KR20120116351A - Substrate processing method, recording medium which recorded program for executing substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system - Google Patents

Substrate processing method, recording medium which recorded program for executing substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A wafer processing method, a recording medium for executing the same, a wafer processing apparatus, and a wafer processing system are provided to regularly maintain a width size of an area from which a coating layer is eliminated in a peripheral portion of a wafer without need to install a position determination sensor for each module. CONSTITUTION: A rinse fluid supply part(80) supplies a rinse liquid on a surface of a peripheral portion of a wafer(W) held and supported by a spin chuck(61). A coating film on a location where the rinse liquid is provided is selectively removed. A detection part is installed in a wafer transfer part. A detection part detects the location of the peripheral portion of the wafer when the wafer is transferred by the wafer transfer part in advance. The detection part determines the location of the rinse fluid supply part based on the detected location.

Description

기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM WHICH RECORDED PROGRAM FOR EXECUTING SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate processing method, recording medium recording a program for executing the substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM WHICH RECORDED PROGRAM FOR EXECUTING SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method for processing a substrate, a recording medium on which a program for executing the substrate processing method is recorded, a substrate processing apparatus, and a substrate processing system.

반도체 디바이스나 LCD의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피 기술을 이용함으로써, 반도체 웨이퍼나 글래스 기판 등의 피처리 기판의 표면에 미세한 패턴을 고정밀도이며 또한 고밀도로 형성한다.In the manufacturing process of a semiconductor device and LCD, a fine pattern is formed in the surface of a to-be-processed substrate, such as a semiconductor wafer and a glass substrate, with high precision and high density by using photolithography technique.

예를 들어, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포한 후, 이것을 소정의 패턴으로 노광하고, 다시 현상 처리?에칭 처리함으로써 소정의 회로 패턴을 형성하도록 하고 있다.For example, in manufacture of a semiconductor device, after applying a resist liquid to the surface of a semiconductor wafer, this is exposed to a predetermined pattern, and a predetermined circuit pattern is formed by developing and etching process again.

여기서, 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼에 레지스트액을 도포하기 위한 방법으로서는, 스핀 코팅법이 주로 채용되어 있다. 이 스핀 코팅법은, 웨이퍼의 중심부에 레지스트액을 공급한 후, 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 레지스트액을 원심력에 의해 웨이퍼 전체에 확산시킴으로써, 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 대략 균일한 막 두께의 레지스트막을 형성하는 방법이다.Here, the spin coating method is mainly employed as a method for applying the resist liquid to wafers such as semiconductor wafers. In this spin coating method, after supplying the resist liquid to the center of the wafer, the wafer is rotated at high speed to diffuse the resist liquid throughout the wafer by centrifugal force, thereby forming a resist film having a substantially uniform film thickness over the entire surface of the wafer. That's how.

그러나 이 스핀 코팅법에 따르면, 웨이퍼의 회로 패턴 형성에 기여하지 않는 주변부에도 레지스트막이 형성된다. 주변부에 형성된 레지스트막은, 나중에 파티클의 발생원으로 될 우려가 있다. 이로 인해, 예를 들어 레지스트막을 형성한 웨이퍼의 주변부에 시너 등의 용제로 이루어지는 린스액을 공급하여, 린스액을 공급한 위치의 레지스트막을 선택적으로 제거하는 에지 린스 처리를 행한다(예를 들어 특허 문헌 1 참조).However, according to this spin coating method, a resist film is formed also in the peripheral part which does not contribute to the circuit pattern formation of a wafer. The resist film formed in the periphery may be a source of particle generation later. For this reason, the rinse liquid which consists of solvents, such as thinner, is supplied to the periphery of the wafer in which the resist film was formed, for example, and the edge rinse process which selectively removes the resist film of the position which supplied the rinse liquid is performed (for example, a patent document) 1).

일본 특허 출원 공개 제2001-110712호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-110712

그런데, 상기한 바와 같은 레지스트막 등의 도포막의 에지 린스 처리를 행하는 기판 처리 방법에는, 다음과 같은 문제가 있다.By the way, the board | substrate processing method which performs edge rinse process of coating films, such as a resist film, mentioned above has the following problems.

에지 린스 처리에 있어서, 웨이퍼의 회로 패턴 형성에 기여하지 않는 주변부의 도포막만이 제거되는 것이 바람직하다. 따라서, 도포막이 제거되는 영역의 웨이퍼의 외측 테두리로부터의 폭은, 모든 웨이퍼에 있어서 일정한 것이 바람직하다.In the edge rinse treatment, it is preferable that only the coating film of the peripheral portion that does not contribute to the circuit pattern formation of the wafer is removed. Therefore, it is preferable that the width | variety from the outer edge of the wafer of the area | region to which a coating film is removed is constant in all the wafers.

그러나 웨이퍼의 외경 치수는, 소정의 기준값으로부터 변동되는 경우가 있다. 웨이퍼의 외경 치수가 변동되면, 웨이퍼를 보유 지지하는 스핀 척에 대해, 린스액을 공급하는 린스액 공급 노즐의 상대 위치가 일정해도, 도포막이 제거되는 영역의 웨이퍼의 외측 테두리로부터의 폭이 변동될 우려가 있다.However, the outer diameter dimension of the wafer may vary from a predetermined reference value. If the outer diameter of the wafer varies, even if the relative position of the rinse liquid supply nozzle that supplies the rinse liquid with respect to the spin chuck holding the wafer is constant, the width from the outer edge of the wafer in the region where the coating film is removed may fluctuate. There is.

특허 문헌 1에 개시하는 예에서는, 웨이퍼의 주변부에 린스액을 공급함으로써 도포막을 제거하는 모듈에, 위치 결정용 센서를 설치하고 있다. 그러나 처리 시스템 중에 이러한 모듈이 복수 있을 때에는, 모듈마다 위치 결정용 센서를 설치할 필요가 있다.In the example disclosed in Patent Document 1, a positioning sensor is provided in a module that removes a coating film by supplying a rinse liquid to the periphery of the wafer. However, when there are a plurality of such modules in the processing system, it is necessary to provide a positioning sensor for each module.

또한, 상기한 과제는, 기판의 주변부에 린스액을 공급함으로써 주변부의 도포막을 선택적으로 제거하는 경우에 한정되지 않고, 기판의 주변부를 주변 노광하고, 그 후 현상 처리함으로써 주변부의 도포막을 선택적으로 제거하는 경우에도 공통되는 과제이다.The above problem is not limited to the case where the coating film of the peripheral part is selectively removed by supplying the rinse liquid to the peripheral part of the substrate, and the peripheral coating of the substrate is subjected to peripheral exposure, and then the development treatment is performed to selectively remove the coating film of the peripheral part. This is a common problem.

본 발명은 상기한 점에 비추어 이루어진 것이며, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 기판마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 기판의 주변부에 있어서의 도포막을 제거하는 영역의 폭 치수를 일정하게 할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention has been made in view of the above, and it is not necessary to provide a positioning sensor for each module, and even if the outer diameter dimension varies for each substrate, the width dimension of the area for removing the coating film in the periphery of the substrate can be made constant. Provided are a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 다음에 서술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 하는 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention is characterized by taking each means described next.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 기판 처리 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, in a state in which a substrate having a coating film formed thereon is rotated, the rinse liquid is supplied to the surface of the periphery of the substrate by the rinse liquid supplying portion, thereby selectively coating the coating film at the position where the rinse liquid is supplied. In the substrate processing method of removing, when conveying the said board | substrate by the board | substrate conveyance part previously, the position of the periphery of the said board | substrate is detected by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part, and the said peripheral part based on the detected position A substrate processing method is provided for determining the position of the rinse liquid supply unit when supplying a rinse liquid to the surface of the substrate.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포액이 공급된 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하고, 상기 표면에 도포막이 형성된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 기판 처리 방법이 제공된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, by rotating the substrate supplied with the coating liquid on the surface, to form a coating film on the surface of the substrate, while rotating the substrate with the coating film formed on the surface, the substrate In the substrate processing method of selectively removing the coating film of the position which supplied the rinse liquid by supplying the rinse liquid by the rinse liquid supply part to the surface of the periphery of the said board | substrate, When conveying the said board | substrate by the board | substrate conveyance part previously, The substrate processing method which detects the position of the peripheral part of the said board | substrate by the detection part provided in a conveyance part, and determines the position of the said rinse liquid supply part at the time of supplying a rinse liquid to the surface of the said peripheral part based on the detected position. Is provided.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는 기판 처리 방법이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, a substrate having a coating film formed on a surface thereof is held in a substrate holding portion, and a peripheral furnace of the substrate is rotated while the substrate held by the substrate holding portion is rotated. In the substrate processing method of exposing by a light part, when conveying the said board | substrate by the board | substrate conveyance part previously, the position of the peripheral part of the said board | substrate is detected by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part, and based on the detected position And a substrate processing method for determining a relative position of the peripheral exposure portion with respect to the substrate holding portion when exposing the peripheral portion.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, 표면에 도포막이 형성된 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 린스액 공급부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하고, 결정한 상기 위치로, 상기 이동부에 의해 상기 린스액 공급부를 이동시키도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, by supplying the rinse liquid to the surface of the peripheral portion of the substrate in a state in which the substrate with the coating film formed on the surface, to selectively remove the coating film at the position to supply the rinse liquid A substrate processing apparatus comprising: a substrate holding portion holding a substrate having a coating film formed on a surface thereof, a rotating portion rotating the substrate held on the substrate holding portion, and a peripheral portion of the substrate held on the substrate holding portion. A rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid to a surface, a moving unit for moving the rinse liquid supply unit, a control unit for controlling the substrate holding unit, the rotating unit, the rinse liquid supply unit and the moving unit, and the control unit includes: When conveying a board | substrate by a board | substrate conveyance part previously, the said board | substrate is detected by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part. The position of the peripheral portion is detected, and the position of the rinse liquid supply portion when supplying the rinse liquid to the surface of the peripheral portion is determined based on the detected position, and the rinse liquid is supplied by the moving unit to the determined position. A substrate processing apparatus for controlling to move a portion is provided.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포액이 공급된 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하고, 상기 표면에 도포막이 형성된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 도포액 공급부와 상기 린스액 공급부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하고, 결정한 상기 위치로, 상기 이동부에 의해 상기 린스액 공급부를 이동시키도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, by rotating the substrate supplied with the coating liquid on the surface, to form a coating film on the surface of the substrate, while rotating the substrate with the coating film formed on the surface, the substrate A substrate processing apparatus for selectively removing a coating film at a position at which a rinse liquid is supplied by supplying a rinse liquid to a surface of a peripheral portion of the substrate, the substrate holding portion holding a substrate and the substrate held on the substrate holding portion. A rotator for supplying a rinse liquid to a rotating part for rotating the swivel, a coating liquid supply part for supplying a coating liquid to a surface of the substrate held by the substrate holding part, and a surface of a peripheral portion of the substrate held in the substrate holding part. A liquid supply part, a moving part for moving the rinse liquid supply part, the substrate holding part, the rotating part, and the coating liquid It has a control part which controls a supply part, the said rinse liquid supply part, and the said moving part, The said control part sets the position of the peripheral part of the said board | substrate by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part, when conveying the said board | substrate in advance. Based on the detected position, the position of the rinse liquid supply unit at the time of supplying the rinse liquid to the surface of the peripheral portion is determined, and the moving unit moves the rinse liquid supply unit to the determined position. A substrate processing apparatus for controlling is provided.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 노광하는 기판 처리 장치에 있어서, 표면에 도포막이 형성된 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광부와, 상기 기판 보유 지지부 및 상기 주변 노광부 중 어느 한쪽을 다른 쪽에 대해 이동시키는 이동부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 주변 노광부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하고, 결정한 상기 상대 위치로 되도록, 상기 이동부에 의해 상기 기판 보유 지지부 또는 상기 주변 노광부를 이동시키도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, in the substrate processing apparatus for exposing the peripheral portion of the substrate in a state in which the substrate with the coating film formed on the surface, the substrate holding portion for holding the substrate with the coating film formed on the surface Any one of a rotation portion for rotating the substrate held by the substrate holding portion, a peripheral exposure portion for exposing a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding portion, and the substrate holding portion and the peripheral exposure portion. And a control unit for controlling the moving unit with respect to the other side, the substrate holding unit, the rotating unit, the peripheral exposure unit, and the moving unit, and the control unit is configured to transfer the substrate in advance by the substrate transfer unit. The position detected by detecting the position of the periphery of the substrate by the detection unit provided in the substrate transfer unit The relative position of the peripheral exposure portion with respect to the substrate holding portion at the time of exposing the peripheral portion is determined, and the substrate holding portion or the peripheral exposure portion is moved by the moving portion so as to be the determined relative position. The substrate processing apparatus which controls so that it may be provided is provided.

본 발명에 따르면, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 기판마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 기판의 주변부에 있어서의 도포막을 제거하는 영역의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.According to the present invention, it is not necessary to provide a positioning sensor for each module, and even if the outer diameter dimension varies for each substrate, the width dimension of the area for removing the coating film in the peripheral portion of the substrate can be made constant.

도 1은 제1 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 개략 사시도.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 측면도.
도 4는 제3 블록의 구성을 도시하는 사시도.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 반송 아암을 도시하는 사시도.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 반송 아암을 도시하는 평면도 및 측면도.
도 7은 제1 실시 형태에 관한 반송 아암의 포크를 확대하여 도시하는 평면도.
도 8은 검출부 및 제어부의 구성을 도시하는 블록도.
도 9는 도포 모듈의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 10은 도포 모듈의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 11은 제어부를 제3 블록에 있어서의 반송 아암 및 도포 모듈과 함께 도시하는 구성도.
도 12는 웨이퍼를 전달할 때의 도포 모듈과 반송 아암의 상태를 도시하는 도면.
도 13은 리니어 이미지 센서의 화소 번호와 수광량의 관계를 모식적으로 나타내는 그래프.
도 14는 리니어 이미지 센서에 의해 웨이퍼의 주변부의 위치를 검출할 때의, 리니어 이미지 센서 및 웨이퍼를 도시하는 평면도.
도 15는 도포 모듈을 사용하여 행하는 각 공정에 있어서의 웨이퍼의 표면의 상태를 도시하는 도면.
도 16은 제거 모듈의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 17은 제거 모듈의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 18은 주변 노광 모듈의 일부 단면을 포함하는 측면도.
도 19는 웨이퍼가 주변 노광 모듈에 의해 주변 노광되는 모습을 도시하는 도면.
도 20은 주변 노광 모듈에 의해 주변 노광이 행해질 때의 웨이퍼의 표면의 상태를 도시하는 도면.1 is a plan view illustrating a configuration of a resist pattern forming apparatus according to a first embodiment.
2 is a schematic perspective view showing a configuration of a resist pattern forming apparatus according to a first embodiment.
3 is a side view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to a first embodiment.
4 is a perspective view illustrating a configuration of a third block.
5 is a perspective view illustrating a transport arm according to the first embodiment.
6 is a plan view and a side view of the transport arm according to the first embodiment.
The top view which expands and shows the fork of the conveyance arm which concerns on 1st Embodiment.
8 is a block diagram showing the configuration of a detector and a controller.
9 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of an application module.
10 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of an application module.
FIG. 11 is a configuration diagram showing the control unit together with the transfer arm and the application module in the third block. FIG.
12 is a diagram illustrating a state of an application module and a transfer arm when transferring a wafer.
13 is a graph schematically showing a relationship between a pixel number and a light receiving amount of a linear image sensor.
14 is a plan view showing a linear image sensor and a wafer when detecting the position of the periphery of the wafer by the linear image sensor;
FIG. 15 is a diagram showing a state of the surface of a wafer in each step performed using the coating module. FIG.
16 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of the removal module.
17 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the removal module.
18 is a side view including a partial cross section of a peripheral exposure module.
19 is a diagram illustrating a state in which a wafer is exposed by the peripheral exposure module.
20 is a diagram illustrating a state of a surface of a wafer when peripheral exposure is performed by the peripheral exposure module.

이하, 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템을, 도포 현상 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case where the substrate processing system provided with the substrate processing apparatus which concerns on this invention is applied to an application | coating development apparatus is demonstrated as an example.

(제1 실시 형태)(1st embodiment)

우선, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 여기서는, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템을 도포 현상 장치에 적용하고, 또한 그 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치에 대해 설명한다.First, the substrate processing apparatus and substrate processing method which concern on 1st Embodiment of this invention are demonstrated. Here, the resist pattern forming apparatus which applies the substrate processing system provided with the substrate processing apparatus which concerns on this embodiment to the coating | coating developing apparatus, and connected the exposure apparatus to this coating | coating developing apparatus is demonstrated.

도 1은 본 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는 본 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 개략 사시도이다. 도 3은 본 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 측면도이다. 도 4는 제3 블록(COT층)(B3)의 구성을 도시하는 사시도이다.1 is a plan view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. 3 is a side view showing the configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. 4 is a perspective view illustrating a configuration of a third block (COT layer) B3.

레지스트 패턴 형성 장치는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3)을 갖는다. 또한, 레지스트 패턴 형성 장치의 인터페이스 블록(S3)측에, 노광 장치(S4)가 설치되어 있다. 처리 블록(S2)은, 캐리어 블록(S1)에 인접하도록 설치되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은, 처리 블록(S2)의 캐리어 블록(S1)측과 반대측에, 처리 블록(S2)에 인접하도록 설치되어 있다. 노광 장치(S4)는, 인터페이스 블록(S3)의 처리 블록(S2)측과 반대측에, 인터페이스 블록(S3)에 인접하도록 설치되어 있다.1 and 2, the resist pattern forming apparatus includes a carrier block S1, a processing block S2, and an interface block S3. Moreover, the exposure apparatus S4 is provided in the interface block S3 side of a resist pattern forming apparatus. Processing block S2 is provided adjacent to carrier block S1. The interface block S3 is provided on the side opposite to the carrier block S1 side of the processing block S2 so as to be adjacent to the processing block S2. The exposure apparatus S4 is provided on the side opposite to the processing block S2 side of the interface block S3 so as to be adjacent to the interface block S3.

캐리어 블록(S1)은, 캐리어(20), 적재대(21) 및 전달 수단(C)을 갖는다. 캐리어(20)는, 적재대(21) 상에 적재되어 있다. 전달 수단(C)은, 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 처리 블록(S2)에 전달하는 동시에, 처리 블록(S2)에 있어서 처리된 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여, 캐리어(20)로 복귀시키기 위한 것이다.The carrier block S1 has a carrier 20, a mounting table 21, and a delivery means C. The carrier 20 is mounted on the mounting table 21. The transfer means C takes out the wafer W from the carrier 20, transfers the wafer W to the processing block S2, and receives the processed wafer W processed in the processing block S2, thereby carrying the carrier. To return to (20).

처리 블록(S2)은, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛(U1), 선반 유닛(U2), 제1 블록(DEV층)(B1), 제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3), 제4 블록(TCT층)(B4)을 갖는다. 제1 블록(DEV층)(B1)은, 현상 처리를 행하기 위한 것이다. 제2 블록(BCT층)(B2)은, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다. 제3 블록(COT층)(B3)은, 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 것이다. 제4 블록(TCT층)(B4)은, 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다.1 and 2, the processing block S2 is a shelf unit U1, a shelf unit U2, a first block (DEV layer) B1, a second block (BCT layer) (B2). ), A third block (COT layer) B3, and a fourth block (TCT layer) B4. The first block (DEV layer) B1 is for performing development processing. The 2nd block (BCT layer) B2 is for performing the formation process of the antireflection film formed in the lower layer side of a resist film. The third block (COT layer) B3 is for applying a resist liquid. The fourth block (TCT layer) B4 is for performing a process of forming an antireflection film formed on the upper layer side of the resist film.

선반 유닛(U1)은, 각종 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U1)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 하방으로부터 차례로 적층된 전달 모듈(TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, TRS4)을 갖는다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛(U1)의 근방에는, 승강 가능한 전달 아암(D)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1)의 각 처리 모듈끼리의 사이에서는, 전달 아암(D)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.The shelf unit U1 is configured by stacking various modules. The shelf unit U1 has the transfer modules TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, and TRS4 laminated | stacked sequentially from the bottom, for example as shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 1, the transfer arm D which can be elevated is provided in the vicinity of the shelf unit U1. Between each processing module of the shelf unit U1, the wafer W is conveyed by the transfer arm D. As shown in FIG.

선반 유닛(U2)은, 각종 처리 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U2)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 하방으로부터 차례로 적층된 전달 모듈(TRS6, TRS6, CPL12)을 갖는다.The shelf unit U2 is configured by stacking various processing modules. The shelf unit U2 has the transfer modules TRS6, TRS6, and CPL12 laminated | stacked sequentially, for example from below, as shown in FIG.

또한, 도 3에 있어서, CPL이 부여되어 있는 전달 모듈은, 온도 조절용 냉각 모듈을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 모듈은, 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 모듈을 겸하고 있다.In addition, in FIG. 3, the delivery module provided with CPL serves as a cooling module for temperature regulation, and the delivery module provided with BF serves as a buffer module which can load several sheets W. As shown in FIG.

제1 블록(DEV층)(B1)은, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 현상 모듈(22), 반송 아암(A1) 및 셔틀 아암(E)을 갖는다. 현상 모듈(22)은, 1개의 제1 블록(DEV층)(B1) 내에, 상하 2단으로 적층되어 있다. 반송 아암(A1)은, 2단의 현상 모듈(22)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 것이다. 즉, 반송 아암(A1)은, 2단의 현상 모듈(22)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이 공통화되어 있는 것이다. 셔틀 아암(E)은, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL11)로부터 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 것이다.As shown in FIGS. 1 and 3, the first block (DEV layer) B1 includes a developing module 22, a transport arm A1, and a shuttle arm E. FIG. The developing module 22 is stacked in two upper and lower stages in one first block (DEV layer) B1. The conveying arm A1 is for conveying the wafer W to the two-stage developing module 22. That is, in the conveyance arm A1, the conveyance arm which conveys the wafer W to the two-stage developing module 22 is common. The shuttle arm E is for directly conveying the wafer W from the transfer module CPL11 of the shelf unit U1 to the transfer module CPL12 of the shelf unit U2.

제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3) 및 제4 블록(TCT층)(B4)은, 각각 도포 모듈, 가열?냉각계의 처리 모듈군 및 반송 아암(A2, A3, A4)을 갖는다. 처리 모듈군은, 도포 모듈에 있어서 행해지는 처리인 전처리 및 후처리를 행하기 위한 것이다. 반송 아암(A2, A3, A4)은, 도포 모듈과 처리 모듈군 사이에 설치되어 있고, 도포 모듈 및 처리 모듈군의 각 처리 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.The 2nd block (BCT layer) B2, the 3rd block (COT layer) B3, and the 4th block (TCT layer) B4 are the coating module, the processing module group of a heating and cooling system, and a conveyance arm ( A2, A3, A4). The processing module group is for performing pretreatment and post-treatment, which are processes performed in the coating module. The transfer arms A2, A3, and A4 are provided between the coating module and the processing module group, and transfer the wafer W between the coating module and each processing module of the processing module group.

제2 블록(BCT층)(B2)으로부터 제4 블록(TCT층)(B4)의 각 블록은, 제2 블록(BCT층)(B2) 및 제4 블록(TCT층)(B4)에 있어서의 약액이 반사 방지막용 약액이고, 제3 블록(COT층)(B3)에 있어서의 약액이 레지스트액인 것을 제외하고, 마찬가지의 구성을 갖는다.Each block of the fourth block (TCT layer) B4 from the second block (BCT layer) B2 is the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (TCT layer) B4. The chemical liquid has the same constitution except that the chemical liquid is an antireflection film chemical liquid and the chemical liquid in the third block (COT layer) B3 is a resist liquid.

또한, 반송 아암(A1 내지 A4)은, 본 발명에 있어서의 기판 반송부에 상당하는 것이며, 반송 아암(A1 내지 A4)의 구성에 대해서는 후술한다.In addition, conveyance arm A1-A4 is corresponded to the board | substrate conveyance part in this invention, and the structure of conveyance arms A1-A4 is mentioned later.

또한, 전달 수단(C), 전달 아암(D) 및 후술하는 인터페이스 아암(F)도, 본 발명에 있어서의 기판 반송부에 상당하는 것이다. 이하에서는, 기판 반송부로서, 반송 아암(A1 내지 A4), 전달 수단(C), 전달 아암(D) 및 후술하는 인터페이스 아암(F)을 대표하여, 반송 아암(A1 내지 A4)에 대해 설명하는 것으로 한다.In addition, the delivery means C, the delivery arm D, and the interface arm F mentioned later also correspond to the board | substrate conveyance part in this invention. Hereinafter, the transfer arms A1 to A4 will be described as representative of the transfer arms A1 to A4, the transfer means C, the transfer arm D, and the interface arm F to be described later. Shall be.

또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(A1)에는, 후술하는 검출부(5)를 지지하는 지지 부재(53)가 설치되어 있다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 전달 수단(C), 전달 아암(D) 및 후술하는 인터페이스 아암(F)에도, 후술하는 검출부(5)를 지지하는 지지 부재(53)가 설치되어 있어도 된다.In addition, as shown in FIG. 1, the support arm 53 which supports the detection part 5 mentioned later is provided in the conveyance arm A1. In addition, as shown in FIG. 1, the support member 53 which supports the detection part 5 mentioned later may be provided also in the transmission means C, the delivery arm D, and the interface arm F mentioned later. .

여기서, 도 4를 참조하여, 제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3) 및 제4 블록(TCT층)(B4)을 대표하여, 제3 블록(COT층)(B3)의 구성을 설명한다.Here, referring to FIG. 4, the third block (COT layer) is representative of the second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer) B4. The configuration of B3 will be described.

제3 블록(COT층)(B3)은, 도포 모듈(23), 선반 유닛(U3) 및 반송 아암(A3)을 갖는다. 선반 유닛(U3)은, 가열 모듈, 냉각 모듈 등의 열처리 모듈군을 구성하도록 적층된 복수의 처리 모듈을 갖는다. 선반 유닛(U3)은, 도포 모듈(23)과 대향하도록 배열되어 있다. 반송 아암(A3)은, 도포 모듈(23)과 선반 유닛(U3) 사이에 설치되어 있다. 도 4 중 부호 24는, 각 처리 모듈과 반송 아암(A3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구이다.The 3rd block (COT layer) B3 has the application | coating module 23, the shelf unit U3, and the conveyance arm A3. The shelf unit U3 has several processing module laminated | stacked so that the heat processing module group, such as a heating module and a cooling module, may be comprised. The shelf unit U3 is arrange | positioned so that the application | coating module 23 may be opposed. The conveying arm A3 is provided between the application module 23 and the shelf unit U3. In FIG. 4, the code | symbol 24 is a conveyance port for delivering the wafer W between each process module and conveyance arm A3.

인터페이스 블록(S3)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 아암(F)을 갖는다. 인터페이스 아암(F)은, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U2)의 근방에 설치되어 있다. 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈끼리의 사이 및 노광 장치(S4)와의 사이에서는, 인터페이스 아암(F)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.The interface block S3 has the interface arm F, as shown in FIG. The interface arm F is provided in the vicinity of the shelf unit U2 of the processing block S2. The wafer W is conveyed by the interface arm F between the processing modules of the shelf unit U2 and between the exposure apparatus S4.

캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는, 선반 유닛(U1) 중 하나의 전달 모듈, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)에 대응하는 전달 모듈(CPL2)로, 전달 수단(C)에 의해 순차 반송된다. 전달 모듈(CPL2)로 반송된 웨이퍼(W)는, 제2 블록(BCT층)(B2)의 반송 아암(A2)에 전달되고, 반송 아암(A2)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열?냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다.The wafer W from the carrier block S1 is a transfer module CPL2 corresponding to one transfer module of the shelf unit U1, for example, the second block (BCT layer) B2, and transfer means ( It is conveyed by C) sequentially. The wafer W transferred to the transfer module CPL2 is transferred to the transfer arm A2 of the second block (BCT layer) B2, and is each processing module (coating module and heating?) Through the transfer arm A2. Each processing module of the processing module group of the cooling system), and the processing is performed in each processing module. As a result, an antireflection film is formed on the wafer (W).

반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A2), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF2), 전달 아암(D), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL3)을 통해, 제3 블록(COT층)(B3)의 반송 아암(A3)에 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열?냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.The wafer W on which the anti-reflection film is formed is third through the transfer arm A2, the transfer module BF2 of the shelf unit U1, the transfer arm D, and the transfer module CPL3 of the shelf unit U1. The transfer arm A3 is transferred to a block (COT layer) B3. And the wafer W is conveyed to each processing module (each processing module of the processing module group of a coating module and a heating / cooling system) through the conveyance arm A3, and a process is performed by each processing module. As a result, a resist film is formed on the wafer (W).

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)을 통해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF3)로 전달된다.The wafer W on which the resist film is formed is transferred to the transfer module BF3 of the shelf unit U1 via the transfer arm A3.

또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT층)(B4)에 있어서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우는, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)을 통해, 제4 블록(TCT층)(B4)의 반송 아암(A4)으로 전달되고, 반송 아암(A4)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열?냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다. 그리고 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4)을 통해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS4)로 전달된다.In the wafer W on which the resist film is formed, an antireflection film may be further formed in the fourth block (TCT layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 of the fourth block (TCT layer) B4 via the transfer module CPL4 and each processing module (application module) through the transfer arm A4. And each processing module of the processing module group of the heating and cooling system), and the processing is performed in each processing module. As a result, an antireflection film is formed on the wafer (W). And the wafer W in which the antireflection film was formed is transmitted to the transfer module TRS4 of the shelf unit U1 via the conveyance arm A4.

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W) 또는 레지스트막 상에 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D), 전달 모듈(BF3, TRS4)을 통해 전달 모듈(CPL11)에 전달된다. 전달 모듈(CPL11)에 전달된 웨이퍼(W)는, 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)에 직접 반송된 후, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스 아암(F)에 전달된다.The wafer W on which the resist film is formed or the wafer W on which the anti-reflection film is further formed on the resist film is transferred to the transfer module CPL11 through the transfer arms D and the transfer modules BF3 and TRS4. The wafer W transferred to the transfer module CPL11 is directly conveyed to the transfer module CPL12 of the shelf unit U2 by the shuttle arm E, and then to the interface arm F of the interface block S3. Delivered.

인터페이스 아암(F)에 전달된 웨이퍼(W)는, 노광 장치(S4)로 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진다. 소정의 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(F)을 통해, 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS6)에 적재되어, 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 처리 블록(S2)으로 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)에 있어서 현상 처리가 행해진다. 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A1), 선반 유닛(U1) 중 어느 하나의 전달 모듈(TRS1), 전달 수단(C)을 통해 캐리어(20)로 복귀된다.The wafer W delivered to the interface arm F is conveyed to the exposure apparatus S4, and a predetermined exposure process is performed. The wafer W subjected to the predetermined exposure process is loaded on the transfer module TRS6 of the shelf unit U2 via the interface arm F and returned to the processing block S2. The wafer W returned to the processing block S2 is subjected to development in the first block (DEV layer) B1. The wafer W subjected to the developing treatment is returned to the carrier 20 via the transfer module TRS1 of any one of the transfer arm A1 and the shelf unit U1 and the transfer means C.

다음에, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명에 있어서의 기판 반송부인 반송 아암(A1 내지 A4)에 대해 설명한다. 반송 아암(A1 내지 A4)은 마찬가지로 구성되어 있으므로, 제3 블록(COT층)(B3)에 설치된 반송 아암(A3)을 대표하여 설명한다. 도 5는 반송 아암(A3)을 도시하는 사시도이다. 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 반송 아암(A3)을 도시하는 평면도 및 측면도이다.Next, with reference to FIGS. 4-6, the conveyance arms A1-A4 which are the board | substrate conveyance part in this invention are demonstrated. Since the transfer arms A1 to A4 are similarly configured, the transfer arms A3 provided in the third block (COT layer) B3 will be described on a representative basis. 5 is a perspective view illustrating the transport arm A3. FIG.6 (a) and FIG.6 (b) are the top view and side view which show conveyance arm A3.

도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(A3)은, 2매의 포크[3(3A, 3B)], 베이스(31), 회전 기구(32), 진퇴 기구(33A, 33B), 승강대(34), 검출부[5(5A 내지 5D)]를 갖는다. 또한, 반송 아암(A3)은, 제어부(9)에 의해 제어된다. 제어부(9)에 대해서는, 후술하는 도 8 및 도 9를 이용하여 설명한다.As shown in FIGS. 4 to 6, the transfer arm A3 includes two forks 3 (3A, 3B), a base 31, a rotation mechanism 32, a retraction mechanism 33A, 33B, And a lift table 34 and detection units 5 (5A to 5D). In addition, the conveyance arm A3 is controlled by the control part 9. The control part 9 is demonstrated using FIG. 8 and FIG. 9 mentioned later.

2매의 포크(3A, 3B)는, 상하로 겹쳐지도록 설치되어 있다. 베이스(31)는, 회전 기구(32)에 의해, 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 또한, 포크(3A, 3B)는, 각각 그 기단부측이 각각 진퇴 기구(33A, 33B)에 지지되어 있고, 진퇴 기구(33A, 33B)에 의해 베이스(31)로부터 진퇴 가능하게 설치되어 있다.Two forks 3A and 3B are provided so as to overlap up and down. The base 31 is rotatably installed around the vertical axis by the rotation mechanism 32. In addition, fork 3A, 3B is respectively supported by the advance mechanism 33A, 33B at the base end side, respectively, and is provided so that advance and retreat from the base 31 by the advance mechanism 33A, 33B.

또한, 포크[3(3A, 3B)]는, 본 발명에 있어서의 보유 지지부에 상당한다. 또한, 본 실시 형태는, 2매의 포크(3A, 3B)는 상하로 겹쳐지도록 설치되어 있는 예에 한정되는 것은 아니며, 2매의 포크(3A, 3B)가 수평 방향으로 나란히 설치되어 있어도 된다.In addition, the fork 3 (3A, 3B) is corresponded to the holding part in this invention. In addition, this embodiment is not limited to the example provided so that two forks 3A and 3B may overlap up and down, Two forks 3A and 3B may be provided side by side in the horizontal direction.

또한, 포크(3)는 1매뿐이어도 되고, 혹은 3매 이상이 상하로 겹쳐지도록, 또는 수평 방향으로 나란히 설치되어 있어도 된다.In addition, only one piece of the fork 3 may be provided, or may be provided so that three or more pieces may overlap up and down, or may be provided side by side in the horizontal direction.

진퇴 기구(33A, 33B)는, 베이스(31) 내부에 설치된 구동 기구인, 후술하는 도 11에 도시하는 모터(M)에, 타이밍 벨트 등의 전달 기구를 사용하여 연결되어 있고, 베이스(31)로부터 진퇴 가능하게 설치된 포크(3A, 3B)를 진퇴 구동한다. 전달 기구로서는, 볼 나사 기구나 타이밍 벨트를 사용한 기구 등, 주지의 구성을 이용할 수 있다.The advance mechanisms 33A and 33B are connected to a motor M shown in FIG. 11 described later, which is a drive mechanism provided inside the base 31, using a transmission mechanism such as a timing belt, and the base 31. The forks 3A and 3B provided to be able to move forward and backward are driven forward and backward. As a transmission mechanism, well-known structures, such as a mechanism using a ball screw mechanism and a timing belt, can be used.

또한, 후술하는 도 11에는, 베이스(31)의 하방측에 진퇴 기구(33A)의 구동 기구(33)를 도시하고 있다. 진퇴 기구(33A)는, 베이스(31) 내부에 설치된 구동 기구(33)를 모터(M)에 의해 회전시킴으로써, 포크(3A, 3B)를 베이스(31)로부터 진퇴 구동하도록 구성되어 있다. 모터(M)는, 인코더(38)에 접속되어 있다. 도 11 중 부호 39는, 인코더(38)의 펄스수를 카운트하는 카운터이다.In addition, in FIG. 11 mentioned later, the drive mechanism 33 of the advance mechanism 33A is shown below the base 31. As shown in FIG. The advance mechanism 33A is configured to drive the forks 3A and 3B forward and backward from the base 31 by rotating the drive mechanism 33 provided in the base 31 by the motor M. As shown in FIG. The motor M is connected to the encoder 38. Reference numeral 39 in FIG. 11 denotes a counter that counts the number of pulses of the encoder 38.

승강대(34)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 회전 기구(32)의 하방측에 설치되어 있다. 승강대(34)는, 상하 방향(도 4 중 Z축 방향)으로 직선 형상으로 연장되는 도시하지 않은 Z축 가이드 레일을 따라, 승강 기구에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 승강 기구로서는, 볼 나사 기구나 타이밍 벨트를 사용한 기구 등, 주지의 구성을 사용할 수 있다. 이 예에서는 Z축 가이드 레일 및 승강 기구는 각각 커버체(35)에 의해 덮여 있고, 예를 들어 상부측에 있어서 접속되어 일체로 되어 있다. 또한 커버체(35)는, Y축 방향으로 직선 형상으로 신장되는 Y축 가이드 레일(36)을 따라 미끄럼 이동하도록 구성되어 있다.The lifting table 34 is provided below the rotating mechanism 32, as shown in FIG. The lifting platform 34 is provided by the lifting mechanism so that the lifting platform 34 can move up and down along a Z-axis guide rail (not shown) that extends linearly in the vertical direction (Z-axis direction in FIG. 4). As a lifting mechanism, well-known structures, such as a mechanism using a ball screw mechanism and a timing belt, can be used. In this example, the Z-axis guide rail and the lifting mechanism are respectively covered by the cover 35, and are connected and integrated on the upper side, for example. Moreover, the cover body 35 is comprised so that it may slide along the Y-axis guide rail 36 extended linearly in a Y-axis direction.

다음에, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 포크(3), 검출부(5)에 대해 설명한다. 도 7은 포크(3A)를 확대하여 도시하는 평면도이다. 도 7에서는, 도시를 용이하게 하기 위해, 포크(3A)에 대해, 보유 지지 갈고리[4(4A 내지4D)]를 약간 확대하여 도시하고 있다. 도 8은 검출부(5) 및 제어부(9)의 구성을 도시하는 블록도이다. 도 8에 있어서의 제어부(9)는, 후술하는 도 11을 사용하여 설명하는 제어부(9)와 동일하다.Next, the fork 3 and the detector 5 will be described with reference to FIGS. 5 to 8. 7 is an enlarged plan view of the fork 3A. In FIG. 7, the holding | maintenance claws 4 (4A-4D) are enlarged slightly with respect to the fork 3A, and are shown for ease of illustration. 8 is a block diagram showing the configuration of the detection unit 5 and the control unit 9. The control part 9 in FIG. 8 is the same as the control part 9 demonstrated using FIG. 11 mentioned later.

도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이, 포크(3A, 3B)는 원호 형상으로 형성되어, 반송하는 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있다. 또한, 포크(3A, 3B)에는, 각각 보유 지지 갈고리(4)가 형성되어 있다. 보유 지지 갈고리(4)는, 포크(3A, 3B)의 내측 테두리로부터 각각 내측으로 돌출되는 동시에, 내측 테두리를 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 주변부가 적재됨으로써 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 것이다. 보유 지지 갈고리(4)는, 3개 이상이 설치된다. 도 5 및 도 6에 도시하는 예에서는, 웨이퍼(W)의 주변부의 4개소를 보유 지지하기 위해, 4개의 보유 지지 갈고리(4A, 4B, 4C, 4D)가 설치되어 있다.As shown in FIGS. 5-7, forks 3A and 3B are formed in circular arc shape, and are provided so that the circumference | surroundings of the wafer W to convey may be enclosed. Moreover, the holding | maintenance claws 4 are formed in the fork 3A, 3B, respectively. The holding claws 4 protrude inwardly from the inner edges of the forks 3A and 3B, and are provided at intervals along the inner edges, and the wafer W is loaded by the peripheral portion of the wafer W. To support it. Three or more holding hooks 4 are provided. In the example shown to FIG. 5 and FIG. 6, in order to hold four places of the peripheral part of the wafer W, four holding | maintenance hooks 4A, 4B, 4C, and 4D are provided.

도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)의 각각에는, 진공 흡착부(41A 내지 41D)가 설치되어 있다. 진공 흡착부(41A 내지 41D)는, 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 웨이퍼(W)의 주변부가 적재되었을 때에, 웨이퍼(W)의 주변부를 진공 흡착함으로써, 웨이퍼(W)를 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 보유 지지하는 것이다. 또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 진공 흡착부(41A 내지 41D)는, 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 형성된 흡착 구멍(42A 내지 42D)을 갖는다. 흡착 구멍(42A 내지 42D)은, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 포크(3A, 3B)의 내부, 상면 또는 하면에 형성된 진공 배관(43A, 43B)과 연통되어 있고, 진공 배관(43A, 43B)을 통해 도시하지 않은 진공 배기부에 접속되어 있다. 이러한 구성을 가짐으로써, 진공 흡착부(41A 내지 41D)는, 웨이퍼(W)를 진공 흡착할 수 있다.As shown in FIGS. 5-7, the vacuum suction parts 41A-41D are provided in each of the holding claws 4A-4D. The vacuum suction portions 41A to 41D hold the wafer W by vacuum suction of the peripheral portion of the wafer W when the peripheral portion of the wafer W is loaded on the holding hooks 4A to 4D. 4A to 4D). In addition, as shown in FIG. 7, the vacuum adsorption parts 41A-41D have the adsorption holes 42A-42D formed in the holding hooks 4A-4D. As shown in FIG. 6A, the suction holes 42A to 42D communicate with the vacuum pipes 43A and 43B formed on the inside, the upper surface, or the lower surface of the forks 3A, 3B. 43A and 43B are connected to a vacuum exhaust unit not shown. By having such a structure, the vacuum adsorption parts 41A-41D can vacuum-adsorb the wafer W. As shown in FIG.

본 실시 형태에 관한 포크(3A, 3B)는, 진공 흡착부(41A 내지 41D)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 보유 지지한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주변부의 수평 위치를 위치 결정할 수 있도록, 포크(3A, 3B)에, 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 가이드를 설치하고, 가이드의 내측을 경사지게 하여, 웨이퍼(W)를 포크(3A, 3B)의 소정 위치로 낙하시키는 낙하 기구를 가질 필요가 없다. 따라서, 레지스트막 등의 도포막이 도포 처리된 웨이퍼(W)를 적재할 때에, 웨이퍼(W)의 외주에 도포되어 있는 도포막이 가이드와 접촉하여 박리되어, 파티클을 발생시킬 우려는 없다.The forks 3A and 3B according to the present embodiment hold the wafer W on the holding hooks 4A to 4D by the vacuum suction portions 41A to 41D. Therefore, in order to position the horizontal position of the periphery of the wafer W, the guide is provided in the forks 3A and 3B so as to surround the wafer W, and the inside of the guide is inclined, so that the wafer W It is not necessary to have a dropping mechanism for dropping the to a predetermined position of the forks 3A and 3B. Therefore, when loading the wafer W to which the coating film, such as a resist film, was apply | coated, the coating film apply | coated on the outer periphery of the wafer W will come in contact with a guide, and there is no possibility of generating particle | grains.

또한, 후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있으므로, 포크(3A, 3B)는 낙하 기구 대신에 단순히 적재하는 구조를 갖는 것이면 되고, 반드시 진공 흡착부를 가질 필요는 없다.In addition, as will be described later, in the present embodiment, since the position of the peripheral portion of the wafer W can be detected with high accuracy, the forks 3A and 3B may have a structure that is simply loaded instead of the dropping mechanism, and must be vacuum. It is not necessary to have an adsorption part.

검출부[5(5A 내지 5D)]는, 도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이 4개 설치되어 있다. 검출부[5(5A 내지 5D)]는, 각각의 포크(3A, 3B)가 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각각 다른 위치에서 검출하기 위한 것이다. 검출부[5(5A 내지 5D)]는, 포크(3A, 3B)가 후퇴되었을 때에 포크(3A, 3B)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 주변부와 평면에서 볼 때 겹쳐지도록 설치되어 있다. 또한, 4개의 검출부(5A 내지 5D)는, 평면에서 볼 때, 포크(3A, 3B)가 후퇴되었을 때에 포크(3A, 3B)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 외주를 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있다.Four detection parts 5 (5A-5D) are provided as shown to FIG. The detection part 5 (5A-5D) is the wafer W hold | maintained by the fork 3A, 3B, when each fork 3A, 3B is retracted in the state which hold | maintained the wafer W. FIG. It is for detecting the position of the periphery of in each other position. The detection parts 5 (5A-5D) are provided so that they may overlap in plan view with the periphery of the wafer W hold | maintained by the forks 3A, 3B when the forks 3A, 3B are retracted. In addition, the four detection parts 5A to 5D are spaced apart from each other along the outer periphery of the wafer W held by the forks 3A and 3B when the forks 3A and 3B are retracted in plan view. It is installed.

검출부[5(5A 내지 5D)]는, 한 쌍의 광원[51(51A 내지 51D)]과, 복수의 수광 소자가 배열되어 이루어지는 수광부(52)에 의해 구성되어 있다. 또한, 수광부(52)로서, 예를 들어 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)]를 사용할 수 있다. 광원[51(51A 내지 51D)]과 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)]는, 후퇴되어 있는 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W) 전부를 상하로부터 끼우도록 설치되어 있다. 검출부(5A 내지 5D)는, 포크(3A, 3B) 중 어느 1매가 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 포크(3A, 3B) 중 어느 하나가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출하기 위한 것이다.The detection part 5 (5A-5D) is comprised by the pair of light sources 51 (51A-51D), and the light receiving part 52 by which several light receiving element is arranged. As the light receiving portion 52, for example, linear image sensors 52 (52A to 52D) can be used. The light sources 51 (51A to 51D) and the linear image sensors 52 (52A to 52D) are provided so as to sandwich all of the wafers W held by the forks 3A and 3B which are retracted from above and below. . The detection units 5A to 5D are each of the forks 3A and 3B, and when one of the forks 3A and 3B is withdrawn, the wafer W is held by either of the forks 3A and 3B. Is to detect the position of the periphery.

구체적으로는, 광원[51(51A 내지 51D)]과 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)]는, 한쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 하방에 설치되고, 다른 쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 상방에 설치된다. 광원[51(51A 내지 51D)] 또는 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)] 중 어느 한쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 하방에 설치되는 경우에는, 베이스(31)에 장착되어 있어도 되고, 하측의 포크(3B)의 베이스(31)측에 장착되어 있어도 된다. 한편, 광원[51(51A 내지 51D)] 또는 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)] 중 어느 다른 쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 상방에 설치되는 경우에는, 베이스(31)에 장착되어 있어도 되고, 상측의 포크(3A)의 베이스(31)측과 반대측에 장착되어 있어도 된다.Specifically, one of the light sources 51 (51A to 51D) and the linear image sensors 52 (52A to 52D) is provided below two forks 3A and 3B, and the other of the light sources 51 (51A to 51D). It is provided above the forks 3A and 3B. When either one of the light sources 51 (51A to 51D) or the linear image sensors 52 (52A to 52D) is provided below the two forks 3A and 3B, they may be attached to the base 31. It may be attached to the base 31 side of the lower fork 3B. On the other hand, when any one of the light sources 51 (51A to 51D) or the linear image sensors 52 (52A to 52D) is provided above the two forks 3A and 3B, the base 31 is mounted on the base 31. It may be attached, and may be attached to the opposite side to the base 31 side of the upper fork 3A.

도 5 및 도 6에 도시하는 예에서는, 광원(51)이 베이스(31)에 장착되어 있고, 리니어 이미지 센서(52)가, 지지 부재(53)를 통해 베이스(31)에 장착되어 있는 예를 도시한다.In the example shown to FIG. 5 and FIG. 6, the example in which the light source 51 is attached to the base 31, and the linear image sensor 52 is attached to the base 31 via the support member 53 is shown. Illustrated.

상기한 구성을 가짐으로써, 2매의 포크(3A, 3B)의 각각에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 주변부가 있는 위치를 검출하는 데에, 광원(51) 및 리니어 이미지 센서(52) 모두 포크(3A, 3B)마다 설치할 필요가 없다. 따라서, 사용하는 광원(51) 및 리니어 이미지 센서(52)의 수를 적게 할 수 있다.By having the above-described configuration, both the light source 51 and the linear image sensor 52 are used to detect the position where the periphery of the wafer W held on each of the two forks 3A and 3B is located. There is no need to install each fork 3A, 3B. Therefore, the number of the light source 51 and the linear image sensor 52 to be used can be reduced.

단, 2매의 포크(3A, 3B)에 검출부(5)가 4개 설치되어 있는 구성으로 하는 것도 가능하다. 포크(3A, 3B)마다 검출부(5)가 4개 설치되는 경우에는, 검출부(5)를 구성하는 한 쌍의 광원(51)과 리니어 이미지 센서(52)는, 후퇴되어 있는 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W) 중 어느 하나를 상하로부터 끼우도록 설치된 것이면 된다.However, it is also possible to set it as the structure which four detection parts 5 are provided in two fork 3A, 3B. When four detection units 5 are provided for each of the forks 3A and 3B, the pair of light sources 51 and the linear image sensors 52 constituting the detection unit 5 are forks 3A and 3B which are retracted. ) May be provided so as to sandwich any one of the wafers W held by the top and bottom.

또한, 검출부(5)를 4개(5A 내지 5D) 설치함으로써, 후술하는 바와 같이, 주변부에 노치(절결부)(WN)를 갖는 웨이퍼(W)를 보유 지지하고, 반송하는 경우에도, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다. 또한, 검출부(5)는 4개 이상 설치되어 있어도 된다.In addition, by providing four detection parts 5 (5A to 5D), the wafer (W) having notches (notches) WN in the peripheral part is held and conveyed as described later. The position of the periphery of W) can be detected with high accuracy. In addition, four or more detection parts 5 may be provided.

광원(51)으로서, 이하에서는, LED(Light Emitting Diode)를 사용한 예를 설명하지만, 구체적으로는 복수의 LED를 직선 형상으로 배열시킨 광원, 또는 단일의 LED의 발광측에 직선 형상으로 도광 재료를 설치하여 직선 형상의 광원으로 한 것을 사용할 수 있다. 또한, 리니어 이미지 센서(52)로서, CCD(Charge Coupled Device) 라인 센서, 파이버 라인 센서, 광전 센서 등 각종 리니어 이미지 센서를 사용할 수 있다. 즉, 리니어 이미지 센서로 이루어지는 수광부(52)의 수광 소자로서, CCD, 광전 센서 등의 각종 수광 소자를 사용할 수 있다. 이하에서는, 이들 각종 리니어 이미지 센서를 대표하여, CCD 라인 센서를 사용하는 예에 대해 설명한다.As the light source 51, an example in which a light emitting diode (LED) is used will be described below. Specifically, a light guiding material is linearly arranged on the light emitting side of a light source or a single LED in which a plurality of LEDs are arranged in a linear shape. It can install and use what set it as the linear light source. In addition, as the linear image sensor 52, various linear image sensors, such as a charge coupled device (CCD) line sensor, a fiber line sensor, and a photoelectric sensor, can be used. That is, various light receiving elements, such as a CCD and a photoelectric sensor, can be used as a light receiving element of the light receiving part 52 which consists of a linear image sensor. Below, the example which uses a CCD line sensor on behalf of these various linear image sensors is demonstrated.

도 8에 도시하는 바와 같이, 검출부(5A)는, LED(51), CCD 라인 센서(52)에 더하여, CCD 라인 센서 제어부(54), 디지털 아날로그 컨버터(DAC)(55), 아날로그 디지털 컨버터(ADC)(56)를 갖는다. 또한, 도 8에서는 도시를 생략하지만, 검출부(5B, 5C, 5D)도, 검출부(5A)와 마찬가지의 구성을 갖는다.As illustrated in FIG. 8, the detection unit 5A includes, in addition to the LED 51 and the CCD line sensor 52, a CCD line sensor control unit 54, a digital-to-analog converter (DAC) 55, and an analog-to-digital converter ( ADC) 56. In addition, although illustration is abbreviate | omitted in FIG. 8, detection part 5B, 5C, 5D also has the structure similar to detection part 5A.

CCD 라인 센서 제어부(54)는, 도시하지 않은 클록으로부터의 클록 신호에 기초하여 CCD 라인 센서(52)의 각 CCD 소자의 동작 타이밍을 어긋나게 하여, 전하 이동시키기 위한 것으로, 타이밍 제너레이터이다. 또한, CCD 라인 센서 제어부(54)는 LED(51)의 전류 제어도 행한다. DAC(55)는 CCD 라인 센서 제어부(54)로부터의 디지털 제어 신호를, LED(51)에 입력하기 위해, 아날로그 변환하기 위한 것이다. ADC(56)는, CCD 라인 센서(52)로부터의 검출 신호인 아날로그 출력 신호를, 검출부(5A 내지 5D)로부터 출력하기 위해, 디지털 변환하기 위한 것이다.The CCD line sensor controller 54 is a timing generator for shifting charges by shifting the operation timing of each CCD element of the CCD line sensor 52 based on a clock signal from a clock (not shown). In addition, the CCD line sensor control unit 54 also performs current control of the LED 51. The DAC 55 is for analog converting the digital control signal from the CCD line sensor control unit 54 to be input to the LED 51. The ADC 56 is for digitally converting an analog output signal, which is a detection signal from the CCD line sensor 52, from the detection units 5A to 5D.

검출부(5)로부터 출력된 검출 신호(검출값)는, 제어부(9)에 입력된다. 제어부(9)는, 앰프(57)를 통해 진퇴 기구(33A, 33B)에 설치된 X축 구동용 모터(M1, M2), 베이스(31)에 설치된 Y축 구동용 모터(M3), 승강대(34)에 설치된 Z축 구동용 모터(M4), 회전 기구(32)에 설치된 회전 구동용 모터(M5)의 총 5축 구동용 모터(M1 내지 M5)를 제어한다.The detection signal (detection value) output from the detection unit 5 is input to the control unit 9. The control part 9 is the X-axis drive motors M1 and M2 provided in the advance mechanism 33A, 33B via the amplifier 57, the Y-axis drive motor M3 provided in the base 31, and the platform 34. The five-axis drive motors M1 to M5 of the Z-axis drive motor M4 and the rotary drive motor M5 provided to the rotary mechanism 32 are controlled.

이상과 같은 구성에 의해, CCD 라인 센서 제어부(54)로부터의 제어 신호가, DAC(55)에 의해 아날로그 변환되고, 아날로그 변환된 제어 신호가 LED(51)에 입력됨으로써, LED(51)는 직선 형상으로 광을 발광한다. LED(51)로부터 발광된 광은, CCD 라인 센서(52)에 있어서 수광된다. 광을 수광한 CCD 라인 센서(52)는, CCD 라인 센서 제어부(54)로부터의 제어 신호의 타이밍에 기초하여, 센서 내에서 전하 이동됨으로써 수광량에 따른 신호를 출력한다. CCD 라인 센서(52)로부터 출력된 검출 신호(검출값)는, ADC(56)에 의해 디지털 변환된 후, 제어부(9) 내의 연산 처리부(91)에 입력된다.With the above configuration, the control signal from the CCD line sensor controller 54 is analog-converted by the DAC 55, and the analog-converted control signal is input to the LED 51, whereby the LED 51 is a straight line. It emits light in the shape. Light emitted from the LED 51 is received by the CCD line sensor 52. The CCD line sensor 52 which has received light outputs a signal corresponding to the amount of received light by being charged in the sensor based on the timing of the control signal from the CCD line sensor controller 54. The detection signal (detection value) output from the CCD line sensor 52 is digitally converted by the ADC 56 and then input to the arithmetic processing unit 91 in the control unit 9.

연산 처리부(91)에서의 처리를 포함하여, 제어부(9) 내에서는, 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 계측하고, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하고, 웨이퍼(W)의 반경을 산출하여, 4개의 검출부(5A 내지 5D) 모두 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출하고 있지 않은지 여부의 판정을 행한다. 그리고 4개의 검출부(5A 내지 5D) 중 1개가 절결부(WN)를 검출하였다고 판정하였을 때에, 그 이외의 3개의 검출부(5)의 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다.Including the processing in the arithmetic processing unit 91, in the control unit 9, the position of the periphery of the wafer W is measured based on the detected value, the center position of the wafer W is calculated, and the wafer ( The radius of W) is calculated to determine whether or not all of the four detection units 5A to 5D detect the cutout portion WN of the wafer W. FIG. When it is determined that one of the four detection units 5A to 5D has detected the cutout portion WN, the position of the peripheral portion of the wafer W is detected based on the detection values of the other three detection units 5. do.

다음에, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치인 도포 모듈(23)의 구성에 대해 설명한다. 도 9는 도포 모듈(23)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 10은 도포 모듈(23)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.Next, the structure of the application | coating module 23 which is a substrate processing apparatus which concerns on this embodiment is demonstrated. 9 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of the application module 23. 10 is a cross sectional view showing an outline of the configuration of the application module 23.

도포 모듈(23)은, 예를 들어 도 9에 도시하는 바와 같이 케이싱(60)을 갖고, 그 케이싱(60) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 스핀 척(61)이 설치되어 있다. 스핀 척(61)은, 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(61) 상에 흡착 지지할 수 있다.For example, the coating module 23 has a casing 60 as shown in FIG. 9, and a spin chuck 61 holding the wafer W is provided at the center portion of the casing 60. . The spin chuck 61 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W is provided on the upper surface, for example. By suction from this suction port, the wafer W can be adsorbed and supported on the spin chuck 61.

스핀 척(61)은, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동 기구(62)를 갖고, 그 척 구동 기구(62)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동 기구(62)에는, 실린더 등의 승강 구동 수단이 설치되어 있고, 스핀 척(61)은 상하 이동 가능하다.The spin chuck 61 has, for example, a chuck drive mechanism 62 including a motor or the like, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck drive mechanism 62. In addition, the chuck drive mechanism 62 is provided with lifting and lowering drive means such as a cylinder, and the spin chuck 61 is movable up and down.

또한, 스핀 척(61)은, 본 발명에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당하고, 척 구동 기구(62)는 본 발명에 있어서의 회전부에 상당한다.In addition, the spin chuck 61 is corresponded to the board | substrate holding part in this invention, and the chuck drive mechanism 62 is corresponded to the rotation part in this invention.

또한, 척 구동 기구(62)가 구동하는 스핀 척(61)의 회전수는, 후술하는 제어부(9)에 의해 제어되어 있다.In addition, the rotation speed of the spin chuck 61 which the chuck drive mechanism 62 drives is controlled by the control part 9 mentioned later.

스핀 척(61)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수하는 컵(63)이 설치되어 있다. 컵(63)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(64)과, 컵(63) 내의 분위기를 배기하는 배기관(65)이 접속되어 있다.In the periphery of the spin chuck 61, a cup 63 which collects and recovers liquid flying or falling from the wafer W is provided. A discharge pipe 64 for discharging the recovered liquid and an exhaust pipe 65 for exhausting the atmosphere in the cup 63 are connected to the lower surface of the cup 63.

도 10에 도시하는 바와 같이, 컵(63)의 X방향 부(負)방향(도 10의 하방향)측에는, Y방향(도 10의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(70)이 형성되어 있다. 레일(70)은, 예를 들어 컵(63)의 Y방향 부방향(도 10의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y방향 정(正)방향(도 10의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(70)에는, 예를 들어 2개의 아암(71, 72)이 장착되어 있다.As shown in FIG. 10, the rail 70 extended along the Y direction (left-right direction of FIG. 10) is formed in the X direction negative direction (lower direction of FIG. 10) of the cup 63. As shown in FIG. . The rail 70 is formed from the outer side of the Y-direction negative direction (left direction of FIG. 10) side of the cup 63 to the outer side of the Y-direction positive direction (right direction of FIG. 10) side, for example. . Two arms 71 and 72 are attached to the rail 70, for example.

제1 아암(71)에는, 도 9 및 도 10에 도시하는 바와 같이 도포액으로서의 레지스트액을 토출하는 레지스트액 노즐(73)이 지지되어 있다. 제1 아암(71)은, 도 10에 도시하는 노즐 구동부(74)에 의해 레일(70) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 레지스트액 노즐(73)은, 컵(63)의 Y방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(75)로부터 컵(63) 내의 웨이퍼(W)의 대략 중심 상까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 제1 아암(71)은, 노즐 구동부(74)에 의해 승강 가능하며, 레지스트액 노즐(73)의 높이를 조정할 수 있다.9 and 10, a resist liquid nozzle 73 for ejecting a resist liquid as a coating liquid is supported on the first arm 71. As shown in FIG. The 1st arm 71 can move on the rail 70 by the nozzle drive part 74 shown in FIG. Thereby, the resist liquid nozzle 73 can move from the standby part 75 provided on the outer side of the positive direction of the cup 63 to the substantially center of the wafer W in the cup 63, and the said The surface of the wafer W can be moved in the radial direction of the wafer W. As shown in FIG. Moreover, the 1st arm 71 can be raised and lowered by the nozzle drive part 74, and the height of the resist liquid nozzle 73 can be adjusted.

또한, 레지스트액 노즐(73)은, 본 발명에 있어서의 도포액 공급부에 상당한다.In addition, the resist liquid nozzle 73 is corresponded to the coating liquid supply part in this invention.

레지스트액 노즐(73)에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 레지스트액 공급원(76)에 연통되는 공급관(77)이 접속되어 있다. 본 실시 형태에 있어서의 레지스트액 공급원(76)에는, 예를 들어 얇은 레지스트막 예를 들어 150㎚ 이하의 레지스트막을 형성하기 위한 저점도의 레지스트액이 저류되어 있다. 또한, 공급관(77)에는, 밸브(78)가 설치되어 있고, 이 밸브(78)의 개폐에 의해 레지스트액의 토출을 ON?OFF할 수 있다.As shown in FIG. 9, a supply pipe 77 connected to the resist liquid supply source 76 is connected to the resist liquid nozzle 73. In the resist liquid supply source 76 in the present embodiment, for example, a low viscosity resist liquid for forming a thin resist film, for example, a resist film of 150 nm or less, is stored. In addition, a valve 78 is provided in the supply pipe 77, and the discharge of the resist liquid can be turned ON and OFF by opening and closing the valve 78.

제2 아암(72)에는, 레지스트액의 용제를 토출하는 용제 노즐(80)이 지지되어 있다. 제2 아암(72)은, 예를 들어 도 10에 도시하는 노즐 구동부(81)에 의해 레일(70) 상을 이동 가능하며, 용제 노즐(80)을, 컵(63)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(82)로부터 컵(63) 내의 웨이퍼(W)의 대략 중심 상까지 이동시킬 수 있다. 또한, 노즐 구동부(81)에 의해, 제2 아암(72)은 승강 가능하며, 용제 노즐(80)의 높이를 조절할 수 있다.The solvent nozzle 80 which discharges the solvent of a resist liquid is supported by the 2nd arm 72. As shown in FIG. The 2nd arm 72 can move on the rail 70 by the nozzle drive part 81 shown in FIG. 10, for example, and the solvent nozzle 80 is the negative direction side of the cup 63 in the Y direction. It can move from the standby part 82 provided in the outer side to the substantially center of the wafer W in the cup 63. FIG. Moreover, the 2nd arm 72 can be raised and lowered by the nozzle drive part 81, and the height of the solvent nozzle 80 can be adjusted.

용제 노즐(80)에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 용제 공급원(83)에 연통되는 공급관(84)이 접속되어 있다. 또한, 이상의 구성에서는, 레지스트액을 토출하는 레지스트액 노즐(73)과 용제를 토출하는 용제 노즐(80)이 각각의 아암에 지지되어 있다. 그러나 레지스트액 노즐(73)과 용제 노즐(80)을 동일한 아암에 지지되도록 설치해도 되고, 그 아암의 이동의 제어에 의해, 레지스트액 노즐(73)과 용제 노즐(80)의 이동과 토출 타이밍을 제어해도 된다.As shown in FIG. 9, the solvent nozzle 80 is connected with a supply pipe 84 that communicates with the solvent supply source 83. Moreover, in the above structure, the resist liquid nozzle 73 which discharges a resist liquid, and the solvent nozzle 80 which discharges a solvent are supported by each arm. However, the resist liquid nozzle 73 and the solvent nozzle 80 may be provided to be supported by the same arm, and the movement and discharge timing of the resist liquid nozzle 73 and the solvent nozzle 80 are controlled by controlling the movement of the arm. You may control.

또한, 용제 노즐(80)은, 스핀 척(61)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 에지 린스 처리를 행하기 위한 것이기도 하다.Moreover, the solvent nozzle 80 supplies the rinse liquid to the surface of the peripheral part of the wafer W held by the spin chuck 61, and performs edge rinse process which selectively removes the coating film in the position which supplied the rinse liquid. It is also to do.

또한, 용제 노즐(80)은, 본 발명에 있어서의 린스액 공급부에 상당하고, 노즐 구동부(81)는, 본 발명에 있어서의 이동부에 상당한다.In addition, the solvent nozzle 80 is corresponded to the rinse liquid supply part in this invention, and the nozzle drive part 81 is corresponded to the moving part in this invention.

도 11은 제어부(9)를 제3 블록(COT층)(B3)에 있어서의 반송 아암(A3) 및 도포 모듈(23)과 함께 도시하는 구성도이다. 또한, 도 11에서는, 도포 모듈(23)의 레지스트액 노즐(73), 용제 노즐(80) 등의 도시를 생략하고 있다.FIG. 11: is a block diagram which shows the control part 9 with the conveyance arm A3 and the application | coating module 23 in 3rd block (COT layer) B3. In addition, illustration of the resist liquid nozzle 73, the solvent nozzle 80, etc. of the coating module 23 is abbreviate | omitted in FIG.

제어부(9)는, 연산 처리부(91), 기억부(92), 표시부(93) 및 알람 발생부(94)를 갖는다.The control unit 9 includes an arithmetic processing unit 91, a storage unit 92, a display unit 93, and an alarm generating unit 94.

연산 처리부(91)는, 예를 들어 메모리, CPU(Central Processing Unit)를 갖는 데이터 처리부인 컴퓨터이다. 연산 처리부(91)는, 기억부(92)에 기록된 프로그램을 판독하여, 그 프로그램에 포함되는 명령(코맨드)에 따라서, 레지스트 패턴 형성 장치의 각 부로 제어 신호를 보내고, 레지스트 패턴 형성 처리에 포함되는 각종 기판 처리를 실행한다. 또한, 연산 처리부(91)는, 기억부(92)에 기록된 프로그램을 판독하여, 그 프로그램에 포함되는 명령(코맨드)에 따라서, 반송 아암(A3)의 각 모터(M1 내지 M5)에 제어 신호를 보내고, 웨이퍼(W)의 전달 및 반송을 실행한다.The arithmetic processing part 91 is a computer which is a data processing part which has a memory and a Central Processing Unit (CPU), for example. The arithmetic processing unit 91 reads a program recorded in the storage unit 92, sends a control signal to each part of the resist pattern forming apparatus in accordance with a command (command) included in the program, and includes it in the resist pattern forming process. Various substrate processes are performed. In addition, the arithmetic processing unit 91 reads the program recorded in the storage unit 92, and transmits a control signal to each of the motors M1 to M5 of the transfer arm A3 in accordance with an instruction (command) included in the program. The wafer W is sent and the wafer W is transferred and conveyed.

기억부(92)는, 연산 처리부(91)에, 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다. 기록 매체로서, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 광자기(Magnetoptical;MO) 디스크 등을 사용할 수 있다.The storage unit 92 is a computer-readable recording medium in which the calculation processing unit 91 records a program for executing various processes. As the recording medium, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a magneto-optical (MO) disk, or the like can be used.

표시부(93)는, 예를 들어 컴퓨터의 화면으로 이루어진다. 표시부(93)에서는, 각종 기판 처리의 선택이나, 각 기판 처리에 있어서의 파라미터의 입력 조작을 행할 수 있다.The display part 93 consists of a screen of a computer, for example. In the display unit 93, various substrate processes can be selected and parameters can be input in each substrate process.

알람 발생부(94)는, 반송 아암(A3)을 포함하여, 레지스트 패턴 형성 장치의 각 부에 이상이 발생하였을 때에 알람을 발생시킨다.The alarm generating part 94 includes a conveyance arm A3 and generates an alarm when an abnormality occurs in each part of the resist pattern forming apparatus.

또한, 전술한 바와 같이, 연산 처리부(91)는, 반송 아암(A3)의 진퇴 기구(33A, 33B), 베이스(31), 승강대(34), 회전 기구(32)에 설치된 모터(M1 내지 M5), 인코더(38)나 카운터(39) 등에 대해 소정의 제어 신호를 보내, 제어하도록 구성되어 있다. 그리고 기억부(92)에는, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 포함되어 있다.In addition, as described above, the arithmetic processing unit 91 includes the motors M1 to M5 provided in the advance mechanisms 33A and 33B, the base 31, the lift table 34, and the rotation mechanism 32 of the transfer arm A3. And a predetermined control signal to the encoder 38, the counter 39, or the like. The storage unit 92 includes a program for executing the substrate processing method according to the present embodiment.

다음에, 도포 모듈(23)에서 행해지는 레지스트 도포 처리 프로세스를 설명한다. 또한, 레지스트 도포 처리 프로세스는, 본 발명에 있어서의 기판 처리 방법에 상당한다.Next, the resist coating process performed in the coating module 23 will be described. In addition, the resist coating process is equivalent to the substrate processing method in the present invention.

도 12는 웨이퍼(W)를 전달할 때의 도포 모듈(23)과 반송 아암(A3)의 상태를 도시하는 도면이다.FIG. 12: is a figure which shows the state of the application | coating module 23 and the conveyance arm A3 at the time of conveying the wafer W. As shown in FIG.

도 12의 (a)에 도시하는 바와 같이, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다. 그리고 검출한 위치에 기초하여, 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 용제 노즐(80)의 위치를 결정해 둔다. 또한, 도 12의 (a)에 도시하는 상태는, 후술하는 도 15의 (a)에 도시하는 상태와 마찬가지이다.As illustrated in FIG. 12A, when the wafer W is conveyed by the fork 3A of the conveying arm A3 in advance, the linear image sensor 52 provided in the conveying arm A3 is used. The position of the periphery of the wafer W is detected. And the position of the solvent nozzle 80 at the time of supplying a rinse liquid to the surface of a peripheral part is determined based on the detected position. In addition, the state shown to Fig.12 (a) is the same as the state shown to Fig.15 (a) mentioned later.

웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있는 상태에서 포크(3A)가 후퇴되어 있을 때에, 포크(3A)의 하방에 설치되어 있는 광원(51)에 의해 하방으로부터 상방을 향해 광을 발광한다. 발광한 광을 포크(3A)의 상방에 설치되어 있는 리니어 이미지 센서(52)에 의해 수광한다. 수광한 리니어 이미지 센서(52)가, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 CCD가 직선 형상으로 배열되어 이루어지는 CCD 라인 센서일 때에는, 각 화소인 각 CCD의 검출값에 기초하여, 수광한 화소와 수광하지 않는 화소의 경계의 위치를 결정할 수 있다. 그리고 결정한 경계의 위치에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 계측할 수 있다.When the fork 3A is retracted in the state of holding the wafer W, light is emitted from below to upward by the light source 51 provided below the fork 3A. The emitted light is received by the linear image sensor 52 provided above the fork 3A. When the received linear image sensor 52 is a CCD line sensor in which CCDs are arranged in a straight line along the radial direction of the wafer W, the received pixel and the received light are received based on the detection value of each CCD which is each pixel. The position of the boundary of the non-pixel can be determined. And based on the determined position of the boundary, the position of the peripheral part of the wafer W can be measured.

도 13은 리니어 이미지 센서(52)의 화소 번호와 수광량의 관계를 모식적으로 나타내는 그래프이다.FIG. 13 is a graph schematically showing the relationship between the pixel number of the linear image sensor 52 and the received light amount.

도 13에 나타내는 바와 같이, 광원(51)에 의해 발광한 광을 수광하고 있지 않은 화소의 검출값(이하, 「수광량」이라 함)을 제1 값 n1로 하고, 광원(51)에 의해 발광한 광을 수광하고 있는 화소의 수광량을 제2 값 n2로 한다. 이때, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각 화소의 수광량이 제1 값 n1과 제2 값의 사이에서 변화하는 위치 E로서 검출할 수 있다. 수광량을 8비트의 데이터로서 처리할 때에는, 제1 값 n1을 예를 들어 0으로 하고, 제2 값 n2를 예를 들어 255 이하의 소정의 값으로 할 수 있다.As shown in FIG. 13, the detection value (henceforth "the light reception amount") of the pixel which does not receive the light emitted by the light source 51 is made into the 1st value n1, and light-emitted by the light source 51 The light reception amount of the pixel receiving light is set to the second value n2. At this time, the position of the periphery of the wafer W can be detected as the position E in which the light reception amount of each pixel changes between the first value n1 and the second value. When processing the light-receiving amount as 8-bit data, the first value n1 can be, for example, 0, and the second value n2 can be, for example, a predetermined value of 255 or less.

또한, 전술한 바와 같이, 광원(51)으로서, LED 대신에, 각종 광원을 사용할 수 있고, 리니어 이미지 센서(52)의 수광 소자로서, CCD 대신에, 각종 수광 소자를 사용할 수 있다.As described above, various light sources can be used as the light source 51 instead of LEDs, and various light receiving elements can be used as the light receiving elements of the linear image sensor 52 instead of the CCD.

도 14는 리니어 이미지 센서(52)에 의해 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출할 때의, 리니어 이미지 센서(52) 및 웨이퍼(W)를 도시하는 평면도이다.14 is a plan view showing the linear image sensor 52 and the wafer W when the linear image sensor 52 detects the position of the periphery of the wafer W. FIG.

도 14에 도시하는 바와 같이, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D)가 연장되는 방향과 Y축이 이루는 각을 θ1, θ2, θ3, θ4로 한다.As shown in FIG. 14, the angle formed between the directions in which the four linear image sensors 52A to 52D extend and the Y-axis is θ1, θ2, θ3, and θ4.

포크(3A)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 어긋나 있지 않을 때의 리니어 이미지 센서(52) 상의 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각각 a점, b점, c점, d점으로 한다. 또한, 포크(3A)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 어긋나 있을 때의 리니어 이미지 센서(52) 상의 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각각 a'점, b'점, c'점, d'점으로 한다.The position of the periphery of the wafer W on the linear image sensor 52 when the wafer W held by the fork 3A is not shifted is set to a point, b point, c point, and d point, respectively. . In addition, the position of the periphery of the wafer W on the linear image sensor 52 when the wafer W held by the fork 3A is shift | deviated is respectively a 'point, b' point, c 'point, Let d 'point.

각 리니어 이미지 센서(52)에 있어서의, a점, b점, c점, d점과 a'점, b'점, c'점, d'점의 거리를 Δa, Δb, Δc, Δd로 한다. 이때, Δa, Δb, Δc, Δd는,The distance between a point, b point, c point, d point and a 'point, b' point, c 'point, and d' point in each linear image sensor 52 is defined as Δa, Δb, Δc, Δd. . At this time, Δa, Δb, Δc, Δd,

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

또한, a점의 화소수라 함은, 리니어 이미지 센서(52)의 웨이퍼(W)의 중심측에 있어서의 시작점으로부터 a점까지에 있어서의 화소의 수를 의미한다.In addition, the number of pixels of a point means the number of pixels from the starting point in the center side of the wafer W of the linear image sensor 52 to a point.

그러면, a점 내지 d점, a'점 내지 d'점의 좌표는, 다음과 같이 나타내어진다.Then, the coordinates of points a to d and points a 'to d' are represented as follows.

Figure pat00005
Figure pat00005

Figure pat00006
Figure pat00006

Figure pat00007
Figure pat00007

Figure pat00008
Figure pat00008

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

따라서, 식(6), 식(8), 식(10), 식(12)에 의해, a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3'), d'점(X4', Y4')의 좌표를 구할 수 있다.Therefore, according to the formulas (6), (8), (10) and (12), the points a '(X1', Y1 '), the points b' (X2 ', Y2') and the points c '( X3 ', Y3'), and the coordinate of the d'point (X4 ', Y4') can be calculated | required.

다음에, a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 3점으로부터 어긋남 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')를 산출한다.Next, the coordinates (X ', Y') of the center position o 'of the wafer W at the displaced position from any of three points of a', b ', c' and d 'points are calculated.

예를 들어, a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3')의 3점으로부터 어긋남 위치에 있어서의 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')를 산출하는 식은, 하기 식(13)For example, the center position o 'at the shifted position from three points of a' points (X1 ', Y1'), b 'points (X2', Y2 '), and c' points (X3 ', Y3') The formula for calculating the coordinates (X ', Y') is the following formula (13)

Figure pat00013
Figure pat00013

및 하기 식(14)And the following formula (14)

Figure pat00014
Figure pat00014

로 나타내어진다.It is represented by

또한, 반경 R'은, 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')와 a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3')의 각 좌표로부터, 하기 식(15)In addition, the radius R 'is a coordinate (X', Y ') of the center position o', a 'points (X1', Y1 '), b' points (X2 ', Y2'), c 'points (X3', From each coordinate of Y3 '), following formula (15)

Figure pat00015
Figure pat00015

에 의해 구해진다. 즉, 리니어 이미지 센서(52)에 의해 검출한 웨이퍼(W)의 주변부의 위치에 기초하여, 웨이퍼(W)의 외경(반경 R'의 2배)이 산출된다.. That is, the outer diameter (twice the radius R ') of the wafer W is calculated based on the position of the peripheral portion of the wafer W detected by the linear image sensor 52.

또한, a'점, b'점, c'점, d'점 중, 전술한 3점(a'점, b'점, c'점)과 다른 3점의 조합, 예를 들어 (a'점, b'점, d'점), (a'점, c'점, d'점), (b'점, c'점, d'점)을 추출하고, 그 3점에 대응하여, 중심 위치 o'의 좌표(X', Y') 및 반경 R'을 산출해 둔다.Moreover, a combination of three points (a 'point, b' point, c 'point) different from the three points mentioned above among a' point, b 'point, c' point, and d 'point, for example, (a' point) , b 'point, d' point), (a 'point, c' point, d 'point), (b' point, c 'point, d' point) are extracted, and the center position corresponding to the three points The coordinates (X ', Y') and radius R 'of o' are calculated.

다음에, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중 어느 하나가 웨이퍼(W)의 주변부이며 절결부가 형성된 부분(절결부)(WN)을 검출하였는지 여부를 판정한다. a'점, b'점, c'점, d'점 중, 어느 3점의 조합에 대응하여 산출한 중심 위치 o'의 좌표(X', Y') 및 반경 R'에 대해, 판정을 행한다.Next, it is determined whether any one of the four linear image sensors 52A to 52D is the periphery of the wafer W and the portion (notch) WN in which the notch is formed is detected. Judgment is made about the coordinates (X ', Y') and the radius R 'of the center position o' calculated in response to any combination of three points among the a ', b', c 'and d' points. .

우선, 어느 3점의 조합에 대응하는 반경 R'이, 웨이퍼(W)의 기지의 반경인 R과 대략 동등한지를 판정한다.First, it is determined whether the radius R 'corresponding to the combination of any three points is approximately equal to R which is the known radius of the wafer W. FIG.

도 14에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 노치(절결부)(WN)가, 평면에서 보아, a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 근방에도 없을 때에는, a'점, b'점, c'점, d'점 중, 어느 3점의 조합에 대응하여 산출한 반경 R'도 반경 R과 대략 동등해진다. 이때는, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 모두 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출하고 있지 않다고 판정된다.As shown in FIG. 14, when the notch (cutout part) WN of the wafer W is not in any vicinity of a 'point, b' point, c 'point, and d' point by planar view, a The radius R 'calculated for the combination of any of three points among the points, b', c 'and d' is also approximately equal to the radius R. At this time, it is determined that not all four linear image sensors 52A-52D detect the notch WN of the wafer W. As shown in FIG.

이때는, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중, 어느 3개의 리니어 이미지 센서(52)의 검출값을 선택해도 된다.At this time, you may select the detection value of any three linear image sensors 52 among four linear image sensors 52A-52D.

또한, 웨이퍼(W)의 노치(절결부)(WN)가, 평면에서 보아, a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 하나의 근방에 있을 때에는, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중, 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출한 리니어 이미지 센서(52) 이외의 3개의 리니어 이미지 센서(52)를 선택한다. 그리고 선택한 3개의 리니어 이미지 센서(52)의 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다.In addition, when the notch (cutout part) WN of the wafer W exists in the vicinity of any one of a 'point, b' point, c 'point, and d' point in planar view, four linear image sensors are located. Three linear image sensors 52 other than the linear image sensor 52 which detected the cutout part WN of the wafer W among 52A-52D are selected. Then, based on the detected values of the three selected linear image sensors 52, the position of the peripheral portion of the wafer W is detected.

혹은, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중, 어느 1개의 리니어 이미지 센서가 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출하였을 때에는, 포크(3A)를 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D)에 대해 약간 전방으로 이동시킨다. 이것은, 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D)에 절결부(WN)가 검출되지 않도록 하기 위한 이동이다. 그리고 이동한 포크(3A)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 다시 검출하고, 검출한 재검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출해도 된다.Alternatively, when any one of the four linear image sensors 52A to 52D detects the cutout portion WN of the wafer W, the fork 3A is placed on the linear image sensors 52A to 52D. Slightly forward. This is a movement for preventing the notch WN from being detected by the linear image sensors 52A to 52D. The position of the peripheral portion of the wafer W held by the moved fork 3A may be detected again, and the position of the peripheral portion of the wafer W may be detected based on the detected redetection value.

이때, 산출한 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')와, 기준 위치 o에 있어서의 웨이퍼(W)의 좌표 o(X, Y) 사이의 어긋남량(ΔX, ΔY)은,At this time, the shift amounts (ΔX, ΔY) between the coordinates (X ', Y') of the calculated center position o 'and the coordinates o (X, Y) of the wafer W at the reference position o,

Figure pat00016
Figure pat00016

Figure pat00017
Figure pat00017

에 의해 산출한다.Calculate by

그리고 산출한 중심 위치 o'가 기준 위치 o로 되도록, 도포 모듈(23)의 웨이퍼(W)의 전달 위치로 보정한다.And it correct | amends to the transfer position of the wafer W of the application module 23 so that the calculated center position o 'may become reference position o.

이어서, 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 도포 모듈(23)의 스핀 척(61)의 바로 위까지 웨이퍼(W)가 반송된다[도 12의 (b)]. 이어서, 웨이퍼(W)는, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 도시하지 않은 승강 구동 수단에 의해 상승해 온 스핀 척(61)에 의해 수취되는 동시에, 진공 흡착된다[도 12의 (c)]. 이어서, 스핀 척(61)이 상승해 있는 상태에서, 반송 아암(A3)은, 포크(3A)를 도포 모듈(23) 내로부터 후퇴시킨다[도 12의 (d)]. 이어서, 스핀 척(61)을 도시하지 않은 승강 구동 수단에 의해 하강시킴으로써 도포 모듈(23)에의 웨이퍼(W)의 전달을 종료한다[도 12의 (e)].Subsequently, the wafer W is conveyed by the fork 3A of the transfer arm A3 to just above the spin chuck 61 of the application module 23 (FIG. 12 (b)). Subsequently, the wafer W is received by the spin chuck 61 which has been raised by the lifting and lowering drive means (not shown) made of, for example, an air cylinder and sucked in vacuum (FIG. 12C). Subsequently, in the state in which the spin chuck 61 is raised, the conveyance arm A3 retreats the fork 3A from inside the application module 23 (FIG. 12 (d)). Subsequently, the spin chuck 61 is lowered by lifting and lowering drive means (not shown) to finish the transfer of the wafer W to the coating module 23 (FIG. 12E).

도 15는 도포 모듈(23)을 사용하여 행하는 각 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면의 상태를 도시하는 도면이다.FIG. 15: is a figure which shows the state of the surface of the wafer W in each process performed using the application module 23. FIG.

도 15의 (a)는, 도 12의 (a)를 사용하여 전술한 바와 같이, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출할 때의 상태를 도시하고 있다. 이때, 웨이퍼(W)의 외경이, 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD인 것으로 한다.FIG. 15A shows the wafer W when the wafer W is conveyed by the fork 3A of the transfer arm A3 in advance as described above using FIG. 12A. The state at the time of detecting the position of the peripheral part of the wafer W by the installed linear image sensor 52 is shown. At this time, it is assumed that the outer diameter of the wafer W is D + ΔD which is changed by DELTA D with respect to the reference value D.

이러한 웨이퍼(W)를 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 척 구동 기구(62)에 의해, 웨이퍼(W)를 0 내지 2000rpm, 보다 바람직하게는 1000rpm의 회전수로 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 예를 들어 0.1초간, 용제 노즐(80)에 의해 웨이퍼(W)의 대략 중앙에 예를 들어 시너로 이루어지는 프리웨트액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시켜, 웨이퍼(W)의 표면이 용제에 의해 젖은 상태로 하는 프리웨트 처리를 행한다.In the state where the wafer W is vacuum-adsorbed to the spin chuck 61, the chuck drive mechanism 62 rotates the wafer W at a rotational speed of 0 to 2000 rpm, more preferably 1000 rpm. In the state where the wafer W is rotated, for example, the solvent nozzle 80 supplies the prewet liquid, for example, thinner, to the substantially center of the wafer W by the solvent nozzle 80, thereby It spreads to the radial outer peripheral side and performs the prewet process which makes the surface of the wafer W wet with a solvent.

이어서, 웨이퍼(W)를 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 척 구동 기구(62)에 의해, 웨이퍼(W)를 2000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 2500rpm의 회전수로 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 예를 들어 1.5초간, 레지스트액 노즐(73)에 의해 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급한다[도 15의 (b) 참조]. 이어서, 레지스트액(PR)의 공급을 정지한 상태에서, 웨이퍼(W)를 50 내지 2000rpm, 보다 바람직하게는 100rpm의 회전수로, 예를 들어 1.0초간 회전시킴으로써, 레지스트액(PR)의 형상을 조정한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 1000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 1500rpm의 회전수로, 예를 들어 2.5초간 회전시킴으로써, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시켜 도포하는 동시에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내고, 건조시켜, 레지스트막(PR)을 형성한다[도 15의 (c) 참조].Subsequently, while the wafer W is vacuum-adsorbed to the spin chuck 61, the chuck drive mechanism 62 rotates the wafer W at a rotational speed of 2000 to 4000 rpm, more preferably 2500 rpm. Then, in the state where the wafer W is rotated, for example, for 1.5 seconds, the resist liquid PR is supplied to the substantially center of the wafer W by the resist liquid nozzle 73 (see Fig. 15B). ]. Subsequently, while the supply of the resist liquid PR is stopped, the shape of the resist liquid PR is rotated by rotating the wafer W at a rotational speed of 50 to 2000 rpm, more preferably 100 rpm, for example, 1.0 second. Adjust Subsequently, by rotating the wafer W at a rotational speed of 1000 to 4000 rpm, more preferably 1500 rpm, for example, 2.5 seconds, the resist liquid PR is diffused and applied to the radially outer peripheral side of the wafer W, The resist liquid PR on the wafer W is shaken off and dried to form a resist film PR (see FIG. 15C).

다음에, 표면에 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W)를 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 척 구동 기구(62)에 의해, 웨이퍼(W)를 10 내지 100rpm, 보다 바람직하게는 50rpm의 회전수로 회전시킨다. 그리고 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 소정 위치로 이동시킨다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)의 주변부의 표면에, 용제 노즐(80)에 의해, 예를 들어 시너로 이루어지는 린스액(R)을 공급한다. 그리고 린스액(R)을 공급함으로써, 린스액(R)을 공급한 위치의 레지스트막(PR)을 선택적으로 제거한다[도 15의 (d) 참조].Next, in the state where the wafer W having the resist film PR formed on the surface is vacuum-adsorbed to the spin chuck 61, the wafer W is 10 to 100 rpm, more preferably, by the chuck drive mechanism 62. Rotate at 50 rpm. And the nozzle nozzle 80 moves the solvent nozzle 80 to a predetermined position. In this state, the rinse liquid R made of thinner, for example, is supplied to the surface of the peripheral portion of the wafer W by the solvent nozzle 80. Then, by supplying the rinse liquid R, the resist film PR at the position where the rinse liquid R is supplied is selectively removed (see FIG. 15 (d)).

여기서, 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D일 때에, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 제거되는 용제 노즐(80)의 소정 위치가, 스핀 척(61)의 회전 중심으로부터 Y방향으로 Y1의 위치인 것으로 한다. 그리고 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD일 때, 용제 노즐(80)의 소정 위치가 기준 위치 Y1에 대해, 예를 들어 ΔD/2만큼 변동된 Y1＋ΔD/2로 되도록 결정한다. 그리고 결정한 소정 위치로, 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외경의 변동에 관계없이, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 제거된다. 따라서, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 웨이퍼마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 주변부의 레지스트막을 제거하는 영역의 웨이퍼 외측 테두리로부터의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.Here, when the outer diameter of the wafer W is the reference value D, the predetermined position of the solvent nozzle 80 in which the resist film PR in the region of the predetermined width WE is selectively removed from the outer edge of the wafer W, It is assumed that the position is Y1 in the Y direction from the rotation center of the spin chuck 61. Then, when the outer diameter of the wafer W is D + ΔD varied by D relative to the reference value D, the predetermined position of the solvent nozzle 80 is determined to be Y1 + ΔD / 2 varied by, for example, DELTA D / 2 relative to the reference position Y1. . And the solvent nozzle 80 is moved by the nozzle drive part 81 to the determined predetermined position. Thereby, the resist film PR in the area | region of predetermined width WE is selectively removed from the outer edge of the wafer W, regardless of the fluctuation of the outer diameter of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, it is not necessary to provide a positioning sensor for each module, and even if the outer diameter dimension varies for each wafer, the width dimension from the outer edge of the wafer in the region from which the resist film of the peripheral portion is removed can be made constant.

또한, 본 실시 형태에서는, 리니어 이미지 센서에 의해 검출한 웨이퍼의 주변부의 위치에 기초하여, 웨이퍼의 외경을 산출하고, 산출한 외경에 기초하여, 용제 노즐의 위치를 결정하는 방법에 대해 설명하였다. 그러나 미리 계산식을 준비해 두고, 웨이퍼의 주변부의 위치에 기초하여 직접 용제 노즐의 위치를 결정하도록 해도 된다.In addition, in this embodiment, the outer diameter of the wafer was calculated based on the position of the peripheral part of the wafer detected by the linear image sensor, and the method of determining the position of the solvent nozzle based on the calculated outer diameter was demonstrated. However, a calculation formula may be prepared beforehand and the position of a solvent nozzle may be directly determined based on the position of the periphery of a wafer.

(제1 실시 형태의 변형예)(Modification of First Embodiment)

다음에, 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Next, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to a modification of the first embodiment of the present invention will be described.

본 변형예에 관한 기판 처리 장치는, 도포 모듈(23)과는 별도로 설치된, 웨이퍼(W)의 주변부로부터 레지스트막을 제거하기 위한 제거 모듈(23a)인 점에서, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치와 다르다.The substrate processing apparatus according to the present modification is the removal module 23a for removing the resist film from the periphery of the wafer W, which is provided separately from the coating module 23, and thus, the substrate processing apparatus according to the first embodiment. Is different from

본 변형예에 있어서의 기판 처리 시스템 중, 제거 모듈(23a) 이외의 부분은, 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템과 마찬가지로 할 수 있어, 설명을 생략한다.In the substrate processing system in this modification, parts other than the removal module 23a can be similar to the substrate processing system in 1st Embodiment, and abbreviate | omits description.

다음에, 본 변형예에 관한 기판 처리 장치인 제거 모듈(23a)의 구성에 대해 설명한다. 도 16은 제거 모듈(23a)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 17은 제거 모듈(23a)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.Next, the structure of the removal module 23a which is a substrate processing apparatus which concerns on this modification is demonstrated. 16 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of the removal module 23a. 17 is a cross sectional view showing an outline of the configuration of the removal module 23a.

제거 모듈(23a)에는, 레지스트액 노즐(73)이 설치되어 있지 않고, 용제 노즐(80)만이 설치되어 있다. 따라서, 제거 모듈(23a)은 아암(71), 레지스트액 노즐(73), 노즐 구동부(74), 대기부(75), 레지스트액 공급원(76), 공급관(77), 밸브(78)가 설치되어 있지 않은 점에서, 도포 모듈(23)과 다르다.The resist liquid nozzle 73 is not provided in the removal module 23a, and only the solvent nozzle 80 is provided. Accordingly, the removal module 23a is provided with an arm 71, a resist liquid nozzle 73, a nozzle drive unit 74, a standby unit 75, a resist liquid supply source 76, a supply pipe 77, and a valve 78. It differs from the application | coating module 23 by the point which is not made.

한편, 아암(72)에는, 레지스트액의 용제를 토출하는 용제 노즐(80)이 지지되어 있다. 아암(72)은, 예를 들어 도 17에 도시하는 노즐 구동부(81)에 의해 레일(70) 상을 이동 가능하며, 용제 노즐(80)을, 컵(63)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(82)로부터 컵(63) 내의 웨이퍼(W)의 대략 중심 상까지 이동시킬 수 있다. 또한, 노즐 구동부(81)에 의해, 아암(72)은 승강 가능하며, 용제 노즐(80)의 높이를 조절할 수 있다. 용제 노즐(80)에는, 도 16에 도시하는 바와 같이 용제 공급원(83)에 연통되는 공급관(84)이 접속되어 있다. 용제 노즐(80)은, 스핀 척(61)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주변부에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 에지 린스 처리를 행하기 위한 것이다. 그 밖에, 스핀 척(61), 척 구동 기구(62)를 포함하여, 상기한 부분 이외의 부분에 대해서는 도포 모듈(23)과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.On the other hand, a solvent nozzle 80 for discharging the solvent of the resist liquid is supported by the arm 72. The arm 72 can move on the rail 70 by the nozzle drive part 81 shown in FIG. 17, for example, and the solvent nozzle 80 is the outer side of the cup 63 in the Y-direction negative direction side. It can move from the waiting part 82 provided in the to the substantially center of the wafer W in the cup 63. FIG. Moreover, the arm 72 can be raised and lowered by the nozzle drive part 81, and the height of the solvent nozzle 80 can be adjusted. As shown in FIG. 16, the solvent nozzle 80 is connected with the supply pipe 84 which communicates with the solvent supply source 83. As shown in FIG. The solvent nozzle 80 is for performing edge rinse processing to selectively remove the coating film at the position where the rinse liquid is supplied by supplying the rinse liquid to the periphery of the wafer W held by the spin chuck 61. . In addition, since it is the same as that of the application | coating module 23 about parts other than the said part including the spin chuck 61 and the chuck drive mechanism 62, description is abbreviate | omitted.

또한, 제거 모듈(23a)은, 레지스트 패턴 형성 장치 중 어딘가의 장소에 설치되어 있으면 되고, 예를 들어 제3 블록(COT층)(B3)에, 각 처리 모듈과 인접하여 설치할 수 있다.In addition, the removal module 23a should just be provided somewhere in the resist pattern forming apparatus, for example, can be provided in 3rd block (COT layer) B3 adjacent to each processing module.

또한, 스핀 척(61)은, 본 발명에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당하고, 척 구동 기구(62)는, 본 발명에 있어서의 회전부에 상당한다. 또한, 용제 노즐(80)은, 본 발명에 있어서의 린스액 공급부에 상당하고, 노즐 구동부(81)는, 본 발명에 있어서의 이동부에 상당한다.In addition, the spin chuck 61 is corresponded to the board | substrate holding part in this invention, and the chuck drive mechanism 62 is corresponded to the rotation part in this invention. In addition, the solvent nozzle 80 is corresponded to the rinse liquid supply part in this invention, and the nozzle drive part 81 is corresponded to the moving part in this invention.

본 변형예에 있어서의, 도포 모듈(23) 및 제거 모듈(23a)에서 행해지는 레지스트 도포 처리 프로세스에서도, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다[도 15의 (a) 참조]. 그리고 검출한 위치에 기초하여, 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 용제 노즐(80)의 위치를 결정해 둔다.Also in the resist coating process performed in the application module 23 and the removal module 23a in the present modification, the wafer W is conveyed by the fork 3A of the transfer arm A3 in advance. The position of the periphery of the wafer W is detected by the linear image sensor 52 provided in the arm A3 (see FIG. 15A). And the position of the solvent nozzle 80 at the time of supplying a rinse liquid to the surface of a peripheral part is determined based on the detected position.

그리고 웨이퍼(W)를 도포 모듈(23)의 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 프리웨트 처리한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 레지스트액 노즐(73)로부터 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급한다. 이에 의해, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키면서 도포하고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내고, 건조시켜, 레지스트막(PR)을 형성한다[도 15의 (b) 및 도 15의 (c) 참조]. 여기까지는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.Then, the wafer W is subjected to prewetting in a state where the wafer W is vacuum-adsorbed to the spin chuck 61 of the coating module 23. Subsequently, in the state where the wafer W is rotated, the resist liquid PR is supplied from the resist liquid nozzle 73 on the approximately center of the wafer W. As shown in FIG. Thereby, the resist liquid PR is applied while diffusing to the radially outer peripheral side of the wafer W, the resist liquid PR on the wafer W is shaken off, and dried to form a resist film PR [Fig. 15 (b) and 15 (c)]. It is the same as that of 1st Embodiment so far.

한편, 본 변형예에서는, 이후, 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W)를, 도포 모듈(23)로부터 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 수취한다. 이어서, 포크(3A)에 의해 수취한 웨이퍼(W)를, 제거 모듈(23a)의 스핀 척(61)에 진공 흡착시킴으로써 전달한다. 그리고 제거 모듈(23a)에 있어서, 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 소정 위치로 이동시킨다. 이 상태에서, 회전하는 웨이퍼(W)의 주변부의 표면에, 용제 노즐(80)에 의해, 예를 들어 시너로 이루어지는 린스액(R)을 공급한다. 그리고 린스액(R)을 공급함으로써, 린스액(R)을 공급한 위치의 레지스트막(PR)을 선택적으로 제거한다[도 15의 (d) 참조].On the other hand, in this modification, the wafer W in which the resist film PR was formed is received by the fork 3A of the conveyance arm A3 from the application module 23 after that. Next, the wafer W received by the fork 3A is transferred to the spin chuck 61 of the removal module 23a by vacuum suction. And in the removal module 23a, the nozzle drive part 81 moves the solvent nozzle 80 to a predetermined position. In this state, the rinse liquid R made of thinner, for example, is supplied to the surface of the peripheral portion of the rotating wafer W by the solvent nozzle 80. Then, by supplying the rinse liquid R, the resist film PR at the position where the rinse liquid R is supplied is selectively removed (see FIG. 15 (d)).

본 변형예에서도, 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD일 때, 용제 노즐(80)의 소정 위치가 기준 위치 Y1에 대해, 예를 들어 ΔD/2만큼 변동된 Y1＋ΔD/2로 되도록 결정한다. 그리고 결정한 소정 위치로, 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외경의 변동에 관계없이, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 제거된다. 따라서, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 웨이퍼마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 주변부의 레지스트막을 제거하는 영역의 웨이퍼 외측 테두리로부터의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.Also in this modification, when the outer diameter of the wafer W is D + ΔD in which the D is changed by the reference value D, the predetermined position of the solvent nozzle 80 is changed by the reference position Y1 by, for example, Y1 + ΔD / 2. Determine to be And the solvent nozzle 80 is moved by the nozzle drive part 81 to the determined predetermined position. Thereby, the resist film PR in the area | region of predetermined width WE is selectively removed from the outer edge of the wafer W, regardless of the fluctuation of the outer diameter of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, it is not necessary to provide a positioning sensor for each module, and even if the outer diameter dimension varies for each wafer, the width dimension from the outer edge of the wafer in the region from which the resist film of the peripheral portion is removed can be made constant.

또한, 본 변형예에서는, 도포 모듈에 의해 도포 처리가 행해지기 전에, 웨이퍼를 반송 아암에 의해 반송할 때에, 리니어 이미지 센서에 의해 웨이퍼의 주변부의 위치를 검출하는 예에 대해 설명하였다. 그러나 도포 모듈에 의해 도포 처리가 행해진 후, 제거 모듈에 의해 에지 린스 처리가 행해지기 전에, 표면에 레지스트막이 형성된 웨이퍼를 반송 아암에 의해 반송할 때에, 리니어 이미지 센서에 의해 웨이퍼의 주변부의 위치를 검출해도 된다.In addition, in this modification, the example which detects the position of the periphery of a wafer by a linear image sensor was demonstrated when conveying a wafer by a conveyance arm, before the application | coating process is performed by an application | coating module. However, after the coating process is performed by the coating module and before the edge rinsing processing is performed by the removal module, the position of the periphery of the wafer is detected by the linear image sensor when the wafer with the resist film formed on the surface is transferred by the transfer arm. You may also

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Next, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the second embodiment of the present invention will be described.

본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 표면에 레지스트막이 형성된 웨이퍼의 주변부를 노광하기 위한 주변 노광 모듈인 점에서, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치와 다르다.The substrate processing apparatus according to the present embodiment is different from the substrate processing apparatus according to the first embodiment in that the substrate processing apparatus is a peripheral exposure module for exposing a peripheral portion of a wafer on which a resist film is formed on the surface.

본 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템 중, 주변 노광 모듈 이외의 부분은, 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템과 마찬가지로 할 수 있어, 설명을 생략한다.In the substrate processing system in this embodiment, parts other than the peripheral exposure module can be similar to the substrate processing system in 1st embodiment, and abbreviate | omit description.

다음에, 주변 노광 처리를 행하는 주변 노광 모듈에 대해 설명한다. 도 18은 주변 노광 모듈(100)의 일부 단면을 포함하는 측면도이다. 도 19의 (a)는, 웨이퍼(W)가 주변 노광 모듈(100)에 의해 주변 노광되는 모습을 도시하는 사시도이다. 도 19의 (b)는, 도 19의 (a)의 G-G선을 따르는 단면도이다.Next, the peripheral exposure module which performs the peripheral exposure process is demonstrated. 18 is a side view including a partial cross section of the peripheral exposure module 100. 19A is a perspective view illustrating a state in which the wafer W is subjected to the peripheral exposure by the peripheral exposure module 100. (B) of FIG. 19 is sectional drawing along the G-G line | wire of (a) of FIG.

주변 노광 모듈(100)은, 전술한 바와 같이, 예를 들어 제3 블록(COT층)(B3)의 각 모듈에서 처리가 행해지고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해, 주변부를 노광하여, 주변 노광을 행하기 위한 것이다. 주변 노광 모듈(100)은, 레지스트 패턴 형성 장치의 어딘가의 장소에 설치되어 있으면 되고, 예를 들어 제3 블록(COT층)(B3)에, 각 처리 모듈과 인접하여 설치할 수 있다.As described above, the peripheral exposure module 100 is processed in each module of the third block (COT layer) B3, and the peripheral portion is exposed by exposing the peripheral portion to the wafer W on which the resist film is formed. It is for performing exposure. The peripheral exposure module 100 should just be provided in the place of the resist pattern forming apparatus, for example, can be provided in 3rd block (COT layer) B3 adjacent to each processing module.

주변 노광 모듈(100)은, 케이싱(101), 반송부(102), 주변 노광부(120)를 갖는다.The peripheral exposure module 100 includes a casing 101, a conveyance unit 102, and a peripheral exposure unit 120.

반송부(102)는, 적재대(103), 회전 구동부(104), 이동 구동부(105), 얼라인먼트부(110)를 갖는다. 적재대(103)는, 적재된 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 것으로, 외측을 덮는 케이싱(101) 내의 하방 공간에 설치되어 있다. 적재대(103)는, 예를 들어 진공 척으로 이루어진다. 적재대(103)는, 회전 가능하게 설치되어 있고, 모터 등의 회전 구동부(104)에 의해 회전 구동된다.The conveyance part 102 has the mounting table 103, the rotation drive part 104, the movement drive part 105, and the alignment part 110. The mounting table 103 holds the stacked wafers W and is provided in a lower space in the casing 101 covering the outside. The mounting table 103 consists of a vacuum chuck, for example. The mounting table 103 is rotatably provided and is driven to rotate by a rotation drive unit 104 such as a motor.

또한, 적재대(103)는, 본 발명에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당하고, 회전 구동부(104)는, 본 발명에 있어서의 회전부에 상당하고, 이동 구동부(105)는, 본 발명에 있어서의 이동부에 상당한다.In addition, the mounting table 103 corresponds to the board | substrate holding | maintenance part in this invention, the rotation drive part 104 is corresponded to the rotation part in this invention, and the movement drive part 105 is in this invention. It corresponds to a moving part.

이동 구동부(105)는, 가이드 레일(107)을 갖는다. 가이드 레일(107)은, 케이싱(101)의 저면측에, 케이싱(101)의 일단부측(도 18의 좌측)으로부터 타단부측(도 18의 우측)까지 연장되도록 설치되어 있다. 적재대(103)는, 가이드 레일(107)을 따라 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 적재대(103) 및 회전 구동부(104)는, 이동 구동부(105)에 구비된 도시하지 않은 이동용 모터를 정역으로 회전 구동시킴으로써, 가이드 레일(107)을 따라 ±X방향으로 이동 구동된다.The movement drive part 105 has the guide rail 107. The guide rail 107 is provided in the bottom face side of the casing 101 so that it may extend from the one end side (left side of FIG. 18) of the casing 101 to the other end side (right side of FIG. 18). The mounting table 103 is provided to be movable in the X direction along the guide rail 107. The mounting table 103 and the rotation drive unit 104 are driven to move in the ± X direction along the guide rail 107 by rotationally driving a moving motor (not shown) included in the movement drive unit 105 in the forward and reverse directions.

얼라인먼트부(110)는, 적재대(103) 상의 웨이퍼(W)의 노치부(절결부)의 위치를 검출하기 위한 것이다. 얼라인먼트부(110)는, 예를 들어 한 쌍의 발광 소자(112)와 수광 소자(113)를 구비한 것이다. 얼라인먼트부(110)는, 적재대(103)에 적재되고, 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 케이싱(101)의 타단부측인 얼라인먼트 위치 P2에 배치되어 있을 때에, 웨이퍼(W)의 주변부를 상하로부터 발광 소자(112)와 수광 소자(113)에 의해 끼우도록 설치되어 있다. 얼라인먼트부(110)에 의한 노치부의 위치의 검출 결과에 기초하여, 회전 구동부(104)에 의해 적재대(103)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 각도를 얼라인먼트할 수 있다.The alignment part 110 is for detecting the position of the notch part (cutout part) of the wafer W on the mounting table 103. The alignment part 110 is provided with the pair of light emitting element 112 and the light receiving element 113, for example. The alignment portion 110 is mounted on the mounting table 103 and when the wafer W held is disposed at the alignment position P2 on the other end side of the casing 101, the peripheral portion of the wafer W is disposed. It is provided so that the light emitting element 112 and the light receiving element 113 may pinch from top and bottom. Based on the detection result of the position of the notch part by the alignment part 110, the mounting table 103 can be rotated by the rotation drive part 104, and the angle of the wafer W can be aligned.

케이싱(101) 내의 일단부측의 단부에는, 반송 아암(A3)이 적재대(103)에 대해 포크(3A, 3B)를 진퇴 구동시켜, 웨이퍼(W)를 반입, 반출하기 위한 반송구(114)(도 4에 있어서의 부호 24와 동일함)가 설치되어 있다. 적재대(103)에 적재되고, 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 케이싱(101)의 일단부측, 즉 반송구(114)측에 있을 때의 위치를, 웨이퍼 반입출 위치 P1로 한다.At an end portion on one end side of the casing 101, the transport arm A3 drives the forks 3A and 3B to the loading table 103 to advance and retreat, and carries and unloads the wafer W. (Same as 24 in Fig. 4) is provided. The position when the wafer W loaded on the mounting table 103 and held is at one end side of the casing 101, that is, at the transport port 114 side, is referred to as the wafer loading / unloading position P1.

주변 노광부(120)는, 발광 유닛(121), 도광 부재(122), 조사 유닛(123)을 갖는다.The peripheral exposure part 120 has the light emitting unit 121, the light guide member 122, and the irradiation unit 123.

발광 유닛(121)은, 예를 들어 초고압 수은 램프로 이루어지는 도시하지 않은 광원을 갖고, 적재대(103)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 노광하기 위한 광을 발광한다. 도광 부재(122)는, 발광 유닛(121)과 조사 유닛(123)을 접속하도록 설치되어 있다. 도광 부재(122)는, 예를 들어 석영 등의, 광에 대해 투명한 코어재를 갖는, 예를 들어 광파이버로 이루어지는 것이며, 광을 발광 유닛(121)으로부터 조사 유닛(123)으로 유도한다.The light emitting unit 121 has a light source (not shown) made of, for example, an ultra-high pressure mercury lamp, and emits light for exposing the wafer W held by the mounting table 103. The light guide member 122 is provided to connect the light emitting unit 121 and the irradiation unit 123. The light guide member 122 consists of an optical fiber, for example which has a core material transparent to light, such as quartz, for example, and guides light from the light emitting unit 121 to the irradiation unit 123.

조사 유닛(123)은, 출사측 슬릿(124)을 갖는다[도 19의 (a) 참조]. 조사 유닛(123)에 입사된 광은, 도시하지 않은 렌즈, 미러를 통해, 방향 및 광속의 형상이 변경되어, 출사측 슬릿(124)으로 유도된다. 출사측 슬릿(124)은, 예를 들어 직사각 형상을 갖고 있고, 광을 조사 유닛(123)으로부터 출사할 때에, 광속의 단면 형상을 조정한다.The irradiation unit 123 has an emission side slit 124 (see FIG. 19A). Light incident on the irradiation unit 123 is changed in the direction and the shape of the light beam through a lens (not shown) and a mirror, and guided to the emission-side slit 124. The emission-side slit 124 has a rectangular shape, for example, and adjusts the cross-sectional shape of the light beam when emitting light from the irradiation unit 123.

이러한 주변 노광부(120)에 따르면, 도 19의 (a)에 도시하는 바와 같이, 광 B가, 조사 유닛(123)에 설치된 출사측 슬릿(124)으로부터 출사되어, 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 소정의 영역 A에 균일하게 조사된다. 이 상태에서, 회전 구동부(104)에 의해 웨이퍼(W)가 회전함으로써, 도 19의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 잉여 레지스트막(RA)에 광 B를 조사, 즉 노광(주변 노광)할 수 있다.According to this peripheral exposure part 120, as shown to FIG. 19 (a), the light B is emitted from the emission side slit 124 provided in the irradiation unit 123, and the resist film PR was formed. Irradiated uniformly to the predetermined area A on the periphery of the wafer W surface. In this state, the wafer W is rotated by the rotation driver 104, so that light B is irradiated to the surplus resist film RA at the periphery of the surface of the wafer W, as shown in FIG. 19B. That is, exposure (peripheral exposure) can be performed.

본 실시 형태에 있어서의, 도포 모듈(23) 및 주변 노광 모듈(100)에서 행해지는 레지스트 도포 처리 프로세스에서도, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다[도 15의 (a) 참조]. 그리고 검출한 위치에 기초하여, 주변부를 노광할 때의 적재대(103)에 대한 조사 유닛(123)의 상대 위치를 결정해 둔다.In the resist coating process performed in the coating module 23 and the peripheral exposure module 100 in the present embodiment, when the wafer W is conveyed by the fork 3A of the transfer arm A3 in advance, The position of the periphery of the wafer W is detected by the linear image sensor 52 provided in the conveyance arm A3 (refer FIG. 15A). And based on the detected position, the relative position of the irradiation unit 123 with respect to the mounting table 103 at the time of exposing a peripheral part is determined.

그리고 웨이퍼(W)를 도포 모듈(23)의 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 프리웨트 처리한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 레지스트액 노즐(73)로부터 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급한다. 이에 의해, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키면서 도포하고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내고, 건조시켜, 레지스트막(PR)을 형성한다[도 15의 (b) 및 도 15의 (c) 참조]. 여기까지는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.Then, the wafer W is subjected to prewetting in a state where the wafer W is vacuum-adsorbed to the spin chuck 61 of the coating module 23. Subsequently, in the state where the wafer W is rotated, the resist liquid PR is supplied from the resist liquid nozzle 73 on the approximately center of the wafer W. As shown in FIG. Thereby, the resist liquid PR is applied while diffusing to the radially outer peripheral side of the wafer W, the resist liquid PR on the wafer W is shaken off, and dried to form a resist film PR [Fig. 15 (b) and 15 (c)]. It is the same as that of 1st Embodiment so far.

한편, 본 실시 형태에서는, 이후, 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W)를, 도포 모듈(23)로부터 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 수취한다. 이어서, 포크(3A)에 의해 수취한 웨이퍼(W)를, 주변 노광 모듈(100)의 적재대(103)에 전달한다. 그리고 주변 노광 모듈(100)에 있어서, 결정한 상대 위치로 되도록 이동 구동부(105)에 의해 적재대(103)를 이동시킨다. 이 상태에서, 발광 유닛(121)으로부터의 광 B가, 조사 유닛(123)에 형성된 출사측 슬릿(124)으로부터 출사된다. 그리고 조사 유닛(123)에 의해 광 B를 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 소정의 영역 A에 균일하게 조사하면서, 회전 구동부(104)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 잉여 레지스트막(RA)에 광 B가 조사되어 주변 노광이 행해진다[도 19의 (a) 참조].On the other hand, in this embodiment, the wafer W in which the resist film PR was formed is received by the fork 3A of the conveyance arm A3 from the application module 23 after that. Next, the wafer W received by the fork 3A is transferred to the mounting table 103 of the peripheral exposure module 100. In the peripheral exposure module 100, the mounting table 103 is moved by the movement driver 105 to be in the determined relative position. In this state, the light B from the light emitting unit 121 is emitted from the emission side slit 124 formed in the irradiation unit 123. And while rotating the wafer W by the rotation drive part 104, irradiating the light B uniformly to the predetermined | prescribed area | region A of the periphery of the surface of the wafer W by the irradiation unit 123, The light B is irradiated to the surplus resist film RA in the peripheral portion, and the peripheral exposure is performed (see FIG. 19A).

도 20은 주변 노광 모듈(100)에 의해 주변 노광이 행해질 때의 웨이퍼(W)의 표면의 상태를 도시하는 도면이다.20 is a diagram illustrating a state of the surface of the wafer W when the peripheral exposure module 100 performs the peripheral exposure.

도 20에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D일 때에, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 잉여 레지스트막(RA)이 선택적으로 노광되는, 적재대(103)의 회전 중심에 관한 출사측 슬릿(124)의 중심의 상대 위치가, X방향으로 X1인 것으로 한다. 그리고 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD일 때, 적재대(103)의 회전 중심에 대한 출사측 슬릿(124)의 중심의 상대 위치가 기준 위치 X1에 대해, 예를 들어 ΔD/2만큼 변동된 X1＋ΔD/2로 되도록 결정한다. 그리고 결정한 상대 위치로 되도록, 이동 구동부(105)에 의해 적재대(103)를 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외경의 변동에 관계없이, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 노광된다. 따라서, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 웨이퍼마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 웨이퍼(W)의 주변부에 있어서의 레지스트막을 노광하는 영역의 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.As shown in FIG. 20, when the outer diameter of the wafer W is the reference value D, the loading table in which the surplus resist film RA in the region of the predetermined width WE is selectively exposed from the outer edge of the wafer W. As shown in FIG. The relative position of the center of the emission side slit 124 with respect to the rotation center of 103 is assumed to be X1 in the X direction. And when the outer diameter of the wafer W is D + ΔD fluctuating by DELTA D with respect to the reference value D, the relative position of the center of the emission side slit 124 with respect to the rotation center of the loading table 103 is, for example, relative to the reference position X1. It is determined to be X1 + ΔD / 2 shifted by ΔD / 2. And the loading stand 103 is moved by the movement drive part 105 so that it may become the determined relative position. Thereby, the resist film PR in the area | region of predetermined width WE is selectively exposed from the outer edge of the wafer W regardless of the fluctuation | variation of the outer diameter of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, it is not necessary to provide a positioning sensor for each module, and even if the outer diameter dimension varies for each wafer, the width dimension from the outer edge of the wafer W in the area exposing the resist film in the periphery of the wafer W is measured. I can make it constant.

또한, 적재대(103) 대신에, 조사 유닛(123)이 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있어도 되고, 이동 가능하게 설치된 조사 유닛(123)이 도시하지 않은 이동부에 의해 X방향으로 이동해도 된다. 즉, 적재대(103) 및 조사 유닛(123)의 어느 한쪽이 다른 쪽에 대해 상대 이동 가능하게 설치되어 있으면 되고, 결정한 상대 위치로 되도록 적재대(103) 및 조사 유닛(123) 중 어느 한쪽을 이동시키면 된다.In addition, instead of the mounting table 103, the irradiation unit 123 may be provided so that the movement to the X direction may be possible, and the irradiation unit 123 installed so that it may be moved may move to an X direction by the moving part which is not shown in figure. . That is, any one of the mounting table 103 and the irradiation unit 123 should be provided so that relative movement is possible with respect to the other side, and either one of the mounting table 103 and the irradiation unit 123 will be moved so that it may become the determined relative position. Just do it.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 기술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형?변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this specific embodiment, A various deformation | transformation and a change are possible in the range of the summary of this invention described in a claim.

23 : 도포 모듈
23a : 제거 모듈
3, 3A, 3B : 포크(보유 지지부)
31 : 베이스
5, 5A 내지 5D : 검출부
51, 51A 내지 51D : 광원
52, 52A 내지 52D : 리니어 이미지 센서
61 : 스핀 척
62 : 척 구동 기구
73 : 레지스트액 노즐
74 : 노즐 구동부
80 : 용제 노즐
81 : 노즐 구동부
9 : 제어부
100 : 주변 노광 모듈
103 : 적재대
104 : 회전 구동부
105 : 이동 구동부
110 : 얼라인먼트부
120 : 주변 노광부
123 : 조사 유닛23: application module
23a: removal module
3, 3A, 3B: fork (holding part)
31: Base
5, 5A to 5D: detection unit
51, 51A to 51D: light source
52, 52A to 52D: linear image sensor
61: spin chuck
62: chuck drive mechanism
73: resist liquid nozzle
74: nozzle drive unit
80: solvent nozzle
81: nozzle drive unit
9: control unit
100: ambient exposure module
103: loading table
104: rotation drive unit
105: moving drive unit
110: alignment unit
120: ambient exposure portion
123: irradiation unit

Claims (19)

표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는, 기판 처리 방법.In the substrate processing method of selectively removing the coating film of the position which supplied the rinse liquid by supplying the rinse liquid by the rinse liquid supply part to the surface of the periphery part of the said board | substrate in the state which rotated the board | substrate with which the coating film was formed in the surface,
When conveying the said board | substrate by the board | substrate conveyance part beforehand, when detecting the position of the periphery of the said board | substrate by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part, and supplying a rinse liquid to the surface of the said peripheral part based on the detected position. The substrate processing method of determining the position of the said rinse liquid supply part of the. 표면에 도포액이 공급된 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하고, 상기 표면에 도포막이 형성된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는, 기판 처리 방법.By rotating the substrate supplied with the coating liquid to the surface, a coating film is formed on the surface of the substrate, and the rinse liquid is supplied to the surface of the periphery of the substrate by the rinse liquid supplying part while the substrate having the coating film formed on the surface is rotated. In the substrate processing method of selectively removing the coating film of the position which supplied the rinse liquid by supplying
When conveying said board | substrate by the board | substrate conveyance part beforehand, the detection part provided in the said board | substrate conveyance part detects the position of the periphery of the said board | substrate, and supplies a rinse liquid to the surface of the said peripheral part based on the detected position. The substrate processing method of determining the position of the said rinse liquid supply part at the time. 제1항 또는 제2항에 있어서, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 기판의 외경을 산출하고, 산출한 상기 외경에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 것인, 기판 처리 방법.The said rinse liquid supply part of Claim 1 or 2 when calculating the outer diameter of the said board | substrate based on the detected said position, and supplying a rinse liquid to the surface of the said peripheral part based on the calculated said outer diameter. The substrate processing method of determining a position. 표면에 도포막이 형성된 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는, 기판 처리 방법.In the substrate processing method which hold | maintains the board | substrate with which the coating film was formed in the surface, and exposes the peripheral part of the said board | substrate by the peripheral exposure part in the state which rotated the said board | substrate hold | maintained by the said board | substrate holding part,
When conveying the said board | substrate by the board | substrate conveyance part beforehand, the detection part provided in the said board | substrate conveyance part detects the position of the peripheral part of the said board | substrate, and based on the detected position, the said board | substrate holding at the time of exposing the said peripheral part The substrate processing method of determining the relative position of the said peripheral exposure part with respect to a support part. 제1항, 제2항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송부는, 베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판을 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 기판을 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 다른 위치에서 검출하는 3개 이상의 검출부를 갖고,
상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결부가 형성된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하고, 하나의 검출부가 상기 절결부가 형성된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 절결부가 형성된 부분이 상기 검출부에 검출되지 않도록 상기 보유 지지부를 상기 검출부에 대해 이동시키고, 이동한 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 상기 검출부에 의해 다시 검출한 재검출값에 기초하여, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는, 기판 처리 방법.The said board | substrate conveyance part is provided so that the said board | substrate conveyance part can move forward and backward from the said base, The holding part which hold | maintains a board | substrate, The said holding part is a board | substrate in any one of Claims 1, 2, or 4 When it is retracted in the state which hold | maintained, it has three or more detection parts which respectively detect the position of the peripheral part of the said board | substrate which the said holding part hold | maintains in a different position,
Based on the detection value at which the detection unit detects the position of the periphery, it is determined whether any one of the detection units detects a portion in which the cutout is formed at the periphery of the substrate, and a portion where the cutout is formed When it is determined that is detected, the holding portion is moved relative to the detecting portion so that the portion where the cutout portion is formed is not detected by the detecting portion, and the position of the periphery of the substrate held by the moving holding portion is held by the detecting portion. The substrate processing method which detects the position of the periphery of the said board | substrate based on the redetection value detected again by the. 제1항, 제2항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송부는, 베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판을 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 기판을 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 다른 위치에서 검출하는 4개 이상의 검출부를 갖고,
상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결부가 형성된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하고, 하나의 검출부가 상기 절결부가 형성된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 하나의 검출부 이외의 3개의 검출부의 상기 검출값에 기초하여 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는, 기판 처리 방법.The said board | substrate conveyance part is provided so that the said board | substrate conveyance part can move forward and backward from the said base, The holding part which hold | maintains a board | substrate, The said holding part is a board | substrate in any one of Claims 1, 2, or 4 Has four or more detection parts which detect the position of the periphery part of the said board | substrate which the said holding part hold | maintains in a different position, respectively, when retreating in the state which hold | maintained,
Based on the detection value at which the detection unit detects the position of the periphery, it is determined whether any one of the detection units detects a portion in which the cutout is formed at the periphery of the substrate, and a portion where the cutout is formed And determining that the position of the periphery of the substrate is detected based on the detected values of the three detection portions other than the one detection portion. 제1항, 제2항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출부 각각은, 후퇴되어 있는 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 기판 전부를 상하로부터 끼우도록 설치된, 한 쌍의 광원과, 복수의 수광 소자가 배열되어 이루어지는 수광부에 의해 구성되는 것인, 기판 처리 방법.The said detection part is a pair of light sources of any one of Claims 1, 2, or 4 provided so that the all the board | substrate which the said holding part hold | maintains may be pinched | interposed from upper and lower sides, A substrate processing method comprising a light receiving unit in which a plurality of light receiving elements are arranged. 제7항에 있어서, 상기 수광부는, 리니어 이미지 센서인, 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 7, wherein the light receiving unit is a linear image sensor. 컴퓨터에 제1항, 제2항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium in which a computer has recorded a program for executing the substrate processing method of any one of claims 1, 2 or 4. 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서,
표면에 도포막이 형성된 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와,
상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 린스액 공급부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하고, 결정한 상기 위치로, 상기 이동부에 의해 상기 린스액 공급부를 이동시키도록 제어하는, 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which selectively removes the coating film of the position which supplied the rinse liquid by supplying the rinse liquid to the surface of the periphery part of the said board | substrate in the state which rotated the board | substrate with which the coating film was formed in the surface,
A substrate holding portion for holding a substrate having a coating film formed on its surface;
A rotating part for rotating the substrate held by the substrate holding part;
A rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid to a surface of a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding unit;
A moving unit for moving the rinse liquid supply unit;
And a control part for controlling the substrate holding part, the rotating part, the rinse liquid supply part and the moving part,
When the said control part conveys the said board | substrate by the board | substrate conveyance part previously, the control part detects the position of the periphery of the said board | substrate by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part, and rinses the surface of the said peripheral part based on the detected said position. A substrate processing apparatus which determines a position of the rinse liquid supply unit at the time of supplying a liquid, and controls the moving unit to move the rinse liquid supply unit to the determined position. 표면에 도포액이 공급된 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하고, 상기 표면에 도포막이 형성된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서,
기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와,
상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와,
상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 도포액 공급부와 상기 린스액 공급부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하고, 결정한 상기 위치로, 상기 이동부에 의해 상기 린스액 공급부를 이동시키도록 제어하는, 기판 처리 장치.By rotating the substrate supplied with the coating liquid to the surface, a coating film is formed on the surface of the substrate, and the rinse liquid is supplied to the surface of the periphery of the substrate while the substrate having the coating film formed on the surface is rotated. In the substrate processing apparatus which selectively removes the coating film of the position which supplied the liquid,
A substrate holding portion for holding a substrate,
A rotating part for rotating the substrate held by the substrate holding part;
A coating liquid supply part for supplying a coating liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding part;
A rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid to a surface of a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding unit;
A moving unit for moving the rinse liquid supply unit;
And a control part for controlling the substrate holding part, the rotating part, the coating liquid supply part, the rinse liquid supply part, and the moving part,
When the said control part conveys the said board | substrate by the board | substrate conveyance part previously, the control part detects the position of the periphery of the said board | substrate by the detection part provided in the said board | substrate conveyance part, and rinses the surface of the said peripheral part based on the detected said position. A substrate processing apparatus which determines a position of the rinse liquid supply unit at the time of supplying a liquid, and controls the moving unit to move the rinse liquid supply unit to the determined position. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제어부는, 검출한 상기 위치에 기초하여 상기 기판의 외경을 산출하고, 산출한 상기 외경에 기초하여 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하도록 제어하는 것인, 기판 처리 장치.The said rinse liquid at Claim 10 or 11 WHEREIN: The said control part calculates the outer diameter of the said board | substrate based on the detected said position, and the said rinse liquid at the time of supplying a rinse liquid to the surface of the said peripheral part based on the calculated said outer diameter. And controlling to determine the position of the supply portion. 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 노광하는 기판 처리 장치에 있어서,
표면에 도포막이 형성된 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광부와,
상기 기판 보유 지지부 및 상기 주변 노광부 중 어느 한쪽을 다른 쪽에 대해 이동시키는 이동부와,
상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 주변 노광부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하고, 결정한 상기 상대 위치로 되도록 상기 이동부에 의해 상기 기판 보유 지지부 또는 상기 주변 노광부를 이동시키도록 제어하는, 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which exposes the peripheral part of the said board | substrate in the state which rotated the board | substrate with which the coating film was formed in the surface,
A substrate holding portion for holding a substrate having a coating film formed on its surface;
A rotating part for rotating the substrate held by the substrate holding part;
A peripheral exposure portion that exposes a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding portion;
A moving part for moving one of the substrate holding part and the peripheral exposure part with respect to the other;
A control part for controlling the substrate holding part, the rotating part, the peripheral exposure part, and the moving part;
When the said control part conveys the said board | substrate by the board | substrate conveyance part beforehand, the detection part provided in the said board | substrate conveyance part detects the position of the peripheral part of the said board | substrate, and exposes the said peripheral part based on the detected said position. The relative position of the peripheral exposure portion relative to the substrate holding portion of the substrate processing apparatus is controlled to move the substrate holding portion or the peripheral exposure portion by the moving portion so as to be the determined relative position. 기판을 반송하는 기판 반송부와, 기판을 처리하는 기판 처리부를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서,
상기 기판 반송부는,
베이스와,
상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판을 보유 지지하는 보유 지지부와,
상기 보유 지지부가 기판을 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 다른 위치에서 검출하는 3개 이상의 검출부를 갖고,
상기 기판 처리부는, 제10항, 제11항, 또는 제13항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치인, 기판 처리 시스템.In the substrate processing system provided with the board | substrate conveyance part which conveys a board | substrate, and the board | substrate processing part which processes a board | substrate,
The substrate transfer unit,
Bass,
A holding part which is provided to be retractable from the base and holds a substrate;
When the holding portion is retracted in the state of holding the substrate, the holding portion has three or more detecting portions for detecting positions of peripheral portions of the substrate held at the different positions, respectively.
The substrate processing system is a substrate processing apparatus according to claim 10, 11, or 13. 제14항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결부가 형성된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하고, 하나의 검출부가 상기 절결부가 형성된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 절결부가 형성된 부분이 상기 검출부에 검출되지 않도록 상기 보유 지지부를 상기 검출부에 대해 이동시키고, 이동한 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 상기 검출부에 의해 다시 검출한 재검출값에 기초하여, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하도록 제어하는 것인, 기판 처리 시스템.The control unit according to claim 14, wherein the control unit determines whether any one of the detection units detects a portion of which the periphery of the substrate is formed and a cutout is formed based on the detection value at which the detection unit detects the position of the periphery unit, When one detector determines that the portion where the cutout is formed is detected, the holding portion is moved relative to the detection portion so that the portion where the cutout is formed is not detected by the detection portion, and the held holding portion is moved. And detecting the position of the periphery of the substrate based on the redetection value detected again by the detection unit. 제14항에 있어서, 상기 검출부는, 4개 이상이고,
상기 제어부는, 상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결부가 형성된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하고, 하나의 검출부가 상기 절결부가 형성된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 하나의 검출부 이외의 3개의 검출부의 상기 검출값에 기초하여, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하도록 제어하는 것인, 기판 처리 시스템.The method according to claim 14, wherein the detection unit is four or more,
The control unit determines whether any one of the detection units detects a portion of the substrate which is a periphery of the substrate and a cutout is formed on the basis of the detection value at which the detection unit detects the position of the periphery, and one detection unit detects the section. And determining to detect the position of the periphery of the substrate based on the detection values of three detection units other than the one detection unit when it is determined that the portion where the tie is formed is detected. 제14항에 있어서, 상기 보유 지지부는, 상하로 겹쳐지도록 복수개 설치되어 있고,
상기 검출부는, 상기 보유 지지부 중 어느 하나가 기판을 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는 것인, 기판 처리 시스템.The said holding part is provided in multiple numbers so that it may overlap up and down,
The said detection part detects the position of the periphery of the said board | substrate which the said holding part hold | maintains when any one of the said holding | maintenance parts is retreating in the state which hold | maintained the board | substrate. 제14항에 있어서, 상기 검출부 각각은, 후퇴되어 있는 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 기판 전부를 상하로부터 끼우도록 설치된, 한 쌍의 광원과, 복수의 수광 소자가 배열되어 이루어지는 수광부에 의해 구성되는 것인, 기판 처리 시스템.The said detection part is comprised by the light-receiving part by which a pair of light source and several light receiving elements are arrange | positioned so that the all the board | substrate which the holding part which hold | maintained the said retaining part hold | maintains from upper and lower sides are arranged. Substrate processing system. 제18항에 있어서, 상기 수광부는, 리니어 이미지 센서인, 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 18, wherein the light receiving unit is a linear image sensor.
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