KR20070012582A - 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 장치 및 그 방법 - Google Patents
비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 장치 및 그 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (16)
- 집적회로 카드에 있어서,다수의 비휘발성 메모리 셀들을 구비하며, 대응되는 데이터를 저장하기 위한 비휘발성 메모리 영역; 및상기 집적회로 카드가 리셋에 의하여 초기화될 때마다 상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들의 동작 특성을 검출하고 그 검출 결과에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 셀들로 대응되는 제1데이터를 기입하기 위한 기입전압과 상기 비휘발성 메모리 셀들로부터 대응되는 제2데이터를 독출하기 위한 독출전압 중에서 적어도 하나를 유지하거나 또는 증가시키기 위한 내구력 개선 회로를 구비하는 집적회로 카드.
- 제1항에 있어서, 상기 내구력 개선 회로는,기입전압 제어신호에 응답하여 상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들로 상기 제1데이터를 기입하기 위한 기입전압 및/또는 독출전압 제어신호에 응답하여 상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들로부터 상기 제2데이터를 독출하기 위한 독출전압을 발생하는 전압 발생회로; 및상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들의 동작 특성을 검출하고 그 검출 결과에 기초하여 상기 기입전압 제어신호 및/또는 상기 독출전압 제어신호를 출력하는 전압제어회로를 구비하는 집적회로 카드.
- 제2항에 있어서, 상기 전압 발생회로는,다수의 전압들을 발생하고, 상기 기입전압 제어신호에 기초하여 상기 다수의 전압들 중에서 대응되는 전압을 상기 기입전압으로서 출력하는 기입전압 펌프; 및다수의 전압들을 발생하고, 상기 독출전압 제어신호에 기초하여 상기 다수의 전압들 중에서 대응되는 전압을 상기 독출전압으로서 출력하는 독출전압 펌프를 구비하는 집적회로 카드.
- 제3항에 있어서, 상기 전압제어회로는,상기 기입전압에 대한 정보와 상기 독출 전압에 대한 정보를 저장하는 기입/독출 전압 정보 저장영역;제1비휘발성 메모리의 특성을 나타내는 제1정보를 저장하는 제1정보 저장영역;상기 집적회로 카드가 초기화될 때마다 상기 제1정보가 기입되는 제2비휘발성 메모리를 구비하는 내구력 정보 저장 영역; 및상기 기입전압에 대한 정보 및/또는 상기 독출 전압에 대한 정보에 기초하여 상기 기입전압 제어신호 및/또는 상기 독출전압 제어신호를 발생하는 컨트롤러를 구비하며,상기 컨트롤러는 상기 독출 전압에 응답하여 독출된 상기 제1저장영역에 저장된 제1정보에 기초한 특성과 상기 내구력 정보 저장영역에 저장된 제1정보에 기초한 특성을 비교하고, 비교결과에 기초하여 상기 기입전압에 대한 정보와 상기 독 출 전압에 대한 정보 중에서 적어도 하나를 유지하거나 갱신하는 집적회로 카드.
- 제3항에 있어서, 상기 전압제어회로는,상기 기입전압에 대한 정보와 상기 독출 전압에 대한 정보를 저장하는 기입/독출 전압 정보 저장영역;제1비휘발성 메모리의 특성을 나타내는 제1정보를 저장하고, 상기 기입전압에 대한 정보 및/또는 상기 독출 전압에 대한 정보에 기초하여 상기 기입전압 제어신호 및/또는 상기 독출전압 제어신호를 발생하는 컨트롤러; 및상기 집적회로 카드가 초기화될 때마다 상기 제1정보가 기입되는 제2비휘발성 메모리를 구비하는 내구력 정보 저장 영역을 구비하며,상기 컨트롤러는 상기 제1비휘발성 메모리의 특성을 나타내는 제1정보에 기초한 특성과 상기 독출 전압에 응답하여 독출된 상기 내구력 정보 저장영역에 저장된 제1정보에 기초한 특성을 비교하고, 비교결과에 기초하여 상기 기입전압에 대한 정보와 상기 독출 전압에 대한 정보 중에서 적어도 하나를 유지하거나 갱신하는 집적회로 카드.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제1정보에 기초한 특성은 독출 시간 또는 독출 속도인 집적회로 카드.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 기입전압에 대한 정보가 갱신되는 회수 및/또는 상기 독출 전압에 대한 정보가 갱신되는 회수를 제한할 수 있는 집적회로 카드.
- 집적회로 카드에 있어서,다수의 비휘발성 메모리 셀들을 구비하며, 대응되는 데이터를 저장하기 위한 비휘발성 메모리 영역; 및상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들의 최초 상태를 나타내는 제1정보와 상기 집적회로 카드가 리셋에 의하여 초기화될 때마다 상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들의 상태를 나타내는 제2정보를 수신하고, 비교하고, 비교결과에 기초하여 상기 비휘발성 메모리 영역으로 공급되는 기입전압과 독출전압 중에서 적어도 하나를 유지하거나 또는 증가시키는 내구력 개선 회로를 구비하는 집적회로 카드.
- 제8항에 있어서, 상기 내구력 개선 회로는,기입전압 제어신호에 응답하여 상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들로 제1데이터를 기입하기 위한 기입전압 및/또는 독출전압 제어신호에 응답하여 상기 다수의 비휘발성 메모리 셀들로부터 제2데이터를 독출하기 위한 독출전압을 발생하는 전압 발생회로; 및상기 제1정보와 상기 제2정보를 비교하고, 그 비교결과에 기초하여 상기 기입전압 제어신호 및/또는 상기 독출전압 제어신호를 발생하는 전압제어회로를 구비하는 집적회로 카드.
- 제9항에 있어서, 상기 전압제어회로는,기입전압에 대한 정보와 독출 전압에 대한 정보를 저장하는 기입/독출 전압 정보 저장영역;상기 제1정보를 저장하는 제1정보 저장영역;상기 제2정보를 저장하는 내구력 정보 저장 영역; 및상기 기입전압에 대한 정보 및/또는 상기 독출 전압에 대한 정보에 기초하여 상기 기입전압 제어신호 및/또는 상기 독출전압 제어신호를 발생하는 컨트롤러를 구비하며,상기 컨트롤러는 상기 독출 전압에 응답하여 독출된 상기 제1정보에 기초한 특성과 상기 제2정보에 기초한 특성을 비교하고, 비교결과에 기초하여 상기 기입전압에 대한 정보와 상기 독출 전압에 대한 정보 중에서 적어도 하나를 유지하거나 갱신하는 집적회로 카드.
- 제9항에 있어서, 상기 전압제어회로는,기입전압에 대한 정보와 독출 전압에 대한 정보를 저장하는 기입/독출 전압 정보 저장영역;상기 제1정보를 저장하고, 상기 기입전압에 대한 정보 및/또는 상기 독출 전압에 대한 정보에 기초하여 상기 기입전압 제어신호 및/또는 상기 독출전압 제어신호를 발생하는 컨트롤러; 및상기 제2정보를 저장하는 내구력 정보 저장 영역을 구비하며,상기 컨트롤러는 상기 독출전압에 기초하여 독출된 상기 제1정보에 기초한 특성과 상기 제2정보에 기초한 특성을 비교하고, 비교결과에 기초하여 상기 기입전압에 대한 정보와 상기 독출 전압에 대한 정보 중에서 적어도 하나를 유지하거나 갱신하는 집적회로 카드.
- 반도체 장치에 있어서,다수의 비휘발성 메모리 셀들을 구비하며, 대응되는 데이터를 저장하기 위한 정규 비휘발성 메모리 영역;외부의 컨트롤러로부터 입력되는 기입전압에 대한 정보와 독출 전압에 대한 정보를 저장하는 기입/독출 전압 정보 저장영역;제1비휘발성 메모리의 특성을 나타내는 제1정보를 저장하는 제1정보 저장영역;상기 컨트롤러의 제어하에 상기 반도체 장치가 초기화될 때마다 상기 제1정보가 기입되는 제2비휘발성 메모리를 구비하는 내구력 정보 저장 영역;다수의 전압들을 발생하고, 상기 컨트롤러로부터 입력되는 기입전압 제어신호에 기초하여 상기 다수의 전압들 중에서 대응되는 전압을 기입전압으로서 발생하는 기입전압 펌프; 및다수의 전압들을 발생하고, 상기 컨트롤러로부터 입력되는 독출전압 제어신호에 기초하여 상기 다수의 전압들 중에서 대응되는 전압을 독출전압으로서 출력하 는 독출전압 펌프를 구비하며,상기 기입전압과 상기 독출전압은 상기 정규 비휘발성 메모리 영역, 상기 기입/독출 전압 정보 저장영역, 상기 제1정보 저장영역, 및 상기 내구력 정보 저장 영역 중에서 적어도 하나의 영역으로 입력되는 반도체 장치.
- 비휘발성 메모리를 내장한 SOC(system on chip)에서 상기 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 방법에 있어서,열화가 발생되지 않은 제1비휘발성 메모리의 특성을 나타내는 제1정보와 기입 전압 또는 독출 전압에 응답하여 기입 또는 독출 동작을 수행함에 따라 열화가 발생된 제2비휘발성 메모리의 특성을 나타내는 제2정보를 수신하고 비교하는 단계; 및상기 비교결과에 기초하여 상기 기입 전압과 상기 독출 전압 중에서 적어도 하나의 전압을 증가시키는 단계를 구비하는 비휘발성 메모리를 내장한 SOC에서 상기 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제1정보와 상기 제2정보 각각은 독출 시간 또는 독출 속도인 비휘발성 메모리를 내장한 SOC에서 상기 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리를 내장한 SOC에서 상기 비휘발성 메 모리의 기입/독출 내구력 개선 방법은,상기 제1정보를 상기 비휘발성 메모리의 제1영역에 저장하는 단계;상기 SOC가 초기화될 때마다 상기 제2정보를 상기 비휘발성 메모리의 제2영역에 기입하는 단계; 및상기 독출 전압에 응답하여 상기 제1정보와 상기 제2정보를 독출하는 단계를 더 구비하는 비휘발성 메모리를 내장한 SOC에서 상기 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 방법.
- 비휘발성 메모리를 내장한 집적회로 카드에서 상기 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 방법에 있어서,제1정보를 상기 비휘발성 메모리의 제1영역에 저장하는 단계;기입 전압에 대한 정보와 독출 전압에 대한 정보 중에서 적어도 하나의 정보를 독출하는 단계;상기 적어도 하나의 정보에 기초하여 기입 전압과 독출 전압 중에서 적어도 하나의 전압을 발생하는 단계;상기 독출 전압을 이용하여 상기 제1영역에 저장된 상기 제1정보를 독출하는 단계;상기 집적회로 카드가 초기화될 때마다 상기 기입 전압에 응답하여 상기 제1정보를 상기 비휘발성 메모리의 제2영역에 저장하는 단계;상기 독출 전압에 응답하여 상기 제2영역에 저장된 제1정보를 독출하는 단 계;상기 제1영역에 저장된 상기 제1정보의 독출 특성과 상기 제2영역에 저장된 상기 제1정보의 독출 특성을 비교하는 단계; 및상기 비교결과에 기초하여 상기 기입 전압에 대한 정보와 상기 독출 전압에 대한 정보 중에서 적어도 하나의 정보를 유지하거나 변경하는 단계를 구비하는 비휘발성 메모리를 내장한 집적회로 카드에서 상기 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 방법.
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