KR20060093298A - 비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의제조 방법 - Google Patents

비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060093298A
KR20060093298A KR1020060016189A KR20060016189A KR20060093298A KR 20060093298 A KR20060093298 A KR 20060093298A KR 1020060016189 A KR1020060016189 A KR 1020060016189A KR 20060016189 A KR20060016189 A KR 20060016189A KR 20060093298 A KR20060093298 A KR 20060093298A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
getter material
evaporation
sample
electronic device
getter
Prior art date
Application number
KR1020060016189A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100849798B1 (ko
Inventor
다케시 도네가와
시게오 이토
사다노리 다카야마
마사테루 다니구치
야스모토 구보
겐지 나와마키
요헤이 후지무라
마모루 나미카와
요시히사 마루시마
오사무 이도하라
요시아키 이노우에
세이지 요코타
가즈히로 가와사키
Original Assignee
후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
고오슈우하네쓰렌 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤, 고오슈우하네쓰렌 가부시기가이샤 filed Critical 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20060093298A publication Critical patent/KR20060093298A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100849798B1 publication Critical patent/KR100849798B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
    • H01J7/183—Composition or manufacture of getters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31703—Next to cellulosic

Abstract

본 발명은 비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로서, 원료(시료 A)의 비증발 게터 재료(ZrV)를 제트밀법에 의해 분쇄하여 시료 B를 제조하고, 그 시료 B를 비즈밀법에 의해 분쇄하여 시료 C, 시료 D를 제조한다. 시료 D는 시료 C보다도 긴 시간 분쇄하여 제조한 시료이고, 시료 C와 시료 D의 입자는 비늘 형상이고, 비표면적은 시료 A나 시료 B 보다도 매우 커진다. 시료 C와 시료 D는 시료 A나 시료 B 보다도 낮은 온도로 활발히 가스를 흡수하여 내부에 비증발 게터를 설치한 형광발광관 등의 전자 디바이스에 있어서, 게터에 적합한 비증발 게터 재료를 제공하는 것을 특징으로 한다.

Description

비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의 제조 방법{ELECTRON DEVICES WITH NON-EVAPORATION-TYPE GETTERS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본원 발명의 실시 형태에 따른 전계 방출형 발광 소자(FED)의 평면도와 단면도,
도 2는 도 1의 전계 방출형 발광 소자(FED)의 비증발 게터의 설치 장소의 변형예를 도시한 도면,
도 3은 본원 발명의 실시예에 따른 전계 방출형 발광 소자(FED)의 제조 공정도,
도 4는 본원 발명의 실시예에 따른 전계 방출형 발광 소자(FED)의 제조 공정도로서, 도 3과 일부 공정 순서가 다른 제조 공정도,
도 5는 본원 발명의 실시예에 따른 비증발 게터 재료의 분쇄 공정과 시료의 측정값을 도시한 도면,
도 6은 본원 발명의 실시예에 따른 비증발 게터 재료의 열중량 분석(TG) 결과의 그래프,
도 7은 본원 발명의 실시예에 따른 비증발 게터 재료의 주사형 전자 현미경(SEM)의 사진, 및
도 8은 종래의 형광 표시관의 평면도와 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 : 애노드 기판 12 : 캐소드 기판
13 : 시일 유리(측면 부재) 21 : 음극
22 : 블랙 매트릭스 23 : 절연층
24 : Al 배선 31 : 전계 방출형 음극
32 : ITO(투명 도전막) 배선 41 : 내압용 지주(支柱)
51 : 비증발 게터
본원 발명은 비증발 게터(getter)를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 기밀 용기(외관 용기)를 구비한 전자 디바이스, 예를 들면 형광발광관의 진공 용기 내의 가스를 흡수하기 위해, 애노드 기판에 형성된 블랙 매트릭스에 비증발 게터 재료를 혼합하여 비증발 게터를 형성한 형광 발광관이 제안되어 있다(일본 특허공개 2001-351510호 참조).
도 8에 의해 종래의 비증발 게터를 구비한 형광 발광관을 설명한다.
도 8의 형광발광관은 전계 방출형 음극을 이용한 전계 방출형 발광 소자(FED)의 예이다.
도 8의 (a)는 애노드 기판측에서 본 전계 방출형 발광 소자의 평면도, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)의 X1 부분의 화살표 방향의 단면도이다.
전계 방출형 발광 소자는 애노드 기판(11)과 캐소드 기판(12)을 시일 유리(측면 부재)(13)에 의해 접착하여 형성한 진공 용기(외관 용기)를 구비하고 있다. 애노드 기판(11)에는 음극 전극에 형광체를 피착한 애노드(21)을 형성하고, 그 애노드(21)을 제외하고 블랙 매트릭스(22)를 형성하고 있다. 캐소드 기판(12)에는 전계 방출형 음극(31)을 형성하고 있다.
블랙 매트릭스(22)에는 Ti 화합물, Zr 화합물 등의 비증발 게터 재료를 혼입하고 있다. 블랙 매트릭스(22)는 흑연을 주성분으로 하여 유리계 접착제나 바인더를 함유한 수용액에 입자 직경이 1 ㎛ 이하인 비증발 게터 재료를 첨가한 수용액(흑연 수용액)을 애노드 기판(11)에 도포하고, 545 ℃ 정도의 온도로 대기 소성하여 형성한다.
종래의 비증발 게터 재료는 막연히 입자 직경이 1 ㎛ 정도의 것을 이용하고 있지만, 게터에 적합한 입자 직경, 입자 형상, 처리 온도 등에 대해서는 해명되어 있지 않다. 예를 들면, 상기와 같이 블랙 매트릭스 내에 비증발 게터 재료를 혼입시켜 게터를 형성하는 경우에는 블랙 매트릭스를 형성하는 과정에서 비증발 게터 재료도 545 ℃ 정도로 가열된다. 그러나, 비증발 게터 재료, 예를 들면 ZrV의 경우, 가스와 가장 활발히 화학 반응을 일으키는 온도(이하, "활성화 온도"라고 함)는 320 ℃ 전후이므로, 블랙 매트릭스 내에 비증발 게터 재료를 혼입하면 블랙 매트릭스를 형성할 때 화학 반응이 발생하여 대량의 가스를 흡수하고 있다. 이 때문 에 가장 중요한 진공 용기를 봉착 배기할 때에는 이미 활성면이 적어져, 가스 흡착이 완료된 상태로 되어 있고, 진공 용기 내에 존재해도 용기벽에 흡착한 가스가 전자선에 의해 나온 경우, 그 물질을 흡착하는 속도가 현저히 저하하고 있다. 즉 게터로서의 능력은 저하하고 있다. 또한, 상기 예와 같이 비증발 게터 재료로서 TiO2를 이용하면, TiO2는 백색이므로 TiO2를 다량으로 혼입하면 블랙매트릭스의 효과가 저감되고, 적으면 게터의 효과가 저감된다.
본원 발명은 이들 문제점을 감안하여 게터에 적합한 비증발 게터 재료의 입자 직경, 비표면적, 입자 형상, 처리 온도 등을 해명하고, 게터에 적합한 비증발 게터 재료로 이루어진 게터를 형광발광관 등의 전자 디바이스의 진공 용기의 내부에 설치하고, 또한 그 게터 재료에 적합한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명은 그 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 전자 디바이스는 전자 디바이스의 기밀 용기 내에 비증발 게터를 설치한 전자 디바이스에 있어서, 비증발 게터를 구성하는 비증발 게터 재료는 Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 이들 금속의 조합, 이들 금속의 화합물 또는 이들 금속의 수소화물로 이루어지고, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 전자 디바이스는 전자 디바이스의 기밀 용기 내에 비증발 게터를 설치한 전자 디바이스에 있어서, 비증발 게터를 구성하는 비증발 게터 재료는 Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 전자 디바이스는 청구항 2에 기재된 전자 디바이스에 있어서, 상기 비증발 게터 재료의 최대 입자 직경은 5.1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 전자 디바이스는 전자 디바이스의 기밀 용기 내에 비증발 게터를 설치한 전자 디바이스에 있어서, 비증발 게터를 구성하는 비증발 게터 재료는 Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 0.9 ㎛ 이하, 비표면적이 16 ㎡/g 이상이고 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 전자 디바이스는 청구항 4에 기재된 전자 디바이스에 있어서, 상기 비증발 게터 재료의 최대 입자 직경은 2.3 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 전자 디바이스는 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 전자 디바이스에 있어서, 상기 비증발 게터 재료는 ZrV 또는 ZrH2인 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 기재된 전자 디바이스는 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 전자 디바이스에 있어서, 상기 비증발 게터 재료의 입자의 길이 비는 1:5 이상인 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법은 음극 공정으로 제조한 애노드 기판과 양극 공정으로 제조한 캐소드 기판을 면 부착하여 봉착 배기하는 공정으로 이루어진 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 애노드 기판과 캐소드 기판 중 어느 한쪽 기판 또는 양쪽 기판에 비증발 게터 재료를 인쇄하여 건조하는 공정을, 소성 온도가 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 높은 그외의 공정 후로서, 상기 봉착 배기하는 공정보다도 전에 설치하는 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법은 청구항 8에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 인쇄한 비증발 게터 재료를 건조하는 공정은 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 낮은 온도로 실시하는 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 기재된 전자 다비이스의 제조 방법은 청구항 8에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 비증발 게터 재료의 인쇄에 이용하는 페이스트의 유기 용매는 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 낮은 온도로 증발하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 11에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법은 청구항 8에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 비증발 게터 재료의 인쇄에 이용하는 페이스트는 유기 용매에 미립자의 비증발 게터 재료를 분산하는 것을 특징으로 한다.
청구항 12에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법은 청구항 8에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 비증발 게터 재료는 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 13에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법은 청구항 8에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 비증발 게터 재료는 비즈밀법에 의해 분쇄한 것을 특징으로 한다.
청구항 14에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법은 청구항 8 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 비증발 게터 재료는 Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 이들 금속의 조합, 이들 금속의 화합물, 또는 이들 금속의 수소화물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 15에 기재된 비증발 게터는 Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 이들 금속의 조합, 이들 금속의 화합물 또는 이들 금속의 수소화물로 이루어지고, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 16에 기재된 비증발 게터는 Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 17에 기재된 비증발 게터는 Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 0.9 ㎛ 이하, 비표면적이 16 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 18에 기재된 비증발 게터의 처리 방법은 청구항 15 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 기재된 비증발 게터를 유기 용매에 분산한 상태로 처리하는 것을 특징으로 한다.
(발명을 실시하기 위한 가장 좋은 형태)
도 1 내지 도 7에 의해 본원 발명의 실시예를 설명한다. 또한, 각 도면에 공통되는 부분은 동일한 부호를 붙이고 있다.
도 1은 본원 발명의 실시예에 따른 전자 디바이스의 하나인 전계 방출형 음극을 이용한 2 극관형 전계 방출형 발광소자(FED)의 평면도와 단면도이다.
도 1의 (a)는 애노드 기판측에서 본 전계 방출형 발광 소자의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 Y1 부분의 화살표 방향의 단면도이다.
도 1에 있어서, 도면 부호 "11"은 애노드 기판, "12"는 캐소드 기판, "13"은 시일 유리(측면 부재), "21"은 음극 전극에 형광체를 피착한 음극, "22"는 블랙 매트릭스, "31"은 카본나노튜브(CNT)를 이용한 음극, "41"은 내압용 지주, "51"은 비증발 게터이다. 블랙 매트릭스(22)는 절연막(크로스)을 겸하기 때문에 흑색 유리를 이용하여 형성하고 있다.
애노드 기판(11)과 캐소드 기판(12)은 시일 유리(13)에 의해 접착하여 진공 용기(외관 용기)를 형성하고 있다. 애노드 기판(11)에는 애노드(21) 및 각 애노드(21)에 접속하는 Al 배선(24)을 형성하고, 애노드(21)를 제외하고 Al 배선(24)을 덮도록 블랙 매트릭스(22)를 형성하고 있다. 캐소드 기판(12)에는 음극(31)과 각 음극에 접속되는 ITO(투명 도전막) 배선(32)을 형성하고 있다. 또한, 블랙 매트릭스(22)에는 애노드(21)와 애노드(21) 사이(애노드(21)의 주위)에 비증발 게터(51) 를 형성하고, 블랙 매트릭스(22)와 애노드 기판(12) 사이에 지주(41)를 설치하고 있다. 비증발 게터(51)는 후술하는 조성으로 이루어지고, 후술하는 방법에 의해 형성한다.
또한, 도 1은 캐소드 기판(12)에 음극(31)을 형성하는 예에 대해 설명하였지만, 음극용 필라멘트를 이용하는 형광표시관 등의 경우에는 그 필라멘트는 캐소드 기판(12)에 장착할 수도 있고, 애노드 기판(11)에 장착할 수도 있다. 따라서, 필라멘트를 애노드 기판(11)에 장착하는 경우도 애노드 기판(11)에 대향하는 기판을 캐소드 기판이라고 한다.
애노드(21)와 음극(31) 사이에 전압을 인가하면 음극(31)은 전자를 방출하여 선택된 애노드(21)의 형광체를 여기하여 발광한다.
애노드 기판(11)과 캐소드 기판(12)의 간격은 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 정도이다. 도 1의 전계 방출형 발광 소자는 기판 간격이 30 ㎛로 매우 얇은 구조이지만, 비증발 게터(51)에 이용하는 비증발 게터 재료는 후술하는 바와 같이 평균 입자 직경이 2 ㎛, 최대 입자 직경이 5 ㎛ 정도이므로 비증발 게터(51)의 형성에 지장을 주지 않는다.
도 2는 비증발 게터(51)의 설치 장소의 변형예를 나타낸다.
도 2의 (a)는 도 1과 마찬가지로 애노드(21)와 애노드(21) 사이에 비증발 게터(51)를 형성한 예이지만, 도 1의 블랙 매트릭스(22) 대신에 블랙이 아닌 절연층(크로스)(23)를 형성하고 있다.
도 2의 (b)는 캐소드 기판(12)의 음극(31)과 음극(31) 사이에 비증발 게터 (51)를 형성한 예이다. 캐소드 기판(12)과 애노드 기판(11)의 블랙 매트릭스(22) 사이에 지주(41)를 설치하고 있다.
도 2의 (c)는 지주(41)의 주위에 비증발 게터(51)를 형성한 예이다. 지주(41)는 애노드 기판(11)의 블랙 매트릭스(22)와 캐소드 기판(12) 사이에 설치하고, 지주(41) 주위에 비증발 게터(51)를 형성하고 있다.
전계 방출형 발광 소자는 캐소드 기판측의 배선과 애노드 기판측의 배선을 접속 부재를 통해 접속하는 입체 배선 방식을 채용하는 경우가 있지만, 그 접속 부재를 금속의 비증발형 게터 재료에 의해 형성할 수도 있다. 이 경우, 비증발형 게터 재료는 게터와 접속부재를 겸하게 된다.
도 3, 도 4는 본원 발명의 실시예에 따른 전계 방출형 발광 소자의 제조 공정을 나타낸다. 도 3은 캐소드 기판에 비증발 게터(51)를 형성한 예이고, 도 4는 애노드 기판에 비증발형 게터(51)를 형성한 예이다.
우선, 도 3에 대해 설명한다.
애노드 공정에서는 유리 등의 기판에 Al 배선을 형성하고(AP1), 크로스 유리(블랙 매트릭스의 경우는 흑색 유리)를 인쇄하고(AP2), 대기중에서 550 ℃ 이상으로 가열하여 대기 소성한다(AP3). 계속해서 형광체를 인쇄하고(AP4), 시일 유리를 인쇄하고(AP5), 500 ℃에서 대기 소성한다(AP6). 대기 소성 후, 단품으로 커트한다(AP7). 애노드 기판을 전계 방출형 발광 소자 1 개마다 제조할 경우에는 단품 커트할 필요는 없지만, 통상 복수의 전계 방출형 발광 소자의 애노드 기판을 1 장의 대판(大板) 유리로 형성하므로 단품 커트를 실시한다.
양극 공정에서는 유리 등의 기판에 ITO를 인쇄하고(CP1), 음극용 CNT(카본나노튜브)를 인쇄하고(CP2), Ag을 인쇄한다(CP3). 애노드 기판과 캐소드 기판의 배선의 인출부(구동용 모듈에 접속하는 부분)는 애노드 기판에 집약되어 있다. 이 때문에 Ag를 인쇄하여 캐소드 기판의 배선과 애노드 기판의 인출부를 접속하는 볼록 형상 도전부를 형성한다. Ag 인쇄(CP3) 후에 스페이서(지주)를 인쇄하고(CP4), 550 ℃ 이상에 대기 소성하여(CP5), 게터 인쇄하고(비증발 게터 재료의 페이스트를 인쇄하고)(CP6), 200℃에서 건조하여 페이스트의 용매(후술함)를 증발시켜 비증발 게터를 형성하고(CP7), 단품 커트한다(CP8).
애노드 공정에서 제조한 애노드 기판과 캐소드 공정에서 제조한 캐소드 기판을 면 부착하고(시일 유리를 통해 양 기판을 겹침)(AC1), 500 ℃로 가열하여 시일 유리를 용융함과 동시에 배기하고, 양 기판을 접착하여 (AC2) 전계 방출형 발광 소자를 제조한다.
도 3의 캐소드 공정은 최초로 게터 인쇄 이외의 ITO 인쇄, CNT 인쇄, Ag 인쇄, 스페이서 인쇄 등을 실시하여 대기 소성하고, 그 대기 소성 후에 게터 인쇄를 실시하여, 건조하므로 비증발 게터 재료는 대기 소성의 영향을 받지 않는다. 따라서, 비증발 게터 재료는 봉착 배기 공정(AC2) 전에 대량의 가스를 흡수하여 게터의 능력이 저감되지 않는다. 또한, 게터 인쇄(CP6)에 이용하는 페이스트의 용매는 ZrV의 활성화 온도(320 ℃ 전후) 보다도 낮은 온도(200 ℃)로 건조하여 증발시키므로 페이스트의 건조 공정(CP7)에서도 비증발 게터 재료가 활성화되지 않는다. 비증발 게터 재료는 봉착 배기 공정(AC2)에서 처음에 ZrV의 활성화 온도 보다도 높은 온도로 가열되므로 봉착 배기 공정(AC2)에서 가스를 충분히 흡수할 수 있다.
또한, 상기 Ag는 ZrV로 대체할 수도 있다. 또한, 본 실시예에 이용하는 ZrV는 후술하는 바와 같이 입자 형상이 비늘 형상이므로 금속 광택을 잃고 있다. 따라서, ZrV는 전계 방출형 발광 소자의 내부에 설치해도 표시에 지장을 주지 않는다.
계속해서, 도 4에 대해서 설명한다.
도 4의 제조 공정은 도 3의 캐소드 공정으로 실시하여 게터 인쇄 공정과 건조 공정을 음극 공정으로 이행하여, 대기 소성(AP6) 이후에 게터 인쇄(AP7)와 건조(AP8)를 설치한다. 그외의 공정은 도 3의 제조 공정과 동일하다.
게터 인쇄(AP7)는 대기 소성(AP6) 후에 실시하므로, 도 3의 경우와 마찬가지로 비증발 게터 재료는 대기 소성의 영향을 받지 않는다.
또한, 도 4의 제조 공정의 경우, 시일 유리 인쇄(AP5)와 대기 소성(AP6)은 양극 공정으로 이행하여, 대기 소성(CP5) 이후에 설치할 수도 있다.
도 5는 비증발 게터 재료의 분쇄 공정과 시료의 측정값을 나타낸다.
도 5의 (a)는 분쇄 공정을 나타내고, (b)는 각 공정의 시료의 측정값을 나타낸다. 시료 A 내지 D는 비증발 게터 재료(ZrV)를 이용하고 있다.
도 5의 (b)에서 비표면적은 베트법(BET법)에 의한 값이고, 평균 입자 직경은 레이저 회절에 의한 값이다.
도 5의 (a)에서 미분쇄 원료(시료 A)는 평균 입자 직경 16.3 ㎛, 최대 입자 직경 65 ㎛이다. 이 원료를 건식 제트밀법에 의해 분쇄하여(MP1), 시료 B를 제조 한다. 시료 B는 평균 입자 직경 4.4 ㎛, 최대 입자 직경 30 ㎛이다. 또한, 시료 B를 습식 비즈밀법에 의해 분쇄하여(MP2), 시료 C, D를 제조한다. 시료 D는 시료 C보다도 분쇄 시간을 길게 하여 제조한 시료이다. 시료 C는 평균 입자 직경 1.9 ㎛, 최대 입자 직경 5.1 ㎛이고, 시료 D는 평균 입자 직경 0.9 ㎛, 최대 입자 직경 2.3 ㎛이다. 또한 각 시료의 비표면적은 시료 A가 0.23 ㎡/g, 시료 B가 0.85 ㎡/g, 시료 C가 5.88 ㎡/g, 시료 D가 16.13 ㎡/g이다.
시료 B와 시료 C에 대해 보면, 양자의 평균 입자 직경은 4.4 ㎛:1.9 ㎛인 것에 대해 양자의 비표면적은 0.85 ㎡/g : 5.88 ㎡/g이 되고, 시료 C의 비표면적은 급격히 증대하고 있다. 이 증대 원인은 후술하는 바와 같이 시료 C의 입자 형상이 비늘 형상인 것에 의한 것이라고 생각한다.
시료 C와 시료 D에 의하면 시료 B를 비즈밀법에 의해 분쇄할 때, 그 분쇄 시간이 길어질수록 입자 직경은 작아지는 것을 알 수 있다. 따라서, 비즈밀법(MP2)의 분쇄 시간을 바꿈으로서 비증발 게터 재료(ZrV) 의 입자 직경을 바꿀 수 있다.
도 6은 도 5의 시료 A 내지 시료 D의 열중량 분석(TG) 결과의 그래프로서, A 내지 D는 시료 A 내지 D에 대응하고 있다. 도 6의 그래프는 시료의 온도(횡축)와 시료의 중량(종축)의 관계를 나타내고 있다. 비증발 게터 재료(ZrV)는 온도가 높아지면 화학 반응을 일으켜 가스(산소)를 흡수하여 중량이 증대한다. 따라서, 중량의 증대의 정도는 비증발 게터 재료(ZrV)의 활성화의 정도에 대응하고 있다.
그래프 A 내지 그래프 D를 비교하면 그래프 C, D는 그래프 A, B 보다도 낮은 온도로 가스를 활발히 흡수하는 것을 알 수 있다. 따라서, 시료 C, D는 시료 A, B 보다도 낮은 온도로 가스를 활발히 흡수한다. 이 때문에 비증발 게터 재료 ZrV는 평균 입자 직경이 시료 C의 1.9 ㎛(약 2 ㎛) 이하, 비표면적이 시료 C의 5.88 ㎡/g(약 5 ㎡/g) 이상이 되면, 낮은 온도로 가스를 활발히 흡수한다고 할 수 있다. 평균 입자 직경이 시료 C 보다도 작고, 비표면적이 시료 C 보다도 큰 시료 D도 시료 C와 마찬가지로 낮은 온도로 가스를 활발히 흡수한다고 할 수 있다.
비증발 게터는 전계 방출형 발광 소자를 제조할 때의 봉착 배기 공정에 있어서 가스를 흡수하여 진공도를 높이고, 또한 전계 방출형 발광 소자를 표시 장치로서 작동할 때 발생하는 가스를 흡수하여 높은 진공도를 유지하는 것이 필요해진다. 그 경우, 비증발 게터의 온도는 봉착 배기 시보다도 표시 장치로서 작동할 때가 낮아지므로, 비증발 게터는 보다 낮은 온도에서 가스를 충분히 흡수하는 것이 필요해진다. 그 점을 감안하면 시료 C, D는 시료 A, B보다도 비증발 게터로서 우수하다고 할 수 있다.
또한, 상기 각 시료의 비증발 게터 시료는 ZrV이지만, 비증발 게터 재료는 후술하는 바와 같이 ZrH2도 사용할 수 있다. 비증발 게터 재료가 ZrH2의 경우에는 평균 입자 직경(레이저 회절에 의한) 1.5 ㎛ 이하, 비표면적(베트법에 의한) 13.1 ㎡/g 이상의 비늘 형상으로 한다. ZrH2는 가열 온도가 300 ℃ 이상(활성화 온도 300 ℃ 정도)이 되면 수소를 방출하므로 진공 용기 내는 H2가 풍부해짐과 동시에, Zr의 게터 작용에 의해 산소의 결핍 상태가 된다. 이 때문에 진공 용기 내는 환원 분위기가 되어 양호한 상태가 된다. 특히, 음극에 카본나노튜브를 이용한 경우, 카본은 산소와 반응하여 CO2로 바뀌기 쉽지만 진공 용기 내를 환원 분위기로 유지함으로써 카본과 산소의 반응을 방지하여 음극의 열화를 방지할 수 있다.
도 7은 도 5의 시료 A와 시료 C의 주사형 전자 현미경(SEM) 사진이다. 도 7의 (a)는 시료 A의 SEM 사진이고, 도 7의 (b)는 시료 C의 SEM 사진이다.
도 7의 (a)의 사진과 도 7의 (b)의 사진을 비교하면 도 7의 (a)의 입자는 입체적인 것에 대해, 도 7의 (b)의 입자는 편평한 비늘 형상인 것을 알 수 있다. 따라서, 시료 A의 비증발 게터 재료 ZrV는 입체적인 입자이지만, 시료 C의 비증발 게터 재료 ZrV는 편평한 비늘 형상의 입자인 것을 알 수 있다. 도 7에서 비늘 형상의 입자의 길이 비(세로 길이와 가로 길이 또는 두께와의 비)는 1:5 이상(평균 1:30 이상)이라고 추정할 수 있다. 따라서, 길이 비는 1:5 이상인 것이 바람직하다.
또한, 도 5의 (b)의 평균 입자 직경은 비증발 게터 재료를 액중에 분산시킨 상태로 레이저를 조사하여 측정하지만, 액중의 비늘 형상 입자는 여러 가지 방향을 향하고, 레이저가 종방향으로 조사되는 것, 횡방향으로 조사되는 것, 두께 방향으로 조사되는 것 또는 경사진 방향으로 조사되는 것 등이 혼재한다. 또한, 비증발 게터 재료의 분체의 주사형 전자현미경 사진의 경우도 마찬가지로 여러 가지 방향을 향하는 비늘 형상 입자가 촬영된다. 따라서, 도 7의 (b)의 사진(시료 C의 사진)의 입자 중에는 상기 평균 입자직경 보다도 큰 사이즈도 보인다. 상기 평균 입자 직경은 주사형 전자 현미경 사진의 장변의 길이 보다도 작아지는 경향이 있다.
도 5, 도 6, 도 7을 종합하면 시료 A는 평균 입자 직경이 크고, 비표면적이 작고, 입자 형상이 입체적인 것에 대해, 시료 C는 평균 입자 직경이 작고, 비표면적이 크고, 입자 형상이 편평한 비늘 형상인 것을 알 수 있다. 시료 C의 비표면적이 큰 이유는 평균 입자 직경이 작을 뿐만 아니라 입자 형상이 편평한 비늘 형상인 것에 의한 것이라고 생각된다. 그리고, 이것이 시료 C가 시료 A 보다도 낮은 온도라도 가스를 흡수하는 이유라고 생각된다. 또한, 시료 C의 입자가 편평한 비늘 형상이 되는 이유는 도 5의 분쇄 공정으로 봐서 비즈밀법이 기여하고 있다고 생각된다.
여기서, 전계 방출형 발광 소자를 제조할 때, 게터 인쇄에 이용하는 비증발 게터 재료 ZrV의 페이스트에 대해 설명한다.
비증발 게터 재료는 Zr과 V를 50:50(중량비)으로 혼합한 것을 이용하여 유기 용매의 옥탄디올과 결착재의 초미세 분말 SiO2를 90:10(중량비)으로 혼합한 것을 이용하여 비증발 게터 재료와 용매·결착재 혼합물을 70:30으로 혼합하여 페이스트를 제작하였다. 또한, 용매의 옥탄디올과 결착재의 초미세 분말 SiO2의 비는 50:50∼90:10의 범위가 좋고, 또한 비증발 게터 재료와 용매·결착재 혼합물의 비는 50:50∼90:10의 범위가 좋다. 유기 용매는 옥탄디올외에 테레피네올(가열 온도 200 ℃, 가열 시간 10 분), 메탄올(가열 온도 150 ℃, 가열 시간 10분), 메틸부틸레이트(NG120)(가열 온도 230 ℃, 가열 시간 10 분) 등이라도 좋다. 무기 결착재는 초미세 분말 SiO2외에 ZnO, ZrO2, ZrSiO4 등의 초미세 분말이라도 좋다.
본원 발명의 비증발 게터 재료는 상기한 바와 같이 미립자화되므로 대기중에서 취급하면 발화할 위험성이 있다. 그러나, 본원 발명은 비증발 게터 재료의 미립자를 유기 용매에 분산한 페이스트를 도포하므로, 비증발 게터 재료의 미립자는 유기 용매에 포함되어 있어 공기와 차단되므로 발화할 위험성이 낮아진다. 따라서, 게터의 형성 작업이 용이해진다.
또한, 시료 D와 같이 비증발 게터 재료의 평균 입자 직경이 0.9 ㎛ 이하가 되면 결착재를 혼합하지 않아도 좋다.
비증발 게터 재료의 ZrV는 입자 형상이 비늘 형상인 경우에는 물리적 접착성이 높고, 페이스트는 소성하지 않고 도포하여 건조하는 것만으로도 게터가 벗겨지지 않는다.
상기 실시예는 애노드 기판과 캐소드 기판을 시일 유리에 의해 접착하여 진공 용기를 형성한 전자 디바이스에 대해 설명하였지만, 애노드 기판, 캐소드 기판 및 측면판을 시일 유리에 의해 접착하여 진공 용기를 형성한 전자 디바이스라도 좋다.
또한, 애노드 기판과 캐소드 기판을 시일 유리에 의해 접착하여 진공 용기에 배기 구멍 또는 배기관을 형성하고, 배기 후에 덮개로 밀봉하거나 또는 배기관을 용융하여 밀봉하는 전자 디바이스라도 좋다.
또한, 애노드 기판과 캐소드 기판을 시일 유리에 의해 접착하고, 또 적어도 그 용기 공간으로부터 연통하는 게터 박스를 시일 유리에 의해 접착하고, 그 게터 박스 또는 용기에 배기 구멍 또는 배기관을 형성하고, 배기 후에 덮개로 밀봉하거 나 또는 배기관을 용융하여 밀봉하는 전자 디바이스라도 좋다.
상기 실시예에서는 비증발 게터를 진공 용기 내면이나 진공 용기 내부의 부품에 장착한 전자 디바이스에 대해 설명하였지만, 상기 게터 박스를 구비한 전자 디바이스의 경우에는 게터 박스의 내부(게터 박스의 내면이나 게터 박스 내의 부품 등)에 장착할 수도 있다.
상기 실시예는 진공 용기에 대해 설명하였지만, 특정 가스 등을 밀봉한 기밀 용기라도 좋다. 그 경우, 게터는 예를 들면 기밀 용기 내의 특정 가스 이외의 불필요한 가스를 선택적으로 흡수하는 데에 사용할 수 있다.
상기 실시예에서는 진공 중의 봉착 배기 공정에서 비증발 게터를 그 활성화 온도보다도 높은 온도로 가열한 예에 대해 설명하였지만, 예를 들면 기밀 용기 작성 후도 충분히 게터 능력을 갖는 조건으로 불활성 가스 등의 특정 분위기 중에서의 봉착 공정에서 비증발 게터를 그 활성화 온도 보다도 높은 온도로 가열한 후, 진공 중의 배기 공정에서 비증발 게터를 그 활성화 온도보다도 높은 온도로 가열할 수도 있다.
상기 실시예는 2극형 전계 방출형 발광 소자에 대해 설명하였지만, 3 극 이상의 전계 방출형 발광소자라도 좋다. 또한, 상기 실시예는 전계 방출형 발광 소자에 대해 설명하였지만, 열음극용 필라멘트를 이용한 형광 표시관, 평면 CRT, 프린터 헤드용 발광관 등의 전자 디바이스라도 좋다.
상기 실시예는 비증발 게터 재료로서 ZrV에 대해 설명하였지만, ZrV에 한정되지 않고, ZrH2 등의 수소화물, Zr-Ti, Zr-Al, Zr-Fe-V, Zr-Ni-Fe-V 등의 화합물( 합금), Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf 등으로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 또는 이들 금속을 조합한 것이라도 좋다.
상기 실시예는 게터 재료의 분쇄법으로서 비즈밀법(매체 교반식 밀)에 대해 설명하였지만, 비즈밀법 외에 볼밀법(용기 구동 매체 밀), 제트밀법, 나노마이저법 등도 사용할 수 있다. 그러나, 게터 재료의 미분화(예를 들면, 평균 입자 직경 2 ㎛ 이하)에는 비즈밀법이 가장 적합하다.
본원 발명의 ZrV 등의 비증발 게터 재료는 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상, 입자 형상이 비늘 형상이므로 입자 직경이 성기고, 비표면적이 1의 구 형상에 가까운 게터 재료 보다도 낮은 온도로 가스를 흡수한다. 따라서 본원 발명의 ZrV 등의 비증발 게터 재료는 형광 발광관 등의 전자 디바이스를 봉착 배기할 때 충분히 가스를 흡수하고, 또한 전자 디바이스가 작동할 때 발생하는 가스도 흡수하므로 전자 디바이스의 수명을 길게 할 수 있다.
본원 발명의 형광 발광관 등의 전자디바이스의 제조 방법은 봉착 배기 공정 보다 이전 공정에 있어서, ZrV 등의 비증발 게터 재료를 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다 높은 온도로 가열하지 않으므로, 봉착 배기 공정 보다 이전 공정에서 가스를 흡수하여 게터 능력이 저감되지 않는다. 또한, 본원 발명의 형광 발광관의 제조 방법은 ZrV 등의 비증발 게터 재료를 인쇄한 후, 건조하는 것만으로 비증발 게터를 형성하고, 또한 그 건조 온도는 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 이하이므로 비증발 게터를 형성할 때(건조할 때), 비증발 게터 재료가 가스를 흡수 하는 양이 적다. 또한 본원 발명의 ZrV 등의 비증발 게터 재료는 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하이고, 입자 형상이 비늘 형상이므로 인쇄하여 건조한 후에도 접착 강도가 높고 비증발 게터가 벗겨지지 않는다.
본원 발명의 ZrV 등의 비증발 게터 재료는 비즈밀법으로 분쇄하여 제조하므로 입자 형상이 비늘 형상이 된다. 또한, 게터 인쇄에 이용하는 페이스트의 용매는 ZrV 등의 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 낮은 온도로 증발하는 것을 이용하므로, 페이스트를 인쇄한 후, ZrV 등의 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 낮은 온도로 건조시킬 수 있다.

Claims (18)

  1. 전자 디바이스의 기밀 용기 내에 비증발 게터를 설치한 전자 디바이스에 있어서,
    비증발 게터를 구성하는 비증발 게터 재료는 Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 이들 금속의 조합, 이들 금속의 화합물, 또는 이들 금속의 수소화물로 이루어지고, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  2. 전자 디바이스의 기밀 용기 내에 비증발 게터를 설치한 전자 디바이스에 있어서,
    비증발 게터를 구성하는 비증발 게터 재료는 Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료의 최대 입자 직경은 5.1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  4. 전자 디바이스의 기밀 용기 내에 비증발 게터를 설치한 전자 디바이스에 있 어서,
    비증발 게터를 구성하는 비증발 게터 재료는 Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 0.9 ㎛ 이하, 비표면적이 16 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료의 최대 입자 직경은 2.3 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료는 ZrV 또는 ZrH2인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료의 입자의 길이 비는 1:5 이상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  8. 애노드 공정에서 제조한 애노드 기판과 캐소드 공정에서 제조한 캐소드 기판을 면 부착하여 봉착 배기하는 공정으로 이루어진 전자 디바이스의 제조 방법에 있 어서,
    애노드 기판과 캐소드 기판 중 어느 한쪽 기판, 또는 양쪽 기판에 비증발 게터 재료를 인쇄하여 건조하는 공정을, 소성 온도가 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 높은 그외의 공정 후로서, 상기 봉착 배기하는 공정보다도 전에 설치하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 인쇄한 비증발 게터 재료를 건조하는 공정은 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 낮은 온도로 실시하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료의 인쇄에 이용하는 페이스트의 유기 용매는 그 비증발 게터 재료의 활성화 온도 보다도 낮은 온도로 증발하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료의 인쇄에 이용하는 페이스트는 유기 용매에 미립자의 비증발 게터 재료를 분산하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료는 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료는 비즈밀법에 의해 분쇄되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비증발 게터 재료는 Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 이들 금속의 조합, 이들 금속의 화합물, 또는 이들 금속의 수소화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  15. Ta, Ti, Zr, Th, V, Al, Fe, Ni, W, Mo, Co, Nb 및 Hf로 구성된 그룹에서 선택된 금속, 이들 금속의 조합, 이들 금속의 화합물, 또는 이들 금속의 수소화물로 이루어지고, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 비증발 게터.
  16. Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 2 ㎛ 이하, 비표면적이 5 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 비증발 게터.
  17. Zr 화합물 또는 Zr 수소화물로 이루어지고, 평균 입자 직경이 0.9 ㎛ 이하, 비표면적이 16 ㎡/g 이상이고, 입자 형상이 비늘 형상인 것을 특징으로 하는 비증발 게터.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 비증발 게터를 유기 용매에 분산한 상태로 처리하는 것을 특징으로 하는 비증발 게터의 처리 방법.
KR1020060016189A 2005-02-21 2006-02-20 비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의제조 방법 KR100849798B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00044815 2005-02-21
JP2005044815A JP4327747B2 (ja) 2005-02-21 2005-02-21 非蒸発ゲッターを備えた電子デバイス及びその電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060093298A true KR20060093298A (ko) 2006-08-24
KR100849798B1 KR100849798B1 (ko) 2008-07-31

Family

ID=36664571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060016189A KR100849798B1 (ko) 2005-02-21 2006-02-20 비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7586260B2 (ko)
EP (1) EP1696451B8 (ko)
JP (1) JP4327747B2 (ko)
KR (1) KR100849798B1 (ko)
CN (1) CN1848352B (ko)
DE (1) DE602006021084D1 (ko)
TW (1) TW200636791A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721229B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-23 한국지질자원연구원 게터의 제조방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2653817C (en) * 2006-06-01 2012-10-16 Google Inc. Modular computing environments
JP5096761B2 (ja) * 2007-02-23 2012-12-12 パナソニック株式会社 真空封止デバイスの製造方法
US11524271B2 (en) 2017-08-28 2022-12-13 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus Thin film getter and manufacturing method therefor
FR3109936B1 (fr) * 2020-05-07 2022-08-05 Lynred Procede de fabrication d’un microsysteme electromecanique et microsysteme electromecanique
KR102588567B1 (ko) * 2021-07-16 2023-10-16 주식회사 원익홀딩스 Zr계 게터의 표면 불순물 제거 방법

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE886788C (de) * 1945-02-03 1953-10-05 Lorenz C Ag Hochaktives Getter
US2510273A (en) * 1946-10-11 1950-06-06 Bell Telephone Labor Inc Power line carrier frequency telephone system
US3082174A (en) 1959-11-17 1963-03-19 North American Phillips Compan Method of manufacturing a non-evaporating getter and getter made by this method
BE625037A (ko) 1961-11-21
US3369078A (en) * 1965-06-28 1968-02-13 Charles R. Stradley System for transmitting stereophonic signals over electric power lines
US3620645A (en) * 1970-05-01 1971-11-16 Getters Spa Getter device
US3739226A (en) * 1971-09-08 1973-06-12 W Seiter Emergency light unit for mounting to an electrical wall outlet
US3805265A (en) * 1971-10-06 1974-04-16 Rcds Enterprises Inc Radiant wave locating system
US3872319A (en) * 1972-07-31 1975-03-18 Jr George E Platzer Lazy-man type switching circuit
US3876984A (en) * 1974-04-19 1975-04-08 Concord Computing Corp Apparatus for utilizing an a.c. power line to couple a remote terminal to a central computer in a communication system
US4262171A (en) * 1979-01-08 1981-04-14 Catalyst Research Corporation Telephone system in which communication between stations is controlled by computers at each individual station
US4380009A (en) * 1980-02-29 1983-04-12 Amtel Systems Corporation Message communication system
US4367548A (en) * 1980-04-10 1983-01-04 Harris Corporation Subscriber station for providing multiple services to a subscriber
FR2497040B1 (fr) * 1980-12-24 1988-03-18 Duquesne Jean Reseau de telecommunications par paquets
EP0061655B2 (de) * 1981-03-31 1990-03-28 Hans Sauer Von der Umgebung abgedichtete Schaltkammer für elektrische Kontakte
US4521881A (en) * 1981-11-02 1985-06-04 Wang Laboratories, Inc. Data communication system with increased effective bandwidth
US4444999A (en) * 1982-08-23 1984-04-24 Sparrevohn Frederic R Automatic electronic disconnector for subscriber terminal equipment
US4514594A (en) * 1982-09-30 1985-04-30 Astech, Inc. Power line carrier telephone extension system for full duplex conferencing between telephones and having telephone call hold capability
US4523307A (en) * 1982-11-30 1985-06-11 Astech, Inc. Power line carrier multi telephone extension system for full duplex conferencing and intercom between telephones
US4578540A (en) * 1982-12-20 1986-03-25 At&T Bell Laboratories Telecommunications systems
JPS59122161A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Toshiba Corp ブロ−ドバンドネツトワ−クシステム
US4506387A (en) * 1983-05-25 1985-03-19 Walter Howard F Programming-on-demand cable system and method
DE3324311A1 (de) * 1983-07-06 1985-01-17 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Decoder fuer ein frequenzgetastetes signal, insbesondere ein fsk-bildschirmtext-signal
GB2146509B (en) * 1983-09-10 1986-08-13 Stc Plc Data transmission system
US4814941A (en) * 1984-06-08 1989-03-21 Steelcase Inc. Power receptacle and nested line conditioner arrangement
US4646296A (en) * 1984-07-09 1987-02-24 Bard Technologies Distributed telephone system
US4665516A (en) * 1984-09-07 1987-05-12 Itt Corporation Information transport system employing telephone lines
JPS61104351A (ja) * 1984-10-23 1986-05-22 Hashimoto Corp Ｖｔｒの電話線によるリモ−トコントロ−ル装置
US4636914A (en) * 1984-11-28 1987-01-13 Ave S.P.A. Outlet box with removable self-contained device
US4647725A (en) * 1985-03-11 1987-03-03 Siecor Corporation Indoor type telephone network interface device
US4821319A (en) * 1985-04-25 1989-04-11 Alcatel Usa Corp. Single line telephone communication system
US4651022A (en) * 1985-08-14 1987-03-17 Cowley Edward L Digital touch operated switch
US4750094A (en) * 1986-08-26 1988-06-07 Krasik Michael H Low cost apparatus for simulating an alarm system actuating component
US4731821A (en) * 1986-11-13 1988-03-15 Jackson Iii Thomas H Single wire telephone intercommunication system
US4807225A (en) * 1987-02-02 1989-02-21 American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. Telephone line carrier system
US4924349A (en) * 1988-05-09 1990-05-08 Lutron Electronics Co., Inc. Face plate assembly for electrical devices
US5023868A (en) * 1988-12-29 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Automated call handling apparatus
US5090052A (en) * 1989-05-18 1992-02-18 Tandy Corporation Telephone system with multiple extension telephones
US5027426A (en) * 1989-07-07 1991-06-25 Chiocca Jr Joseph J Signal coupling device and system
US5010399A (en) * 1989-07-14 1991-04-23 Inline Connection Corporation Video transmission and control system utilizing internal telephone lines
US5192231A (en) * 1990-06-19 1993-03-09 Echelon Corporation Power line communications coupler
US5114365A (en) * 1990-08-30 1992-05-19 William H. Thompson Wall plate
US5319634A (en) * 1991-10-07 1994-06-07 Phoenix Corporation Multiple access telephone extension systems and methods
US5402902A (en) * 1992-10-13 1995-04-04 Bouley; Roger R. Wall outlet box extension
US5530737A (en) * 1993-03-22 1996-06-25 Phonex Corporation Secure access telephone extension system and method
IT1273349B (it) * 1994-02-28 1997-07-08 Getters Spa Visualizzatore piatto ad emissione di campo contenente un getter e procedimento per il suo ottenimento
US5500794A (en) * 1994-03-31 1996-03-19 Panasonic Technologies, Inc. Distribution system and method for menu-driven user interface
JPH07297892A (ja) * 1994-04-28 1995-11-10 Nec Corp コードレス通信接続装置の壁面取付機構及び方法、コードレス通信接続装置、及び壁面埋め込み配線器具
US6334219B1 (en) * 1994-09-26 2001-12-25 Adc Telecommunications Inc. Channel selection for a hybrid fiber coax network
US5712614A (en) * 1995-05-09 1998-01-27 Elcom Technologies Corporation Power line communications system
US6081261A (en) * 1995-11-01 2000-06-27 Ricoh Corporation Manual entry interactive paper and electronic document handling and processing system
CA2165856C (en) * 1995-12-21 2001-09-18 R. William Carkner Number portability with database query
US5736965A (en) * 1996-02-07 1998-04-07 Lutron Electronics Co. Inc. Compact radio frequency transmitting and receiving antenna and control device employing same
US5912895A (en) * 1996-05-01 1999-06-15 Northern Telecom Limited Information network access apparatus and methods for communicating information packets via telephone lines
DE19640223C2 (de) * 1996-09-30 1998-10-22 Siemens Ag Verfahren zum Betreiben eines Kommunikations- und/oder Steuerungssystems sowie Kommunikations- und/oder Steuerungssystem
US6236653B1 (en) * 1996-12-23 2001-05-22 Lucent Technologies Inc. Local telephone service over a cable network using packet voice
US5896443A (en) * 1997-01-10 1999-04-20 Intel Corporation Phone line computer networking
US6208637B1 (en) * 1997-04-14 2001-03-27 Next Level Communications, L.L.P. Method and apparatus for the generation of analog telephone signals in digital subscriber line access systems
US6192399B1 (en) * 1997-07-11 2001-02-20 Inline Connections Corporation Twisted pair communication system
FR2769165B1 (fr) * 1997-09-26 2002-11-29 Technical Maintenance Corp Systeme sans fil a transmission numerique pour haut-parleurs
US6055435A (en) * 1997-10-16 2000-04-25 Phonex Corporation Wireless telephone connection surge suppressor
US6010228A (en) * 1997-11-13 2000-01-04 Stephen E. Blackman Wireless emergency safety light with sensing means for conventional light switch or plug receptacle
US5895985A (en) * 1997-11-19 1999-04-20 Fischer; George Switch remoting system
US7596129B2 (en) * 1998-03-13 2009-09-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Home gateway systems and methods to establish communication sessions
US6169795B1 (en) * 1998-03-30 2001-01-02 International Business Machines Corporation Internet telephony callback system and method of operation
US6349133B1 (en) * 1998-04-15 2002-02-19 Premisenet Incorporated Method and system for interfacing a telephony network and a digital data stream
JP3378194B2 (ja) * 1998-05-12 2003-02-17 矢崎総業株式会社 フラットケーブル用接続コネクタ
US6216160B1 (en) * 1998-07-20 2001-04-10 Intel Corporation Automatically configurable computer network
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6570869B1 (en) * 1998-09-30 2003-05-27 Cisco Technology, Inc. Communicating voice over a packet-switching network
US6188557B1 (en) * 1998-11-23 2001-02-13 Tii Industries, Inc. Surge suppressor
JP3420520B2 (ja) 1999-01-13 2003-06-23 キヤノン株式会社 非蒸発性ゲッターの製造方法及び画像形成装置
JP3518855B2 (ja) 1999-02-26 2004-04-12 キヤノン株式会社 ゲッター、ゲッターを有する気密容器および画像形成装置、ゲッターの製造方法
US6207895B1 (en) * 1999-03-24 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Device box for wall mounted communications apparatus
US7933295B2 (en) * 1999-04-13 2011-04-26 Broadcom Corporation Cable modem with voice processing capability
US6222124B1 (en) * 1999-06-24 2001-04-24 Avaya Technology Corp. Integrated wall outlet plate for retrofit low-voltage signals
KR100506233B1 (ko) * 1999-10-27 2005-09-02 삼성전자주식회사 비대칭 디지털 가입자선 시스템에서 홈 네트웍 시스템
US6380852B1 (en) * 1999-11-02 2002-04-30 Quietech Llc Power shut-off that operates in response to prespecified remote-conditions
CA2327813A1 (en) * 1999-12-07 2001-06-07 Kazuo Yahiro Information terminal and information terminal system
KR100607140B1 (ko) * 2000-02-29 2006-08-02 유니데이타커뮤니케이션 주식회사 인터넷 전화기
JP3999922B2 (ja) * 2000-03-29 2007-10-31 京セラ株式会社 突起付基板および平面型ディスプレイ
US7961712B2 (en) * 2000-05-08 2011-06-14 Broadcom Corporation System and method for supporting multiple voice channels
GB2362248A (en) * 2000-05-13 2001-11-14 Ibm Power socket for physical asset tracking
JP2001351510A (ja) 2000-06-05 2001-12-21 Futaba Corp 発光素子用陽極基板及び電界発光素子
US7009946B1 (en) * 2000-06-22 2006-03-07 Intel Corporation Method and apparatus for multi-access wireless communication
US6993289B2 (en) * 2000-08-02 2006-01-31 Simple Devices System including a wall switch device and a system including a power outlet device and methods for using the same
US6364535B1 (en) * 2000-08-10 2002-04-02 Adc Upgradeable media wall converter and housing
US6362987B1 (en) * 2000-12-27 2002-03-26 John Yurek Wall mounted electrical outlet receptacle for providing low voltage DC current
US7023809B1 (en) * 2001-03-20 2006-04-04 3Com Corporation Intelligent concentrator usage
US7162474B1 (en) * 2001-05-10 2007-01-09 Nortel Networks Limited Recipient controlled contact directories
US6697358B2 (en) * 2001-07-18 2004-02-24 2Wire, Inc. Emulation of phone extensions in a packet telephony distribution system
US7245625B2 (en) * 2001-08-04 2007-07-17 Arkados, Inc. Network-to-network adaptor for power line communications
JP2003068235A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Canon Inc 非蒸発型ゲッタとその製造方法、及び、表示装置
US20030067910A1 (en) * 2001-08-30 2003-04-10 Kaveh Razazian Voice conferencing over a power line
US7447200B2 (en) * 2001-08-30 2008-11-04 Maxim Integrated Products, Inc. System and method for simultaneously transporting different types of information over a power line
US20030062990A1 (en) * 2001-08-30 2003-04-03 Schaeffer Donald Joseph Powerline bridge apparatus
US7003102B2 (en) * 2001-10-10 2006-02-21 Pulse Engineering, Inc. Telecommunications gateway and method
CA2364133A1 (en) * 2001-11-28 2003-05-28 Integen Technologies Inc. Local area and multimedia network using radio frequency transceivers and coaxial cable
US7519000B2 (en) * 2002-01-30 2009-04-14 Panduit Corp. Systems and methods for managing a network
US7162013B2 (en) * 2002-01-31 2007-01-09 Sharp Laboratories Of America, Inc. Home network telephone answering system and method for same
US7206322B1 (en) * 2002-03-11 2007-04-17 At&T Corp. System and method for using ADSL for introducing multiple derived lines over a single line
US7027483B2 (en) * 2002-06-21 2006-04-11 Pulse-Link, Inc. Ultra-wideband communication through local power lines
US6989734B2 (en) * 2003-01-28 2006-01-24 Gateway Inc. Modulated data transfer between a system and its power supply
ITMI20031178A1 (it) * 2003-06-11 2004-12-12 Getters Spa Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per
US7092693B2 (en) * 2003-08-29 2006-08-15 Sony Corporation Ultra-wide band wireless / power-line communication system for delivering audio/video content
US7171506B2 (en) * 2003-11-17 2007-01-30 Sony Corporation Plural interfaces in home network with first component having a first host bus width and second component having second bus width
US7199706B2 (en) * 2005-02-22 2007-04-03 Sony Corporation PLC intercom/monitor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721229B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-23 한국지질자원연구원 게터의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE602006021084D1 (de) 2011-05-19
US7586260B2 (en) 2009-09-08
TWI343072B (ko) 2011-06-01
EP1696451B8 (en) 2011-07-06
EP1696451A2 (en) 2006-08-30
CN1848352B (zh) 2011-02-09
US20060197428A1 (en) 2006-09-07
EP1696451B1 (en) 2011-04-06
JP2006228690A (ja) 2006-08-31
JP4327747B2 (ja) 2009-09-09
TW200636791A (en) 2006-10-16
EP1696451A3 (en) 2008-03-12
KR100849798B1 (ko) 2008-07-31
CN1848352A (zh) 2006-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100849798B1 (ko) 비증발 게터를 구비한 전자 디바이스와 그 전자 디바이스의제조 방법
JP5082849B2 (ja) 電子エミッタ、フィールドエミッションディスプレイ装置、冷陰極蛍光管、平面型照明装置、および電子放出材料
JP5537758B2 (ja) 雰囲気制御に使用するための事前水和された乾燥剤を含む厚膜ゲッターペースト組成物
CN101303955B (zh) 离子源组件
CN1828802B (zh) 电子发射源、其制备方法以及采用该电子发射源的电子发射器件
JP3412406B2 (ja) 蛍光表示装置
US7745983B2 (en) Field emission plane light source and method for making the same
KR100491913B1 (ko) 평판형 화상 표시 장치의 제조 방법 및 평판형 화상 표시장치
JP4471431B2 (ja) 綿状高融点金属材料の製造方法およびその材料を用いた陰極
CN100595867C (zh) 斜面阴极侧栅控结构的平板显示器及其制作工艺
CN105244246B (zh) 场发射阴极及场发射装置
JP4863329B2 (ja) 蛍光表示管
TWI307907B (en) Field emission electron source and method for making the same
TWI309059B (en) Field emission plane light source and method for making the same
KR20120058136A (ko) 금속-탄소 나노튜브 복합 분말, 금속-탄소 나노튜브 복합 페이스트 및 그를 이용한 전계방출 소자
JPS62177840A (ja) チツプレス蛍光表示管
Li et al. Characteristics of Simple FED Device with Focusing Electron Structure Using Low-Cost Mica Plate Substrate
CN100527337C (zh) 十字尖型阴极发射结构的平板显示器及其制作工艺
WO2012117666A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2012117665A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2012117664A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2007080770A1 (ja) 画像表示装置
JPH061662B2 (ja) カラ−陰極線管の製造方法
JP2011049095A (ja) 蛍光表示装置及びその製造方法
KR20010056075A (ko) 피디피 표시소자용 광흡수 안료

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120628

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee