KR100715984B1 - A method and apparatus for treating substrates - Google Patents

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KR100715984B1
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박근영
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    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Abstract

본 발명은 기판상에 복수의 약액이나 기체를 공급하여 기판을 세정 건조하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a plurality of chemical liquid or gas onto the substrate cleaning drying the substrate. 본 발명의 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 척과, 상기 척을 지지하는 스핀들을 갖는 기판 지지부재; The substrate processing apparatus includes a substrate support member having a spindle supporting a chuck, the chuck which the substrate is placed according to the present invention; 상기 척이 위치되는 밀폐 공간을 제공하며, 상기 스핀들이 관통되는 제1축공을 갖는 챔버를 포함하되; Provides a closed space to which the chuck position, comprising: a chamber having a first shaft hole through which the spindle; 상기 챔버는 상기 스핀들과 상기 제1축공 사이에 버퍼 공간을 형성하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제1,2 밀폐부재를 포함한다. The chamber comprises a first and a second sealing member provided in different heights so as to form a buffer space between the spindle and the first shaft hole. 이러한 구성의 기판 처리 장치는 외부 공기가 기판이 처리되는 공간으로 유입되는 것을 사전에 차단할 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다. The apparatus of this construction can obtain the effect such as to block the advance to be the outside air flows into the space in which the substrate is processed.
기판, 세정, 건조, 커버 Substrate, washing, drying, cover

Description

기판 처리 장치 및 방법{A METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES} The substrate processing apparatus and method {A METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 하부 커버 어셈블리가 개방된 상태를 보여주는 도면이다. 2 is a view showing the lower cover assembly is opened in the substrate processing apparatus in accordance with an embodiment of the invention state.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 하부 커버 어셈블리가 폐쇄된 상태를 보여주는 도면이다. 3 is a view showing the lower cover assembly in a closed state in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 상부 커버 어셈블리에서 노즐에 형성된 분사구들을 보여주는 도면이다. 4 is a view showing the ejection port formed in the nozzle from the top cover assembly.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다. 5 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 * * Code Description of the Related Art *

2110: 척 2120 : 하부 커버 부재 2110: chuck 2120: lower cover member

2130 : 상부 커버 부재 2130: upper cover member

2140 : 제1노즐부재 2140: the first nozzle member

2150 : 제2노즐부재 2150: second nozzle member

2160 : 제3노즐부재 2160: the third nozzle member

2170a : 제1감압부재 2170a: first pressure reducing member

2190 : 실링부재 2190: sealing member

본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판상에 복수의 약액이나 기체를 공급하여 기판을 세정 건조하는 기판 세정 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for processing a semiconductor substrate, and more particularly to a substrate cleaning apparatus and a method for cleaning a substrate by supplying a plurality of drying the chemical liquid or gas onto the substrate.

일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo-resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되며, 각각의 공정에서 발생하는 이물질의 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionized Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정공정(Wet Cleaning Process)이 있다. In general, the semiconductor manufacturing process such as a coating (Coating), developing (Develop), asher (Asher) removal of the deposited (Deposition), etching (Etching), a photosensitive agent (Photo-resist) of the insulating film and the metal material is several times finer patterning is made out of an array (Patterning), to a process for the removal of foreign materials generated in each step is a cleaning step using pure water (Deionized Water) or chemical (chemical) (Wet cleaning process).

일반적인 세정건조 장치는 한 장의 웨이퍼를 처리할 수 있는 웨이퍼 척(Wafer chuck)으로 웨이퍼를 고정시킨 후 모터에 의해 웨이퍼를 회전시키면서, 웨이퍼의 상부에서 분사노즐을 통해 약액 또는 순수를 흘려주어, 웨이퍼의 회전력에 의해 약액 또는 순수가 웨이퍼의 전면으로 퍼지게 하여 공정이 이루어지도록 하고 있다. Typical washing drying apparatus while rotating the wafer by the motor then secure the wafer to the wafer chuck (Wafer chuck) that can process a single wafer, given flowing a chemical liquid or pure water through a spray nozzle at the top of the wafer, the wafer and the process is to occur by a chemical liquid or pure water by the rotational force to spread to the front of the wafer.

이와 같이, 매엽식 세정건조 장치에서는 순수를 이용한 린스 처리후에 N2 가스로 건조하는 방식으로 세정 건조 공정이 이루어지고 있다. In this way, the single substrate cleaning apparatus, drying after the rinsing process using the pure water is becoming a method for cleaning a drying step of drying with N2 gas done.

하지만, 웨이퍼가 대형과 되고, 웨이퍼 상에 형성된 패턴이 미세화되면서 세정 공정에서 사용된 순수가 완전히 제거되지 않고 미건조되는 현상이 발생되고 있다. However, the wafer is large, there is a non-drying the pure developer in the cleaning process is not completely removed, and generating as the pattern miniaturization is formed on the wafer. 또한, 웨이퍼가 대기 중에 노출된 상태에서 세정 및 건조가 이루어지기 때문에 외부 환경에 많은 영향을 받아 건조 불량이 발생된다. It is also a drying defects received a lot of impact on the environment, since the washing and drying done at the wafer is exposed to the atmospheric conditions.

본 발명의 목적은 신속한 기판 건조가 가능한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention to provide a quick drying a board substrate processing apparatus and method.

본 발명의 목적은 외부 오염원으로 기판을 보호할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of protecting a substrate by external sources.

본 발명의 목적은 기판 건조 과정에서 발생되는 물반점을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of minimizing the water spot generated in the substrate drying process.

본 발명의 목적은 외부 환경으로부터 영향을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method that can minimize the influence from the environment.

본 발명의 목적은 기판이 처리되는 공간으로 외부 공기가 유입되는 것을 차단할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method which can block external air flows into the space in which the substrate is processed.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 척과, 상기 척을 지지하는 스핀들을 갖는 기판 지지부재; According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a substrate processing apparatus includes a substrate support member having a spindle supporting a chuck, the chuck which the substrate is placed; 상기 척이 위치되는 밀폐 공간을 제공하며, 상기 스핀들이 관통되는 제1축공을 갖는 챔버를 포함하되; Provides a closed space to which the chuck position, comprising: a chamber having a first shaft hole through which the spindle; 상기 챔버는 상기 스핀들과 상기 제1축공 사이에 버퍼 공간을 형성 하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제1,2 밀폐부재를 포함한다. The chamber comprises a first and a second sealing member provided in different heights so as to form a buffer space between the spindle and the first shaft hole.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 밀폐 공간을 대기압 이하의 제1압력으로 감압하기 위한 제1감압부재와, 상기 제1밀폐부재와 상기 제2밀폐부재 사이에 형성된 버퍼 공간을 대기압 이하의 제2압력으로 감압하기 위한 제2감압부재를 더 포함한다. According to one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus includes a buffer space formed between the first pressure reducing member to reduce the pressure in the said closed space in a first subatmospheric pressure, and said first sealing member and the second sealing member the further includes a second pressure member to pressure in a second pressure less than atmospheric.

본 발명의 일실시예에 따르면, 외부 공기가 상기 밀폐 공간으로 유입되지 않도록 상기 버퍼 공간의 제2압력은 상기 밀폐 공간의 제1압력보다 낮다. According to one embodiment of the invention, so that external air is introduced into the closed space a second pressure of the buffer space is less than the first pressure of the enclosed space.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1밀폐부재와 상기 제2밀폐부재는 베어링으로 이루어진다. According to one embodiment of the invention, the first sealing member and said second sealing member comprises a bearing.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 챔버는 상부가 개방된 하부 커버와; According to one embodiment of the invention, the chamber has an open top and a lower cover; 상기 기판에 대한 처리 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 커버의 상부를 폐쇄하는 상부 커버로 이루어진다. The treatment process for the substrate consists of a top cover for closing the upper portion of the lower cover to be held in a state isolated from the outside.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 상부 커버가 상기 하부 커버의 상부를 개방 또는 폐쇄하도록 상기 상부 커버를 승강시키는 승강부재를 더 포함한다. According to one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus further includes a lifting member for lifting the upper cover so that the upper cover opening or closing an upper portion of the lower cover.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하는 분사구가 형성된 노즐을 갖는 제1노즐부를 더 포함하되, 상기 노즐은 상기 밀폐 공간의 기판 상부에 위치된다. According to one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus further comprises a first nozzle having a nozzle has injection orifices for injecting a fluid for drying the top surface of the substrate is formed, the nozzle is on a substrate of the enclosed space It is positioned.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하는 분사구가 형성된 노즐과 상기 노즐을 지지하는 스 핀들을 갖는 제1노즐부를 더 포함하되, 상기 노즐은 상기 밀폐 공간의 기판 상부에 위치되며, 상기 챔버는 상기 제1노즐부의 스핀들이 관통되는 제2축공과; According to one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus further comprises a first nozzle having a spindle for supporting the nozzle and the nozzle ejection port is provided for injecting a fluid for drying the top surface of the substrate, the nozzle It is positioned over the substrate in the enclosed space, the ball and the chamber a second axis of the spindle through the first nozzle portion; 상기 제1노즐부의 스핀들과 상기 제2축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제3,4 밀폐부재를 포함한다. And a third and fourth sealing member that is installed on a different height to seal the space between the first spindle and the second nozzle portion 2 into the shaft hole.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 기판이 놓여지는 척과 상기 척을 지지하는 스핀들을 갖는 기판 지지부; According to a further feature of the present invention, the substrate processing apparatus includes a substrate support having a spindle for supporting the chuck and the chuck which the substrate is placed; 상기 기판의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하는 노즐과 상기 노즐을 지지하는 스핀들을 갖는 제1노즐부재; The first nozzle member with a spindle for supporting the nozzle and the nozzle for injecting a fluid for drying the top surface of the substrate; 상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 커버; The top is opened, the lower cover built in the chuck so as to surround the peripheral shape; 상기 기판에 대한 건조공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 커버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 커버; An upper cover for opening or closing an upper portion of the lower cover the drying process for the substrate to be held in a state isolated from the outside; 상기 하부 커버와 상기 상부 커버에 의해 형성되는 밀폐 공간을 감압하기 위한 감압부재를 포함하되; Comprising: a pressure member to pressure the enclosed space formed by said bottom cover and said top cover; 상기 하부 커버는 상기 기판 지지부의 스핀들이 관통되는 제1축공과, 상기 기판 지지부의 스핀들과 상기 제1축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제1,2 밀폐부재를 갖고, 상기 상부 커버는 상기 제1노즐부재의 스핀들이 관통되는 제2축공과, 상기 제1노즐부재의 스핀들과 상기 제2축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제3,4 밀폐부재를 포함한다. The lower cover has a first and a second sealing member provided in different heights in order to seal the space between the ball and the first axis, the substrate support of the substrate support spindle with a through-spindle with the first axial bore 2 into the and third, the upper cover is provided on different heights in order to seal the space between the second axis ball, the first spindle and the above-described first nozzle member a second shaft hole which the spindle of the first nozzle member through-2 into the 4 includes a sealing member.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 밀폐 공간을 대기압 이하의 제1압력으로 감압하기 위한 제1감압부재와, 상기 제1밀폐부재와 상기 제2밀폐부재 사이에 형성된 버퍼 공간과 상기 제3밀폐부재와 상기 제4밀폐부재 사이에 형성된 버퍼 공간을 대기압 이하의 제2압력으로 감압하기 위한 제2감압부재를 더 포함한다. According to one embodiment of the invention, the substrate processing apparatus includes a buffer space formed between the first pressure reducing member to reduce the pressure in the said closed space in a first subatmospheric pressure, and said first sealing member and the second sealing member and further it includes the third sealing member and said second pressure member to reduce the pressure in the buffer space defined between the closure member 4 to the second subatmospheric pressure.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 외부 공기가 상기 밀폐 공간으로 유입되지 않도록 상기 버퍼 공간의 제2압력은 상기 밀폐 공간의 제1압력보다 낮다. According to one embodiment of the invention, so that external air is introduced into the closed space a second pressure of the buffer space is less than the first pressure of the enclosed space.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 밀폐된 공간을 제공하며, 제1축공과 제2축공을 갖는 챔버; According to a further feature of the present invention, a substrate processing apparatus is provided with an enclosed space, the chamber having a first axial ball and a second shaft hole; 상기 제1축공을 통해 상기 밀폐 공간의 상부에 회전 가능하게 설치되는 제1노즐부재; The first nozzle member via the first axial bore rotatably mounted on an upper portion of the enclosed space; 상기 제2축공을 통해 상기 밀폐 공간의 하부에 회전 가능하게 설치되는 기판 지지부재; A substrate support member through said second axial bore rotatably mounted on a lower portion of the enclosed space; 상기 기판 지지부와 상기 제1축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하여 버퍼공간을 형성하는 제1,2 밀폐부재; First and second closure member to form the substrate support and the first to seal the space between the shaft hole 2 into the buffer space; 상기 제1노즐부재와 상기 제1축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하여 버퍼공간을 형성하는 제3,4 밀폐부재; Third and fourth closure member to form a buffer space to seal the space between the first nozzle member and the first shaft hole into two; 및 상기 밀폐 공간과 상기 버퍼 공간들의 압력을 상이하게 조절하여 외부 공기가 상기 밀폐 공간으로 유입되는 것을 차단하는 감압부재를 포함한다. And a pressure member which prevents the outside air into the closed space by differentially adjusting the pressure of said closed space and said buffer space.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 척의 스핀들과 제1노즐부재의 스핀들이 관통되는 축공들과, 축공의 내부 공간을 2중으로 밀폐하는 밀폐 부재들을 갖는 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법은 하부커버의 내측에 위치한 척에 기판을 로딩하는 단계; According to a further feature of the present invention, the chuck spindle and a substrate processing method for a substrate processing apparatus having a sealing member for sealing the shaft hole and the internal space of the shaft hole is a spindle with a through the first nozzle member 2 into the inside of the lower cover the method comprising: loading the substrate on a chuck located; 기판의 처리 공간을 밀폐한 상태에서 기판으로 건조용 유체를 공급하여 기판을 건조하는 단계를 포함하되; Supplying a dry fluid to the substrate in a state of sealing the processing space of a substrate comprising the step of drying the substrate; 상기 기판을 건조하는 단계는 상기 건조용 유체를 공급하기 전에 상기 밀폐 공간을 대기압 이하의 제1압력으로 만들고, 상기 밀폐 부재들 사이의 버퍼 공간을 상기 제1압력보다 낮은 제2압력으로 만든다. Drying the substrate to create the closed space before supplying the fluid for the drying in the first subatmospheric pressure, creating a buffer space between the closure member to the first lower second pressure than the first pressure.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판을 건조하는 단계는 상기 척이 회전되는 상태에서 이루어지며, 상기 건조용 유체는 상기 밀폐 공간의 상부에 위치된 제1노즐부재의 노즐을 통해 기판으로 공급된다. According to one embodiment of the invention, the step of drying the substrate is made in a state in which the chuck rotation, supplied to the substrate through the nozzles of the first nozzle member located above the fluid for the drying, the closed space do.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판을 건조하는 단계는 상기 척과 상기 노즐 중 적어도 하나는 회전되면서 공정을 진행하게 된다. According to one embodiment of the invention, the step of drying the substrate is at least one of said chuck and said nozzle is rotated to proceed the process.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention; 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. However, the present invention may be embodied in different forms and should not be limited to the embodiments set forth herein. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. Rather, the embodiments presented here is to make this disclosure will be thorough and complete, and will be provided to ensure that the features of the present invention to those skilled in the art can be fully delivered. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. Therefore, the shape of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5에 의거하여 상세히 설명한다. Also the accompanying drawings, an embodiment of the present invention will now be described with reference to Figs. 1-5. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다. In addition, the given the same reference numerals are assigned to the elements that perform the same function in the figures.

본 발명은 건조 효율 증대 및 외부 오염 차단 그리고 산화막 방지 등의 효과를 기대할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다. The present invention is to provide a substrate processing apparatus that can be expected effects such as increased drying efficiency, and external contamination and blocking oxide layer protection. 이를 위해 본 발명은 기판의 건조 공정이 대기압 이하에서 처리되도록 기판 처리 공간을 외부와 격리할 수 있는 상하 분리 구조의 챔버(상부커버와 하부커버로 이루어짐)와, 챔버의 내부 공간을 감압하기 위한 제1감압부재를 갖는데 그 특징이 있습니다. To this end the present invention (comprising the upper cover and the lower cover) chambers of the upper and lower separation structure which can isolate the substrate process space and the outside so that the drying step of the substrate handled in the atmospheric pressure or less, and a second to reduce the pressure in the inner space of the chamber 1 gatneunde the pressure member has its features. 또한 본 발명은 챔버의 내부 공간으로 외부공기가 유입되지 않도록 스핀들이 관통되는 축공에 2개의 베어링으로 버퍼 공간을 형성하고, 그 버퍼 공간을 챔버의 내부 공간의 압력보다 낮게 감압하는데 그 특징이 있습니다. In another aspect, the present invention has its feature in pressure-low outside air from being introduced into the shaft hole which the spindle penetrates and forms a buffer space for the two bearings, the buffer space to the internal space of the chamber than that of the inner space of the chamber pressure.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the invention. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 하부 커버 어셈블리가 개방된 상태를 보여주는 도면이다. 2 is a view showing the lower cover assembly is opened in the substrate processing apparatus in accordance with an embodiment of the invention state. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 하부 커버 어셈블리가 폐쇄된 상태를 보여주는 도면이다. 3 is a view showing the lower cover assembly in a closed state in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(2100)는 기판(w)을 스피닝시키면서 약액 세정, 린스, 그리고 건조 등의 처리 공정을 수행한다. 1 to 3, the substrate processing apparatus (2100) while spinning the substrate (w) performs a process such as chemical cleaning, rinsing, and drying. 기판 처리 장치(2100)는 기판(W)이 놓여지는 척(2112)을 갖는 기판 지지부재(2110), 하부 커버 부재(low cover member)(2120), 상부 커버 부재(upper cover member)(2130)로 이루어지는 챔버, 제 1 노즐부재(2140), 제 2 노즐부재(2150) 그리고 제3노즐부재(2160) 그리고 제1,2감압부재(2170a,2170b)를 포함한다. The substrate processing device 2100 includes a substrate support member 2110, a lower cover member (low cover member) (2120), the upper cover member (upper cover member) having a chuck (2112) overlying the substrate (W) (2130) includes a chamber, a first nozzle member 2140, the second nozzle member 2150, and the third nozzle member 2160 and the first and second pressure members (2170a, 2170b) consisting of a.

기판 지지부재(2110)는 처리 공정시 기판을 지지한다. The substrate support member 2110 supports the substrate during the treatment process. 기판 지지부재(2110)는 척(2112), 스핀들(spindle)(2114) 그리고 제 2 회전부재(2116)를 갖는다. The substrate support member 2110 has a chuck 2112, a spindle (spindle) (2114) and the second rotating member (2116).

척(2112)은 하부 커버 부재(2120)의 안쪽 공간에 배치된다. Chuck 2112 is disposed inside the space of the lower cover member 2120. 척(2112)은 상부에 기판(W)이 로딩(loading)되는 상부면(2112a)과, 상부면(2112)으로부터 이격된 상태로 기판(W)을 지지하는 지지핀(2113a)들 그리고 기판(w)을 고정하는 척킹핀(2113b)들을 갖는다. Chuck 2112 has the support pin (2113a) for supporting a substrate (W) in a spaced condition from the top face (2112a) and an upper surface 2112 of the substrate (W) to the upper loaded (loading) and the substrate ( chuck for fixing a w) and has a kingpin (2113b). 지지핀(2113a)들은 기판을 척(2112)의 상부면(2112a)으로부터 이격된 상태로 지지하며, 척킹핀(2113b)들은 공정 진행시 기판의 가장자리 일부를 척킹한다. A support pin (2113a) are also supporting a substrate in a state of being spaced apart from the top surface (2112a) of the chuck 2112, the chuck kingpin (2113b) are chucking the edge portion of the substrate during the process proceeds.

스핀들(2114)은 척(2112)의 중앙 하부와 결합된다. Spindle 2114 is coupled to the central lower portion of the chuck 2112. 스핀들(2114)은 하부 커버 부재(2120)의 삽입포트(124)의 제1축공(2124a)를 관통하여 설치되며, 제 2 회전 부재(2116)로부터 회전력을 전달받는다. Spindle 2114 is installed to pass through the first shaft hole (2124a) of the insertion port 124 of the lower cover member 2120, and receives a rotating force from the second rotating member (2116). 척(2112)은 스핀들(2114)의 회전에 의해 연동되어 회전된다. Chuck 2112 is rotated in association by rotation of the spindle 2114.

제 2 회전부재(2116)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부(2116a)와, 구동부(2116a)로부터 발생된 회전력을 스핀들(2114)로 제공하는 벨트, 체인과 같은 동력전달부(2116b)를 포함할 수 있다. A second rotating member (2116) comprises a drive section (2116a), and a power transmission part (2116b), such as a belt, a chain for providing a rotational force generated from the driving unit (2116a) to the spindle 2114 such as a motor for generating a rotational force can do.

하부 커버 부재(2120)는 상부가 개방된 그리고 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 컵(2122)을 갖는다. A lower cover member 2120 has a bottom cup 2122 was built to enclose the open top, and close to the chuck shape. 하부 컵(2122)은 바닥면(2123a)과 측면(2123b)을 갖는 보울(bowl) 형상으로, 하부 컵(2122)은 바닥면(2123a)에 하부로 돌출되고 제1축공(2124a)이 형성된 삽입포트(2124)와, 제1감압부재(2170a)의 진공라인(2174)과 연결되는 제1진공포트(2128a), 제2감압부재(2170b)의 진공라인(2174)과 연결되는 제2진공포트(2128b)를 갖는다. The bottom cup 2122 is a bowl (bowl) shape having a bottom surface (2123a) and a side surface (2123b), the bottom cup 2122 protrudes downward on the bottom surface (2123a), the first axial bore insert (2124a) is formed, port 2124, a first pressure member first vacuum port (2128a), the second pressure member second vacuum port connected to a vacuum line (2174) of the (2170b) connected to a vacuum line (2174) of the (2170a) has the (2128b).

삽입포트(2124)의 제1축공(2124a)에는 기판 지지부재(2110)의 스핀들(2114)이 통과되며, 제1축공(2124a)에는 스핀들(2114)을 회전 가능하게 지지하며 제1축공(124a)을 실링하는 밀폐부재인 제1,2베어링(2181,2182)이 설치된다. A first shaft hole of the insertion port (2124), (2124a), the substrate spindle 2114 of the support member (2110) are passed through the first shaft hole (2124a) is and rotatably support the spindle 2114, a first shaft hole (124a ) of the first and second bearings (2181,2182) for sealing the closure member is provided for. 제1축공(2124a)에는 제1,2베어링(2181,2182)에 의해 버퍼 공간(b)이 만들어지며, 제2진공포트(2128b)는 버퍼 공간(b)과 연결되도록 삽입포트(2124)에 설치된다. A first shaft hole (2124a) has a first and a second bearing the buffer space (b) by a (2181,2182) is made, a second vacuum port (2128b) is inserted into the port 2124 to be connected to the buffer space (b) It is installed. 버퍼 공간(b)은 기판이 처리되는 공간(s)과 외부 공간 사이에 위치된다. Buffer space (b) it is located between the space in which the substrate is processed (s) with the outer space. 버퍼 공간(b)은 제2감압부재(2170b)에 의해 감압되며, 기판이 처리되는 밀폐 공간(s)보다 낮은 압력을 갖는 것이 바람직하다. Buffer space (b) preferably has a second pressure member, and pressure by the (2170b), a lower pressure than the enclosed space (s) in which the substrate is processed. 따라서, 이 버퍼 공간(b)은 외부 공기가 기판이 처리되는 공간(밀폐 공간)으로 유입되는 것을 차단하는 기능을 수행한다. Thus, the space in the buffer (b) functions to block the flowing into the space (closed space) where the outside air the substrate is processed.

도시하지 않았지만, 하부 커버 부재(120)는 약액 및 유체 배출을 위한 배출구가 설치될 수 있다. Although not shown, the lower cover member 120 may be a chemical liquid and a discharge port for discharging the fluid installed.

상부 커버 부재(2130)는 하부 커버 부재(1120)의 상부를 개방하거나 또는 폐쇄할 수 있는 상부 컵(2132)과, 상부 컵(2132)이 하부 커버 부재(2120)의 상부를 개방 또는 폐쇄하도록 상부 컵(2132)을 승강시키는 승강부재(2136)를 갖는다. The upper cover member 2130, an upper may open or close the upper top cup 2132 and the top cup 2132 in the lower cover member 1120 is to open or close the top of the lower cover member 2120 It has a lift member (2136) for lifting a cup (2132). 상부 컵(2132)은 하부 컵(2122) 상부를 충분하게 커버할 수 있는 크기의 상면(2133a)과, 상면(2133a) 가장자리에 아래쪽으로 돌출되는 측면(2133b)을 갖는 보울(bowl) 형상을 갖는다. An upper cup (2132) has a bottom cup 2122 upper surface of the size that can sufficiently cover the top (2133a) and a top face (2133a), the bowl (bowl) shape with a side surface (2133b) which projects downwardly at the edge . 상부 컵(2132)은 상면(2133a)에 상부로 돌출되고 제2축공(2134a)이 형성된 삽입포트(2134)와 삽입포트(2134)에 형성된 제3진공포트(2128c)를 갖는다. An upper cup (2132) has a third vacuum port (2128c) formed in the upper surface (2133a) projecting into the upper portion and the second shaft hole inserted into port 2134 (2134a) is formed in the insertion port (2134). 상부 커버 부재(2130)의 상부 컵(2132) 측면(2134b)은 하부 커버 부재(2120)의 하부 컵(2122) 측면(2123b)과 접촉된다. An upper cup (2132) of the upper cover member 2130 side (2134b) is in contact with the bottom cup 2122 side (2123b) of the lower cover member 2120. 하부 커버 부재(2120)는 상부 컵(2132)과 접하는 하부 컵(2122)의 측면(2123b)에 기판이 처리되는 공간을 실링되도록 실링부재(190)가 설치된다. A lower cover member 2120 has a sealing member 190 is installed to seal the space in which the substrate is treated on the side (2123b) of the bottom cup 2122 in contact with the upper cup (2132).

삽입포트(2134)의 제2축공(2134a)에는 제 1 노즐부재(2140)의 스핀들(2146)이 통과되며, 제2축공(2134a)에는 스핀들(2146)을 회전 가능하게 지지하며 통로(2134a)를 실링하는 밀폐부재인 제3,4베어링(2183,2184)이 설치된다. Insertion port a second shaft hole (2134a) of 2134 with a first nozzle member (2140), the spindle (2146) are passed through a second shaft hole (2134a), the passageway (2134a) and rotatably supported by the spindles 2146 is the third and fourth bearings (2183,2184), a sealing member for sealing is provided. 제2축공(2134a)에는 제3,4베어링(2183,2184)에 의해 버퍼 공간(b)이 만들어지며, 제3진공포트(2128c)는 버퍼 공간(b)과 연결되도록 삽입포트(2134)에 설치된다. A second shaft hole (2134a), the buffer space (b) is made by the third and fourth bearings (2183,2184), the third in the insertion port (2134) a vacuum port (2128c) that is connected to the buffer space (b) It is installed. 버퍼 공간(b)은 기판이 처리되는 공간(s)과 외부 공간 사이에 위치된다. Buffer space (b) it is located between the space in which the substrate is processed (s) with the outer space. 버퍼 공간(b)은 제2감압부재(2170b)에 의해 감압되며, 기판이 처리되는 밀폐 공간(s)보다 낮은 압 력을 갖는 것이 바람직하다. Buffer space (b) preferably has a second pressure, and by reducing the pressure member (2170b), a lower pressure than the enclosed space (s) in which the substrate is processed. 따라서, 이 버퍼 공간(b)은 외부 공기가 기판이 처리되는 공간(밀폐 공간)으로 유입되는 것을 차단하는 기능을 수행한다. Thus, the space in the buffer (b) functions to block the flowing into the space (closed space) where the outside air the substrate is processed.

일반적으로, 베어링은 밀폐성이 떨어지기 때문에 진공 리크가 발생될 수 있다. Generally, the bearing can be a vacuum leak occurs because sealing is poor. 하지만 본 발명에서는 베어링을 2중으로 설치하고, 그 사이의 버퍼 공간(b)을 밀폐 공간(s)의 압력보다 낮게 감압함으로써 외부 공기가 기판이 처리되는 공간(s)으로 유입되는 것을 사전에 차단할 수 있는 것이다. However, the present invention can prevent in advance to be installed the bearing 2 into, and the outside air flowing into the space (s) in which the substrate is processed by a low pressure buffer space (b) between them than the pressure of the enclosed space (s) that will.

제1감압 부재(2170a)는 하부 커버 부재(2120)와 상부 커버 부재(2130)의 결합에 의해 형성되는 밀폐 공간(s)을 감압하기 위한 것이다. First pressure reducing member (2170a) is to reduce the pressure in the enclosed space (s) formed by the combination of the lower cover member 2120 and the upper cover member 2130. 제1감압 부재(2170a)는 진공펌프(2172)와, 일단은 진공펌프(2172)와 연결되고 타단은 하부 커버 부재(2120)의 제1진공포트(2128a)와 연결되는 진공라인(2174)을 갖는다. The one pressure member (2170a) is a vacuum pump (2172) and, once the vacuum pump, a first vacuum port, a vacuum line (2174) connected to (2128a) of the connection and the (2172) and the other end of the lower cover member 2120 have.

제2감압 부재(2170b)는 버퍼 공간(b)을 감압하기 위한 것이다. A second pressure sensitive element (2170b) is to reduce the pressure in the buffer space (b). 제2감압 부재(2170b)는 진공펌프(2172)와, 일단은 진공펌프(2172)와 연결되고 타단은 제2진공포트(2128b)와 제3진공포트(2128c)에 각각 연결되는 진공라인(2174)들을 갖는다. A second pressure sensitive element (2170b) is a vacuum pump (2172), one end is connected with a vacuum pump (2172), the other end of the second vacuum port (2128b) and the third vacuum line, which are respectively connected to a vacuum port (2128c) (2174 ) has the.

제2감압 부재(2170b)는 외부 공기가 밀폐 공간(s)으로 유입되지 않도록 버퍼 공간(b)의 압력을 밀폐 공간(s)의 제1압력보다 낮은 유지시키며, 버퍼 공간(b)의 감압은 상부 커버 부재(2130)에 의해 기판(w)의 처리 공간이 외부와 격리된 이후에 이루어지는 것이 바람직하다. A second pressure sensitive element (2170b) is sikimyeo fresh air to maintain the pressure in the closed space from being introduced into (s) a buffer space (b) is lower than the first pressure of the enclosed space (s), a reduced pressure in the buffer space (b) is it is the processing space of the substrate (w) by the upper cover member 2130 is formed after being isolated from the outside is preferred.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(2100)는 상부 커버 부재(2130)에 의해 기판(w)의 처리 공간이 외부와 격리될 뿐만 아니라, 외부와 격리된 기판(w)의 처리 공간(밀폐공간)이 대기압 이하로 감압될 수 있는 구조적인 특징을 갖 는다. As described above, the substrate processing device 2100 of the present invention is the processing space of the substrate (w) of the substrate (w) the processing space as well as to be isolated from the outside, isolated from the outside in by the top cover member (2130) ( a closed space) is neunda has the structural feature that can be reduced to below atmospheric pressure. 이러한 구조적인 특징에 의하면, 기판의 건조 공정에서 외부 환경에 의한 영향을 최소화 할 수 있고, 신속한 기판 건조가 가능하다. According to this structural feature, it is possible to minimize the influence of the external environment in the drying step of the substrate, it is possible to rapid drying the substrate. 특히, 본 발명의 기판 처리 장치(2100)은 베어링들에 의해 제공되는 버퍼 공간(b)을 밀폐 공간(s)의 압력보다 낮게 감압함으로써 외부 공기가 기판이 처리되는 공간(s)으로 유입되는 것을 사전에 차단할 수 있다. In particular, the substrate processing device 2100 of the present invention is to be introduced into the space (s) where the outside air the substrate is treated by lower than the pressure reduced pressure in the buffer space (b) a closed space (s) provided by the bearing It can be blocked in advance.

도시되지 않았지만, 하부 커버 부재(2120)와 기판 지지부재(2110)의 척(2112)은 상대적으로 또는 개별적으로 승강하도록 구성될 수 있으며, 이들을 승,하강시킨 상태에서 기판(w)을 기판 지지부재(2110)의 척(2112)으로 로딩하거나, 처리가 끝난 기판(W)을 언로딩할 수 있다. Although not shown, the lower cover member 2120 and the substrate support member 2110, the chuck 2112 is relatively or may be configured to individually lift to, those W, the substrate a substrate (w) in which the falling of the support member loaded into the chuck 2112 of 2110, or may be a finished unloading the substrate (W) treatment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제 3 노즐부재(2160)는 기판(w)의 상면으로 세정을 위한 유체를 분사하기 위한 것으로, 제 3 노즐부재(2160)는 노즐 이동부재(2164)에 의해 상하방향으로 직선이동 되거나 웨이퍼(W)의 중심 상부에서 하부 커버 부재(2120)의 하부 컵(2132) 외측으로 회전 이동되는 노즐(2162)을 포함한다. 1 and 2, the third nozzle member (2160) is designed to inject the fluid for cleaning the upper surface of the substrate (w), the third nozzle member (2160) is by a nozzle moving member (2164) the linear movement in the vertical direction, or a wafer comprising a nozzle (2162) that central rotation movement of the lower cup (2132) outside of the lower cover member 2120 at the top of the (W). 노즐 이동부재(2164)는 노즐(2162)이 결합되는 수평 지지대(2166)와 이에 결합되며 모터(미도시됨)에 의해 회전 가능한 수직 지지대(2168)를 가진다. A nozzle-moving member (2164) has a rotatable vertical support (2168) by a nozzle (2162) is coupled thereto with a horizontal support (2166) can be combined with a motor (not shown).

도 2 및 도 3을 참조하면, 제 2 노즐부재(2150)는 기판(w)의 저면으로 세정 및 건조를 위한 유체를 선택적으로 분사하기 위한 것으로, 제 2 노즐부재(2150)는 척(2112)상에 배치되는 노즐(2152)과, 노즐(2152)로 유체가 공급되는 공급라인(2154)을 갖는다. 2 and 3, the second nozzle member (2150) is designed to selectively injected into the fluid for cleaning and drying the lower surface of the substrate (w), the second nozzle member (2150) is chuck 2112 has a nozzle 2152 and a supply line (2154) in which a fluid is supplied to the nozzle 2152 is disposed on. 공급라인(2154)은 기판 지지부재(2110)의 스핀들(2114) 내부를 통해 노즐(2152)과 연결된다. Supply line 2154 is connected to the nozzle 2152 via the internal spindle 2114 of the substrate support member 2110. 노즐(2152)은 중심으로부터 기판(W)의 반경 방향으로 연장 형성된 바아(Bar)를 갖으며, 상면에는 다수의 분사홀(2152a)들이 형성되어 있다. The nozzle 2152 were has a bar (Bar) extending in the radial direction of the substrate (W) from the center, the upper surface has a plurality of injection holes (2152a) are formed.

도 1 및 도 4를 참조하면, 제 1 노즐부재(2140)는 기판(w)의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하기 위한 것으로, 제 1 노즐부(2140)는 노즐(2142)과 스핀들(2146) 그리고 제 1 회전 부재(2148)를 포함한다. 1 and 4, the first nozzle member 2140 is designed to inject the fluid for drying the top surface of the substrate (w), the first nozzle portion 2140 has a nozzle 2142 and the spindle (2146 ) and comprises a first rotating member (2148).

노즐(2142)은 원형 플레이트 형상으로 내부에 유체 공급부로부터 건조용 유체를 공급받는 유체 통로(2142a)와, 유체 통로(2142a)와 연결되는 다수의 분사구(2142b)들을 포함한다. The nozzle 2142 includes a plurality of jetting ports (2142b) is connected with the supply fluid passage (2142a) receiving the fluid from the drying fluid supply inside a circular plate shape, the fluid passages (2142a). 건조용 유체는 스핀들(2146) 내부에 형성된 공급라인(미도시됨)을 통해 유체 통로(2142a)로 제공된다. A fluid for drying is provided in fluid passage (2142a) through a feed line (not shown) formed in the spindle 2146. 분사구(2142b)들은 기판의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 수평 선상에 일정 간격으로 형성된다. The injection hole (2142b) are formed at regular intervals on the horizontal line from the leading edge to the center of the substrate. 분사구(2142b)들은 기판의 중심으로부터 가장자리로 갈수록 개구 밀도가 높게 형성되는 것이 바람직하다. The injection hole (2142b) are toward the edge from the center of the substrate is preferably an aperture formed densely.

개구 밀도를 높이는 방법으로는, 도 4에서와 같이 분사구(2142b)들의 개구 면적을 순차적으로 크게 형성하는 방법, 또는 분사구(2142b)들의 간격을 순차적으로 좁게 형성하는 방법이 선택적으로 사용될 수 있다. A method of increasing the aperture density, a method of forming a narrow interval of the injection hole successively method for increasing sequentially forming an opening area of ​​the (2142b), or the injection hole (2142b), as shown in Figure 4 may optionally be used. 참고로, 건조용 유체는 유기용제(IPA) 및 질소가스가 포함될 수 있으며, 유기용제 및 질소가스는 30도 이상 90도 미만의 온도로 가열된 것이 사용될 수 있다. For reference, the drying fluid may contain an organic solvent (IPA) and nitrogen gas, an organic solvent, and nitrogen gas may be used it is heated to a temperature of less than 90 degrees more than 30 degrees.

제 1 노즐부재(2140)의 스핀들(2146)은 노즐(2142)의 중앙 상부와 결합된다. Spindles 2146 of the first nozzle member 2140 is coupled to the central upper portion of the nozzle 2142. 스핀들(2146)은 상부 커버 부재(2130)의 제2축공(2134a)를 관통하여 설치되며, 외부에 설치된 제 1 회전부재(2148)로부터 회전력을 전달받는다. Spindle 2146 is installed to pass through the second shaft hole (2134a) of the upper cover member 2130, and receives a rotational force from the first rotary member 2148 provided outside. 노즐(2142)은 스핀 들(2146)의 회전에 의해 연동되어 회전되면서 기판(w)의 상면으로 건조를 분사하게 된다. Nozzle 2142 while being rotated in association by rotation of the spindle 2146 is injected to dry the upper surface of the substrate (w).

제1회전부재(2148)는 노즐(2142)을 회전시킬 수 있도록 구성된다. The first rotating member 2148 is configured to rotate the nozzle (2142). 제 1 회전부재(2148)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부(2148a)와, 구동부(2148a)로부터 발생된 회전력을 스핀들(2146)로 제공하는 벨트와 같은 동력전달부(2148b)를 포함한다. The first rotating member (2148) comprises a power transmission part (2148b), such as a belt to provide a rotational force generated from the driving section (2148a), such as a motor for generating a rotational force, a drive (2148a) to the spindle (2146). 제 1 회전부재(2148)는 척(2112)의 회전속도와는 상이한 속도로 제 1 노즐부재(2140)의 노즐(2142)을 회전시킬 수 있다. The first rotating member (2148) is capable of rotating the nozzle 2142 of the first nozzle member 2140 is at a different speed and the rotational speed of the chuck (2112).

도 2에서와 같이, 건조 공정이 진행될 때 제 1 노즐부재(2140)의 노즐(2142)은 기판(W)의 상면으로부터 최소 0.1mm 그리고 최대 10mm 이격되게 위치되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the nozzle 2142 of the first nozzle member 2140 when the drying process take place is preferably at least 0.1mm and positioned to be spaced up to 10mm from the upper surface of the substrate (W). 예컨대, 제 1 노즐부재(2140)의 노즐(2142)과 기판(W) 상면과의 간격(상부영역)은 좁을수록 모세관 현상에 의해 파티클 제거 효율 및 건조 효율이 좋아지지만 0.1mm 보다 작으면 기계적 공차 및 기판의 휨 현상에 의한 스크래치가 발생될 가능성이 있다. For example, the nozzle 2142 and the substrate (W), the distance between the upper surface of the first nozzle member 2140 (upper region), if more narrow, but the better the particle removal efficiency and the drying efficiency by capillary action is less than 0.1mm mechanical tolerance and there is a possibility that scratches are caused by the warpage of the substrate. 반대로, 제 1 노즐부재(2140)의 노즐과 기판(W)의 상면 간격이 10mm 보다 크면 건조 효율 등이 떨어지게 된다. On the other hand, the upper surface distance of the first nozzle member and a nozzle substrate (W) of 2140 is greater than 10mm, such as apart the drying efficiency.

이처럼, 기판 세정 장치(2100)는 제 1 노즐부재(2140)의 노즐(2142)에 의해 기판(W)의 상부에 제한된 상부영역(a)을 제공하게 된다. As such, the substrate cleaning apparatus 2100 will provide the nozzle (2142) an upper region (a) limited to the top of the substrate (W) by the first nozzle member 2140. 이러한 상부 영역(a)은 가열된 건조용 유체가 기판 상면으로 공급되더라도 쉽게 온도가 떨어지지 않고 고온의 분위기로 유지될 수 있는 각별한 효과를 갖는다. The upper region (a) has a particular effect that for the heated drying fluid can be maintained at a high temperature without the temperature easily fall off even if the supply to the upper surface of the substrate. 특히, 다수의 분사구(2142b)들을 통해 기판의 여러 지점으로 고온의 건조용 유체가 공급되기 때문에 기판의 건조 효율을 높이고 건조 시간을 단축할 수 있다. In particular, since through a plurality of injection orifices (2142b) to the high temperature of the drying fluid fed to various points of the substrate to increase the drying efficiency of the board it is possible to shorten the drying time. 한편, 기판(W)의 상부 영역(a)으로 유 기용제가 포함된 고온의 건조용 유체를 공급하는 경우, 적은 양을 공급하더라도 상부 영역(a)의 유기용제 농도 분포가 높게 그리고 고르게 형성됨으로써 충분한 건조 효율을 얻을 수 있다. On the other hand, if the oil appointed agent supplying drying fluid of a high temperature contained in the upper area (a) of the substrate (W), even if supplying a small amount sufficient by being highly organic solvent concentration distribution in the upper region (a) and forming evenly the drying efficiency can be obtained.

또한, 기판에 의해 상부 영역(a)으로 제공되는 건조용 유체의 이동속도는 제 1 노즐부재(2140)의 노즐(2142) 및 기판의 회전속도가 높아질수록 증가하게 되는데, 이때 건조용 유체는 유체의 이동 통로가 되는 상부 영역(a)이 좁기 때문에 더욱 빠르게 이동하게 된다. Further, by the substrate moving speed of the drying fluid it is provided to the upper area (a) shows there is increased the higher the rotational speed of the nozzle 2142 and the substrate of the first nozzle member 2140, wherein a fluid for drying is fluid an upper region (a) where the flow channel is of a more rapidly moving because narrow. 따라서, 기판 표면에 잔류하는 파티클의 제거 효율 및 물기 제거 효율이 향상될 수 있는 것이다. Accordingly, it would in the removal efficiency and the water removal efficiency of particles remaining on the substrate surface can be improved.

이와 같이, 본 발명의 장치(2100)는 기판의 세정 및 건조 방식에 따라 분사구들의 개수 또는 분사구들로 공급되는 유체의 종류를 변경할 수 있으며, 분사구들간의 간격 역시 변경될 수 있다. Thus, the device 2100 of the present invention can change the type of fluid supplied to the count or the injection hole of the injection hole according to the cleaning and drying method of the substrate, the interval between the injection hole can also be changed. 예컨대, 세정을 위한 유체에는 탈이온수와 불산용액이 혼합된 혼합액, 탈이온수, 암모니아 용액과 과산화수용액이 혼합된 혼합액 등이 사용될 수 있으며, 건조를 위한 유체에는 이소프로필알콜 증기와 질소가스가 혼합된 가스, 질소 가스 등이 사용될 수 있다. For example, the the fluid for cleaning a mixture of deionized water and the acid solution mixed solution, deionized water, may be used such as ammonia solution and hydrogen peroxide aqueous solution are mixed mixture, in the fluid for drying the isopropyl alcohol vapor and nitrogen gas mixture there is a gas, nitrogen gas or the like can be used.

상기와 같은 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 세정 건조하는 공정을 살펴보면 다음과 같다. Using the substrate processing apparatus such as a look at the step of drying the washed substrate as follows.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다. 5 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the invention.

도 2 및 도 3 그리고 도 5를 참조하면, 기판(w)은 하부 커버 부재(2120)의 개방된 상부를 통해 척(2122)에 로딩된다(s110,s120). 2 and 3 and 5, the substrate (w) is loaded to the chuck 2122 by the upper opening of the lower cover member (2120) (s110, s120). 기판(w)은 지지핀(2113a)들에 지지된 상태에서 척킹핀(2113b)들에 의해 척킹된다, 기판(w)은 제2회전부 재(2116)의 동작에 의해 척(2112)과 함께 회전된다. A substrate (w) is rotated with the support pin (2113a) of in the supported state chuck the kingpin (2113b) to be chucked by the substrate (w) operates the chuck 2112 by the second rotating portion material 2116 do. 이후, 회전되는 기판은 제3노즐부재(2160)의 노즐(2162)을 통해 분사되는 유체에 의해 세정 및 린스 처리된다(도 2 참조)(s130). Then, the substrate is rotated washing and rinsing process by the fluid injected through the nozzles 2162 of the third nozzle member 2160 (see Fig. 2) (s130).

기판의 세정 및 린스 처리가 완료되면, 기판(w)에 대한 건조 처리가 진행된다(s140). When the cleaning of the substrate and the rinsing process is completed, a drying process is conducted for a substrate (w) (s140). 기판의 건조 처리는 기판 표면에 물반점이 발생되지 않도록 신속하게 그리고 대기압 이하의 환경에서 진행된다. Dry treatment of the substrate quickly so that water spot is not generated on the surface of the substrate and proceeds from sub-atmospheric environment.

건조 과정을 자세히 살펴보면, 먼저 상부 커버 부재(2130)의 상부 컵(2132)이 도 3에 도시된 위치까지 하강되면, 하부 커버 부재(2120)의 상부는 상부 컵(2132)에 의해 밀폐된다(s142). Looking at the drying process in detail, First, when lowered to the position shown in Figure 3 the upper cup (2132) of the upper cover member 2130, an upper portion of the lower cover member 2120 is closed by the upper cup (2132) (s142 ). 그리고, 상부 커버 부재(2130)와 하부 커버 부재(2120)에 의해 제공된 밀폐 공간(s)은 제1감압 부재(2170a)에 의해 대기압 이하로 감압된다(s144). Then, the closed space (s) provided by the top cover member 2130 and the lower cover member 2120 is reduced to below atmospheric pressure by the first pressure reducing member (2170a) (s144). 그리고, 제1축공(2124a)과 제2축공(2134a)에 형성된 버퍼 공간(b)은 제2감압 부재(2170b)에 의해 밀폐 공간(s)보다 낮은 압력으로 감압된다(s145). The first shaft hole (2124a) and the buffer space is formed in the second shaft hole (2134a) (b) it is depressurized to a lower pressure than the enclosed space (s) by the second pressure reducing member (2170b) (s145). 밀폐 공간(s)과 버퍼 공간(b)이 대기압 이하로 감압되면, 기판(w)은 제1노즐부재(2140)의 노즐(2142)을 통해 분사되는 건조를 위한 유체에 의해 건조 된다(s146). When the enclosed space (s) and buffer space (b) a reduced pressure below atmospheric pressure, the substrate (w) is dried by a fluid for drying is injected through the nozzle 2142 of the first nozzle member (2140) (s146) . 건조를 위한 유체는 회전되는 노즐(2142)을 통해 기판(w) 상부의 상부 영역(a)으로 분사된다. A fluid for drying is injected into an upper region (a) of the upper substrate (w) through the nozzle 2142 is rotated. 이때, 건조를 위한 유체는 제1회전부재(2148)에 의해 회전되는 노즐(2142)을 통해 기판 상부에 뿌려지고, 건조를 위한 유체는 회전되는 기판 표면의 원심력에 의해 빠르게 기판의 가장자리쪽으로 이동된다. At this time, the fluid for drying the first rotating element is sprayed on to a substrate through a nozzle 2142 which is rotated by 2148, a fluid for drying is moved toward the edge of the faster the substrate by the centrifugal force of the substrate surface which is rotated . 건조를 위한 유체가 공급될 때, 척(2112)과 제1노즐부재(2140)의 노즐(2142)은 서로 상이한 속도로 회전될 수 있다(또는 척만 회전되거나 또는 제1노즐부재의 노즐만 회전될 수 있다 .). When the fluid for drying is supplied, the chuck 2112 and the nozzle 2142 of the first nozzle member 2140 can be rotated to each other at a different speed (or pretend rotation or claim rotated only the nozzles of the first nozzle member can). 기판의 상부 영역(a)으로는 기판(W)의 중앙으로부터 가장자리로 갈수록 다량의 유체가 공급되게 된다. An upper region (a) of the substrate is to be gradually supplied to a large amount of fluid into the frame from the center of the substrate (W). 건조를 위한 유체는 고온으로 가열된 상태에서 상부 영역(a)으로 공급되어 기판 상면을 신속하게 건조시킬 수 있다. A fluid for drying is in a heated state at a high temperature supplied to the upper region (a) it is possible to quickly dry the upper surface of the substrate. 본 발명에서는 기판의 상면과 저면을 동시에 세정 및 건조할 수 있다. In the present invention, it is possible to clean and dry the upper surface and the backside of the substrate at the same time. 기판(W)의 저면 세정 및 건조는 기판이 회전되는 상태에서, 제2노즐부재(2150)의 노즐(2152)을 통해 기판 상부로 제공되는 유체와 동일한 유체가 기판의 저면으로 공급되면서 이루어진다. Bottom surface cleaning of the substrate (W) and the drying is done while the substrate is being rotated in the state, the same fluid and the fluid is supplied to the lower surface of the substrate provided in a substrate through a nozzle 2152 of the second nozzle member (2150).

기판 건조 과정이 완료되면, 상부 커버 부재(2130)의 상부 컵(2132)이 도 2에 도시된 위치까지 상승되고, 하부 커버 부재(2120)의 상부가 개방된다(s150). When the substrate drying process is complete, the top cup 2132 of the upper cover member 2130 is also increased and, the upper portion of the lower cover member 2120 opened to the position shown in 2 (s150). 기판(w)은 척(2112)과 제1노즐부재(2140)의 노즐(2142)이 정지된 상태에서 척(2112)으로부터 언로딩된다(s160). A substrate (w) are unloaded from the chuck 2112 from the nozzle 2142 of the chuck 2112 and the first nozzle member 2140 stop state (s160).

본 발명은 기판을 액상(또는 기체상태)의 유체로 처리하는 모든 설비에 적용 가능하다. The present invention is applicable to any equipment that processes a substrate with a fluid of a liquid (or gaseous). 그러한 실시예 중에서 바람직한 실시예로 반도체 세정 공정에서 사용되는 회전형 세정 장치를 예를 들어 설명한 것으로, 본 발명은 회전형 식각 장치(rotary etching apparatus) 등에도 사용될 수 있다. As a preferred embodiment in such an embodiment as described, for example, a typical cleaning device once used in semiconductor cleaning processes, the invention can also be used for purposes such as etching a rotatable device (rotary etching apparatus).

이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다. In the above, although drawn to the description and drawings above the constituent elements of the substrate processing apparatus in accordance with the present invention and for only those described example and various changes and modifications may be made without departing from the scope in the present invention is Of course.

상술한 바와 같이, 본 발명은 신속한 기판 건조가 가능하다. As described above, the present invention is a rapid drying the substrate. 본 발명은 기판 건조시 외부 오염원으로 기판을 보호할 수 있다. The invention may protect the substrate to an external source during the substrate drying. 본 발명은 기판 건조 과정에서 발 생되는 물반점을 최소화할 수 있다. The present invention can minimize water spots which occur in the board drying process. 본 발명은 기판 건조시 외부 환경으로부터 영향을 최소화 할 수 있다. The present invention can minimize the influence from the environment during the substrate drying. 본 발명은 기판이 공기와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. The present invention can prevent the substrate is in contact with the air. 본 발명은 기판 건조를 위해 공급되는 유체의 농도 및 온도 변화를 최소할 수 있다. The present invention can minimize the density and temperature of the fluid supplied for the substrate drying. 본 발명은 기판이 처리되는 공간으로 외부 공기가 유입되지 않는다. The present invention is not the outside air flows into the space in which the substrate is processed.

Claims (17)

  1. 기판 처리 장치에 있어서: In the apparatus:
    기판이 놓여지는 척과, 상기 척을 지지하는 스핀들을 갖는 기판 지지부재; Chuck and the substrate is to be placed, the substrate support member having a spindle for supporting said chuck;
    상기 척이 위치되는 밀폐 공간을 제공하며, 상기 스핀들이 관통되는 제1축공을 갖는 챔버를 포함하되; Provides a closed space to which the chuck position, comprising: a chamber having a first shaft hole through which the spindle;
    상기 챔버는 상기 스핀들과 상기 제1축공 사이에 버퍼 공간을 형성하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제1,2 밀폐부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The chamber is a substrate processing apparatus comprising a first and a second sealing member that is installed on a different height so as to form a buffer space between the spindle and the first shaft hole.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 기판 처리 장치는 The substrate processing apparatus
    상기 밀폐 공간을 대기압 이하의 제1압력으로 감압하기 위한 제1감압부재와, And the first pressure member to pressure the enclosed space into a first subatmospheric pressure,
    상기 제1밀폐부재와 상기 제2밀폐부재 사이에 형성된 버퍼 공간을 대기압 이하의 제2압력으로 감압하기 위한 제2감압부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, further including the first sealing member and said second pressure member to reduce the pressure in the buffer space formed between the second sealing member to a second subatmospheric pressure.
  3. 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    외부 공기가 상기 밀폐 공간으로 유입되지 않도록 상기 버퍼 공간의 제2압력 은 상기 밀폐 공간의 제1압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. So that external air is introduced into the closed space a second pressure of the buffer space is a substrate processing apparatus, characterized in that below the first pressure in the closed space.
  4. 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 제1밀폐부재와 상기 제2밀폐부재는 베어링인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus of the first sealing member and the second sealing member is characterized in that the bearing.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 챔버는 The chamber
    상부가 개방된 하부 커버와; An open top and a lower cover;
    상기 기판에 대한 처리 공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 커버의 상부를 폐쇄하는 상부 커버로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus which comprises a top cover for closing the upper portion of the lower cover the treatment process for the substrate to be held in a state isolated from the outside.
  6. 제5항항에 있어서, The method of claim 5 hanghang,
    상기 기판 처리 장치는 The substrate processing apparatus
    상기 상부 커버가 상기 하부 커버의 상부를 개방 또는 폐쇄하도록 상기 상부 커버를 승강시키는 승강부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing device characterized in that said top cover further comprises a lifting member for lifting the top cover to open or close the upper portion of the lower cover.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 기판 처리 장치는 The substrate processing apparatus
    상기 기판의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하는 분사구가 형성된 노즐을 갖는 제1노즐부를 더 포함하되, Further comprising a first nozzle having a nozzle injection port for injecting a fluid for drying the top surface of the substrate is formed,
    상기 노즐은 상기 밀폐 공간의 기판 상부에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The nozzle substrate processing device characterized in that the position over the substrate in the enclosed space.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 기판 처리 장치는 The substrate processing apparatus
    상기 기판의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하는 분사구가 형성된 노즐과 상기 노즐을 지지하는 스핀들을 갖는 제1노즐부를 더 포함하되, Further comprising a first nozzle having a spindle for the injection port for injecting a fluid for drying the top surface of the substrate supporting the nozzle and the nozzle is formed,
    상기 노즐은 상기 밀폐 공간의 기판 상부에 위치되며, The nozzle is positioned on a substrate in the closed space,
    상기 챔버는 The chamber
    상기 제1노즐부의 스핀들이 관통되는 제2축공과; A second shaft to which the ball and the first nozzle portion with a through-spindle; 상기 제1노즐부의 스핀들과 상기 제2축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제3,4 밀폐부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A substrate processing apparatus comprising the third and fourth sealing member that is installed on a different height to seal the space between the spindles of said first nozzle and said second axial bore into the second.
  9. 기판 처리 장치에 있어서: In the apparatus:
    기판이 놓여지는 척과 상기 척을 지지하는 스핀들을 갖는 기판 지지부; A substrate support having a spindle for supporting the chuck and the chuck which the substrate is placed;
    상기 기판의 상면으로 건조를 위한 유체를 분사하는 노즐과 상기 노즐을 지지하는 스핀들을 갖는 제1노즐부재; The first nozzle member with a spindle for supporting the nozzle and the nozzle for injecting a fluid for drying the top surface of the substrate;
    상부가 개방되고, 상기 척 주변을 감싸도록 형상지어진 하부 커버; The top is opened, the lower cover built in the chuck so as to surround the peripheral shape;
    상기 기판에 대한 건조공정이 외부와 격리된 상태에서 진행되도록 상기 하부 커버의 상부를 개방 또는 폐쇄하는 상부 커버; An upper cover for opening or closing an upper portion of the lower cover the drying process for the substrate to be held in a state isolated from the outside;
    상기 하부 커버와 상기 상부 커버에 의해 형성되는 밀폐 공간을 감압하기 위한 감압부재를 포함하되; Comprising: a pressure member to pressure the enclosed space formed by said bottom cover and said top cover;
    상기 하부 커버는 상기 기판 지지부의 스핀들이 관통되는 제1축공과, 상기 기판 지지부의 스핀들과 상기 제1축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제1,2 밀폐부재를 갖고, The lower cover has a first and a second sealing member provided in different heights in order to seal the space between the ball and the first axis, the substrate support of the substrate support spindle with a through-spindle with the first axial bore 2 into the ,
    상기 상부 커버는 상기 제1노즐부재의 스핀들이 관통되는 제2축공과, 상기 제1노즐부재의 스핀들과 상기 제2축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하기 위하여 서로 다른 높이에 설치되는 제3,4 밀폐부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The upper cover of claim 3, 4 are installed in different heights in order to seal the space between the ball and a second shaft, the first spindle and the second shaft hole of the first nozzle member that the spindle of the first nozzle member into the through-2 a substrate processing apparatus comprising the closure member.
  10. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 기판 처리 장치는 The substrate processing apparatus
    상기 밀폐 공간을 대기압 이하의 제1압력으로 감압하기 위한 제1감압부재와, And the first pressure member to pressure the enclosed space into a first subatmospheric pressure,
    상기 제1밀폐부재와 상기 제2밀폐부재 사이에 형성된 버퍼 공간과 상기 제3밀폐부재와 상기 제4밀폐부재 사이에 형성된 버퍼 공간을 대기압 이하의 제2압력으로 감압하기 위한 제2감압부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. It said first sealing member and said second pressure member further to reduce the pressure in the buffer space formed between the second buffer space formed between the sealing member and the third sealing member and said second sealing member to a second subatmospheric pressure a substrate processing apparatus comprising:.
  11. 제10항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    외부 공기가 상기 밀폐 공간으로 유입되지 않도록 상기 버퍼 공간의 제2압력은 상기 밀폐 공간의 제1압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. So that external air is introduced into the closed space a second pressure of the buffer space is a substrate processing apparatus, characterized in that below the first pressure in the closed space.
  12. 기판 처리 장치에 있어서: In the apparatus:
    밀폐된 공간을 제공하며, 제1축공과 제2축공을 갖는 챔버; It provides an enclosed space, a first axial chamber having a ball and a second shaft hole;
    상기 제1축공을 통해 상기 밀폐 공간의 상부에 회전 가능하게 설치되는 제1노즐부재; The first nozzle member via the first axial bore rotatably mounted on an upper portion of the enclosed space;
    상기 제2축공을 통해 상기 밀폐 공간의 하부에 회전 가능하게 설치되는 기판 지지부재; A substrate support member through said second axial bore rotatably mounted on a lower portion of the enclosed space;
    상기 기판 지지부와 상기 제1축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하여 버퍼공간을 형성하는 제1,2 밀폐부재; First and second closure member to form the substrate support and the first to seal the space between the shaft hole 2 into the buffer space;
    상기 제1노즐부재와 상기 제1축공 사이의 공간을 2중으로 밀폐하여 버퍼공간을 형성하는 제3,4 밀폐부재; Third and fourth closure member to form a buffer space to seal the space between the first nozzle member and the first shaft hole into two; And
    상기 밀폐 공간과 상기 버퍼 공간들의 압력을 상이하게 조절하여 외부 공기가 상기 밀폐 공간으로 유입되는 것을 차단하는 감압부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A substrate processing apparatus is characterized in that in the closed space with different pressure of the buffer space includes a pressure-controlled member to block the external air is introduced into the enclosed space.
  13. 제12항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 버퍼 공간의 압력은 상기 밀폐 공간의 압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The pressure of the buffer space is a substrate processing apparatus, characterized in that below the pressure of the enclosed space.
  14. 척의 스핀들과 제1노즐부재의 스핀들이 관통되는 축공들과, 축공의 내부 공간을 2중으로 밀폐하는 밀폐 부재들을 갖는 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법에 있어서: In the spindle chuck and the substrate processing method in a substrate processing apparatus having a sealing member for sealing the shaft hole and the internal space of the shaft hole through which the spindle of the first nozzle member 2 into:
    하부커버의 내측에 위치한 척에 기판을 로딩하는 단계; A step of loading a substrate on a chuck located on the inside of the lower cover;
    기판의 처리 공간을 밀폐한 상태에서 기판으로 건조용 유체를 공급하여 기판을 건조하는 단계를 포함하되; Supplying a dry fluid to the substrate in a state of sealing the processing space of a substrate comprising the step of drying the substrate;
    상기 기판을 건조하는 단계는 Drying the substrate,
    상기 건조용 유체를 공급하기 전에 상기 밀폐 공간을 대기압 이하의 제1압력으로 만들고, 상기 밀폐 부재들 사이의 버퍼 공간을 상기 제1압력보다 낮은 제2압력으로 만드는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. Before supplying the drying fluid is created and the sealed space into a first pressure below atmospheric pressure, the substrate processing method, characterized in that creating a buffer space between the closure member to the first lower second pressure than the first pressure.
  15. 제14항에 있어서, 15. The method of claim 14,
    상기 기판을 건조하는 단계는 Drying the substrate,
    상기 척이 회전되는 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method, characterized in that formed in a state in which the chuck is rotated.
  16. 제15항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 건조용 유체는 상기 밀폐 공간의 상부에 위치된 제1노즐부재의 노즐을 통해 기판으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The drying fluid is a substrate processing method, characterized in that to be supplied to the substrate through the nozzles of the first nozzle member located at an upper portion of the enclosed space.
  17. 제16항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 기판을 건조하는 단계는 Drying the substrate,
    상기 척과 상기 노즐 중 적어도 하나는 회전되면서 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The chuck and the substrate processing method, characterized in that to proceed with the process as at least one rotation of said nozzle.
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