KR20060126355A - 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법 Download PDF

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Abstract

감광성 수지 조성물은 (A) 이소보닐 카르복시레이트계 화합물 5 내지 60 중량%, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%, 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량% 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합 시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부; 및 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부를 포함한다. 상기 감광성 수지 조성물은 유기막 패턴을 산 구조로 형성시, 유기막 패턴의 요철 발생을 방지할 수 있다.

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING A COMMON ELECTRODE SUBSTRATE USING THE SAME}
도 1 은 종래의 산 구조를 갖는 유기막 패턴의 단면도이다.
도 2a 내지 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 공통 전극 기판의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4는 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 유기막 패턴의 단면도이다.
본 발명은 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 유기막 표면의 평탄성을 향상시킬 수 있는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스 터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 액정을 배향하기위한 배향막의 형성방법은 전계가 인가되지 않은 초기 상태의 액정 배향 방향에 따라 TN(Twisted nematic)모드, IPS(In Plane Switch)모드 등의 수평배향 방법 및 VA(Vertical Alignment)모드 또는 PVA(Paterned Vertical Alignment)모드 등의 수직 배향 방법으로 분류된다.
현재, VA 모드는 멀티 도메인과 보상필름을 사용하여 높은 광시야각을 구현하는 반면, IPS 및 TN 모드에 비하여 느린 응답시간을 나타내는 문제점이 있다. 상기 VA 모드에서 프린지 필드(fringe field)를 이용하여 액정을 구동시킴에 있어, 응답속도를 개선하고자 유기막(배향막)을 산 구조로 형성시키는 방법이 제시되었다(특허출원 제2004-0046102).
도 1은 종래의 산 구조를 갖는 유기막 패턴의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 산 구조를 갖는 유기막에 의하여 액정의 응답속도를 증가시킬 수는 있으나 산 구조의 형성시 산 형성면(10)에 요철(15)이 발생되는 문제가 있다. 산 형성면(10)에 요철(15)이 발생되면 액정의 거동이 균일하지 못하게 된다.
본 발명은 상기 문제점을 감안한 것으로서, 산 구조를 갖는 유기막 패턴의 표면에서 요철의 발생을 방지할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 공통 전극 기 판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%, 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량% 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합 시켜 얻어진 아크릴계 공중합체(A) 100 중량부 및 1,2-퀴논디아지드 화합물(B) 5 내지 100 중량부를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법은 베이스 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속패턴을 형성하는 단계, 상기 게이트 금속패턴 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극과 대응되는 게이트 절연막 위에 채널층을 형성하는 단계, 상기 채널층이 형성된 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 소스 금속패턴을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막, 채널층, 소스 금속 패턴을 커버하며, 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 포함하는 오버코팅층을 형성하는 단계, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 도메인 분할 수단인 경계부를 가지는 화소 전극층을 형성하는 단계, 상기 화소 전극층 위에 (A) 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%; 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%; 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량%; 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량 부 및 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 도포하는 단계 및 상기 감광성 수지 조성물을 노광하고 현상하여 테이퍼 구조로 이루어진 경사막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 공통 전극 기판의 제조방법은 베이스 기판 위에 광차단층을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 위에 상기 광차단층의 일부를 커버하는 컬러 필터 층을 형성하는 단계, 상기 광차단층 및 상기 컬러 필터층을 커버하는 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 위에 도메인 분할 수단인 경계부를 갖는 공통 전극층을 형성하는 단계 및 상기 공통 전극층 위에 (A) 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%; 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%; 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량%; 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부 및 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 도포하는 단계 및 상기 감광성 수지 조성물을 노광하고 현상하여 테이퍼 구조로 이루어진 경사막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 유기막을 형성하면, 유기막 패턴 형성시 유기막이 흘러내려 굴곡이 없는 평탄한 막을 형성 시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 자세히 설명하도록 한다.
기판 상에 유기막 패턴을 형성하기 위해서는 기판을 세정하고 기판 상에 감광성 수지 조성물을 도포한다. 상기 감광성 수지 조성물은 스핀 코팅 방식, 슬릿 코팅 방식 또는 슬릿/스핀 코팅 방식에 의하여 기판 상에 도포되어 진다. 상기 도 포된 감광성 수지 조성물은 건조된 후 노광 및 현상 공정에 의하여 기판 상에 유기막 패턴을 형성한다. 형성된 유기막 패턴은 경화된다.
(A) 아크릴계 공중합체
상기 아크릴계 공중합체는 현상 과정에서 유기막 표면에 스컴(scum)이 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
상기 아크릴계 공중합체는 i) 이소보닐 카르복실레이트계 화합물, ii) 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산무 무물, 또는 이들의 혼합물, iii) 에폭시기 함유 불포화화합물 및 iv) 올레핀계 불포화 화합물을 단량체로 하여 용매 및 중합개시제의 존재 하에서 중합반응에 의하여 수득될 수 있다.
상기 이소보닐 카르복실레이트계 화합물의 함량이 단량체들의 총 중량에 대하여, 5 중량% 미만인 경우 내열성이 떨어지고, 반면 40 중량%를 초과하면 알칼리 수용액에 대한 용해성이 떨어지게 된다. 따라서, 상기 이소보닐 카르복실레이트계 화합물은 전체 단량체들의 총 중량에 대하여, 5 내지 60 중량%의 함량을 갖는다. 바람직하게는 10 내지 40중량%의 함량을 갖는다. 상기 i) 이소보닐 카르복시레이트계 화합물은 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함한다. 하기 화합물들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 수 있다.
Figure 112006028317258-PAT00001
상기 화학식 (1)에서 X는 C1-C10의 알케닐기이고, R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 C1-C10의 알킬기이다.
또한, 상기 이소보닐 카르복실레이트계 화합물의 구체적인 예로서는, 이소보닐 아크릴레이트, 이소보닐 메타크릴레이트 등이 있다.
상기 ii) 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물의 총 단량체에 대한 함량이 10 중량% 미만이면 알칼리 수용액에 용해하기 어렵게 되고, 반면 35 중량%를 초과하면 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커지게 된다. 따라서, 상기 ii) 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물의 함량은 전체 총 단량체에 대하여 5 내지 40중량%이다. 바람직하게는 10 내지 30 중량%로 사용하는 것이 좋다.
상기 ⅱ) 불포화 카르복실산의 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산 등의 불포화 모노카르복실산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 불포화 디카르복실산 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 수 있다. 이들 중에서 공중합 반응성과 알칼리 수용액에 대한 용해성이 우수한 아크릴산, 메타크릴산 또는 무수말레인산을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 iii) 에폭시기 함유 불포화 화합물의 총 단량체에 대한 함량이 10 중량% 미만이면 얻어지는 패턴의 내열성이 저하하는 경향에 있으며, 70 중량%를 초과하는 경우는 공중합체의 보존안정성이 저하하게 된다. 따라서, 상기 iii) 에폭시기 함유 불포화 화합물의 총 단량체에 대한 함량은 10 내지 70 중량%이다. 상기 에폭시기 함유 불포화 화합물의 함량은 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다.
상기 에폭시 함유 불포화 화합물로는 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리 시딜, α-에틸 아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸 아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭 시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질 글리시딜 에 테르, m-비닐벤질 글리시딜 에테르, p-비닐벤질 글리시딜 에테르 등이 있다. 이들을 단독 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 있다. 바람직하게는 메타크릴산글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴 산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질 글리시딜 에테르, m-비닐벤질 글리시딜 에테 르, p-비닐벤질 글리시딜 에테르 등을 사용하는 것이 공중합 반응성 및 얻어 진 패턴의 내열성을 높이는 점에서 좋다.
상기 올레핀계 불포화 화합물의 총 단량체에 대한 함량이 10 중량% 미만인 경우는 아크릴계 공중합체의 보존안정성이 저하하는 경향이 있고, 70 중량%를 초과하는 경우는 아크릴계 공중합체가 알칼리 수용액에 용해되기 어렵다. 따라서, 상기 올레핀계 불포화 화합물의 총 단량체에 대한 함량은 10 내지 70 중량%이다. 상 기 올레핀계 불포화 화합물의 함량은 바람직하게는 20 내지 50 중량%이다.
상기 올레핀계 불포화 화합물의 구체적 예로서는, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트,시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐 아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜 타닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸 메타크릴레이트, 이소보닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, p-메틸 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌 2,3-디메틸 1,3-부타디엔 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 수 있다. 바람직하게는 스티렌, 디시클로펜타닐 메타크릴레이트, 또는 p-메톡시스티렌이 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성 측면에서 유리하다.
상기 아크릴계 공중합체의 중합에 사용되는 용매로서는 메탄올, 테트라히드로퓨란, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테 르, 프로필렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌글 리콜 메틸에틸아세테이트, 프로필 렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸에틸프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르프로피오네이트, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시 4-메틸 2-펜타논, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸, 2-히드록시 프로피온산에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산메틸, 2- 히드록시 2-메틸 프로피온산에틸, 히드록시 초산메틸, 히드록시 초산에틸, 히드록시 초산부틸, 유산메틸, 유산에틸, 유산 프로필, 유산 부틸, 3-히드록시 프로피온산메틸, 3-히드록시 프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산 프로필, 3-히드록시 프로피온산부틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 메톡시초산메틸, 메톡시초산에틸, 메톡시초산프로필, 메톡시초산부틸,에톡시 초산메틸, 에톡시초산에틸, 에톡시초산프로필, 에톡시초산부틸, 프로폭시초산 메틸, 프로폭시초산에틸, 프로폭시초산 프로필, 프로폭시초산 부틸, 부톡시초산 메틸, 부톡시초산에틸, 부톡시초산 프로필, 부톡시초산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로 피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온 산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시 프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등의 에테르류 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 수 있다.
상기 아크릴계 공중합체의 합성에 사용되는 중합개시제로는 라디칼 중합개시제를 사용하며, 구체적 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)), 2,2'-아조비스(4-메톡시 2,4-디메틸발 레로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 디메틸 2,2'- 아조비스이소부틸레이트 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 (A) 아크릴계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균 분자량(Mw)은 5000 내지 30,000이며, 바람직하게는 5000 내지 20,000이다. 상기 분자량이 5000 미만이면 형성된 유기막의 현상성, 잔막율 등이 저하하거나 패턴 형상, 내열성 등이 뒤떨어지는 경향이 있으며, 상기 분자량이 30,000을 초과하는 경우 감도가 저하되거나 패턴의 형상이 조잡해질 수 있다.
(B) 1,2-퀴논디아지드 화합물
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 감광성 화합물로서 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물을 사용한다.
상기 1,2-퀴논디아지드 화합물의 구체적 예로는 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스 테르 등이 있다.
상기 퀴논디아지드 화합물은 나프토퀴논디아지드술폰산할로겐 화합물과 페놀 화합물을 약염기 하에서 반응시켜 얻어진다.
상기 페놀 화합물의 구체적인 예로는 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논, 2,2' 또는 4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시 4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시 3'-메톡시벤조페논, 2,3,4,2' 또는 2,3,4,6'-펜타히드록시벤조페논, 2,4,6,3', 2,4,6,4' 또는 2,4,6,5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3', 3,4,5,4' 또는 3,4,5,5'-헥사히드록시벤조페논, 비스(2,4-디히드록시페닐) 메탄, 비스(p- 히드록시페닐) 메탄, 트리(p-히드록시페닐) 메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐) 에탄, 비스(2,3,4- 트리히드록시페닐) 메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐) 프로판, 1,1,3-트리스 (2,5-디메틸 4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸 4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄 등이 있으며, 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 수 있다.
상기 화합물의 합성시 에스테르화도는 50 내지 85%가 바람직하며, 에스테르화 도가 50% 미만인 경우는 잔막율이 나빠지는 경향이 있으며, 85%를 초과하는 경우는 보관 안정성이 떨어지는 경향이 있을 수 있다.
상기 1,2-퀴논디아지드 화합물의 함량이 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 5 중량부 미만이면 노광부와 비노광부의 용해도의 차가 작아져 패턴 형 성이 곤란하며, 100 중량부를 초과하는 경우에는 단시간 동안 빛이 조사 될때 미반응의 1,2-퀴논디아지드 화합물이 다량 잔존하여 알칼리 수용액에의 용해도가 지나치게 낮아져 현상이 어려워진다. 따라서, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물의 함량은 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부이다. 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물의 함량은 바람직하게는 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 10 내지 50 중량부이다.
이 밖에, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 에폭시수지, 접착제, 아크릴화합물, 계면활성제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 에폭시수지는 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 패턴의 내열성, 감도 등을 향상시킬 수 있다. 상기 에폭시수지의 구체적 예로는 비스페놀 A형 에폭시수지, 페놀 노볼락형 에폭시수지, 크레졸 노볼락형 에폭시수지, 환상지방족 에폭시수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시수지, 글리시딜 아민형 에폭시수지, 복소환식 에폭시수지, 아크릴계 공중합체와는 다른 글리시딜 메타아크리레트를 중합한 수지 등이 있다. 바람직하게는 비스페놀 A 형 에폭시수지, 크레졸 노볼락형 에폭시수지, 또는 글리시딜 에스테르형에폭시수지를 사용하는 것이 좋다. 상기 에폭시수지의 함량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부인 것이 바람직하며, 이때 그 사용량이 30 중량부를 초과하게 되면 상기 알칼리 가용성 수지에 대한 상용성이 떨어져 충분한 도포성능을 얻을 수 없다.
상기 접착제는 기판과의 접착성을 향상시키기 위해서 사용하며, 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부로 사용할 수 있다. 이러한 접착 제로는 카르복실기, 메타크릴기, 이소시아네이트기, 에폭시기등의 반응성 치환기를 갖는 실란커플링제 등이 사용될 수 있다. 구체적 예로는 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메 톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시 시클로 헥실에틸트리메톡시실란 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용되어질 수 있다.
상기 아크릴계 화합물은 감광성수지 조성물로부터 얻어지는 패턴의 투과율, 내열성, 감도 등을 향상시킬 수 있다. 아크릴계 화합물의 함량은 상기 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 15 중량부인 것이 바람직하다.
또한, 상기 계면활성제는 감광성 조성물의 도포성이나 현상성을 향상시키기 위해 사용한다. 이러한 계면 활성제로는 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, F171, F172, F173(상품명; 대일본잉크사, 일본), FC430, FC431(상품명; 수미또모트리엠사, 일본), KP341(상품명; 신월화학공업사, 한국)등이 있다. 상기 계면 활성제의 함량은 고형분 100 중량부에 대하여 0.0001 내지 2 중량부로 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명은 상기 아크릴계 공중합체, 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하고, 필요에 따라 상기 첨가제 성분을 더 포함하는 감광성 수지 조성물에 용매를 첨가하여 감광성 수지 조성물 코팅 용액을 제공한다.
이러한 본 발명의 감광성 수지 조성물 코팅용액의 고형분 농도는 15 내지 50 중량%인 것이 바람직하며, 이는 0.1 내지 0.2㎛ 정도의 미리 포아 필터 등을 사용하여 여과한 뒤 사용한다.
상기 감광성수지 조성물 코팅용액의 제조에 사용하는 용매로는 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라히드로퓨란 등의 에테르류, 에틸렌글리콜모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르 아세테이트류; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜류; 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌 글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜부틸에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시 4-메틸 2-펜타논 등의 케톤류; 및 초산 메틸, 초산에틸, 초산 프로필, 초산 부틸, 2-히드록시 프로피온산에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산 메틸, 2-히 드록시 2-메틸프로피온산 에틸, 히드록시초산 메틸, 히드록시초산 에틸, 히드록시초산 부틸, 유산 메틸, 유산에틸, 유산 프로필, 유산 부틸, 3-히드록시 프로피온산 메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산 프로필, 3-히드록시프로피온산 부틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산 메틸, 메톡시초산 메틸, 메톡시초산에틸, 메톡시초산 프로필, 메톡시초산 부틸, 에톡시초산 메틸, 에 시초산에틸, 에톡시초산 프로필, 에톡시초산 부틸, 프로폭시초산 메틸, 프로 폭시초산에틸, 프로폭시초산 프로필, 프로폭시초산 부틸, 부톡시초산 메틸, 부톡시초산 에틸, 부톡시초산 프로필, 부톡시초산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피 온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프 로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부 톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프 로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시 프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등의 에스테르류 등이 있다. 바람직하게는 용해성, 각 성분과의 반응성 및 도포막의 형성이 용이한 글리콜에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류 및 디에틸렌글리콜류를 사용하는 것이 좋다.
본 발명은 상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 스프레이법, 롤코터 법, 회전도포법에 의해 기판표면에 도포하여 프리베이크에 의해 용매를 제거 하여 도포막을 형성한다. 상기 프리베이크의 조건은 70 내지 110 에서 1 내지 15 분간 정 도로 실시하는 것이 바람직하다. 이후, 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, 엑스선 등을 도포막에 조사한 후 현상액으로 현상하여 불필요한 부분을 제거함으로써 유기막 패턴을 형성한다.
상기 현상액으로는 알칼리 수용액이 사용된다. 예컨대, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨 등의 무기 알칼리류 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류 디에틸아민, n-프로필아민 등의 2급 아민류 트리메틸아민, 메 틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 3급 아민류 디메틸에탄올 아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올 아민 등의 알콜아민류 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염의 수용액을 사 용할 수 있다. 상기 현상액은 알칼리성 화합물을 0.1 내지 10%의 농도로 용해시켜 사용하며, 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기성 유기용매 및 계면 활성제를 적정량 첨가할 수 있다.
상기 현상 후, 초순수로 30 내지 90초간 세정하여 불필요한 부분을 제거하고 건조하여 패턴을 형성한다. 형성된 패턴에 자외선 등의 빛을 조사한 후, 패턴을 오븐 등의 가열장치에 의해 150 내지 250 에서 30 내지 90분간 가열처리 하 여 최종 패턴을 얻을 수 있다.
박막 트랜지스터 기판의 제조방법
도 2a 내지 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 제1 베이스 기판(101) 위에 금속층(미도시)을 형성한 후, 사진 식각 공정으로 상기 금속층을 식각하여 게이트 배선(미도시), 게이트 전 극(111) 및 스토리지 공통 배선(미도시)을 포함하는 게이트 금속패턴을 형성한다.
상기 금속층(미도시)은 예를 들면, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타튬, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금등으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 공정에 의해 증착된다.
도 2b를 참조하면, 상기 게이트 금속패턴이 형성된 제1 베이스 기판(101) 위에 실리콘 질화막(SiNx)으로 이루어진 게이트 절연막(102)과, 아몰퍼스 실리콘층(112a) 및 인 시튜(in-situ)도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘층(112b)을 순차적으로 형성한다. 이어서, 상기 아몰퍼스 실리콘층(112a) 및 n+ 아몰퍼스 실리콘층(112b)을 사진 식각하여 상기 게이트 전극(111)에 대응하는 영역에 채널층(112)을 형성한다.
도 2c를 참조하면, 상기 채널층(112)이 형성된 게이트 절연막(102) 위에 금속층(미도시)을 형성한다. 상기 금속층(미도시)은 예를 들면, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타튬, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금등으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 공정에 의해 증착된다.
이어서, 상기 금속층(미도시)을 사진 식각하여 스위칭 소자의 소스 전극(113), 드레인 전극(114) 및 소스 배선(미도시)을 포함하는 소스 금속 패턴을 형성한다. 상기 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)은 소정간격 이격되어 형성된다.
이어서, 상기 소스 전극(113)과 드레인 전극(114)사이로 노출된 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘층(112b)을 식각하여 상기 아몰퍼스 실리콘층(112a)을 노출시킨다.
도 2d를 참조하면, 상기 소스 금속 패턴 및 상기 게이트 절연막을 덮도록 포토 레지스트막(미도시)을 코팅한다. 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 콘 택홀(125)을 포함하는 오버코팅층(120)을 형성한다. 상기 콘택홀은 드레인 전극(114)의 일부를 노출시킨다.
도 2e를 참조하면, 상기 콘택홀(125)이 형성된 오버코팅층(120)위에 투명 도전층(미도시)을 형성한다. 상기 투명 도전층은 일례로 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진다. 이어서, 사진 식각 공정으로 상기 투명 도전층을 식각하여 화소 전극층(130)을 형성한다. 상기 화소 전극층(130)은 상기 콘택홀(125)을 통해 상기 드레인 전극(114)와 전기적으로 연결되며, 도메인 분할 수단인 경계부(135)를 포함한다.
도 2f를 참조하면, 상기 화소 전극층(130) 위에 감광성 수지 조성물을 도포하여 유기막(140)을 형성한다. 상기 감광성 수지 조성물은 전술한 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물이며, 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%, 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량% 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합 시켜 얻어진 아크릴계 공중합체(A) 100 중량부 및 1,2-퀴논디아지드 화합물(B) 5 내지 100 중량부를 포함한다.
이어서, 마스크(150)를 이용하여 상기 유기막(140)을 노광한다. 상기 마스크(150)는 투명한 기판(151)과 복수의 차광 패턴(153)을 포함한다. 상기 차광 패턴(153)들은 소정의 거리로 이격되어 있으며, 상기 차광 패턴(153)들 사이의 갭은 슬릿에 해당된다. 상기 차광 패턴들(153) 사이의 거리에 따라 차광 패턴(153)들 하부에 위치한 유기막(140)의 노광량이 조절된다. 보다 상세하게는, 상기 차광 패 턴(153)들 사이의 거리가 클수록 차광 패턴(153)들 하부에 위치한 유기막(140)의 노광량이 많아진다.
도 2g를 참조하면, 상기 유기막(140)을 노광한 다음, 현상액을 이용하여 유기막(140)을 현상하여 테이퍼 구조로 이루어진 경사막(145)을 형성한다. 상기 유기막(140)에 노광되는 광량이 균일하지 않으므로, 현상을 통해 형성된 경사막(145)은 불균일한 두께를 갖는다. 상기 경사막(145)은 화소 전극층(130)의 경계부(135)를 커버한다.
공통전극 기판의 제조방법
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 공통 전극 기판의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 베이스 기판(210) 위에 광차단층(202)를 형성한다. 상기 광차단층은 검은색 안료를 포함하는 유기물, 크롬, 산화 크롬 등으로 이루어질 수 있다. 다음으로, 상기 베이스 기판(210) 위에 안료를 포함하는 감광성 유기막(미도시)을 형성하고, 상기 감광성 유기막을 노광 현상하여 광차단층(202)의 일부를 커버하는 컬러 필터층(203)을 형성한다.
도 3b를 참조하면, 상기 광차단층(202) 및 상기 컬러 필터층(203)을 커버하는 절연층(204)을 형성한다. 상기 절연층(204)은 상기 광차단층(202) 및 상기 컬러 필터층(203)을 보호하며, 예를 들어, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 유기 필름 등으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 상기 절연층(204)위에 투명 도전층(미도시)을 적층한다. 상기 투 명 도전층은 일례로 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진다. 이어서, 사진 식각 공정으로 상기 투명한 도전층을 식각하여 공통 전극층(205)을 형성한다. 상기 공통 전극층(205)은 도메인 분할 수단인 경계부(206)를 포함한다.
도 3c를 참조하면, 상기 공통 전극층(205) 위에 감광성 수지 조성물을 도포하여 유기막(미도시)을 형성한다. 상기 감광성 수지 조성물은 전술한 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물이며, 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%, 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%, 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량% 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합 시켜 얻어진 아크릴계 공중합체(A) 100 중량부 및 1,2-퀴논디아지드 화합물(B) 5 내지 100 중량부를 포함한다.
다음으로, 마스크(미도시)를 이용하여 상기 유기막을 노광한 다음, 현상액을 이용하여 상기 유기막을 현상하여 테이퍼 구조로 이루어진 경사막(207)을 형성한다. 상기 경사막(207)은 공통 전극층(205)의 경계부(206)를 커버한다. 상기 유기막을 현상하여 경사막(207)을 형성하는 구체적인 방법은 전술한 박막 트랜지스터 기판 제조방법에서와 동일하다.
이하, 구체적인 실시예들을 들어 본 발명을 더욱 자세하게 설명하도록 한다. 그러나, 이들 예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 이들에 한정되는 것 은 아니다.
아크릴계 공중합체의 제조
합성예 1
냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니 트릴) 10 중량부 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 200 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 메타아크릴산 글리시딜 20 중량부, 상기 화학식 (1)의 이소보닐 아크릴레이트 30 중량부, 스티렌 30 중량부를 넣은 후, 질소 치환한 뒤 완만히 교반을 시작하였다. 반응 용액을 62 까지 상승시켜 이 온도를 5시간 동안 유지하여 공중합체[A-1]를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 45중량%이고, 중합체의 중량평균분자량은 12000이었다. 이때, 중량평균분자량은 겔침투크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography;GPC)를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.
합성예 2
1,2-퀴논디아지드 화합물의 제조
4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1mol과 1,2-나프토퀴논디아지드 5-술폰산[클로라이드] 2mol을 축합반응시켜 [4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르]를 수득하였다.
감광성 수지 조성물의 제조
실시예 1
합성예 1에서 얻어진 중합체 용액(공중합체[A-1]) 100 중량부, 상기 [합 성예 5]에서 얻어진 축합물 [4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸 리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르] 25 중량부 를 혼합하여, 고형분 농도가 35 중량%가 되도록 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 에 용해시킨 뒤 0.2 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물용액을 제조하였다.
유기막 패턴 형성
본 발명에 따른 유기막 패턴을 형성하기 위하여 실시예 1의 의 감광성 수지 조성물 용액을 사용하여 슬릿/스핀 코터를 통하여 도포 다음 100 에서 150초 동안 건조를 진행한 뒤 노광장치(상품명: MPA-2000, Cannon사 제조, 일본)에서 노광을 실시하였다. 그 다음 150초 동안 현상을 실시한 뒤 전면 노광기에서 노광을 진행하고 220 에서 60분간 열처리를 하였다. 이 때 열처리의 조건은 180 에서 250 까지 가능하며 열처리 시간은 20분에서 90분 까지 모두 가능한 범위이지만 바람직하게는 220도에서 30분 내지 60분이 좋다. 이 후 감도를 확인하여 보니 노광감도가 150 내지 250 mJ/cm2으로 우수하고, 퍼짐성이 뛰어나 요철 형성부에 굴곡(요철) 발생이 없는 패턴을 형성할 수 있었다.
도 4는 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 유기막 패턴의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 도 1의 유기막 표면과 달리 산 형성면(10)에 요철이 발생되지 않고 평탄한 구조를 갖는 유기막이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 유기막 패턴은 산 구조를 가지므로 응답속도가 우수하다. 또한 유기막 패턴의 표면이 매우 평탄하므로 액정 표시 장치에 적용되어 액정의 거동이 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. (A) 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%;
    불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%;
    에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량%; 및
    올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합 시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부; 및
    (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 이소보닐계 카르복실레이트계 화합물은 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물로서,
    Figure 112006028317258-PAT00002
    (1)
    상기 화학식 (1)에서 X는 C1-C10의 알케닐기이고, R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 C1-C10의 알킬기이다.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 이소보닐계 카르복실레이트계 화합물은 이소보닐 아크릴레이트 및 이소보닐 메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체의 폴리스티렌 환산중량평균분자량이 5,000내지 30,000인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 불포화 카르복실산은 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산 및 이타콘산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 에폭시기 함유 불포화 화합물은 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸 아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타 크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질 글리시딜 에테르 및 m-비닐벤질 글리시딜 에테르 및 p-비닐벤질 글리시딜 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 올레핀계 불포화 화합물은 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시 에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메틸 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌 및 2,3-디메틸 1,3-부타디엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물은 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물은 에폭시수지, 접착제, 아크릴 계 화합물 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  10. 베이스 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 금속패턴 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극과 대응되는 게이트 절연막 위에 채널층을 형성하는 단계;
    상기 채널층이 형성된 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 소스 금속패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막, 채널층, 소스 금속 패턴을 커버하며, 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 포함하는 오버코팅층을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 도메인 분할 수단인 경계부를 가지는 화소 전극층을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극층 위에 (A) 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%; 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%; 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량%; 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부 및 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 도포하는 단계; 및
    상기 감광성 수지 조성물을 노광하고 현상하여 테이퍼 구조로 이루어진 경사 막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 이소보닐계 카르복실레이트계 화합물은 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법으로서,
    Figure 112006028317258-PAT00003
    (1)
    상기 화학식 (1)에서 X는 C1-C10의 알케닐기이고, R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 C1-C10의 알킬기이다.
  12. 제10항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물의 노광은, 소정의 간격으로 이격된 복수의 광차단 패턴을 포함하는 마스크를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  13. 베이스 기판 위에 광차단층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판 위에 상기 광차단층의 일부를 커버하는 컬러 필터 층을 형성하는 단계;
    상기 광차단층 및 상기 컬러 필터층을 커버하는 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 위에 도메인 분할 수단인 경계부를 갖는 공통 전극층을 형성하는 단계;
    상기 공통 전극층 위에 (A) 이소보닐 카르복실레이트계 화합물 5 내지 60 중량%; 불포화 카르복실산, 불포화 카르복실산 무수물 또는 이들의 혼합물 10 내지 40 중량%; 에폭시기 함유 불포화 화합물 20 내지 40 중량%; 및 올레핀계 불포화 화합물 20 내지 40 중량%를 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부 및 (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 도포하는 단계; 및
    상기 감광성 수지 조성물을 노광하고 현상하여 테이퍼 구조로 이루어진 경사막을 형성하는 단계를 포함하는 공통 전극 기판의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 이소보닐계 카르복실레이트계 화합물은 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 공통 전극 기판의 제조방법으로서,
    Figure 112006028317258-PAT00004
    (1)
    상기 화학식 (1)에서 X는 C1-C10의 알케닐기이고, R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 C1-C10의 알킬기이다.
  15. 제13항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물의 노광은 소정의 간격으로 이격된 복수의 광차단 패턴을 포함하는 마스크를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공통 전극 기판의 제조방법.
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