KR20060134051A - 분자 전자 소자 제조 방법 및 구조체 - Google Patents

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KR20060134051A
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하이든 그레고리
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Abstract

본 발명은 일반적으로 분자 전자 소자, 특히 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 유기 전자 소자를 잉크젯 인쇄와 같은 소적(小滴) 침착 기법에 의해 제조하는 개선된 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 방법에 의해 제조된 분자 소자 기판 및/또는 상기 방법에서의 용도에 관한 것이다. 분자 전자 소자의 제조 방법은 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하되; 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고; 상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이는 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만이다.

Description

분자 전자 소자 제조 방법 및 구조체{MOLECULAR ELECTRONIC DEVICE FABRICATION METHODS AND STRUCTURES}
본 발명은 일반적으로 분자 전자 소자(molecular electronic device), 특히 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 유기 전자 소자를 잉크젯 인쇄와 같은 소적(小滴; droplet) 침착 기법에 의해 제조하는 개선된 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 방법에 의해 제조된 분자 소자 기판 및/또는 상기 방법에서의 용도에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 전자광학 디스플레이 중 특히 유리한 형태이다. OLED는 밝고, 색채가 풍부하며, 스위칭이 신속하고, 넓은 시야각을 제공하며, 다양한 기판 상에 제조하기 용이하고 저렴하다. 유기(여기서는 유기금속성도 포함됨) LED는 사용되는 물질에 따라 일정 범위의 색(또는 다색 디스플레이)의 중합체를 사용하여 제조될 수 있다. 전형적인 OLED 소자는 2층의 유기 물질을 포함하며, 이들 중 하나는 발광 중합체(LEP), 올리고머 또는 발광 저분자량 물질과 같은 발광 물질의 층이고, 다른 하나는 폴리싸이오펜 유도체 또는 폴리아닐린 유도체와 같은 정공 수송 물질의 층이다.
유기 LED는 기판 상에 픽셀의 매트릭스로 침착되어 단색 또는 다색 픽셀화된 디스플레이를 형성할 수 있다. 다색 디스플레이는 적, 녹 및 청색 발광 픽셀의 군을 사용하여 구성될 수 있다. 소위 능동 매트릭스 디스플레이는 기억 요소, 전형적으로는 각각의 픽셀에 결합된 저장 캐패시터 및 트랜지스터를 갖고, 수동 매트릭스 디스플레이는 상기 기억 요소를 갖지 않는 대신 반복적으로 스캐닝되어 안정된 영상의 느낌을 준다.
도 1은 OLED 소자(100)의 한 예의 수직 단면도를 나타낸다. 능동 매트릭스 디스플레이에서 픽셀 면적의 일부는 결합된 구동 회로(도 1에는 도시되지 않음)에 의해 점유된다. 소자의 구조는 설명 목적을 위해 다소 간략화되었다.
OLED(100)는 애노드층(106)이 그 위에 침착된 전형적으로 0.7mm 또는 1.1mm 유리이지만 임의적으로 투명 플라스틱인 기판(102)을 포함한다. 애노드층은 전형적으로 약 150nm 두께의 ITO(인듐 주석 산화물)을 포함하고, 그 위에는 금속 접속층(전형적으로 약 500nm의 알루미늄, 종종 애노드 금속이라 지칭됨)이 제공된다. ITO 및 접속 금속으로 코팅된 유리 기판은 미국 코닝(Corning)으로부터 구입할 수 있다. 접속 금속(및 임의적으로 ITO)은 원하는 대로, 포토리쏘그래피 및 후속하는 에칭의 통상적인 공정에 의해 디스플레이를 가리지 않도록 패턴화된다.
실질적으로 투명한 정공 수송층(108a)이 애노드 금속 위에 제공되며, 이어서 전기발광(electroluminescent)층(108b)이 제공된다. 웰(114)을 한정하는 뱅크(112)가 기판 상에 예를 들어 포지티브 또는 네거티브 포토레지스트 물질로부터 형성될 수 있고, 상기 웰(114) 내로는 상기 활성 유기 층이 예컨대 소적 침착 또는 잉크젯 인쇄 기법에 의해 선택적으로 침착될 수 있다. 이렇게 하여 웰은 디스플레이의 발광 영역 또는 픽셀을 한정한다.
이후, 캐쏘드층(110)이 물리적 증착에 의해 도포된다. 캐쏘드층은 전형적으로 개선된 전자 에너지 수준의 정합(matching)을 위해 더 두꺼운 알루미늄의 캡핑층으로 덮이고 임의적으로 전기발광층에 직접 인접하는 불화리튬의 층과 같은 추가의 층을 포함하는 낮은 일함수 금속, 예컨대 칼슘 또는 바륨을 포함한다. 캐쏘드 라인의 상호 전기 절연은 캐쏘드 세퍼레이터(도 3b에서 요소(302))를 사용함으로써 달성될 수 있다. 전형적으로 단일 기판 상에 다수의 디스플레이가 제조될 수 있으며, 제조 공정의 말기에 기판에 선침으로 선을 그어 디스플레이를 분리한 후 캡슐화 캔을 각각에 부착하여 산화 및 수분 침입을 방지한다.
이러한 일반적 유형의 유기 LED는 중합체, 덴드리머, 및 소위 소분자를 비롯한 광범위한 물질을 사용하여 제조되어 넓은 파장 범위에 걸쳐 가변하는 구동 전압 및 효율로 발광할 수 있다. 중합체계 OLED 물질의 예는 WO90/13148, WO95/06400 및 WO99/48160에 기재되어 있고; 덴드리머계 물질의 예는 WO 99/21935 및 WO 02/067343에 기재되어 있고; 소분자 OLED 물질의 예는 US4,539,507에 기재되어 있다. 전술된 중합체, 덴드리머 및 소분자는 단일항(singlet) 여기자의 복사 붕괴에 의해 발광한다(형광). 그러나, 75%에 달하는 여기자는 통상적으로 비-복사 붕괴되는 삼중항(triplet) 여기자이다. 삼중항 여기자의 복사 붕괴에 의한 전기발광은 예를 들어 문헌["Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence" M. A. Baldo, S. Lamansky, P. E. Burrows, M. E. Thompson, and S. R. Forrest Applied Physics Letters, Vol. 75 (1) pp. 4-6, July 5, 1999]에 개시되어 있다. 전기발광층은 예를 들어 약 70nm(건조) 두께의 PPV(폴리(p-페닐렌바이닐렌))를 포함할 수 있고, 상기 애노드층과 전기발광층의 정공 에너지 수준의 정합을 돕는 정공 수송층은 예를 들어 약 50 내지 200nm, 바람직하게는 약 150nm(건조) 두께의 PEDOT:PSS(폴리스타이렌-설포네이트-도핑된 폴리에틸렌-다이옥시싸이오펜)를 포함할 수 있다.
도 2는 활성 색 층 중 하나를 침착시킨 후의 3색 능동 매트릭스 픽셀화 OLED 디스플레이(200)의 부분 평면도(즉, 기판을 통하지 않은)를 나타낸다. 상기 도면은 디스플레이의 픽셀을 한정하는 뱅크(bank)(112) 및 웰(well)(114)의 배열을 나타낸다.
도 3a는 수동 매트릭스 OLED 디스플레이를 잉크젯 인쇄하기 위한 기판(300)의 평면도를 나타낸다. 도 3b는 도 3a의 기판을 선 Y-Y'을 따라 절단한 단면도를 나타낸다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 기판에는 인접한 캐쏘드 라인(영역(304)에서 침착될 것임)을 분리하기 위한 캐쏘드 언더컷(undercut) 세퍼레이터(302)가 제공된다. 복수의 웰(308)은, 각 웰(308)의 주변길이(perimeter) 주위에 구성되고 웰의 기저(base)에서 애노드층(306)이 노출되도록 두는 뱅크(310)에 의해 한정된다. 뱅크의 가장자리 또는 면부(face)는 도시된 바와 같이 이제까지는 기판의 표면을 향하여 10 내지 40°의 각도로 점점 가늘어진다. 뱅크는 침착된 유기 물질의 용액에 의해 습윤되지 않도록 소수성 표면을 제공하여, 침착된 물질이 웰 내에 함유되는 것을 보조한다. 이는 폴리이미드와 같은 뱅크 물질을 EP 0989778에 개시된 바와 같이 O2/CF4로 처리함으로써 달성된다. 다르게는, 플라즈마 처리 단계는 WO 03/083960에 개시된 바와 같이 불소화 폴리이미드와 같은 불소화된 물질을 사용함으로써 회피할 수도 있다.
상기한 바와 같이, 뱅크 및 세퍼레이터는 예를 들어 뱅크에 대해서는 포지티브(또는 네거티브) 레지스트를, 그리고 세퍼레이터에 대해서는 네거티브(또는 포지티브) 레지스트를 사용하여 레지스트 물질로부터 형성될 수 있고; 상기 레지스트 둘 모두는 폴리이미드를 기본으로 할 수 있고 기판 상에 스핀 코팅되거나, 또는 불화물 또는 불화물-유사 포토레지스트가 사용될 수 있다. 도시된 예에서 캐쏘드 세퍼레이터는 약 5μm의 높이 및 약 20μm의 폭을 갖는다. 뱅크는 일반적으로 20㎛ 내지 100㎛의 폭을 가지고 도시된 예에서는 각각의 가장자리에서 4㎛ 테이퍼(taper)를 갖는다(뱅크가 약 1㎛의 높이를 갖도록). 도 3a의 픽셀은 약 300㎛각(角)이지만, 후술하는 바와 같이, 픽셀의 크기는 의도된 용도에 따라 크게 변할 수 있다.
잉크젯 인쇄 기법을 사용하여 유기 발광 다이오드(OLED)용 물질을 침착시키는 기법은 예를 들어 문헌[T. R. Hebner, C. C. Wu, D. Marcy, M. H. Lu and J. C. Sturm,-"Ink-jet Printing of doped Polymers for Organic Light Emitting Devices", Applied Physics Letters, Vol. 72, No. 5, pp. 519- 521, 1998; Y. Yang, "Review of Recent Progress on Polymer Electroluminescent Devices," SPIE Photonics West. Optoelectronics'98, Conf. 3279, San Jose, Jan., 1998; EP O 880 303; and "Ink-Jet Printing of Polymer Light-Emitting Devices", Paul C. Duineveld, Margreet M. de Kok, Michael Buechel, Aad H. Sempel, Kees A. H. Mutsaers, Peter van de Weijer, Ivo G. J. Camps, Ton J. M. van den Biggelaar, Jan-Eric J. M. Rubingh and Eliav I. Haskal, Organic Light-Emitting Materials and Devices V, Zakya H. Kafafi, Editor, Proceedings of SPIE Vol. 4464 (2002)]을 비롯한 다수의 문헌에 기재되어 있다. 잉크젯 기법은 소분자 및 중합체 LED 둘 모두에 대하여 물질을 침착하는데 사용될 수 있다.
분자 전자 물질을 침착시키기 위해 휘발성 용매가 일반적으로 사용되며, 0.5% 내지 4%가 용매 물질에 용해된다. 이것은 건조시키는데 수 초 내지 수 분이 걸릴 수 있고 초기의 "잉크" 체적에 비해서는 상대적으로 얇은 막이 생성된다. 종종, 바람직하게는 건조가 시작되기 전에 다수의 점적(drop)을 침착시켜 건조 물질에 충분한 두께를 제공한다. 사용될 수 있는 용매는 사이클로헥실벤젠 및 알킬화 벤젠, 특히 톨루엔 또는 자일렌을 포함하고; 다른 것들은 WO 00/59267, WO 01/16251 및 WO 02/18513에 개시되어 있으며; 상기 용매의 블렌드를 포함하는 용매도 사용될 수 있다. 미국 캘리포니아 소재의 리트렉스 코포레이션(Litrex Corporation)제 기계와 같은 정밀 잉크젯 프린터가 사용되며, 적합한 프린트 헤드는 영국 캠브리지 소재의 자르(Xaar) 및 미국 NH 소재의 스펙트라 인코포레이티드(Spectra, Inc.)로부터 구입가능하다. 몇몇 특별히 유리한 인쇄 전략은 2002년 11월 28일에 출원된 본 출원인의 영국 특허출원 0227778.8에 기술되어 있다.
잉크젯 인쇄는 분자 전자 소자를 위한 물질의 침착에 있어서 많은 이점을 갖지만 그 기법에 연관된 일부 단점도 갖는다. 전술한 바와 같이 웰을 한정하는 포토레지스트 뱅크는 이제까지 기판과 얕은(shallow) 각도, 전형적으로 약 15°의 각도를 이루는 점점 가늘어지는 형상을 가지고 있었다. 그러나 얕은 가장자리를 갖는 웰 내로 침착된 용해된 분자 전자 물질은 건조되어 상대적으로 얇은 가장자리를 갖는 필름을 형성한다. 도 4a 및 4b는 이러한 과정을 도시한다.
도 4a는 용해된 물질(402)로 충전된 웰의 간략화된 단면도(400)를 나타내고, 도 4b는 상기 물질이 건조되어 고상 필름(404)을 형성한 후의 동일한 단면도를 나타낸다. 이 예에서 뱅크 각도는 약 15°이고 뱅크 높이는 약 1.5㎛이다. 보이는 바와 같이 웰은 일반적으로 넘칠 때까지 충전된다. 용액(402)은 플라즈마 처리된 뱅크 물질과 전형적으로 30° 내지 40°, 예컨대 약 35°의 접촉각 θc을 이루며, 상기 접촉각은 용해된 물질(402)의 표면이 그와 접촉하는 (뱅크)물질과 이루는 각도, 예를 들어 도 4a에서 각도(402a)이다. 용매가 증발함에 따라 용액은 더 농축되고 용액 표면은 기판을 향하여 뱅크의 점점 가늘어지는 면부를 하향 이동하고; 초기에 착륙한 습윤 가장자리와 기판 상의 뱅크의 족부(foot)(웰의 기저) 사이의 한 점에서 건조 가장자리의 고정(pinning)이 일어날 수 있다. 도 4b에 도시된 결과는 건조 물질(404)의 필름이 매우 얇아 뱅크의 면부와 만나는 영역(404a)에서 예를 들어 10nm 이하 규모(order)라는 것이다. 실제로는 건조는 커피 고리 형 성(coffee ringing)과 같은 다른 효과로 인해 복잡하다. 이 효과가 있으면 용액의 두께가 점적의 중심보다 가장자리에서 더 얇기 때문에, 가장자리가 건조됨에 따라 거기에서의 용해된 물질의 농도는 증가한다. 가장자리가 고정되는 경향이 있으므로 용액은 점적의 중심으로부터 모세관 현상에 의해 가장자리를 향해 유동한다. 상기 효과는 용해된 물질이 균일하게 침착되지 않고 고리 형상으로 침착되는 경향을 초래할 수 있다. 건조 용액과 표면의 상호작용에 관한 물리학은 극히 복잡하며 완전한 이론의 개발이 여전히 기대되고 있다.
길고 얕게(long-shallow) 점점 가늘어지는 뱅크의 또 다른 단점은 웰 내로 정확히 낙하하지 않은 대신 부분적으로 뱅크의 경사 상에 착륙한 잉크젯 소적이 그 자리에서 건조되어, 목적 디스플레이에서 불균일성을 초래한다는 점이다.
잉크젯 침착의 추가의 문제점은 잉크젯 소적의 크기에 비해 큰 웰을 충전(充塡)할 때 발생한다. 잉크젯 프린트 헤드로부터의 전형적인 소적은 비행중에 약 30㎛의 직경을 갖고 있고, 착륙하여 습윤될 때 약 100㎛로 성장한다.
점적과 비슷한 크기의 웰 또는 픽셀을 충전할 경우에는 점적이 착륙할 때 퍼져서 웰을 충전하기 때문에 문제점이 거의 없다. 이는 RGB(적 녹 청) 디스플레이에 전형적으로 사용되는 유형의 길고 얇은 픽셀을 위한 웰(500)을 도시하는 도 5a에서 예시된다. 도 5a의 예에서 픽셀은 50㎛의 폭 및 150㎛의 길이를 가지며 20㎛폭의 뱅크를 갖는다(70㎛ 픽셀 피치 및 210㎛ 풀 컬러 피치 수득). 이러한 웰은 도시된 바와 같이 3개의 50㎛ 소적(502a, b, c)으로 충전될 수 있다. 이제 도 5b를 참고하면 컬러 텔레비전과 같은 용도에 더욱 적합한, 각 치수가 약 4배 더 커서 약 200㎛ 폭의 픽셀을 생성하는 픽셀용 웰(510)이 도시되어 있다. 도면으로부터 알 수 있듯이, 이러한 픽셀을 충전하기 위해서는 많은 소적(512)이 필요하다. 실시에 있어서, 이들은 유착되어 더 큰 소적(514)을 형성하는 경향이 있으며, 이 소적은 픽셀의 모퉁이(corner)를 적절히 충전하지 않는 경향이 있다(비록 도 5a 및 5b가 이상화되었고, 실제에 있어서 모퉁이들은 일반적으로 도시된 바와 같이 뾰족하지는 않다 해도). 이 문제점을 해결하는 한 방법은 용해된 물질이 웰의 모퉁이로 밀려들어갈 정도로 웰을 충분히 과하게 충전하는 것이다. 이는 많은 수의 묽은 소적 및 웰 주위의 높은 장벽을 사용하여 달성될 수 있다. 큰 체적의 액체를 침착시키는 기법은 WO03/065474에 기재되어 있고, 여기에는 액체를 인접하는 웰까지 범람시키지 않고 큰 체적의 액체를 웰에 보유시키기 위한 매우 높은 장벽의 사용에 대해 기술되어 있다(예를 들어 8면 8 내지 20행). 그러나 이러한 구조체는 포토리쏘그래피에 의해 쉽게 형성될 수 없으며, 대신 플라스틱 기판을 엠보싱시키거나 주입 몰딩한다. 또한, 더 적은(더 높은 농도) 소적을 사용하여 웰을 채울 수 있다면, 특히나 더 신속한 인쇄가 가능해지기 때문에 바람직할 것이다.
본 발명의 첫번째 태양에 따르면, 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서; 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고; 상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이는 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만인 분자 전자 소자의 제조 방법이 제공된다.
다른 태양에서, 본 발명은 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서; 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고; 상기 제조 방법은 표면 습윤에 의해 상기 뱅크 면부를 따라 끌어당겨지는 상기 용해된 물질의 경향을 고려하여 상기 웰 내로 침착시키기 위한 소적의 수를 결정하는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법을 제공한다.
뱅크의 면부 각도를 분자 전자 물질이 용해된 조성물의 접촉각보다 크도록 정하는 실시양태에서, 용해된 물질은 뱅크 면부를 따라 끌어당겨져 웰의 충전을 돕고, 따라서 침착을 위한 소적의 수는 이를 고려하여 결정될 수 있다. 더욱 구체적으로는 뱅크가 조성물의 접촉각보다 작은 각도를 이룰 경우보다는 더 높은 농도의 물질로 감소된 수의 소적을 사용하여 주어진 건조 두께의 필름을 제공할 수 있다. 상기 방법은 용해된 물질의 하나 이상의 소적을 착륙시에 퍼져 뱅크 면부에 닿고 그리하여 웰 가장자리를 따라 예를 들어 모퉁이를 향해 끌어당겨지도록 침착시키는 것을 포함할 수 있다. 다르게는, 소적을 단순히 풀(pool)이 뱅크 면부에 닿기에 충분하게 성장할 때까지 웰의 중간으로 침착시킬 수 있으며, 뱅크 면부에 닿을 때 용매는 다시 뱅크 면부를 따라 웰의 코너를 향해 끌어당겨진다. 바람직하게는 기판 상의, 더욱 구체적으로는 애노드층과 같은 전극 층 위로의 뱅크의 높이는 따라서 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만, 또는 1.0㎛이다.
바람직하게는 뱅크는 포토레지스트로부터 형성된다. 포토레지스트의 단일층, 특히 네거티브 포토레지스트가 사용될 수 있다. 포토레지스트는 임의의 통상적인 리쏘그래피 절차에 의해, 예를 들어 마스크 또는 직접-기록(direct-write) 기법을 사용하여 패턴화될 수 있다.
따라서 추가의 태양에서 본 발명은 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서; 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고; 상기 제조 방법은 상기 뱅크를 포토레지스트로부터 리쏘그래피법으로 형성하는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 방법의 바람직한 실시양태에서 뱅크 면부 각도는 40° 또는 50° 이상이고 90° 이하이거나, 일부 실시양태에서는 90°보다 크다. 90°보다 큰 각도는 웰의 기저 위로 돌출하는 언더컷인 뱅크 면부에 대응한다. 이는 이러한 구조체 인근에서의 용매의 거동(이후 더 상세히 기술함), 광범위하게 말하여, 웰의 중간으로부터 과량의 용매를 제거하지 않고 돌출부로 용매를 끌어당기는 거동으로 인해, 특 히 바람직한 배열이다.
따라서, 본 발명의 추가의 태양에서, 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법이 제공되고; 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 40° 이상이고; 상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이는 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만이다. 바람직하게는, 상기 각도는 50° 이상이다. 상기 각도는 90° 이하이거나, 몇몇 실시양태에서는 90°보다 클 수 있다.
첫 번째 관련된 태양에서 본 발명은 전술된 바와 같은 방법에 있어서 상기 침착 단계가, 침착시에 상기 기판의 측방향 평면에서 상기 웰을 불완전하게 채우는 소적을 침착시키는 것을 포함하는 방법을 제공한다.
두 번째 관련된 태양에서 본 발명은 분자 전자 소자용 기판을 제공하는 바, 상기 기판은 분자 전자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖고, 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 상기 웰의 기저가 이루는 각도는 30°보다 크고; 상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이는 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만이다.
또한, 본 발명은 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포 함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서; 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고; 상기 제조 방법은 용해된 분자 전자 물질의 소적을, 상기 소적이 웰 기저를 불완전하게 덮고 모세관 작용에 의해 퍼져서 웰 기저를 덮도록 상기 웰 내로 침착시키는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 기술은 비교적 큰 픽셀, 즉 소적 직경보다 큰 측방향 치수를 갖는 픽셀을 채울 경우 유리하다. 특히 주어진 포지티브 뱅크/측벽 각도에 대하여 웰 주변길이/면적(P/A) 비율에 대한 임계 비율 또는 한계 이상이 필요하며 이는 사용될 물질 및 용매에 좌우되고 침착 및 건조 조건에 좌우되며 기계적인 실험에 의해 결정될 수 있다는 웰 주변길이/면적(P/A) 비율 효과가 있다. 더욱 특히, 고려될 주 파라미터는 인쇄되는 잉크의 접촉각 및 잉크 건조 속도(점도 변화 및 증발 속도 균형)이며; 다른 파라미터는 인쇄 온도, 건조 온도, 건조 진공 비율 등, 및 "커피-고리 형성"의 정도(커피-고리 형성 정도가 더 크다는 것은 신뢰할만한 완전한 충전을 달성하기 위해 더 낮은 P/A 비율이 허용될 수 있다는 것을 내포한다)를 포함한다. 그러나, 광범위하게 말하여, 더 큰 뱅크 각도에서는 모퉁이로의 위킹(wicking) 및 그에 따른 실질적으로 완전한 웰 충전을 위해 더 낮은 P/A 비율이 요구된다.
따라서 다른 태양에서 본 발명은 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및 용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하 는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법을 제공하고, 상기 웰은 웰 기저 면적 및 웰 주변길이를 갖고, 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 상기 웰의 기저에 대하여 각도를 이루면서 가지며, 상기 뱅크 각도 및 상기 웰 주변길이 대 상기 웰 기저 면적의 비율은 상기 웰 가장자리 상에 또는 그에 인접하여 침착된 소적이 상기 웰 가장자리를 따른 위킹에 의해 퍼지도록 선택된다.
바람직하게는 분자 전자 소자는 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치를 포함한다. 상기 방법에서의 용매는 유기 또는 비극성 용매, 예를 들어 벤젠계 용매를 포함할 수 있고, 뱅크는 소수성의, 예를 들어 불소화된 표면을 가질 수 있다.
이제 본 발명의 상기 및 다른 태양을 첨부된 도면을 참고하여 단지 예시로서 상세히 설명할 것이다.
도 1은 OLED 소자의 한 예의 수직 단면도를 나타낸다.
도 2는 3색 픽셀화 OLED 디스플레이의 부분 평면도를 나타낸다.
도 3a 및 3b는 수동 매트릭스 OLED 디스플레이의 평면도 및 단면도를 각각 나타낸다.
도 4a 및 4b는 각각 용해된 물질 및 건조 물질로 충전된 OLED 디스플레이 기판의 웰의 간략화된 단면도를 나타낸다.
도 5a 및 5b는 용해된 OLED 물질의 소적으로 작은 픽셀 및 큰 픽셀을 충전하는 예를 각각 나타낸다.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 실시양태에 따른 웰-충전의 예를 나타낸다.
도 7a 내지 7e는 각각 고체 표면 상의 액체 소적에 대한 표면력, 및 뱅크 면부가 기판과 이루는 각도를 점진적으로 증가시키는 효과를 나타내는 한 세트의 도면을 나타낸다.
이제 도 6a를 참고하면, 이는 본 발명의 실시양태에 따른 기판(600)의 웰(608)의 간략화된 수직 단면도를 나타낸다. 기판은 애노드층(606)을 포함하며 그 위에는 뱅크(610), 웰(608)의 벽을 한정하는 뱅크의 면부(610a)가 형성된다. 보이는 바와 같이 뱅크(610)의 면부(610a)는 웰(608)의 기저 위로 돌출되어 있다. 도 6a의 기판(600)에서 뱅크 각도는 약 135°, 즉 -45°이고 뱅크의 높이는 약 0.6㎛이다. 도 6a에서 웰은 OLED 물질의 용액(602)으로 충전되며 상기 OLED 물질은 이 예에서는 웰의 정상 위로 넘쳐서 뱅크의 상부 표면과 약 35°의 접촉각을 형성한다. 도 6b는 용매가 증발하여 상기 물질을 갖는 건조 필름(604)이 남은 후의 동일한 기판 및 웰을 웰-한정 면부에 인접하는 뱅크 상부의 작은 침착물과 함께 나타낸다.
도 6a 및 6b로부터 알 수 있듯이, 픽셀 웰 가장자리 주위의 모세관력은 잉크(602)를 웰의 가장자리로 당겨, 약간의 잉크 과충전에도 불구하고 웰 모퉁이(도 6a 및 6b에는 도시되지 않음)로의 양호한 습윤성을 제공한다. 게다가 뱅크를 가로질러 착륙한 부정확하게 위치한 소적은 뱅크 상에서 건조되기보다는 웰 내로 끌어당겨지는 경향이 있다. 이들 효과는 잉크젯 소적의 접촉각보다 큰 뱅크 각도로써 달성된다. 실행에서, 이는 40° 이상의 각도를 의미하며, 이는 가파른(steep) "포지티브" 각도 및 "네거티브" 각도이다. 유체가 웰의 가장자리를 향해 당겨지는 정도는 뱅크의 각도, 유체의 점도, 및 유체가 뱅크와 이루는 접촉각에 의존한다. 적합한 각도는 상이한 뱅크 면부 각도를 갖는 일정 범위의 웰을 제조하여 어느 것이 최적의 성능을 나타내는지를 보는 기계적인 실험에 의해 결정될 수 있다. 일반적으로 웰의 가장자리를 향하여 너무 많은 물질이 끌어당겨져 막 중간이 얇아지지 않은 실질적으로 편평한 건조 필름(604)을 수득하는 것이 바람직하다. 적합한 뱅크 면부 각도의 선택은 도 7을 참고하여 이하에 추가로 설명한다.
도 5b를 다시 참고하면 복수의 더 작은 소적으로부터 형성된 용해된 물질의 점적(514)은 성장하여 웰의 측면에 닿으면 모퉁이로 끌어당겨지는 경향이 있다. 이로써, 불완전 충전 방법, 즉 소적이 웰을 불완전하게 충전한 후, 분배되어 모세관 작용에 의해 웰을 충전하도록 소적을 침착시키는 방법에 의해 웰 내로 분자 전자 물질이 침착될 수 있게 된다.
도 6a 및 6b에 도시된 언더컷 뱅크를 제조하기 위해 다양한 방법이 채용될 수 있다. 바람직하게는 광-한정가능한 중합체 또는 포토레지스트, 예컨대 폴리이미드 또는 아크릴계 포토레지스트를 마스크 또는 망선(reticle)을 사용하여 리쏘그래피법으로 패턴화한 후 현상하여 목적하는 뱅크 면부 각도를 생성한다. 포지티브 또는 네거티브 포토레지스트를 채용할 수 있다(예를 들어 포지티브 레지스트에서 화상을 반전시키는데 사용될 수 있는 화상반전(image reversal)법이 있음). 언더컷 포토레지스트를 수득하기 위해, 포토레지스트를 과소(또는 과대)노출시키고 과현상시킬 수 있으며, 임의적으로 현상 전에 용매에 침지시킴으로써 언더컷 윤곽화(profile)를 보조할 수 있다. 당업자는 포토리쏘그래피에 사용되는 기본적 스핀, 노출, 소결, 현상, 및 세정 절차에 많은 변형이 있음을 알 것이다(예를 들어, 본원에 참고로 인용되는 문헌[A. Reiser, Photoreactive Polymers, Wiley, New York, 1989, page 39] 참조). 몇몇 특히 적합한 레지스트 물질은 유기 전기발광 디스플레이의 제조를 위한 물질을 공급하는 일본의 제온 코포레이션(Zeon Corporation)으로부터 구입가능하다(ELX 시리즈의 네거티브 레지스트 물질, 및 WIX 시리즈의 포지티브 레지스트 물질).
레지스트 뱅크(610)의 높이는 바람직하게는 1.2㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 1.0㎛ 범위이지만, 더 낮은 높이의 뱅크, 예를 들어 0.45㎛ 또는 그보다 낮은 것도 사용할 수 있다.
바람직한 두께 범위의 하한에서, 언더컷 뱅크의 경우에는, 뱅크의 가장자리는 도 6c 및 6d에 도시된 바와 같이 약간 휘어져 립(lip)을 형성하는 경향이 있고, 이는 웰 내의 잉크의 함유를 개선할 수 있다. 이러한 립의 형성은 뱅크 구조 내의 응력 경감과 관련될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 방법에 따른 웰로의 침착은 개선된 웰-충전 및 필름 건조를 제공한다. 이들 이점 각각은 도 7을 참고하여 이하에 더욱 상세히 설명한다.
웰 충전
도 7a는 고체(700)와 액체 점적(702) 사이의 계면 가장자리에서 작용하는 힘 중 일부를 도시한다. 액체 점작의 가장자리는 고체 표면과 각도 θ를 이루며 이 각도는 하기 수학식 1에 의해 액체의 표면 장력 σst, 고체(-증기) 표면 에너지(단위면적당 에너지) σs 및 고체-액체 표면 에너지 σsl과 연관된다.
Figure 112006055807791-PCT00001
상기 수학식은 이하에 설명하는 도 7b 내지 7e를 이해하는데 도움이 된다.
도 7b 내지 7e(축척에 따르지 않음)는 뱅크 면부 경사를 점진적으로 증가시키는 효과를 보여준다. 도 6과 유사한 요소는 유사한 참고번호로 나타낸다. 각각의 도면에 있어서 좌측 도표는 용해된 분자 물질(602)을 함유하는 웰의 가장자리를 형성하는 뱅크 면부의 수지 단면을 나타낸다. 중앙의 도표는 뱅크 가장자리에 걸쳐 있는, 즉 반쪽은 뱅크 면부에, 반쪽은 밑의 애노드에 있는 점적의 형상을 도시한다.
먼저 도 7b를 참고하면, 이는 밑의 기판에 대하여 약 15°의 각도를 갖는 뱅크를 도시하고, 액체 점적은 뱅크의 면부에 약 35°로 접촉한다. 점적이 뱅크 가장자리에 걸쳐 있을 경우, 점적이 웰로 끌어당겨지는 정도에 영향을 미치는 인자 중 하나는 기판에 대한 뱅크의 각도이다. 얕은 뱅크 각도에서, 뱅크 면부와 점적 가장자리 사이의 접촉 면적은 비교적 작다. 따라서, 점적을 낮은 표면 에너지 뱅크 물질로부터 더 높은 표면 에너지 웰 기저로 구동시키기 위한 구동력이 비교적 작다.
뱅크 면부의 경사도가 증가함에 따라 뱅크 면부와 점적 가장자리 사이의 접촉 표면적이 증가하여, 따라서 뱅크로부터 웰로 물질을 끌어당기는 구동력이 증가한다. 이는 도 7d 및 7e의 중앙 도표로 예시된다.
도 7e는 언더컷 또는 돌출한 면부를 갖는 뱅크(610)를 도시한다. 이 배열은 뱅크 면부 상의 점적 가장자리에 대해 특히 높은 접촉 면적을 제공하여, 따라서 뱅크와 웰 기저에 걸쳐 있는 실질적인 모든 점적이 웰로 끌어당겨진다. 도 7e에 도시된 예에서, 면부는 -35° 각도로, 즉 용매의 접촉각과 실질적으로 동일한 각도로 수직으로부터 기울어져 있으나, 다른 네거티브 또는 언더컷 각도도 비슷한 효과를 나타낼 수 있음을 알 것이다.
필름 건조
웰 내에 위치한 점적에 대한 필름 건조에서 뱅크 각도의 효과를 도 7b-7e의 우측 도표에 도시한다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 얕은 포지티브 뱅크 각도에서는 건도 필름의 두께가 뱅크를 향하여 점점 감소하게 된다. 본 발명자들은 이러한 가장자리 두께가 0으로 감소하면, 애노드와 캐쏘드 사이의 단란 및 흐릿하거나 결락된 픽셀이 초래된다는 것을 발견했다.
도 7c는 용매(602)의 접촉각과 실질적으로 동일한 각도의 면부를 갖는 뱅크를 도시하며, 이 경우 두께-거리 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이 실질적으로 편평한 필름이 생성된다. 뱅크 면부의 각도를 점진적으로 증가시키는 것의 효과는 점선으로 나타나고, 뱅크 면부에 인접하게 용매를 상향으로 당기는 경향이 있어, 면부에 인접하는 건조 필름 두께는 증가하고 다른 경우는 감소하는 결과를 초래한다.
도 7d는 기판과 90° 각도인 뱅크 면부를 도시한다. 여기서는 상당한 체적의 용해된 물질이 뱅크 면부에 인접하게 상향으로 끌어당겨진다.
따라서 건조 필름 두께는 뱅크의 높이, 뱅크 각도, 용매 증발(건조 단계) 조건 및 임의의 커피-고리 효과의 정도(또한 잉크 배합, 예를 들어 고체 함량 및 분자량에 영향받음)에 좌우되며 실험(예를 들어 일정 범위의 조건하에 필름을 제조하여 예를 들어 미국 코네티컷주 소재 지고 코포레이션(Zygo Corporation)제의 간섭계를 사용하여 두께-거리 그래프를 생성하는)에 의해 결정될 수 있다. 도 7e의 중앙 도표를 참고하면 용해된 물질을 담지하는 용매가 점적의 측면으로부터 뱅크 면부의 언더컷을 따라 끌어당겨지는 경향이 크다는 것을 알 수 있고, 이는 소적 침착에 의한 웰의 불완전 또는 부분 충전으로부터 실질적으로 완전한 웰-충전을 수득하는데 유용하다. 상기 수학식 1 및 도 7a를 참고하면, 광범위하게 말하여 소적의 "귀(ear)"에서 θ를 cos θ가 증가하도록 감소시켜, 점적을 더 둥근 형태를 향해 당기는 표면 장력을 효과적으로 감소시킨다.
당업자는 전술된 기법이 유기 발광 다이오드(소분자 또는 중합체)의 제조에 한정되지 않으며 물질이 용매에 용해되어 소적 침착 기법에 의해 침착되는 임의의 유형의 분자 전자 소자의 제조에 사용될 수 있음을 알 것이다. 의심할 여지없이 많은 효과적인 대안이 당업자에게 떠오를 수 있으며, 본 발명은 설명된 실시양태에 한정되지 않고 특허 청구범위의 범위 내에서 당해 분야의 숙련자에게 명백한 변형을 포함한다는 것을 이해해야 한다.

Claims (23)

  1. 분자 물질의 침착을 위한 웰(well)을 한정하는 복수의 뱅크(bank)를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및
    용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자(molecular electronic device)의 제조 방법으로서;
    상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부(face)를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저(base)가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고;
    상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이는 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만인 분자 전자 소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이가 1㎛ 미만인 분자 전자 소자의 제조 방법.
  3. 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및
    용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서;
    상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고;
    상기 제조 방법은 표면 습윤에 의해 상기 뱅크 면부를 따라 끌어당겨지는 상기 용해된 물질의 경향을 고려하여 상기 웰 내로 침착시키기 위한 소적의 수를 결정하는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    용해된 물질의 하나 이상의 소적을 착륙시에 퍼져 뱅크 면부에 닿도록 침착시키는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이가 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만인 분자 전자 소자의 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 뱅크를 포토레지스트로부터 리쏘그래피법으로 형성하는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  7. 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및
    용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서;
    상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고;
    상기 제조 방법은 상기 뱅크를 포토레지스트로부터 리쏘그래피법으로 형성하는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 포토레지스트가 네거티브 포토레지스트의 단일층을 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 뱅크 면부 각도가 40° 이상인 분자 전자 소자의 제조 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 뱅크 면부가 언더컷(undercut)인 분자 전자 소자의 제조 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 침착 단계가, 침착시에 상기 기판의 측방향 평면에서 상기 웰을 불완전하게 충전하는 소적을 침착시키는 것을 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  12. 분자 전자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 분자 전자 소자용 기판으로서, 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 상기 웰의 기저가 이루는 각도는 40°보다 크고, 상기 뱅크는 포토레지스트로부터 리쏘그래피법으로 형성되는 분자 전자 소자용 기판.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이가 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만인 분자 전자 소자용 기판.
  14. 분자 전자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 분자 전자 소자용 기판으로서, 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 상기 웰의 기저가 이루는 각도는 30°보다 크고; 상기 웰의 기저 위로의 상기 뱅크의 높이는 2㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 미만인 분자 전자 소자용 기판.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 뱅크가 포토레지스트로부터 리쏘그래피법으로 형성되는 분자 전자 소자용 기 판.
  16. 제 12 항, 제 13 항 및 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포토레지스트가 바람직하게는 네거티브 포토레지스트의 단일층을 포함하는 분자 전자 소자용 기판.
  17. 제 12 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 뱅크 면부 각도가 40°보다 큰 분자 전자 소자용 기판.
  18. 제 12 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 뱅크 면부 각도가 언더컷인 분자 전자 소자용 기판.
  19. 제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 기판을 포함하는 분자 전자 소자.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분자 전자 소자가 유기 발광 다이오드 소자를 포함하는 기판, 방법 또는 소자.
  21. 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및
    용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서;
    상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 갖되, 상기 면부와 웰의 기저가 이루는 각도는 상기 조성물이 상기 뱅크 면부와 이루는 접촉각보다 크고;
    상기 제조 방법은 용해된 분자 전자 물질의 소적을, 상기 소적이 웰 기저를 불완전하게 덮고 모세관 작용에 의해 퍼져서 웰 기저를 덮도록 상기 웰 내로 침착시키는 것을 추가로 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  22. 분자 물질의 침착을 위한 웰을 한정하는 복수의 뱅크를 갖는 기판을 제조하는 단계; 및
    용매중에 용해된 분자 전자 물질을 포함하는 조성물을 소적 침착 기법을 사용하여 상기 웰 내로 침착시켜 소자를 제조하는 단계를 포함하는 분자 전자 소자의 제조 방법으로서,
    상기 웰은 웰 기저 면적 및 웰 주변길이(perimeter)를 갖고, 상기 뱅크는 상기 웰의 가장자리를 한정하는 면부를 상기 웰의 기저에 대하여 각도를 이루면서 가지며,
    상기 뱅크 각도 및 상기 웰 주변길이 대 상기 웰 기저 면적의 비율은 상기 웰 가장자리 상에 또는 그에 인접하여 침착된 소적이 상기 웰 가장자리를 따른 위킹(wicking)에 의해 퍼지도록 선택되는 분자 전자 소자의 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 웰의 모퉁이로의 침착이 위킹에 의해 일어나는 분자 전자 소자의 제조 방법.
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