KR20060080763A - Liquid crystal display - Google Patents

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KR20060080763A KR1020050001209A KR20050001209A KR20060080763A KR 20060080763 A KR20060080763 A KR 20060080763A KR 1020050001209 A KR1020050001209 A KR 1020050001209A KR 20050001209 A KR20050001209 A KR 20050001209A KR 20060080763 A KR20060080763 A KR 20060080763A
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김주한
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 신호선, 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 제1 신호선과 제2 신호선으로 둘러싸인 화소 영역마다 형성되어 있는 화소 전극 및 제1 신호선, 제2 신호선, 화소 전극에 삼단자가 연결된 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 표시판, 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 제2 표시판, 제1 표시판과 제2 표시판 사이에 형성되어 있는 액정층, 제1 표시판 또는 제2 표시판에 형성되어 있으며, 제1 신호선과 나란한 중심선으로 분할되는 화소 전극의 상반면과 하반면을 복수의 영역으로 분할하는 도메인 분할 수단, 그리고 제1 표시판 및 제2 표시판에 각각 형성되어 서로 중첩하고 있으며, 영역의 중앙에 도메인 분할 수단과 평행하게 배치되어 있는 제1 및 제2 전계 제어 수단을 포함한다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first electrode, a first signal line, a second signal line insulated from and intersecting the first signal line, a pixel electrode and a first signal line formed in each pixel area surrounded by the first signal line and the second signal line. 2 signal lines, a first display panel including a thin film transistor having three terminals connected to the pixel electrode, a second display panel having a common electrode facing the pixel electrode, a liquid crystal layer formed between the first display panel and the second display panel, and a first display panel. A domain dividing means formed on the display panel or the second display panel and dividing the upper and lower half surfaces of the pixel electrode into a plurality of regions, each of which is divided into a center line parallel to the first signal line, and formed on the first display panel and the second display panel, respectively. And first and second electric field control means overlapping each other and arranged in parallel with the domain dividing means in the center of the region.

투과율, 디스크리네이션, 응답속도, 개구율, 도메인Transmittance, discretization, response speed, aperture, domain

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Liquid crystal display {LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,1 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고,2 is a layout view of a common electrode panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 1 및 도 2의 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 구조를 배치도이고,3 is a layout view of a structure of a liquid crystal display including the display panel of FIGS. 1 and 2;

도 4 및 도 5는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV' 선 및 V-V' 선을 따라 잘라 도시한 각각의 단면도이고,4 and 5 are cross-sectional views of the liquid crystal display of FIG. 3 taken along lines IV-IV 'and V-V', respectively.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 절개부와 액정 분자의 구조를 구체적으로 도시한 모식도이고,6 is a schematic diagram showing in detail the structure of the cutout and the liquid crystal molecules in the liquid crystal display according to the embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,7 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,8 is a layout view illustrating a structure of a common electrode display panel for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 도 7 및 도 8의 두 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고, FIG. 9 is a layout view illustrating a structure of a liquid crystal display including two display panels of FIGS. 7 and 8.                 

도 10은 도 9의 액정 표시 장치를 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 각각의 단면도이고, FIG. 10 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 9 taken along the line X-X ', and FIG.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 절개부와 액정 분자의 구조를 구체적으로 도시한 모식도이다.FIG. 11 is a schematic view showing in detail the structure of a cutout and a liquid crystal molecule in a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 광시야각을 얻기 위하여 화소를 복수의 도메인으로 분할하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device in which a pixel is divided into a plurality of domains in order to obtain a wide viewing angle.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two display panels on which field generating electrodes such as a pixel electrode and a common electrode are formed, and a liquid crystal layer interposed therebetween. Is applied to generate an electric field in the liquid crystal layer, thereby determining the orientation of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer and controlling the polarization of incident light to display an image.

그 중에서도 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 모드 액정 표시 장치는 대비비가 크고 광시야각 구현이 용이하여 각광받고 있다. Among them, the vertical alignment mode liquid crystal display in which the long axis of the liquid crystal molecules are arranged perpendicular to the upper and lower display panels without an electric field applied to the display panel is high in contrast ratio and easy to implement a wide viewing angle.

수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전계 생성 전극에 절개부를 형성하는 방법과 전계 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 절개부와 돌기로 액정 분자가 기우는 방향을 결정할 수 있으므 로, 이들을 사용하여 액정 분자의 경사 방향을 여러 방향으로 분산시킴으로써 광시야각을 확보할 수 있다.Means for implementing a wide viewing angle in a vertical alignment mode liquid crystal display include a method of forming a cutout in the field generating electrode and a method of forming a protrusion on the field generating electrode. Since the inclination and the projection can determine the direction in which the liquid crystal molecules are inclined, the wide viewing angle can be secured by dispersing the inclination directions of the liquid crystal molecules in various directions.

그러나, 돌기나 절개 패턴의 중심에서는 액정 분자가 배열되어 액정 배열이 깨져 액정 분자의 배열이 불연속적으로 이루어져, 디스크리네이션(disclination)지며, 이로 인하여 화소의 투과율이 감소하거나 불규칙하게 변하게 되어 실질적인 개구율이 감소하거나 응답 속도가 저하되며, 잔상 등의 문제점이 발생하게 된다.However, at the center of the projection or incision pattern, the liquid crystal molecules are arranged and the liquid crystal array is broken so that the arrangement of the liquid crystal molecules is discontinuous, which causes disclination, which causes the pixel transmittance to be reduced or changed irregularly. This decreases or decreases the response speed, resulting in problems such as afterimages.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 화소의 안정적으로 투과율을 확보하여 개구율을 극대화하고 액정의 응답 속도를 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a liquid crystal display device capable of reliably securing a pixel to maximize a numerical aperture and improving a response speed of a liquid crystal.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에는 화소 전극과 공통 전극의 전계 제어 수단이 서로 중첩하여 배치되어 있다.In order to solve this problem, the electric field control means of a pixel electrode and a common electrode overlaps each other in this invention.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 신호선, 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 제1 신호선과 제2 신호선으로 둘러싸인 화소 영역마다 형성되어 있는 화소 전극 및 제1 신호선, 제2 신호선, 화소 전극에 삼단자가 연결된 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 표시판, 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 제2 표시판, 제1 표시판과 제2 표시판 사이에 형성되어 있는 액정층, 제1 표시판 또는 제2 표시판에 형성되어 있으며, 제1 신호선과 나란한 중심선으로 분할되는 화소 전극의 상반면과 하반면을 복수의 영역으로 분할하는 도메인 분할 수단, 그리고 제1 표시판 및 제2 표시판에 각각 형성되어 서로 중첩하고 있으며, 영역의 중앙에 도메인 분할 수단과 평행하게 배치되어 있는 제1 및 제2 전계 제어 수단을 포함한다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first electrode, a first signal line, a second signal line insulated from and intersecting the first signal line, a pixel electrode and a first signal line formed in each pixel area surrounded by the first signal line and the second signal line. 2 signal lines, a first display panel including a thin film transistor having three terminals connected to the pixel electrode, a second display panel having a common electrode facing the pixel electrode, a liquid crystal layer formed between the first display panel and the second display panel, and a first display panel. A domain dividing means formed on the display panel or the second display panel and dividing the upper and lower half surfaces of the pixel electrode into a plurality of regions, each of which is divided into a center line parallel to the first signal line, and formed on the first display panel and the second display panel, respectively. And first and second electric field control means overlapping each other and arranged in parallel with the domain dividing means in the center of the region.

도메인 분할 수단은 제1 표시판에 형성되어 있으며, 제1 전계 제어 수단은 제2 전계 제어 수단보다 도메인 분할 수단으로부터 멀리 배치되어 있을 수 있다. The domain dividing means is formed on the first display panel, and the first electric field control means may be disposed farther from the domain dividing means than the second electric field control means.

이때, 도메인 분할 수단으로부터 먼 제2 전계 제어 수단의 경계선은 제1 전계 제어 수단의 두 경계선 안에 위치하며, 도메인 분할 수단으로부터 먼 제1 전계 수단과 제2 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격은 도메인 분할 수단으로부터 먼 제2 전계 수단의 경계선과 도메인 분할 수단에 인접한 제1 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격보다 작은 것이 바람직하다. 도메인 분할 수단 또는 제1 및 제2 전계 제어 수단은 공통 전극 또는 화소 전극이 가지는 절개부 또는 절개부와 평행한 화소 전극의 경계인 것이 바람직하다.At this time, the boundary line of the second electric field control means far from the domain dividing means is located in the two boundary lines of the first electric field control means, and the distance between the boundary line of the first electric field means and the second electric field control means far from the domain dividing means is the domain division. Preferably, the distance between the boundary line of the second electric field means far from the means and the boundary line of the first electric field control means adjacent to the domain dividing means is preferred. Preferably, the domain dividing means or the first and second electric field control means are cutouts of the common electrode or the pixel electrode, or boundaries of the pixel electrodes parallel to the cutouts.

도메인 분할 수단은 제2 표시판에 형성되어 있으며, 제1 전계 제어 수단은 제2 전계 제어 수단보다 도메인 분할 수단에 인접하게 배치되어 있을 수 있다. 도메인 분할 수단으로부터 먼 제1 전계 제어 수단의 경계선은 제2 전계 제어 수단의 두 경계선 안에 위치하며, 도메인 분할 수단으로부터 먼 제1 전계 수단과 제2 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격은 도메인 분할 수단으로부터 먼 제1 전계 수단의 경계선과 도메인 분할 수단에 인접한 제2 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격보다 작은 것이 바람직하다.The domain dividing means is formed on the second display panel, and the first electric field control means may be disposed closer to the domain dividing means than the second electric field control means. The boundary of the first electric field control means far from the domain dividing means is located in two boundaries of the second electric field control means, and the distance between the boundary of the first electric field means and the second electric field control means far from the domain dividing means is from the domain dividing means. It is preferred to be smaller than the distance between the boundary of the distant first electric field means and the boundary of the second electric field control means adjacent to the domain division means.

도메인 분할 수단 또는 제1 및 제2 전계 제어 수단은 공통 전극 또는 상기 화소 전극이 가지는 절개부 또는 절개부와 평행한 화소 전극의 경계인 것이 바람직하다.Preferably, the domain dividing means or the first and second electric field control means is a boundary between the common electrode or the pixel electrode parallel to the cutout or cutout of the pixel electrode.

도메인 분할 수단은 제1 신호선에 대하여 실질적으로 ±45도를 이루는 것이 바람직하고, 도메인 분할 수단은 화소의 상하 이등분선에 대하여 실질적으로 거울상 대칭을 이루는 것이 바람직하다.It is preferable that the domain dividing means is substantially ± 45 degrees with respect to the first signal line, and the domain dividing means is substantially mirror-symmetrical with respect to the upper and lower bisectors of the pixel.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 표시판 및 이를 포함하는 다중 도메인 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.Next, a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention and a multi-domain liquid crystal display including the same will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 3은 본 발명의 도 1 및 도 2의 표시판을 정렬하여 완성한 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고, 도 4 및 도 5는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV' 선 및 V-V' 선을 따라 잘라 도시한 각각의 단면도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 절개부와 액정 분자의 배열 구조를 구체적으로 도시한 모식도이다.FIG. 1 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a layout view illustrating a structure of a common electrode display panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment. 3 is a layout view illustrating a structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment in which the display panels of FIGS. 1 and 2 are aligned, and FIGS. 4 and 5 are IV- of the liquid crystal display of FIG. 3. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line IV ′ and line VV ′, and FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an arrangement structure of cutouts and liquid crystal molecules in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel 200, and a liquid crystal layer 3 interposed between the two display panels 100 and 200.

먼저, 도 1, 도 3 내지 도 5를 참고로 하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 상세하게 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 3 to 5.

절연 기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121)과 복수의 유지 전극선(storage electrodes lines)(131)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on the insulating substrate 110 to transmit the gate signals.

게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 서로 분리되어 있으며, 게이트 신호를 전달한다. 각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이루는 돌출부와 다른 층 또는 외부 장치의 접속을 위한 면적이 넓은 끝 부분(129)을 가진다.The gate lines 121 mainly extend in the horizontal direction and are separated from each other, and transmit gate signals. Each gate line 121 has an end portion 129 having a large area for connection between a protrusion forming a plurality of gate electrodes 124 and another layer or an external device.

각 유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 제1 내지 제4 유지 전극(133a, 133b, 133c, 133d)을 이루는 복수 벌의 가지 집합을 포함한다. 제1 유지 전극(133a)과 제2 유지 전극(133b)은 세로 방향으로 뻗어 있고, 제3 및 제4 유지 전극(133c, 133d)은 사선 방향으로 뻗어 있으며 제2 유지 전극(133b)의 양단에 연 결되어 있으며, 서로 인접하게 제1 유지 전극(133a)에 연결되어 있다. 제3 및 제4 유지 전극(133c, 133d)은 인접한 두 게이트선(121) 사이의 중앙선에 대하여 반전 대칭을 이룬다. 유지 전극선(131)에는 액정 표시 장치의 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(270)에 인가되는 공통 전압 등 소정의 전압이 인가된다. 유지 전극선(131)은 서로 이웃하는 한 벌의 제1 내지 제4 유지 전극(133a, 133b, 133c, 133d)을 연결하는 연결부(133e)를 포함한다. Each storage electrode line 131 extends in the horizontal direction and includes a plurality of sets of branches forming the first to fourth storage electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d. The first storage electrode 133a and the second storage electrode 133b extend in the vertical direction, and the third and fourth storage electrodes 133c and 133d extend in an oblique direction and are disposed at both ends of the second storage electrode 133b. The first sustain electrode 133a is connected to and adjacent to each other. The third and fourth sustain electrodes 133c and 133d have inverted symmetry with respect to the center line between two adjacent gate lines 121. A predetermined voltage such as a common voltage applied to the common electrode 270 of the common electrode display panel 200 of the liquid crystal display device is applied to the sustain electrode line 131. The storage electrode line 131 includes a connection portion 133e that connects a pair of adjacent first to fourth storage electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d to each other.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속, 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하며, 단일막 구조를 가지거나 다층막 구조로 이루어질 수 있다. 다층막, 예를 들어 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막과 그 위의 상부막을 포함할 수 있다. 하나의 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열의 금속으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 크롬, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 탄탈륨(Ta), 또는 티타늄(Ti) 등으로 이루어질 수 있다. 두 도전막의 좋은 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금/알루미늄 합금을 들 수 있다. The gate line 121 and the storage electrode line 131 are preferably made of aluminum-based metal, silver-based metal, copper-based metal, molybdenum-based metal, chromium, titanium, tantalum, or the like, and have a single film structure or a multilayer film structure. Can be. It may include a multilayer film, for example, two films of different physical properties, that is, a lower film and an upper film thereon. One conductive film is a low resistivity metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy such as aluminum (Ag) or a silver alloy such as silver (Ag) or silver alloy to reduce signal delay or voltage drop. It may be made of a copper-based metal such as copper (Cu) or a copper alloy. In contrast, other conductive films have excellent contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as chromium, molybdenum (Mo), molybdenum alloys, tantalum (Ta), or titanium (Ti). ) And the like. Good examples of the two conductive films include chromium / aluminum-neodymium (Nd) alloys or molybdenum or molybdenum alloys / aluminum alloys.

또한 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30-80°인 것이 바람직하다. In addition, the side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30-80 °.                     

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiN x ) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 각각의 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 이로부터 복수의 돌출부(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다. 돌출부(154)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 상부까지 확장되어 있다. 선형 반도체(151)는 유지 전극선(131)의 연결부(133e)가 지나는 데이터선(171) 하부에서 넓은 폭으로 확장되어 유지 전극선(131)의 일부를 완전히 덮는 것이 바람직하다. A plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the gate insulating layer 140. Each linear semiconductor 151 extends mainly in the longitudinal direction from which a plurality of protrusions 154 extend toward the gate electrode 124. The protrusion 154 extends to an upper portion of the gate line 121 and the storage electrode line 131. The linear semiconductor 151 preferably extends wide under the data line 171 through which the connection portion 133e of the storage electrode line 131 passes to completely cover a portion of the storage electrode line 131.

반도체(151)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(154) 위에 배치되어 있는데, 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 마주한다.A plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of n-type impurities such as silicide or phosphorus on the semiconductor 151. Is formed. The linear contact member 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island-like resistive contact members 165 are paired and disposed on the semiconductor 154, centered on the gate electrode 124. Face each other.

반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30-80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the semiconductor 151 and the ohmic contacts 161 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably 30 to 80 °.

저항 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이 터선(data line)(171)과 이로부터 분리되어 있는 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 separated therefrom are formed on the ohmic contacts 161 and 165 and the gate insulating layer 140, respectively.

데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 가지고 있다. The data line 171 mainly extends in the vertical direction and crosses the gate line 121 and the storage electrode line 131 and transmits a data voltage. Each data line 171 has a wide end portion 179 for connection with another layer or an external device.

각각의 드레인 전극(175)은 넓은 폭으로 확장되어 있는 확장부를 포함한다. 데이터선(171) 각각은 복수의 돌출부를 포함하며, 이 돌출부는 반도체(154) 상부에 위치하는 드레인 전극(175)의 한쪽 끝 부분을 일부 둘러싸도록 휘어져 소스 전극(173)을 이룬다. 하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.Each drain electrode 175 includes an extension that extends wide. Each of the data lines 171 includes a plurality of protrusions, which are bent to partially surround one end portion of the drain electrode 175 positioned on the semiconductor 154 to form the source electrode 173. One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor form one thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor. A channel is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

또한, 데이터선(171)과 동일한 층에는 게이트선(121) 위에 위치하는 복수의 다리부 금속편(under-bridge metal piece)(178)이 형성되어 있는데, 이러한 다리부 금속편(178)은 게이트선(121)과 중첩하여 배치되어 있다. In addition, a plurality of under-bridge metal pieces 178 positioned on the gate line 121 are formed on the same layer as the data line 171. 121 and overlapped with each other.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)도 게이트선(121)을 이루는 도전 물질을 포함하고, 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속을 포함하는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 하부막(도시하지 않음)과 그 위에 위치한 저저항 물질의 상부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다. The data line 171 and the drain electrode 175 also include a conductive material constituting the gate line 121, and preferably include a refractory metal such as chromium or molybdenum-based metal, tantalum and titanium, and a lower portion of the refractory metal. It may have a multilayer structure consisting of a film (not shown) and an upper film (not shown) of a low resistance material disposed thereon.                     

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)도 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.Similar to the gate line 121 and the storage electrode line 131, the data line 171 and the drain electrode 175 are inclined at an angle of about 30-80 °, respectively.

저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 하부의 반도체(151)와 그 상부의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형의 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.The ohmic contacts 161 and 165 exist only between the semiconductor 151 below and the data line 171 and the drain electrode 175 above and serve to lower the contact resistance. The linear semiconductor 151 has a portion exposed between the source electrode 173 and the drain electrode 175 and not covered by the data line 171 and the drain electrode 175.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 이들로 덮이지 않고 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등 4.0 이하의 저유전율 절연 물질, 또는 무기 물질인 질화 규소나 산화 규소 따위로 이루어진 것이 바람직하다. A passivation layer 180 is formed on the data line 171 and the drain electrode 175 and the portion of the semiconductor 151 that is not covered by them. The passivation layer 180 is a-Si: C: O, a-Si: O: F, which is formed of an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The low dielectric constant insulating material of 4.0 or less, or an inorganic material, such as silicon nitride and silicon oxide, is preferable.

보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 확장부와 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140)과 함께 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 유지 전극선(131)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 183a, 183b)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)은 다각형 또는 원 모양 등 다양한 모양으로 만들어질 수 있다. 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)의 측벽은 30° 내지 85°의 각도로 기울어져 있거나 계단형일 수 있다.The passivation layer 180 is formed with a plurality of contact holes 182 and 185 respectively exposing the extension portion of the drain electrode 175 and the end portion 179 of the data line 171, and the gate insulating layer 140. ), A plurality of contact holes 181, 183a, and 183b exposing a portion of the end portion 129 of the gate line 121 and the sustain electrode line 131 are formed. The contact holes 181, 182, 183a, 183b, and 185 may be made in various shapes such as polygons or circles. Sidewalls of the contact holes 181, 182, 183a, 183b, 185 may be inclined or stepped at an angle of 30 ° to 85 °.

보호막(180) 위에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190), 유지 전극선 연결 다리(83) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이와는 달리, 화소 전극(190)은 투명한 도전성 폴리머로 만들어질 수도 있고, 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 화소 전극(190)이 불투명한 반사성 금속으로 만들어질 수도 있다. 이 경우, 접촉 보조 부재(81, 82)는 화소 전극(190)과 다른 물질, 예를 들면 ITO나 IZO로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 190, sustain electrode line connecting legs 83, and a plurality of contact assistants 81 and 82 made of ITO or IZO are formed on the passivation layer 180. Alternatively, the pixel electrode 190 may be made of a transparent conductive polymer, and in the case of a reflective liquid crystal display, the pixel electrode 190 may be made of an opaque reflective metal. In this case, the contact assistants 81 and 82 may be made of a material different from that of the pixel electrode 190, for example, ITO or IZO.

유지 전극선 연결 다리(83)는 게이트선(121)과 소스 전극(173)을 가로지르며, 접촉 구멍(183a, 183b)을 통하여 게이트선(121)을 사이에 두고 반대쪽에 위치하는 제1 유지 전극(133a)의 노출된 끝 부분과 유지 전극선(131)의 노출된 부분에 연결되어 있다. 유지 전극(133a, 133b)을 비롯한 유지 전극선(131)은 유지 전극선 연결 다리(83) 및 금속편(178)과 게이트선(121)이나 데이터선(171) 또는 박막 트랜지스터의 결함을 수리하는 데 사용할 수 있다. 게이트선(121)을 수리할 때에는 게이트선(121)과 유지 전극선 연결 다리(83)의 교차점을 레이저 조사하여 게이트선(121)과 유지 전극선 연결 다리(83)를 전기적으로 연결함으로써 게이트선(121)과 유지 전극선(131)을 전기적으로 연결시킨다. 이 때 금속편(178)은 게이트선(121)과 유지 배선 연결 다리(83)의 전기적 연결을 강화한다.The storage electrode line connecting leg 83 crosses the gate line 121 and the source electrode 173, and is disposed on the opposite side of the first storage electrode with the gate line 121 interposed therebetween through the contact holes 183a and 183b. It is connected to the exposed end of 133a and the exposed part of sustain electrode line 131. The sustain electrode lines 131 including the sustain electrodes 133a and 133b can be used to repair the defects of the sustain electrode line connecting leg 83 and the metal piece 178 and the gate line 121 or the data line 171 or the thin film transistor. have. When the gate line 121 is repaired, the gate line 121 is electrically connected to the gate line 121 and the storage electrode line connecting leg 83 by laser irradiation at the intersection of the gate line 121 and the storage electrode line connecting leg 83. ) And the storage electrode line 131 are electrically connected to each other. At this time, the metal piece 178 strengthens the electrical connection between the gate line 121 and the sustain wiring connecting bridge 83.

화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. The pixel electrode 190 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 to receive a data voltage from the drain electrode 175.

데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자(310)를 재배열시킨다. The pixel electrode 190 to which the data voltage is applied rearranges the liquid crystal molecules 310 of the liquid crystal layer 3 by generating an electric field together with the common electrode 270.                     

화소 전극(190)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기와 병렬로 연결된 다른 축전기를 두며 이를 유지 축전기(storage capacitor)라 한다. 유지 축전기는 화소 전극(190)과 유지 전극선(131)의 중첩 등으로 만들어지며, 유지 축전기의 정전 용량, 즉 유지 용량을 늘리기 위하여, 유지 전극선(131)에 유지 전극(133a, 133b, 133c)을 둔다. 도면에는 미도시되어 있으나, 화소 전극(190)에 연결된 드레인 전극(175)은 연장 및 확장하여 유지 전극(131)과 중첩시킴으로써 유지 축전기의 단자 사이의 거리를 가깝게 하고 중첩 면적을 크게 할 수 있다.The pixel electrode 190 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off. There is another capacitor connected in parallel with the liquid crystal capacitor, which is called a storage capacitor. The storage capacitor is formed by overlapping the pixel electrode 190 and the storage electrode line 131. The storage electrodes 133a, 133b, and 133c are disposed on the storage electrode line 131 to increase the capacitance of the storage capacitor, that is, the storage capacitance. Put it. Although not shown in the drawing, the drain electrode 175 connected to the pixel electrode 190 extends and extends to overlap the storage electrode 131 so that the distance between the terminals of the storage capacitor is close and the overlapping area can be increased.

각 화소 전극(190)은 왼쪽 모퉁이에서 모따기되어 있으며, 모따기된 빗변은 게이트선(121)에 대하여 약 45도의 각도를 이룬다.Each pixel electrode 190 is chamfered at the left corner, and the chamfered hypotenuse forms an angle of about 45 degrees with respect to the gate line 121.

화소 전극(190)은 중앙 절개부(91, 92), 하부 절개부(93a, 94a) 및 상부 절개부(93b, 94b)를 가지며, 화소 전극(190)은 이들 절개부(91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b)에 의하여 복수의 영역으로 분할된다. 절개부(91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b)는 화소 전극(190)을 게이트선(121)과 평행하게 이등분하는 가로 중심선에 대하여 거의 반전 대칭을 이루고 있다.The pixel electrode 190 has a central cutout 91, 92, a lower cutout 93a, 94a, and an upper cutout 93b, 94b, and the pixel electrode 190 has these cutouts 91, 92, 93a. , 93b, 94a, and 94b are divided into a plurality of regions. The cutouts 91, 92, 93a, 93b, 94a, and 94b have almost inverted symmetry with respect to a horizontal centerline that bisects the pixel electrode 190 in parallel with the gate line 121.

하부 및 상부 절개부(93a, 93b, 94a, 94b)는 대략 화소 전극(190)의 오른쪽 변에서부터 왼쪽 변으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 화소 전극(190)의 가로 중심선에 대하여 하반면과 상반면에 각각 위치하고 있다. 하부 및 상부 절개부(93a, 93b, 94a, 94b)는 게이트선(121)에 대하여 ±약 45도의 각도를 이루며 서로 수직하게 뻗 어 있다.The lower and upper cutouts 93a, 93b, 94a, and 94b extend obliquely from the right side to the left side of the pixel electrode 190, respectively, on the lower half and the upper half of the horizontal center line of the pixel electrode 190. Is located. The lower and upper cutouts 93a, 93b, 94a, and 94b extend perpendicularly to each other at an angle of about 45 degrees with respect to the gate line 121.

하나의 중앙 절개부(91)는 화소 전극(190)의 중앙에 배치되어 있으며 오른쪽 변 쪽에 입구를 가지고 있다. 중앙 절개부(91)의 입구는 하부 절개부(92a)와 상부 절개부(92b)에 각각 거의 평행한 한 쌍의 빗변을 가지고 있다. 다른 하나의 중앙 절개부(92)는 화소 전극(190)의 하반면과 상반면에 각각 위치하여 비스듬하게 뻗어 있는 두 절개부가 서로 연결되어 "<" 모양을 이룬다. One central cutout 91 is disposed at the center of the pixel electrode 190 and has an inlet at the right side. The inlet of the central incision 91 has a pair of hypotenuses substantially parallel to the lower incision 92a and the upper incision 92b, respectively. The other central cutout 92 is formed on the lower half and the upper half of the pixel electrode 190 so that two obliquely extending cut portions are connected to each other to form a “<” shape.

따라서, 화소 전극의 하반면은 하부 절개부(93a)에 의하여 두 개의 영역으로 나누어지고, 상반면 또한 상부 절개부(93b)에 의하여 두 개의 영역으로 분할되며, 나머지 하부 및 상부 절개부(92, 94a, 94b)는 분할된 두 영역의 거의 중앙에 각각 위치한다. 이 때, 영역의 수효 또는 절개부의 수효는 화소의 크기, 화소 전극의 가로변과 세로 변의 길이 비, 액정층(3)의 종류나 특성 등 설계 요소에 따라서 달라지며, 기울어진 방향도 달라질 수 있다.Accordingly, the lower half of the pixel electrode is divided into two regions by the lower cutout 93a, and the upper half is also divided into two regions by the upper cutout 93b, and the remaining lower and upper cutouts 92, 94a and 94b are located approximately at the center of the two divided regions, respectively. In this case, the number of regions or the number of cutouts may vary depending on the size of the pixel, the ratio of the length of the horizontal side and the vertical side of the pixel electrode, the type and characteristics of the liquid crystal layer 3, and the inclination direction may also vary.

접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 각각 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(129, 179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portions 129 and 179 of the data line 171 and the gate line 121 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 complement and protect the adhesion between the end portions 179 and 129 of the data line 171 and the gate line 121 and the external device.

다음, 도 2 내지 도 5를 참고로 하여, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described with reference to FIGS. 2 to 5.

투명한 유리 등으로 이루어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(190)과 마주보며 화소 전극(190)과 거의 동 일한 모양을 가지는 복수의 개구부(225)를 가지고 있으며, 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 이루어지는 것이 바람직하다.The light blocking member 220 is formed on the insulating substrate 210 made of transparent glass or the like. The light blocking member 220 has a plurality of openings 225 facing the pixel electrode 190 and having substantially the same shape as the pixel electrode 190, and corresponding to the gate line 121 and the data line 171. It is preferable that the portion and the portion correspond to the thin film transistor.

기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있으며 차광 부재(230)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 위치한다. 색필터(230)는 화소 전극(190)을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색 등의 원색 중 하나를 표시할 수 있다. A plurality of color filters 230 are also formed on the substrate 210 and are mostly located in an area surrounded by the light blocking member 230. The color filter 230 may extend in the vertical direction along the pixel electrode 190. The color filter 230 may display one of primary colors such as red, green, and blue.

색필터(230)의 위에는 덮개막(250)이 형성되어 있다. An overcoat 250 is formed on the color filter 230.

덮개막(250)의 위에는 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 이루어진 공통 전극(270)이 형성되어 있다. The common electrode 270 formed of a transparent conductor such as ITO or IZO is formed on the overcoat 250.

공통 전극(270)은 복수 벌의 절개부(71, 72a, 72b) 집합을 가진다. The common electrode 270 has a plurality of sets of cutouts 71, 72a, and 72b.

한 벌의 절개부(71, 72a, 72b)는 하나의 화소 전극(190)과 마주 보며 중앙 절개부(71), 하부 절개부(72a) 및 상부 절개부(72b)를 포함한다. 이때, 공통 전극(270)의 중앙 절개부(71)는 화소 전극(190)의 중앙 절개부(92)외 일부 중첩하며, 공통 전극(270)의 상부 및 하부 절개부(72a, 72b)는 화소 전극(190)의 상부 및 하부 절개부(94a, 94b)와 일부 중첩하며, 절개부(93a, 93b)와 화소 전극(190)의 모따기된 빗변 사이에 위치한다. 또한, 각 절개부(71, 72a, 72b)는 화소 전극의 하부 절개부(94a) 또는 상부 절개부(94b)와 평행하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함한다.The pair of cutouts 71, 72a, and 72b face the one pixel electrode 190 and include a center cutout 71, a lower cutout 72a, and an upper cutout 72b. In this case, the center cutout 71 of the common electrode 270 partially overlaps the center cutout 92 of the pixel electrode 190, and the upper and lower cutouts 72a and 72b of the common electrode 270 are pixels. It partially overlaps the upper and lower cutouts 94a and 94b of the electrode 190 and is positioned between the cutouts 93a and 93b and the chamfered hypotenuse of the pixel electrode 190. In addition, each cutout 71, 72a, and 72b includes at least one diagonal line extending in parallel with the lower cutout 94a or the upper cutout 94b of the pixel electrode.

하부 및 상부 절개부(72a, 72b) 각각은 대략 화소 전극의 왼쪽 변에서 위쪽 또는 아래쪽 변을 향하여 뻗은 사선부, 그리고 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극의 변을 따라 변과 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이루는 가로부 및 세로부를 포함한다.Each of the lower and upper cutouts 72a and 72b extends from the left side of the pixel electrode toward the top or bottom side and overlaps the side along the side of the pixel electrode from each end of the diagonal line. It includes a horizontal portion and a vertical portion forming an obtuse angle.

중앙 절개부(71)는 대략 화소 전극의 왼쪽 변에서부터 가로 방향으로 뻗은 중앙 가로부, 이 중앙 가로부의 끝에서 중앙 가로부와 빗각을 이루며 화소 전극의 오른쪽 변을 향하여 뻗은 한 쌍의 사선부, 그리고 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극의 오른쪽 변을 따라 오른쪽 변과 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이루는 종단 세로부를 포함한다.The central cutout 71 is a central horizontal portion extending from the left side of the pixel electrode in the horizontal direction, a pair of diagonal portions extending toward the right side of the pixel electrode at an oblique angle with the central horizontal portion at the end of the central horizontal portion, and From each end of the oblique portion, it extends overlapping with the right side along the right side of the pixel electrode and includes a vertical longitudinal portion forming an obtuse angle with the oblique portion.

이때, 공통 전극(270)의 절개부(71, 72a, 72b)는 화소 전극(190)의 절개부(91, 94a, 94b) 사이 또는 절개부(93a, 93b)와 화소 전극(190)의 모따기된 빗변 사이에 배치되어 화소 전극(190)의 절개부 중 일부(92, 94a, 94b)와 중첩한다. 화소 전극(190)의 상반면과 하반면을 두 영역으로 분할하는 절개부(93a, 93b)로부터 멀리 위치하는 공통 전극(270)의 절개부(71, 72a, 72b) 사선부 경계는 분할된 두 영역의 중앙에 각각 위치하는 화소 전극(190)의 절개부(92, 94a, 94b)를 통하여 드러나 있다. 도 6에서 보는 바와 같이, 분할된 두 영역의 중심으로부터 멀리 위치하는 절개부(92, 94a, 94b)의 경계선과 절개부(92, 94a, 94b)를 통하여 드러난 절개부(71, 72a, 72b)의 경계 사이의 간격(a)은 분할된 두 영역의 중심에 인접하게 위치하는 절개부(92, 94a, 94b)의 경계선과 절개부(92, 94a, 94b)를 통하여 드러난 절개부(71, 72a, 72b)의 경계 사이의 간격(b)보다 작은 것이 바람직하다. In this case, the cutouts 71, 72a, and 72b of the common electrode 270 may be formed between the cutouts 91, 94a and 94b of the pixel electrode 190 or the chamfers of the cutouts 93a and 93b and the pixel electrode 190. Disposed between the hypotenuses and overlapping portions 92, 94a, and 94b of the cutouts of the pixel electrode 190. Diagonal boundaries of the cutouts 71, 72a, and 72b of the common electrode 270 located far from the cutouts 93a and 93b that divide the upper and lower half surfaces of the pixel electrode 190 into two regions are divided. It is exposed through the cutouts 92, 94a and 94b of the pixel electrode 190 respectively positioned at the center of the region. As shown in FIG. 6, the incisions 71, 72a, 72b exposed through the boundaries of the incisions 92, 94a, 94b and the incisions 92, 94a, 94b located away from the center of the two divided regions. The spacing a between the boundaries of the cutouts 71, 72a is revealed through the boundaries of the cutouts 92, 94a, 94b and the cutouts 92, 94a, 94b positioned adjacent to the centers of the two divided regions. , It is preferable that the distance b between the boundaries of 72b is smaller than the interval b.

절개부(71, 72a, 72b)의 수효 및 방향 또한 설계 요소에 따라 달라질 수 있 으며, 차광 부재(220)가 절개부(71, 72a, 72b)와 중첩하여 절개부(71, 72a, 72b) 부근의 빛샘을 차단할 수 있다.The number and direction of the cutouts 71, 72a, and 72b may also vary depending on the design element, and the light blocking member 220 overlaps the cutouts 71, 72a and 72b to cut the cuts 71, 72a and 72b. Can block nearby light leaks.

두 표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 수직 배향막(11, 21)이 각각 도포되어 있고, 바깥쪽 면에는 편광판(12, 22)이 각각 구비되어 있다. 두 편광판(12, 22)의 투과축은 직교하며 이중 한 투과축은 게이트선(121)에 대하여 나란하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광판(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다.Vertical alignment layers 11 and 21 are coated on the inner surfaces of the two display panels 100 and 200, respectively, and polarizers 12 and 22 are provided on the outer surfaces thereof. The transmission axes of the two polarizing plates 12 and 22 are orthogonal, and one transmission axis is parallel to the gate line 121. In the case of a reflective liquid crystal display, one of the two polarizing plates 12 and 22 may be omitted.

배향막(11, 21)은 수평 배향막일 수 있다.The alignment layers 11 and 21 may be horizontal alignment layers.

표시판(100, 200)과 편광자(12, 22)의 사이에는 각각 액정층(3)의 지연값을 보상하기 위한 위상 지연 필름(retardation film)이 낄 수 있다. 위상 지연 필름은 복굴절성(birefringce)을 가지며 액정층(3)의 복굴절성을 역으로 보상하는 역할을 한다. 지연 필름으로는 일축성 또는 이축성 광학 필름을 사용할 수 있으며, 특히 음성(negative) 일축성 광학 필름을 사용할 수 있다.A phase retardation film may be interposed between the display panels 100 and 200 and the polarizers 12 and 22 to compensate for the delay value of the liquid crystal layer 3, respectively. The phase retardation film has birefringence and serves to reversely compensate for the birefringence of the liquid crystal layer 3. As the retardation film, a uniaxial or biaxial optical film can be used, and in particular, a negative uniaxial optical film can be used.

액정 표시 장치는 또한 편광자(12, 22), 위상 지연 필름, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)를 포함할 수 있다.The liquid crystal display may also include a polarizer 12 and 22, a phase retardation film, display panels 100 and 200, and a backlight unit for supplying light to the liquid crystal layer 3.

박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 사이에는 절연 물질로 이루어져 있으며, 두 표시판(100, 200)의 간격을 일정하게 유지하기 위한 기판 간격재(도시하지 않음)가 형성될 수 있다. An insulating material may be formed between the thin film transistor array panel 100 and the common electrode display panel 200, and a substrate spacer (not shown) may be formed to maintain a constant gap between the two display panels 100 and 200.

액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(310)는 전계가 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다. The liquid crystal layer 3 has negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules 310 of the liquid crystal layer 3 are aligned such that their major axes are perpendicular to the surfaces of the two display panels in the absence of an electric field. Therefore, incident light does not pass through the quadrature polarizers 12 and 22 and is blocked.                     

공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하고 화소 전극(190)에 데이터 전압을 인가하면 표시판의 표면에 거의 수직인 전계가 생성된다. 액정 분자(310)들은 전계에 응답하여 그 장축이 전계의 방향에 수직을 이루도록 방향을 바꾸고자 한다. 한편, 공통 전극(270) 및 화소 전극(190)의 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b)와 이들과 평행한 화소 전극(190)의 빗변은 전계를 왜곡하여 액정 분자들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전계의 수평 성분은 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b)의 변과 화소 전극(190)의 빗변에 수직이다. When a common voltage is applied to the common electrode 270 and a data voltage is applied to the pixel electrode 190, an electric field almost perpendicular to the surface of the display panel is generated. The liquid crystal molecules 310 try to change the direction of the long axis perpendicular to the direction of the electric field in response to the electric field. Meanwhile, the hypotenuses of the cutouts 71, 72a, 72b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, and 94b of the common electrode 270 and the pixel electrode 190, and the pixel electrode 190 parallel to them, form an electric field. Distortion produces horizontal components that determine the tilt direction of liquid crystal molecules. The horizontal component of the electric field is perpendicular to the sides of the cutouts 71, 72a, 72b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b and the hypotenuse of the pixel electrode 190.

이러한 전계를 통하여 절개부(71, 72a, 72b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b)는 액정층(3)의 액정 분자가 기울어지는 방향을 제어한다. 이때, 화소 전극(190)을 상반면과 하반면을 두 영역으로 각각 분할하는 절개부(93a, 93b)에 의한 전계에 의해서는 도 6에서 보는 바와 같이 서로 반대 방향으로 액정 분자(310)가 기울어진다. 그런데, 공통 전극(270)의 절개부(71, 72a, 72b)는 화소 전극(190)의 절개부 일부(92, 94a, 94b)와 중첩하며, 분할된 두 영역의 중심으로부터 멀리 위치하는 절개부(92, 94a, 94b)의 경계선과 절개부(92, 94a, 94b)를 통하여 드러난 절개부(71, 72a, 72b)의 경계 사이의 간격(a)이 분할된 두 영역의 중심에 인접하게 위치하는 절개부(92, 94a, 94b)의 경계선과 절개부(92, 94a, 94b)를 통하여 드러난 절개부(71, 72a, 72b)의 경계 사이의 간격(b)보다 작기 때문에 도 6의 점선과 같이 전계가 형성되어 절개부(93a, 93b)의 전계로 인해 기울어진 방향과 동일하게 액정 분자(310)들은 연속적으로 기울어지게 된다. 따라서, 화소 전극(190)의 절개부(93a, 93b)와 왼쪽 빗변에 의하여 정의되는 각 도메인 내에 있는 액정 분자는 절개부(93a, 93b)를 중심으로 서로 반대 방향이면서 절개부(93a, 93b)의 길이 방향에 대하여 수직을 이루는 방향으로 기울어진다. 각 도메인의 가장 긴 변 2개는 거의 나란하고 게이트선(121)과 약 ±45도를 이루며, 도메인 내에서 액정 분자 대부분은 4방향으로 기울어진다. Through these electric fields, the cutouts 71, 72a, 72b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, and 94b control the direction in which the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are inclined. In this case, the liquid crystal molecules 310 are inclined in opposite directions as shown in FIG. 6 by an electric field by the cutouts 93a and 93b that divide the pixel electrode 190 into two regions, respectively. Lose. However, the cutouts 71, 72a and 72b of the common electrode 270 overlap with the cutout portions 92, 94a and 94b of the pixel electrode 190, and are cut away from the center of the divided two regions. The spacing (a) between the boundary line of (92, 94a, 94b) and the boundary of the incisions (71, 72a, 72b) exposed through the incisions (92, 94a, 94b) is located adjacent to the center of the two divided regions 6 is smaller than the interval b between the boundary line of the cutouts 92, 94a and 94b and the boundary between the cutouts 71, 72a and 72b exposed through the cutouts 92, 94a and 94b. As described above, the liquid crystal molecules 310 are continuously inclined in the same direction as the inclined direction due to the electric fields of the cutouts 93a and 93b. Accordingly, the liquid crystal molecules in each of the domains defined by the cutouts 93a and 93b and the left hypotenuse of the pixel electrode 190 are opposite to each other with respect to the cutouts 93a and 93b and the cutouts 93a and 93b. It is inclined in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the. The two longest sides of each domain are substantially parallel to each other, and form approximately ± 45 degrees with the gate line 121, and most of the liquid crystal molecules in the domain are inclined in four directions.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 전극(270)의 절개부(71, 72a, 72b)에 화소 전극(190)의 절개부(92, 94a, 94b)를 중첩하여 배치함으로써 액정 분자(310)가 서로 반대 방향으로 배열하는 경계면이 형성되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 디스크리네이션이 발생하는 것을 최소화할 수 있으며, 이를 통하여 화소의 투과율을 안정적으로 확보하고 개구율을 극대화할 수 있으며, 액정 분자(310)의 응답 속도를 향상시킬 수 있다. Therefore, in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the liquid crystals may be formed by overlapping the cut portions 71, 72a and 72b of the common electrode 270 to the cut portions 92, 94a and 94b of the pixel electrode 190. It is possible to minimize the formation of an interface where the molecules 310 are arranged in opposite directions. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of the discrimination, thereby stably securing the transmittance of the pixel, maximizing the aperture ratio, and improving the response speed of the liquid crystal molecules 310.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 각각의 도메인 내에서 액정 분자(310)들은 서로 다른 4 방향으로 기울어져 시야각이 확장된다.In addition, in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the liquid crystal molecules 310 are inclined in four different directions within each domain to extend the viewing angle.

절개부(91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b)의 너비는 약 9μm 내지 약 12μm인 것이 바람직하다.The width of the cutouts 91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b is preferably about 9 μm to about 12 μm.

적어도 하나의 절개부(91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b)는 돌기(protrusion)(도시하지 않음)나 함몰부(depression)(도시하지 않음)로 대체할 수 있다. 돌기는 유기물 또는 무기물로 만들어질 수 있고 전계 생성 전극(190, 270)의 위 또는 아래에 배치될 수 있으며 그 너비는 약 5μm 내지 약 10μm인 것이 바람직하다.At least one cutout 91, 92a, 92b, 71, 72a, 72b may be replaced with a protrusion (not shown) or a depression (not shown). The protrusions may be made of organic or inorganic materials and may be disposed above or below the field generating electrodes 190 and 270, and the width thereof is preferably about 5 μm to about 10 μm.

절개부(91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 71, 72a, 72b)의 모양 및 배치는 변형 될 수 있다.The shape and arrangement of the incisions 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 71, 72a, 72b can be modified.

한편, 액정 분자(310)들의 경사 방향과 편광자(12, 22)의 투과축이 45도를 이루면 최고 휘도를 얻을 수 있는데, 본 실시예의 경우 모든 도메인에서 액정 분자(310)들의 경사 방향이 게이트선(121)과 45°의 각을 이루며 게이트선(121)은 표시판(100, 200)의 가장자리와 수직 또는 수평이다. 따라서 본 실시예의 경우 편광자(12, 22)의 투과축을 표시판(100, 200)의 가장자리에 대하여 수직 또는 평행이 되도록 부착하면 최고 휘도를 얻을 수 있을 뿐 아니라 편광자(12, 22)를 저렴하게 제조할 수 있다.Meanwhile, when the inclination direction of the liquid crystal molecules 310 and the transmission axis of the polarizers 12 and 22 are 45 degrees, the highest luminance can be obtained. In the present embodiment, the inclination direction of the liquid crystal molecules 310 in all domains is the gate line. The gate line 121 is perpendicular or horizontal to the edges of the display panels 100 and 200 at an angle of 45 ° with the 121. Therefore, in the present exemplary embodiment, when the transmission axes of the polarizers 12 and 22 are attached to be perpendicular or parallel to the edges of the display panels 100 and 200, the highest luminance can be obtained and the polarizers 12 and 22 can be manufactured at low cost. Can be.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 9는 도 7 및 도 8의 두 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 구조를 도시한 배치도이고, 도 10은 도 9의 액정 표시 장치를 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 각각의 단면도이고, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 절개부와 액정 분자의 구조를 구체적으로 도시한 모식도이다.7 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment. FIG. 8 is a layout view illustrating a structure of a common electrode display panel for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment. 9 is a layout view illustrating a structure of a liquid crystal display device including the two display panels of FIGS. 7 and 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 9 taken along a line XX ′, respectively. FIG. 11 is a schematic view showing in detail the structure of a cutout and a liquid crystal molecule in a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3), 두 표시판(100, 200)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.The liquid crystal display according to the present embodiment also includes the thin film transistor array panel 100, the common electrode display panel 200, and the liquid crystal layer 3 and the two display panels 100 and 200 inserted between the two display panels 100 and 200. It includes a pair of polarizers 12 and 22 attached to the outer surface.

본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 도 1 내지 도 6과 거의 동일하다. The layered structures of the display panels 100 and 200 according to the present exemplary embodiment are substantially the same as those of FIGS. 1 to 6.                     

박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 제1 내지 제4 유지 전극(133a, 133b, 133c, 133d) 및 연결부(133e)를 각각 포함하는 복수의 유지 전극선(131)이 기판(110) 위에 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 선형 반도체(151) 및 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175) 및 복수의 금속편(178)이 저항성 접촉 부재(161, 165) 위에 형성되어 있고, 보호막(180)이 그 위에 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(190), 유지 전극선 연결 다리(83) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고, 그 위에는 배향막(11)이 도포되어 있다.Referring to the thin film transistor array panel 100, the plurality of gate lines 121 including the gate electrode 124, the first to fourth sustain electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d and the connecting portion 133e are respectively described. A plurality of storage electrode lines 131 are formed on the substrate 110, and the plurality of linear electrodes including the gate insulating layer 140, the linear semiconductor 151 including the protrusion 154, and the protrusion 163 thereon. The ohmic contact 161 and the plurality of islands of ohmic contact 165 are sequentially formed. A plurality of data lines 171 including a source electrode 173, a plurality of drain electrodes 175, and a plurality of metal pieces 178 are formed on the ohmic contacts 161 and 165, and the protective film 180 is formed thereon. A plurality of contact holes 181, 182, 183a, 183b, and 185 are formed in the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140. A plurality of pixel electrodes 190, sustain electrode line connecting legs 83, and a plurality of contact auxiliary members 81 and 82 are formed on the passivation layer 180, and an alignment layer 11 is coated thereon.

공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 복수의 색필터(230), 덮개막(250), 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.Referring to the common electrode display panel 200, the light blocking member 220, the plurality of color filters 230, the overcoat 250, the common electrode 270, and the alignment layer 21 are formed on the insulating substrate 210. have.

그러나, 반도체(151)는 박막 트랜지스터가 위치하는 돌출부(154)를 제외하면 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 165,)와 실질적으로 동일한 평면 형태를 가지고 있다. 구체적으로는, 선형 반도체(151)는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 165)의 아래에 존재하는 부분 외에도 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 이들에 가리 지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.However, the semiconductor 151 has a planar shape substantially the same as the data line 171, the drain electrode 175, and the ohmic contacts 161 and 165, except for the protrusion 154 where the thin film transistor is located. Have. In detail, the linear semiconductor 151 may include the source electrode 173 and the drain electrode 175 in addition to the data line 171, the drain electrode 175, and the portions below the ohmic contacts 161 and 165. ) Has an exposed portion between them.

또한, 앞의 실시예와 달리 화소 전극(190)은 중앙 절개부(91)와 상부 및 하부 절개부(92a, 92b)를 가지며, 공통 전극(270)은 중앙 절개부(71, 72, 73)와 상부 및 하부 절개부(74a, 74b)를 가진다. 이때, 화소 전극(190)의 상반면과 하반면 각각을 두 영역으로 분할하며 화소 전극(190)의 빗변과 함께 도메인을 정의하는 도메인 규제 수단은 공통 전극(270)의 중앙 절개부(73)이며, 분할된 두 영역의 중심에서는 화소 전극(190)의 절개부(91, 92a, 92b)와 공통 전극(270)의 절개부(72, 74a, 74b)의 사선부가 서로 중첩한다. In addition, unlike the previous embodiment, the pixel electrode 190 has a central cutout 91 and upper and lower cutouts 92a and 92b, and the common electrode 270 has a central cutout 71, 72, and 73. And upper and lower incisions 74a and 74b. In this case, each of the upper and lower half surfaces of the pixel electrode 190 is divided into two regions, and the domain restricting means defining the domain together with the hypotenuse of the pixel electrode 190 is a central cut portion 73 of the common electrode 270. In the center of the divided regions, the cutouts 91, 92a and 92b of the pixel electrode 190 and the oblique portions of the cutouts 72, 74a and 74b of the common electrode 270 overlap each other.

이와 같은 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 도 11에서 보는 바와 같이 공통 전극(270)의 절개부(73)로 인하여 형성되는 전기장(점선)에 의해 액정 분자는 서로 반대 방향으로 배열되지만, 공통 전극(270)의 절개부(72, 74a, 74b)와 화소 전극(190)의 절개부 일부(91, 92a, 92b)가 중첩하여, 점선과 같이 전계가 형성되어 절개부(73)의 전계로 인해 6기울어진 방향과 동일하게 액정 분자(310)들은 연속적으로 기울어지게 된다. In the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment, as shown in FIG. 11, the liquid crystal molecules are arranged in opposite directions by an electric field (dotted line) formed by the cutout 73 of the common electrode 270. The cutouts 72, 74a and 74b of 270 and the portions 91, 92a and 92b of the cutouts of the pixel electrode 190 overlap with each other, and an electric field is formed as a dotted line, resulting from the electric field of the cutout 73. 6, the liquid crystal molecules 310 are continuously inclined in the same direction as the inclined direction.

따라서, 본 실시에에 따른 액정 표시 장치에서도 앞의 실시예와 같이 디스크리네이션이 발생하는 것을 최소화할 수 있으며, 이를 통하여 화소의 투과율을 안정적으로 확보하고 개구율을 극대화할 수 있으며, 액정 분자(310)의 응답 속도를 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment, the occurrence of the disclination may be minimized as in the previous embodiment, thereby stably securing the transmittance of the pixel and maximizing the aperture ratio. ) Can improve the response speed.

이러한 박막 트랜지스터를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에서는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 반도체(151) 및 저항성 접촉 부재(161, 165) 를 한 번의 사진 공정으로 형성한다. In the method of manufacturing the thin film transistor according to the exemplary embodiment of the present invention, the data line 171, the drain electrode 175, the semiconductor 151, and the ohmic contact members 161 and 165 are formed in one photo process.

이러한 사진 공정에서 사용하는 감광막 패턴은 위치에 따라 두께가 다르며, 특히 두께가 작아지는 순서로 제1 부분과 제2 부분을 포함한다. 제1 부분은 데이터선 및 드레인 전극이 차지하는 배선 영역에 위치하며, 제2 부분은 박막 트랜지스터의 채널 영역에 위치한다. The photosensitive film pattern used in such a photo process differs in thickness according to a position, and especially includes a 1st part and a 2nd part in order of decreasing thickness. The first part is located in the wiring area occupied by the data line and the drain electrode, and the second part is located in the channel area of the thin film transistor.

위치에 따라 감광막 패턴의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있는데, 예를 들면 광마스크에 투명 영역(transparent area) 및 차광 영역(light blocking area) 외에 반투명 영역(translucent area)을 두는 방법이 있다. 반투명 영역에는 슬릿(slit) 패턴, 격자 패턴(lattice pattern) 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간인 박막이 구비된다. 슬릿 패턴을 사용할 때에는, 슬릿의 폭이나 슬릿 사이의 간격이 사진 공정에 사용하는 노광기의 분해능(resolution)보다 작은 것이 바람직하다. 다른 예로는 리플로우가 가능한 감광막을 사용하는 방법이 있다. 즉, 투명 영역과 차광 영역만을 지닌 통상의 노광 마스크로 리플로우 가능한 감광막 패턴을 형성한 다음 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않은 영역으로 흘러내리도록 함으로써 얇은 부분을 형성하는 것이다.There may be various methods of varying the thickness of the photoresist pattern according to the position. For example, a method of providing a translucent area in addition to the transparent area and the light blocking area in the photomask is possible. have. The translucent region is provided with a slit pattern, a lattice pattern, or a thin film having a medium transmittance or a medium thickness. When using the slit pattern, it is preferable that the width of the slits and the interval between the slits are smaller than the resolution of the exposure machine used for the photographic process. Another example is to use a photoresist film that can be reflowed. That is, a thin portion is formed by forming a reflowable photoresist pattern with a normal exposure mask having only a transparent region and a light shielding region and then reflowing to allow the photoresist film to flow down into a region where no residue is left.

이와 같이 하면 한 번의 사진 공정을 줄일 수 있으므로 제조 방법이 간단해진다.In this way, a one-time photographic process can be reduced, thereby simplifying the manufacturing method.

이상과 같이, 본 발명의 실시예에서는 액정 분자의 기울기를 제어하는 도메인 제어 수단을 서로 중첩시킴으로써 디스크리네이션이 발생하는 것을 최소화할 수 있으며, 이를 통하여 화소의 투과율을 안정적으로 확보하고 개구율을 극대화할 수 있으며, 액정 분자의 응답 속도를 향상시킬 수 있다. As described above, in the exemplary embodiment of the present invention, the discrimination may be minimized by overlapping the domain control means for controlling the inclination of the liquid crystal molecules, thereby stably securing the transmittance of the pixel and maximizing the aperture ratio. And it can improve the response speed of the liquid crystal molecules.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (11)

제1 신호선, 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 제1 신호선과 상기 제2 신호선으로 둘러싸인 화소 영역마다 형성되어 있는 화소 전극 및 상기 제1 신호선, 상기 제2 신호선, 상기 화소 전극에 삼단자가 연결된 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 표시판,A pixel electrode and the first signal line, the second signal line, and the pixel electrode formed in each pixel region surrounded by a first signal line, a second signal line that is insulated from and intersects the first signal line, and the first signal line and the second signal line. A first display panel including a thin film transistor having three terminals connected thereto; 상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 제2 표시판,A second display panel on which the common electrode facing the pixel electrode is formed; 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 형성되어 있는 액정층,A liquid crystal layer formed between the first display panel and the second display panel, 상기 제1 표시판 또는 상기 제2 표시판에 형성되어 있으며, 상기 제1 신호선과 나란한 중심선으로 분할되는 상기 화소 전극의 상반면과 하반면을 복수의 영역으로 분할하는 도메인 분할 수단,Domain dividing means formed on the first display panel or the second display panel and dividing an upper half surface and a lower half surface of the pixel electrode into a plurality of regions formed in a center line parallel to the first signal line; 상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판에 각각 형성되어 서로 중첩하고 있으며, 상기 영역의 중앙에 상기 도메인 분할 수단과 평행하게 배치되어 있는 제1 및 제2 전계 제어 수단First and second electric field control means respectively formed on the first display panel and the second display panel and overlapping each other, and disposed in the center of the region in parallel with the domain division means; 을 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 도메인 분할 수단은 상기 제1 표시판에 형성되어 있으며, 상기 제1 전계 제어 수단은 상기 제2 전계 제어 수단보다 상기 도메인 분할 수단으로부터 멀리 배치되어 있는 액정 표시 장치.And the domain dividing means is formed on the first display panel, and the first electric field control means is disposed farther from the domain dividing means than the second electric field control means. 제2항에서,In claim 2, 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제2 전계 제어 수단의 경계선은 상기 제1 전계 제어 수단의 두 경계선 안에 위치하는 액정 표시 장치.A boundary line of the second electric field control means far from the domain dividing means is located within two boundary lines of the first electric field control means. 제3항에서,In claim 3, 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제1 전계 수단과 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제2 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격은 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제2 전계 수단의 경계선과 상기 도메인 분할 수단에 인접한 상기 제1 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격보다 작은 액정 표시 장치.The distance between the boundary of the first electric field means far from the domain dividing means and the second electric field control means far from the domain dividing means is adjacent to the boundary of the second electric field means far from the domain dividing means and the domain dividing means. The liquid crystal display device smaller than the interval between the boundary lines of the first electric field control means. 제4항에서,In claim 4, 상기 도메인 분할 수단 또는 상기 제1 및 제2 전계 제어 수단은 상기 공통 전극 또는 상기 화소 전극이 가지는 절개부 또는 상기 절개부와 평행한 상기 화소 전극의 경계인 액정 표시 장치.And the domain dividing means or the first and second electric field control means are cutouts of the common electrode or the pixel electrode, or boundaries of the pixel electrodes parallel to the cutouts. 제1항에서,In claim 1, 상기 도메인 분할 수단은 상기 제2 표시판에 형성되어 있으며, 상기 제1 전계 제어 수단은 상기 제2 전계 제어 수단보다 상기 도메인 분할 수단에 인접하게 배치되어 있는 액정 표시 장치.And said domain dividing means is formed on said second display panel, and said first electric field control means is disposed closer to said domain dividing means than said second electric field control means. 제6항에서,In claim 6, 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제1 전계 제어 수단의 경계선은 상기 제2 전계 제어 수단의 두 경계선 안에 위치하는 액정 표시 장치.A boundary line of the first electric field control means far from the domain dividing means is located within two boundary lines of the second electric field control means. 제7항에서,In claim 7, 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제1 전계 수단과 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제2 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격은 상기 도메인 분할 수단으로부터 먼 상기 제1 전계 수단의 경계선과 상기 도메인 분할 수단에 인접한 상기 제2 전계 제어 수단의 경계선 사이의 간격보다 작은 액정 표시 장치.The distance between the boundary of the first electric field means far from the domain dividing means and the second electric field control means far from the domain dividing means is adjacent to the boundary of the first electric field means far from the domain dividing means and the domain dividing means. A liquid crystal display device smaller than the interval between the boundary lines of the second electric field control means. 제4항에서,In claim 4, 상기 도메인 분할 수단 또는 상기 제1 및 제2 전계 제어 수단은 상기 공통 전극 또는 상기 화소 전극이 가지는 절개부 또는 상기 절개부와 평행한 상기 화소 전극의 경계인 액정 표시 장치.And the domain dividing means or the first and second electric field control means are cutouts of the common electrode or the pixel electrode, or boundaries of the pixel electrodes parallel to the cutouts. 제1항에서,In claim 1, 상기 도메인 분할 수단은 상기 제1 신호선에 대하여 실질적으로 ±45도를 이루는 액정 표시 장치.And the domain dividing means is substantially ± 45 degrees with respect to the first signal line. 제10항에서,In claim 10, 상기 도메인 분할 수단은 상기 화소의 상하 이등분선에 대하여 실질적으로 거울상 대칭을 이루는 액정 표시 장치.And the domain dividing means is substantially mirror-symmetrical with respect to the upper and lower bisectors of the pixel.
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