CN115708313A - 低噪声放大器及放大输入信号的方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及低噪声放大器及放大输入信号的方法。低噪声放大器包括低噪声放大器级与滤波和偏置级。低噪声放大器级接收输入信号并响应于此提供第一输出信号。低噪声放大器级包括：用于提供第一输出信号的增益元件；以及至少一个低通滤波器电路，其串联在第一电源电压端子和增益元件之间，该增益元件具有通过对偏置端子处的信号进行低通滤波而确定的电导率；并且滤波和偏置级具有：用于接收第一输出信号的输入端和用于提供第二输出信号的输出端以及至少一个共源共栅元件，其具有串联耦接在偏置端子和输出端之间的第一电流传导路径，并且该滤波和偏置级具有预定的滤波器特性。

Description

低噪声放大器及放大输入信号的方法

技术领域

本公开整体涉及放大器电路，并且更具体地涉及用于诸如无线通信系统的 应用中的低噪声放大器及放大输入信号的方法。

背景技术

低噪声放大器(LNA)是放大非常低功率信号而不显著降低其信噪比的电 子放大器。低噪声放大器(LNA)是无线通信系统中的常见模块，诸如近场磁 感应(NFMI)接收器、射频(RF)接收器等。对于最低噪声和最高能量效率， 单端实施通常是优选的。

LNA的性能不仅取决于放大器本身的设计，而且通常还取决于诸如电源噪 声的外部因素，特别是对于单端设计。虽然千兆赫(GHz)范围内的甚高频电 源噪声可以相对容易地被无源器件滤波，但是滤掉低频范围内(例如在兆赫 (MHz)范围内)的电源噪声变得更加困难。因此，难以利用单端LNA的低 噪声和高效率能力，而是经常使用全差分LNA。

附图说明

通过参照附图可更好地理解本公开，并且本公开的多个特征和优点对于本 领域的技术人员为显而易见的，在附图中：

图1以图解形式示出了现有技术中已知的传统低噪声放大器(LNA)；

图2以图解形式示出了根据本公开的各种实施方案的具有高电源抑制比 (PSRR)的低噪声放大器(LNA)；并且

图3以图解形式示出了根据本公开的各种实施方案的包括具有高通特性的 高通滤波器的低噪声放大器的滤波级的一部分。

在不同附图中使用相同的参考符号来指示相同或类似的元件。除非另有说 明，否则字词“耦接”以及其相关联的动词形式包括直接连接以及通过本领域 已知的方式的间接电连接两者；并且除非另有说明，否则对直接连接的任一描 述也暗示使用合适形式的间接电连接的替代实施方案。

具体实施方式

图1以图解形式示出了现有技术中已知的传统低噪声放大器(LNA)100。 LNA 100通常包括输入级110、偏置级120和输出级130。

输入级110通常包括晶体管111至113和电流镜114。晶体管111是P沟道 金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其具有源极、栅极和漏极，该源极连接到 标记为“V_DD”的电源电压端子。V_DD是具有例如3.0伏的标称电压的更正的电 源电压端子。晶体管112是P沟道MOS晶体管，其具有源极、栅极和漏极， 该源极连接到晶体管111的漏极，该栅极用于接收标记为“V_IN+”的输入信号， 该漏极提供输入级110的输出。晶体管113是P沟道MOS晶体管，其具有源极、栅极和漏极，该源极连接到晶体管111的漏极，该栅极用于接收标记为“V_IN-” 的输入信号。电流镜114包括晶体管115和116。晶体管115是N沟道MOS晶 体管，其具有漏极、栅极和源极，该漏极连接到晶体管113的漏极，该栅极连 接到该晶体管的漏极，并且该源极连接到标记为“V_SS”的电源电压端子。V_SS是具有0.0伏的标称电压的更负的电源电压端子或接地电源电压端子。晶体管 116是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅极和源极，该漏极连接到晶体管112的漏极，该栅极连接到晶体管115的漏极，该源极连接到V_SS。

偏置级120包括晶体管121和122。晶体管121是P沟道MOS晶体管，其 具有源极、栅极和漏极，该源极连接到V_DD，该栅极连接到晶体管111的栅极， 该漏极连接到该晶体管的栅极。晶体管122是N沟道MOS晶体管，其具有漏 极、栅极和源极，该漏极连接到晶体管121的漏极，该栅极连接到晶体管112 的漏极，该源极连接到V_SS。

输出级130包括电阻器131和晶体管132。电阻器131具有连接到V_DD的 第一端子和提供标记为“V_OUT”的LNA100的输出的第二端子。晶体管132是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅极和源极，该漏极连接到电阻器131的 第二端子，该栅极连接到晶体管112的漏极，该源极连接到V_SS。

在操作中，晶体管111为输入级110生成偏置电流，并且晶体管112和113 基于电压V_IN+和V_IN-之间的差来转移偏置电流，V_IN+和V_IN-响应于此改变晶体 管112的漏极上的电压。电流镜114基于晶体管115与116的栅极宽度与栅极 长度之比将流过晶体管113的电流反射到晶体管116的漏源电流。该电流又被 由晶体管121和111形成的电流镜反射，以基于晶体管121和111的栅极宽度 与栅极长度之比形成晶体管111的源漏电流。当电流平衡时，晶体管112的漏 极上的电压与V_IN+和V_IN-之间的电压差成比例。电压控制晶体管132的电导率，使得晶体管132的漏源电流随V_IN+和V_IN-之间的小信号变化而线性变化。这些 线性变化影响电阻器131上的电流电阻(IR)降，因此V_OUT与V_IN+和V_IN-之 间的差成比例地变化。

LNA 100是具有自偏置电流结构的典型差分输入运算放大器，并且许多其 他已知的LNA被构建在LNA 100的基本结构上。即使采用差分输入结构，其 PSRR也被限制在约40dB。提供更好PSRR的LNA体系结构将是合乎需要的。

图2以图解形式示出了根据本公开的各种实施方案的具有高PSRR的低噪 声放大器(LNA)200。LNA 200通常包括低噪声放大器级210、滤波和偏置级 250以及一个或多个任选的滤波级260。

低噪声放大器级210包括晶体管211至214、电阻器220、低通滤波器电路 230和低通滤波器电路240。晶体管211是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、 栅极和源极，该栅极用于接收标记为“IN”的输入信号，该源极接地。晶体管 212是P沟道MOS晶体管，其具有源极、栅极和漏极，该栅极用于接收标记为 “NEN”的控制信号，该漏极连接到晶体管211的漏极。晶体管213是N沟道 MOS晶体管，其具有漏极、栅极、源极和体端子，该源极连接到晶体管212的源极，该体端子接地。晶体管214是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅极、 源极和体端子，该漏极用于接收标记为“VLOW”的电源电压，该源极连接到 晶体管213的漏极，该体端子连接到该晶体管的栅极。电阻器220具有连接到 晶体管211的漏极的第一端子和连接到晶体管211的栅极的第二端子。低通滤 波器230包括电阻器231和电容器232。电阻器231具有连接到偏置节点的第 一端子和连接到晶体管213的栅极的第二端子。电容器232具有第一端子和第 二端子，该第一端子连接到电阻器231的第二端子并连接到晶体管213的栅极， 该第二端子接地。低通滤波器240包括电阻器241和电容器242。电阻器241 具有连接到偏置节点的第一端子和连接到晶体管214的栅极的第二端子。电容 器242具有第一端子和第二端子，该第一端子连接到电阻器241的第二端子并 连接到晶体管214的栅极，该第二端子接地。

滤波和偏置级250包括晶体管251至254和带通网络255。晶体管251是N 沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅极和接地的源极。晶体管252是P沟道MOS 晶体管，其具有源极、栅极和漏极，该源极用于接收标记为“NEN_BIAS”的 控制信号，该漏极连接到晶体管251的漏极。晶体管253是N沟道MOS晶体 管，其具有漏极、栅极、源极和体端子，该源极连接到晶体管252的源极，该 体端子接地。晶体管214是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅极、源极和 体端子，该漏极用于接收标记为“VLOW”的电源电压，该源极连接到晶体管 213的漏极，该体端子连接到偏置节点。带通网络255包括电阻器256、可变电 容器257、可变电容器258和电阻器259。电阻器256具有连接到晶体管211和 212的漏极的第一端子以及第二端子。可变电容器257具有连接到电阻器256 的第二端子的第一端子、连接到晶体管251和262的漏极的第二端子以及调谐 输入端。可变电容器258具有连接到电阻器256的第二端子的第一端子、连接 到晶体管251的栅极的第二端子以及调谐输入端。电阻器259具有第一端子和 第二端子，该第一端子连接到可变电容器257的第二端子并连接到晶体管251 和252的漏极，该第二端子连接到晶体管251的栅极。

在各种实施方案中，除了图2所示的示例性滤波级260之外，一个或多个 任选滤波级260中的每个滤波级具有相同的结构。滤波器级260包括晶体管261 至264和带通网络265。晶体管261是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅 极和接地的源极。晶体管262是P沟道MOS晶体管，其具有源极、栅极和漏 极，该栅极用于接收控制信号NEN，该漏极连接到晶体管261的漏极。晶体管 263是N沟道MOS晶体管，其具有漏极、栅极和源极以及接地的体端子，该源极连接到晶体管262的源极。晶体管264是N沟道MOS晶体管，其具有漏 极、栅极、源极和体端子，该漏极用于接收电源电压VLOW，该栅极连接到偏 置节点，该源极连接到偏置节点，该体端子连接到偏置节点。带通网络265包 括电阻器266、可变电容器267、可变电容器268和电阻器269。电阻器266具 有连接到晶体管251和252的漏极的第一端子以及第二端子。可变电容器267 具有连接到电阻器266的第二端子的第一端子、连接到晶体管251和262的漏 极的第二端子以及调谐输入端。可变电容器268具有连接到电阻器256的第二 端子的第一端子、连接到晶体管251的栅极的第二端子以及调谐输入端。电阻 器259具有第一端子和第二端子，该第一端子连接到可变电容器257的第二端 子并连接到晶体管261和262的漏极，该第二端子连接到电容器268的第二端 子并连接到晶体管261的栅极。

在操作中，LNA 200用低电压偏置方案实现三级隔离，以实现具有非常高 的PSRR的放大和根据期望的滤波器特性的滤波。滤波和偏置级250包括与三 个晶体管串联的放大元件，即晶体管251，包括与由两个N沟道晶体管253和 254形成的电流镜的输入支路串联的P沟道断电晶体管252。当控制信号 NEN_BIAS在逻辑高处不活动时，晶体管252禁用滤波和偏置级250，并且当 控制信号NEN_BIAS在逻辑低处活动时，该晶体管启用滤波和偏置级250。被 启用时，滤波和偏置级250通过设置偏置节点处的电压来形成电流镜的输入侧。

LNA级210和每个滤波级260包括与三个晶体管串联的放大元件，其中三 个晶体管中的两个晶体管形成电流镜的输出支路，第三个晶体管作为导通的开 关工作。在LNA级210中，晶体管211形成放大元件，并且其DC偏置点由电 阻器220设定。晶体管213和214形成电流镜的输出支路，但LNA级210使用 低通滤波器230和240对偏置节点进行滤波，以向电流源晶体管214和215的 栅极提供滤波后的偏置电压。由于LNA级210是对噪声最敏感的级，因此添加 低通滤波器230和240以对晶体管214和215的栅极电压进行滤波，以增加PSRR。 通过将体电极连接到栅电极，在晶体管214上使用正向体偏置，从而设置晶体 管213的漏源电压。通过使用N沟道MOS晶体管作为电流源，LNA级210将 滤波电容器232和242对地作为输入信号的参考。在每个滤波级260中，晶体 管261形成放大元件，并且其DC偏置点由电阻器269设定。除滤波级260以 外，晶体管263和244形成电流镜的另一输出支路。通过将体电极连接到栅电 极，在晶体管264上使用正向体偏置，从而设置晶体管213的漏源电压。

偏置生成机制依赖于堆叠在正电源电压和有源LNA电路之间的N沟道 MOS电流镜，从而为有源电路提供非常低的电源电压要求。用于该电流镜的偏 置生成机制依赖于电流复用方法，其中用于生成偏置电压的分路电流也通过将 偏置生成和LNA级嵌入同一器件堆叠用于放大。因此，LNA 200引起接近零的 浪费电流，并增加LNA200的功率效率，同时提供优良的电源抑制。通过使用 二阶带通滤波器，相同的基本结构用于带通滤波器的非常有效的实施，该二阶 带通滤波器的带通特性可通过调谐电容器来调整。

LNA 200通过在电流镜的输出侧上使用两个NMOS电流源的堆叠来实现非 常高的PSRR，例如大于80dB，该电流镜的输入侧由滤波和偏置级250中的对 应晶体管形成。

LNA 200还实现了低功率，因为偏置电流是从低压电源电压端子汲取的， 几乎没有电流浪费，并且仅有的电流专用于放大器件，即晶体管211。在使用 现代CMOS晶体管技术的示例性实施方案中，V_LOW可设定为0.9V。

此外，LNA 200在单端信令装置中提供低噪声。它使用简单的放大元件， 即图2中的N沟道MOS晶体管211。

集成的断电元件(例如，LNA级210中的晶体管212)提供诸如小于一微 秒(μs)的快速启动。

此外，LNA 200使得易于实施添加了滤波级的高阶滤波功能。例如，LNA 200可通过添加单个滤波级260来实施二阶带通滤波器。高阶带通滤波器可通 过添加一个或多个滤波级260来实现。

图3以图解形式示出了根据本公开的各种实施方案的包括高通滤波器355 的低噪声放大器的滤波级300的一部分。LNA 300包括晶体管351和高通滤波 器355。晶体管351是N沟道MOS晶体管，其具有提供滤波级300的输出的 漏极、栅极和接地的源极。高通滤波器355包括可变电容器356和电阻器357。 可变电容器356具有连接到前一级的输出端的第一端子、连接到晶体管351的 栅极的第二端子以及调谐输入端。电阻器357具有第一端子和第二端子，该第 一端子连接到可变电容器357的第二端子并连接到晶体管351的栅极，该第二端子连接到晶体管351的漏极。

当图2的LNA 200的滤波和偏置级250展现出高通特性时，则可使用晶体 管351代替晶体管251，并且可使用高通滤波器355代替带通滤波器255。类似 地，在每个滤波级260中，可使用晶体管351代替晶体管261，并且可使用高 通滤波器355代替带通滤波器265。因此，图3的LNA 300具有与图2的LNA 200相同的优点，只是它具有积分高通滤波器特性。

上文所公开的主题应被视为示例性的而非限制性的，并且所附权利要求书 旨在涵盖落在权利要求书的范围内的所有此类修改、增强和其他实施方案。例 如，本文公开的LNA可包括具有积分带通滤波器特性或积分高通滤波器特性的 级。可通过使用额外的滤波级来增加滤波器的阶数。低噪声放大器级可以只有 一个具有对应低通滤波器的晶体管，或者两个以上的晶体管。

在一种形式中，低噪声放大器包括低噪声放大器级以及滤波和偏置级。该 低噪声放大器级接收输入信号并响应于此提供第一输出信号。该低噪声放大器 级包括增益元件和至少一个低通滤波器电路。该增益元件提供第一输出信号。 该至少一个低通滤波器电路串联在第一电源电压端子和该增益元件之间，该增 益元件具有通过对偏置端子处的信号进行低通滤波而确定的电导率。该滤波和 偏置级具有输入端、输出端、至少一个共源共栅元件和预定的滤波器特性，该 输入端用于接收第一输出信号，该输出端用于提供第二输出信号，该至少一个 共源共栅元件具有串联耦接在该偏置端子和该输出端之间的第一电流传导路径。

根据一个方面，该预定的滤波器特性包括带通特性。

根据另一方面，该预定的滤波器特性包括高通特性。

根据又一方面，该低噪声放大器级还包括使能晶体管，该使能晶体管耦接 在该至少一个低通滤波器电路与该增益元件的该输出端之间。根据此方面，该 偏置端子可接收偏置电流。

在另一形式中，低噪声放大器包括低噪声放大器级、带通和偏置级以及至 少一个带通级。该低噪声放大器级具有第一增益元件和至少一个低通滤波器电 路，该第一增益元件具有用于接收输入信号的输入端和用于提供第一放大信号 的输出端，该至少一个低通滤波器电路各自具有耦接到偏置端子的输入端和耦 接在第一电源电压端子与该第一增益元件的该输出端之间的第一电流传导路径。 该带通和偏置级具有第二增益元件和至少一个共源共栅元件，该第二增益元件 具有耦接到该第一增益元件的该输出端的输入端和用于提供第二放大信号的输 出端，该至少一个共源共栅元件具有耦接到该偏置端子的输入端和串联耦接在 该偏置端子与该第二增益元件的该输出端之间的第二电流传导路径。至少一个 带通级中的每个带通级串联耦接，并且具有各自的增益元件和至少一个对应的 共源共栅元件，该增益元件具有耦接到前一带通级的输出端的输入端和用于提 供对应的放大信号的输出端，该至少一个对应的共源共栅元件具有耦接到该偏 置端子的输入端和串联耦接在该第一电源电压端子与对应的前一增益元件的该 输出端之间的各自的电流传导路径。

根据一个方面，该第一增益元件、该第二增益元件和该至少一个带通级的 各自的增益元件中的每一者包括N沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管。

在又一种形式中，一种放大输入信号以提供具有非常高的电源抑制比 (PSRR)的输出信号的方法包括：使用耦接在第一电源电压端子和第二电源电 压端子之间的第一增益元件放大射频(RF)输入信号，并且响应于该放大提供 放大信号。偏置第一增益元件，该偏置包括调制至少一个共源共栅晶体管的电 导率。该偏置还包括：使用偏置电流在偏置端子处生成偏置电压，对该偏置电 压进行低通滤波以形成经低通滤波的偏置电压，并且使用该经低通滤波的偏置 电压偏置该至少一个共源共栅晶体管中的每个共源共栅晶体管的控制电极。

根据一个方面，该方法还包括：响应于该放大信号通过以下方式产生该偏 置电压：对该放大信号进行带通滤波并且作为响应形成经带通滤波的放大信号； 响应于该经带通滤波的放大信号调制第二增益元件的电导率，并且响应于该调 制生成第二放大信号；以及使用至少一个共源共栅元件偏置该第二增益元件， 该至少一个共源共栅元件具有耦接到该偏置端子的控制电极和串联耦接在该偏 置端子与该第二增益元件的电流传导路径之间的第二电流传导路径。在这种情 况下，该方法还可以包括在至少一个带通级中对该第二放大信号进行带通滤波， 并且响应于该带通滤波形成输出信号。

根据另一方面，使用该第一增益元件放大该RF输入信号包括使用N沟道 MOS晶体管放大该RF输入信号。

根据又一方面，调制该至少一个共源共栅晶体管的电导率还包括使用经低 通滤波的偏置电压来调制N沟道MOS晶体管的体端子。

因此，在法律所允许的最大范围上，本发明的范围将由对所附权利要求及 它们的等同物的最广泛的可允许的解释来确定，并且不应受到前文详细描述约 束或限制。

Claims (10)

1.一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：低噪声放大器级、滤波和偏置级；

所述低噪声放大器级用于接收输入信号，并响应于所述接收而提供第一输出信号，所述低噪声放大器级包括：

增益元件，所述增益元件用于提供所述第一输出信号；和

至少一个低通滤波器电路，所述至少一个低通滤波器电路串联在第一电源电压端子和所述增益元件之间，所述增益元件具有通过对偏置端子处的信号进行低通滤波而确定的电导率；

所述滤波和偏置级具有用于接收所述第一输出信号的输入端和用于提供第二输出信号的输出端以及至少一个共源共栅元件，所述至少一个共源共栅元件具有串联耦接在所述偏置端子和输出端之间的第一电流传导路径，并且所述滤波和偏置级具有预定的滤波器特性。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，所述低噪声放大器还包括：

至少一个带通级，所述至少一个带通级具有用于接收所述第二输出信号的输入端和用于提供所述低噪声放大器的输出的输出端，所述至少一个带通级中的每个带通级串联在所述第一电源电压端子和相应的输出端之间，并且所述至少一个带通级具有带通特性。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中所述至少一个低通滤波器电路中的每个低通滤波器电路包括：

晶体管，所述晶体管具有第一电流电极、控制电极和第二电流电极，其中所述至少一个低通滤波器电路中的第一个低通滤波器电路的晶体管的第二电流电极耦接到所述增益元件的输出端，并且所述至少一个低通滤波器电路中的最后一个低通滤波器电路的晶体管的第一电流电极耦接到所述第一电源电压端子；

电阻器，所述电阻器具有耦接到所述偏置端子的第一端子和耦接到所述晶体管的所述控制电极的第二端子；和

电容器，所述电容器具有耦接到所述晶体管的所述控制电极的第一端子和耦接到第二电源电压端子的第二端子。

4.一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：

低噪声放大器级，所述低噪声放大器级具有第一增益元件和至少一个低通滤波器电路，所述第一增益元件具有用于接收输入信号的输入端和用于提供第一放大信号的输出端，所述至少一个低通滤波器电路各自具有耦接到偏置端子的输入端和耦接在第一电源电压端子与所述第一增益元件的输出端之间的第一电流传导路径；

带通和偏置级，所述带通和偏置级具有第二增益元件和至少一个共源共栅元件，所述第二增益元件具有耦接到所述第一增益元件的输出端的输入端和用于提供第二放大信号的输出端，所述至少一个共源共栅元件具有耦接到所述偏置端子的输入端和串联耦接在所述偏置端子与所述第二增益元件的输出端之间的第二电流传导路径；和

串联耦接的至少一个带通级，每个带通级具有各自的增益元件和至少一个对应的共源共栅元件，所述增益元件具有耦接到前一带通级的输出端的输入端和用于提供对应的放大信号的输出端，所述至少一个对应的共源共栅元件具有耦接到所述偏置端子的输入端和串联耦接在所述第一电源电压端子与对应的前一增益元件的输出端之间的相应的电流传导路径。

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其中所述至少一个低通滤波器电路中的每个低通滤波器电路包括：

晶体管，所述晶体管具有第一电流电极、控制电极和第二电流电极，其中所述至少一个低通滤波器电路中的第一个低通滤波器电路的晶体管的第二电流电极耦接到所述第一增益元件的输出端，并且所述至少一个低通滤波器电路中的最后一个低通滤波器电路的晶体管的第一电流电极耦接到所述第一电源电压端子；

电阻器，所述电阻器具有耦接到所述偏置端子的第一端子和耦接到所述晶体管的所述控制电极的第二端子；和

电容器，所述电容器具有耦接到所述晶体管的控制电极的第一端子和耦接到第二电源电压端子的第二端子。

6.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其中：

所述低噪声放大器级包括第一使能晶体管，所述第一使能晶体管耦接在所述至少一个低通滤波器电路与所述第一增益元件的输出端之间；并且

所述带通和偏置级包括第二使能晶体管，所述第二使能晶体管耦接在所述至少一个共源共栅元件与所述第二增益元件的输出端之间，并且所述至少一个带通级中的每个带通级包括各自的使能晶体管，所述各自的使能晶体管耦接在所述至少一个各自的共源共栅元件与所述各自的增益元件的输出端之间。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其中所述偏置端子接收偏置电流。

8.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其中：

所述带通和偏置级还包括带通网络，所述带通网络耦接在所述带通和偏置级的输入端与输出端之间；并且

所述带通网络还包括：

第一电阻器，所述第一电阻器具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦接到所述第一增益元件的输出端；

第一电容器，所述第一电容器的第一端子耦接到所述第一电阻器的第二端子，所述第一电容器的第二端子耦接到所述第二增益元件的输出端；

第二电容器，所述第二电容器的第一端子耦接到所述第一电阻器的第二端子，所述第二电容器的第二端子耦接到所述第二增益元件的输入端；和

第二电阻器，所述第二电阻器的第一端子耦接到所述第二增益元件的输出端，所述第二电阻器的第二端子耦接到所述第二增益元件的输入端。

9.一种放大输入信号的方法，用以提供具有非常高的电源抑制比PSRR的输出信号，所述方法包括：

使用耦接在第一电源电压端子和第二电源电压端子之间的第一增益元件放大射频(RF)输入信号，并且响应于所述放大提供放大信号；以及

偏置所述第一增益元件，所述偏置包括调制至少一个共源共栅晶体管的电导率，并且所述偏置还包括：

使用偏置电流在偏置端子处生成偏置电压；

对所述偏置电压进行低通滤波以形成经低通滤波的偏置电压；以及

使用所述经低通滤波的偏置电压来偏置所述至少一个共源共栅晶体管中的每个共源共栅晶体管的控制电极。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

响应于所述放大信号通过以下方式产生所述偏置电压：

对所述放大信号进行带通滤波并且作为响应形成经带通滤波的放大信号；

响应于所述经带通滤波的放大信号调制第二增益元件的电导率，并且响应于所述调制生成第二放大信号；以及

使用至少一个共源共栅元件偏置所述第二增益元件，所述至少一个共源共栅元件具有耦接到所述偏置端子的控制电极和串联耦接在所述偏置端子与所述第二增益元件的电流传导路径之间的第二电流传导路径。

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