KR20060123319A - 광 펌핑 반도체 레이저 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표면 방출하는 수직 방출 영역(1) 그리고 상기 수직 방출 영역(1)을 광학적으로 펌핑하기 위하여 모놀리식으로 집적된 적어도 하나의 펌프 방사선원(2)을 포함하는 광 펌핑 반도체 레이저 장치에 관한 것이다. 상기 반도체 레이저 장치는, 펌프 방사선이 상이한 방사 방향을 갖는 부분 방사선 번들의 형태로 수직 방출 영역(1)으로 입사됨으로써, 상기 펌프 방사선이 상기 수직 방출 영역(1)의 기본 모드와의 중첩부를 가지며, 상기 중첩부는 상기 기본 모드를 여기하기에 적합하다. 본 발명의 기본 사상은, 펌프 방사선의 공간적인 세기 분포가 기본 모드의 프로파일에 적응된 경우에는 바람직하게 상기 수직 방출 영역(1)의 기본 모드가 여기된다는 것이다.

Description

광 펌핑 반도체 레이저 장치 {OPTICALLY PUMPED SEMICONDUCTOR LASER DEVICE}
본 발명은 표면 방출하는 수직 방출 영역 그리고 상기 수직 방출 영역을 광학적으로 펌핑하기 위해 모놀리식으로 집적된 적어도 하나의 펌프 방사선원을 구비한, 광 펌핑 반도체 레이저 장치에 관한 것이다.
이와 같은 유형의 레이저 장치는 예를 들어 WO 01/93386호 및 WO 02/067393호에 공지되어 있으며, 그 내용은 본 명세서에 참조 방식으로 수용된다. 상기 간행물들에는 표면 방출하는 반도체 레이저 장치들이 기술되어 있는데, 상기 장치들의 수직 방출 영역의 액티브 소자는 양자 포트 구조물에 의해서 형성되며, 상기 양자 포트 구조물은 인접하여 에지 방출하는 반도체 레이저에 의해서 광학적으로 펌핑된다. 펌프 방사선원 및 양자 포트 구조물은 공통의 기판상에서 에피택셜 성장된다. 이와 같이 형성되어 모놀리식으로 집적되는 장치는 공간을 적게 차지하면서도 저렴하게 제조될 수 있다. 또한, 상기와 같은 제조 프로세스에 의해서는, 펌프 방사선원 및 수직 방출 영역 상호 간의 정확한 위치 설정이 보증된다.
전술한 유형의 광 펌핑 반도체 레이저 장치는 높은 파워 출력을 가능케 하는데, 그 이유는 파워 손실원, 한편으로 전기 펌프의 경우에는 전하 캐리어 주입시의 저항 손실 그리고 다른 한편으로는 광학적인 흡수 손실이 공간적으로 분리되어 있 기 때문이다. 그와 동시에 상기 광 펌핑 반도체 레이저 장치는 바람직한 원형의 방사선 프로파일을 가지며, 예를 들어 에지 방출하는 레이저와 같이 타원형 혹은 바아 형태의 방사선 프로파일을 갖지는 않는다.
특히 레이저 빔의 경우에는 수직 방출 영역의 기본 모드(TEM00)에서 우수한 방사선 품질이 나타난다.
본 발명의 목적은, 모놀리식으로 집적된 적어도 하나의 펌프 방사선원을 구비하고, 우수한 방사 품질의 레이저 빔, 바람직하게는 기본 모드의 빔을 방출하는 펌프 방사선원을 제조하는 것이다.
상기 목적은 청구항 1의 특징을 갖는 광 펌핑 반도체 레이저 장치에 의해서 달성된다. 본 발명의 바람직한 개선예들은 종속항들의 대상이다.
본 발명에 의해서는, 펌프 방사선이 상이한 방사 방향을 갖는 부분 방사선 번들(bundle)의 형태로 수직 방출 영역으로 입사되도록 적어도 하나의 펌프 방사선원이 정렬되고 배치됨으로써, 상기 펌프 방사선은 수직 방출 영역의 기본 모드와의 중첩부를 가지며, 상기 중첩부는 상기 기본 모드의 여기(excitation)에 적합하다.
본 발명에 따른 해결책의 기본이 되는 사상은, 수직 방출 영역에서의 펌프 방사선의 공간적인 세기 분포가 상기 기본 모드의 프로파일에 적응된 경우에 비로소 상기 수직 방출 영역의 바람직한 기본 모드의 방사선이 방출된다는 것이다. 통상적으로, 수직 방출 영역의 기본면은 다각형(사각형, 육각형 등)이거나 또는 원형이다. 상기 기본 모드에서는 수직 방출 영역의 기본면의 대칭이 반영된다. 그렇 기 때문에 기본 모드의 여기를 위해서는, 펌프 방사선을 상이한 방사 방향을 갖는 부분 방사선 번들의 형태로 수직 방출 영역에 커플링 하는 것이 유리하며, 그에 의해서는 펌프 방사선의 공간적인 세기 분포가 기본 모드의 프로파일에 적응될 수 있기 때문이다. 펌프 방사선이 수렴 방식으로 수직 방사 영역 내부로 입사되는 커플링도 상이한 방사 방향을 갖는 부분 방사선 번들로서 간주될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 한 실시예에서는, 부분 방사선 번들이 상이한 주(主) 방사 방향을 갖는 상이한 펌프 방사선원으로부터 유래한다. 이 경우에 특히 바람직한 것은, 상기 펌프 방사선원이 증폭기 영역을 포함하는 폐쇄된 공진기를 구비한 반도체 레이저 소자라는 것이다. 대안적으로, 펌프 방사선원은 에지 방출하는 반도체 레이저일 수 있다.
한 바람직한 실시예에서는 펌프 방사선원이 적어도 하나의 구부러진 공진기 단부 미러를 구비한 공진기를 포함한다.
추가의 한 바람직한 실시예에서는, 펌프 방사선원이 적어도 하나의 공진기 단부 미러 장치를 구비한 공진기를 포함하고, 상기 공진기 단부 미러 장치는 상호 직각으로 배치된 2개의 직선 공진기 단부 미러로 이루어진다. 특히 바람직한 것은, 펌프 방사선이 공진기 내부에서 토털 리플렉션(total reflexion) 되도록 상기 2개의 공진기 단부 미러가 배치되는 것이다.
추가의 한 실시예는, 하나 또는 다수의 펌프 방사선원이 2개의 공진기 단부 미러 및 적어도 하나의 공진기 미러를 구비한 접혀진 공진기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 펌프 방사선이 공진기 내부에서 토털 리플렉션 되도록 적어도 하나의 내부 공진기 미러가 배치되는 것도 또한 특히 바람직하다. 이 경우 공진기 단부 미러는 절단된 크리스탈 깎은 면(facet) 및 내부 공진기 미러에 의해 에칭된 미러일 수 있다.
본 발명의 한 바람직한 개선예에서는, 방사선이 다중으로 상이한 방향으로 수직 방출 영역을 통과하는 펌프 방사선원으로부터 부분 방사선 번들이 유래한다. 한 가지 형성예에서는, 수직 방출 영역의 주 방사 방향으로 포물선 형태로 구부러지고 에칭된 미러로 이루어진 공진기 단부 미러를 구비한 공진기를 펌프 방사선원이 포함하며, 이 경우 수직 방출 영역은 상기 미러의 초점에 배치되어 있다.
대안적으로 상기 펌프 방사선원은 반도체-링 레이저이다. 바람직한 것은, 상기 반도체-링 레이저의 공진기가 적어도 3개의 내부 공진기 미러를 포함한다는 것이다. 특히 바람직한 것은, 펌프 방사선원이 공진기 내부에서 토털 리플렉션 되도록 상기 적어도 3개의 내부 공진기 미러가 배치되어 있다는 것이다.
본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 한 바람직한 개선예에서는, 적어도 하나의 펌프 방사선원으로부터 수직 방사 영역으로의 전이부가 구부러져 있고, 굴절 지수 변동을 특징으로 함으로써, 펌프 방사선이 수직 방출 영역에 포커싱 된다.
반도체 레이저 장치의 추가의 장점, 바람직한 실시예 및 개선예들은 아래에서 도 1 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명된 실시예들로부터 얻어진다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 1 실시예의 개략적인 평면도이며,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 2 실시예의 개략적인 평면 도이고,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 3 실시예의 개략적인 평면도이며,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 4 실시예의 개략적인 평면도이고,
도 5는 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 5 실시예의 개략적인 평면도이며,
도 6은 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 6 실시예의 개략적인 평면도이다.
도면들은 개략도이다. 특히 부재들의 크기 비율은 척도에 맞지 않게 도시되었다. 다양한 실시예들의 동일한 부재들 또는 동일하게 작용하는 부재들은 도면에서 각각 동일한 도면 부호를 갖는다.
도 1에 개략적인 평면도로 도시된 본 발명에 따른 광 펌핑 반도체 레이저 장치의 제 1 실시예는 중앙에 있는 하나의 수직 방출 영역(1) 및 상기 수직 방출 영역(1) 내에서 교차되는 2개의 펌프 방사선원(2)을 포함한다. 상기 펌프 방사선원(2)은 구부러진 공진기 단부 미러(3)에 의해서 외부로 제한되어 있다.
반도체 레이저 장치의 상기 실시예 또는 본 출원의 범위에서 도시된 추가 실시예들은 예를 들어 서문에 언급된 간행물 WO 01/93386호 또는 WO 02/067393호로부터 인용될 수 있다. 수직 방출 영역(1)은 예를 들어 액티브 증폭 영역으로서 기능하는 양자 포트 구조물을 포함하며, 이 경우 상기 양자 포트 구조물이라는 명칭은 본 출원서의 범위 안에서는, 전하 캐리어가 제한(confinement)에 의해서 자체 에너지 상태의 양자화를 경험하는 모든 구조물을 포괄한다. 특히 양자 포트 구조물이라는 명칭은 양자화의 치수 설정에 대한 지시를 포함하지는 않는다. 따라서 상기 양자 포트 구조물이라는 명칭은 다른 무엇보다도 양자 웰, 양자 와이어 및 양자 포인트 그리고 상기 구조물들의 각각의 조합을 포괄한다.
구부러진 공진기 단부 미러(3)는 모놀리식으로 집적된 펌프 레이저(2)에서 에칭 프로세스에 의해 임의의 형태로 그리고 임의의 곡률 반경으로 제조될 수 있다. 원하는 반사율은 추가의 제조 프로세스에서 상황에 따라 금속화층을 증착함으로써 달성될 수 있다. 공진기 단부 미러(3)가 적합하게 형성된 경우에는, 상기와 같은 방식으로 펌프 방사선원(2)을 위한 레이저 공진기가 형성되며, 상기 레이저 공진기는 이상적으로 가우스-형태의 가로 방향 세기 프로파일을 갖는 안정적인 펌프 방사선 모드가 공진기 내부에서 형성되는 것을 특징으로 한다.
공진기 내부에서의 빔 가이드에 의해서는 방사선 번들이 수렴 방식으로 수직 방출 영역(1) 내부로 입사되며, 그 결과 상기 수직 방출 영역(1)의 중앙에 세기가 집중된다. 펌프 방사선의 가우스-형태의 가로 방향 세기 프로파일과 함께, 수직 방출 영역(1)에서는 펌프 방사선의 공간적인 분포가 나타나며, 이와 같은 분포는 수직 방출 영역(1)의 기본 모드에 매우 유사하게 상응한다.
펌프 방사선이 전혀 상기 수직 방출 영역(1)의 중앙까지 더 이상 진행할 수 없을 정도로 상기 수직 방출 영역(1)의 에지 영역에서의 펌프 방사선의 흡수가 지나치게 강하지 않도록, 상기 수직 방출 영역(1)에서 펌프 방사선의 흡수율이 설정 되는 것이 유리하다. 상기 흡수율의 적응은 수직 방출 영역(1)으로부터 방출되는 방사선의 파장과 비교하여 펌프 방사선의 파장을 적절하게 선택함으로써 이루어질 수 있으며, 상기 파장은 재차 수직 방출 영역(1) 및 펌프 방사선원(2)에서의 광학 활성 구조물의 재료 조성에 의하여 영향을 받을 수 있다. 이 경우 펌프 방사선은 우수한 펌프 효율에 도달하기 위하여 수직 방출 영역(1)으로부터 송출되는 방사선보다 작은 파장을 갖는다.
도 2에 도시된 실시예에서는, 하나의 직선 공진기 단부 미러(4) 및 하나의 구부러진 공진기 단부 미러(3)를 포함하는 펌프 방사선원(2)이 제공된다. 상기 직선의 공진기 단부 미러(4)는 이상적으로는 갭이 형성된 크리스탈 깎은 면이다. 상기 구부러진 공진기 단부 미러(3)는 재차 에칭 프로세스에 의해서 형성된다. 2개의 미러 면들은 후속하는 하나의 금속층을 구비할 수 있다. 바람직하게 상기 구부러진 공진기 미러(3)는 포물선의 형태를 가지며, 상기 포물선의 대칭축은 펌프 방사선원(2)의 방향으로 그리고 직선 공진기 단부 미러(4)에 대하여 수직으로 진행한다. 수직 방출 영역(1)의 영역은 본 실시예에서 원형으로 구현되어 포물선의 초점에 배치되어 있다. 따라서, 펌프 방사선은 모든 방향으로부터 균일하게 수직 방출 영역(1)으로 입사된다. 그 결과 수직 방사 영역(1)에서는 펌프 방사선의 세기가 방사 대칭으로 분포됨으로써, 이상적으로는 마찬가지로 방사 대칭인 상기 수직 방출 영역(1)의 기본 모드가 펌핑된다.
도 3에 도시된 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 3 실시예에서는, 수직 방출 영역(1)이 상기 수직 방출 영역(1) 내에서 교차되는 3개의 펌프 방사선 원(2)에 의해 둘러싸여 있다. 이 경우 상기 3개의 펌프 방사선원(2) 중에서 중간의 펌프 방사선원은, 2개의 직선 공진기 단부 미러(4)에 의해 제한된 선형 공진기를 특징으로 한다. 2개의 추가 펌프 방사선원(2)도 마찬가지로 각각 2개의 직선 공진기 단부 미러(4)에 의해 제한되며, 더 나아가서는 각각 2개의 내부 공진기 미러(5)를 추가로 포함한다.
도 3에 도시된 장치는 45°에 해당하는 내부 공진기 미러(5)에서의 공진기 내부 방사선의 입사각 또는 반사각을 야기한다. 통상적으로 전술한 유형의 반도체 레이저 장치용으로 사용되는 것과 같은 재료 굴절율의 경우에는, 상기 각도에서 이미 상기 내부 공진기 미러(5)의 경계면에서 토털 리플렉션이 발생한다. 내부 공진기 미러(5)는 예를 들어 하나의 에칭 프로세스로 제조될 수 있으며, 이 경우에는 반사기의 금속 코팅을 위한 추가의 금속 증착이 생략될 수 있다. 에칭 프로세스로서는 바람직하게 습식 화학 또는 건식 화학 에칭 방법이 사용된다. 예를 들어 질화 실리콘과 같은 불활성 패시베이션 층이 상기 에칭된 표면을 보호하기 위하여 그리고 상기 표면의 화학적인 장시간 안정성을 개선하기 위하여 증착될 수 있다. 특히 적합한 한 가지 제조 프로세스에서는, 웨이퍼 결합시에 에칭 및/또는 금속 증착 및/또는 패시베이션 층의 증착이 실행될 수 있다. 그 다음에 후속적으로 반도체 레이저 장치들이 톱질 또는 절단에 의해서 서로 분리될 수 있다.
도시된 장치에서는, 상이한 방사 방향을 갖는 다수의 펌프 방사선원(2)이 수직 방출 영역(1)에서 서로 교차되고, 상기 모든 펌프 방사선원의 공진기가 갭을 갖는 크리스탈 깎은 면에 의해서 형성된 높은 품질을 갖는 공진기 단부 미러(4)에 의 하여 제한되는 것이 바람직하다. 이와 같은 목적을 위해 필수적으로 도입된 내부 공진기 미러(5)는 토탈 리플렉션 때문에 단점적인 추가의 공진기 손실을 전혀 야기하지 않는다. 본 실시예에서 사각형의 수직 방출 영역(1)은 당연히 다른 형태의 기본면을 가질 수 있으며, 특히 본 경우에는 펌프 방사선원(2)의 방사선이 각각 상기 수직 방출 영역의 한 면에 수직으로 충돌하는 육각형의 기본면을 생각할 수 있다.
도 4는, 서로 90°의 각도로 서 있는 각각 2개의 직선 공진기 단부 미러(4)에 의해 각 면이 제한된 2개의 펌프 방사선원(2)이 중앙의 수직 방출 영역(1)에서 교차되는 제 4 실시예를 보여준다.
따라서, 각각 2개의 공진기 단부 미러(4)의 배열 상태는 하나의 역반사체 내에서의 미러의 배열 상태와 유사하다.
상기 실시예는 도 2와 관련하여 도시된 실시예와 유사한 방식으로, 반사 손실을 적은 레이저 공진기를 제조하기 위하여 토털 리플렉션을 이용한다. 직선의 공진기 단부 미러(4)는 에칭될 수 있으며, 이 경우에는 금속화층은 생략될 수 있으나 경우에 따라서는 보호층이 패시베이션을 위하여 제공될 수 있다.
도 5의 실시예에서는, 반도체-링 레이저로서 3개의 내부 공진기 미러(5)가 장착된 단 하나의 펌프 방사선원(2)이 제공된다. 공진기는 "8"의 형태를 나타내며, 이 경우 수직 방출 영역(1)은 두 가지 상이한 방향으로부터 유래하는 방사선이 상기 수직 방출 영역(1)을 통과하도록 상기 "8"의 교차점에 배치되어 있다. 내부 공진기 미러(5)는 하나의 에칭 프로세스로 형성될 수 있다. 도시된 배열 상태에서 는 공진기 방사선이 22.5°의 각도로 상기 내부 공진기 미러(5) 위로 떨어진다. 사용된 반도체 재료의 굴절율에 따라, 상기 입사각에서도 토털 리플렉션이 발생한다. 이 경우에는 상기 내부 공진기 미러(5)의 표면을 금속 코팅하는 과정이 생략될 수 있고, 경우에 따라서는 상기 내부 공진기 미러(5)의 표면에 다만 패시베이션 층만이 제공될 수 있다. 다른 경우에는 상기 패시베이션 층 대신에 금속화층이 반사 코팅부로서 증착될 수 있다.
각각 다른 개수의 미러도 물론 생각할 수 있으며, 이와 같은 다른 개수의 미러는 특별히 미러가 4개일 때 나타나는 22.5°의 입사각이 상기 사용된 반도체 재료의 굴절율로 인해 토털 리플렉션을 위한 조건을 충족시키기에 충분하지 않은 경우에 유리하다.
도 6에 도시된 본 발명에 따른 반도체 레이저 장치의 제 6 실시예는 원형의 수직 방출 영역(1)을 특징으로 한다. 수직 방출 영역(1)은 상기 수직 방출 영역(1) 내에서 교차되는 2개 펌프 방사선원(2)의 4개 면으로부터 펌핑된다. 수직 방출 영역(1) 및 펌프 방사선원(2)은 상이한 굴절율을 갖도록 설계되었다. 이와 같은 상이한 굴절율은 재료의 선택에 의해서 생기거나, 또는 도파관에서 상이한 임피이던스를 야기하고 그에 의해 상이하고 효과적인 굴절율을 야기하는 하나의 단(stage)이 수직 방출 영역(1)과 펌프 방사선원(2) 사이의 전이부에 에칭에 의해 형성됨으로써 생길 수 있다. 펌프 방사선이 펌프 방사선원(2)으로부터 수직 방출 영역(1)으로 전이되는 경우에는, 상기 펌프 방사선이 상기 수직 방출 영역(1)의 중심 쪽으로 굴절된다. 이와 같은 방식으로, 방사 대칭적인 분포는 수직 방출 영 역(1)에서의 펌프 방사선 세기에 매우 근접하게 되며, 상기 펌프 방사선 세기는 재차 기본 모드의 방사 대칭을 반영하기 때문에 바람직하게는 상기 기본 모드를 여기하게 된다.
실시예들을 참조하여 이루어진 본 발명의 설명이 본 발명을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 본 발명은 오히려 청구의 범위에 언급된 특징들을 갖는 모든 장치들과 관련이 있다. 또한 본 발명은 명세서에 언급된 특징들 그리고 그 특징들의 조합이 청구의 범위 또는 명세서에 명시적으로 언급되어 있지 않더라도, 그 모든 특징들 그리고 그 특징들의 조합을 포괄한다.

Claims (16)

  1. 표면 방출하는 수직 방출 영역(1) 그리고 상기 수직 방출 영역(1)을 광학적으로 펌핑하기 위하여 모놀리식으로 집적된 적어도 하나의 펌프 방사선원(2)을 포함하며,
    펌프 방사선이 상이한 방사 방향을 갖는 부분 방사선 번들의 형태로 수직 방출 영역(1)으로 입사되도록 상기 적어도 하나의 펌프 방사선원(2)이 정렬되고 배치됨으로써, 상기 펌프 방사선이 상기 수직 방출 영역(1)의 기본 모드와의 중첩부를 가지며, 상기 중첩부가 상기 기본 모드를 여기하기에 적합한,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 부분 방사선 번들이 다양한 주(主) 방사 방향을 갖는 다양한 펌프 방사선원(2)으로부터 유래하는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 펌프 방사선원(2)이 증폭기 영역을 포함하는 폐쇄된 공진기를 구비한 반도체 레이저인 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 펌프 방사선원(2)이 에지 방출하는 반도체 레이저인 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 펌프 방사선원(2)이 적어도 하나의 구부러진 공진기 단부 미러(3)를 구비한 각각 하나의 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 펌프 방사선원(2)이 적어도 하나의 공진기 단부 미러 장치를 구비한 각각 하나의 공진기를 포함하며, 상기 공진기 단부 미러 장치는 서로 직각으로 배치된 2개의 직선 공진기 단부 미러(4)로 이루어지는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 2개의 직선 공진기 단부 미러(4)는 펌프 방사선이 공진기 내에서 토털 리플렉션 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 또는 다수의 상기 펌프 방사선원(2)이 2개의 공진기 단부 미러 및 적어도 하나의 내부 공진기 미러(5)를 구비한 접혀진 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 내부 공진기 미러(5)는 펌프 방사선이 공진기 내에서 토털 리플렉션 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 공진기 단부 미러는 절단된 크리스탈 깎은 면(facet)이고, 상기 내부 공진기 미러(5)는 에칭된 미러인 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 부분 방사선 번들은 하나의 펌프 방사선원(2)으로부터 유래하고, 상기 펌프 방사선원의 방사선은 다중으로 다양한 방향으로 상기 수직 방출 영역(1)을 통과하는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 펌프 방사선원(2)이 공진기 단부 미러를 구비한 공진기를 포함하고, 상기 공진기는 상기 수직 방출 영역(1)의 주 방사 방향으로 포물선 형태로 구부러지고 에칭된 미러로 이루어지며, 상기 수직 방출 영역(1)은 상기 포물선 형태로 구부러지고 에칭된 미러의 초점에 배치되는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 펌프 방사선원(2)이 반도체-링 레이저인 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체-링 레이저의 공진기가 적어도 3개의 내부 공진기 미러(5)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 적어도 3개의 내부 공진기 미러(5)는 상기 펌프 방사선이 공진기 내에서 토털 리플렉션 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 펌프 방사선원(2)으로부터 수직 방출 영역(1)으로의 전이부가 구부러져 있고, 굴절율 변동을 특징으로 함으로써, 상기 펌프 방사선이 수직 방출 영역(1)에 포커싱 되는 것을 특징으로 하는,
    광 펌핑 반도체 레이저 장치.
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