KR20060116490A - 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법 - Google Patents

포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법 Download PDF

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Abstract

포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법이 제공된다. 이 방법에 따르면 포토 레지스트 패턴과 경화촉매가 반응하여 상기 포토 레지스트 패턴의 표면이 경화된다. 따라서, 포토 레지스트 패턴의 두께를 얇게 형성하더라도 하부의 물질막 식각이 가능하다.

Description

포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법{SURFACE HARDENING METHOD OF PHOTO RESIST PATTERN}
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들;
도 4 내지 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
50 : 경화촉매 100, 200 : 기판
102, 202 : 금속층 104, 204 : 포토 레지스트 패턴
104', 204' : 경화된 포토 레지스트 패턴
본 발명은 반도체 공정 중 사진식각 공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법에 관한 것이다.
반도체 공정 중 사진식각 공정(photo lithograph process)에서는 포토 레지스트막을 반도체 기판 상에 증착하고, 포토 마스크(photo mask)에 형성된 패턴을 상기 포토 레지스트막에 전사하여 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 그리고 상기 사진식각 공정을 통해 형성되는 포토 레지스트 패턴은 그 하부에 놓인 물질막을 식각하기 위한 마스크로 사용된다.
이때 만약 상기 물질막이 금속 물질로 이루어진 경우에는 상기 금속 물질막의 식각이 이루어지는 동안 견뎌낼 수 있을 만큼 충분한 두께의 포토 레지스트막이 도포되어야 한다. 하지만 도포되는 포토 레지스트막의 두께가 두꺼워지면, 사진식각 공정을 통해 형성된 포토 레지스트 패턴의 측면에 경사가 생길 수 있으므로, 정밀한 패턴을 얻어낼 수 없다는 문제가 발생된다.
따라서, 이러한 문제들을 해결하기 위하여 상기 포토 레지스트막 하부에 단단한 무기질의 마스크층, 예를 들면 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함하는 마스크층을 형성할 수 있다. 하지만 이러한 마스크층을 형성하는 경우에는 상기 마스크층 증착을 위한 공정이 추가적으로 이루어져야 하므로, 전체 공정 상 시간 및 비용 손실이 발생될 수 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 얇은 포토레지스트 패턴 만으로 하부 물질막의 식각이 가능하도록 포토레지스트 패턴의 표면을 경화하는 방법을 제공하는데 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법에 의하면 경화촉매와 포토 레지스트 패턴이 반응하여 상기 포토 레지 스트 표면이 경화된다. 포토 레지스트 패턴은 탄소-수소 체인을 갖는 고분자를 포함하고 있으며, 경화촉매와 반응하여 상기 탄소-수소의 결합력이 증가된다. 이러한 반응을 일으키는 경화촉매로는 암모니아 등이 사용될 수 있다. 경화촉매를 분사할 때에는 방향성 없이 분사하여 포토 레지스트 패턴의 표면에 전체적으로 경화촉매가 부착되게 할 수 있다. 또한 상기 포토 레지스트 패턴의 상부와 수직이 아닌 각도로 상기 경화촉매를 분사하면, 포토 레지스트 패턴 상부와 측면의 일부에만 경화촉매가 부착되어 경화촉매가 부착된 부분에만 포토 레지스트 패턴의 경화가 발생한다. 이와 같이 포토 레지스트 패턴의 상부와 수직이 아닌 각도로 경화촉매를 분사할 때에는 포토 레지스트 패턴간의 종횡비 때문에 포토 레지스트 패턴의 측면 중 하부 물질막에 인접하는 부분에는 경화촉매가 부착되지 않게 된다. 경화촉매에 의하여 포토 레지스트 패턴의 표면을 경화시키면, 추가로 하드 마스크막을 형성하거나 포토 레지스트막의 양을 증가시킬 필요없이 하부 물질막을 식각하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어 진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 반도체 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 반도체 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판(100) 상에 물질막(102)이 증착된다. 상기 물질막(102)은 이후 식각 대상이 되는 층으로, 금속 물질 또는 비금속 물질을 증착하여 형성할 수 있다. 상기 물질막(102) 상에는 포토 레지스트막이 증착된다. 그리고 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 통과한 빛이 상기 포토 레지스트막 상으로 조사된다. 이어서 상기 포토 레지스트막에 현상액을 반응시켜 상기 포토 레지스트막이 선택적으로 용해되도록 하여 포토 레지스트 패턴(104)을 얻는다. 이때 얻어진 포토 레지스트 패턴(104)은 상기 물질막(102)을 식각하기 위한 식각 마스크로서 사용된다.
도 2를 참조하면, 상기 포토 레지스트 패턴(104)에 특정 경화촉매(50)를 분사한다. 일반적으로 포토 레지스트 패턴(104)은 탄소-수소 체인(carbon-hydrogen chain) 구조를 갖는 고분자를 포함한다. 그리고 상기 경화촉매(50)는 상기 포토 레지스트 패턴(104)의 표면에서 반응하여 상기 포토 레지스트 패턴(104)의 탄소-수소 결합력(bonding power)을 강화시켜 준다. 상기 경화촉매(50)는 기체, 액체 또는 플라즈마 형태로 상기 포토 레지스트 패턴(104) 상에 분사될 수 있다. 이러한 경화촉 매(50)는 이후 상기 물질막(102) 식각 시 사용되는 식각 물질과 반응하여 식각을 방해할 가능성이 있으므로, 상기 경화촉매(50)가 분사되고 어느 정도 반응이 진행된 후에는 스핀-드라이(spin-dry) 등으로 포토 레지스트 패턴(104)과 반응하지 않은 여분의 경화촉매를 제거하는 것이 바람직하다. 이때 상기 경화촉매(50)는 예를 들면, 암모니아(NH3)와 같은 물질이 될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상술한 바와 같이 포토 레지스트 패턴(104)과 경화촉매(50)가 반응하면 포토 레지스트 패턴(104)의 탄소-수소 결합력이 강화되어, 상기 포토 레지스트 패턴의 표면이 경화(104')된다. 이와 같이 포토 레지스트 패턴(104)의 표면이 경화(104')되면, 추가로 하드 마스크막을 형성하거나 포토 레지스트막의 증착양을 늘릴 필요없이 얇은 포토 레지스트막 만을 식각 마스크로 사용하여 금속 물질로 이루어진 하부 물질막의 식각이 가능하다. 이와 같이 표면이 경화(104')된 포토 레지스트 패턴을 이용하여 하부 막질을 식각한 후에는 상기 포토 레지스트 패턴을 제거한다. 이때 상기 포토 레지스트 패턴을 깨끗하게 제거하기 위하여 초음파를 이용하여 포토 레지스트 스트립 공정을 수행할 수 있다.
도 4 내지 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 도 2에 도시된 것과 달리 경화촉매(50)가 각도를 가지고 포토 레지스트 패턴(204)으로 분사된다. 이때 경화촉매(50)가 주입되는 각도는 상기 포토 레지스트 패턴(204)의 상부와 수직이 아닌 것이 바람직하다. 이와 같이 포 토 레지스트 패턴(204)의 상부와 수직이 아닌 각도로 경화촉매(50)를 분사하면, 인접한 포토 레지스트 패턴에 의해 가려지는 부분, 예를 들면 포토 레지스트 패턴의 측면 중 기판에 가까운 부분에는 경화촉매가 부착되지 않는다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 경화촉매가 부착될 수 있는 포토 레지스트 패턴의 상부와 측면 중 일부분에서만 상기 경화촉매(50)와 포토 레지스트 패턴(204)이 반응하여 포토 레지스트 패턴의 경화(204')가 발생한다. 이처럼 포토 레지스트 패턴(204)의 상부와 수직이 아닌 각도로 경화촉매(50)을 주입하는 방식은 포토 레지스트 패턴이 형성된 여러장의 웨이퍼에 동시에 적용될 수 있으므로, 공정 시간을 상당히 단축시킬 수 있다. 그리고 포토 레지스트 패턴의 경화(204')가 포토 레지스트 패턴(204)과 물질막(202) 사이의 인접부에서는 일어나지 않았으므로, 포토 레지스트 패턴의 경화(204')가 전 표면에서 이루어진 경우에 비하여 상기 물질막(202) 식각 후 상기 포토 레지스트 패턴(204, 204')의 제거가 쉽다. 전체적으로 포토 레지스트 패턴의 경화(204')가 일어난 경우에는 포토 레지스트 패턴 제거시 경화된 포토 레지스트 패턴과 물질막 사이의 인접부에서 잔류물이 남을 가능성이 있기 때문이다.
본 발명에서는 포토 레지스트 패턴의 표면을 경화시킴으로서 추가로 하드 마스크막을 형성하거나 많은 양의 포토 레지스트막을 형성하지 않고서도 하부에 형성된 물질막을 식각하는 것이 가능하다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물 론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 포토 레지스트 패턴의 표면이 경화되어 포토 레지스트 패턴의 두께가 얇게 형성되어도 하부 물질막의 식각이 가능하다. 따라서 포토 레지스트 사용량이 줄어들어 공정 시간 및 원가 절감의 효과가 있다. 또한 상기 포토 레지스트 패턴이 얇게 형성되면 프로파일이 우수해져 하부 물질막 식각 정밀도가 높아질 수 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 기판 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 그리고
    상기 포토 레지스트 패턴과 경화촉매를 반응시켜 상기 포토 레지스트 패턴의 표면을 경화시키는 단계를 포함하는 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 포토 레지스트 패턴과 경화촉매를 반응시켜 상기 포토 레지스트 패턴의 표면을 경화시키는 단계에서는 암모니아 플라즈마 처리를 하는 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 경화촉매는 상기 포토 레지스트 패턴의 상부에 대하여 기울어져 주입되는 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 기울여져 주입된 경화촉매에 의하여 상기 포토 레지스트 패턴의 상부와, 그 측면 중 상기 포토 레지스트 패턴의 상부에 인접한 부분의 포토 레지스트 패턴 표면이 경화되는 포토 레지스트 패턴의 표면 경화방법.
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