addition, the bottom surface 112 of the chamber 11 is provided with an outlet 115 and a discharge part 15 for discharging the cleaning liquid from inside the chamber 11.

스핀척(13)은 상면에 기판(1)이 상면에 안착되어서, 소정 속도로 회전함으로써 기판(1)을 회전시킨다. 또한, 스핀척(13)은 챔버(11) 내부에서 소정 높이로 승강 이동 가능하게 구비된다.The spin chuck 13 rotates the substrate 1 by seating it on the upper surface and rotating it at a predetermined speed. Additionally, the spin chuck 13 is provided to be able to move up and down to a predetermined height within the chamber 11.

스핀척(13)에는 기판(1)이 안착 및 고정되는 복수의 척핀(131)이 구비된다. 척핀(131)은 스핀척(13)의 상면에 구비되며, 기판(1)의 가장자리를 지지할 수 있도록 스핀척(13)의 둘레를 따라 배치된다. 척핀(131)은 복수개(예를 들어, 3개, 4개 등)가 구비되며, 등간격으로 배치될 수 있다.The spin chuck 13 is provided with a plurality of chuck pins 131 on which the substrate 1 is seated and fixed. The chuck pin 131 is provided on the upper surface of the spin chuck 13 and is arranged along the circumference of the spin chuck 13 to support the edge of the substrate 1. A plurality of chuck pins 131 (for example, three, four, etc.) may be provided and arranged at equal intervals.

스핀척(13)의 둘레에는 스핀척(13)에 지지되어 회전하는 기판(1)에서 비산되는 세정액을 포집하는 회수컵(12)이 구비될 수 있다. 회수컵(12)은 스핀척(13)의 둘레를 둘러싸는 형태를 갖는다.A recovery cup 12 may be provided around the spin chuck 13 to collect the cleaning liquid flying from the substrate 1 that is supported and rotated by the spin chuck 13. The recovery cup 12 has a shape surrounding the spin chuck 13.

세정부(14)는 챔버(11) 내부에서 스핀척(13)의 외측에 구비되며, 기판(1) 표면에 세정액을 제공하도록 스핀척(13)보다 상측에 구비된다. 세정부(14)는 복수의 노즐을 포함한다. 또한, 세정부(14)는 복수개가 스핀척(13) 둘레를 따라 구비될 수 있다. 예를 들어, 본 실시 예에서는 4개의 세정부(14)가 스핀척(13) 둘레에 구비되고, 4개의 세정부(14)는 기판(1)의 세정 공정에 따라 서로 다른 세정액(예를 들어, 약액, DIW, IPA 등)을 제공하며 독립적으로 또는 구동되도록 구비될 수 있다. 다만, 이는 일 예시에 불과한 것으로, 각각의 세정부(14)의 구성 및 동작에 대한 상세한 설명은 생략한다.The cleaning unit 14 is provided on the outside of the spin chuck 13 inside the chamber 11 and is provided above the spin chuck 13 to provide cleaning liquid to the surface of the substrate 1. The cleaning unit 14 includes a plurality of nozzles. Additionally, a plurality of cleaning units 14 may be provided along the circumference of the spin chuck 13. For example, in this embodiment, four cleaning parts 14 are provided around the spin chuck 13, and the four cleaning parts 14 use different cleaning solutions (e.g. , chemical solution, DIW, IPA, etc.) and can be installed independently or to be driven. However, this is only an example, and a detailed description of the configuration and operation of each cleaning unit 14 will be omitted.

이하에서는, 도 2를 참조하여 1개의 세정부(14)에 대해서 설명한다.Below, one cleaning unit 14 will be described with reference to FIG. 2 .

세정부(14)는, 외팔보 형태를 갖는 노즐 암(142)과, 노즐 암의 일단부에 구비되어서 기판(1) 상에 세정액을 제공하는 기판 세정 노즐(141), 노즐 암(142)의 타단부를 고정시키고 노즐 암(142)을 회전 및 승강 구동시키는 헤드부(143)와 구동부(144)를 포함하여 구성된다.The cleaning unit 14 includes a nozzle arm 142 having a cantilever shape, a substrate cleaning nozzle 141 provided at one end of the nozzle arm to provide cleaning liquid on the substrate 1, and the other side of the nozzle arm 142. It is comprised of a head part 143 and a drive part 144 that fix the end and rotate and lift the nozzle arm 142.

기판 세정 노즐(141)은 기판(1) 상에 세정액을 제공하도록 형성된다. 또한, 기판 세정 노즐(141)은 하나의 세정액을 제공하도록 형성되거나, 또는 복수의 세정액을 제공하도록 형성될 수 있다.The substrate cleaning nozzle 141 is formed to provide cleaning liquid onto the substrate 1. Additionally, the substrate cleaning nozzle 141 may be formed to provide one cleaning liquid, or may be formed to provide a plurality of cleaning liquids.

노즐 암(142)은 헤드부(143)로부터 기판(1)까지 연장된 로드 형태를 갖는다.The nozzle arm 142 has a rod shape extending from the head portion 143 to the substrate 1.

헤드부(143)와 구동부(144)는 스핀척(13)의 외측에 구비되며, 기판 세정 노즐(141)을 기판(1)에 대해서 스윙 또는 회전시킨다. 또한, 구동부(144)는 기판 세정 노즐(141)을 기판(1)에 대해서 승강 이동 시킨다.The head part 143 and the driving part 144 are provided on the outside of the spin chuck 13 and swing or rotate the substrate cleaning nozzle 141 with respect to the substrate 1. Additionally, the driving unit 144 moves the substrate cleaning nozzle 141 up and down with respect to the substrate 1.

도면에서는 헤드부(143)와 구동부(144)를 구분하여 도시하였으나, 이는 일 예시에 불과한 것으로, 구동부(144)의 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 헤드부(143)와 구동부(144)의 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.In the drawing, the head part 143 and the driving part 144 are shown separately, but this is only an example, and the position of the driving part 144 can be substantially changed in various ways. Additionally, the shapes of the head unit 143 and the driving unit 144 are not limited by the drawings.

헤드부(143)에서 챔버(11)의 내벽면(111)을 향하는 부분에는 벽면 세정 노즐(145)이 구비된다. 벽면 세정 노즐(145)은 내벽면(111)을 향해서 소정 각도로 세정액을 분사할 수 있도록 형성된다. 또한, 벽면 세정 노즐(145)은 하나의 분사구를 갖거나, 또는 복수의 분사구를 갖도록 형성될 수 있다.A wall cleaning nozzle 145 is provided at a portion of the head portion 143 facing the inner wall surface 111 of the chamber 11. The wall cleaning nozzle 145 is formed to spray the cleaning liquid at a predetermined angle toward the inner wall surface 111. Additionally, the wall cleaning nozzle 145 may have one injection port or may be formed with a plurality of injection ports.

기판(1)의 세정 공정이 완료된 후, 헤드부(143)가 챔버(11) 내부에서 회전 및 승하강하면서 벽면 세정 노즐(145)이 내벽면(111)에 세정액을 제공하여 내벽면(111)을 세정한다. 또한, 내벽면(111)에 대한 세정액을 제공한 후에는, 벽면 세정 노즐(145)에서 소정의 건조 가스를 제공하여 내벽면(111)을 건조시키는 것도 가능하다.After the cleaning process of the substrate 1 is completed, the head part 143 rotates and moves up and down inside the chamber 11, and the wall cleaning nozzle 145 provides cleaning liquid to the inner wall surface 111 to clean the inner wall surface 111. Clean. Additionally, after providing the cleaning liquid to the inner wall surface 111, it is also possible to dry the inner wall surface 111 by providing a predetermined drying gas from the wall cleaning nozzle 145.

벽면 세정 노즐(145)에서 제공된 세정액은 내벽면(111)을 타고 중력에 의해서 바닥면(112)으로 흘러내리면서 내벽면(111)을 세정하게 된다. 그리고 내벽면(111)을 타고 흘러내린 세정액은 챔버(11)의 바닥면(112)에 형성된 배출구(115)를 통해 배출부(15)에서 외부로 배출된다.The cleaning liquid provided from the wall cleaning nozzle 145 flows down the inner wall surface 111 to the floor surface 112 by gravity to clean the inner wall surface 111. And the cleaning liquid that flows down the inner wall surface 111 is discharged to the outside from the discharge portion 15 through the discharge port 115 formed on the bottom surface 112 of the chamber 11.

여기서, 챔버(11)의 내벽면(111)과 바닥면(112)이 연결되는 모서리 부분에는 경사면(113)이 형성될 수 있다. 경사면(113)을 형성함으로써, 내벽면(111)을 타고 흐르는 세정액이 내벽면(111)과 바닥면(112)의 모서리 부분에 정체되는 것을 방지하고, 바닥면(112)으로 원활하게 안내할 수 있다. 예를 들어, 경사면(113)의 형상은 도면에 의해 한정되지 않고, 내벽면(111)에서 바닥면(112)을 향해 소정 각도로 하향 경사를 갖는다면 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.Here, an inclined surface 113 may be formed at a corner where the inner wall surface 111 and the bottom surface 112 of the chamber 11 are connected. By forming the inclined surface 113, the cleaning liquid flowing along the inner wall surface 111 can be prevented from stagnating at the corners of the inner wall surface 111 and the bottom surface 112, and can be smoothly guided to the bottom surface 112. there is. For example, the shape of the inclined surface 113 is not limited by the drawings, and may be substantially changed in various ways as long as it slopes downward at a predetermined angle from the inner wall surface 111 toward the floor surface 112.

본 실시 예들에 따르면, 기존의 기판 세정 장치(10)의 구조를 변경하지 않고, 세정부(14)에 벽면 세정 노즐(145)를 추가할 수 있으므로, 기판 세정 장치(10) 및 세정부(14)의 구조가 복잡해지지 않는다. 또한, 기존의 세정부(14)에 벽면 세정 노즐(145)을 구비하는 것이므로 기판 세정 장치(10)에의 적용이 용이하다. 또한, 벽면 세정 노즐(145)에서는 챔버(11)의 내벽면(111)에 세정액을 제공하여 세정함과 더불어, 건조 기체를 제공하여 건조가 가능하므로 내벽면(111)을 보다 효과적으로 관리할 수 있다. 또한, 내벽면(111)에서 오염을 제거함으로써 챔버(11) 내부의 환경을 지속적으로 관리 가능하다.According to the present embodiments, the wall cleaning nozzle 145 can be added to the cleaning unit 14 without changing the structure of the existing substrate cleaning device 10, so the substrate cleaning device 10 and the cleaning unit 14 )'s structure does not become complicated. In addition, since the wall cleaning nozzle 145 is provided in the existing cleaning unit 14, it is easy to apply to the substrate cleaning device 10. In addition, the wall cleaning nozzle 145 provides cleaning liquid to the inner wall surface 111 of the chamber 11 to clean it, and also provides drying gas to enable drying, so that the inner wall surface 111 can be managed more effectively. . Additionally, the environment inside the chamber 11 can be continuously managed by removing contamination from the inner wall surface 111.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or components of the described structure, device, etc. may be combined or combined in a different form than the described method, or may be used with other components or equivalents. Appropriate results can be achieved even if replaced or substituted by .

그러므로, 본 발명의 사상은 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and the scope of the patent claims described below as well as all things that are equivalent or equivalent to the scope of this patent claim shall fall within the scope of the spirit of the present invention. .

1: 기판
10: 기판 세정 장치
11: 챔버
111: 내벽면
112: 바닥면
113: 경사면
115: 배출구
12: 회수컵
13: 스핀척
131: 척핀
14: 세정부
141: 기판 세정 노즐
142: 노즐 암
143: 헤드부
144: 구동부
145: 벽면 세정 노즐
15: 배출부
1: substrate
10: Substrate cleaning device
11: Chamber
111: Inner wall surface
112: bottom surface
113: slope
115: outlet
12: Recovery cup
13: Spin chuck
131: Chuck pin
14: Tax department
141: Substrate cleaning nozzle
142: nozzle arm
143: Head part
144: driving unit
145: Wall cleaning nozzle
15: discharge part

Claims (7)

기판을 세정하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 기판이 안착되어 회전 가능하게 구비되는 스핀척;
상기 스핀척 상에서 상기 기판 주변에 구비되는 헤드부와, 상기 헤드부로부터 상기 기판까지 연장 형성되고 그 단부에 상기 기판에 세정액을 제공하는 기판 세정 노즐이 구비되는 노즐 암과, 상기 헤드부에 구비되어 상기 기판 세정 노즐을 상기 기판에 대해서 스윙 또는 회전시키고, 또한, 승강 이동시키는 구동부를 포함하는 세정부; 및
상기 헤드부에서 상기 챔버의 내벽면에 대향하는 부분에 구비되어 상기 내벽면에 세정액을 제공하고 건조 가스를 제공하는 벽면 세정 노즐;
을 포함하고,
상기 벽면 세정 노즐은, 상기 세정부에서의 상기 기판의 세정이 완료된 후, 상기 구동부에 의해서 회전 및 승하강하면서 상기 내벽면을 세정하는 기판 세정 장치.
A chamber providing a space where a substrate cleaning process is performed;
a spin chuck provided inside the chamber, on which the substrate is seated and rotatable;
A head part provided around the substrate on the spin chuck, a nozzle arm extending from the head part to the substrate and having a substrate cleaning nozzle at an end of the head part for providing a cleaning liquid to the substrate, and a nozzle arm provided in the head part, a cleaning unit including a driving unit that swings or rotates the substrate cleaning nozzle with respect to the substrate and also moves the substrate cleaning nozzle up and down; and
a wall cleaning nozzle provided at a portion of the head opposite to the inner wall of the chamber to provide cleaning liquid and dry gas to the inner wall;
Including,
The wall cleaning nozzle is a substrate cleaning device that cleans the inner wall while rotating and moving up and down by the driving unit after the cleaning of the substrate in the cleaning unit is completed.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 벽면 세정 노즐은 상기 내벽면에 대해서 일정 면적 이상으로 세정액을 분사할 수 있는 노즐 형태를 갖는 기판 세정 장치.
According to paragraph 1,
The wall cleaning nozzle is a substrate cleaning device having a nozzle shape capable of spraying a cleaning liquid over a certain area with respect to the inner wall surface.
제1항에 있어서,
상기 세정부는 상기 헤드부의 회전 각을 조정함으로써 상기 벽면 세정 노즐의 분사 영역을 조절하는 기판 세정 장치.
According to paragraph 1,
The cleaning unit adjusts the spraying area of the wall cleaning nozzle by adjusting the rotation angle of the head unit.
제1항에 있어서,
상기 세정부는 상기 스핀척의 둘레를 따라 복수개가 구비되고,
상기 벽면 세정 노즐은 복수의 세정부 중 상기 기판의 직경 방향에 대해서 서로 대향되는 적어도 2개의 세정부에 구비되는 기판 세정 장치.
According to paragraph 1,
A plurality of the cleaning units are provided along the circumference of the spin chuck,
The wall cleaning nozzle is a substrate cleaning device in which the wall cleaning nozzle is provided in at least two cleaning parts that face each other in the radial direction of the substrate among the plurality of cleaning parts.
제5항에 있어서,
상기 복수의 세정부에 구비되는 벽면 세정 노즐은 서로 다른 토출각을 갖도록 형성되는 기판 세정 장치.
According to clause 5,
A substrate cleaning device in which wall cleaning nozzles provided in the plurality of cleaning units are formed to have different discharge angles.
제1항에 있어서,
상기 챔버의 바닥면에는 세정액을 외부로 배출시키는 배출구가 형성되고,
상기 내벽면과 상기 바닥면의 경계에는 상기 내벽면 상에 제공된 세정액을 상기 배출구로 안내하는 경사면에 형성되는 기판 세정 장치.
According to paragraph 1,
An outlet is formed on the bottom of the chamber to discharge the cleaning liquid to the outside,
A substrate cleaning device wherein an inclined surface is formed at a boundary between the inner wall surface and the bottom surface to guide the cleaning liquid provided on the inner wall surface to the outlet.
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