KR20060135233A - 디엘엘 장치 - Google Patents

디엘엘 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060135233A
KR20060135233A KR1020050054998A KR20050054998A KR20060135233A KR 20060135233 A KR20060135233 A KR 20060135233A KR 1020050054998 A KR1020050054998 A KR 1020050054998A KR 20050054998 A KR20050054998 A KR 20050054998A KR 20060135233 A KR20060135233 A KR 20060135233A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delay
unit
external clock
dll
clock signal
Prior art date
Application number
KR1020050054998A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100800138B1 (ko
Inventor
구영준
윤석철
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020050054998A priority Critical patent/KR100800138B1/ko
Publication of KR20060135233A publication Critical patent/KR20060135233A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100800138B1 publication Critical patent/KR100800138B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0814Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/10Details of the phase-locked loop for assuring initial synchronisation or for broadening the capture range

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예인 디엘엘 장치는 외부클락신호를 수신하는 버퍼와, 버퍼의 출력신호를 수신하는 지연부와, 상기 지연부의 지연시간을 제어하는 지연 제어부를 구비하며, 상기 지연 제어부는 상기 외부클락신호의 주파수에 따라서 복수개의 제어신호를 출력하며, 상기 복수개의 제어신호중의 하나에 의하여 상기 지연부의 지연시간을 조절한다.

Description

디엘엘 장치{DLL device}
도 1은 종래의 디엘엘 장치이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예인 디엘엘 장치이다.
도 3은 도 2에 개시된 본 발명 디엘엘 장치의 지연 제어부의 일예이다.
도 4는 도 2에 개시된 본 발명 디엘엘 장치의 지연부의 일예이다.
도 5는 도 2에 개시된 본 발명 디엘엘 장치의 지연부의 다른 일예이다.
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 특히 반도체 장치에 사용되는 디엘엘(DLL) 장치에 관한 것이다.
주지된 바와같이, DLL 장치는 반도체 장치의 외부에서 입력되는 클락을 바탕으로 반도체 장치의 내부에서 외부로 출력되는 신호(예컨대, 데이타 등)의 출력 타이밍을 제어하는 회로이다. 여기서, 반도체 장치는 메모리 장치 등과 같이 외부 컨트롤러와 연관되어 동작하는 모든 반도체 장치를 의미한다. 여기서는 설명의 편의상 동기식 메모리 장치에 사용되는 DLL 장치를 예를 들어 설명하기로 한다.
도 1은 일반적인 DLL 장치의 일예이다. 참고로, DQ는 리드된 데이타를 나타 낸다.
도 1에서, t1은 클락신호(CLK, /CLK)를 수신하는 버퍼의 지연시간을 나타내고, td는 지연부의 지연시간을 나타내며, t2는 DLL 드라이버부터 데이타 출력 버퍼까지의 지연시간을 나타낸다. 레프리카 지연부의 지연시간은 t1+t2이다.
도 1에서, 지연부는 외부클락신호의 위상을 지연시키는 회로이다. 이때, 위상 지연 정도는 위상 비교기에 의하여 결정되며, 지연 제어부의 제어를 받아 위상 지연을 결정하는 지연 경로를 형성하게 된다. 주지된 바와같이, 지연부는 직렬 연결된 다수개의 단위 지연셀로 구성되어 있으며, 지연 제어부에 의하여 지연 시간의 조절이 가능하다.
도시된 바와같이, 지연부는 라이징 클락신호(CLK)를 수신하는 것과 폴링 클락신호(/CLK)를 수신하는 것으로 구분된다. 이렇게 하는 이유는 라이징 에지와 폴링 에지를 동일하게 처리하여 듀티비 왜곡을 최대한 억제하기 위해서이다.
나머지 구성과 동작에 대하여, 도 1에 도시된 DLL 장치는 당업자에게 널리 알려진 일반적인 DLL 장치이므로 구체적인 기능과 동작은 생략하기로 한다.
그런데, 이러한 종래의 DLL 장치의 경우, 지연부를 구성하는 다수의 지연셀로 인하여 레이아웃 측면에서 매우 불리하다는 문제점을 안고 있었다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 지연부의 면적을 감소시키고, 외부클락신호의 주파수에 따라서 지연부의 지연시간을 결정할 수 있는 DLL 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예인 디엘엘 장치는 외부클락신호를 수신하는 버퍼와, 버퍼의 출력신호를 수신하는 지연부와, 상기 지연부의 지연시간을 제어하는 지연 제어부를 구비하며, 상기 지연 제어부는 상기 외부클락신호의 주파수에 따라서 복수개의 제어신호를 출력하며, 상기 복수개의 제어신호중의 하나에 의하여 상기 지연부의 지연시간을 조절한다.
본 실시예에서, 지연부는 상기 복수개의 제어신호에 일대일 대응하는 복수개의 지연 소자로 구성된다.
(실시예)
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 DLL 장치의 일 실시예를 나타낸다.
도시된 바와같이, DLL 장치는 외부클락신호(/CLK, CLK)를 각각 수신하는 버퍼(20, 21)와, 버퍼(20, 21)의 출력신호(fclkt2, rclkt2)를 각각 수신하는 지연부(22, 23)와, 지연부의 지연시간을 제어하는 신호를 출력하는 지연 제어부(24)와, 지연부(22, 23)의 각 출력신호를 수신하는 DLL 드라이버(25, 26)를 구비한다.
DLL 드라이버(25, 26)의 각 출력신호(fclk_dll, rclk_dll)는 각각 데이타 출력 버퍼(27, 28)에 인가되며, 이에 응답하여 각 데이타 출력 버퍼(27, 28)는 데이타를 출력한다.
도 2에서, t1은 클락신호(CLK, /CLK)를 수신하는 버퍼의 지연시간을 나타내고, td는 지연부의 지연시간을 나타내며, t2는 DLL 드라이버부터 데이타 출력 버퍼 까지의 지연시간을 나타낸다.
도 2의 DLL 장치는 종래와 달리 피드백 루프를 없애고 지연부와 지연 제어부를 도 3내지 도 5에 제시된 바와같이 새로이 제안하고 있다.
이하, 도 3내지 5를 참조하여 이들 구성요소에 대하여 설명한다.
도 3은 도 2의 지연 제어부의 일예이다.
지연 제어부는 도시된 바와같이 MRS 코드 정보(MRS<0:2>)를 이용하여 복수개의 제어신호(tCK<0:7>)을 출력한다.
여기서, MRS 코드 정보(MRS<0:2>)는 외부클락신호(CLK)의 주파수 정보를 담고 있다.
따라서, 외부클락신호의 주파수에 따라서 MRS 코드 정보(MRS<0:2>)가 달라지고 그에따라 인에이블되는 제어신호(tCK<0:7>)가 달라진다.
도 4는 도 2에 도시된 지연부의 일예이다. 참고로, 도 4의 "in"은 도 2의 버퍼의 출력신호(fclkt2, rclkt2)를 나타낸다.
도시된 바와같이, 도 3의 지연 제어부의 출력신호(tCK<0:7>)에 따라서 지연소자에 인가되는 신호(in)의 지연시간을 개별적으로 조절할 수 있음을 알 수 있다.
즉, 제어신호(tCK<0>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연없이 출력되며, 제어신호(tCK<1>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK1_delay)를 지나서 출력되며, 제어신호(tCK<2>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK2_delay)를 지나서 출력되며, 제어신호(tCK<3>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK3_delay)를 지나서 출력되며, 제어신호 (tCK<4>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK4_delay)를 지나서 출력되며, 제어신호(tCK<5>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK5_delay)를 지나서 출력되며, 제어신호(tCK<6>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK6_delay)를 지나서 출력되며, 제어신호(tCK<7>)가 인에이블되는 경우, 입력신호(in)는 지연소자(tCK7_delay)를 지나서 출력된다. 여기서, 각 지연소자의 지연시간은 지연소자(tCK1_delay) < 지연소자(tCK2_delay) < 지연소자(tCK3_delay) < 지연소자(tCK4_delay) <지연소자(tCK5_delay) < 지연소자(tCK6_delay) < 지연소자(tCK7_delay)이다.
도 5는 도 2에 도시된 지연부의 다른 일예이다. 참고로, 도 5의 "in"은 도 2의 버퍼의 출력신호(fclkt2, rclkt2)를 나타낸다.
도시된 바와같이, 도 3의 지연 제어부의 출력신호(tCK<0:7>)에 따라서 지연부에 인가되는 신호(in)의 지연시간을 개별적으로 조절할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 그 기본적인 동작은 도 4와 큰 차이가 없으므로 구체적인 동작 설명은 생략하기로 한다.
이하, 도 2내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예인 DLL 장치의 동작을 설명한다.
도 2의 DLL 장치는 MRS 를 통하여 외부클락신호(CLK)의 주기(tCK)에 관한 정보를 수신하여 tCK-(t1+t2)만큼 지연시켜 주는 지연부를 사용하여 외부클락신호(CLK)와 데이타(DQ)의 위상을 동기시킨다.
예를들어, 외부클락신호(CLK)의 주기(tCK)가 5ns이고, t1+t2가 3ns인 경우, 2ns의 지연을 갖는 지연부를 선택하기 위하여 MRS를 통해 외부클락신호(CLK)의 주기(tCK)를 제공하면 지연 제어부는 제어신호를 이용하여 2ns의 지연시간을 갖는 지연부를 도 4내지 도 5에서 선택한다.
또 다른 예로, 외부클락신호(CLK)의 주기(tCK)가 7ns이고, t1+t2가 3ns인 경우, 4ns의 지연을 갖는 지연부를 선택하기 위하여 MRS를 통해 외부클락신호(CLK)의 주기(tCK)를 제공하면 지연 제어부는 제어신호를 이용하여 4ns의 지연시간을 갖는 지연부를 도 4내지 도 5에서 선택한다.
따라서, 본 발명의 지연부와 지연 제어부를 이용하는 경우 효율적으로 외부클락신호에 동기되어 데이타를 출력시키는 DLL 장치를 제공할 수 있다.
참고로, 주지된 바와같이, 지연부(22, 23)에서의 지연 정도는 tCK-(t1+t2)로 에 의하여 결정되며, tCK보다 t1+t2가 큰 경우에는 n*tCK-(t1+t2)의 크기로 결정된다. 그리고, t1+td+t2의 값이 tCK 의 정수배가 되면 외부클락에 동기되어 데이타가 출력된다.
지금까지 설명한 도 4와 5에 도시된 회로의 구성은 도 1에서 설명되는 단위 지연셀로 구성된 지연부와는 면적 면에서 큰 차이가 있으며, 이로 인하여 본 발명은 레이아웃 측면에서 매우 효율적이다.
본 발명은 외부클락신호의 주파수에 따라서 지연부의 지연시간을 직접 선택할 수 있도록 함으로써 록킹 시간이 감소시킬 수 있다.
또한, 단위 지연셀로 이루어지는 종래의 지연부 대신에 MRS 정보를 기초로 발생된 제어신호에 의하여 제어되는 단순 지연부를 제공함으로써 DLL 장치의 사이즈를 감소시킬 수 있다.

Claims (2)

  1. 디엘엘 장치에 있어서,
    외부클락신호를 수신하는 버퍼와,
    버퍼의 출력신호를 수신하는 지연부와,
    상기 지연부의 지연시간을 제어하는 지연 제어부를 구비하며,
    상기 지연 제어부는 상기 외부클락신호의 주파수에 따라서 복수개의 제어신호를 출력하며,
    상기 복수개의 제어신호중의 하나에 의하여 상기 지연부의 지연시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 디엘엘 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지연부는 상기 복수개의 제어신호에 일대일 대응하는 복수개의 지연 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 디엘엘 장치.
KR1020050054998A 2005-06-24 2005-06-24 디엘엘 장치 KR100800138B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054998A KR100800138B1 (ko) 2005-06-24 2005-06-24 디엘엘 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054998A KR100800138B1 (ko) 2005-06-24 2005-06-24 디엘엘 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060135233A true KR20060135233A (ko) 2006-12-29
KR100800138B1 KR100800138B1 (ko) 2008-02-01

Family

ID=37813279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050054998A KR100800138B1 (ko) 2005-06-24 2005-06-24 디엘엘 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100800138B1 (ko)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739525B2 (ja) 1996-12-27 2006-01-25 富士通株式会社 可変遅延回路及び半導体集積回路装置
KR100564547B1 (ko) * 1999-04-23 2006-03-28 삼성전자주식회사 다양하고 미세한 지연시간을 제공하는 지연보상회로
KR20020055910A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 윤종용 반도체 메모리소자의 지연동기회로
KR100482736B1 (ko) 2002-09-12 2005-04-14 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100800138B1 (ko) 2008-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8018257B2 (en) Clock divider and clock dividing method for a DLL circuit
US6593786B2 (en) Register controlled DLL reducing current consumption
JP4192273B2 (ja) 半導体記憶素子における遅延同期ループ及びその同期方法
US8115529B2 (en) Device and control method of device
US7605622B2 (en) Delay locked loop circuit
KR101046227B1 (ko) Dll 회로
KR100695525B1 (ko) 반도체 기억 소자의 지연 고정 루프
US20080054964A1 (en) Semiconductor memory device
JP2005251368A (ja) 半導体記憶素子におけるディレイロックループ及びそのロック方法
KR100639617B1 (ko) 반도체 기억 소자에서의 지연 고정 루프 및 그의 클럭록킹 방법
JP4944373B2 (ja) 遅延固定ループ回路
KR100543925B1 (ko) 지연 고정 루프 및 지연 고정 루프에서의 클럭 지연 고정방법
US7605624B2 (en) Delay locked loop (DLL) circuit for generating clock signal for memory device
KR100525096B1 (ko) Dll 회로
KR20110134197A (ko) 전압제어지연라인, 상기 전압제어지연라인을 구비하는 지연고정루프회로 및 다중위상클럭생성기
KR100800139B1 (ko) 디엘엘 장치
KR100541684B1 (ko) 지연 동기 루프 장치
KR100475054B1 (ko) 비트 구성에 상관없이 데이터 출력시간이 일정한 동기식반도체 장치 및 데이터 출력시간 조절 방법
JP2001237680A (ja) 遅延時間調整回路と遅延時間調整方法
KR100800138B1 (ko) 디엘엘 장치
KR100784028B1 (ko) 지연 동기 루프
KR100807116B1 (ko) 지연 고정 루프
JP4050763B2 (ja) 半導体集積回路
KR20090088109A (ko) Dll 회로의 지연 라인

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101224

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee