KR20060081661A - 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법, 장치 및 시스템 - Google Patents

불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법, 장치 및 시스템 Download PDF

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KR20060081661A
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토마스 로버트 알브레흐트
헨리 훙 양
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히다치 글로벌 스토리지 테크놀로지스 네덜란드 비.브이.
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Abstract

불연속 매체 트랙을 액세스하는 장치, 시스템 및 방법이 개시된다. 장치는, 일 실시예에서, 하나 이상의 독립적으로 형성된 기억 영역들을 위에 가지는 기억 매체의 불연속 매체 트랙을 액세스한다. 각 기억 영역은 한 세트의 트랙 세그먼트들을 포함할 수도 있다. 메모리는 각 기억 영역에 대한 트랙 오프셋 정보를 기억하기 위해 제공될 수도 있다. 매핑 모듈은, 트랙 오프셋 정보를 수집하고, 인접 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 계산하고, 트랙을 정의하고, 테이블을 생성하고, 메모리에 이 트랙 오프셋 정보를 기억할 수도 있다. 장치는, 현재 기억 영역 내의 트랙 세그먼트의 중심선에 대한 헤드 위치를 감지하고, 오프셋 정보를 액세스하며, 후속 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 기억 헤드를 정렬시키는 트래킹 모듈을 더 포함할 수도 있다. 결과적으로, 불연속 매체 트랙들은 기억 액세스 장치에 의하여 액세스될 수도 있다.

Description

불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법, 장치 및 시스템{METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR ACCESSING DISCONTINUOUS MEDIA TRACKS}
도 1은 본 발명의 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템의 일 실시예를 도시하는 개략 블록도이다.
도 2는 본 발명의 기억 매체의 일 실시예의 상부 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따라 테이블을 매핑하는 일 실시예를 도시하는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 트랙 액세스 방법의 일 실시예를 도시하는 개략 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 테이블 생성 방법의 일 실시예를 도시하는 개략 흐름도이다.
본 발명은 기억 매체에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기억 매체 상의 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 것에 관한 것이다.
통상적으로, 디스크 드라이브 내에서 사용되는 디스크와 같은 자기 기억 매 체의 기억 용량과 면 밀도는 재료 특성, 제조 프로세스, 계측적 제한, 기계적 성능 등과 같은 특정 제약들로 인하여 제한되어 왔다. 예컨대, 종래의 멀티그레인(multigrain) 자기 매체는 일반적으로, 기판 표면 상에 자기적으로 대전된 그레인의 랜덤 클러스터(random cluster)를 형성하는 자기 합금의 얇은 층으로 편평한 기판을 덮음으로써 형성된다.
매체 기억 장치를 형성하는 종래의 프로세스는, 열 교란으로 인한 자화의 변동인 초상자성 효과라 불리는 자연적 발생을 포함하여, 일부 물리적 제약들로 제안되어 왔다. 초상자성 효과는, 자기적으로 대전된 그레인 클러스터의 비트 셀들이 너무 작은 그레인으로 정의될 때 기억 매체에 영향을 미쳐, 자화가 불안정하게 된다. 이러한 환경에서, 자화의 변동은 데이터의 말소를 유발할 수 있다. 결과적으로, 열적으로 안정한 기억 매체의 면 밀도는 통상적으로 종래의 멀티그레인 자기 매체에서 약 150 Gbit/in2로 제한되었다.
그러나, 최근 고도로 균일한 아일랜드(island)의 정연된(ordered) 어레이를 구비하는 패터닝된 매체가 대안으로서 개발되어, 자기 매체와 종래에 연관된 일부 제한들을 회피하였다. 열적으로 안정한 비트 또는 트랙 세그먼트에 대응하는 독립적인 자기 아일랜드는 기억 매체의 표면 상에 형성될 수 있다. 패터닝된 매체의 각 아일랜드는 하나 이상의 비트를 기억할 수도 있다. 아일랜드에 의하여 제공된 자기 절연의 결과로서, 기억 매체는 종래의 멀티그레인 자기 매체 기술로 가능한 것보다 큰 면 밀도와 기억 용량으로 형성될 수 있다.
패터닝된 매체는 당업자에게 공지된 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 패터 닝된 매체를 형성하는 하나의 제안된 방법은 나노임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography) 또는 나노임프린트 레플리케이션(nanoimprint replication)이다. 이 방법에서, nm-스케일 패턴을 가지는 스탬퍼 또는 마스터 템플릿이 형성될 수도 있다. 스탬퍼는 결과적으로, 패터닝을 위한 다른 방법들과 비교하여 비교적 낮은 비용으로 기판의 표면 상에 형성된 패턴을 스탬프(stamp)하거나 형성하는 데 사용될 수도 있다. 형성된 패턴은 자기층으로 덮여, 독립적인 자기 도메인을 형성할 수도 있다.
직접적으로 또는 간접적으로 패터닝된 스탬퍼를 생성하는 데 적합한 하나의 방법은 e-빔 리소그래피를 사용한다. E-빔 리소그래피는, 특정 실시예에서, 약 300 Gbit/in2 이상의 면 밀도에 대응하는, 약 25nm 이하의 스케일 주위의 차원을 가지는 아일랜드를 형성하는 데 사용될 수 있다. 이들 고 분해능(resolution) 패턴은 집적 회로를 제조하기 위하여 전자공학 산업에서 일반적으로 사용되는 기술인 광학 리소그래피를 사용하여 달성 가능한 치수를 넘어선 것이다. E-빔 노광 툴은 광학 리소그래피용 마스크를 형성하는 데 사용되는 툴과 유사할 수도 있으나, 패터닝된 매체용 패턴을 생성하는 것은 일반적으로, 종래의 e-빔 마스크 생성용으로 필요한 보다 높은 분해능 e-빔 노광 시스템을 요구한다.
자기 매체와 연관된 일부 종래의 문제점들을 극복하는 패터닝된 매체는 기억 매체에 보다 큰 면 밀도와 기억 용량을 유익하게 제공할 수 있다. 그러나, 패터닝된 매체의 대량 생산은, 패터닝된 매체가 용이하게 시판되는 것을 방해하는 일부 문제점들을 제시한다.
우선, 미리 정의된 패턴들이 통상적으로 기억 매체 또는 디스크의 기판에 형성되므로, 트랙 및 비트 정렬은 종래의 자기 매체에서 일반적으로 행해지는 바와 같은 서보기록(servowriting) 프로세스 동안 대신 제조 동안에 확립된다. 결과적으로, 기억 장치 및 판독/기록 메카니즘은 미리 형성된 트랙을 추종하여, 중심화 에러(centering error), 형상 불규칙성 등과 같은 에러를 보상할 수 있어야 한다. 이상적으로, 서보 시스템은 패터닝된 매체 내에서 오정렬된 특성에도 불구하고 충분히 기능할 수 있을 것이다. 그러나, 높은 플라잉(flying) 속도와 판독 및 기록 데이터와 연관된 미소한 특성들로 인하여, 현재 사용 가능한 서보 시스템은 패터닝된 매체 내의 작은 변동만을 조정할 수 있다.
두 번째로, e-빔 리소그래피를 사용하여 고 분해능 패턴을 기록함으로써 마스터 템플릿을 위한 패턴들을 생성하는 것은 상당한 시간을 소모할 수 있다. 통상적으로, 가장 양호한 분해능으로 동작하는 e-빔 리소그래피 툴은 최소의 빔 직경과 상당히 제한된 전류를 사용하고 있다. 패턴의 상세, 사용 가능한 빔 전류, 선택된 저항의 민감도, 및 스테이지의 기계적 움직임과 연관된 시간에 따라, 전체 디스크 표면에 대하여 패턴을 생성하는 데 요구되는 총 기록 시간은 패턴의 크기에 따라, 완료하는 데 수 개월에서 수 년이 소요될 수도 있다. 보다 큰 패턴은 완료하는 데 더 많은 양의 시간이 요구된다. 연장된 기록 시간은, e-빔 기록 시스템의 연관된 비용과 민감도를 고려하여, 허용되지 않을 수도 있다. 특정 경우에서, e-빔은, e-빔 기록 처리의 완료 오래 전에 실패할 수도 있다.
e-빔 기록된 패턴의 크기를 감소시키기 위한 고찰되는 방법은 e-빔 리소그래피를 사용하여 패턴의 미소 섹션을 형성한 후, 다른 방법을 사용하여 이 섹션을 레플리케이트(replicate)하는 것이다. 매체 패턴은 주기적인 경향이 있으며, 반복된 패터닝된 섹션은 심각한 문제점을 제시하지 않는다. 그러나, 기억 매체의 표면 상에 다수의 섹션들을 형성하는 것은 디스크 주변의 개별 데이터 트랙의 연속성에 영향을 미치는 일부 물리적 제한들을 제시한다. 패턴 특성의 스케일로 인하여, 개별 섹션으로부터의 트랙 세그먼트의 완벽한 정렬은 거의 불가능하며, 예지 가능한 미래에 대하여 실제 사용에서 비용이 너무 많이 들게 되는 상당히 민감한 제조 환경을 요할 것이다. 또한, 보다 비용-효율적인 생산 환경으로부터의 오정렬된 매체 트랙들은, 패터닝된 섹션들 간에 트랜지션이 행해질 때, 서보 시스템을 파괴시킬 수도 있다.
상기 논의로부터, 비용-효율적인 생산 환경에서 생성되는 불연속 매체 트랙들을 액세스하기 위한 방법, 장치 및 시스템에 대한 필요성이 존재한다는 것이 명백해야 한다. 유익하게는, 이러한 장치, 시스템 및 방법은, 기억 매체가 주어진 기억 영역의 면 밀도와 기억 용량을 최대화하도록 할 것이며, 고 분해능의 패터닝된 매체의 경제적이고 효율적인 실행을 가능하게 할 것이다.
본 발명은 종래 기술의 현 상태에 응답하여, 특히 현재 사용 가능한 기억 매체에 의하여 아직 완전히 해결되지 않았던 종래 기술에서의 문제점과 필요성에 응답하여 개발되었다. 따라서, 본 발명은 종래 기술에서 상술된 많은 단점들 또는 모든 단점들을 극복하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치, 시스템, 및 방법을 제공하기 위하여 개발되었다.
본 실시예에서의 장치는, 위에 하나 이상의 독립적으로 형성된 기억 영역을 가지는 기억 매체 상의 불연속 매체 트랙을 액세스한다. 각 기억 영역은 한 세트의 트랙 세그먼트들을 포함할 수도 있다. 특정 실시예에서, 메모리는 각 기억 영역에 대하여 오프셋 정보를 기억하도록 제공된다. 오프셋 정보는 하나 이상의 트랙 세그먼트들에 대응할 수도 있다. 일 실시예에서, 각 트랙은, 바람직하게는 각 기억 영역으로부터 하나의 트랙을 포함하는 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트들의 집합으로서 정의된다.
장치는 일 실시예에서, 하나 이상의 스탬프된 기억 영역들을 포함한다. 스탬프된 기억 영역들은 e-빔 리소그래피에 의하여 직접적으로 또는 간접적으로 패터닝된 마스터 템플릿으로부터 형성될 수도 있다. 결과적으로, 선택된 매체 패턴들은 미소 영역 또는 기억 영역용으로 형성될 수도 있고, 디스크와 같은 기억 매체의 표면을 덮도록 레플리케이트될 수도 있다.
장치에는, 현재 기억 영역 내의 헤드 위치를 감지하는 단계와, 후속 기억 영역 내에 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 기억 헤드를 정렬하는 단계의 필수적인 단계들을 기능적으로 실행하도록 구성된 트래킹 모듈을 포함하는 논리 유닛이 제공될 수도 있다. 다른 실시예에서, 매핑 모듈은 헤드 포지셔닝 및 오프셋 정보를 기록할 수도 있고, 기억 영역 내에 하나 이상의 트랙 세그먼트의 위치를 정의하는 테이블을 생성할 수도 있다. 테이블은 후속하여 메모리에 기억될 수도 있다. 특정 실시예에서, 매핑 모듈은 인접한 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 더 계산한다. 결과적으로, 기억 장치는 메모리에 기억된 오프셋 정보를 참조함으로써 불연속 매체 트랙을 액세스할 수도 있다.
본 발명의 시스템은 또한 불연속 매체 트랙들을 액세스하도록 제공된다. 특히, 본 시스템은, 일 실시예에서, 독립적으로 형성된 기억 영역을 가지는 기억 매체를 가진 기억 장치와, 컴퓨터와 같은 기억 액세스 장치를 포함한다. 각 기억 영역은 불연속 트랙의 일부를 형성할 수도 있는 하나 이상의 트랙 세그먼트들을 포함한다. 기억 장치는 각 기억 영역에 대한 오프셋 정보를 기억할 수도 있다. 일 실시예에서, 오프셋 정보는 기억 매체 상의 각 트랙 세그먼트용으로 기억된다. 부가하여, 기억 장치는, 현재 기억 영역 내의 헤드 위치를 감지하고, 오프셋 정보에 액세스하여, 후속 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 기억 헤드를 정렬할 수도 있다. 특정 실시예에서, 기억 장치는 매핑 프로세스 동안 오프셋 정보를 수집할 수도 있다.
본 발명의 방법은 또한 불연속 매체 트랙들을 액세스하기 위하여 제공된다. 개시된 실시예에서의 방법은 실질적으로, 설명된 장치 및 시스템의 동작에 관하여 상기 나타낸 기능들을 수행하는 데 필수적인 단계들을 포함한다. 일 실시예에서, 본 방법은, 독립적으로 형성된 기억 영역들을 위에 가지는 기억 매체를 제공하는 단계, 현재 기억 영역 내의 헤드의 위치를 감지하는 단계, 후속 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트에 대응하는 트랙 오프셋 정보를 액세스하는 단계, 및 상기 후속 기억 영역 내의 상기 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 정렬시키도록 헤 드 위치를 조정하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 후속 기억 영역은 현재 기억 영역에 인접한 기억 영역이다. 다른 실시예에서, 후속 기억 영역은 현재 기억 영역에 인접하지 않은 기억 영역을 구비한다. 따라서, 헤드는 인접하는 기억 영역 또는 인접하지 않은 기억 영역에서 지정된 트랙 세그먼트와 정렬될 수도 있다. 일 실시예에서, 2:1 인터리브(interleave) 스킴은 트랙 오프셋을 조정하기 위하여 헤드 시간을 제공하는 데 사용된다.
본 방법은 또한 다양한 트랙 세그먼트의 위치를 결정하기 위하여 기억 매체를 매핑하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 매핑 프로세스는 제조 동안 수행된다. 또는, 매핑 프로세스는 포매팅(formatting) 동작에 응답하여 수행될 수도 있다. 일 실시예에서, 매핑은 인접한 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 계산하는 단계를 포함한다. 특정 실시예에서, 헤드와 오프셋 정보의 포지셔닝이 기록될 수도 있으며, 비휘발성 메모리에 기억될 수도 있다.
다른 실시예에서, 본 발명은 각 기억 영역으로부터 트랙 세그먼트를 가지는 트랙을 정의하는 단계를 포함한다. 트랙 세그먼트는 후속 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트일 수도 있다. 트랙을 액세스하는 단계는 현재 기억 영역에서 인접하지 않은 기억 영역으로 전진하는 단계를 포함할 수도 있다. 또는, 헤드는 현재 기억 영역에서 인접한 기억 영역으로 전진함으로써 트랙을 액세스할 수도 있다.
본 방법은 기억 영역 내의 하나 이상의 트랙 세그먼트들의 위치를 결정하는 테이블을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 테이블은 후속하여 메모리에 기억될 수도 있다. 그 결과, 개별적으로 형성된 기억 영역들 상에 위치된 트랙 세그먼트들은 메모리에 기억된 오프셋 정보를 참조함으로써 액세스될 수도 있다.
본 명세서 전체에 걸쳐 특징들, 이점들, 또는 유사한 언어들로의 참조는, 본 발명으로 구현될 수도 있는 특징들 및 이점들 모두가 본 발명의 임의의 단일 실시예에 있거나 있어야 한다는 것을 내포하지 않는다. 오히려, 본 특징들 및 이점들에 관한 언어는, 실시예와 연관되어 설명된 특정 특성, 이점 또는 특징이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐, 특성들 및 이점들, 및 유사한 언어의 논의는 동일한 실시예에 관한 것일 수도 있으나, 반드시 그러한 것은 아니다.
또한, 본 발명의 설명된 특성들, 이점들 및 특징은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수도 있다. 당업자는, 본 발명이 특정 실시예의 하나 이상의 특정한 특성들 또는 이점들 없이 실행될 수도 있다는 것을 인식할 것이다. 다른 경우에서, 부가적인 특성들 및 이점들은 본 발명의 모든 실시예에서 나타나지 않을 수도 있는 특정 실시예에서 인식될 수도 있다.
본 발명은, 기억 장치가, 부정확한 패턴 레플리케이션에 의하여 형성된 패터닝된 매체 표면과 같은 하나 이상의 독립적으로 형성된 기억 영역을 구비하는 기억 매체의 데이터를 기억하여 액세스하도록 한다. 트래킹 모듈은 다양한 기억 영역들로부터 트랙 세그먼트들을 구비하는 불연속 매체 트랙들에 액세스를 할 수 있도록 한다. 본 발명의 이들 특성들 및 이점들은 다음의 설명 및 첨부된 청구항으로부터 더욱 완전하게 명백해질 것이거나, 이후에 나타난 본 발명의 실행에 의하여 학습될 수도 있다.
본 발명의 이점들이 용이하게 이해되기 위하여, 상기에 간략하게 설명된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 첨부된 도면에 도시된 특정 실시예를 참조함으로써 나타날 것이다. 이들 도면은 본 발명의 전형적인 실시예만을 도시하고, 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다는 것으로 이해하여, 본 발명은 첨부된 도면의 사용을 통하여 부가적인 특수성 및 상세로 묘사되고 설명될 것이다.
본 명세서에 설명된 많은 기능적 유닛들은 이들의 실행 독립성을 더욱 특히 강조하기 위하여, 모듈들로서 라벨이 붙혀졌다. 예컨대, 모듈은 커스텀 VLSI 회로 또는 게이트 어레이를 포함하는 하드웨어 회로, 논리 칩, 트랜지스터와 같은 기성품 반도체, 또는 다른 이산 구성 요소들로서 실행될 수도 있다. 모듈은 또한 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 프로그래머블 어레이 논리, 프로그래머블 논리 장치 등과 같은 프로그래머블 하드웨어 장치에서 실행될 수도 있다.
모듈은 또한 다양한 형태의 프로세서들에 의한 실행을 위하여 소프트웨어에서 실행될 수도 있다. 실행 가능한 코드의 식별된 모듈은, 예컨대 오브젝트, 절차 또는 기능으로서 구성될 수도 있는, 예컨대 컴퓨터 명령들의 하나 이상의 물리적 또는 논리적 블록들을 구비할 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 식별된 모듈의 실행가능한 것들은 물리적으로 함께 위치될 필요는 없으나, 논리적으로 함께 결합될 때, 모듈을 구비하고, 상기 모듈에 대한 상술된 목적을 달성하는 상이한 위치들에 기억된 상이한 명령들을 구비할 수도 있다.
확실히, 실행가능한 코드의 모듈은 단일 명령 또는 다수의 명령들일 수도 있으며, 상이한 프로그램들 중에서 일부 메모리 장치에 걸쳐 일부 상이한 코드 세그먼트들 위에도 분포될 수도 있다. 유사하게는, 동작적 데이터는 모듈들 내에서 식별되고 나타내질 수도 있으며, 임의의 적합한 형태로 구현될 수도 있으며, 임의의 적합한 형태의 데이터 구조 내에서 구성될 수도 있다. 동작적 데이터는 단일 데이터 세트로서 수집될 수도 있으나, 상이한 기억 장치들에 걸친 것을 포함하여 상이한 위치들에 걸쳐 분배될 수도 있고, 적어도 부분적으로, 시스템 또는 네트워크 상의 전자 신호들로서만 존재할 수도 있다.
본 명세서 전체에 걸쳐, "일 실시예(one embodiment)", "실시예(embodiment)" 또는 유사한 언어로의 참조는, 실시예와 연관되어 설명된 특정 특성, 구조 또는 특징이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐, "일 실시예에서", "실시예에서" 및 유사한 언어의 표현은 모두 동일한 실시예를 참조할 수도 있으나, 반드시 그러한 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 불연속 매체 트랙 액세싱 시스템(100)의 일 실시예를 도시한다. 도시된 실시예에서, 트랙 액세싱 시스템(100)은 기억 장치(110)와, 컴퓨터(120)와 같은 기억 액세스 장치를 포함한다. 도시된 바와 같이, 기억 장치(110)는 기억 매체(130), 트래킹 모듈(140), 선택적 매핑 모듈(150), 및 메모리(160)를 포함한다. 컴퓨터(120)는 기억 매체(130)에 기억된 정보를 액세스한다. 트래킹 모듈(140), 매핑 모듈(150), 및 메모리(160)는 기억 매체(130) 상에 형성된 트랙 세 그먼트를 위치시키는 것을 용이하게 한다.
고 밀도 기억을 제공하기 위하여, 기억 매체(130)는 독립적으로 형성된 기억 영역들을 포함할 수도 있어서, 상기 논의된 바와 같은 불연속 매체 트랙을 형성한다. 기억 영역들을 독립적으로 형성하는 것은, 고밀도 기억 매체의 효과적이며 비용-효율적인 생산에 기여할 수도 있다. 트래킹 모듈(140)은 기억 매체(130) 상의 형성된 트랙 세그먼트들에 관하여, 헤드와 같은 판독/기록 메카니즘의 위치를 감지한다. 트래킹 모듈은 후속의 트랙 세그먼트에 대한 포지셔닝(positioning)을 예측하기 위하여 메모리(160)에 기억된 오프셋 정보를 액세스할 수도 있다.
매핑 모듈(150)은 디스크와 같은 기억 매체(130)의 표면을 매핑하여, 오프셋 정보의 수집을 가능하게 한다. 오프셋 정보는 트랙 세그먼트의 위치와, 형성된 기억 영역들의 물리적 오프셋에 관한 정보를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 매핑 모듈은 메모리(160)에 정보를 기억한다. 결과적으로, 트래킹 모듈(140)은 기억된 오프셋 정보를 참조하여, 기억 장치(110)의 헤드를 위치시킬 수도 있다.
특정 실시예에서, 트래킹 모듈(140) 및 매핑 모듈(150)은 기억 장치(110) 내에서 조합될 수도 있다. 또는, 매핑 모듈(150)은 독립적일 수도 있고, 분리된 장치에 위치될 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시된 기억 매체(130)의 일 실시예를 더욱 상세히 도시한 것이다. 도시된 실시예에서, 기억 매체(130)는 다수의 기억 영역들(210)을 형성하도록 스탬프된 디스크(200)이다. 또는, 기억 매체(130)는 다양한 독립적으로 형성된 기억 영역들(210)에 정보를 기억하도록 구성된 임의 매체일 수도 있다.
당업자는, 독립적으로 형성된 기억 영역들(210)이 다양한 방법으로 형성될 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 특정 실시예에서, 단일 기억 영역(210)에 대응하는 '마더(mother)' 또는 '파더(father)'로서 일반적으로 공지된 마스터 템플릿은 다수의 기억 영역들(210)을 구비하는 '도터(daughter)' 템플릿을 형성하는 데 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 도터 템플릿은 단일 동작으로 전체 디스크(200)를 스탬프하는 데 사용된다. 다른 실시예에서, 디스크(200)는 단일 템플릿에 의하여 다수회 스탬프된다.
기억 영역(210)은 다수의 트랙 세그먼트들(220)을 포함할 수도 있으며, 이 다수의 트랙 세그먼트는 하나 이상의 트랙들(230)을 형성하도록 선택될 수도 있다. 일 실시예에서, 트랙(230)은 각 기억 영역(210)으로부터 트랙 세그먼트(220)를 포함한다. 트랙(230)을 형성하도록 선택된 트랙 세그먼트들(220)은 후속 기억 영역들(210) 내의 가장 근접한 정렬된 트랙 세그먼트들(220) 또는 가장 근접한 정렬된 트랙 세그먼트들(220)의 다음 것일 수도 있다.
특정 실시예들에서, 기억 영역들(210)은 도시된 바와 같이 서로 인접하게 위치될 수도 있다. 인접 기억 영역들(210)은, 기억 영역들(210)이 형성되지 않은 영역 등으로 이격될 수 있어도, 기억 매체(130)가 정의된 표면 영역 내에 최대 기억 밀도를 제공할 수 있도록 한다. 기억 매체(130)는 가변하는 크기와 수를 가지는 기억 영역들(210)을 가질 수도 있다. 부가적으로, 형성된 기억 영역들(210)은 크기와 형태에 있어서 변경될 수도 있고, 균일하지 않을 수도 있다. 기억 영역들(210) 간의 오프셋은 하나 이상의 물리적 차원 또는 방향에 대응할 수도 있다. 예 컨대, 오프셋은 방사형, 원주형, 회전형, 수평형, 측면형 등일 수도 있다.
당업자는, 패터닝된 기억 영역들(210)이 다양한 방법을 사용하여 형성될 수도 있다는 것을 더 인식할 것이다. 예컨대, 기억 영역들(210)은 임프린트 리소그래피와 같은 기술들을 사용하여 임프린트되어 패터닝된 트랙 세그먼트들(220)을 형성할 수도 있다. 또는, 새도우 마스킹(shadow masking)과 같은 방법이 사용될 수도 있다. 다른 실시예들에서, 멀티그레인 매체, 단일 도메인 아일랜드 또는 데이터를 기억할 수 있는 다른 형태의 트랙 세그먼트들(220)이 다른 프로세스를 사용하여 기억 영역들(210)로 형성될 수도 있다. 따라서, 본 발명은 설명된 실시예들에 제한되는 것은 아니다.
선택 실시예에서, 하나 이상의 기억 영역들(210)은 e-빔 리소그래피에 의하여 패터닝된 마스터 템플릿으로 저항층을 임프린팅함으로써 기억 매체(130)의 기판으로 스탬프된다. 패턴은 후속하여 기판의 표면으로 에칭될 수도 있다. 다수의 기억 영역들(210)은 기판 상에 동시에 또는 개별적으로 형성될 수도 있다.
특정 실시예들에서, 형성된 기억 영역들(210)은 약 15 ~ 30 nm 범위의 차원을 가지는 패터닝된 특징을 가진다. 고 분해능 특징을 가지는 고밀도의 매체 패턴은 보다 미소한 영역에서 상당량의 데이터의 기억을 가능하게 한다. 그러나, 언급된 바와 같이, 인접 기억 영역들(210)에서 트랙 세그먼트들(220)의 완벽한 정렬은, 특히 나노-스케일 매체 패턴을 취급할 때 상당히 달성하기 어렵다. 그러나, 특정 실시예들에서, 함께 근접하게 위치되고, 거의 정렬된 기억 영역들(210)은 보다 큰 면 밀도에 기여할 수도 있다. 또한, 디스크 드라이브의 헤드와 같은, 판독/기록 메카니즘의 정밀한 포지셔닝이 기억 매체(130) 상에 기억된 데이터를 효율적으로 액세스하기 위하여 요구될 수도 있다. 트랙 세그먼트들(220) 위에 판독/기록 메카니즘을 재위치시키기 위한 부가적인 트래킹 정보 및 시간은 기억 영역들(210)의 오프셋에 의하여 유발된 붕괴를 보상할 수도 있다.
이제, 도 1 및 도 2를 참조하여 보면, 불연속 매체 트랙(230)을 액세스하기 위하여, 트래킹 모듈(140)은 기억 영역(210) 내에 트랙 세그먼트(220)의 중심선에 대한 헤드의 위치를 감지할 수도 있다. 각 기억 영역(210)에 대한 오프셋 정보가 메모리(160)에 기억될 수도 있다. 그 결과로서, 트래킹 모듈(140)은 기억 영역들(210)의 요구되는 트랙 세그먼트들(220) 위에 헤드를 정확하게 위치시키기 위하여, 오프셋 정보를 액세스할 수도 있다. 일 실시예에서, 오프셋 정보는 기억 영역(210) 내의 트랙 세그먼트들(220)의 위치를 정의하는 테이블에 기억될 수도 있다.
도 3은 다양한 기억 영역들(210)의 각 트랙 세그먼트(220)에 대한 오프셋 정보를 포함하는 매핑 테이블(300)의 일례를 도시한다. 오프셋 정보는 기억 영역(210) 내의 적어도 하나의 트랙 세그먼트들(220)의 위치를 결정하는 하나 이상의 절차를 수행함으로써 결정될 수도 있다. 일 실시예에서, 트랙 세그먼트(22)의 위치는 후속 기억 영역(210)의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트를 위치시킴으로써 결정될 수도 있다. 다른 트랙 세그먼트(220)의 상대적 위치에 의하여 결정된 오프셋은 트랙 세그먼트(220)를 액세스하기 위하여 기록되어 사용될 수도 있다. 당업자는, 다른 방법들이 트랙 세그먼트들(220)의 위치에 대한 오프셋 정보를 정의하고 기억하는 데 사용될 수도 있다. 따라서, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되는 것 은 아니다.
다음의 개략적인 흐름도는 일반적으로 논리적 흐름도로서 나타낸다. 이로써, 도시된 순서 및 라벨이 붙여진 단계들은 제시된 방법의 일 실시예를 나타낸다. 도시된 방법의 하나 이상의 단계, 또는 그 일부에 대하여 기능, 논리 또는 효과가 동일한 다른 단계들 및 방법들이 생각될 수도 있다. 부가적으로, 채용된 포맷과 기호들은 본 발명의 논리적 단계들을 설명하기 위하여 제공되며, 본 방법의 범위를 제한하지 않는 것으로 이해된다. 부가적으로, 특정 방법이 일어나는 순서는 나타낸 대응하는 단계들의 순서에 엄격하게 고수할 수도 있거나, 그렇지 않을 수도 있다.
도 4는 본 발명의 액세스 방법(400)의 일 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 액세스 방법(400)은, 독립적으로 형성된 기억 영역들(210)을 가지는 기억 매체를 제공하는 단계(402), 트랙 오프셋 정보를 수집하는 단계(404), 기억 영역(210) 내의 헤드 위치를 감지하는 단계(406), 트랙 오프셋 정보를 액세스하는 단계(408), 및 다른 기억 영역(210)에서의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 정렬하도록 헤드 위치를 조정하는 단계(410)를 포함한다.
불연속 매체 트랙(230)을 액세스하는 액세스 방법(400)은 제조업자가 보다 큰 기억 밀도를 가지는 실용적인 기억 매체(130)를 보다 효율적으로 생성하여 액세스할 수 있도록 한다. 도 5의 액세스 방법(400) 및 테이블 생성 방법(500)은 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예를 참조하여 논의될 것이다. 그러나, 당업자는, 본 방법들이 다양한 실시예 및/또는 구성들을 사용하여 달성될 수도 있다는 것을 인식할 것이며, 따라서 설명된 실시예에 한정되지 않는다.
액세스 방법(400)이 개시되고, 다수의 독립적으로 형성된 기억 영역들(210)을 가지는 기억 매체(130)가 제공된다(402). 기억 영역들(210)이 독립적으로 형성되므로, 기억 영역들(210)의 트랙 세그먼트들(220)은 인접하는 기억 영역들(210)로부터 오프셋될 수도 있다. 트랙 세그먼트들(220)에 대한 헤드를 적절하게 위치시키기 위하여, 인접하는 기억 영역들(210) 간의 물리적 오프셋이 결정된다.
일 실시예에서, 트래킹 모듈(140)은 헤드 포지셔닝을 감지하여 기록한다. 헤드가 트랙 세그먼트들(220)을 감지할 때, 트랙 오프셋 정보가 결정될 수도 있으며, 메모리(160)에 기억될 수도 있다. 특정 실시예에서, 매핑 모듈(140)은 인접한 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 계산한다. 후속하여, 결정된 트랙 오프셋 정보는 트랙 오프셋 정보를 수집(404)하는 데 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 트랙 오프셋 정보의 테이블(300)이 생성되어 메모리(160)에 기억될 수도 있다. 오프셋 정보 테이블(300)를 생성하는 방법의 일 실시예는 도 5와 관련하여 더욱 상세하게 논의될 것이다.
다른 실시예에서, 트랙(230)이 정의될 수도 있다. 특정 실시예에서, 매체 트랙(230)은 각 기억 영역(210)으로부터 트랙 세그먼트(220)를 포함할 수도 있다. 트랙 세그먼트(220)는 상이한 기억 영역(210)으로부터 트랙 세그먼트(220)의 중심선으로부터 오프셋된 결정된 중심선을 포함할 수도 있다. 따라서, 매체 트랙(230)은 인접한 트랙 세그먼트들(220)의 중심선에 근접하게 정렬된 중심선들을 가지는 인접한 기억 영역들(210)로부터 트랙 세그먼트들(220)을 포함할 수도 있다. 또는, 매체 트랙(230)은 인접하지 않은 기억 영역(210)에 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트들(220)을 포함할 수도 있다. 특정 실시예에서, 매핑 모듈(150) 및/또는 트래킹 모듈(140)은 비-정렬된 기억 영역들(210)로부터 매체 트랙들(230)을 정의할 수도 있다.
불연속 매체 트랙(230)은 다양한 방법들과 구성들을 사용하여 액세스될 수도 있다. 일 실시예에서, 기억 매체(130)는 디스크(200) 상에 유사하게 형성되고 균일하게 분포된 9개의 인접합 기억 영역들(210)을 구비한다. 트랙(230)은 후속하여 도 2에 도시된 바와 같이, 2:1 인터리브 스킴으로 정의될 수도 있다. 완료된 트랙(230) 상에 기억된 데이터는 결과적으로 디스크(200)의 2 회전으로 액세스될 수도 있다. 2:1 인터리브 스킴과 같은 연속적인 기억 영역들(210) 간의 산재된 중간 기억 영역들(210)의 사용은 서보 보정을 행하기 위하여 및/또는 후속의 트랙 세그먼트(220)를 위치시키기 위하여 시간 및 공간을 제공한다. 따라서, 중간 기억 영역들의 할당은 본 발명이 부정확한 패턴 레플리케이션에 의하여 형성된 패터닝된 매체와 같은 불연속 매체와 효과적으로 기능할 수 있도록 한다.
헤드 포지셔닝을 결정하기 위하여, 기억 장치(110) 또는 트래킹 모듈(140)은 현재 기억 영역(210) 내의 트랙 세그먼트(220)의 중심선에 대하여 기억 장치(11)의 헤드를 감지한다(406). 헤드의 현재 위치가 결정되면, 트랙 오프셋 정보는 후속 기억 영역(210)에 헤드를 위치시키는 데 필수적인 물리적 조정을 결정하도록 액세스될 수도 있다(408).
일 실시예에서, 헤드 위치는 다른 기억 영역(210) 내의 가장 근접하게 정렬 된 트랙 세그먼트(220)와 정렬되도록 조정된다(410). 트래킹 모듈(104)은 메모리(160)에서의 기억된 트랙 오프셋 정보를 액세스할 수도 있고, 결정된 트랙 오프셋에 대하여 후속 기억 영역(210)에서 헤드를 정렬시킬 수도 있다. 결과적으로, 액세스 방법(400)은 기억 매체(130) 상의 다수의 기억 영역들(210)에 기억된 데이터의 액세스를 가능하게 한다. 기억 영역들(210) 간의 물리적 오프셋은, 헤드가 기억 영역들(210) 내의 선택된 트랙 세그먼트(220)에 대해 올바르게 위치될 수도 있도록 결정되어 기억될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 테이블 생성 방법(500)의 일 실시예를 도시하는 흐름도이다. 테이블 생성 방법(500)은, 기억 매체를 매핑하는 단계(502), 인접 기억 영역들(210) 간의 물리적 오프셋을 결정하는 단계(504), 각 기억 영역(210)으로부터 트랙 세그먼트(220)를 가지는 트랙(230)을 정의하는 단계(506), 테이블에 트랙 오프셋 정보를 구성하는 단계(508), 및 메모리에(160)에 테이블을 기억하는 단계(510)를 포함할 수도 있다. 테이블 생성 방법(500)은 도 4와 관련하여 논의되는 바와 같이, 오프셋 정보를 수집하는 단계(404)에 대응할 수도 있다.
일 실시예에서, 매핑 모듈(140)은 트랙 세그먼트(220)의 위치를 결정하기 위하여 기억 매체(130)를 매핑한다(502). 매핑 모듈(140)은 기억 영역들(210) 간의 물리적 오프셋을 더 결정할 수도 있다(504). 또는, 트래킹 모듈(140)은 하나 이상의 트랙 세그먼트들(220)을 위치시킬 수 있고, 인접한 기억 영역들(210) 간의 물리적 오프셋을 결정할 수도 있다(504). 트래킹 모듈(140) 또는 매핑 모듈(150)은 각 기억 영역(210)으로부터 트랙 세그먼트(220)를 가지는 매체 트랙(230)을 정의할 수 도 있다(506).
일 실시예에서, 트래킹 모듈(140)은, 어떤 트랙 세그먼트들(140)이 인접한 기억 영역들(210)과 가장 근접하게 정렬되는 지를 결정한다. 후속하여, 트래킹 모듈(140)은 서보 시스템에 의하여 액세스될 수도 있는 트랙(230)을 정의할 수도 있다. 따라서, 기억 영역들(210)은 제조 동안 물리적으로 오 정렬될 수도 있으나, 트래킹 모듈(140)은 서보 시스템에서 사용될 수도 있는 액세스가능한 트랙(230)을 결정할 수도 있다.
후속하는 트랙 오프셋 정보는 도 3의 매핑 테이블(300)과 같은 하나 이상의 테이블로 구성될 수도 있으며(508), 테이블은 메모리(160)에 기억될 수도 있다. 그 결과로서, 트래킹 모듈(140)은 불연속 데이터 트랙들(230)에 기억된 데이터를 액세스하기 위하여 헤드 포지셔닝을 결정하도록, 메모리에 기억된 테이블(들)을 액세스할 수도 있다.
본 발명은 그 사상 또는 본질적인 특징을 벗어나지 않고 다른 특정 형태로 구현될 수도 있다. 설명된 실시예들은 모든 관점에서 단지 예시적이며, 제한적이지 않은 것으로 간주되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기 설명에 의하여라기 보다 첨부된 청구 범위에 의하여 나타낸다. 청구 범위의 등가물의 의미와 범위 내에 있는 모든 변경들은 청구 범위의 범위 내에 포함되어야 한다.
본 발명에 따르면, 기억 매체가 주어진 기억 영역의 면 밀도와 기억 용량을 최대화하도록 할 수 있으며, 고 분해능 패터닝된 매체의 경제적이고 효율적인 실행 을 획득할 수 있다.

Claims (32)

  1. 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법으로서,
    각각이 복수의 트랙 세그먼트들을 구비하는 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들을 위에 가지는 기억 매체를 제공하는 단계;
    현재의 기억 영역 내의 트랙 세그먼트의 중심선에 대한 헤드의 위치를 감지하는 단계;
    후속의 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트에 대응하는 트랙 오프셋 정보를 액세스하는 단계; 및
    상기 후속의 기억 영역 내의 상기 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 정렬하도록 헤드 위치를 조정하는 단계
    를 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들은 적어도 하나의 스탬프된 영역을 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스 하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스탬프된 영역은 e-빔 리소그래피에 의하여 패터닝된 마스터 템플릿(master template)으로부터 형성되는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들은 전체 매체 표면에 실질적으로 대응하는 도터(daughter) 템플릿에 의하여 형성되며, 상기 도터 템플릿은 단일 기억 영역에 대응하는 마스터 템플릿으로부터 형성되는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 후속 기억 영역은 상기 현재 기억 영역에 인접하지 않은 기억 영역을 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들은 2:1 인터리빙 스킴(interleaving scheme)을 사용하여 액세스되는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 후속 기억 영역은 상기 현재 기억 영역에 인접한 기억 영역을 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 트랙 세그먼트들의 위치를 결정하기 위하여 상기 기억 매체를 매핑하는 단계를 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 인접한 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 계산하는 단계 를 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 각 기억 영역으로부터 트랙 세그먼트를 구비하는 트랙을 정의하는 단계를 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 트랙 세그먼트는 후속 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트인 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 트랙을 액세스하는 단계는 현재 기억 영역으로부터 인접하지 않은 기억 영역으로 전진하는 단계를 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 오프셋 정보를 수집하는 단계를 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 기억 영역 내의 적어도 하나의 트랙 세그먼트의 위치를 정의하는 테이블을 생성하는 단계를 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 테이블을 메모리에 기억하는 단계를 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 방법.
  16. 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치로서, 상기 장치는,
    각각이 복수의 트랙 세그먼트들을 구비하는 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들을 위에 가지는 기억 매체;
    상기 복수의 트랙 세그먼드들 중 적어도 하나의 트랙 세그먼트에 대응하며, 각 기억 영역에 대한 오프셋 정보를 기억하도록 구성된 메모리; 및
    현재의 기억 영역 내의 트랙 세그먼트의 중심선에 대한 헤드의 위치를 감지하도록 구성된 트래킹 모듈
    을 구비하고,
    상기 트래킹 모듈은, 상기 오프셋 정보를 액세스하고, 후속의 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 기억 헤드를 정렬하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들은 적어도 하나의 스탬프된 영역을 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스 하는 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스탬프된 영역은 e-빔 리소그래피에 의하여 패터닝된 마스터 템플릿으로부터 형성되는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스탬프된 영역은 전체 매체 표면에 실질적으로 대응하는 도터 템플릿으로부터 형성되며, 상기 도터 템플릿은 단일 기억 영역에 대응하는 마스터 템플릿으로부터 형성되는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 기억 매체는 디스크를 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  21. 제 16 항에 있어서, 상기 오프셋 정보를 수집하도록 구성된 매핑 모듈을 더 구비하는 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  22. 제 16 항에 있어서, 상기 매핑 모듈은 각 기억 영역으로부터 트랙 세그먼트를 구비하는 트랙을 정의하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  23. 제 16 항에 있어서, 상기 매핑 모듈은 기억 영역 내의 적어도 하나의 트랙 세그먼트의 위치를 정의하는 테이블을 생성하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  24. 제 16 항에 있어서, 상기 매핑 모듈은 인접한 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 계산하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 장치.
  25. 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템으로서, 상기 시스템은,
    각각이 복수의 트랙 세그먼트들을 구비하는 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들을 위에 가지는 기억 매체을 구비하는 기억 장치; 및
    상기 기억 장치를 액세스하도록 구성된 기억 액세스 장치
    를 구비하고,
    상기 기억 장치는, 상기 복수의 트랙 세그먼드들 중 적어도 하나의 트랙 세그먼트에 대응하며, 각 기억 영역에 대한 오프셋 정보를 기억하도록 더 구성되고,
    상기 기억 장치는, 현재의 기억 영역 내의 트랙 세그먼트의 중심선에 대한 헤드 위치를 감지하도록 더 구성되며,
    상기 기억 장치는, 오프셋 정보를 액세스하고, 후속의 기억 영역 내의 근접하게 정렬된 트랙 세그먼트와 기억 헤드를 정렬하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 기억 매체는 디스크를 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  27. 제 25 항에 있어서, 상기 복수의 독립적으로 형성된 기억 영역들은 적어도 하나의 스탬프된 영역을 구비하는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스탬프된 영역은 e-빔 리소그래피에 의하여 패터닝된 마스터 템플릿으로부터 형성되는 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  29. 제 25 항에 있어서, 상기 기억 장치는 오프셋 정보를 수집하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  30. 제 25 항에 있어서, 상기 기억 장치는 각 기억 영역으로부터 트랙 세그먼트를 구비하는 트랙을 정의하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  31. 제 25 항에 있어서, 상기 기억 장치는 인접한 기억 영역들 간의 물리적 오프셋을 계산하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
  32. 제 25 항에 있어서, 상기 기억 장치는 기억 영역 내의 적어도 하나의 트랙 세그먼트의 위치를 정의하는 테이블을 생성하도록 더 구성된 것인, 불연속 매체 트랙들을 액세스하는 시스템.
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