KR20060131616A - 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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KR20060131616A
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후-쿼 황
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나노포스 테크놀로지 코포레이션
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Abstract

본 발명은 일종의 조사면적을 확장한 발광 다이오드에 관한 것으로서, 일종의 발광 다이오드 칩과 일종의 차폐층을 제시한다. 이중에서, 차폐층은 발광 다이오드 칩의 한 출사면 위에 설치되고, 차폐층의 길이는 발광 다이오드 칩의 출사면 길이에 비해 길거나, 같거나, 혹은 짧으며, 이렇게 하여 발광 다이오드 칩에서 발생한 광원은 차폐층을 통해 회절되고, 발광 다이오드의 조사면적이 확장됨으로써 범위가 보다 넓고, 밝기가 보다 균일한 조명을 얻는다.
발광 다이오드 칩, 출사면, 도선, 표면실장형 내부 전극, 차폐층

Description

확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE WITH LARGER ILLUMINATION AREA}
도 1a는 종래의 표면실장형 발광 다이오드를 도시한다.
도 1b는 종래의 발광 다이오드의 조명 범위를 도시한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예의 차폐층이 발생한 회절을 도시한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 차폐층이 발생한 회절을 도시한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 12는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 차폐층이 발생한 회절을 도시 한다.
도 14는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 15는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 16은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 차폐층이 발생한 회절을 도시한다.
도 17은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 투광 입자를 도시한다.
도 18은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 투광 입자를 도시한다.
도 19는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드를 도시한다.
도 20a는 본 발명의 발광 다이오드 조명 범위를 도시한다.
도 20b는 본 발명의 발광 다이오드 조명 범위를 도시한다.
도 20c는 본 발명의 발광 다이오드 조명 범위를 도시한다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10': 표면실장형 발광 다이오드 20': 발광 다이오드 칩
30': 광원 10: 발광 다이오드 칩
12: 출사면 14: 도선
16: 표면실장형 내부 전극 18: 패키지 본체
20: 차폐층 22: 구멍
30: 제1 파면 32: 제2 파면
34: 광원 40: 차폐층
42: 금속 입자 44: 투광 입자
50: 발광 다이오드
본 발명은 일종의 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 일종의 광원 조사면적을 확장한 발광 다이오드에 관한 것이다.
조명 광원의 발전에 의하면, 그 중에 제일 많이 사용되는 광원은 텅스텐 전구로 형성된 점광원이나, 텅스텐 전구의 소비 전력이 비교적 커서, 각국 산, 학, 연 분야의 전문가들이 적극적으로 거듭 연구하여, 이런 텅스텐 전구의 결함을 개선하고자 하는 요구하에 발광 다이오드가 발생되어, 탁월한 새로운 형식의 점광원이 되었다.
발광 다이오드는 반도체 재료로 제작된 광전 소자이고, 일종의 아주 작은 고체 광원으로서, 전기 에너지를 빛으로 전환할 뿐만 아니라, 부피가 작고, 수명이 길고, 구동 전압이 낮으며, 반응이 빠르고 내진성이 특히 좋아, 각종 응용 장치의 경량화, 초박화, 소형화를 추구하는 요건에 적합하다. 사실상 현재 발광 다이오드는 이미 각종 실내 조명, 키보드 기능키의 신호 표시등, 자동차 브레이크 등, 옥외 전자 광고판 혹은 교통 표지 등과 같이 우리 일상 생활 주변에서 광범위하게 사용되고 있다.
발광 다이오드는 상기 서술한 여러 장점을 지니고 있으며, 도 1a에서 종래의 표면실장형 발광 다이오드의 구조를 도시한다. 도 1a에서, 표면실장형(SMD) 발광 다이오드(10')를 제시하며, 상기 표면실장형 발광 다이오드(10')의 발광 다이오드 칩(20')을 광원으로 쓰고, 또한 발광 다이오드는 점광원이기 때문에 투사각을 더욱 협소하게 하고, 광원(30')은 늘 직선 방향으로 나아가 중간 부분에만 집중하고, 주위가 암흑 상태로 되어, 발광 다이오드(10')의 광원 조사면적을 확장하지 못하며, 형성된 범위는 도 1b에서 도시한 바와 같다. 이외에도, 발광 다이오드로 제작된 조명 설비를 사용할 때, 보다 나은 광원 조명 범위와 조명 효과를 얻고자 하는 경우, 발광 다이오드의 광원 조사면적은 비교적 협소하여, 조명 설비 내에 보다 많은 발광 다이오드를 설치해야 함으로써, 오히려 조명 설비의 원가가 증가한다.
그리고, 현재 종래의 발광 다이오드는 단지 광원의 굴절, 반사를 이용하고 초점 거리 혹은 초점면을 조정해서 발광 다이오드가 점광원인 결함을 개선하여, 발광 다이오드의 조사면적을 증가하나, 굴절, 반사를 이용하고 초점 거리 혹은 초점면을 조정해서 조사면적을 증가하여 배광의 광평면 균일성의 효과 개선은 제한적이며, 원가 또한 비싸다.
그러므로, 일종의 조사면적을 확장한 발광 다이오드를 제시하여, 종래 발광 다이오드의 광원을 면광원의 조사면적으로 확장 못한 결점을 개선하고, 원가를 낮추는 목적을 달성함으로써, 상기 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 주요 목적은 일종의 조사면적을 확장한 발광 다이오드를 제공하는 것이며, 그 조사면적을 확장한 발광 다이오드의 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 일종의 조사면적을 확장한 발광 다이오드를 제공하는 것이며, 그것을 각종 유형 패키지 구조의 발광 다이오드에 적용하는 것이다.
본 발명은 일종의 조사면적을 확장한 발광 다이오드를 제공하며, 그 발광 다이오드의 발광 다이오드 칩의 한 출사면 위에 차폐층을 설치하고, 그 차폐층의 길이는 발광 다이오드 칩의 출사면 길이에 비해 길거나, 짧거나 혹은 같으며, 이렇게 하여 발광 다이오드 칩에서 발생한 광원은 차폐층을 통해 회절되어, 각각 다른 패키지 구조를 사용한 발광 다이오드는 조사면적을 확장할 수 있다. 게다가, 차폐층에 적어도 하나의 구멍을 식각하거나, 혹은 투광 입자를 첨가한 금속 입자를 발광 다이오드 칩에다 인쇄하여, 발광 다이오드 칩의 광원으로 하여금 구멍 또는 투광 입자로 형성된 단일 슬릿, 이중 슬릿 혹은 다중 슬릿을 거쳐 차폐층을 통과할 수 있도록 하여, 새로운 파면을 발생하여 원 회절시 발생하는 근접장 음영의 제한을 개선하고, 광원으로 하여금 근접장에 확장된 조사면적을 형성할 수 있도록 하여, 본 발명의 발광 다이오드는 직하형 배광원이 되게 한다.
본 발명의 구조 특징과 달성한 효과에 대해 보다 쉽게 이해할 수 있도록, 비교적 바람직한 실시예 도면을 상세한 설명과 함께 다음과 같이 설명하였다.
종래 기술에 의할 때, 발광 다이오드의 광원 조사면적을 확장할 수 없어, 보다 많은 발광 다이오드를 가설해야 하고, 그리하여 조명 설비의 원가가 증가하므로, 본 발명은 일종의 조사면적을 확장한 발광 다이오드를 제공하여 상기 서술된 문제를 해결하였다.
본 발명은 발광 다이오드의 광원 조사면적을 확장하는데에 있어, 표면실장형 (SMD) 발광 다이오드, 램프형(LAMP) 발광 다이오드 및 인쇄회로기판형(PCB) 발광 다이오드를 예로 삼아 설명하나, 본 발명은 앞에 서술된 패키지 구조의 발광 다이오드에 제한되지 않으며, 본 발명은 각종 유형 패키지 구조의 발광 다이오드에 적용할 수 있고, 발광 다이오드로 하여금 점광원의 조사면적을 면광원의 조사면적으로 전환되게 하였다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예의 발광 다이오드의 구조를 도시한다. 도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩(10), 및 차폐층(20)을 포함하며, 차폐층(20)은 발광 다이오드 칩(10)의 한 출사면(12) 위에 설치할 수 있다. 이중에서, 차폐층(20)의 길이는 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12)의 길이보다 길고, 발광 다이오드 칩(10)에서 발생한 광원이 차폐층(20)에 도달하면, 광원이 회절(diffraction)하는 제1 파면(30)이 발생하게 되어, 구면과 같은 형상의 제1 파면(30)이 일정 거리를 전파된 후 만나서 확장된 조사면적을 형성함으로써, 발광 다이오드 광원의 조사면적을 확장하는 목적을 달성하고, 또한 제1 파면(30)이 만나서 제1 파면(30)의 간섭을 발생 함으로써, 발광 다이오드 광원의 조명 밝기를 도 3에 도시한 바와 같이 균일하게 한다. 본 실시예에서, 본 발명의 차폐층(20)의 길이는 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12)의 길이보다 긴 예이며, 이외에도 차폐층(20)의 길이는 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12)의 길이에 비해 같거나 짧을수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드의 구조를 도시한다. 이중에서 도 2와 도 4의 다른 점은 도 2의 차폐층(20)은 패키지 본체(18) 내 부의 발광 다이오드 칩(10) 위에 설치되어있고, 도 4의 차폐층(20)은 패키지 본체(18) 위에 설치되어있다. 본 발명의 발광 다이오드 칩(10)은 패키지 본체(18) 내부에 설치되어있고, 차폐층(20)은 패키지 본체(18) 위에 설치되어있어, 즉 발광 다이오드 칩(10) 위에 설치되어있다. 이와 같이 발광 다이오드 칩(10)은 차폐층(20)을 거쳐 범위가 더큰 광원 조사면적을 형성하고, 이는 발광 다이오드 칩(10)에서 발생한 광원은 차폐층(20)을 거쳐 각도가 더큰 광원 조사면적을 형성하고, 즉 제1 파면(30)이 회절과 갑섭을 걸쳐 형성한 범위이다.
상기 차폐층(20)의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 산화티탄, 이산화규소, 산화아연, 산화납, 산화바륨, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 알루민산염, 규산염, 스트론튬 알루미네이트, 티탄산염, 규산알루미늄, 황화 아연 및 이들의 조합에서 택일할 수 있다. 그러므로, 도선(14)과 SMD 전극(16)이 전기적으로 연결되면, 차폐층(20)의 재료는 도전 재료이므로, 발광 다이오드 칩(10)은 차폐층(20)을 거쳐 도전되어 도전층을 형성하고, 광원으로 하여금 차폐층(20)과 SMD 전극(16) 사이에서 거울과 같은 전반사가 발생하여, 회절된 제1 파면(30)을 발생한다. 이와 같이 제1 파면(30)이 일정 거리를 지난 후 만남으로써 광원의 조명 범위를 형성하고, 또한 제1 파면(30)이 만나면서 발생한 간섭은 밝기를 균일하게 한다.
도 5 내지 도 8에서, 도 5와 도 6은 본 발명을 적용한 램프형 발광 다이오드의 구조를 도시하며, 도 7과 도8은 본 발명을 적용한 인쇄회로기판형 발광 다이오드의 구조를 도시한다. 도면에서 도시한 바와 같이, 본 발명은 차폐층(20)을 램프형 발광 다이오드의 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12) 위에 설치하거나, 혹은 차 폐층(20)을 인쇄회로기판형 발광 다이오드의 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12)위에 설치할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(10)이 광원을 발생하면, 차폐층(20)을 거쳐 회절된 제1 파면(30)을 발생하여, 램프형 발광 다이오드 혹은 인쇄회로기판형 발광 다이오드의 광원 조사면적을 확장하며, 즉 제1 파면(30)이 회절과 갑섭을 걸쳐 형성한 범위이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드의 구조를 도시한다. 이중에서, 도 2와 도 9의 다른 점은 도 2의 차폐층(20)은 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12) 위에 설치되어있고, 도 9의 차폐층(20)은 식각공정으로 형성된 구멍(22)을 더 포함한다. 본 발명의 차폐층(20)에는 하나의 구멍(22)을 설치하여, 발광 다이오드 칩(10)에서 발생한 광원으로 하여금 차폐층(20)의 구멍(22)을 거쳐 단일 슬릿으로 회절된 제2 파면(32)을 발생하게 하며, 이렇게 하여, 차폐층(20)에 구멍(22)을 설치하여 구멍(22) 위에서 제2 파면(32)을 발생함으로써, 제2 파면(32)과 제1 파면(30)은 광원의 조사면적을 확장하는 거리를 짧게 만들어, 즉 보다 가까운 거리 내에서 광원의 확장된 조사면적을 형성할 수 있다. 도 10에서 도시한 바와 같이, 제1 파면(30)과 제2 파면이 형성한 확장된 조사면적은 발광 다이오드 칩(10)의 양측에서 발생한 제1 파면(30)과 차폐층(20) 위에서 구멍(22)으로 형성된 단일 슬릿을 거쳐 발생한 제2 파면(32)으로 형성되고, 또한 제2 파면(32)과 제1 파면(30)으로 형성된 간섭으로 밝기가 균일하다.
도 11에서 도시한 바와 같이, 하나의 구멍(22)을 포함한 차폐층(20)을 패키지 본체(18) 위에 설치할 수 있으며, 구멍(22)으로 형성된 단일 슬릿을 거쳐 발생 된 제2 파면(32)은 제1 파면(30)과 함께 밝기가 균일한 확장된 조사면적을 구성한다. 이중에서 차폐층(20)의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 산화티탄, 이산화규소, 산화아연, 산화납, 산화바륨, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 알루민산염, 규산염, 스트론튬 알루미네이트, 티탄산염, 규산알루미늄, 황화 아연 및 이들의 조합에서 택일할 수 있다.
또한, 도 12와 도14에서 도시한 바와 같이, 차폐층(20)에 다수의 구멍(22)을 설치할 수 있으며, 도 12의 차폐층(20)은 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12)에 설치하였고, 이중에서 발광 다이오드의 광원은 차폐층(20)을 거쳐 제1 파면(30)을 발생하고, 또한 다수의 구멍(22)으로 형성된 다중 슬릿을 거쳐 회절된 제2 파면(32)을 발생하여, 제1 파면(30)과 제2 파면(32)은 도 13에서 도시한 바와 같이 서로 간섭하여 확장된 조사면적을 형성하고, 제1 파면(30)은 제2 파면(32)과 함께 발광 다이오드 칩(10)과 가까운 공간에서 큰 조사면적을 형성한다. 도 14의 차폐층(20)은 패키지 본체(18) 위에 설치하여, 다수의 구멍(22)으로 인한 다중 슬릿 회절로 제2 파면(32)을 발생하였다. 차폐층(20)의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 산화티탄, 이산화규소, 산화아연, 산화납, 산화바륨, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 알루민산염, 규산염, 스트론튬 알루미네이트, 티탄산염, 규산알루미늄, 황화 아연 및 이들의 조합에서 택일할 수 있어, 다수의 구멍(22)은 식각공정 혹은 인쇄도포공정으로 차폐층(20)에 형성할 수 있고, 구멍(22)의 설치는 식각공정이나 혹은 인쇄도포공정으로 정확하게 양산할 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 발광 다이오드의 구조를 도시 한다. 이중에서 도 12와 도 15의 다른 점은 도 12의 차폐층(20)은 식각공정으로 다수의 구멍(22)을 형성하였고, 도 15의 차폐층(40)은 스크린 인쇄로 형성하였으며, 투광 입자(44)를 첨가한 금속 입자(42)를 이용하여 스크린 인쇄로 금속 입자(42)와 투광 입자(44)를 포함한 차폐층(40)을 형성하고, 발광 다이오드의 광원은 투광 입자(44)를 통과하여 제2 파면(32)을 발생한다. 더욱이 본 발명의 발광 다이오드는 스크린 인쇄를 사용하여, 다수의 금속 입자(42)에 투광 입자(44)를 첨가하여 차폐층(40)을 형성한다. 그리고 차폐층(40)은 투광 입자(44)로 발광 다이오등 칩(10)에서 발생한 광원을 통과시키고, 투광 입자(44)로 형성된 다중 슬릿은 제2 파면(32)을 발생한다. 도 16에서 도시한 바와 같이, 차폐층(40)에서 발생한 제1 파면(30)과 투광 입자(44)에서 발생한 제2 파면(32)은 광원으로 하여금 근접장에서 확장된 조사면적을 형성하도록 하고, 나아가 제1 파면(30)과 제2 파면(32)의 상호 간섭으로 밝기를 균일하게 하였다.
위에 서술한 발광 다이오드의 광원이 다중 슬릿을 통과한 후 모든 슬릿에서 하나의 새로운 파면이 발생하고, 각 파면은 각기 독립된 구면파가 되어, 파동과 파동 사이에서 상호 간섭이 발생한다. 파면의 간섭 현상은 보강 간섭을 포함하고, 보강 간섭은 밝은 무늬를 발생하여, 원 광원이 회절된 후 근접장의 음영 부분을 보상함으로써, 밝기가 균일한 직하형 배광원이 된다.
이중에서 투광 입자(44)의 재료는 금속산화물, 황화물, 형광체 분말 및 이들의 조합에서 택일할 수 있고, 모양 또한 구형 또는 불규칙형으로, 도 17 및 도 18에서 도시한 바와 같고, 그 중 도 17의 광원(34)은 구형 투광 입자(44)를 통과하여 투광 입자(44)의 곡면에서 교집되어, 광원(34)으로 하여금 투광 입자(44)를 통과한 후 확산하게 하여 마침 슬릿에 의해 회절된 것 같은 파면을 형성한다. 도 18의 광원(34)은 불규칙형 투광 입자(44)를 통과한 모든 점에서 다른 방향으로 출사되어, 광원 확산으로 인해 마침 슬릿에 의해 회절된 것 같은 파면을 형성한다. 게다가, 차폐층(40)을 발광 다이오드 칩(10)의 출사면(12) 위에 인쇄할 수 있는 것외에도, 도 19에서 도시한 바와 같이, 차폐층(40)을 패키지 본체(18) 위에 인쇄하여, 차폐층(40)에서 제1 파면(30)을 발생하고, 투광 입자(44)에서 광원이 확산된 제2 파면(32)을 발생한다.
다음은 발광 다이오드가 직하형 배광원인 경우에 형성되는 조명 범위에 대해 설명하였다.
도 20a 내지 도 20c에서, 본 발명의 발광 다이오드 조명 범위를 도시한다. 도면에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드(50)는 차폐층에 설치된 구멍 또는 투광 입자 개수가 많고 적음에 따라 3종의 조명 범위를 형성한다. 도 20a에서, 제1종 조명 범위는 발광 다이오드(50)의 차폐층에 적은 개수의 구멍 또는 투광 입자가 설치되어, 중간 부분이 약간 오목하게 들어간 골짜기 모양의 조명 범위를 형성한다. 도 20b에서, 제2종 조명 범위는 발광 다이오드(50)의 차폐층에 적절한 개수의 구멍 또는 투광 입자가 설치되어, 중간 부분이 평탄한 고원 모양의 조명 범위를 형성한다. 도 20c에서, 제3종 조명 범위는 발광 다이오드(50)의 차폐층에 너무 많은 개수의 구멍 또는 투광 입자가 설치되어, 중간 부분이 돌출한 언덕 모양의 조명 범위를 형성한다.
이외에도, 제1 파면(30)과 제2 파면(32)이 형성한 간섭 현상은 균일한 밝기의 광원을 제공하므로, 본 발명의 조사면적을 확장한 발광 다이오드는 빛의 회절과 간섭으로 형성된 비교적 낮은 원가의 면광원을 원가가 낮은 직하형 배광원으로 하였다.
요약해서, 본 발명은 일종의 조사면적을 확장한 다이오드로서, 발광 다이오드 칩과 차폐층의 배합으로, 차폐층을 통해 광원의 회절을 발생하여 발광 다이오드의 조사면적을 확장하였다. 차폐층에는 적어도 하나의 구멍 또는 투광 입자를 설치하고, 광원으로 하여금 구멍 또는 투광 입자가 형성한 단일 슬릿, 이중 슬릿 혹은 다중 슬릿을 통과하게 하여 새로운 점광원이 회절하는 파면을 형성하므로, 발광 다이오드 광원의 근접장에서 확장된 조사면적을 형성하고, 또한 회절하는 파면으로 형성된 간섭은 밝기를 균일하게 함으로써, 직하형 배광원을 구성한다. 그리고, 본 발명은 다른 패키지 구조의 발광 다이오드에도 확장된 광원 조사면적을 제공하고 광원의 밝기를 균일하게 할 수 있으며, 조명 설비 내의 발광 다이오드의 개수를 감소할 수 있어, 원가 절약의 목적을 달성한다.
상기 서술은 단지 본 발명의 바람직한 일 실시예이고, 결코 본 발명의 실시예의 범위를 제한하지 않는다. 본 발명의 특허청구범위에서 서술한 모양, 구조, 특징 및 사고방식 등에 대해 실시된 변형예와 수정예 등은 모두 본 발명의 특허청구범위에 포괄되어야 한다.

Claims (33)

  1. 조사면적을 확장한 발광 다이오드로서,
    발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광 다이오드 칩의 일 출사면 위에 설치된 차폐층
    을 포함하고, 그 중 상기 차폐층의 길이는 상기 발광 다이오드 칩의 상기 일 출사면의 길이에 비해 긴 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차폐층은 상기 발광 다이오드 칩의 패키지 본체 위에 설치할 수 있는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 램프형, 인쇄회로기판형, 정면발광형, 측면발광형 혹은 표면실장형 등의 패키지 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 차폐층은 도전 재질인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발 광 다이오드.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전 재질은 금, 은, 구리, 알루미늄, 산화티탄, 이산화규소, 산화아연, 산화납, 산화바륨, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 알루민산염, 규산염, 스트론튬 알루미네이트, 티탄산염, 규산알루미늄, 황화 아연 및 이들의 조합에서 택일하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 차폐층에는 적어도 하나의 구멍 혹은 적어도 하나의 슬릿을 설치하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 차폐층에는 식각공정 혹은 인쇄도포공정을 사용하여 상기 적어도 하나의 구멍 혹은 상기 적어도 하나의 슬릿을 설치하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 차폐층은 적어도 하나의 투광 입자를 첨가한 다수의 금속 입자인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 투광 입자의 재료는 금속산화물, 황화물, 형광체 분말 및 이들의 조합에서 택일하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 투광 입자는 구형 또는 불규칙형인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 차폐층에 사용한 공정은 식각공정, 스크린 인쇄, 평판 인쇄, 볼록판 인쇄, 요판 인쇄 혹은 전사 인쇄를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  12. 조사면적을 확장한 발광 다이오드에 있어서,
    발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광 다이오드 칩의 일 출사면 위에 설치된 차폐층
    을 포함하고, 그 중 상기 차폐층의 길이는 상기 발광 다이오드 칩의 상기 일 출사면의 길이에 비해 짧은 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 차폐층은 상기 발광 다이오드 칩의 패키지 본체 위에 설치할 수 있는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 램프형, 인쇄회로기판형, 정면발광형, 측면발광형 혹은 표면실장형 등의 패키지 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 차폐층은 도전 재질인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 도전 재질은 금, 은, 구리, 알루미늄, 산화티탄, 이산화규소, 산화아연, 산화납, 산화바륨, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 알루민산염, 규산염, 스트론튬 알루미네이트, 티탄산염, 규산알루미늄, 황화 아연 및 이들의 조합에서 택일하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 차폐층에는 적어도 하나의 구멍 혹은 적어도 하나의 슬릿을 설치하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 차폐층에는 식각공정 혹은 인쇄도포공정을 사용하여 상기 적어도 하나의 구멍 혹은 상기 적어도 하나의 슬릿을 설치하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 차폐층은 적어도 하나의 투광 입자를 첨가한 다수의 금속 입자인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 투광 입자의 재료는 금속산화물, 황화물, 형광체 분말 및 이들의 조합에서 택일하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 투광 입자는 구형 또는 불규칙형인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 차폐층에 사용한 공정은 식각공정 혹은 스크린 인쇄를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  23. 조사면적을 확장한 발광 다이오드에 있어서,
    발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광 다이오드 칩의 일 출사면 위에 설치된 차폐층
    을 포함하고, 그 중 상기 차폐층의 길이는 상기 발광 다이오드 칩의 상기 일 출사면의 길이에 비해 같은 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 차폐층은 상기 발광 다이오드 칩의 패키지 본체 위에 설치할 수 있는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 램프형, 인쇄회로기판형, 정면발광형, 측면발광형 혹은 표면실장형 등의 패키지 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 차폐층은 도전 재질인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 도전 재질은 금, 은, 구리, 알루미늄, 산화티탄, 이산화규소, 산화아연, 산화납, 산화바륨, 산화알루미늄, 티탄산바륨, 알루민산염, 규산염, 스트론튬 알루미네이트, 티탄산염, 규산알루미늄, 황화 아연 및 이들의 조합에서 택일하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  28. 제23항에 있어서,
    상기 차폐층에는 적어도 하나의 구멍 혹은 적어도 하나의 슬릿을 설치하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 차폐층에는 식각공정 혹은 인쇄도포공정을 사용하여 상기 적어도 하나의 구멍 혹은 상기 적어도 하나의 슬릿을 설치하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  30. 제23항에 있어서,
    상기 차폐층은 적어도 하나의 투광 입자를 첨가한 다수의 금속 입자인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 투광 입자는 구형 또는 불규칙형인 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 투광 입자의 재료는 금속산화물, 황화물, 형광체 분말 및 이들의 조합에서 택일하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 차폐층에 사용한 공정은 식각공정 혹은 스크린 인쇄를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장된 조사면적을 갖는 발광 다이오드.
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