KR20060129242A - 저전력 진폭 변조 검출기 - Google Patents

Abstract

피드백을 갖는 토템 폴 상보성 금속 산화물 반도체 트랜지스터들을 이용하여, 토템 폴 내의 트랜지스터들에 거린 것의 대략 절반인 공통 게이트 전압을 제공하는 AM 복조기. 듣기 보조 장치 및 듣기 보조 장치의 프로그래머에서 이용된 AM 복조기.

피드백, PMOS 트랜지스터, NMOS 트랜지스터, 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터, 컨트롤러, 안테나

Description

저전력 진폭 변조 검출기{LOW POWER AMPLITUDE MODULATION DETECTOR}

본 출원은 일반적으로 무선 통신에 관한 것으로, 특히 통신에 이용된 저전력 진폭 변조 검출기에 관한 것이다.

매일 사용되는 장치들에서 무선 통신 전자 장치들이 점증적으로 발견된다. 통신 전자 장치들이 점점 더 많은 장치들에 부가됨에 따라 새로운 특성들 및 기술적 도전들이 생겨난다. 풍부한(rich) 통신 특성(communications features) 세트를 갖는 장치들의 증가하는 어레이 사이에서 통신들이 지원된다. 무선 장치들로의 이동은 한동안은 계속될 것이다.

통신 전자 장치들의 확산과 관련된 문제들중 하나는 전자 장치들의 공간 및 전력 소모를 포함한다. 또한, 신뢰성 있는 통신 및 낮은 오류율(failure rates)을 확보하기 위하여 견고한(robust) 설계가 필요하다.

따라서, 더 작은 공간 및 전력 소모를 요구하는 무선 통신 전자 장치들에 대한 요구가 업계에 존재한다. 전자 장치들들은 저비용 구성 및 제조 오버헤드(manufacturing overhead)를 제공하는 세련된 설계들로 신뢰성 있는 통신을 제공하는 견고한 회로들을 포함하여야 한다.

발명의 개요

본 출원은 상기 업계에서의 요구 및 여기에서 기술되지 않은 다른 요구들을 다룬다. 여기에 기술된 다양한 실시예들은 저전력 및 컴팩트 AM(amplitude modulation) 검출기에 관한 것이다. 이 실시예들의 일부 장점들은 셀프-바이어싱, 내부 기생용량을 이용하는 빌트인 RF 캐리어 필터링, 조절 가능한 AM 검출 이득, 저전력 요건, 비교적 높은 입력 임피던스, 표준 CMOS 트랜지스터들의 통합, 및 추가적인 설계 융통성을 제공하기 위하여 AM 검출기의 상승 및 하강 시간들을 독립적으로 구성하는 능력을 포함한다.

하나의 측면은 장치에 관한 것이다. 다양한 실시예들에 따르면, 상기 장치는 제1 드레인 및 제1 소스를 갖는 p채널 금속 산화물 반도체(PMOS) 트랜지스터, 및 제2 드레인 및 제2 소스를 갖는 n채널 금속 산화물 반도체(NMOS) 트랜지스터를 포함한다. PMOS 트랜지스터의 제1 소스는 출력 노드에서 제1 부하(load)에 연결된다. 제1 부하는 제1 전압 기준(reference)으로의 다른 연결을 갖는다. NMOS 트랜지스터의 제2 드레인은 피드백 노드에서 PMOS 트랜지스터의 제1 드레인에 연결된다. NMOS 트랜지스터는 제2 부하에 연결된 제2 소스를 갖는다. 제2 부하는 제2 전압 기준으로의 다른 연결을 갖는다. PMOS 트랜지스터의 제1 게이트 및 NMOS 트랜지스터의 제2 게이트는 결합 커패시터(coupling capacitor)에 연결된다. 결합 커패시터는 무선 주파수 입력 신호들을 수신한다. 제1 게이트 및 제2 게이트는 피드백 노드로부터 피드백을 수신한다.

하나의 측면은 컨트롤러에 연결된 마이크로폰, 컨트롤러에 연결된 수신기, 및 통신 전자 장치에 연결된 안테나를 포함하는 장치에 관한 것이다. 통신 전자 장치는 컨트롤러에 연결된다. 통신 전자 장치는 컨트롤러에 연결된다. 통신 전자 장치의 일 실시예는 제1 드레인 및 제1 소스를 갖는 p채널 금속 산화물 반도체(PMOS) 트랜지스터, 및 제2 드레인 및 제2 소스를 갖는 n채널 금속 산화물 반도체(NMOS) 트랜지스터를 포함한다. PMOS 트랜지스터의 제1 소스는 출력 노드에서 제1 부하에 연결된다. 제1 부하는 제1 전압 기준으로의 다른 연결을 갖는다. NMOS 트랜지스터의 제2 드레인은 피드백 노드에서 PMOS 트랜지스터의 제1 드레인에 연결된다. NMOS 트랜지스터는 제2 부하에 연결된 제2 소스를 갖는다. 제2 부하는 제2 전압 기준으로의 다른 연결을 갖는다. PMOS 트랜지스터의 제1 게이트 및 NMOS 트랜지스터의 제2 게이트는 결합 커패시터에 연결된다. 결합 커패시터는 무선 주파수 입력 신호들을 수신한다. 제1 게이트 및 제2 게이트는 피드백 노드로부터 피드백을 수신한다.

하나의 측면은 방법에 관한 것이다. 상기 방법의 다양한 실시예들에 따르면, 진폭 변조된 신호가 수신되고, 진폭 변조된 신호는, 피드백 신호를 포함하는 상보성 금속 산화물 반도체 트랜지스터들의 토템 폴(totem pole) 구성을 포함하는 용량 결합된 복조기로 처리되어 복조된 신호를 생성한다.

본 개요는 본 출원의 교시들중 일부의 개관으로서 본 발명의 주제의 배타적(exclusive)이거나 완전한(exhaustive) 취급이 되도록 의도되는 것은 아니다. 본 발명의 주제에 대한 보다 상세한 세부사항들은 상세한 설명부 및 첨부된 청구범위에서 발견된다. 다른 측면들은, 이하의 상세한 설명을 판독 및 이해하고 그 일부를 형성하는 도면(각각은 제한적인 의미로 간주되지는 않음)을 관찰함으로써 당 업자에게는 자명할 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위들 및 그들의 법률적인 균등물에 의해 한정된다.

다양한 실시예들은 동일한 참조부호들이 유사한 요소들을 나타내는 첨부도면들에서 제한이 아닌 예로서 예시된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저전력 AM 검출기에 관한 것이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 듣기 보조 장치의 저전력 AM 검출기를 도시한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 프로그래밍 장치의 저전력 AM 검출기를 도시한다.

이하의 설명에서는, 설명을 목적으로, 다양한 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위하여 다수의 특정한 세부사항들이 설명된다. 그러나, 이 특정한 세부사항들중 일부가 없이도 다양한 실시예들이 수행될 수 있음이 당업자에게는 자명할 것이다. 이하의 설명 및 도면은 예시를 위한 예들을 제공하는 것이며, 제한적인 의미에서 의도되는 것은 아니며 모든 가능한 실시들의 완전한 취급을 제공하는 것이 의도되지 않는다.

본 개시에서 "일", "하나", 또는 "다양한" 실시예들에 대한 참조는 반드시 동일한 실시예가 아니며, 그러한 참조는 하나 이상의 실시예를 고려한다.

본 개시는 무선 통신에 관한 것으로 특히 AM(amplitude modulation) 검출에 관한 것이다. AM은 무선 통신을 위하여 정보를 전달하거나 무선 신호를 "변조"하는 하나의 방법이다. 진폭 변조된 신호(AM 신호)를 생성하기 위하여 송신될 정보를 나타내는 진폭 변화들(amplitude variations)로 캐리어 신호가 변조된다. AM 신호는 송신기 안테나로부터 수신기 안테나로 전달된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 AM 복조기를 도시한다. 수신된 AM 신호는 그 후 RF 입력(10)으로서 도 1에 도시된 복조 회로(50)에 전달된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, AM 신호는 결합 커패시터(12)를 통과하고 도시된 복조 회로(50)에 의해 복조되어 복조된 출력(14)을 제공한다. 복조된 출력(14)은 송신 시스템에 의하여 초기에 변조된 정보를 갖는 신호이다. 일 실시예에서, 복조된 출력(14)은 DC 결합된다. 다른 연결들 및 컴포넌트들은 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 가능하다.

도 1의 회로는 다양한 실시예들에서 구현된다. 예를 들면, 일 실시예에서, 도 1의 회로는 집적 회로상에서 구현된다. 일 실시예에서, 트랜지스터들(20 및 30)은 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터들(MOSFETs)이다. 일 실시예에서, 트랜지스터(20)는 P채널 금속 산화물 반도체(PMOS)이고 트랜지스터(30)는 N채널 금속 산화물 반도체(NMOS)이다. 일 실시예에서, 트랜지스터(20) 및 트랜지스터(30)는 CMOS 트랜지스터들이다. 일 실시예에서, CMOS 트랜지스터들은 표준 CMOS 트랜지스터들이다.

변경 실시예들에서, 트랜지스터들은 단일의 1차 전지가 이용될 수 있게 하는, 약 6 볼트의 임계 전압들(Vt)을 갖는다. 그러나, 회로는 어떠한 특정의 임계 전압에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 임계 전압은 트랜지스터 설계 사양 및 제조 프로세스에 따라 다른 실시예들에서는 .2 내지 5 볼트 범위에 있다. 일 실시예에서 동작 전압 VCC(16)는 1.2 볼트이다. 그러나, VCC(16)는 선택된 트랜지스터의 유형에 따라, 본 발명의 회로의 변경 실시예들에서는 .5 내지 10 볼트에서 가변할 수 있다. 일 실시예에서, 바이폴라 전압 전원은 복조 회로(50)에 걸리는 전압을 제공한다. 그러한 실시예에서, 그라운드(18)는 네가티브 전압 전원으로 대체된다.

복조 회로(50)에 인가된 공급 전압과 트랜지스터들의 임계 전압들 간의 관계는, 상보성 트랜지스터들이 게이트에 걸친 전압을 자체 조절하고, 각각의 트랜지스터의 임계 전압을 공급하도록(source) 되어, 트랜지스터가 드레인과 소스 사이에 전류를 도통시키고 있는 것을 확실히 한다.

변경 실시예들에서, 저항 R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 저항 회로 소자로서 연결된 트랜지스터들이다. 변경 실시예들에서 저항 R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 저항 소자들이다. 변경 실시예들에서, 저항 R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 이산 저항들(discrete resistors)이다. 본 발명의 시스템의 범위로부터 벗어나지 않고 변경된 조합들이 가능하다.

도 1에 의하여 제공된 실시예에서, 저항 R1은 전원(16)으로부터 PMOS 트랜지스터(20)의 소스 S에 연결된다. 저항 R2는 NMOS 트랜지스터(30)의 소스 S로부터 그라운드(18)에 연결된다. 저항 R3은 트랜지스터들(20 및 30)의 공통 연결된 게이트들 G로부터 드레인-소스 연결에 접속된다.

도 1의 실시예에서, 저항 R1 및 R2가 이용되어 독립적인 RC 시정수들을 설정한다. R2는 어택 시간(attack time)을 설정하고 R1은 릴리스 시간(release time)을 설정한다. RC 시정수에서의 커패시턴스는 트랜지스터 구조, 바이어스 조건, 및 부하 커패시턴스에 의하여 결정된다.

대칭 출력 순간 응답을 제공하는 것이 원하여지는 응용에서는, R1 및 R2는 동일한 값을 가지며 통상적으로는 10k 내지 100k 옴이다. 빠른 어택 시간 및 느린 릴리스 시간을 제공하는 것이 원하여지는 응용의 경우에는, R1은 50-500k 옴의 높은 저항으로 설정되고 R2는 0 옴으로 설정될 것이다.

저항 R3은 PMOS(20)의 소스 S에서의 전압과 NMOS(30)의 소스 S에서의 전압 사이에 게이트 전압을 설정하는 DC 네가티브 피드백 설정을 제공한다. 다양한 실시예들에서, DC 네가티브 피드백은 PMOS(20)의 소스 S와 NMOS(30)의 소스 S 사이의 전압의 대략 절반으로 게이트 전압을 설정한다.

R3는 통상적으로 50 k 내지 500 k 옴이다. R3는 피드백 저항이며 회로의 입력 임피던스 및 복조 이득을 제어한다. R3를 상승시키는 것은 회로의 입력 임피던스를 증가시키고 복조 이득을 증가시키는 한편 그것을 낮추는 것은 그 반대의 효과를 갖는다.

본 실시예에서, 검출기는 반대로 된다. 따라서, 입력 RF 신호를 증가시키는 것은 검출기의 출력에서의 전압을 떨어뜨리게 된다.

본 실시예는 AM 신호들을 복조하는 검출기 회로를 제공한다. AM 다이오드 검출기들과 달리 본 설계는, 변경 실시예들에서, 토템 폴 구성의 두개의 셀프-바이어싱 N 및 P 채널 트랜지스터들을 제공한다. 상기 설계는 세련된, 저비용의, 시뮬레이션이 용이한, 표준 다이오드 검출기들보다 더 융통성 있는 검출기를 제공한다. 본 설계는 셀프 바이어싱하며 내부 기생용량(internal parasitic capacitance)을 이용하는 빌트인 RF 캐리어 필터링을 제공한다. 상기 설계는 또한 조절 가능한 AM 검출 이득, 극히 적은 전력 소모, 다이오드 검출기보다 높은 입력 저항, 및 부가된 융통성을 위하여 독립적으로 구성 가능한 검출기 상승 및 하강 시간들을 제공한다. 본 설계는 변경 실시예들에서 컴팩트하며 집적 회로 상에서 구현된다. 변경 실시예들에서, 트랜지스터들은 표준 CMOS 트랜지스터들이다. 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 다른 실시예들이 가능하다.

결합 커패시터(coupling capacitor, 12)를 갖는 복조 회로(50)가 도시되지만, 다른 실시예들에서 결합 커패시터(12)는 복조기 회로(50)의 나머지 전자 장치들의 외부에 있다.

변경 실시예들에서, 본 발명의 설계는 입력에 주파수 선택 장치를 포함하여 인커밍 AM 신호의 원하는 캐리어 주파수와 부합하는 대역을 선택한다. 일 실시예에서, 안테나와 RF 입력(10) 사이에 튜닝 소자가 삽입되어 대역 제한된 RF 신호들을 RF 입력(10)에 제공한다.

변경 실시예들에서, 본 발명의 설계는 임의의 수신기에서 이용되어 수신된 AM 통신들을 제공한다. 본 발명의 설계의 이용의 다양한 예들은 다음과 같은 추가적인 실시예들에 의하여 예시지만, 그러한 예들은 그 변경 실시예들에서 완전하거나 본 발명의 설계의 적용들을 포괄하는 것으로 의도되지 않는다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 듣기 보조 장치(hearing assistance device) 내의 저전력 AM 검출기를 예시한다. 듣기 보조 장치(270)는 안테나(240), 통신 전자 장치들(250), 컨트롤러(210), 마이크로폰(220) 및 수신기(230)를 포함한다. 통신 전자 장치들(250)은 도 1과 연관하여 그리고 변경 실시예들에서 설명된 바와 같은 AM 복조기를 포함한다. 일 실시예에서, 통신 전자 장치들(250)은 수신기부를 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(250)은 수신기 및 송신기부들을 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(250)은 하프-듀플렉스(half-duplex) 통신을 제공한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(250)은 풀-듀플렉스(full-duplex) 통신을 제공한다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 실시예들이 가능하다.

변경 실시예들에서, 장치(270)는 컨트롤러(210) 및 통신 전자 장치들(250)에 대한 전원(도시하지 않음)을 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(250)은 통신을 수행하기 위한 하드웨어, 및 하드웨어 및 소프트웨어를 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(250)은 반사 통신(reflective communications) 기술을 이용하여 외부 전원에 의하여 전원이 공급된다. 변경 실시예들에서, 전자 장치들(260)로서 집합적으로 표시된, 컨트롤러(210) 및 통신 전자 장치들(250)은 집적 회로 또는 하이브리드 회로 설계로 구현된다. 변경 실시예들에서는 다양한 평면 또는 비평면 기판 안테나(240)도 결합 가능하다. 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상기에 대한 다른 적용들, 실시예들, 및 조합들이 가능하다.

일 실시예에서, 듣기 보조 장치(270)는 보청기(hearing aid)이다. 일 실시예에서, 듣기 보조 장치(270)는 귓속 보청기(in the ear hearing aid)이다. 일 실시예에서, 듣기 보조 장치(270)는 귀 위 보청기(over the ear hearing aid)이다. 일 실시예에서, 듣기 보조 장치(270)는 완전히 귓속 보청기이다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 듣기 보조 장치들이 가능하다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 프로그래밍 장치(330) 내의 저전력 AM 검출기를 예시한다. 무선 프로그래밍 장치(330)는 통신 전자 장치들(350), 컨트롤러(310), 메모리(360), 및 입력 장치(320)를 포함한다. 안테나(340)는 무선 프로그래밍 장치(330)에 연결되며 선택적으로는 장치(330)의 하나의 컴포넌트이다. 상이한 조합들 및 연결들이 가능하며 여기에 도시된 것들은 예시적인 것이고 본 발명의 시스템의 실시예들을 완전하게 또는 배타적으로 제공하는 것을 의도하는 것은 아니다. 다양한 통신 경로들, 및 전원들은 도시되지 않는다.

일 실시예에서, 통신 전자 장치들(350)은 도 1과 연계하여 그리고 변경 실시예들에서 전술된 바와 같은 AM 복조기를 포함한다. 일 실시예에서, 통신 전자 장치들(350)은 수신기부를 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(350)은 수신기 및 송신기부들을 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(350)은 하프-듀플렉스 통신을 제공한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(350)은 풀-듀플렉스 통신들을 제공한다. 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 다른 실시예들이 가능하다.

변경 실시예들에서, 장치(330)는 컨트롤러(310) 및 통신 전자 장치들(350)을 위한 하나의 전원(도시하지 않음)을 포함한다. 변경 실시예들에서, 통신 전자 장치들(350)은 통신을 수행하기 위한 하드웨어, 및 하드웨어와 소프트웨어를 포함한다. 변경 실시예들예서, 통신 전자 장치들(350)은 반사 통신 기술을 이용하여 외부 전원으로부터 전원이 공급된다. 변경 실시예들에서, 컨트롤러(310) 및 통신 전자 장치들(350)은 집적 회로 또는 하이브리드 회로 설계로 구현된다. 다양한 내부 평면 또는 비평면 기판 안테나들(340)도 변경 실시예들에서 결합 가능하다. 일 실시예에서, 프로그래머는 보청기를 프로그래밍하는 무선 프로그래머이다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이상에 대한 다른 적용들, 실시들, 및 조합들이 가능하다.

본 명세서는 다양한 실시예들의 다수의 특징 및 장점 및 다양한 실시예들의 구조 및 기능에 대한 세부사항들을 설명하였지만, 배타적 또는 완전한 의미로 의도되는 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 첨부된 청구범위 및 그들의 법률적인 균등물의 범위로부터 벗어나지 않고 부품들의 세부사항, 재료 및 관리, 프로세스의 순서 및 설계에 있어서의 변경들이 발생할 수 있다.

Claims (20)

1. 제1 드레인을 갖고 또한 출력 노드에서 제1 부하(load)에 연결된 제1 소스를 갖는 p채널 금속 산화물 반도체(PMOS) 트랜지스터 - 상기 제1 부하는 제1 전압 기준으로의 다른 연결을 가짐 -; 및

   피드백 노드에서 상기 PMOS 트랜지스터의 제1 드레인에 연결된 제2 드레인을 갖는 n채널 금속 산화물 반도체(NMOS) 트랜지스터 - 상기 NMOS 트랜지스터는 제2 부하에 연결된 제2 소스를 가지며, 상기 제2 부하는 제2 전압 기준으로의 다른 연결을 가짐 -

   를 포함하며,

   상기 PMOS 트랜지스터의 제1 게이트 및 상기 NMOS 트랜지스터의 제2 게이트는 결합 커패시터에 연결되며, 상기 결합 커패시터는 무선 주파수 입력 신호들을 수신하고 상기 제1 게이트 및 제2 게이트는 상기 피드백 노드로부터 피드백을 수신하는 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 부하는 저항인 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1 부하는 트랜지스터인 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 제2 부하는 저항인 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 제2 부하는 트랜지스터인 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 피드백은 제3 부하를 통과하는 신호를 포함하는 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 제3 부하는 저항인 장치.
8. 제6항에 있어서, 상기 제3 부하는 트랜지스터인 장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터들인 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 제1 전압 기준은 양의 전원 전압(positive supply voltage)이고 상기 제2 전압 기준은 그라운드인 장치.
11. 제1항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터들이고; 상기 피드백은 제3 부하를 포함하고; 상기 제1 부하, 제2 부하, 및 제3 부하는 저항 연결된(resistor-connected) 트랜지스터들이며; 상기 PMOS 트랜지스터, NMOS 트랜지스터, 제1 부하, 제2 부하, 및 제3 부하는 집적 회로 내에서 제조되는 장치.
12. 제11항에 있어서, 상기 제1 전압 기준은 양의 전원 전압이고 상기 제2 전압 기준은 그라운드인 장치.
13. 컨트롤러에 연결된 마이크로폰;

    상기 컨트롤러에 연결된 수신기; 및

    상기 컨트롤러에 연결된 통신 전자 장치에 연결된 안테나

    를 포함하며, 상기 통신 전자 장치는,

    제1 드레인을 갖고 또한 출력 노드에서 제1 부하에 연결된 제1 소스를 갖는 p-채널 금속 산화물 반도체(PMOS) 트랜지스터 - 상기 제1 부하는 제1 전압 기준으로의 다른 연결을 가짐 - ; 및

    피드백 노드에서 상기 PMOS 트랜지스터의 상기 제1 드레인에 연결된 제2 드레인을 갖는 n채널 금속 산화물 반도체(NMOS) 트랜지스터 - 상기 NMOS 트랜지스터는 제2 부하에 연결된 제2 소스를 갖고, 상기 제2 부하는 제2 전압 기준으로의 다른 연결을 가짐 -

    를 포함하고,

    상기 PMOS 트랜지스터의 상기 제1 게이트 및 상기 NMOS 트랜지스터의 상기 제2 게이트는 결합 커패시터에 연결되며, 상기 결합 커패시터는 무선 주파수 입력 신호들을 수신하고 상기 제1 게이트 및 제2 게이트는 상기 피드백 노드로부터 피드백을 수신하는 장치.
14. 제13항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터들이고; 상기 피드백은 제3 부하를 포함하고; 상기 제1 부하, 제2 부하, 및 제3 부하는 저항 연결된 트랜지스터들이며; 상기 PMOS 트랜지스터, NMOS 트랜지스터, 제1 부하, 제2 부하, 및 제3 부하는 집적 회로 내에 제조되는 장치.
15. 제14항에 있어서, 상기 제1 전압 기준은 양의 전원 전압이고 상기 제2 전압 기준은 그라운드인 장치.
16. 컨트롤러에 연결된 메모리;

    상기 컨트롤러에 연결된 입력 장치; 및

    상기 컨트롤러에 연결된 통신 전자장치에 연결된 안테나

    를 포함하며, 상기 통신 전자 장치는,

    제1 드레인을 갖고 또한 출력 노드에서 제1 부하에 연결된 제1 소스를 갖는 p채널 금속 산화물 반도체(PMOS) 트랜지스터 - 상기 제1 부하는 제1 전압 기준으로의 다른 연결을 가짐 - ; 및

    피드백 노드에서 상기 PMOS 트랜지스터의 상기 제1 드레인에 연결된 제2 드레인을 갖는 n채널 금속 산화물 반도체(NMOS) 트랜지스터 - 상기 NMOS 트랜지스터는 제2 부하에 연결된 제2 소스를 가지며, 상기 제2 부하는 제2 전압 기준으로의 다른 연결을 가짐 -

    를 포함하고,

    상기 PMOS 트랜지스터의 제1 게이트 및 상기 NMOS 트랜지스터의 제2 게이트는 결합 커패시터에 연결되고, 상기 결합 커패시터는 무선 주파수 입력 신호들을 수신하고 상기 제1 게이트 및 제2 게이트는 상기 피드백 노드로부터 피드백을 수신하는 장치.
17. 제16항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터들이고; 상기 피드백은 제3 부하를 포함하고; 상기 제1 부하, 제2 부하, 및 제3 부하는 저항 연결된 트랜지스터들이며; 상기 PMOS 트랜지스터, NMOS 트랜지스터, 제1 부하, 제2 부하, 및 제3 부하는 집적 회로 내에 제조되는 장치.
18. 제17항에 있어서, 상기 제1 전압 기준은 양의 전원 전압이고 상기 제2 전압 기준은 그라운드인 장치.
19. 진폭 변조된 신호를 수신하는 단계;

    피드백 신호를 포함하는 상보성 금속 산화물 반도체 트랜지스터들의 토템 폴(totem pole) 구성을 포함하는 용량 결합된 복조기로 상기 진폭 변조된 신호를 처리하여 복조된 신호를 생성하는 단계

    를 포함하는 방법.
20. 제19항에 있어서,

    상기 수신하는 단계는 상기 진폭 변조된 신호를 필터링하는 단계를 포함하는 방법.

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