KR20060094525A - 용량성 분기 스위칭에 적절한 강유전체 바랙터 - Google Patents
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Abstract
용량성 분기 스위칭에 적절한 강유전체 바랙터가 기술된다. SiO2층과 상부에 패터닝된 금속층을 가지는 높은 저항률 실리콘은 기판으로 사용된다. 기판에 증착된 강유전체 박막층은 바랙터의 실행에 사용된다. 상부 금속 전극은 CPW 전송선을 형성하는 강유전체 박막층에 증착된다. 상부 금속 전극과 저부 금속층의 대형 영역 접지 도체들로 형성된 커패시턴스를 사용함으로써, 접지 도체들에 의해 규정된 대형 커패시터와 강유전체 바랙터의 직렬 접속이 생성된다. 대형 커패시터는 접지에 대하여 단락으로서 동작하여, 바이어스에 대한 요구가 제거된다. 온 및 오프 상태를 스위칭하는 개념은 강유전체 박막들의 유전체 조정 능력에 기초한다. 0V에서, 바랙터는 최고 커패시턴스 값을 가지며, 그에 따라 접지로 분기된 신호가 초래되며, 따라서 입력과 출력을 분리하게 된다. 이러한 결과들은 스위치의 오프 상태를 초래하게 된다. CPW의 중앙 도체에 적은 전압을 인가함으로써, 바랙터의 커패시턴스는 상기 신호가 디바이스의 온 상태를 통해 전송되게 함으로써 감소될 수 있다. 이러한 바랙터 분기 스위치는 RF MEMS 분기 스위치들을 귀찮게 하는 주요 문제점들을 제거한다.
용량성 분기 스위칭, 강유전체 바랙터, 강유전체 박막, 포토리소그라피, 동일한 평면에 있는 도파관 전송선
Description
본 발명은 강유전체 바랙터들에 관한 것으로, 특히, 용량성 분기 스위치에 적절한 강유전체 바랙터에 관한 것이다.
전기적으로 조정 가능한 마이크로웨이브 필터들은 마이크로웨이브 시스템들에 있어서 많은 어플리케이션들을 가진다. 이러한 어플리케이션들에는 로컬 멀티포인트 분배 서비스(LDMS), 개인 통신 시스템들(PCS), 주파수 호핑 라디오, 위성 통신들, 및 레이더 시스템들이 있다. 3가지 주요 종류의 마이크로웨이브 조정 가능 필터들, 즉 기계적, 자기적, 및 전기적으로 조종 가능한 필터들이 있다. 기계적으로 조정 가능한 필터들은 통상적으로 수동 조정되거나 또는 모터를 사용하여 조정된다. 그것들은 조정 속도가 느리고 크기가 대형이다. 통상적인 기계 조정 가능 필터는 YIG(이트륨-아이론-가닛) 필터이며, 이것은 그것의 멀티옥타브 조정 범위와 높은 선택도 때문에 가장 대중적인 조정 가능 마이크로웨이브 필터이다. 그러나, YIG 필터는 낮은 조정 속도, 복잡한 구조 및 복잡한 제어 회로들을 가지며, 값은 고가이다.
한 전기적으로 조정 가능 필터는 다이오드 바랙터-조정 필터이며, 이것은 높 은 조정 속도, 단순한 구조 및 단순한 제어 회로를 가지며, 저가이다. 다이오드 바랙터가 기본적으로 반도체 다이오드이므로, 다이오드 바랙터-조정 필터들은 단조 마이크로웨이브 직접 회로(MMIC) 또는 마이크로웨이브 집적 회로들에 사용될 수 있다. 바랙터들의 성능은 용량 비, Cmax/Cmin, 주파수 범위, 및 장점 도해, 또는 명시된 주파수 범위에서의 Q 인자에 의해 정의된다. 최대 2GHz의 주파수에 대한 반도체 바랙터들의 Q 인자들은 통상적으로 매우 양호하다. 그러나, 2GHz 이상의 주파수에서, 상기 바랙터들의 Q 인자들은 빠르게 떨어진다.
반도체 다이오드 바랙터들의 Q 인자들이 높은 주파수들에서 매우 낮기 때문에(예를 들면, 20GHz에서 <20), 다이오드 바랙터-조정 필터들의 삽입 손실은 특히 고 주파수들(>5GHz)에서 매우 높다. 다이오드 바랙터-조정 필터들과 관련된 또다른 문제점은 그들의 낮은 전력 처리 용량이다. 다이오드 바랙터들은 비선형 디바이스들이기 때문에, 대형 신호들은 고조파들 및 부고조파를 발생한다.
과도통 소자와 결합하여 전압 조정 가능 소자로서 박막 강유전체 세라믹을 이용하는 바랙터가 기술되어 왔다. 예를 들면, 미국 특허 번호 제5,640,042호는 반송 기판층, 기판층 위에 증착되는 고온 과도통층, 금속층 위에 증착되는 박막 유전체, 및 박막 유전체 위에 증착되는 복수의 금속 도통 수단을 가지는 박막 강유전체 바랙터를 기재하며, 이것은 조정 디바이스들에서 RF 전송선들과의 전기적 접점에 배치된다. 과도통 소자와 결합하여 강유전체 소자를 사용하는 또다른 조정 가능 커패시터는 미국 특허 제 5,721,194호에 기재된다.
마이크로 전기 기계 시스템(MEMS) 테크놀로지가 출현하면서, 라디오 주파수(RF) 어플리케이션들의 MEMS 디바이스들 개발에 주의가 집중되어 왔다. MEMS 스위치들은, 수년 동안 수많은 연구 노력들의 주의를 끌고, 예를 들면 임피던스 매칭 네트워크들, 필터들, RF 시스템 프론트-엔드에서의 신호 루팅 및 다른 고주파수 재구성 가능 회로들과 같은 많은 잠재적 어플리케이션들을 가지는 가장 현저한 마이크로 기계 제품들 중 하나이다. MEMS 스위치들은 낮은 삽입 손실, 높은 분리, 낮은 전력 소비, 높은 차단 전압, 높은 선형성 및 높은 통합 능력에 의하여 종래의 전기 기계 또는 고체 상태 대응물들에 대하여 많은 이점을 제공한다. 오늘날의 MEMS 스위치들 대부분은 정전기 동작을 사용하고 높은 동작 전압, 이러한 형태의 스위치의 단점을 요구한다. 최근에, 높은 비유전 상수의 바룸 스트론튬 티타늄 산화물(BST) 박막들은, 분리를 향상시킬 뿐만 아니라 동작 전압 요구 조건들을 감소시키는 유전체층으로서 RF MEMS 스위치들에 사용되어 왔다. 분리는 Si3N4와 같은 유전체 물질들에 비해 BST의 강유전체 박막들을 사용하여 10dB 이상 향상될 수 있다.
그러나, RF MEMS 스위치들은 예를 들면, 비교적 낮은 속도, 낮은 전력 처리 능력, 요구되는 높은 동작 전압, 낮은 신뢰성, 낮은 스위칭 주기 및 높은 패키징 비용과 같은 몇 가지 제한들을 가진다. 이러한 영역들에서 향상되고는 있지만, RF MEMS 스위치들의 상업적 어플리케이션들에 있어서 어려움은 여전히 남아 있다. 강유전체 바랙터 기반 용량성 분기 스위치는 기존의 RF MEMS 스위치들이 제한들 대부 분을 극복할 수 있다.
이러한 배경에 대비하여, 본 발명은 강유전체 바랙터에 의해 분기되는 동일한 평면에 있는 도파관(CPW) 전송선에 기초한다. 스위칭하는 임의 이동 부분 제거와 바이어 커넥션들 제거로부터 본 발명의 실행에서의 신규성이 도래한다. SiO2 층과 상부에 증착되는 금속층을 가지는 높은 저항률 실리콘은 기판으로서 사용된다. 그 기판은 예를 들면, 사파이어, 마그네슘 산화물, 란탄 알루민산염 등과 같은 임의 저손실 마이크로파 기판일 수 있다. 강유전체 박막층은 바랙터 실행을 위해 패터닝된 저부 금속층(금속1층)에 증착된다. 상부 금속 전극(금속2층)은 강유전체 박막층에 증착되고, CPW 전송선을 형성하도록 패터닝되어, 금속1층에서 CPW의 중앙 도체의 오버랩핑 영역과 금속2층에서의 단락선은 바랙터 영역을 규정하게 된다. 금속1층뿐만 아니라 금속2층에 넓은 영역 접지 평면들을 사용함으로써, 상부 및 저부 금속층들의 접지 평면들로 규정되는 대형 커패시터와 강유전체 바랙터의 직렬 접속이 생성된다. 대형 커패시터는 접지에 관하여 단락으로서 동작하고, 임의 바이어들에 대한 요구를 제거한다. 온 및 오프 상태를 스위칭하는 개념은 BST 박막들의 유전체 조정 능력에 기초한다.
따라서, 본 발명의 목적은 감소된 바이어스 전압에 있어서 분리 및 삽입 손실을 향상시키는 바랙터 분기 스위치를 생성하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 보다 낮은 바이어스 전압 요구 조건, 높은 스위칭 속도, 용이한 제조 및 높은 스위칭 주기를 가지는 바랙터 분기 스위치를 생성하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본 명세서에서 구체화되는 본 발명의 기술에 비추어 명백해지게 된다.
본 발명의 특정 실시예들에 관한 이하의 상세한 설명은 이하 도면과 결합하여 판독될 때 가장 잘 이해될 수 있으며, 동일 구조는 동일 참조 번호들로 표시된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 용량성 분기 스위치의 다수 층들의 단면도.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 저부 금속 전극의 패턴을 도시한 도면.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 금속 전극의 패턴을 도시한 도면.
도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 바랙터의 상면도.
도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 바랙터 영역의 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 용량성 분기 스위치의 상면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 바랙터 분기 스위치의 전기 회로 모델을 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 동일 바랙터 영역과 상이한 비유전 상수들을 이용한 시뮬레이트된 분리를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 동일 비유전 상수와 상이한 바랙터 영역 들을 이용한 시뮬레이트된 삽입 손실을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 최적 디바이스의 바랙터 분기 스위치의 시뮬레이트된 분리 및 삽입 손실을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 바랙터 분기 스위치에 대한 실험 측정들을 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 바랙터 분기 스위치 대한 실험 결과들 대 모의 결과들을 도시한 도면.
바람직한 실시예들의 이하 상세한 설명에서, 그 일부를 형성하고 한정할 목적이 아닌 실례로서 도시되는 첨부 도면을 참조하며, 특정 바람직한 실시예들에서 본 발명이 실행될 수 있다. 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 논리적, 기계적 및 전기적 변화들이 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 행해질 수 있음을 이해하게 된다.
분리 커패시턴스 실행 개념은, 예를 들면 조정 가능 1차원 및 2차원 전자기 밴드갭(EBG) 구조들, 조정 가능 밴드-리젝트 및 밴드패스 필터들, 간섭 억제 시스템들, 마이크로웨이브 스위칭 어플리케이션들, 마이크로웨이브 및 밀리미터웨이브용 분배 위상 시프터들과 같은 대다수의 MMIC에 유용하게 된다. 또한, 본 발명은 2차원 및 3차원 EBG 어레이들에 적절하다. 또한, 이러한 스위치들은, 예를 들면 다층 패키지에서 층간 결합, 대형 시스템에 있어서의 특정 서브시스템들의 분리와 같은 아날로그 및 디지털 어플리케이션들에 사용될 수 있다. 이러한 타입의 스위치 는 또한, 강유전체 박막들이 압전(압력 센서들, 가속도계들 등에 유용함), 초전기(적외선 검출기용), 및 전기-광학 액티비티(컬러 필터들, 디스플레이들, 광학 스위칭 등의 전압 유도 굴절률 변경)를 나타내기 때문에 지각 소자로서 제공될 수 있다.
도 1은 바랙터 분기 스위치의 다층들의 단면도를 도시하고 있다. 바랙터 분기 스위치는 다층 기판을 가지는 CPW 전송선(10)에 설계된다. 높은 비유전 상수(εr≥100)를 가지는 BST(20)의 조정 가능 강유전체 박막은 두께가 500nm인 백금/금층(25)의 상부에 유전체층(400nm 두께)으로서 사용된다. 20nm의 티타늄 부착 층(30)은 백금/금층(25)과 실리콘 산화물/고 저항률 실리콘 기판층(35, 40) 사이에 증착된다. 실리콘은 1kΩ-cm보다 큰 저항률을 가지며 통상적으로 약 6 kΩ-cm이다. 실리콘 산화물층(35) 및 고 저항률 실리콘 기판(40)의 두께는 각각 200nm, 20mils이다.
상기 공정에서 제1 단계로서, 패터닝되는 저부 전극(금속1층)은 전자-빔(e-빔) 증착(또는 스퍼터링) 및 리프트 오프 사진 리소그라피 기술에 의하여 Si/SiO2 기판에 처리된다. 도 2a는 저부 금속층(25)의 패턴을 도시하고 있다. 백금/금층(25)에 대한 리프트-오프 사진 리소그라피 공정 이후에, 층(25)은 펄스 레이저 제거(PLD) 공정 또는 RF 스퍼터링을 이용하여 예를 들면, 바룸 스트론튬 티탄산염(BST), 스트론튬 티탄산염(STO), 또는 임의 다른 비선형 조정 가능 유전체와 같은 400nm 강유전체 박막(20)에 의해 커버링된다. 강유전체 박막은 어플리케이션 타입 에 기초하는 스위치 성능을 최적화하도록 상유전 상태 또는 강유전 상태에 사용될 수 있다.
도 2b는 강유전체 박막(20)의 상부에 증착되는 상부 금속 전극(15)의 패턴을 도시하고 있다. 이 상부 금속 전극(15)은 금으로 구성되며 중앙 신호 스트립(100) 및 CPW의 접지 도체들(110)을 포함한다. 상부 금속 전극(15)은 e-빔 증착 및 리프트 오프 포토리소그래피 공정에 의해 제공된다. 저부 금속층(25)과 상부 금속 전극(15)의 접지 도체들은 이 2개 층들간의 큰 커패시턴스로 인해 효과적으로 단락되어, 바이어 홀들에 대한 요구가 제거된다.
완성된 CPW의 상부도는 도 2c에 도시된다. 도 2c에서, 바랙터 영역(200)은 상부 금속 전극과 점선으로 표시되는 금속층간의 오버랩 영역에 의해 규정된다. 저부 금속층(20)은 CPW 접지선들과 정확히 같은 크기를 가지는 2개의 접지 도체들과, 도 3에 도시된 바와 같이 금속1층의 2개 접지선들을 접속하는 분기 도체를 포함한다. 바랙터의 커패시턴스가 매우 높은 경우(0V 바이어스에서), 신호는 바랙터를 통해 결합되고 분기 도체를 통과하여 접지에 결합된다. 바랙터 커패시턴스는 상부 금속 전극(금속2) 및 저부 금속층(금속1)의 접지 도체들의 오버랩핑에 의해 초래되는 보다 많은 커패시턴스와 직렬로 된다. 출력은 0V에서 접지에 분기되는 신호때문에 입력으로 분리되어, 디바이스는 오프 상태가 된다. 금속 2층의 CPW의 중앙 도체에 dc 전압을 인가하는 경우, 강유전체 박막의 비유전 상수는 감소되어, 보다 적은 바랙터 커패시턴스가 초래된다. 바랙터 커패시턴스가 작은 경우에, 입력으로부터의 주요 신호는 바랙터에 의한 감소된 결합때문에 출력에 통과되어, 디 바이스는 온 상태가 된다. 많은 유전체 조정 능력은 디바이스의 높은 분리 및 낮은 삽입 손실이 초래된다.
바랙터의 단면도에서 도 2d를 참조하여, 2개 오버랩핑 상부 금속 전극(15) 및 저부 금속층(25)의 폭들은 커패시턴스의 요구 값이 강유전체 박막의 공지된 비유전 상수(εr)에 기초하여 얻어지도록 선택된다. 조정은 DC 전계가 접지 도체들과 (CPW 프로브 사용하는) CPW의 중앙 신호 스트립 사이에 인가되는 경우에 얻어진다. DC 전계는 강유전체 박막의 비유전 상수를 변화시켜서 바랙터의 커패시터를 변화시킨다.
일 실시예에서, CPW의 중앙 신호 스트립과, 중앙 신호 스트립과 접지 도체들간의 간극의 폭은 특성 임피던스가 약 50Ω에 근사하고 선 손실들이 최소화되도록 선택된다. CPW 선은 높은 저항률 실리콘 기판(35)에서 DC-20GHz에 대하여 크기가 150㎛/50 ㎛/150 ㎛인 접지-신호-접지를 가진다. 중앙 신호 스트립과 접지 도체들간의 간극(S)은 50 ㎛로 얻어지고 기하학적 비율(k=W/(W+2S))은 CPW 선의 0.333과 동일하다. 디바이스 영역은 대략 450㎛×500 ㎛이다. 상부 금속 전극과 저부 금속층의 오버랩인 바랙터 영역은 대략 75㎛2이다.
본 발명으로서의 단순 회로 실행은 Si MMIC 테크놀로지와 호환 가능하며, 바이어스 요구는 상기 2개 금속층 공정에서 제거된다. 스위치는 정상적으로 "온" 상태에 있는 MEMS 용량성 분기 스위치들에 비교하여 정상적으로 "오프" 상태에 있다. 또한, 이러한 스위치들은 ~30ns 스위칭 속도로 스위칭할 수 있으며, MEMS 스위치들 은 더 낮다(~10㎲). 또한, 보다 낮은 바이어스 전압(<10V)은 스위칭용 MEMS(40~50V)에 비교하여 사용될 수 있다. 바랙터 분기 스위치는 2V보다 더 작은 바이어스 전압에 대하여 설계될 수 있다.
분리(오프-상태) 및 삽입(온 상태) 손실간의 설계 트레이드는 BST 박막의 비유전 상수 및 바랙터 영역에 의존한다. 대형 바랙터 영역 및 높은 비유전 상수는 높은 분리를 얻도록 요구되지만 삽입 손실을 증가시키지 않는다. 최소(<1dB)로 삽입 손실을 유지하기 위하여, 최적 오버랩핑 영역 및 비유전 상수는 25 ㎛2 및 1200으로 각각 취해진다.
도 4는 도 3의 바랙터 분기 스위치의 전기 회로 모델을 도시하고 있다. 전기 회로 모델은, L(400) 및 Rs(410)가 각각 기생 인덕턴스 및 레지스턴스인 바랙터를 분기함으로써 얻어진다. 분기 레지스턴스 Rd(430)은 바랙터의 손실이 많은(누설 컨덕턴스) 특성을 형성한다. 바랙터 커패시턴스(420)은 BST 박막의 유전체 유전 상수, 중앙 신호 스트립 및 분기 라인의 오버랩 영역을 이용한 표준 병렬 플레이트 커패시턴스 계산에 의해 얻어질 수 있다. 바랙터 커패시턴스는 다음과 같다:
ε0은 자유 공간의 유전체 유전 상수이고, εrf은 사용된 강유전체 박막의 비유전 상수이다. A는 바랙터의 영역이고, t는 강유전체 박막의 두께이다.
분기 도체의 직렬 레지스턴스(Rs)(410)는 저부 금속층(금속1)에 정렬되며, 접지로 분기되는 신호는 [수학식 2]를 이용하여 계산된다.
σ는 상부 금속 전극에 사용되는 금속 도전율이며, w는 도체 폭이고, l은 접지로 분기되는 선의 길이고, t는 도체의 두께이다.
선의 인덕턴스(400)(L)는 [수학식 3]을 이용하여 계산된다.
Z0는 CPW 전송선의 특성 임피던스이고, f는 동작 주파수이며, λg는 가이드-파장이다.
바랙터의 분기 레지스턴스(430)(Rd)는 [수학식 4]를 이용하여 계산될 수 있다.
C(V)(420)는 바랙터의 커패시턴스이고 tanδ는 강유전체 박막의 손실-탄젠트이다.
용량성 분기 스위치의 성능(예를 들면, 높은 분리, 낮은 삽입 손실 등)은 강유전체 박막의 유전 조정 능력에 의존한다. 높은 커패시턴스 값은 오프-상태에서 분리를 증가시키지만 온-상태에서 삽입 손실까지 증가시키지는 않는다. 커패시턴스 값은 강유전체 박막들의 높은 비유전 상수 또는 대형 바랙터 영역을 이용함으로 써 증가될 수 있다. 도 5를 참조하면, 동일 바랙터 영역을 가지는 강유전체 박막들의 비유전 상수를 증가시킴으로써 상당히 분리를 변화시키지는 않지만 공진 주파수는 증가된 바랙터 커패시턴스로 인해 감소된다. 도 5는 고정 바랙터 영역 5×5㎛2에 있어서 좌에서 우로 2000, 1500, 1200, 1000의 비유전 상수에 대한 분리를 도시하고 있다.
또한, 도 6에 도시되는 바와 같이 삽입 손실들은 바랙터 영역 증가에 따라 증가한다. 도 6은 좌에서 우로 15×15㎛2, 10×10㎛2, 10×5㎛2, 5×5㎛2에 있어서 고정 비유전 상수 값에 대한 삽입 손실을 도시하고 있다.
강유전체 박막들의 시뮬레이트된 최적화 비유전 상수는 5×5㎛2, 25㎛2의 바랙터 영역에 있어서 온-상태에 대해서 200, 오프-상태에 대해서 1200으로 취해진다. 도 7은 최적화된 디바이스의 바랙터 분기 스위치의 모의 분리 및 삽입 손실을 도시하고 있다. 디바이스의 분리는 30GHz에서 30dB보다 더 낫고 삽입 손실은 30GHz이하에서 1dB 이하이다.
바랙터 분기 스위치는 HP 8510 벡터 네트워크 분석기(VNA)를 이용하여 테스트된다. 라인-리플렉트-리플렉트-매치(LRRM) 교정은 광범위한 주파수 범위(5~35GHz)에 대하여 실행된다. 샘플은 표준 GSG 프로브들을 이용하여 탐사된다. dc 바이어스는 VNA의 바이어스 티(tee)를 통해 인가된다. 도 8은 0V(즉, 오프 상태) 및 10V(즉, 온 상태)에 대하여 바랙터 분기 스위치에 실행되는 실험 측정들을 도시하고 있다. 측정되는 디바이스에서, 제로 바이어스에서 바랙터의 커패시턴스 는 약 0.85pF이고 바이어스 전압 10V에 대하여 약 0.25pF으로 감소되어, 3:1의 유전 조정 능력을 초래하게 된다.
도 9는 상기 디바이스에 대하여 개발된 전기 모델에 기초하는 모의 결과들에 비교되는 바랙터 분기 스위치로부터 얻어지는 실험 결과들을 도시하고 있다. 실험 결과들은 최대 35GHz까지 얻어진다. 동일 디바이스들에 실행된 이론적 모의들은, 분리(오프-상태 S21)가 41GHz 부근에서 30dB로 향상됨을 나타낸다. 이론 및 실험 결과들간의 양호한 부합은 도 9에 도시되는 바와 같이 보여질 수 있는 측정들의 주파수 범위에서 초래한다. 따라서, 실험 데이터는 마이크로웨이브 스위칭 어플리케이션들에 대하여 바랙터 분기 스위치의 동작을 확인한다.
테이블 1은 고체 상태 스위칭 디바이스들, RF MEMS 및 강유전체 기반 바랙터 분기 스위치 중에서 비교를 입증한다. 바랙터 분기 스위치의 이점들에는 최저 바이어스 전압 요구, 높은 스위칭 속도, 용이한 제조 및 높은 스위칭 주기가 있다.
| 테이블 1 | |||
| 디바이스 특성 및 성능 파라미터 | 고체 상태 스위치들 | RF MEMS 용량성 분기 스위치들 | 강유전체 바랙터 기반 분기 스위치 |
| 스위치 타입 | 정상 오프 또는 온 | 정상 온 | 정상 오프 |
| 동작 전압 | 낮음(3-8V) | 높음(40-50V) | 낮음(<10V) |
| 스위칭 속도 | 높음(5-100ns) | 낮음(~10㎲) | 높음(<100ns) |
| 분리(dB) | <20dB @ 20GHz | 매우 높음(>40dB @ 30GHz) | 높음(>20dB @ 30GHz) |
| 삽입 손실(dB) | >1dB @ 30GHz | 매우 낮음 (<1dB @ 30GHz) | 낮음 (<1.5dB @ 30 GHz) |
| 스위칭 주기 | 높음 | 낮음 | 높음 |
| 패키징 비용 | 낮음 | 높음 | 낮음 |
| 전력 처리 | 나쁨(0.5-1W) | 중간(<5W) | 좋음(>5W) |
| 전력 | 낮음(1-20W) | 거의 제로 | 거의 제로 |
| 소비(오프-상태) | |||
| 차단 전압 | 낮음 | 높음 | 높음 |
| DC 레지스턴스 | 높음(1-5Ω) | 낮음(<0.5Ω) | 낮음(<0.5Ω) |
| 선형성 | 낮음 | 높음 | 높음 |
| IP3 | 낮음(~+28dBm) | 높음(~++55dBm) | 이용 불가능 |
| 통합 능력 | 매우 좋음 | 매우 좋음 | 매우 좋음 |
테이블에서 예측되는 강유전체 바랙터 분기 스위치 성능은 이론적 계산들에 기초한 것이다.
"바람직하게는", "보통", "통상적으로"는 청구되는 발명의 범위를 한정하거나, 또는 임의 특징들이 청구되는 발명의 구조 또는 기능에 중요하고, 필수적이고, 아주 중요함을 의미하도록 명세서에서 사용되지 않는다. 오히려, 이러한 용어들은 단지 본 발명의 특정 실시예에 사용되거나 또는 사용되지 않는 교호적 또는 부가적 특징들을 강조하도록 의도된다.
본 발명의 특정 실시예들을 참조하여 상세하게 본 발명을 기술함에 있어서, 수정들 및 변경들은 첨부되는 청구항에서 정의되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 가능함이 명백해지게 된다. 보다 구체적으로 말하면, 본 발명의 일부 양상들이 양호하거나 또는 특히 바람직한 것으로 간주되어도, 본 발명은 발명의 양호한 양상들에 반드시 한정되지 않는다고 생각된다.
Claims (42)
- 바랙터 분기 스위치에 있어서,기판;상기 기판에 증착된 금속 전극;상기 금속 전극에 증착된 강유전체 박막; 및상기 강유전체 박막 상부의 동일한 평면에 있는 도파관 전송선(coplanar waveguide transmission line)을 포함하는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 단일층 저 손실 마이크로웨이브 기판인, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 다층으로 되어 있는, 바랙터 분기 스위치.
- 제3항에 있어서,상기 다층 기판은:높은 저항률 실리콘층;상기 높은 저항률 실리콘층 상부의 실리콘 산화물층;상기 실리콘 산화물층에 증착된 접착층;상기 실리콘 산화물층 상부에 증착된 금속층;상기 금속층 상부에 코팅된 조정 가능 강유전체 박막 유전체층; 및동일한 평면에 있는 도파관 전송선을 규정하는 상부 금속 전극을 포함하는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 높은 저항률 실리콘층은 두께가 약 20mil인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 높은 저항률 실리콘층은 저항률이 1㏀-cm보다 큰, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 실리콘 산화물층은 두께가 약 200nm인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 접착층은 티타늄으로 구성된, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 접착층은 두께가 약 20nm인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 금속층은:상기 접착층에 증착된 금층; 및상기 금층에 증착된 백금층을 더 포함하는, 바랙터 분기 스위치.
- 제10항에 있어서,상기 금층은 두께가 약 400nm인, 바랙터 분기 스위치.
- 제10항에 있어서,상기 백금층은 두께가 약 100nm인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 금속층은 두께가 약 500nm인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 금속층은 전자 빔 증착 및 표준 리프트-오프 포토리소그라피에 의해 증착되고 리프트 오프되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 금속층은 스퍼터링 및 표준 리프트-오프 포토리소그라피에 의해 증착되 고 리프트 오프되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 금속층은 적어도 2개의 접지 도체들과 분기 도체를 포함하는, 바랙터 분기 스위치.
- 제2항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층은 높은 유전 상수를 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제17항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층의 높은 유전 상수는 제로 바이어스에서 약 200이상인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층은 두께가 약 400nm인, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층은 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 스 트론튬 티탄산염, 또는 그것의 임의 다른 비선형 전계 조정 가능 유전체의 결합들 중 하나로 구성되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층은 바륨 스트론튬 티타늄 산화물로 구성되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층은 펄스층 증착을 이용하여 증착되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 조정 가능 강유전체 박막 유전체층은 RF 스퍼터링을 이용하여 증착되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제4항에 있어서,상기 바랙터 분기 스위치의 바랙터 영역은 상기 상부 금속 전극과 상기 패터닝된 저부 금속층의 오버랩에 의해 규정되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제24항에 있어서,상기 바랙터 영역은 약 1㎛2와 약 500 ㎛2사이에 있는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 금속 전극은:중앙 신호 스트립; 및적어도 2개의 접지 도체들을 포함하는, 바랙터 분기 스위치.
- 제26항에 있어서,상기 중앙 신호 스트립은 폭이 약 50㎛인, 바랙터 분기 스위치.
- 제26항에 있어서,상기 적어도 2개의 접지 도체들은 폭이 약 150㎛인, 바랙터 분기 스위치.
- 제26항에 있어서,상기 금속 전극은 상기 중앙 신호 스트립과 상기 적어도 2개의 접지 도체들 간에 약 50㎛의 간극을 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제26항에 있어서,상기 금속 전극은, 기하학적 비율이 상기 동일한 평면에 있는 도파관 전송선 의 약 0.333과 동일한 간극을 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 바랙터 분기 스위치는 정상적으로 "오프(OFF)" 상태에 있는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 동일한 평면에 있는 도파관 전송선은 약 40Ω 내지 약 50Ω 특성 임피던스를 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 금속 전극은 금으로 구성되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 금속 전극은 전자 빔 증착 및 표준 리프트 오프 포토리소그라피를 이용하여 증착되고 리프트 오프되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,상기 금속 전극은 스퍼터링 및 표준 리프트 오프 포토리소그라피를 이용하여 증착되고 리프트 오프되는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,약 450㎛×약 500㎛의 영역을 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,신호가 접지에 분기될 때, 상기 금속층의 도전율, 상기 도체의 폭 및 두께의 곱으로 나눠진 접지로 분기하는 선의 길이와 같은 기생 직렬 레지스턴스를 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제1항에 있어서,도파관 파장에 의해 나눠진 접지로 분기된 선의 길이와 2π의 곱의 사인 값과 곱해진 동작 주파수와 2π의 곱으로 나눠진 상기 동일한 평면에 있는 도파관 전송선의 특성 임피던스와 동일한 기생 선 인덕턴스를 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제24항에 있어서,상기 바랙터 영역의 커패시턴스, ω 및 상기 강유전체 박막의 손실-탄젠트의 곱으로 나눠진 것과 동일한 분기 레지스턴스를 갖는, 바랙터 분기 스위치.
- 제39항에 있어서,상기 분기 레지스턴스는 상기 바랙터의 손실 특성을 모델링하는, 바랙터 분 기 스위치.
- 바랙터 분기 스위치 제조 방법에 있어서,전자 빔 증착 및 리프트 오프 포토리소그라피에 의해 높은 저항률 실리콘 기판에 접착층을 증착하는 단계;전자 빔 증착 및 리프트 오프 포토리소그라피에 의해 상기 접착층에 금속층을 증착하는 단계;펄스 레이저 융삭에 의해 강유전체 박막층으로 상기 금속층을 커버링하는 단계로서, 상기 금속층은 적어도 2개의 접지 도체들과 분기 도체로 구성되는, 상기 커버링 단계;전자 빔 증착 및 리프트 오프 포토리소그라피에 의해 상부 금속 전극으로 상기 강유전체 박막층을 토핑하는 단계로서, 상기 상부 금속 전극은 적어도 2개의 접지 도체와 중앙 도체로 구성되는, 상기 토핑 단계; 및적어도 2개의 접지 도체들과 신호 스트립으로 구성된 동일한 평면에 있는 도파관 전송선으로 상기 상부 금속 전극을 캡핑(capping)하는 단계를 포함하는, 바랙터 분기 스위치 제조 방법.
- 제41항에 있어서,상기 금속층의 상기 접지 도체와 동일한 평면에 있는 도파관 전송선의 상기 신호 스트립 및 상기 상부 금속 전극 사이에 dc 전계를 인가함으로써 상기 바랙터 분기 스위치의 커패시턴스를 조정하는 단계를 더 포함하는, 바랙터 분기 스위치 제조 방법.
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