KR20060123856A - 비휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents
비휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
워드라인 | 선택 라인 | 드레인 | 소스 | 기판 | |
프로그램 | VPP | VPP | VCC+a | 0V | 0V |
소거 | 0V | VPP | VPP | VPP | 0V |
리드 | VCC | VCC | VCC-a | 0V | 0V |
Claims (14)
- 다수의 워드라인; 다수의 비트 라인; 공통 소스 라인; 및 다수의 단위 셀을 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서,상기 단위 셀은선택 라인에 인가되는 선택 전압에 의해 제어되어 상기 워드라인에 인가된 전압을 선택적으로 전달하는 선택 트랜지스터;상기 선택 트랜지스터를 통해 전달된 전압에 따라 플로우팅 게이트에 커패시턴스 커플링에 의해 전자를 주입하거나 방출하는 제어 노드; 및상기 플로우팅 게이트의 전위에 따라 셀 전류를 검출하는 감지 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 단위 셀은 단층 폴리 실리콘 소자를 제조하기 위한 반도체 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터는 P웰 내에 형성된 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 선택 트랜지스터는상기 선택 라인에 접속되는 게이트;상기 워드 라인에 접속되고, N+ 접합부로 형성되는 드레인; 및상기 제어 노드에 접속되고, N+ 접합부로 형성되는 소스를 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터의 소스와 상기 제어 노드는 메탈 라인을 통하여 접속되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 노드는 N웰 내에 N- 접합부로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 감지 트랜지스터는 P웰 내에 형성된 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 감지 트랜지스터는상기 제어 노드 상부로부터 연장되어 형성된 플로우팅 게이트;상기 비트 라인에 접속되고, N+ 확산 접합부로 형성되는 드레인; 및상기 공통 소스 라인에 접속되고, N+ 확산 접합부로 형성되는 소스를 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제어 노드의 커패시턴스가 상기 감지 트랜지스터의 플로우팅 게이트의 커패시턴스보다 더 큰 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제어 노드의 커패시턴스와 상기 감지 트랜지스터의 플로우팅 게이트의 커패시턴스의 비율을 조절하기 위해 상기 플로우팅 게이트의 길이는 최소 디자인 룰로 고정시킨 상태에서 확산 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단위 셀은상기 워드라인과 상기 선택 라인에 고전압이 인가되어 상기 선택 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 제어 노드에 고전압을 인가하고, 상기 감지 트랜지스터의 드레인에 전원전압이 인가되고, 상기 감지 트랜지스터의 소스에 접지전압이 인가되어 CHEI(Channel Hot Electron Injection)방식으로 상기 플로우팅 게이트에 전자들이 주입되는 방식으로 프로그램되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장 치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단위 셀은상기 워드라인에 접지전압이 인가되고, 상기 선택 라인에 고전압이 인가되어 상기 선택 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 제어 노드에 접지전압이 인가되고, 상기 감지 트랜지스터의 드레인과 소스에 고전압이 인가되어 상기 플로우팅 게이트의 전자들이 방출되는 방식으로 소거되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단위 셀은상기 워드라인에 접지전압이 인가되고, 상기 선택 라인에 고전압이 인가되어 상기 선택 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 제어 노드에 접지전압이 인가되고, 상기 감지 트랜지스터의 드레인과 소스가 플로우팅되고, 벌크에 고전압이 인가되어 상기 플로우팅 게이트의 전자들이 방출되는 방식으로 소거되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 단위 셀에 저장된 데이터는상기 워드라인과 상기 선택 라인에 전원전압이 인가되어 상기 선택 트랜지스터가 턴 온 되어 상기 제어 노드에 전원전압이 인가되고, 상기 감지 트랜지스터의 드레인에 상기 전원전압보다 낮은 리드전압이 인가되고, 소스에 접지전압이 인가되 어 상기 플로우팅 게이트의 전위에 따라 셀 전류가 감지되어 리드되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
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KR20190092662A (ko) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 싱글 폴리 mtp 셀 및 그의 동작 방법 |
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