KR20060078016A

KR20060078016A - Apparatus for exposing an edge portion of a wafer

Info

Publication number: KR20060078016A
Application number: KR1020040116679A
Authority: KR
Inventors: 유윤종
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-12-30
Filing date: 2004-12-30
Publication date: 2006-07-05

Abstract

포토레지스트 공정을 수행한 후 반도체 웨이퍼 가장자리에 형성된 불필요한 포토레지스트 막을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 에지 노광 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키기 위한 회전척을 다수개 구비한다. 상기 회전척들 중 하나 상에 지지된 반도체 웨이퍼에 대한 에지 노광 공정을 수행하는 동안, 상기 회전척들 중 다른 하나 상으로부터 에지 노광 공정이 수행된 반도체 웨이퍼를 언로딩하고 새로운 반도체 웨이퍼를 로딩한다. 이때, 상기 다른 하나의 회전척 상에 로딩된 반도체 웨이퍼는 정렬 센서에 의해 정렬된다. 따라서, 하나의 회전척 상에 반도체 웨이퍼의 에지 부위에 대하여 노광 공정이 수행되는 동시에 다른 하나의 회전척 상에 반도체 웨이퍼가 정렬됨으로써 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있다.A semiconductor wafer edge exposure apparatus for removing an unnecessary photoresist film formed on the edge of a semiconductor wafer after performing a photoresist process, comprising a plurality of rotation chucks for supporting and rotating the semiconductor wafer. While performing the edge exposure process on the semiconductor wafer supported on one of the rotary chucks, the semiconductor wafer subjected to the edge exposure process on the other one of the rotary chucks is unloaded and loaded with a new semiconductor wafer. At this time, the semiconductor wafer loaded on the other rotary chuck is aligned by the alignment sensor. Accordingly, the exposure process is performed on the edge portion of the semiconductor wafer on one rotary chuck and the semiconductor wafer is aligned on the other rotary chuck, thereby reducing the overall process time.

Description

Apparatus for exposing an edge portion of a wafer

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view illustrating a wafer edge exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for describing the wafer edge exposure apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 노광 장치의 로더 및 회전척을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a loader and a rotating chuck of the wafer edge exposure apparatus shown in FIG. 1.

도 4는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 노광 장치의 노광부를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view for describing an exposed part of the wafer edge exposure apparatus shown in FIG. 1.

도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 웨이퍼 에지 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.5 is a schematic plan view for explaining a wafer edge exposure apparatus according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 웨이퍼 에지 노광 장치 100 : 회전척10: wafer edge exposure apparatus 100: rotary chuck

120 : 로더 122 : 정렬 센서120: loader 122: alignment sensor

130 : 노광부 140 : 구동부130 exposure unit 140 driving unit

W : 반도체 기판W: semiconductor substrate

본 발명은 반도체 웨이퍼 에지 노광 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 웨이퍼의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막을 제거하기 위한 에지 노광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer edge exposure apparatus. More specifically, the present invention relates to an edge exposure apparatus for removing a photoresist film formed at an edge portion of a semiconductor wafer.

근래에 반도체 제조 기술은 정보 통신 기술의 비약적인 발전에 따라 집적도, 신뢰도 및 처리 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다. 상기 반도체는 실리콘 단결정으로부터 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼를 제작하고, 상기 반도체 기판 상에 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.Recently, semiconductor manufacturing technology has been developed in the direction of improving integration, reliability, and processing speed according to the rapid development of information and communication technology. The semiconductor is produced by fabricating a silicon wafer used as a semiconductor substrate from a silicon single crystal, forming a film on the semiconductor substrate, and forming the film in a pattern having electrical properties.

상기와 같이 반도체 기판 상에 패턴을 형성시키기 위한 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트(photo resist) 막을 형성하고 이를 경화시키는 공정과, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Among the unit processes for forming a pattern on a semiconductor substrate as described above, a photolithography process is a process of forming a photoresist film on a semiconductor wafer and curing the photoresist film, and a photoresist film formed on the semiconductor wafer. Exposure process and development process which remove a predetermined site | part to form in a pattern are included.

일반적으로 상기 포토레지스트 막은 다음과 같이 형성된다. 먼저, 반도체 웨이퍼를 회전척 상에 올려놓은 다음, 상기 반도체 웨이퍼 상의 중심 부위에 포토레지스트 용액을 공급하고, 상기 반도체 웨이퍼를 회전시킨다. 상기 반도체 웨이퍼 상의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액은 원심력에 의해 상기 반도체 웨이퍼 상에 균일하게 도포되며, 후속하는 소프트 베이크 공정을 통해 경화됨으로써 상기 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 막이 형성된다.Generally, the photoresist film is formed as follows. First, the semiconductor wafer is placed on a rotary chuck, then a photoresist solution is supplied to a center portion on the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is rotated. The photoresist solution supplied to the center portion on the semiconductor wafer is uniformly applied on the semiconductor wafer by centrifugal force and cured through a subsequent soft bake process to form a photoresist film on the semiconductor wafer.

이때, 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막은 후속 공정에서 박리될 수 있으며, 상기 에지 부위의 포토레지스트 막의 박리에 의해 발생된 파티클과 같은 오염 물질에 의해 웨이퍼의 오염 또는 제조 공정 설비의 오염이 발생될 수 있다.In this case, the photoresist film formed on the edge portion of the semiconductor wafer may be peeled off in a subsequent process, and contamination of the wafer or contamination of the manufacturing process equipment may be caused by contaminants such as particles generated by peeling the photoresist film on the edge portion. Can be generated.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 포토레지스트 막이 형성된 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위에 시너(thinner)를 분사하여 상기 에지 부위의 포토레지스트 막을 제거하는 EBR(edge bead removal) 공정이 사용될 수 있다.In order to solve such a problem, an edge bead removal (EBR) process of removing a photoresist film on the edge portion by spraying thinner on the edge portion of the semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer on which the photoresist layer is formed may be used. have.

다른 방법으로는, 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위를 노광시키고, 상기 노광된 부위의 포토레지스트 막을 현상 공정을 통해 제거하는 방법이 있다. 이러한 방법을 수행하기 위한 반도체 웨이퍼 에지 노광 장치를 살펴보면, 반도체 웨이퍼를 지지하여 회전시키기 위한 척과, 노광을 위한 광을 발생시키고 반도체 웨이퍼의 에지 부위를 노광하기 위한 노광부를 포함한다.As another method, there is a method of exposing the edge portion of the semiconductor wafer and removing the photoresist film of the exposed portion through a developing process. Looking at a semiconductor wafer edge exposure apparatus for performing this method, it includes a chuck for supporting and rotating the semiconductor wafer, and an exposure portion for generating light for exposure and exposing the edge portion of the semiconductor wafer.

상기와 같은 웨이퍼 에지 노광 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼의 에지 부위를 노광하는 방법을 살펴보면, 소정의 막을 패턴으로 형성하기 위한 포토레지스트 막이 도포된 반도체 웨이퍼를 척 상에 로딩하는 단계와, 상기 로딩된 반도체 웨이퍼를 회전시켜 상기 반도체 웨이퍼의 플랫존(또는 노치) 방향으로 정렬시키는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하는 회전척이 회전하여 상기 노광부의 하부에 위치 한 반도체 웨이퍼의 외주를 따라 노광하는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼를 척으로부터 언로딩하는 단계를 포함한다.Looking at the method of exposing the edge portion of the semiconductor wafer using the wafer edge exposure apparatus as described above, the step of loading a semiconductor wafer coated with a photoresist film to form a predetermined film on the chuck, and the loaded semiconductor Rotating the wafer to align it in the flat zone (or notch) direction of the semiconductor wafer, rotating the rotating chuck supporting the semiconductor wafer to expose the semiconductor wafer along the outer circumference of the lower portion of the exposure unit; Unloading the semiconductor wafer from the chuck.

상기 각각의 단계 중 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 따라 노광하는 시간데 걸리는 공정 시간이 가장 길며, 때로는 상기 에지 노광을 여러 번 수행하기도 한다. 따라서 상기 에지 노광 공정의 전체적인 시간이 길어지고 있다. 그러나 상기 반도체 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트 막은 상기 설명되어진 바와 같이 반드시 제거되어야 하기 때문에 상기 웨이퍼 에지 노광 단계의 시간을 단축하기는 어려운 실정이다.During each of the steps, the process time that takes time to expose along the outer circumference of the semiconductor wafer is the longest, and sometimes the edge exposure is performed several times. Therefore, the overall time of the edge exposure process is long. However, it is difficult to shorten the time of the wafer edge exposure step because the photoresist film of the semiconductor wafer edge portion must be removed as described above.

따라서, 상기 에지 노광 단계의 공정 시간을 감축하지 않으면서 상기 반도체 에지 노광 공정의 전체적인 시간을 단축시킬 수 있는 웨이퍼 에지 노광 장치가 요구되고 있다.Therefore, there is a need for a wafer edge exposure apparatus capable of shortening the overall time of the semiconductor edge exposure process without reducing the process time of the edge exposure step.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼의 에지에 대한 노광 공정의 공정 시간을 단축하기 위한 웨이퍼 에지 노광 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer edge exposure apparatus for shortening the process time of the exposure process for the edge of the semiconductor wafer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼들에 대하여 에지 노광 공정을 각각 수행하기 위한 공간을 제공하기 위한 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내부에 배치되고, 상기 웨이퍼들을 각각 지지하여 회전시키기 위한 다수의 회전척들과, 상기 회전척들의 일 측에 배치되며, 상기 회전척들 상에 지지된 웨이 퍼들 중 하나에 대하여 에지 노광 공정을 수행하기 위하여 광을 발생시키기 위한 노광부와, 상기 웨이퍼들에 대한 에지 노광 공정이 택일적으로 수행되도록 상기 회전척들과 노광부 사이에서 상대적인 운동을 발생시키기 위한 구동부를 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a process chamber for providing a space for performing an edge exposure process for each of the wafers, and disposed inside the process chamber, and supporting and rotating the wafers respectively A plurality of rotating chucks, and an exposure unit for generating light to perform an edge exposure process on one of the wafers disposed on one side of the rotating chucks and supported on the rotating chucks; And a driver for generating relative motion between the rotary chucks and the exposed portion such that an edge exposure process on the wafers is alternatively performed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 구동부는, 상기 회전척들이 가상의 원을 따라 배치되도록 상기 회전척들을 지지하기 위한 플레이트와, 상기 원의 중심과 대응하는 상기 플레이트의 중심 부위에 연결되어 상기 플레이트를 회전시키기 위한 회전 유닛을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the driving unit is connected to a plate for supporting the rotary chucks so that the rotary chucks are disposed along an imaginary circle, and to a central portion of the plate corresponding to the center of the circle. It may include a rotating unit for rotating the plate.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 상기 노광부와 연결되어 상기 회전척들이 배치된 방향과 평행한 방향으로 상기 노광부를 이동시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the exposure unit may be connected to the exposure unit and move the exposure unit in a direction parallel to the direction in which the rotation chucks are arranged.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 다수의 회전척들 중 하나 상에 지지된 반도체 웨이퍼의 에지 노광 공정을 수행하는 동안, 회전척들 중 다른 하나 상에 반도체 웨이퍼가 정렬하여 상기 반도체 웨이퍼 에지 노광 공정의 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있다.According to the present invention as described above, while performing the edge exposure process of the semiconductor wafer supported on one of the plurality of rotation chuck, the semiconductor wafer is aligned on the other one of the rotation chuck to The overall process time can be shortened.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 노광 장치에 대해 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor wafer exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 노광 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 노광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a wafer edge exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the wafer edge exposure apparatus illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼 에지 노광 장치(10)는, 반도체 웨이퍼(W) 에지 노광 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하기 위한 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내부에 배치되며 상기 반도체 웨이퍼(W)들을 각각 지지하여 회전시키기 위한 다수의 회전척들과, 상기 회전척들 상으로/으로부터 반도체 웨이퍼(W)들을 각각 로딩 및 언로딩하기 위한 로더(120)와, 상기 로더(120) 상부에 구비되며 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬시키기 위한 정렬 센서와, 상기 회전척들 상에 지지된 웨이퍼(W)들 중 하나에 대하여 에지 노광 공정을 수행하기 위한 광을 발생시키기 위한 노광부(130)와, 상기 회전척들과 연결되어 상기 회전척들을 이동시키기 위한 구동부(140)를 포함한다.1 and 2, a semiconductor wafer edge exposure apparatus 10 may include a process chamber for providing a space for performing an edge exposure process of a semiconductor wafer W, a process chamber disposed inside the process chamber, and the semiconductor wafer. A plurality of rotary chucks for supporting and rotating the respective Ws, a loader 120 for loading and unloading the semiconductor wafers W onto and from the rotary chucks, respectively, and the upper portion of the loader 120 An exposure sensor 130 disposed in and arranged to generate light for performing an edge exposure process with respect to one of the wafers W supported on the rotary chucks. And a driving unit 140 connected to the rotary chucks to move the rotary chucks.

본 실시예에서는 두 개의 회전척들을 사용하여 상기 웨이퍼(W) 에지 노광 장치(10)를 설명하기로 한다. 그러나 본 발명에서 상기 회전척들의 수량을 한정하지는 않는다.In the present embodiment, the wafer W edge exposure apparatus 10 will be described using two rotary chucks. However, the present invention does not limit the quantity of the rotary chucks.

회전척(100)은 상부면에 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고, 제1구동축(102)에 의해 제1회전 유닛(104)과 연결되어 있어 상기 제1회전 유닛(104)을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 이때, 상기 제1회전 유닛(104)으로는 모터 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 진공압 또는 정전기력에 의해 상기 회전척(100)의 상부면과 흡착될 수 있다.The rotary chuck 100 supports the semiconductor wafer W on an upper surface thereof, and is connected to the first rotating unit 104 by a first driving shaft 102, so that the semiconductor may be formed using the first rotating unit 104. The wafer W can be rotated. In this case, a motor or the like may be used as the first rotation unit 104. In addition, the semiconductor wafer W supported on the rotary chuck 100 may be adsorbed with the upper surface of the rotary chuck 100 by vacuum pressure or electrostatic force.

상기와 같은 두 개의 회전척들 즉, 제1 및 제2회전척(100, 110)은 상기 공정 챔버 내에 가상의 원을 따라 배치되며, 상기 원의 원주를 따라 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)은 구동부(140)를 이용하여 로더(120) 및 노광부(130)로 이동한다.The two rotary chucks, that is, the first and second rotary chucks 100 and 110, are disposed along a virtual circle in the process chamber, and the first and second rotary chucks are disposed along the circumference of the circle. 100 and 110 move to the loader 120 and the exposure unit 130 using the driving unit 140.

구동부(140)는 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)을 지지하기 위한 플레이트(142)와, 상기 플레이트(142)의 중심과 연결되어 있으며 상기 플레이트를 회전시키 기 위한 제2회전 유닛(144)을 포함한다. The driving unit 140 is a plate 142 for supporting the first and second rotary chucks 100 and 110, and a second rotating unit connected to the center of the plate 142 and for rotating the plate. 144.

자세하게, 상기 플레이트(142)는 바(bar)의 형태를 가지며, 상기 플레이트의 한 끝단에 제1회전척(100)이 지지되며, 상기 플레이트(142)의 중심을 기준으로 상기 제1회전척(100)과 대응하도록 제2회전척(110)이 상기 플레이트(142)의 다른 끝단에 지지된다. 이때, 상기 플레이트(142)의 양 끝단 사이의 길이가 상기 가상의 원의 지름과 동일하여 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)은 상기 가상의 원의 원주 상에 위치한다.In detail, the plate 142 has a bar shape, and a first rotary chuck 100 is supported at one end of the plate, and the first rotary chuck is based on the center of the plate 142. The second rotary chuck 110 is supported at the other end of the plate 142 so as to correspond to 100. In this case, the length between both ends of the plate 142 is the same as the diameter of the virtual circle, the first and second rotary chuck (100, 110) is located on the circumference of the virtual circle.

상기 제2회전 유닛(144)은 상기 플레이트(142)의 중심과 제2구동축(미도시)으로 연결되어 있어, 상기 제2회전 유닛(144)을 이용하여 상기 플레이트(142)를 회전시킬 수 있다. 상기 플레이트(142)가 회전하면 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)들은 상기 가상의 원주 상을 이동하게 된다. 이때, 상기 제2회전 유닛(144)은 제1회전 유닛(104)과 유사하게 모터 등이 사용될 수 있다.The second rotating unit 144 is connected to the center of the plate 142 and a second driving shaft (not shown), so that the plate 142 can be rotated using the second rotating unit 144. . When the plate 142 rotates, the first and second rotary chucks 100 and 110 move on the virtual circumference. In this case, the second rotation unit 144 may be a motor or the like similar to the first rotation unit 104.

한편, 상기 가상의 원의 원주 상에 로더(120) 및 노광부(130)가 위치한다. 도시된 바와 같이 상기 로더(120) 및 노광부(130)는 상기 가상의 원의 중심을 기준으로 서로 마주보고 있다. 따라서, 상기 설명되어진 바와 같이 상기 플레이트(142) 상에 지지된 제1 및 제2회전척(100, 110)이 제2회전 유닛(144)에 의해 회전되는 동안, 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)은 각각 상기 로더(120) 및 노광부(130)로 상대적으로 이동할 수 있다. 예를 들어 설명하면, 상기 제1회전척(100)이 로더(120)에 위치하면 상기 제2회전척(110)은 노광부(130)에 위치하고, 이와는 다르게, 상기 제2회전척(110)이 로더(120)에 위치하면 상기 제1회전척(100)이 노광부(130)에 위 치하게 된다.Meanwhile, the loader 120 and the exposure unit 130 are positioned on the circumference of the virtual circle. As shown, the loader 120 and the exposure unit 130 face each other based on the center of the virtual circle. Thus, while the first and second rotary chucks 100 and 110 supported on the plate 142 are rotated by the second rotary unit 144 as described above, the first and second rotary chucks are rotated. 100 and 110 may move relatively to the loader 120 and the exposure unit 130, respectively. For example, when the first rotary chuck 100 is located at the loader 120, the second rotary chuck 110 is located at the exposure unit 130. Alternatively, the second rotary chuck 110 is located. When positioned in the loader 120, the first rotary chuck 100 is positioned on the exposure unit 130.

도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼(W) 에지 노광 장치(10)의 로더(120) 및 회전척(100)을 설명하기 위한 사시도이다.3 is a perspective view for explaining the loader 120 and the rotary chuck 100 of the wafer W edge exposure apparatus 10 shown in FIG. 1.

도 3을 참조하면, 로더(120)는 제1 및 제2회전척(100, 110) 상으로/으로부터 반도체 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩하기 위하여 상기 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 다수의 리프트 핀(126)들과, 상기 리프트 핀(126)들을 지지하기 위한 수평 암(124)과, 상기 수평 암(124)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 수직 구동 유닛(128)을 포함하며, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 지지하며 상기 제1 및 제2회전척(100, 110) 상으로/으로부터 로딩 및 언로딩하는 기능을 한다.Referring to FIG. 3, the loader 120 includes a plurality of loaders for supporting the wafer W for loading and unloading the semiconductor wafer W onto and from the first and second rotary chucks 100 and 110. Lift pins 126, a horizontal arm 124 for supporting the lift pins 126, and a vertical drive unit 128 for moving the horizontal arm 124 in a vertical direction, wherein the semiconductor It supports the wafer W and functions to load and unload onto / from the first and second rotary chucks 100 and 110.

상기 수평 암(124)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 수평 암(124)의 전단부에는 상기 수평 암(124)의 수직 방향 이동 중에 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)과의 간섭을 방지하기 위한 홈이 형성되어 있다. 구체적으로 상기 홈은 상기 제1 및 제2회전척(100, 110)의 형상과 대응하도록 반원형으로 형성될 수 있다.The horizontal arm 124 has a plate shape, and the front end of the horizontal arm 124 has an interference with the first and second rotary chucks 100 and 110 during vertical movement of the horizontal arm 124. Grooves for prevention are formed. Specifically, the groove may be formed in a semi-circular shape to correspond to the shape of the first and second rotary chuck (100, 110).

상기 수평 암(124) 상에는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 다수의 리프트 핀(126)들이 구비된다. 구체적으로 상기 리프트 핀(126)들은 상기 수평 암(124)의 전단부에 위치한다. 즉, 상기 리프트 핀(126)들은 수평 암(124)의 홈을 감싸며 위치하여 상기 리프트 핀(126)들 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)가 상기 홈 상부에 위치하게 된다. 이는 상기 제1 또는 제2회전척(100, 110)이 홈으로 이동하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 제1 또는 제2회전척(100, 110) 상으로/으로부터 로딩 및 언로딩하기 위함이다. A plurality of lift pins 126 are provided on the horizontal arm 124 to support the semiconductor wafer (W). Specifically, the lift pins 126 are located at the front end of the horizontal arm 124. That is, the lift pins 126 surround the grooves of the horizontal arm 124 such that the semiconductor wafer W supported on the lift pins 126 is positioned above the grooves. This is for the first or second rotary chucks 100 and 110 to move into grooves to load and unload the semiconductor wafer W onto / from the first or second rotary chucks 100 and 110. .

한편, 상기 리프트 핀(126)은 적어도 세 개 이상이어야 정상적으로 기능하며, 본 실시예에서는 세 개의 리프트 핀(126)들을 사용하지만 본 발명에서는 리프트 핀(126)의 수량을 한정하지는 않는다.Meanwhile, at least three lift pins 126 function normally, and in this embodiment, three lift pins 126 are used, but the present invention does not limit the number of lift pins 126.

상기 수직 구동 유닛(128)은 상기 리프트 핀(126)들 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 제1 또는 제2회전척(100, 110) 상으로/으로부터 로딩 및 언로딩하기 위하여 상기 수평 암(124)을 상하 방향으로 이동시킨다.The vertical drive unit 128 loads and unloads the semiconductor wafer W supported on the lift pins 126 onto and from the first or second rotary chucks 100 and 110. Move 124 in the vertical direction.

자세하게, 상기 수직 구동 유닛(128)은 상기 수평 암(124)과 제3구동축으로 연결되어 있으며, 상기 수직 구동 유닛(128)을 이용하여 상기 수평 암(124)을 상하 방향으로 구동시키며, 동시에 리프트 핀(126)들 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)로 상하 방향으로 이동한다. 이때, 상기 수평 암(124)의 홈 하부에 위치한 제1 및 제2회전척(100, 110) 상으로 상기 반도체 웨이퍼(W)가 로딩 및 언로딩된다. 한편, 상기 수직 구동 유닛(128)으로는 유압 또는 공압 실리더와, 직각 좌표 로봇 등이 사용될 수 있다.In detail, the vertical driving unit 128 is connected to the horizontal arm 124 and the third driving shaft. The vertical driving unit 128 drives the horizontal arm 124 in the vertical direction by using the vertical driving unit 128 and simultaneously lifts the horizontal arm 124. The semiconductor wafer W supported on the fins 126 is moved in the vertical direction. In this case, the semiconductor wafer W is loaded and unloaded onto the first and second rotary chucks 100 and 110 positioned below the groove of the horizontal arm 124. Meanwhile, the vertical drive unit 128 may be a hydraulic or pneumatic cylinder, a rectangular coordinate robot, or the like.

정렬 센서(122)는 상기 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행하기 전에 상기 반도체 웨이퍼(W)를 일 방향으로 정렬시킨다. 본 실시예에서 상기 정렬 센서(122)가 상기 로더(120) 상에 구비되며, 도시된 바와 같이 상기 수평 암(124)의 홈과 마주보는 일 측에 위치한다. 상기 정렬 센서는 광 센서로써, 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 광을 발생시키기 위한 발광 유닛과, 상기 발광 유닛으로부터 발생된 광을 검출하기 위한 수광 유닛을 포함한다.The alignment sensor 122 aligns the semiconductor wafer W in one direction before performing an edge exposure process with respect to the semiconductor wafer W. In this embodiment, the alignment sensor 122 is provided on the loader 120, and is located on one side facing the groove of the horizontal arm 124 as shown. The alignment sensor is an optical sensor and includes a light emitting unit for generating light to an edge portion of the semiconductor wafer W, and a light receiving unit for detecting light generated from the light emitting unit.

상기와 같은 정렬 센서(122)를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존을 검출하는 방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the method for detecting the flat zone of the semiconductor wafer (W) by using the alignment sensor 122 as described above.

상기 로더(120)의 리프트 핀(126)들 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 제1 또는 제2회전척(100, 110) 상에 로딩시킨다. 상기 반도체 웨이퍼(W)를 흡착시켜 회전시키고, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 회전하는 동안 상기 정렬 센서(122)를 이용하여 플랫존을 검출한다. 즉, 상기 발광 유닛에서 발생된 광이 상기 수광 유닛에서 검출되는 경우, 상기 정렬 센서(122)에 플랫존이 위치함으로써 상기 반도체 웨이퍼(W)를 플랫존 방향으로 정렬할 수 있다.The semiconductor wafer W supported on the lift pins 126 of the loader 120 is loaded on the first or second rotary chucks 100 and 110. The semiconductor wafer W is sucked and rotated, and the flat zone is detected using the alignment sensor 122 while the semiconductor wafer W is rotated. That is, when the light generated by the light emitting unit is detected by the light receiving unit, the semiconductor wafer W may be aligned in the flat zone direction by positioning the flat zone in the alignment sensor 122.

상기 정렬 센서(122)에 의해 정렬된 반도체 웨이퍼(W)는 에지 노광 공정을 수행하기 위하여 구동부(140)를 이용하여 노광부(130)로 이동한다.The semiconductor wafer W aligned by the alignment sensor 122 moves to the exposure unit 130 using the driving unit 140 to perform an edge exposure process.

도 4는 도 1에 도시된 웨이퍼(W) 에지 노광 장치(10)의 노광부(130)를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for describing the exposure unit 130 of the wafer W edge exposure apparatus 10 illustrated in FIG. 1.

도 4를 참조하면, 노광부(130)는 광을 발생시키기 위한 광원(132)과, 상기 광원(132)을 수용하기 위한 하우징(134)과, 상기 하우징(134)과 연결되어 있으며 상기 광원(132)에서 발생된 광을 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 전사하도록 안내하는 광 가이드 화이버(Light Guide Fiber ,138)와, 상기 광 가이드 화이버(138)의 하단에 위치하여 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 광을 전사시키기 위한 광 출사 유닛(139)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the exposure unit 130 is connected to a light source 132 for generating light, a housing 134 for accommodating the light source 132, the housing 134, and the light source ( A light guide fiber 138 for guiding the light generated from the 132 to the edge portion of the semiconductor wafer W, and a lower portion of the light guide fiber 138 and positioned at a lower end of the light guide fiber 138. And a light emitting unit 139 for transferring the light to the edge portion of the.

상기 하우징(134)은 광원(132)인 램프와, 상기 램프에서 발생된 광을 반사시켜 반도체 웨이퍼(W) 에지로 전사시키기 위한 반사경(136)을 구비한다. 한편, 본 실시예에서는 상기 광원(132)으로 램프를 사용하고 있으나, 상기 광원(132)으로 레 이저가 사용될 수 있다. 상기 레이저를 이용하는 경우, 하우징(134)은 광원인 레이저와, 상기 레이저로부터 발생된 빔을 확장시키기 위한 빔 확장기(beam expander)를 포함한다.The housing 134 includes a lamp, which is a light source 132, and a reflector 136 for reflecting the light generated by the lamp and transferring the light to the edge of the semiconductor wafer (W). Meanwhile, in the present embodiment, a lamp is used as the light source 132, but a laser may be used as the light source 132. In the case of using the laser, the housing 134 includes a laser as a light source and a beam expander for expanding the beam generated from the laser.

상기 광 가이드 화이버(138)는 상기 하우징(134)의 하부와 관통되어 연결되어 있다. 상기 광원(132)으로부터 발생된 광은 상기 광 가이드 화이버(138)를 통해 상기 광 가이드 화이버의 하부와 연결되어 있는 광 출사 유닛(139)으로 전달된다. 이때, 상기 광 가이드 화이버(138)는 일반적으로 굴절률이 높은 합성 수지를 사용하여 상기 광 가이드 화이버(138) 내측으로 전사되는 광이 전반사되어 광 출사 유닛(139)으로 전달될 수 있다.The light guide fiber 138 is connected to the lower portion of the housing 134 through. The light generated from the light source 132 is transmitted to the light output unit 139 connected to the lower portion of the light guide fiber through the light guide fiber 138. In this case, the light guide fiber 138 may use the synthetic resin having a high refractive index, and the light transferred to the inside of the light guide fiber 138 may be totally reflected and transmitted to the light output unit 139.

상기 광 출사 유닛(139)은 상기 광 가이드 화이버(138)를 통해 전달된 광을 반도체 웨이퍼(W) 에지 부위로 전사시킨다. 상기 광 출사 유닛(139)은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위와 소정의 거리 이격되어 위치된다. 이와는 다르게, 상기 광 출사 유닛(139)이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위와 접촉하여 구비될 수 있다.The light output unit 139 transfers the light transmitted through the light guide fiber 138 to the edge portion of the semiconductor wafer W. The light output unit 139 is positioned to be spaced apart from the edge portion of the semiconductor wafer W by a predetermined distance. Alternatively, the light emitting unit 139 may be provided in contact with the edge portion of the semiconductor wafer (W).

또한, 상기 노광부(130)는 상기 광 출사 유닛(139)이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 상으로 이동할 수 있도록 구동 유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 하우징(134)과 연결되어 있으며, 상기 구동 유닛으로는 직각 좌표 로봇이 사용될 수 있다.In addition, the exposure unit 130 may further include a driving unit to move the light output unit 139 on the edge of the semiconductor wafer W. The driving unit is connected to the housing 134, and a rectangular coordinate robot may be used as the driving unit.

상기와 같은 구성 요소를 포함하는 반도체 웨이퍼(W) 에지 노광 공정을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the semiconductor wafer (W) edge exposure process including the above components are as follows.

반도체 웨이퍼(W)를 이송 로봇 등을 이용하여 공정 챔버 내부로 이송한다. 상기 외부로부터 이송된 반도체 웨이퍼(W)는 로더(120)의 리프트 핀(126)들 상에 지지된다. 이때, 수평 암(124)의 홈에 제1회전척(100)이 위치하고 있다. 즉, 상기 반도체 웨이퍼(W) 하부에 제1회전척(100)이 위치한다.The semiconductor wafer W is transferred into the process chamber using a transfer robot or the like. The semiconductor wafer W transferred from the outside is supported on the lift pins 126 of the loader 120. At this time, the first rotary chuck 100 is located in the groove of the horizontal arm 124. That is, the first rotary chuck 100 is positioned below the semiconductor wafer W.

이어서, 수직 구동 유닛(128)을 이용하여 상기 로더(120)를 하강시켜 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 제1회전척(100) 상으로 로딩시키고, 상기 제1회전 유닛을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 상기 반도체 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 상기 정렬 센서(122)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존을 감지하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬시킨다.Subsequently, the loader 120 is lowered using a vertical driving unit 128 to load the semiconductor wafer W onto the first rotary chuck 100, and the semiconductor wafer is driven using the first rotation unit. Rotate (W) While the semiconductor wafer W is rotated, the alignment sensor 122 senses the flat zone of the semiconductor wafer W to align the semiconductor wafer W.

상기 반도체 웨이퍼(W)가 플랫존 방향으로 정렬된 후, 상기 구동부(140)의 제2회전 유닛을 이용하여 상기 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 에지 노광을 수행하기 위하여 노광부(130)로 이동시킨다. 이때, 상기 노광부(130)에 위치하는 제2회전척(110)이 로더(120)로 이동한다.After the semiconductor wafers W are aligned in the flat zone direction, edge exposure of the semiconductor wafers W supported on the first rotary chuck 100 is performed by using the second rotation unit of the driving unit 140. In order to move to the exposure unit 130. At this time, the second rotary chuck 110 positioned in the exposure unit 130 moves to the loader 120.

상기 노광부(130)로 이동한 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위에 대하여 노광 공정을 수행한다. 이때, 에지 노광 공정 전에 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위와 상기 노광부(130)의 위치를 정렬할 수 있다.An exposure process is performed on the edge portion of the semiconductor wafer W supported on the first rotary chuck 100 moved to the exposure unit 130. In this case, the edge portion of the semiconductor wafer W and the position of the exposure portion 130 may be aligned before the edge exposure process.

상기 노광부(130)의 광원(132)에서 광이 발생되고, 반사경(136)을 이용하여 광원(132)에서 발생한 대부분의 광을 광 가이드 화이버(138)로 전사시킨다. 상기 광 가이드 화이버(138)를 통과한 광은 광 출사 유닛(139)을 통해 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 전사된다. 상기 노광부(130)에서 광이 전사되는 동안 상기 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 회전하여, 상기 반도체 웨이퍼(W) 에지 부위를 모두 노광한다.Light is generated from the light source 132 of the exposure unit 130, and most of the light generated from the light source 132 is transferred to the light guide fiber 138 using the reflector 136. The light passing through the light guide fiber 138 is transferred to the edge portion of the semiconductor wafer W through the light output unit 139. While the light is transferred from the exposure unit 130, the semiconductor wafer W supported on the first rotary chuck 100 rotates to expose all edge portions of the semiconductor wafer W.

상기와 같이 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행하는 동안, 로더(120)로 이동한 제2회전척(110) 상에는 외부로부터 다른 반도체 웨이퍼(W)가 로딩되고, 상기 정렬 센서(122)를 이용하여 다른 반도체 웨이퍼(W)를 정렬한다. 상기 정렬되는 과정은 상기 설명되어진 것과 유사하여 생략하기로 한다.While performing the edge exposure process with respect to the semiconductor wafer W supported on the first rotary chuck 100 as described above, another semiconductor wafer from the outside on the second rotary chuck 110 moved to the loader 120 ( W) is loaded and another semiconductor wafer W is aligned using the alignment sensor 122. The alignment process is similar to that described above and will be omitted.

상기 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행한 후, 상기 구동부(140)의 제2회전 유닛을 이용하여 제1회전척(100)은 상기 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 언로딩하기 위하여, 제2회전척(110)은 상기 제2회전척(110) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행하기 위하여 각각 로더(120) 및 노광부(130)로 상대적으로 이동한다.After performing an edge exposure process on the semiconductor wafer W supported on the first rotary chuck 100, the first rotary chuck 100 is driven using the second rotary unit of the driving unit 140. In order to unload the semiconductor wafer W supported on the first rotary chuck 100, the second rotary chuck 110 is edge-exposed with respect to the semiconductor wafer W supported on the second rotary chuck 110. In order to perform the process, the loader 120 and the exposure unit 130 move relatively.

상기 로더(120)로 이동한 제1회전척(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 로딩되는 과정의 역과정으로 언로딩된다. 이어서, 상기 제1회전척(100) 상에는 또 다른 반도체 웨이퍼(W)가 로딩되고 상기와 같은 과정을 반복한다.The semiconductor wafer W supported on the first rotary chuck 100 moved to the loader 120 is unloaded in a reverse process of being loaded. Subsequently, another semiconductor wafer W is loaded on the first rotary chuck 100 and the above process is repeated.

이처럼 두 개의 회전척들을 이용하여 제1회전척(100)에서 반도체 웨이퍼(W)를 정렬하는 동안 제2회전척(110)에서 정렬된 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행함으로써 공정 시간을 단축할 수 있다.As such, the process time is performed by performing an edge exposure process on the semiconductor wafer W aligned at the second rotary chuck 110 while aligning the semiconductor wafer W at the first rotary chuck 100 using two rotary chucks. Can shorten.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼(W) 노광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view for describing a wafer W exposure apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 반도체 웨이퍼(W) 에지 노광 장치(20)는, 반도체 웨이퍼 (W) 에지 노광 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하기 위한 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내부에 배치되며 상기 반도체 웨이퍼(W)들을 각각 지지하여 회전시키기 위한 다수의 회전척들과, 상기 회전척들 상으로/으로부터 반도체 웨이퍼(W)들을 각각 로딩 및 언로딩하기 위한 로더(220)와, 상기 로더(220) 상부에 구비되며 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬시키기 위한 정렬 센서(222)와, 상기 회전척들 상에 지지된 웨이퍼(W)들 중 하나에 대하여 에지 노광 공정을 수행하기 위한 광을 발생시키기 위한 노광부(230)와, 상기 로더(220)와 연결되어 있으며 상기 로더(220)를 다수의 회전척들로 이동시키기 위한 제1구동부(228)와, 상기 노광부(230)와 연결되어 있으며 상기 노광부(230)를 다수의 회전척들로 이동시키기 위한 제2구동부(242)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the semiconductor wafer W edge exposure apparatus 20 includes a process chamber for providing a space for performing the semiconductor wafer W edge exposure process, and is disposed in the process chamber and is disposed within the semiconductor wafer. A plurality of rotary chucks for supporting and rotating the respective Ws, a loader 220 for loading and unloading the semiconductor wafers W onto and from the rotary chucks, respectively, and the upper portion of the loader 220 And an alignment sensor 222 for aligning the semiconductor wafer W, and a furnace for generating light for performing an edge exposure process on one of the wafers W supported on the rotary chucks. It is connected to the mining unit 230, the loader 220 and the first driving unit 228 for moving the loader 220 to a plurality of rotary chuck, and the exposure unit 230 and the furnace The miner 230 into a plurality of rotating chucks A second driving unit 242 for copper.

본 실시예에서는 다수의 회전척을 두 개의 회전척을 사용하여 반도체 웨이퍼(W) 에지 노광 장치를 설명하지만 본 발명에서 상기 회전척의 수량을 한정하지 않는다.In the present embodiment, a semiconductor wafer W edge exposure apparatus is described using a plurality of rotary chucks using two rotary chucks.

회전척(200)은 상부면에 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고, 제1구동축(미도시)에 의해 제1회전 유닛(미도시)과 연결되어 있어 상기 제1회전 유닛을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 이때, 상기 제1회전 유닛으로는 모터 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 회전척(200) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 진공압 또는 정전기력에 의해 상기 회전척(200)의 상부면과 흡착될 수 있다.The rotary chuck 200 supports the semiconductor wafer W on an upper surface thereof, and is connected to a first rotating unit (not shown) by a first driving shaft (not shown), so that the semiconductor wafer is formed using the first rotating unit. (W) can be rotated. In this case, a motor or the like may be used as the first rotating unit. In addition, the semiconductor wafer W supported on the rotary chuck 200 may be adsorbed with the upper surface of the rotary chuck 200 by vacuum pressure or electrostatic force.

도시된 바와 같이 상기 두 개의 회전척들 즉, 제1 및 제2회전척(200,210)은 상기 공정 챔버 중앙에 가상의 직선 상에 일렬로 배치된다. 상기 가상의 직선과 평 행한 방향으로 로더(220)를 구동시키기 위한 제1구동부(228)가 배치되며, 상기 노광부(230)를 구동시키기 위한 제2구동부(242)는 상기 가상의 직선을 기준으로 상기 제1구동부(228)와 마주보며 배치된다.As shown, the two rotary chucks, that is, the first and second rotary chucks 200 and 210 are arranged in a line on an imaginary straight line in the center of the process chamber. The first driver 228 for driving the loader 220 in a direction parallel to the virtual straight line is disposed, and the second driver 242 for driving the exposure unit 230 is based on the virtual straight line. The first driving unit 228 is disposed to face each other.

로더(220)는 외부로부터 이송된 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고, 제1 또는 제2회전척(200, 210) 상으로/으로부터 상기 반도체 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩한다. 상기 로더(220)는 수평 암(224)과, 다수의 리프트 핀(226)들을 포함한다.The loader 220 supports the semiconductor wafer W transferred from the outside, and loads and unloads the semiconductor wafer W onto / from the first or second rotary chucks 200 and 210. The loader 220 includes a horizontal arm 224 and a plurality of lift pins 226.

상기 수평 암은 상기 로더(220)를 수평 및 수직 방향으로 구동시키기 위한 제1구동부(228)와 연결되어 있다. 자세하게 도시되어 있지는 않지만, 제1구동부(228)는 상기 수평 암과 제1구동축(미도시) 및 제2구동축으로 연결되어 있어 상기 제1구동부(228)를 이용하여 상기 로더(220)를 3차원으로 구동시킬 수 있다. 이를 이용하여 상기 로더(220)를 상기 제1 또는 제2회전척(200, 210)으로 이동시키며, 상기 로더(220) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 상기 제1 또는 제2회전척(200, 210) 상으로/으로부터 로딩 및 언로딩할 수 있다.The horizontal arm is connected to the first driving unit 228 for driving the loader 220 in the horizontal and vertical directions. Although not shown in detail, the first driving unit 228 is connected to the horizontal arm, the first driving shaft (not shown), and the second driving shaft, so that the loader 220 is three-dimensionally formed using the first driving unit 228. Can be driven. By using this, the loader 220 is moved to the first or second rotary chucks 200 and 210, and the semiconductor wafer W supported on the loader 220 is moved to the first or second rotary chuck ( 200, 210 may be loaded and unloaded.

한편, 상기 로더(220) 상에는 상기 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행하기 전에 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬하기 위한 정렬 센서(222)가 구비되어 있다.On the other hand, the loader 220 is provided with an alignment sensor 222 for aligning the semiconductor wafer (W) before performing the edge exposure process for the semiconductor wafer (W).

노광부(230)는 상기 제1 또는 제2회전척(200, 210) 상에 상기 정렬 센서(222)에 의해 정렬된 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행한다. 상기 노광부(230)는 광원(미도시)과, 광 가이드 화이버(미도시)와, 광 출사 유닛(미도시)을 포함한다. The exposure unit 230 performs an edge exposure process on the semiconductor wafer W aligned by the alignment sensor 222 on the first or second rotary chucks 200 and 210. The exposure unit 230 includes a light source (not shown), a light guide fiber (not shown), and a light emitting unit (not shown).

상기 노광부(230)는 수평 및 수직 방향으로 구동하기 위하여 제2구동부(242)와 연결되어 있다. 자세하게 도시되어 있지는 않지만, 제2구동부(242)는 상기 노광부(230)와 제3구동축 및 제4구동축(미도시)으로 연결되어 있어 상기 제2구동부(242)를 이용하여 상기 노광부(230)를 3차원으로 구동시킬 수 있다. 이를 이용하여 상기 노광부(230)를 상기 제1 또는 제2회전척(200, 210)으로 이동시키며 상기 제1 또는 제2회전척(200, 210) 상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 에지 노광 공정을 수행할 수 있다.The exposure unit 230 is connected to the second driving unit 242 to drive in the horizontal and vertical directions. Although not shown in detail, the second driving unit 242 is connected to the exposure unit 230 and the third driving shaft and the fourth driving shaft (not shown), so that the exposure unit 230 is formed using the second driving unit 242. ) Can be driven in three dimensions. By using this, the exposure unit 230 is moved to the first or second rotary chucks 200 and 210 and with respect to the semiconductor wafer W supported on the first or second rotary chucks 200 and 210. An edge exposure process can be performed.

상기 제1 및 제2구동부(242)로는 3차원으로 구동이 가능한 직각 좌표 로봇이 사용될 수 있다.As the first and second driving units 242, a rectangular coordinate robot capable of driving in three dimensions may be used.

상기와 같은 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 도 1 내지 도 4에 도시된 반도체 웨이퍼 에지 노광 장치(10)와 관련하여 이미 설명된 것들과 유사하므로 생략하기로 한다.Further details of the above components will be omitted since they are similar to those already described with respect to the semiconductor wafer edge exposure apparatus 10 shown in FIGS. 1 to 4.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키기 위한 회전척을 다수 개 구비하여, 하나의 회전척에서 정렬된 반도체 웨이퍼의 에지 부위에 대하여 노광 공정을 수행하는 동안, 다른 하나의 회전척에서는 다른 반도체 웨이퍼를 정렬한다.As described above, according to a preferred embodiment of the present invention, a plurality of rotational chucks for supporting and rotating the semiconductor wafer are provided, so that the exposure process is performed on the edge portions of the semiconductor wafers aligned at one rotational chuck. In another rotational chuck, another semiconductor wafer is aligned.

이로 인하여 반도체 웨이퍼를 정렬하는 시간을 절약할 수 있으며, 이는 전체적인 반도체 웨이퍼 에지 노광 공정의 시간을 감축할 수 있다.This saves time in aligning the semiconductor wafer, which can reduce the time of the entire semiconductor wafer edge exposure process.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims

A process chamber for providing space for each of the edge exposure processes on the wafers;

A plurality of rotary chucks disposed in the process chamber for supporting and rotating the wafers, respectively;

An exposure unit disposed on one side of the rotary chucks and configured to generate light to perform an edge exposure process on one of the wafers supported on the rotary chucks; And

And a drive unit for generating relative motion between the rotating chucks and the exposure unit such that an edge exposure process for the wafers is alternatively performed.

The plate of claim 1, wherein the driving unit is connected to a plate for supporting the rotary chucks so that the rotary chucks are disposed along an imaginary circle, and connected to a central portion of the plate corresponding to the center of the circle to rotate the plate. Wafer edge exposure apparatus comprising a rotating unit for making.

3. The apparatus of claim 2, further comprising a loader disposed opposite the exposure portion relative to the central portion of the plate and for loading and unloading the wafers onto / from the rotary chucks, The loader,

A plurality of lift pins for supporting the wafer for loading and unloading the wafer onto / from the other one of the rotary chucks while performing an edge exposure process for the wafer supported on one of the rotary chucks ;

A horizontal arm for supporting the lift pins; And

And a vertical drive unit for moving the horizontal arm in the vertical direction.

4. The method of claim 3, wherein alignment of the wafer loaded on the other one of the rotary chucks is performed while performing an edge exposure process on the wafer disposed on the horizontal arm and supported on one of the rotary chucks. Wafer edge exposure apparatus further comprises an alignment sensor for detecting the flat zone.

The wafer edge exposure of claim 1, wherein the plurality of rotation chucks are arranged in a line, and the driving unit is connected to the exposure unit to move the exposure unit in a direction parallel to the direction in which the rotation chucks are arranged. Device.

The apparatus of claim 5, further comprising a loader disposed opposite the exposure portion with respect to the rotary chucks for loading and unloading the wafers onto / from the rotary chucks, respectively, wherein the loader comprises:

A plurality of lift pins for supporting each wafer for loading and unloading the wafers;

A horizontal arm for supporting the lift pins; And

And a three-dimensional driving unit for moving the horizontal arm in the vertical and horizontal directions.

7. The method of claim 6, wherein the alignment of the wafer loaded on the other one of the rotary chucks is performed while performing an edge exposure process on the wafer disposed on the horizontal arm and supported on one of the rotary chucks. Wafer edge exposure apparatus further comprises an alignment sensor for detecting the flat zone.