KR20060120433A - 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 및 그 구동방법 - Google Patents

풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 및 그 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 및 그 구동방법으로, 제로전압 스위칭(zero-voltage switching) 기술과 순환전류(circular current)로 두 개의 n-channel MOSFET로 형성된 회로에 도통하여 냉음극 형광램프(cold cathode fluorescent lamp, CCFL) 혹은 신호출력장치 등 부하를 구동시키며 스위치 손실을 저하시키고 효율을 높이는 수요를 달성한다.
풀 브릿지, 스위칭 인버터, 트랜지스터, 다이오드, 변압기, 필터회로

Description

풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 및 그 구동방법{Full-Bridge Soft Switching Inverter and Driving Method Thereof}
도 1은 종래의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 회로도
도 2는 또 다른 종래의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 회로도 및 그 구동신호도
도 3은 본 발명의 한 구체적인 실시예의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 회로도 및 그 구동신호도
도 4는 본 발명의 또 다른 구체적인 실시예의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 회로도
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
Vin：입력전압 QAN：n-channel MOSFET
QAP：p-channel MOSFET QBN：n-channel MOSFET
QCN：n-channel MOSFET QDN：n-channel MOSFET
VAB,VCD：노드 TX：변압기
L：부하 RS：피드백 저항
D1, D2：다이오드 F：필터회로
S：스피커
본 발명은 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터 및 그 구동방법에 관한 것으로, 특히 제로전압 스위칭(zero-voltage switching) 기술과 순환전류(circular current)를 사용해 두개의 n-channel MOSFET로 형성된 회로의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터와 그 구동방법으로 냉음극 형광램프(cold cathode fluorescent lamp, CCFL) 혹은 신호출력장치 등 부하를 구동시킨다.
전자 제품이 고주파수 조작시에도 스위칭 손실을 줄이고 효율을 높이는 수요에 부응하기 위한 소프트 스위칭 기술은 이미 전력제어 집적회로 산업의 주류가 되고 있다.
종래의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터는 도 1에서와 같이, 이 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터는 4개의 n-channel MOSFET(QAN, QBN, QCN, QDN) 및 하나의 변압기 TX를 포함한다. 상기 트랜지스터(QAN,QCN)은 각각 하나의 입력전압(Vin)에 연결되고, 트랜지스터(QAN,QBN)사이의 노드(node)(VAB)와 트랜지스터(QCN,QDN) 사이의 노드(VCD)는 변압기(TX)의 1차측에 연결되며, 변압기(TX)의 2차측은 부하(Load)(L)에 연결된다. 이 부하(L)는 동시에 제1다이오드(D1)의 마이너스 단자와 제2다이오드(D2)의 플러스 단자에 연결된다. 이 제1다이오드(D1)의 플러스 단자는 접지된다. 이 제2다이오드(D2)의 마이너스 단자는 피드백 저항(RS)을 통해 접지된다.
도 2는 또 다른 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터를 제공하는데, 이는 트랜지스터 QAP, QCP와 p-channel MOSFET 외 기타 부분은 모두 도 1과 동일하다.
도 2는 또한 트랜지스터(QAP,QBN,QCP,QDN) 사이의 게이트 구동신호를 사용함을 보여주고 있다. 도 2에서 제1게이트 구동신호(Drive＿A)와 제2게이트 구동신호(Drive＿B)는 동상(同相)이며, 그 작업주기(duty cycle)가 모두 50%보다 크다. 제로 전압 스위칭을 확보하기 위해 제2게이트 구동신호(Drive＿B)의 작업주기는 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 약간 작다. 이렇게 하여 이 두 게이트 구동신호 사이에 한 주기의 턴-온 데드타임(turn-on dead time)이 존재하게 된다.
한편, 제3게이트 구동신호(Drive＿C)와 제4게이트 구동신호(Drive＿D)는 동상(同相)이며, 그 작업주기가 모두 50%보다 크다. 제로 전압 스위칭을 확보하기 위해 제4게이트 구동신호(Drive＿D)의 작업주기는 제3게이트 구동신호(Drive＿C)의 작업주기보다 약간 작다. 이렇게 하여 이 두 게이트 구동신호 사이에 한 주기의 턴-온 데드타임이 존재하게 된다.
도 2의 회로는 제로전압의 순환전류가 트랜지스터(QAP,QCP)의 사이와 트랜지스터(QBN,QDN)의 사이에서 생성되게 하는 것이다. 그러나 p채널 트랜지스터(MOSFET) 는 n채널 트랜지스터(MOSFET)의 도통(turn-on) 특성보다 좋지 않기 때문에 캐리어 이동도(mobility), 도통 전기저항과 반응시간 등에서 스위칭 효율과 조작속도에서 불리한 영향을 끼치게 된다.
따라서 일종의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터와 그 구동방법으로 예를 들어 냉음극 형광램프 혹은 신호출력장치 등 부하를 구동시키는 동시에 스위칭 손실을 저하시키고 고효율을 보장하는 방법이 매우 필요하게 된다.
본 발명의 주요 목적은 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터와 그 구동방법을 제공하는 데 있으며, 제로전압 스위칭 기술을 사용해 순환전류가 두 개의 n-channel MOSFET에 형성된 회로에 도통되어 스위칭 손실을 저하시키고 고효율을 보장하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터를 제공하는데 이는 아래를 포함하되, 풀 브릿지식 회로 구성은 아래를 포함하는데,
제1 p-channel MOSFET는 제1게이트, 제1드레인 및 제1소스를 가지는데, 상기 제1게이트에는 제1게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제1소스에는 입력전압이 입력되며,
제1 n-channel MOSFET는 제2게이트, 제2드레인 및 제2소스를 가지는데, 상기 제2게이트에는 제2게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제2드레인은 제1드레인에 연 결되며, 상기 제2소스는 접지된다.
제2 p-channel MOSFET은 제3게이트, 제3드레인 및 제3소스를 가지는데, 상기 제3게이트에는 제3게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제3소스는 상기 입력전압이 입력된다.
제2 n-channel MOSFET는 제4게이트, 제4드레인 및 제4소스를 가지는데, 상기 제4게이트에는 제4게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제4드레인은 제3드레인에 연결되며, 제4소스는 접지된다.
상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기(duty-cycle)는 50%보다 크고 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하고,
상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보한다.
본 발명은 더 나아가 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법을 제공하는데, 이는 아래 단계를 포함하되,
제1게이트 구동신호를 제1 p-channel MOSFET의 제1게이트에 제공하고,
제2게이트 구동신호를 제1 n-channel MOSFET의 제2게이트에 제공하고,
제3게이트 구동신호를 제2 p-channel MOSFET의 제3게이트에 제공하고,
제4게이트 구동신호를 제2 n-channel MOSFET의 제4게이트에 제공하며,
상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 실질적으로 동상(同相)이 고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보한다.
또한, 상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 실질적으로 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고, 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보한다.
본 발명의 특징, 목적 및 기능에 대해 진일보한 이해를 위해 도면을 참고해 상세히 설명하기로 한다.
도 3을 참고하면, 이는 본 발명의 구체적인 실시예의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터와 그 구동신호이다. 이 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터는 풀 브릿지식 회로 구성을 포함한다.
상기 풀 브릿지식 회로 구성은 제1 p-channel MOSFET(QAP)를 포함하는데, 이는 제1게이트, 제1드레인 및 제1소스를 가지며, 상기 제1게이트에는 제1게이트 구동신호(Drive＿A)가 입력되고, 상기 제1소스에는 입력전압(Vin)이 입력되며,
상기 제1 n-channel MOSFET(QBN)는 제2게이트, 제2드레인 및 제2소스를 가지는데, 상기 제2게이트에는 제2게이트 구동신호(Drive＿B)가 입력되고, 상기 제2드레인에는 제1드레인이 연결되고, 상기 제2소스는 접지되며,
상기 제2 p-channel MOSFET(QCP)은 제3게이트, 제3드레인 및 제3소스를 가지는데, 상기 제3게이트에는 제3게이트 구동신호(Drive＿C)가 입력되고, 상기 제3소스에는 입력전압(Vin)이 입력되며,
상기 제2 n-channel MOSFET(QDN)는 제4게이트, 제4드레인 및 제4소스를 가지는데, 상기 제4게이트에는 제4게이트 구동신호(Drive＿D)가 입력되고, 상기 제4드레인은 제3드레인에 연결되고, 제4소스는 접지된다.
본 발명의 구체적인 실시예의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터는 더 나아가 하나의 변압기(TX)를 포함한다. 이 변압기(TX)는 1차측과 2차측을 가지고 있으며, 상기 1차측은 제1드레인과 제2드레인 사이의 제1노드(VAB)과 제3드레인과 제4드레인 사이의 제2노드(VCD)을 가지며, 상기 2차측은 적어도 하나의 부하(Load)(L)에 연결된다.
제1게이트 구동신호(Drive＿A)와 제2게이트 구동신호(Drive＿B)는 동상(同相)이며, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 제1게이트 구동신호(Drive＿A)의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하고, 제3게이트 구동신호(Drive＿C)와 제4게이트 구동신호(Drive＿D)는 동상(同相)이며, 상기 제4게이트 구동신호(Drive＿D)의 작업주기는 50%보다 크며 제3게이트 구동신호(Drive＿C)의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보한다.
자세히 말하면, 제1게이트 구동신호(Drive＿A)와 제2게이트 구동신호(Drive＿B)가 모두 저전위일 때, 트랜지스터(QAP)는 온(on)되고 트랜지스터(QBN)는 오프(off)되며, 그렇지 않을 경우 제1게이트 구동신호(Drive＿A)와 제2게이트 구동신호(Drive＿B)가 모두 고전위일 때 트랜지스터(QAP)는 오프(off)되고 트랜지스터(QBN) 는 온(on)된다.
같은 이치로 제3게이트 구동신호(Drive＿C)와 제4게이트 구동신호(Drive＿D)가 모두 저전위일 때, 트랜지스터(QCP)는 온(on)되고 트랜지스터(QDN)는 오프(off)되며, 그렇지 않을 경우 제3게이트 구동신호(Drive＿C)와 제4게이트 구동신호(Drive＿D)가 모두 고전위일 때 트랜지스터(QCP)는 오프(off)되고 트랜지스터(QDN)는 온(on)된다.
변압기(TX) 1차측은 n-channel 트랜지스터 QBN과 QDN를 포함한 회로의 제로전압일 때의 순환전류(Circular Current)를 얻게되고, 트랜지스터(QAP,QBN,QCP,QDN)는 입력전압(Vin)의 직류전압 레벨을 감소시킨다. 보다 바람직하게는, 부하(L)는 피드백 저항(RS)에 연결되어 피드백 전류(Feedback Current)를 출력한다.
도 4에 나타낸 것은 본 발명의 또 다른 구체적인 실시예의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터이다. 도 4에서 이 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터는 주로 풀 브릿지식 회로 구성을 포함하는데, 이는 필터회로(Filter Circuit)(F)를 통해 스피커(Speaker)(S) 등의 신호출력장치에 연결된다.
일반적으로, 본 발명의 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터와 그 구동방법은 LCD 백라이트 모듈의 냉음극 형광램프 혹은 스피커 등의 신호출력장치를 구동시키는데 사용된다.
그러나 본 기술영역은 결코 이에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 정신에 의해 변화, 수식, 응용 등 기타 실시예도 모두 본 발명의 정신과 범위에 드는 것임 을 밝혀둔다.
본 발명의 구체적인 실시예에서 이 제1게이트 구동신호(Drive＿A)와 제2게이트 구동신호(Drive＿B)는 실질적으로 동상(同相)이며, 상기 제2게이트 구동신호(Drive＿B)의 작업주기는 75%보다 크며, 상기 제1게이트 구동신호(Drive＿A)의 작업주기보다 작아 상기 제1,2게이트 구동신호의 사이에 한 주기의 턴온 데드타임(turn-on dead time)이 존재하게 되며, 제로전압 스위칭을 확보한다.
동일한 원리로 제3게이트 구동신호(Drive＿C)와 제4게이트 구동신호(Drive＿D)는 실질적으로 동상(同相)이며, 상기 제4게이트 구동신호(Drive＿D)의 작업주기는 75%보다 크며, 상기 제3게이트 구동신호(Drive＿C)의 작업주기보다 작아 상기 제3,4게이트 구동신호의 사이에 한 주기의 턴온 데드타임이 존재하게되며, 제로전압 스위칭을 확보한다.
이 밖에 본 실시예 중에서 제1게이트 구동신호(Drive＿A)와 제3게이트 구동신호(Drive＿C)의 상호 위치차이는 반주기(half a cycle)이다.
상술한 설명을 종합하면, 본 발명은 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터와 그 구동방법을 제공하는데, 제로전압 스위칭 기술을 이용해 순환회로가 두 개의 n-channel MOSFET를 포함한 회로에 턴온(도통)되어 전자이동율이 비교적 큰 장점을 가지는데, 예를 들어 실리콘(Si)이 온도 300K의 환경에서 그 전자이동도μn이 1500㎠/V-sec이며, 홀 이동도μp는 겨우 475㎠/V-sec이다. 따라서 본 발명은 대폭적으로 트랜지스터의 턴온 전기저항을 저하시키고, 트랜지스터의 조작속도를 제고시켜 냉음극 형광램프 혹은 신호출력장치 등 부하의 구동회로가 되며 스위칭 손실을 저하시키고 동시에 고효율의 수요에 부합된다.
상술한 것은 발명의 비교적 구체적인 실시예로 결코 이로써 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 범위에 따른 어떠한 변화와 수식도 본 발명의 권리범위에 드는 것임을 밝혀둔다.

Claims (28)

  1. 풀 브릿지식 회로는 제1 p-channel MOSFET, 제1 n-channel MOSFET, 제2 p-channel MOSFET, 제2 n-channel MOSFET을 포함하되,
    상기 제1 p-channel MOSFET는 제1게이트, 제1드레인 및 제1소스를 가지는데, 상기 제1게이트에는 제1게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제1소스에는 입력전압이 입력되고,
    상기 제1 n-channel MOSFET는 제2게이트, 제2드레인 및 제2소스를 가지는데, 상기 제2게이트에는 제2게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제2드레인은 제1드레인에 연결되고, 상기 제2소스는 접지되며,
    상기 제2 p-channel MOSFET은 제3게이트, 제3드레인 및 제3소스를 가지는데, 상기 제3게이트에는 제3게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제3소스는 상기 입력전압이 입력되고,
    상기 제2 n-channel MOSFET는 제4게이트, 제4드레인 및 제4소스를 가지는데, 상기 제4게이트에는 제4게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제4드레인은 제3드레인에 연결되며, 제4소스는 접지되며,
    상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기(duty-cycle)는 50%보다 크고 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하고,
    상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4 게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  2. 제1항에 있어서, 1차측과 2차측을 가지며, 상기 1차측은 제1드레인과 제2드레인 사이의 제1노드와 제3드레인과 제4드레인 사이의 제2노드에 연결되며, 상기 2차측은 부하에 연결되는 변압기를 더 포함하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부하는 피드백 저항에 연결되어 피드백 전류를 출력하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  4. 제2항에 있어서, 상기 부하는 냉음극 형광램프인 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  5. 제1항에 있어서, 입력측과 출력측을 가지며, 상기 입력측은 제1드레인과 제2드레인 사이의 제1노드와 제3드레인과 제4드레인 사이의 제2노드에 연결되며 상기 출력측은 신호출력장치에 연결되는 필터회로를 더 포함하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 신호출력장치는 스피커인 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이며, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이며, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제3게이트 구동신호의 상호 위치차이는 반주기(half a cycle)인 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터.
  10. 제1게이트 구동신호를 제1 p-channel MOSFET의 제1게이트에 제공하는 단계와;
    제2게이트 구동신호를 제1 n-channel MOSFET의 제2게이트에 제공하는 단계와;
    제3게이트 구동신호를 제2 p-channel MOSFET의 제3게이트에 제공하는 단계; 및
    제4게이트 구동신호를 제2 n-channel MOSFET의 제4게이트에 제공하는 단계를 포함하되,
    상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하며,
    상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  11. 제10항에 있어서, 1차측과 2차측을 가지며, 상기 1차측은 제1 p-channel MOSFET와 제1 n-channel MOSFET 사이의 제1노드와 제2 p-channel MOSFET와 제2 n-channel MOSFET 사이의 제2노드에 연결되며, 상기 2차측은 부하에 연결되는 변압기를 제공하는 단계를 더 포함하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 부하는 피드백 저항에 연결되어 피드백 전류를 출력하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 부하는 냉음극 형광램프인 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  14. 제10항에 있어서, 입력측과 출력측을 가지며, 상기 입력측은 각각 제1 p-channel MOSFET와 제1 n-channel MOSFET 사이의 제1노드와 제2 p-channel MOSFET와 제2 n-channel MOSFET 사이의 제2노드에 연결되며, 상기 출력측은 신호출력장치에 연결되는 필터회로를 제공하는 단계를 더 포함하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 신호출력장치는 스피커인 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이며, 상기 제2 게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며, 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  17. 제10항에 있어서, 상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이며, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며, 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제3게이트 구동신호의 상호 위치차이는 반주기(half a cycle)인 풀 브릿지식 소프트 스위칭 인버터의 구동방법.
  19. 풀 브릿지식 회로와 변압기를 포함하되,
    상기 풀 브릿지식 회로는 제1 p-channel MOSFET, 제1 n-channel MOSFET, 제2 p-channel MOSFET, 제2 n-channel MOSFET을 포함하는데,
    상기 제1 p-channel MOSFET는 제1게이트, 제1드레인 및 제1소스를 가지는데, 상기 제1게이트에는 제1게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제1소스에는 입력전압이 입력되고,
    상기 제1 n-channel MOSFET는 제2게이트, 제2드레인 및 제2소스를 가지는데, 상기 제2게이트에는 제2게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제2드레인은 제1드레인에 연결되고, 상기 제2소스는 접지되며,
    상기 제2 p-channel MOSFET은 제3게이트, 제3드레인 및 제3소스를 가지는데, 상기 제3게이트에는 제3게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제3소스는 상기 입력전압이 입력되고,
    상기 제2 n-channel MOSFET는 제4게이트, 제4드레인 및 제4소스를 가지는데, 상기 제4게이트에는 제4게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제4드레인은 제3드레인에 연결되며, 제4소스는 접지되며,
    상기 변압기는 1차측과 2차측을 가지며, 상기 1차측은 제1드레인과 제2드레인 사이의 제1노드와 제3드레인과 제4드레인 사이의 제2노드에 연결되고, 상기 2차 측은 냉음극 형광램프에 연결되며,
    상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기(duty-cycle)는 50%보다 크고 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하고,
    상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 냉음극 형광램프용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  20. 제19항에 있어서, 상기 냉음극 형광램프는 피드백 저항에 연결되어 피드백 회로를 출력하는 냉음극 형광램프용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  21. 제19항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 냉음극 형광램프용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  22. 제19항에 있어서, 상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 냉음극 형광램프용 풀 브 릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  23. 제19항에 있어서, 그중 이 제1 게이트극 구동신호와 제3게이트 구동신호의 상호 위치차이는 반주기(half a cycle)인 냉음극 형광램프용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  24. 풀 브릿지식 회로와 필터회로를 포함하되,
    상기 풀 브릿지식 회로는 제1 p-channel MOSFET, 제1 n-channel MOSFET, 제2 p-channel MOSFET, 제2 n-channel MOSFET을 포함하는데,
    상기 제1 p-channel MOSFET는 제1게이트, 제1드레인 및 제1소스를 가지는데, 상기 제1게이트에는 제1게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제1소스에는 입력전압이 입력되고,
    상기 제1 n-channel MOSFET는 제2게이트, 제2드레인 및 제2소스를 가지는데, 상기 제2게이트에는 제2게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제2드레인은 제1드레인에 연결되고, 상기 제2소스는 접지되며,
    상기 제2 p-channel MOSFET은 제3게이트, 제3드레인 및 제3소스를 가지는데, 상기 제3게이트에는 제3게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제3소스는 상기 입력전압이 입력되고,
    상기 제2 n-channel MOSFET는 제4게이트, 제4드레인 및 제4소스를 가지는데, 상기 제4게이트에는 제4게이트 구동신호가 입력되고, 상기 제4드레인은 제3드레인 에 연결되며, 제4소스는 접지되며,
    상기 필터회로는 입력측과 출력측을 가지며, 상기 입력측은 제1드레인과 제2드레인 사이의 제1노드와 제3드레인과 제4드레인 사이의 제2노드에 연결되고, 상기 출력측은 신호출력장치에 연결되며,
    상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기(duty-cycle)는 50%보다 크고 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하고,
    상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 50%보다 크고 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 신호출력장치용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  25. 제24항에 있어서, 상기 신호출력장치는 스피커인 신호출력장치용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  26. 제24항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제2게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제2게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며, 상기 제1게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 신호출력장치용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  27. 제24항에 있어서, 상기 제3게이트 구동신호와 제4게이트 구동신호는 동상(同相)이고, 상기 제4게이트 구동신호의 작업주기는 75%보다 크며, 상기 제3게이트 구동신호의 작업주기보다 작아 제로전압 스위칭을 확보하는 신호출력장치용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
  28. 제24항에 있어서, 상기 제1게이트 구동신호와 제3게이트 구동신호의 상호 위치차이는 반주기(half a cycle)인 신호출력장치용 풀 브릿지식 소프트 스위칭 구동회로.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7460380B2 (en) * 2006-06-26 2008-12-02 System General Corp. Highly efficient switching power converter using a charge pump to power the drive circuit
US9093922B2 (en) 2010-08-17 2015-07-28 Hyundai Heavy Industries Co., Ltd. Advanced circuit arrangement of transformerless 1 phase PV inverter
US9059076B2 (en) * 2013-04-01 2015-06-16 Transphorm Inc. Gate drivers for circuits based on semiconductor devices
JP6442744B2 (ja) * 2015-10-08 2018-12-26 正敏 井森 周波数の可変な搬送波が共振回路を駆動する安定化電源
US10742118B2 (en) 2016-08-03 2020-08-11 Apple Inc. Quasi-resonant power converter with reduced dynamic switching losses
US10505445B2 (en) 2016-08-08 2019-12-10 Apple Inc. Power converter with output voltage control
US11121573B1 (en) 2016-09-22 2021-09-14 Apple Inc. Low-profile power converter
US10148178B2 (en) 2016-09-23 2018-12-04 Apple Inc. Synchronous buck converter with current sensing
US10721801B1 (en) * 2019-07-16 2020-07-21 Hardware Resources, Inc. Systems and methods for controlling color temperature and brightness of LED lighting using two wires
US10750592B1 (en) * 2019-06-05 2020-08-18 Hardware Resources, Inc. Systems and methods for controlling color temperature and brightness of LED lighting using two wires

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2962388B2 (ja) * 1993-07-30 1999-10-12 サンケン電気株式会社 二石式絶縁形スイッチング電源
JPH07337034A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Hitachi Ltd 零電圧スイッチング電源装置
US5615093A (en) * 1994-08-05 1997-03-25 Linfinity Microelectronics Current synchronous zero voltage switching resonant topology
TW354438B (en) 1996-08-21 1999-03-11 Chen Chiou Lin PWM based driving method for zero-voltage-switching full-bridge converter
KR19980060127A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 박병재 전기 자동차의 충전장치
US5930121A (en) * 1997-03-14 1999-07-27 Linfinity Microelectronics Direct drive backlight system
US6114814A (en) * 1998-12-11 2000-09-05 Monolithic Power Systems, Inc. Apparatus for controlling a discharge lamp in a backlighted display
US6130509A (en) * 1999-01-22 2000-10-10 Dell Computer Corporation Balanced feedback system for floating cold cathode fluorescent lamps
US6804129B2 (en) * 1999-07-22 2004-10-12 02 Micro International Limited High-efficiency adaptive DC/AC converter
US6259615B1 (en) * 1999-07-22 2001-07-10 O2 Micro International Limited High-efficiency adaptive DC/AC converter
US7443113B2 (en) * 2003-12-02 2008-10-28 Universal Lighting Technologies, Inc. Software controlled electronic dimming ballast
US7016208B2 (en) * 2004-02-12 2006-03-21 Dell Products L.P. Frequency feedforward for constant light output in backlight inverters
KR100595313B1 (ko) * 2004-03-15 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 백라이트 유닛의 램프 점등장치
US7112929B2 (en) * 2004-04-01 2006-09-26 Microsemi Corporation Full-bridge and half-bridge compatible driver timing schedule for direct drive backlight system
TWI318084B (en) * 2004-10-13 2009-12-01 Monolithic Power Systems Inc Methods and protection schemes for driving discharge lamps in large panel applications
US7737642B2 (en) * 2004-10-18 2010-06-15 Beyond Innovation Technology Co., Ltd. DC/AC inverter

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