KR20070012919A - Cmos 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 기판 내에 형성되어 활성영역을 정의하는 소자분리막;상기 활성영역 내에 형성된 포토다이오드;상기 포토다이오드와 이격되는 위치의 기판 내에 형성된 플로팅디퓨젼영역;상기 포토다이오드와 상기 플로팅디퓨젼영역의 일단에 각각 오버랩되어 형성된 제1 및 제2 게이트;상기 제1 및 제2 게이트 사이에 위치하며, 상기 소자분리막 상부 및 플로팅디퓨젼영역의 일부와 오버랩되어 형성된 제3 게이트;상기 제3 게이트가 형성된 결과물 상에 형성된 절연막; 및상기 절연막과 상기 제3 게이트를 관통하여 상기 제3 게이트와 상기 제3 게이트 하부에 위치하는 플로팅디퓨젼영역을 연결하도록 순차 적층된 제1 콘택 및 제2 콘택으로 이루어진 베리드 콘택;을 포함하는 CMOS 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 게이트와 제2 게이트 및 제3 게이트는 게이트 유전막 및 게이트 전극이 순차 적층되어 있는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제2항에 있어서,상기 게이트 전극은 폴리실리콘막 및 금속막이 순차 적층되어 있는 다층 구 조를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 게이트와 제2 게이트 및 제3 게이트는 그 측벽에 스페이서를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 제2 콘택의 지름은 상기 제1 콘택의 지름보다 크거나 동일한 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 베리드 콘택은, 상기 제1 콘택이 상기 제2 콘택과 전부 오버랩되거나 일부분 오버랩되어 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제6항에 있어서,상기 제1 콘택이 제2 콘택과 일부분 오버랩되는 경우에는 전자의 이동 방향으로 오버랩된 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 제8항에 있어서,상기 반도체층은 고농도인 P++층 및 P-Epi층이 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서.
- 기판에 활성영역을 정의하는 소자분리막을 형성하는 단계;상기 활성영역에 해당하는 기판 내에 포토다이오드 및 이와 이격된 위치에 플로팅디퓨젼영역을 형성하는 단계;상기 포토다이오드와 상기 플로팅디퓨젼영역의 일단에 각각 오버랩되도록 제1 및 제2 게이트를 형성하는 동시에 상기 제1 및 제2 게이트 사이에 위치하며, 상기 소자분리막 상부 및 플로팅디퓨젼영역의 일부와 오버랩되도록 제3 게이트를 형성하는 단계;상기 제3 게이트를 일부분 식각하여 플로팅디퓨젼영역의 상부 표면을 드러내는 제1 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제1 콘택홀이 형성된 결과물 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 콘택홀과 대응하는 부분에 위치하는 절연막을 식각하여 제1 콘택홀을 통해 플로팅디퓨젼영역의 상부 표면을 드러내는 제2 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 제1 콘택홀 및 제2 콘택홀을 금속으로 매립하여 베리드 콘택을 형성하는 단계;를 포함하는 CMOS 이미지센서의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1 콘택홀을 형성하는 단계 이전에 상기 제1 게이트와 제2 게이트 및 제3 게이트의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1 콘택홀을 형성하는 단계 이후에 상기 제1 게이트와 제2 게이트 및 제3 게이트의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 기판은 반도체층을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 반도체층은 고농도인 P++층 및 P-Epi층을 순차 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제3 게이트를 일부분 식각하여 플로팅디퓨젼영역의 상부 표면을 드러내는 제1 콘택홀을 형성하는 단계 이후에 상기 드러난 플로팅디퓨젼영역에 불순물 이온주입 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 제조방법.
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