KR20070028705A - 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치 - Google Patents

고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치는 상부 하우징과 하부 하우징이 구비된 공정챔버, 상기 공정챔버 내에 위치하고 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 척, 및 상기 하부 하우징의 상부에 위치하는 가스링을 포함한다. 복수의 가스라인이 상기 상부 하우징의 외부면과 접촉하여 위치하고, 상기 가스링과 상기 가스라인에 복수의 가스노즐이 각각 연결된다. 상기 상부 하우징은 돔 형태를 갖는다. 본 발명에 의하면,웨이퍼 상의 전영역에 대하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 따라서, 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치의 갭필 성능이 향상된다.
유도결합형 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치, 공정챔버, 유도코일, 전극

Description

고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치{APPARATUS FOR HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
도 1은 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면,
도 2는 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
♧ 도면의 주요부분에 대한 참조부호의 설명 ♧
100 : 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치 110 : 공정챔버
112 : 상부 하우징 114 : 하부 하우징
122 : 제1 가스링 124 : 제2 가스링
126 : 가스라인 130 : 웨이퍼 척
142 : 유도코일 144 : 전극
152 : 제1 가스노즐 154 : 제2 가스노즐
156 : 제3 가스노즐 P : 플라즈마
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고밀도 플라즈마 화학 증착 장치에 관한 것이다.
현대 반도체 장치의 제조에서 중요한 단계 중 하나는 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 것이다. 박막을 형성하는 여러 공정 중에서 가스의 화학 반응에 의해 박막을 형성하는 공정이 화학기상증착(CVD:chemical vapor deposition)이다. CVD 공정은 가스의 분해 및 화학반응을 유도하는 에너지원에 따라 열적(thermal) CVD 공정과 플라즈마 CVD 공정 등으로 구분할 수 있다.
열적 CVD 공정은 기판 표면에 반응 가스를 공급하며 기판 표면에서 열유도 화학반응이 일어나 박막을 형성한다. 반면, 플라즈마 CVD(PECVD:plasma enhanced CVD) 기술은 반응 영역에 고주파(RF:radio frequency) 에너지를 가함으로써 가스의 여기 및/또는 해리를 촉진시켜 플라즈마를 형성한다. 플라즈마 내에 있는 종(species)의 높은 반응성으로 인해 화학반응이 일어나는데 필요한 에너지를 감소시킬 수 있어, 플라즈마 CVD 공정은 열적 CVD 공정보다 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 플라즈마 CVD 공정은 금속 위에 Si3N4나 SiO2 등의 박막을 얻고자 할 때 사용되어진다. 또한, 증착률이 열에 의한 방법보다 높을 뿐만 아니라, 좋은 접착도, 적은 핀홀 밀도, 좋은 단차 피복성(step coverage) 등의 특성이 있어 초대규모 집적회로(VSLI:very large scale integration)의 박막 제조에 많이 사용된다. 이러한 장점은 조밀한 플라즈마가 저압 진공 상태에서 형성됨으로써 훨씬 큰 반응성을 나타내는 고밀도 플라즈마(HDP:high density plasma) CVD에 의해 더욱 발전될 수 있다.
이러한 고밀도 플라즈마 화학기상증착(HDP-CVD) 공정에 의해 형성된 박막의 중요한 물리적 특성은 인접한 구조물 사이의 갭을 공극을 남기지 않고 완전히 충진시키는 것이다. 따라서, 일반적으로 HDP-CVD 공정은 고밀도 플라즈마를 이용하여 웨이퍼의 트렌치를 갭필(gapfill)하는 공정을 말한다. 한편, 최근의 반도체 공정용 플라즈마 장비 개발의 주안점은 수율의 향상을 위한 공정 범위의 대면적화에 대한 부응과 고집적화 공정에 대한 수행능력에 있다. 즉, 비용 절감 및 생산성 향상을 위하여 반도체 장치용 웨이퍼(wafer)나 평판 표시 장치용 기판의 크기가 300mm이상으로 대형화되는 경향을 보이며, 이와 같은 공정 범위의 대면적화에 부응하여 공정의 균일도 향상과 고밀도 플라즈마의 발생을 통한 고집적화 공정 수행능력 확보는 플라즈마 장비 개발에서 우선적으로 이루어져야 할 요건이다. 이에 부응하여, 유도결합형 플라즈마(ICP:inductively coupled plasma) 화학기상증착 장치는 높은 밀도의 플라즈마를 쉽게 발생시킬 수 있는 장점이 있고, 또한 장비의 구조가 간단해서 520mm의 대면적 웨이퍼를 위한 차세대 장비로 각광을 받고 있다.
도 1은 종래의 유도결합형 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유도결합형 HDP-CVD 장치(10)는 공정챔버(20)와 가스링(30)을 포함한다. 공정챔버(20)는 상부 하우징(22)과 하부 하우징(24)으로 구성된다. 공정챔버(20) 내의 하부에는 웨이퍼(W)가 놓이는 웨이퍼 척(40)이 배치되고, 웨이퍼 척(40) 위에는 전극(54)이 위치한다. 상부 하우징(22)의 외부면을 따 라 유도코일(52)이 배치된다. 가스링(30)에 연결된 가스노즐(60)이 공정챔버(20) 내에 반응가스를 공급한다. 유도코일(52)에 의해 형성된 유도 전기장과 전극(35)은 플라즈마(P)를 발생시킨다.
종래의 유도결합형 HDP-CVD 장치(10)는 공정챔버(20)에 반응가스 및 불활성 가스를 공급하는 가스노즐(60)이 공정챔버(20) 측면에만 배치되기 때문에 플라즈마(P)의 밀도는 웨이퍼(W)의 중심부에서 높고, 웨이퍼(W)의 가장자리에는 낮다. 이렇게 플라즈마(P)의 밀도가 웨이퍼(W)의 위치에 따라 불균일하면 공정조건도 불균일하게 되기 때문에 제조된 반도체 웨이퍼의 수율에 나쁜 영향을 미친다. 예컨데,웨이퍼(W)의 트렌치가 불균일하게 갭필이 되기 때문에 장치의 갭필 성능이 저하된다.
본 발명은 이상에서 언급한 상황을 고려하여 제안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 밀도의 균일도가 향상된 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 제공하는 것이다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치는 상부 하우징과 하부 하우징이 구비된 공정챔버, 상기 공정챔버 내에 위치하고 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 척, 및 상기 하부 하우징의 상부에 위치하는 가스링을 포함한다. 복수의 가스라인이 상기 상부 하우징의 외부면과 접촉하여 위치하고, 상기 가스링과 상기 가스라인에 복수의 가스노즐이 각각 연결된다. 상기 상부 하우징은 돔 형태를 갖는다.
상기 복수의 가스라인 중 적어도 하나는 링 형태일 수 있다.
상기 복수의 가스노즐은 상기 웨이퍼 상의 동일 지점을 향할 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 상의 전영역에 대하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
본 명세서의 실시예에서 제1, 제2 등의 용어들은 단지 어느 소정의 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었으므로, 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다.
도면들에 있어서, 구성요소들의 크기 등은 명확성을 기하기 위하여 과장되게 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조부호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 유도결합형 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 유도결합형 HDP-CVD 장치(100)는 상부 하우징(112)과 하부 하우징(114)이 구비된 공정챔버(110)를 포함한다. 상부 하우징(112)은 돔 형태를 갖는다. 공정챔버(110) 내의 하부에 웨이퍼(W)가 놓이는 웨이퍼 척(130)이 위치한다. 웨이퍼 척(130) 위에 전극(144)이 위치할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 전극(144)이 웨이퍼 척(130) 위에 위치하지만, 웨이퍼 척(130) 안에 위치할 수 있다.
하부 하우징(114) 상부면에 제1 가스링(122)이 위치한다. 제2 가스링(124)이 상부 하우징(112) 외부면에 접촉하여 위치한다. 가스라인(126)이 상부 하우징(112) 중앙에 위치한다. 제1 가스링(122)에는 복수의 제1 가스노즐(152)이 연결되고, 제2 가스링(124)에는 복수의 제2 가스노즐(154)이 연결되고, 가스라인(126)에는 제3 가스노즐(156)이 연결된다. 제2 가스링(124)과 가스라인(126)은 상부 하우징(112) 외부면에 위치하기 때문에 제2 가스노즐(154)과 제3 가스노즐(156)은 상부 하우징(112)을 관통하여 각각 제2 가스링(124)과 가스라인(126)에 연결된다.
이러한 구성을 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 유도결합형 HDP-CVD 장치는 초기에 공정챔버(110) 내부가 진공배기된 다음, 플라즈마(P)를 발생시키기 위한 반응가스 및 불활성가스가 주입되어 적절한 압력으로 유지된다. 이어서 유도코일(142)은 고주파 전원(미도시)으로부터 제공되는 고주파 전력에 따라 공정챔버(110) 내부에 유도전기장을 형성하게 되고, 이러한 유도전기장에 의해 플라즈마가 발생하 게 된다. 이때 별도의 고주파 전원(미도시)으로부터 전극(144)에 전력을 인가하면 웨이퍼(W)에 입사하는 이온의 에너지를 제어하는 것도 가능하게 된다. 이때 고주파 전원과 유도코일(142) 사이 또는 고주파 전원과 전극(144) 사이에는 통상적으로 임피던스 정합을 위한 임피던스 정합 회로(미도시)가 얻어진다.
본 발명의 일 실시예에서는 공정챔버(110)에 반응가스를 공급하는 가스노즐(152,154,156)이 공정챔버(110) 측면뿐만 아니라 상부 하우징(112)에도 배치되기 때문에 플라즈마(P)를 생성하기 위한 반응가스가 공정챔버(110) 내에 균일하게 공급된다. 이렇게 균일하게 공급된 반응가스에 의해 생성된 플라즈마(P)도 웨이퍼(W) 상에 균일하게 형성된다. 종래의 유도결합형 HDP-CVD 장치에서는 플라즈마 영역이 작을 뿐만 아니라 웨이퍼 중앙부에서 가장자리로 갈수록 플라즈마 밀도가 감소하여, 웨이퍼 전영역에 있어서 트렌치가 균일하게 갭필되지 못하였다(도 1 참조). 그러나, 본 발명에 따른 유도결합형 HDP-CVD 장치(100)에서는 공정챔버(110) 내 플라즈마(P) 영역이 크게 형성될 뿐만 아니라 웨이퍼(W)의 중앙부와 가장자리에서 모두 플라즈마(P)가 균일하게 형성된다. 따라서, 장치(100)의 갭필 성능이 향상된다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 상기 실시예에서는 유도결합형 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치에 관하여 설명하였으나, 이에 한정하여서는 안 되며 다른 형태로도 가능하다. 또한, 제2 가스링 및 가스라인도 여러 가지 형태로 변형될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 공정챔버의 상부 하우징에 배치된 가스노즐에 의해 반응가스가 웨이퍼에 대하여 거의 전방향에서 공급되기 때문에 웨이퍼 상의 전영역에 대하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
균일한 고밀도 플라즈마에 의해 화학기상증착 장치의 갭필 성능이 향상된다.
웨이퍼의 트렌치가 균일하게 갭필되고, 웨이퍼 전영역에서 박막이 균일하게 형성되는 등 반도체 장치의 품질이 균일해진다. 또한, 제품의 불량률이 감소하여 수율이 증가한다.

Claims (3)

  1. 상부 하우징과 하부 하우징이 구비된 공정챔버;
    상기 공정챔버 내에 위치하고, 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 척;
    상기 하부 하우징의 상부에 위치하는 가스링;
    상기 상부 하우징의 외부면과 접촉하여 위치하는 복수의 가스라인; 및
    상기 가스링과 상기 가스라인에 각각 연결된 복수의 가스노즐을 포함하되,
    상기 상부 하우징은 돔 형태인 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가스라인 중 적어도 하나는 링 형태인 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가스노즐은 상기 웨이퍼 상의 동일 지점을 향하는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101508314B1 (ko) * 2008-12-29 2015-04-06 주식회사 케이씨텍 플라즈마 처리장치

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