KR102551594B1 - Substrate treating apparatus including back nozzle skirt - Google Patents
Substrate treating apparatus including back nozzle skirt Download PDFInfo
- Publication number
- KR102551594B1 KR102551594B1 KR1020210111360A KR20210111360A KR102551594B1 KR 102551594 B1 KR102551594 B1 KR 102551594B1 KR 1020210111360 A KR1020210111360 A KR 1020210111360A KR 20210111360 A KR20210111360 A KR 20210111360A KR 102551594 B1 KR102551594 B1 KR 102551594B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nozzle
- bag
- skirt
- groove
- bag nozzle
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/26—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
- B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
- B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
- B05B13/0421—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with rotating spray heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
- B05B7/2489—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device an atomising fluid, e.g. a gas, being supplied to the discharge device
- B05B7/2491—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device an atomising fluid, e.g. a gas, being supplied to the discharge device characterised by the means for producing or supplying the atomising fluid, e.g. air hoses, air pumps, gas containers, compressors, fans, ventilators, their drives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 본 발명의 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것으로, 백 노즐 스커트에, 백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공, 바닥면에서 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로와 대향되게 형성되는 환형의 도입홈, 바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈, 바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈, 및 상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하므로, 상기 환형의 유로로부터 배출되는 퍼지 가스가 상기 환형의 도입홈, 연결홈, 임시 수용홈 및 분사공을 통해 백 노즐 스커트의 상면 위에 분사되어 백 노즐 스커트의 상면에 잔류한 처리액 등을 확실하게 외측 회전부 측으로 밀어낼 수 있게 된다는 이점이 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus including the bag nozzle skirt of the present invention, wherein the bag nozzle skirt has nozzle support holes through which the bag nozzles pass in the vertical direction, and a bottom surface of the bag nozzle skirt to face an annular flow path formed in the bag nozzle assembly. An annular introduction groove is formed, a connection groove extending from the annular introduction groove toward the center of the bag nozzle skirt on the bottom surface, a temporary accommodation groove communicating with the connection groove on the bottom surface and formed in the central area, and the temporary accommodation Since a spray hole is formed at the bottom of the groove and penetrates to the upper surface of the bag nozzle skirt, the purge gas discharged from the annular flow path passes through the annular inlet groove, the connection groove, the temporary receiving groove, and the powder. There is an advantage in that the treatment liquid, which is sprayed on the upper surface of the bag nozzle skirt through the hole and remains on the upper surface of the bag nozzle skirt, can be reliably pushed toward the outer rotation unit.
Description
본 발명은 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 백 노즐 스커트의 상면에 잔류하는 처리액을 제거하여 처리액에 의한 기판 손상을 방지하도록 하기 위한 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus including a back nozzle skirt, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a back nozzle skirt for removing a processing liquid remaining on an upper surface of the back nozzle skirt to prevent damage to a substrate by the processing liquid. It relates to a substrate processing apparatus.
일반적으로, 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조되며, 이를 위하여 증착 공정, 포토리소그래프 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.In general, semiconductor devices are manufactured by depositing various materials in the form of thin films on a substrate and patterning them, and for this, different processes such as a deposition process, a photolithography process, an etching process, a cleaning process, and a drying process are required. It is required.
이 중 세정 공정과 건조 공정은, 상기 기판 상에 존재하는 이물질이나 파티클 등을 제거한 후 건조하는 공정으로서, 기판을 스핀 헤드(척 베이스) 상에 지지한 상태에서 고속으로 회전시키면서 기판의 상면이나 하면에 처리액이나 건조가스를 공급하는 것에 의해 이루어진다.Among them, the cleaning process and the drying process are processes of removing foreign substances or particles present on the substrate and then drying the upper or lower surface of the substrate while rotating the substrate at high speed while supporting it on a spin head (chuck base). It is made by supplying treatment liquid or dry gas to
한편, 기판의 하면에 처리액을 공급하기 위해서 상기 기판의 아래쪽 척 베이스에 백 노즐 어셈블리가 설치되며, 일반적으로 상기 백 노즐 어셈블리에는 상면에 잔류한 처리액이나 세정액이 회전부와 비회전부 사이로 유입되는 것을 방지하고 외측으로 밀어내기 위해 N2 가스 등의 퍼지 가스를 분사하기 위한 퍼지 유로가 형성되어 있다.On the other hand, in order to supply the processing liquid to the lower surface of the substrate, a bag nozzle assembly is installed on the chuck base below the substrate. Generally, the bag nozzle assembly prevents the processing liquid or cleaning liquid remaining on the upper surface from flowing between the rotating part and the non-rotating part. A purge passage for injecting a purge gas such as N2 gas is formed in order to prevent and push outward.
또한, 하기의 [특허문헌]에서 알 수 있는 바와 같이, 백 노즐 어셈블리를 구성하는 비회전부인 노즐 몸체의 상부에는 백 노즐 스커트가 설치되어 있어, 상기 노즐 스커트와 회전부인 노즐 하우징 사이에 상기 퍼지 유로로부터의 퍼지 가스를 수평으로 분사함으로써 상기 노즐 하우징의 상면에 잔류하는 처리액이나 세정액을 회전부쪽으로 효과적으로 밀어내어 노즐 하우징과 노즐 몸체 사이로 처리액이 유입되는 것을 방지하도록 구성되어 있다.In addition, as can be seen from the [Patent Document] below, a bag nozzle skirt is installed on the top of the nozzle body, which is a non-rotating part constituting the bag nozzle assembly, and the purge passage is between the nozzle skirt and the nozzle housing, which is a rotating part. By horizontally spraying the purge gas from the nozzle housing, the treatment liquid or cleaning liquid remaining on the upper surface of the nozzle housing is effectively pushed toward the rotating part to prevent the treatment liquid from flowing between the nozzle housing and the nozzle body.
상기 노즐 하우징 등에 잔류한 처리액을 제거하지 않으면, 건조 공정시에 상기 잔류한 처리액이 증발하면서 기판의 하면에 접촉하여 얼룩 등 손상을 일으킬 수 있다.If the treatment liquid remaining on the nozzle housing is not removed, the remaining treatment liquid may contact the lower surface of the substrate while evaporating during the drying process, causing damage such as stains.
더욱이, 잔류한 처리액에 버블이 형성되면서 건조공정시 터지게 되면 기판의 하면에 충격적인 접촉이 일어나 처리액에 민감한 기판의 하면이 손상될 수 있다.Moreover, when bubbles are formed in the remaining treatment liquid and burst during the drying process, impactive contact with the lower surface of the substrate may occur, resulting in damage to the lower surface of the substrate sensitive to the treatment liquid.
한편, 종래기술에 따라 상기 백 노즐 스커트에 의해 노즐 하우징 상면에 잔류한 처리액이 퍼지될 수 있으나, 상기 백 노즐 스커트의 상면에 잔류한 처리액은 제거되지 않아 여전히 기판을 손상시키는 요인이 되었다.On the other hand, according to the prior art, the treatment liquid remaining on the upper surface of the nozzle housing can be purged by the bag nozzle skirt, but the treatment liquid remaining on the upper surface of the back nozzle skirt is not removed, which still causes damage to the substrate.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 백 노즐 스커트의 상면에 퍼지 가스가 분사될 수 있어 잔류한 처리액을 용이하게 제거할 수 있으므로 이로 인한 기판 손상이 없는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to easily remove the remaining treatment liquid by spraying a purge gas on the upper surface of the bag nozzle skirt, thereby damaging the substrate. It is to provide a substrate processing apparatus including a back nozzle skirt without teeth.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치는,In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus including a back nozzle skirt according to the present invention,
회전축에 의해 회전 가능하게 설치되는 척 베이스를 포함하는 기판 지지장치;A substrate support device including a chuck base rotatably installed by a rotating shaft;
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 유체 공급 유닛;a fluid supply unit supplying a treatment liquid to the upper surface of the substrate;
상기 척 베이스의 중앙에 형성된 중공부를 통해 설치되어 기판의 하면에 처리액을 분사하기 위한 백 노즐 어셈블리; 및a bag nozzle assembly installed through a hollow formed in the center of the chuck base to spray a processing liquid to a lower surface of the substrate; and
상기 백 노즐 어셈블리의 상부에 설치되되 가장자리 부분에서 바닥면이 상기 백 노즐 어셈블리와 이격되게 배치되는 백 노즐 스커트;a bag nozzle skirt installed on the upper part of the bag nozzle assembly and having a bottom surface spaced apart from the bag nozzle assembly at an edge portion;
를 포함하며,Including,
상기 백 노즐 스커트에는,In the back nozzle skirt,
백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공;a nozzle support hole through which the bag nozzle vertically passes;
바닥면에서 상기 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로의 상단과 대향되게 형성되는 환형의 도입홈;an annular introduction groove formed on a bottom surface to face an upper end of the annular passage formed in the bag nozzle assembly;
바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈;a connection groove extending from the annular introduction groove toward the center of the bag nozzle skirt on the bottom surface;
바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈; 및a temporary receiving groove communicating with the connecting groove on a bottom surface and formed in a central region; and
상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공;a spray hole located at the bottom of the temporary receiving groove and penetrating to an upper surface of the bag nozzle skirt;
이 형성되는 것을 특징으로 한다.It is characterized by the formation of
평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공은 상기 회전축의 회전방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 한다.When viewed from a plan view, the injection hole is characterized in that it consists of a plurality formed along the rotational direction of the rotation shaft.
측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공의 출구는 상기 회전축에 대하여 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다.When viewed from a side cross-section, the outlet of the injection hole is characterized in that it is formed inclined with respect to the rotation axis.
상기 분사공은 입구로부터 상기 회전축과 나란한 방향으로 연장되다 출구까지 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다.The injection hole is characterized in that it is formed obliquely extending from the inlet in a direction parallel to the rotating shaft to the outlet.
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈은 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.When viewed from a bottom view, the bag nozzle skirt has a circular outer shape, the annular introduction groove is formed in a circular shape, and the connection groove is radially formed from the annular introduction groove toward the center of the bag nozzle skirt. characterized by being
저면도에서 바라볼 때, 상기 연결홈은 원주방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 한다.When viewed from a bottom view, the connecting groove is characterized in that it consists of a plurality of formed along the circumferential direction.
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트의 중앙에는 노즐 지지공이 형성되며, 상기 분사공은 상기 노즐 지지공의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 한다.When viewed from a bottom view, a nozzle support hole is formed at the center of the bag nozzle skirt, and the injection hole is formed around the nozzle support hole.
평면도에서 바라볼 때, 중앙으로부터 중앙의 노즐 지지공을 제외한 다른 노즐 지지공의 중심까지의 길이는 중앙 영역으로부터 분사공의 중심까지의 길이보다 길게 형성되는 것을 특징으로 한다.When viewed from a plan view, the length from the center to the center of the nozzle support hole other than the central nozzle support hole is longer than the length from the center area to the center of the injection hole.
상기 백 노즐 스커트와 백 노즐 어셈블리는 체결수단에 의해 결합되는 것을 특징으로 한다.The bag nozzle skirt and the bag nozzle assembly are coupled by a fastening means.
전술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 따르면, 백 노즐 스커트에, 백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공, 바닥면에서 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로의 상단과 대향되게 형성되는 환형의 도입홈, 바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈, 바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈, 및 상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하므로, 상기 환형의 유로로부터 배출되는 퍼지 가스가 상기 환형의 도입홈, 연결홈, 임시 수용홈 및 분사공을 통해 백 노즐 스커트의 상면 위에 분사되어 백 노즐 스커트의 상면에 잔류한 처리액 등을 확실하게 외측 회전부 측으로 밀어낼 수 있게 된다는 이점이 있다.According to the substrate processing apparatus including the bag nozzle skirt of the present invention having the configuration as described above, the bag nozzle skirt has a nozzle support hole through which the bag nozzle vertically penetrates, and an annular flow path formed on the bottom surface of the bag nozzle assembly. An annular introduction groove formed opposite to the upper end of the annular introduction groove, a connection groove extending from the annular introduction groove toward the center of the bag nozzle skirt on the bottom surface, and a temporary accommodation groove communicating with the connection groove on the bottom surface and formed in the central area. , and a spray hole positioned at the bottom of the temporary receiving groove and penetrating up to the top surface of the bag nozzle skirt, so that the purge gas discharged from the annular flow path passes through the annular inlet groove, the connection groove, There is an advantage in that the treatment liquid remaining on the upper surface of the bag nozzle skirt after being sprayed on the upper surface of the bag nozzle skirt through the temporary receiving groove and the spray hole can be reliably pushed toward the outer rotation unit.
또한 본 발명에 따르면, 평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공은 상기 회전축의 회전방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 하므로, 상기 백 노즐 스커트의 둘레방향을 따라 균일하게 퍼지 가스를 공급함으로써 백 노즐 스커트 상면의 처리액 제거가 한층 신속하게 이루어질 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, when viewed from a plan view, since the injection hole is characterized in that it is composed of a plurality formed along the rotational direction of the rotation shaft, the purge gas is uniformly supplied along the circumferential direction of the bag nozzle skirt. Removal of the treatment liquid from the upper surface of the back nozzle skirt can be performed more rapidly.
또한 본 발명에 따르면, 측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공의 출구는 상기 회전축에 대하여 경사지게 형성되어 있어 상기 백 노즐 스커트 상면에 대한 퍼지 가스의 접근이 한층 용이하게 되므로 처리액의 제거 또한 확실하고 신속하게 이루어진다는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, when viewed from a side cross-section, the outlet of the injection hole is formed inclined with respect to the rotation shaft, so that the purge gas can more easily access the upper surface of the bag nozzle skirt, so that the treatment liquid can be removed reliably. It has the advantage of being quick.
또한 본 발명에 따르면, 상기 분사공은 입구로부터 상기 회전축과 나란한 방향으로 연장되다 출구까지 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하므로 백 노즐 스커트의 제조가 한층 용이하게 된다.In addition, according to the present invention, since the injection hole extends in a direction parallel to the rotating shaft from the inlet and is inclined to the outlet, manufacturing of the bag nozzle skirt is further facilitated.
또한 본 발명에 따르면, 저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈은 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 방사상으로 형성되므로, 퍼지 가스의 이동 경로를 최소화할 수 있어 환형의 도입홈으로부터 퍼지 가스를 신속하게 분사공을 통해 분사하는 것이 가능하게 된다.In addition, according to the present invention, when viewed from a bottom view, the bag nozzle skirt has a circular outer shape, the annular introduction groove has a circular shape, and the connection groove extends from the annular introduction groove to the bag nozzle skirt. Since it is radially formed toward the center, the moving path of the purge gas can be minimized, and it is possible to quickly inject the purge gas through the injection hole from the annular inlet groove.
또한 본 발명에 따르면, 상기 백 노즐 스커트의 중앙에는 노즐 지지공이 형성되며, 상기 분사공은 상기 노즐 지지공의 둘레에 형성되므로, 백 노즐 스커트에 백 노즐, 체결수단 및 기판 감지 센서 등의 설치구조가 콤팩트하게 되어 그 크기를 크게 줄일 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, since the nozzle support hole is formed in the center of the bag nozzle skirt and the injection hole is formed around the nozzle support hole, the bag nozzle skirt, fastening means, substrate detection sensor, etc. are installed in the back nozzle skirt. becomes compact, and its size can be greatly reduced.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 측단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치와 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트의 결합구조를 나타내는 상면 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치와 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트의 결합구조를 나타내는 측단면도이다.
도 4는 도 3에서 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트를 나타내는 확대 측단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 상면 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 저면 사시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 저면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 종단면도이다.1 is a side cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a top perspective view showing a coupling structure of a substrate support device, a bag nozzle assembly, and a bag nozzle skirt according to the present invention.
3 is a cross-sectional side view showing a coupling structure of a substrate support device, a bag nozzle assembly, and a bag nozzle skirt according to the present invention.
FIG. 4 is an enlarged side cross-sectional view illustrating the bag nozzle assembly and the bag nozzle skirt in FIG. 3 .
5 is a top perspective view showing the configuration of a bag nozzle skirt according to the present invention.
6 is a bottom perspective view showing the configuration of a bag nozzle skirt according to the present invention.
7 is a plan view showing the configuration of a back nozzle skirt according to the present invention.
8 is a bottom view showing the configuration of a back nozzle skirt according to the present invention.
9 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a back nozzle skirt according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리장치(1000)는, 유체 공급 유닛(10), 바울(bowl) 조립체(20), 승강 유닛(30), 그리고 기판 지지장치(S)를 가진다.As shown in FIGS. 1 and 2, the
상기 유체 공급 유닛(10)은 기판 처리를 위한 처리액이나 처리 가스를 기판(W)으로 공급한다.The
상기 바울 조립체(20)는 공정에 사용된 약액 및 공정시 발생됨 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지하도록 수용하는 구성요소로서 복수의 바울이 적층식으로 구성되어 기판에 대하여 상대적인 높이에 따라 다른 약액 및 흄이 구별되어 유입되도록 하는 것이 바람직하다.The
상기 승강 유닛(30)은 기판 지지장치(S) 또는 바울 조립체(20)를 상하로 승강시키며, 바울 조립체(20) 내에서 바울 조립체(20)와 기판 지지장치(S) 사이의 상대 높이를 변화시킨다. The lifting
그리고, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 기판 지지장치(S)는 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 회전시키는 장치로서, 기판(W)의 하부에서 기판(W)과 대향 배치되며 회전축(800)에 의해 회전 가능하게 배치되는 척 베이스(100), 상기 척 베이스(100)의 상부에 배치되며 상기 기판(W)을 지지하는 척핀(200)을 포함한다.And, as shown in FIGS. 1 to 3, the substrate support device S is a device that rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process. It includes a
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 척 베이스(100)의 중앙에 형성된 중공부(170)에는 백 노즐 어셈블리(300)가 제공되며, 상기 백 노즐 어셈블리(300)는 백 노즐(330a,330b,330c)을 통해 기판(W)의 하면으로 처리액을 분사한다.As shown in FIG. 4 , the
상기 백 노즐 어셈블리(300)는 척 베이스(100)에 형성된 중공부(170)와 회전축(800)의 중공 부분(810) 내에 설치되는 것으로, 노즐 몸체(310), 노즐 샤프트(320), 백 노즐(330a,330b,330c), 노즐 하우징(340), 그리고 퍼지 유닛(P)을 포함한다.The
상기 백 노즐 어셈블리(300)의 노즐 하우징(340)은 회전축(800)에 연결되어 모터(500)가 회전함에 따라 회전이 가능한 반면, 노즐 몸체(310)와 노즐 샤프트(320)는 회전하지 않고 그 자리에 유지된다.The
상기 노즐 하우징(340)은 상기 척 베이스(100)의 중앙에 형성된 중공부(170)에 설치되며 중앙에 설치공(345)이 관통 형성된다.The
상기 노즐 몸체(310)는 노즐 하우징(340)의 설치공(345)을 관통하여 설치되며 그 상부에는 설치벽(318)이 배치되고 하부에는 개방된 중공홈(311)이 형성된다.The
상기 노즐 하우징(340)은 상기 퍼지 유닛(P)을 사이에 두고 노즐 몸체(310)를 둘러싼 상태로 척 베이스(100)에 결합된다.The
상기 노즐 몸체(310)의 상부 설치벽(318)에는 복수의 백 노즐(330a,330b,330c)이 설치되기 위한 복수의 삽입공(319)이 형성된다.A plurality of insertion holes 319 for installing a plurality of
그리고, 상기 노즐 몸체(310)의 하단에는 역시 상하부가 개방되어 설치 중공(321)이 형성된 노즐 샤프트(320)가 결합된다(도 4 참조).Also, a
상기 노즐 샤프트(320)의 설치 중공(321) 부분은 노즐 몸체(310)의 중공홈(311)과 연통한다.The installation hollow 321 portion of the
상기 노즐 샤프트(320)는 회전축(800)의 중공 부분(810)에 삽입되며, 상기 노즐 샤프트(320)와 회전축(800)의 사이에는 베어링(B)이 개재된다.The
상기 베어링(B)의 외륜은 상기 회전축(800)의 내주면에 삽입 고정되고, 노즐 샤프트(320)의 외주면은 베어링(B)의 내륜에 삽입 고정된다.The outer ring of the bearing (B) is inserted into and fixed to the inner circumferential surface of the
상기 회전축(800)은 모터(500)에 의해 회전될 수 있으나 상기 노즐 샤프트(320)는 베어링(B)의 내륜에 삽입 고정되어 회전하지 않는다.The
상기 베어링(B)은 볼 베어링 외에 마그네틱 베어링 등이 채택될 수 있다.The bearing B may be a magnetic bearing in addition to a ball bearing.
결국, 상기와 같은 결합 관계에 의해, 척 베이스(100), 회전축(800), 및 노즐 하우징(340)은 모터(500, 도 2 참조)의 구동에 의해 회전되는 회전부를 구성하며, 노즐 몸체(310), 노즐 샤프트(320), 그리고 백 노즐(330a,330b,330c)은 회전되지 않는 비회전부를 구성한다.After all, by the coupling relationship as described above, the
약액(처리액)을 분사하는 백 노즐(330a,330b,330c)은 노즐 몸체(310)의 중공홈(311)과 노즐 샤프트(320)의 설치 중공(321)까지 연장될 수 있으며, 상기 백 노즐(330a,330b,330c)의 상단은 노즐 몸체(310)의 상부로 돌출되도록 설치될 수 있다.The
한편 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 퍼지 유닛(P)은 환형의 유로(350), 가스 공급통로(360), 그리고 배기통로(370)를 포함한다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, according to the present invention, the purge unit P includes an
환형의 유로(350)는 비회전부에 속하는 노즐 몸체(310)와 회전부에 속하는 노즐 하우징(340)의 사이에 형성된 유격 공간이다.The
그리고, 가스 공급통로(360)는 유로(350)에 질소(N2)와 같은 퍼지 가스를 공급한다.Also, the
퍼지 가스 중 일부는 유로(350)를 통해 백 노즐 스커트(700)와 노즐 몸체(110) 사이에 형성된 통로를 지나 기판(W)의 아래쪽으로 분사되어, 백 노즐(330a,330b,330c)에 의해 분사된 약액이 유로(350)에 다시 유입되는 것을 막고 기판(W) 하면에 분사되어 떨어지는 처리액을 외측으로 몰아낸다.Some of the purge gas passes through the passage formed between the
그리고, 퍼지 가스 중 일부는 베어링(B)에 의해 발생되는 파티클이 포함된 기류가 유로(350)를 통해 기판의 하면으로 분사되는 것을 막는다.In addition, some of the purge gas prevents the air flow containing particles generated by the bearing B from being injected to the lower surface of the substrate through the
상기 배기통로(370)는 파티클 기류의 흐름을 저지하는 퍼지 가스와 흐름이 저지된 파티클 기류를 아래쪽으로 배기한다.The
도시된 바와 같이, 상기 배기통로(370)는 회전축(800)의 내면과 노즐 샤프트(320)의 외면 사이에 형성될 수 있다.As shown, the
상기 환형의 유로(350)는 버퍼부(351), 제1 퍼지 유로(352), 및 제2 퍼지 유로(353)를 포함할 수 있다.The
상기 버퍼부(351)는 링 형상을 가지며 노즐 몸체(310)와 노즐 하우징(340) 사이에 형성된다.The
상기 버퍼부(351)에는 가스 공급통로(360)가 공급하는 퍼지 가스가 충전된다.The
상기 버퍼부(351)에 퍼지 가스가 충전됨에 따라 버퍼부(351)의 내부 압력은 커지게 된다.As the purge gas is filled in the
상기 제1 퍼지 유로(352)는 버퍼부(351)에 충전된 퍼지 가스가 기판(W)의 하면으로 분사되기 위한 유동 경로를 제공한다.The
상기 제1 퍼지 유로(352)는 전체적으로 링 형상을 가지며, 버퍼부(351)의 상부로부터 노즐 몸체(310)와 노즐 하우징(340) 사이의 개방된 상단까지 연장된다.The
상기 제2 퍼지 유로(353)는 전체적으로 링 형상을 가지며 상기 회전축(800)과 노즐 샤프트(320) 사이의 베어링(B)까지 연장된다.The
구체적으로, 상기 제2 퍼지 유로(353)는 상기 버퍼부(351)의 상부로부터 돌출되며 일차로 절곡된 후 아래쪽으로 연장되어 상기 베어링(B)까지 이어지는 구성으로 되어 있다.Specifically, the
이러한 구성에 따라, 상기 베어링(B)에서 발생한 파티클이 상기 제2 퍼지 유로(353)을 통해 상승하는 것이 용이하지 않으며 상기 버퍼부(351)에서 공급되는 퍼지 가스 등에 의한 압력에 의해 파티클이 상승하여 노즐 몸체(310) 위로 유출되는 것이 거의 불가능하므로 기판(W)이 파티클에 의해 손상되는 것을 확실히 차단할 수 있다.According to this configuration, it is not easy for the particles generated in the bearing B to rise through the
더욱이 상기 버퍼부(351)의 내부 압력에 의해 상기 제2 퍼지 유로(353)를 통한 파티클의 상승 유동이 더욱 효과적으로 차단된다.Moreover, the upward flow of particles through the
본 발명에 있어서, 상기 퍼지 유닛(P)을 구성하는 환형의 유로(350), 가스 공급통로(360), 그리고 배기통로(370)는 전술한 구조 외의 다양한 구성으로 이루어질 수 있다.In the present invention, the
한편, 도 4에 도시한 바와 같이, 약액(처리액)을 분사하는 백 노즐(330a,330b,330c)은 세정을 위한 케미컬 약액을 공급하기 위한 세정용 백 노즐(330a), 린스(헹굼)를 위해 초순수(DIW) 등의 린스액을 분사하기 위한 린스용 백 노즐(330b), 및 이소프로필 알코올(IPA) 가스를 공급하기 위한 건조용 백 노즐(330c)을 포함할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 4, the
또한, 상기 복수의 백 노즐(330a,330b,330c)은 노즐 몸체(310)와 노즐 샤프트(320)를 상하로 관통하여 중공홈(311)과 설치 중공(321)을 각각 지나 연장되도록 구성되며, 상기 백 노즐(330a,330b,330c)의 상단은 노즐 몸체(310)의 상부에 설치된 노즐 스커트(700)를 상하로 관통하여 설치된다.In addition, the plurality of
상기 노즐 스커트(700)는 상기 노즐 몸체(310)의 상부에 설치되되, 상기 상기 제1 퍼지 유로(352)로부터 배출되는 퍼지 가스가 수평으로 안내되도록 가장자리 부분에서 바닥면이 노즐 몸체(310)의 상면과 이격되어 틈(777)이 형성되어 있다.The
상기 노즐 스커트(700)는 백 노즐(330a,330b,330c)을 상부에서 지지하도록 하는 것과 함께 회전부의 상면에 잔류하는 처리액이나 세정액이 회전부와 비회전부 사이에 유입되는 것을 방지하고 외측으로 밀어내어 제거함으로써, 처리액 등이 노즐 하우징(340) 등에 잔류하는 경우 건조과정에서 증발하면서 기판(W)의 하면에 얼룩 등 손상을 야기하는 것을 방지할 수 있다.The
도 5 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 상기 백 노즐 스커트(700)에는, 백 노즐(330a,330b,330c)이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공(710a,710b,710c), 바닥면에서 상기 백 노즐 어셈블리(300)에 형성된 환형의 유로(350)의 상단과 대향되게 형성되는 환형의 도입홈(720), 바닥면에서 상기 환형의 도입홈(720)으로부터 백 노즐 스커트(700)의 중앙을 향해 연장되는 연결홈(730), 바닥면에서 상기 연결홈(730)에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈(740), 및 상기 임시 수용홈(740)의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트(700)의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공(750)이 형성된다.5 to 9, according to the present invention, the
이러한 구성에 따라, 상기 환형의 유로(350)로부터 배출되는 퍼지 가스가 상기 환형의 도입홈(720), 연결홈(730), 임시 수용홈(740) 및 분사공(750)을 통해 백 노즐 스커트(700)의 상면 위에 분사되어 백 노즐 스커트(700)의 상면에 잔류한 처리액 등을 확실하게 외측으로 밀어낼 수 있게 된다.According to this configuration, the purge gas discharged from the
또한, 평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공(750)을 상기 회전축(800)의 회전방향을 따라 이격되게 형성되는 복수개로 구성하여 상기 백 노즐 스커트(700)의 둘레방향을 따라 균일하게 퍼지 가스를 공급함으로써 백 노즐 스커트(700) 상면의 처리액 제거가 한층 신속하게 이루어질 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In addition, when viewed from a plan view, a plurality of
또한, 측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공(750)의 출구(751)는 상기 회전축(800)에 대하여 경사지게 형성되어 상기 백 노즐 스커트(700) 상면에 대한 퍼지 가스의 접근이 한층 용이하도록 하는 것이 바람직하다.In addition, when viewed from the side cross-section, the
이에 따라, 상기 분사공(750)의 수직 단면형상이 상기 백 노즐 스커트(700)를 평면도에서 바라보게 되면 상기 분사공(750)의 출구는 타원 형상을 이루게 된다.Accordingly, when the vertical cross-sectional shape of the
특히, 상기 분사공(750)은 입구(752)로부터 상기 회전축(800)과 나란한 방향으로 연장되다 출구(751)까지 경사지게 형성되어 제조를 한층 용이하게 할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In particular, it is preferable that the
또한, 저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트(700)는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈(720)은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈(730)은 상기 환형의 도입홈(720)으로부터 백 노즐 스커트(700)의 중앙을 향해 방사상으로 형성되어 퍼지 가스의 이동 경로를 최소화함으로써 환형의 도입홈(720)으로부터 퍼지 가스를 신속하게 분사공(750)을 통해 분사하는 것이 바람직하다.Also, when viewed from a bottom view, the
또한 이 경우, 저면도에서 바라볼 때, 상기 연결홈(730)은 원주방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되어 한층 균일하고 신속하게 분사할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In addition, in this case, when viewed from the bottom view, it is preferable that the
한편, 저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트(700)의 중앙에는 노즐 지지공(710c)이 형성되며, 상기 분사공(750)은 상기 중앙의 노즐 지지공(710c)의 둘레에 형성되어 퍼지 가스의 균일한 분사가 이루어지도록 할 수 있다.Meanwhile, when viewed from a bottom view, a
이때, 상기 복수의 분사공(750)의 출구(751) 중심은 각각 백 노즐 스커트(700)의 중앙에 대하여 하나의 동심원 상에 배치되는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the centers of the
특히, 상기 백 노즐 스커트(700)의 원형의 외곽 형상, 원형의 환형 도입홈(720) 및 복수의 분사공(750)이 배열된 원형은 동심원으로 이루어지는 것이 바람직하다.In particular, it is preferable that the circular outer shape of the
또한, 평면도에서 바라볼 때, 중앙으로부터 중앙의 노즐 지지공(710c)을 제외한 다른 노즐 지지공(710a,710b)의 중심까지의 길이는 중앙으로부터 분사공(750)의 중심까지의 길이보다 길게 형성되어 백 노즐 스커트(700)에 백 노즐(330a,330b,330c), 기판 감지 센서(780), 및 후술하는 체결수단(760) 등의 설치구조가 콤팩트하게 되어 그 크기를 크게 줄일 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In addition, when viewed from a plan view, the length from the center to the center of the
한편, 상기 백 노즐 스커트(700)에는 상기 기판 감지 센서(780)가 관통 설치되기 위한 센서 지지공(790)이 형성될 수 있으며, 백 노즐 스커트(700)의 중앙으로부터 센서 지지공(790)의 중심까지의 길이는 중앙으로부터 분사공(750)의 중심까지의 길이보다 길게 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, a
상기 백 노즐 스커트(700)와 백 노즐 어셈블리(300)의 노즐 몸체(310)는 접시머리 볼트와 같은 체결수단(760)에 의해 결합될 수 있으며, 이 경우 상기 백 노즐 스커ㅌ트(700)에는 상기 체결수단(760)이 관통하는 체결공(770)이 형성된다.The
본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위 내에서 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.The embodiments of the present invention are merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible within the scope of the claims below.
10... 유체 공급 유닛
20... 바울 조립체
30... 승강 유닛
100... 척 베이스
170... 중공부
200... 척핀
300... 백 노즐 어셈블리
310... 노즐 몸체
311... 중공홈
318... 설치벽
319... 삽입공
320... 노즐 샤프트
321... 설치 중공
330a,330b,330c... 백 노즐
340... 노즐 하우징
345... 설치공
350... 환형의 유로
351... 버퍼부
352... 제1 퍼지 유로
353... 제2 퍼지 유로
360... 가스 공급통로
370... 배기통로
700... 노즐 스커트
710a,710b,710c... 노즐 지지공
720... 환형의 도입홈
730... 연결홈
740... 임시 수용홈
750... 분사공
751... 분사공의 출구
752... 분사공의 입구
760... 체결수단
780... 기판 감지 센서
790... 센서 지지공
500... 모터
800... 회전축
810... 회전축의 중공 부분
1000... 기판 처리장치
B... 베어링
P... 퍼지 유닛
S... 기판 지지장치
W... 기판10... fluid supply unit
20... baul assembly
30... elevating unit
100... chuck base
170... hollow part
200... chuck pin
300... bag nozzle assembly
310... nozzle body
311... hollow groove
318... mounting wall
319... insert hole
320... nozzle shaft
321... installation hollow
330a, 330b, 330c... bag nozzle
340... nozzle housing
345... Installer
350... annular euro
351... buffer unit
352... first purge flow path
353... second purge flow
360 ... gas supply passage
370... Exhaust passage
700... nozzle skirt
710a, 710b, 710c... nozzle support hole
720... annular inlet
730... connecting groove
740... Temporary accommodation home
750... blower
751... outlet of blast hole
752... mouth of blast hole
760... fastening means
780... board detection sensor
790... sensor support hole
500... motor
800... axis of rotation
810... hollow part of the rotary shaft
1000... substrate processing device
B... bearing
P... purge unit
S... board support
W... Substrate
Claims (9)
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 유체 공급 유닛;
상기 척 베이스의 중앙에 형성된 중공부를 통해 설치되어 기판의 하면에 처리액을 분사하기 위한 것으로, 백 노즐, 상기 백 노즐이 설치되는 노즐 몸체, 평면도에서 바라볼 때 상기 노즐 몸체의 외측에 설치되는 노즐 하우징, 및 상기 노즐 몸체와 노즐 하우징 사이에 형성되며 상단이 개방된 환형의 유로를 포함하는 백 노즐 어셈블리; 및
상기 백 노즐 어셈블리의 상부에 설치되되 가장자리 부분에서 바닥면이 상기 백 노즐 어셈블리와 이격되게 배치되는 백 노즐 스커트;
를 포함하며,
상기 백 노즐 스커트에는,
상기 백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공;
바닥면에서 상기 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로의 상단과 대향되게 형성되는 환형의 도입홈;
바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈;
바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈; 및
상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공;
이 형성되며,
평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공은 상기 회전축의 회전방향을 따라 복수개가 이격되게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.A substrate support device including a chuck base rotatably installed by a rotating shaft;
a fluid supply unit supplying a treatment liquid to the upper surface of the substrate;
It is installed through the hollow formed in the center of the chuck base to spray the treatment liquid on the lower surface of the substrate, and includes a bag nozzle, a nozzle body in which the bag nozzle is installed, and a nozzle installed outside the nozzle body when viewed from a plan view. a bag nozzle assembly including a housing and an annular flow path formed between the nozzle body and the nozzle housing and having an open top; and
a bag nozzle skirt installed on the upper part of the bag nozzle assembly and having a bottom surface spaced apart from the bag nozzle assembly at an edge portion;
Including,
In the back nozzle skirt,
a nozzle support hole through which the bag nozzle vertically passes;
an annular introduction groove formed on a bottom surface to face an upper end of the annular passage formed in the bag nozzle assembly;
a connection groove extending from the annular introduction groove toward the center of the bag nozzle skirt on the bottom surface;
a temporary receiving groove communicating with the connecting groove on a bottom surface and formed in a central region; and
a spray hole located at the bottom of the temporary receiving groove and penetrating to the upper surface of the bag nozzle skirt;
is formed,
When viewed from a plan view, the substrate processing apparatus including a bag nozzle skirt, characterized in that a plurality of spray holes are formed spaced apart from each other along the rotational direction of the rotation shaft.
측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공의 출구는 상기 회전축에 대하여 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.According to claim 1,
When viewed from a side cross-section, the outlet of the injection hole is formed inclined with respect to the rotation shaft.
상기 분사공은 입구로부터 상기 회전축과 나란한 방향으로 연장되다 출구까지 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.According to claim 3,
The spray hole extends in a direction parallel to the rotating shaft from the inlet and is inclined to the outlet.
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈은 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.According to claim 1 or 3 or 4,
When viewed from a bottom view, the bag nozzle skirt has a circular outer shape, the annular introduction groove is formed in a circular shape, and the connection groove is radially formed from the annular introduction groove toward the center of the bag nozzle skirt. A substrate processing apparatus comprising a back nozzle skirt, characterized in that.
저면도에서 바라볼 때, 상기 연결홈은 원주방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.According to claim 5,
When viewed from a bottom view, the substrate processing apparatus including a bag nozzle skirt, characterized in that the connecting groove is composed of a plurality formed along the circumferential direction.
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트의 중앙에는 노즐 지지공이 형성되며, 상기 분사공은 상기 노즐 지지공의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.According to claim 6,
When viewed from a bottom view, a nozzle support hole is formed at the center of the back nozzle skirt, and the injection hole is formed around the nozzle support hole.
평면도에서 바라볼 때, 중앙으로부터 중앙의 노즐 지지공을 제외한 다른 노즐 지지공의 중심까지의 길이는 중앙 영역으로부터 분사공의 중심까지의 길이보다 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.According to claim 6,
When viewed from a plan view, a substrate including a back nozzle skirt characterized in that the length from the center to the center of other nozzle support holes other than the central nozzle support hole is formed longer than the length from the center area to the center of the injection hole. processing device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210111360A KR102551594B1 (en) | 2021-08-24 | 2021-08-24 | Substrate treating apparatus including back nozzle skirt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210111360A KR102551594B1 (en) | 2021-08-24 | 2021-08-24 | Substrate treating apparatus including back nozzle skirt |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230029175A KR20230029175A (en) | 2023-03-03 |
KR102551594B1 true KR102551594B1 (en) | 2023-07-06 |
Family
ID=85510441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210111360A KR102551594B1 (en) | 2021-08-24 | 2021-08-24 | Substrate treating apparatus including back nozzle skirt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102551594B1 (en) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080062221A (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 세메스 주식회사 | Substrate treatment apparatus |
KR101045058B1 (en) | 2009-11-26 | 2011-06-29 | 세메스 주식회사 | Back nozzle assembly and substrate treating apparatus using the same |
-
2021
- 2021-08-24 KR KR1020210111360A patent/KR102551594B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230029175A (en) | 2023-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7802579B2 (en) | Apparatus and method for treating substrates | |
KR100855129B1 (en) | Single peace type substrate cleaning method | |
US8122899B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
US7412981B2 (en) | Liquid processing apparatus and method | |
CN112736019B (en) | Device for improving cleanliness of back of single wafer | |
KR102551596B1 (en) | Substrate treating apparatus including back nozzle assembly | |
KR100695228B1 (en) | Apparatus and method for treating a substrate | |
KR102551594B1 (en) | Substrate treating apparatus including back nozzle skirt | |
KR102580654B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20090070663A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR100797080B1 (en) | A method and apparatus for cleaning substrates | |
JP4579354B2 (en) | Spin processing equipment | |
KR100811824B1 (en) | Apparatus for cleaning substrates | |
KR100749547B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR100784789B1 (en) | Apparatus and method for treating substrates | |
KR100745482B1 (en) | Apparatus for treating backside of substrate | |
KR100831989B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR20070034807A (en) | Semiconductor Wafer Drying Apparatus and Drying Method | |
KR102406089B1 (en) | Apparatus for removing a particle on back nozzle | |
KR100771096B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR20190137217A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100732520B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR100749548B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR101004433B1 (en) | Nozzle assembly and substrate treating apparatus using the same | |
JP2003045840A (en) | Spin processing apparatus and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |