JP2010118393A - Edge rinse method and edge rinse mechanism - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an edge rinse method and an edge rinse mechanism capable of removing a resist at a predetermined width from the outer circumferential portion of a substrate by correctly supplying an edge rinse liquid to a position having a predetermined distance from the edge position of the substrate for the positioning state of various substrates while having less effects of splash of the edge rinse liquid. <P>SOLUTION: The edge rinse method is used to remove an applied resist by supplying an edge rinse liquid from a nozzle 10 provided at a predetermined position to the outer circumference of a substrate placed on a rotating stage 40. The edge rinse method has: an edge position detecting step of detecting the edge position of the substrate rotating on the stage 40; and an edge rinse liquid supply step of allowing the stage 40 to scan and move so that the edge rinse liquid supplied from the nozzle 10 may be supplied to the position having a predetermined distance from the edge position based on the edge position detected in the edge position detecting step. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、エッジリンス方法及びエッジリンス装置に関し、特に、回転するステージ上に載置された基板の外周部上に、所定位置に設けられたノズルからエッジリンス液を供給し、基板上に塗布されたレジストを除去するエッジリンス方法及びエッジリンス機構に関する。   The present invention relates to an edge rinse method and an edge rinse apparatus, and in particular, an edge rinse liquid is supplied from a nozzle provided at a predetermined position onto the outer peripheral portion of a substrate placed on a rotating stage and applied onto the substrate. The present invention relates to an edge rinsing method and an edge rinsing mechanism for removing a resist that has been removed.

従来から、回転するウエハの外周部にエッジリンスノズルからエッジリンス液を注いでウエハ外周部のレジストを除去するレジスト塗布装置のエッジリンス機構において、ウエハのエッジ位置を検出する手段と、エッジリンスノズルをウエハの半径方向に移動させる手段を備え、検出したウエハのエッジ位置データに従いエッジリンスノズルを移動させ、エッジリンスノズルをウエハの外周位置に追随させ、ウエハエッジから一定の幅でレジストを除去するようにしたレジスト塗布装置のエッジリンス機構が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−１７９２１１号公報 2. Description of the Related Art Conventionally, in an edge rinse mechanism of a resist coating apparatus that removes resist on an outer periphery of a wafer by pouring edge rinse liquid from an edge rinse nozzle onto the outer periphery of a rotating wafer, a means for detecting the edge position of the wafer, and an edge rinse nozzle Is moved in the radial direction of the wafer, the edge rinse nozzle is moved according to the detected edge position data of the wafer, the edge rinse nozzle is made to follow the peripheral position of the wafer, and the resist is removed from the wafer edge with a certain width. An edge rinse mechanism of the resist coating apparatus is known (for example, see Patent Document 1).
JP 2004179921 A

しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、エッジリンスノズルは、ウエハの上方に設けられているため、エッジリンス液の飛散を受けやすく、エッジリンスノズルの移動機構の劣化が生じやすいという問題があった。また、エッジリンスノズルを移動させると、移動時の慣性の影響を受け、エッジリンス液の滴下位置が微妙に狂ってしまい、ウエハエッジ位置から一定の幅でレジストを除去することが困難であるという問題があった。更に、ウエハの位置ずれが大きい場合には、エッジノズルの移動量が大きくなり、外周位置に的確に追随するのが困難な場合があるという問題があった。   However, in the configuration described in Patent Document 1 described above, since the edge rinse nozzle is provided above the wafer, the edge rinse liquid is likely to be scattered and the movement mechanism of the edge rinse nozzle is likely to deteriorate. was there. In addition, when the edge rinse nozzle is moved, the drop position of the edge rinse liquid is slightly out of order due to the influence of inertia during movement, and it is difficult to remove the resist with a certain width from the wafer edge position. was there. Furthermore, when the wafer position deviation is large, the amount of movement of the edge nozzle increases, and there is a problem that it may be difficult to accurately follow the outer peripheral position.

そこで、本発明は、エッジリンス液の飛散の影響が小さく、種々の基板の載置状態に対して、基板のエッジ位置から一定の距離を有する位置に的確にエッジリンス液を供給し、基板の外周部から一定の幅でレジストを除去することができるエッジリンス方法及びエッジリンス機構を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention is less affected by the scattering of the edge rinse liquid, and accurately supplies the edge rinse liquid to a position having a certain distance from the edge position of the substrate for various substrate mounting states, An object of the present invention is to provide an edge rinse method and an edge rinse mechanism that can remove a resist with a constant width from the outer periphery.

上記目的を達成するため、第１の発明に係るエッジリンス方法は、回転するステージ（４０）上に載置された基板の外周部上に、所定位置に設けられたノズル（１０）からエッジリンス液を供給して塗布されたレジストを除去するエッジリンス方法であって、
前記ステージ（４０）上で回転する前記基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、
該エッジ位置検出工程で検出された前記エッジ位置に基づいて、前記ノズル（１０）から供給される前記エッジリンス液が、前記エッジ位置から一定の距離を有する位置に供給されるように前記ステージ（４０）をスキャン移動させるエッジリンス液供給工程と、を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an edge rinse method according to a first aspect of the present invention provides an edge rinse from a nozzle (10) provided at a predetermined position on an outer peripheral portion of a substrate placed on a rotating stage (40). An edge rinse method for removing a resist applied by supplying a liquid,
An edge position detection step of detecting an edge position of the substrate rotating on the stage (40);
Based on the edge position detected in the edge position detecting step, the stage rinsed so that the edge rinse liquid supplied from the nozzle (10) is supplied to a position having a certain distance from the edge position. And 40) an edge rinse liquid supply step of scanning and moving.

これにより、エッジリンス液の飛散の影響の小さいステージ側でエッジリンス液の基板上への供給位置を制御できるとともに、移動による慣性の影響による供給位置ずれを防止し、的確なエッジリンス液の基板上への供給を行うことができる。   As a result, the supply position of the edge rinse liquid onto the substrate can be controlled on the stage side where the influence of the scattering of the edge rinse liquid is small, and the supply position shift due to the influence of inertia due to the movement is prevented, and the accurate edge rinse liquid substrate Upward supply can be made.

第２の発明は、第１の発明に係るエッジリンス方法において、
前記エッジ位置検出工程は、前記基板のエッジ部分を上方から撮像し、前記ステージ（４０）の外周と前記基板の前記エッジ位置との間隔を検出することにより行われることを特徴とする。 2nd invention is the edge rinse method which concerns on 1st invention,
The edge position detection step is performed by imaging the edge portion of the substrate from above and detecting the interval between the outer periphery of the stage (40) and the edge position of the substrate.

これにより、ステージの外周と基板のエッジとの間隔を画像処理により正確かつ容易に測定してエッジ位置を検出することができ、検出したエッジ位置に基づいてステージの移動制御を的確に行うことができる。   Thereby, the distance between the outer periphery of the stage and the edge of the substrate can be accurately and easily measured by image processing to detect the edge position, and the movement control of the stage can be accurately performed based on the detected edge position. it can.

第３の発明は、第１又は第２の発明に係るエッジリンス方法において、
前記ステージ（４０）の前記スキャン移動は、前記基板の径方向の直線水平移動であることを特徴とする。 3rd invention is the edge rinse method which concerns on 1st or 2nd invention,
The scanning movement of the stage (40) is a linear horizontal movement in the radial direction of the substrate.

これにより、簡素な動作により、エッジ位置の変化に追従させてステージを移動させる制御を行うことができる。   Thereby, it is possible to perform control for moving the stage by following the change of the edge position by a simple operation.

第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係るエッジリンス方法において、
前記エッジ位置検出工程の前に、前記基板の外周の総ての外周について、予備的にエッジ位置を検出する予備的エッジ位置検出工程と、
該予備的エッジ位置検出工程により検出された前記エッジ位置の変化に基づいて、前記基板の偏心が小さくなるように、前記ステージ（４０）を二次元的に移動させる偏心低減工程と、を更に有することを特徴とする。 4th invention is the edge rinse method which concerns on either 1st-3rd invention,
Prior to the edge position detection step, a preliminary edge position detection step for preliminarily detecting edge positions for all the outer circumferences of the substrate;
An eccentricity reduction step of moving the stage (40) in a two-dimensional manner so that the eccentricity of the substrate is reduced based on the change in the edge position detected by the preliminary edge position detection step. It is characterized by that.

これにより、基板のステージ上の位置ずれが低減するようにステージを移動させてから、リアルタイムでステージをスキャン移動させる高速移動制御を行うことができるので、スキャン移動時の移動距離を低減させ、エッジ位置に追従する制御をより迅速かつ的確に行うことができる。また、最初の基板の位置ずれが大きい場合であっても、位置ずれを是正してからスキャン制御を行うので、適切にエッジ位置から一定距離の位置にエッジリンス液を供給することができる。   This enables high-speed movement control to move the stage in real time after moving the stage so that the positional deviation of the substrate on the stage is reduced. Control following the position can be performed more quickly and accurately. Further, even when the positional deviation of the first substrate is large, since the scan control is performed after correcting the positional deviation, the edge rinse liquid can be appropriately supplied to a position at a certain distance from the edge position.

第５の発明に係るエッジリンス機構は、基板が載置され、該基板を回転させるステージ（４０）と、
該ステージ（４０）上に載置された前記基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出手段（２０、２１、３０、３１）と、
前記基板の外周部上に、エッジリンス液を供給する所定位置に設けられたノズル（１０）と、
前記エッジ位置検出手段により検出された前記基板の前記エッジ位置に基づいて、前記エッジ位置から一定の距離を有する位置に前記エッジリンス液が供給されるように、前記ステージ（４０）を前記基板の径方向にスキャン移動させるステージ制御手段（６０、６１）と、を有することを特徴とする。 An edge rinse mechanism according to a fifth aspect of the present invention is a stage (40) on which a substrate is placed and rotates the substrate;
Edge position detection means (20, 21, 30, 31) for detecting the edge position of the substrate placed on the stage (40);
A nozzle (10) provided at a predetermined position for supplying an edge rinse on the outer periphery of the substrate;
Based on the edge position of the substrate detected by the edge position detection means, the stage (40) is placed on the substrate so that the edge rinse liquid is supplied to a position having a certain distance from the edge position. And stage control means (60, 61) for scanning in the radial direction.

これにより、エッジリンス液の飛散の影響が少なく、エッジリンス液の供給を的確に基板のエッジ位置から一定距離の位置に行うことができ、均一に一定幅でレジスト除去を行うことができる。   As a result, the influence of the scattering of the edge rinse liquid is small, and the supply of the edge rinse liquid can be accurately performed at a certain distance from the edge position of the substrate, and the resist can be uniformly removed with a constant width.

第６の発明は、第５の発明に係るエッジリンス機構において、
前記エッジ位置検出手段（２０、２１、３０、３１）は、前記基板のエッジ位置を上方から撮像する撮像手段（２０、２１）を含むことを特徴とする。 6th invention is the edge rinse mechanism which concerns on 5th invention,
The edge position detection means (20, 21, 30, 31) includes imaging means (20, 21) for imaging the edge position of the substrate from above.

これにより、ＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラ等を利用して、容易かつ正確にエッジ位置を検出することができる。   Thus, the edge position can be detected easily and accurately using a CCD camera, a CMOS camera, or the like.

第７の発明は、第５又は第６の発明に係るエッジリンス機構において、
前記ノズル（１０）から前記エッジリンス液が供給される前に、前記エッジ位置検出手段は、前記基板の外周の総てについて予備的にエッジ位置を検出し、
前記ステージ制御手段（６０、６１）は、前記エッジ位置検出手段（２０、２１、３０、３１）により予備的に検出された前記エッジ位置に基づいて前記基板の偏心を算出し、該偏心を低減するように前記ステージ（４０）を二次元的に移動させることを特徴とする。 The seventh invention is the edge rinse mechanism according to the fifth or sixth invention,
Before the edge rinse liquid is supplied from the nozzle (10), the edge position detection means preliminarily detects the edge position for all of the outer periphery of the substrate,
The stage control means (60, 61) calculates the eccentricity of the substrate based on the edge position preliminarily detected by the edge position detection means (20, 21, 30, 31), and reduces the eccentricity. As described above, the stage (40) is moved two-dimensionally.

これにより、基板の位置ずれによる偏心を低減してからステージをリアルタイムで移動させるスキャン制御を行うことができ、スキャン制御の移動距離を小さくすることができるとともに、位置ずれが大きい場合であっても、的確にエッジ位置から一定距離の位置にエッジリンス液を供給することができる。   As a result, it is possible to perform scan control in which the stage is moved in real time after reducing the eccentricity due to the positional deviation of the substrate, the moving distance of the scanning control can be reduced, and even when the positional deviation is large. The edge rinse liquid can be accurately supplied to a position at a fixed distance from the edge position.

なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。   Note that the reference numerals in the parentheses are given for easy understanding, are merely examples, and are not limited to the illustrated modes.

本発明によれば、基板のエッジ位置から一定距離の位置にエッジリンス液を供給することができる。   According to the present invention, the edge rinse liquid can be supplied to a position at a certain distance from the edge position of the substrate.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、本発明を適用した実施例１に係るエッジリンス方法を実行するためのエッジリンス機構１００を含む塗布装置の全体構成を示した図である。図１において、本実施例に係るエッジリンス機構１００は、エッジリンスノズル１０と、撮像手段２０と、画像処理部３０と、ステージ４０と、モータ５０と、ステージ制御手段６０と、を備える。また、本実施例に係るエッジリンス機構１００の関連構成要素として、塗布装置は、塗布処理カップ７０と、ウエハ塗布処理室７５と、演算部８０と、パネル表示部９０と、警告灯９１とを備えていてよい。塗布装置は、半導体ウエハＷ等の基板上にレジストを塗布する装置であり、エッジリンス機構１００は、塗布装置の一部の機構として備えられていてよい。なお、ステージ４０上には、半導体ウエハＷが載置されている。本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構は、レジストが塗布される基板には総て適用できるが、本実施例においては、基板に半導体ウエハＷが適用された例を挙げて説明する。   FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a coating apparatus including an edge rinse mechanism 100 for executing an edge rinse method according to a first embodiment to which the present invention is applied. In FIG. 1, an edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment includes an edge rinse nozzle 10, an imaging unit 20, an image processing unit 30, a stage 40, a motor 50, and a stage control unit 60. Further, as related components of the edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment, the coating apparatus includes a coating processing cup 70, a wafer coating processing chamber 75, a calculation unit 80, a panel display unit 90, and a warning lamp 91. You may have. The coating device is a device that coats a resist on a substrate such as a semiconductor wafer W, and the edge rinse mechanism 100 may be provided as a part of the coating device. A semiconductor wafer W is placed on the stage 40. The edge rinse method and the edge rinse mechanism according to the present embodiment can be applied to all substrates to which a resist is applied. In this embodiment, an example in which a semiconductor wafer W is applied to a substrate will be described.

エッジリンスノズル１０は、ウエハＷ等の基板の外周部上（エッジ部分）に、エッジリンス液を供給し、基板上のエッジ部分からレジストを除去する処理を行うためのノズルである。エッジリンス液は、ウエハＷ上のホトレジスト等を除去できるリンス液であれば、種々のリンス液を適用してよいが、例えば、シンナーを適用してもよい。   The edge rinse nozzle 10 is a nozzle for supplying an edge rinse liquid onto the outer peripheral portion (edge portion) of the substrate such as the wafer W and removing the resist from the edge portion on the substrate. As the edge rinse liquid, various rinse liquids may be applied as long as they can remove the photoresist and the like on the wafer W. For example, thinner may be applied.

エッジリンスノズル１０は、ウエハＷの外周部上にエッジリンス液を滴下できる所定の位置に固定設置されてよい。本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構１００においては、エッジリンスノズル１０は固定した状態でエッジリンス処理を行うので、スキャン動作等を行う必要は無く、所定の位置に固定設置されてよい。但し、エッジリンス処理を行わない場合には、エッジリンスノズル１０は不要であり、レジスト塗布を行う場合には、邪魔となる場合があるので、そのような場合に、不要なエッジノズル１０をレジスト塗布の障害とならない場所に移動させる移動機能は備えていてもよい。   The edge rinse nozzle 10 may be fixedly installed at a predetermined position where the edge rinse liquid can be dropped on the outer periphery of the wafer W. In the edge rinse method and the edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment, the edge rinse nozzle 10 performs the edge rinse process in a fixed state. Therefore, it is not necessary to perform a scanning operation or the like and may be fixedly installed at a predetermined position. . However, the edge rinse nozzle 10 is not necessary when the edge rinse process is not performed, and it may become an obstacle when the resist coating is performed. You may provide the movement function to move to the place which does not become an obstacle of application | coating.

撮像手段２０は、ウエハＷ等の基板の外周部付近を撮像し、ウエハＷのエッジ位置を検出するための手段である。撮像手段２０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷの外周部を、ステージ４０とともに撮像する。ウエハＷの外周端部及びステージ４０の外周端部を撮像することにより、ウエハＷのエッジ位置が、ステージ４０に対してどの位置にあるのかを検出することができる。   The imaging unit 20 is a unit for imaging the vicinity of the outer peripheral portion of the substrate such as the wafer W and detecting the edge position of the wafer W. The imaging unit 20 is provided above the wafer W and images the outer peripheral portion of the wafer W together with the stage 40. By imaging the outer peripheral edge of the wafer W and the outer peripheral edge of the stage 40, it is possible to detect where the edge position of the wafer W is with respect to the stage 40.

撮像手段２０は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ、ＣＭＯＳ（Complimentary Metal Oxide Semiconductor）カメラ又はアナログカメラ等、種々のカメラ等が適用されてよい。   As the imaging unit 20, various cameras such as a CCD (Charge Coupled Device) camera, a CMOS (Complimentary Metal Oxide Semiconductor) camera, or an analog camera may be applied.

画像処理部３０は、撮像手段２０で撮像したウエハＷの外周部及びステージ４０の外周部の撮像画像を画像処理し、ウエハＷ等の基板のエッジ位置を算出する手段である。具体的には、ステージ４０の外周部と、ウエハＷの外周部を特徴部分として抽出し、両者の距離を求めることにより、ウエハＷのステージ４０に対するエッジ位置を検出することができる。   The image processing unit 30 is a unit that performs image processing on the captured images of the outer periphery of the wafer W and the outer periphery of the stage 40 captured by the imaging unit 20 and calculates the edge position of the substrate such as the wafer W. Specifically, the edge position of the wafer W with respect to the stage 40 can be detected by extracting the outer peripheral part of the stage 40 and the outer peripheral part of the wafer W as characteristic parts and obtaining the distance between them.

なお、撮像手段２０及び画像処理部３０は、両者でエッジ位置検出手段を構成する。   The imaging unit 20 and the image processing unit 30 together constitute an edge position detection unit.

ステージ４０は、ウエハＷ等の基板を載置し、これを移動させるための手段である。本実施例に係るステージ４０は、ウエハＷを回転移動させることができるとともに、ウエハＷの径方向にスキャン移動（直線的往復移動）できる機能を有する。ウエハＷの回転移動は、所定の回転速度で回転できればよく、必要に応じて、複数段の回転速度に設定できる構成としてもよい。ステージ４０のスキャン移動は、回転するウエハＷのエッジ位置の変化に応じて行われることから、ステージ４０の回転速度に追従できる移動速度を有することが好ましい。   The stage 40 is a means for placing a substrate such as a wafer W and moving the substrate. The stage 40 according to the present embodiment has a function of allowing the wafer W to rotate and move and also to scan and move in the radial direction of the wafer W (linear reciprocation). The rotational movement of the wafer W only needs to be able to rotate at a predetermined rotational speed, and may be configured to be set to a plurality of rotational speeds as necessary. Since the scanning movement of the stage 40 is performed according to a change in the edge position of the rotating wafer W, it is preferable that the stage 40 has a moving speed that can follow the rotational speed of the stage 40.

ステージ４０は、必要に応じて、所定の径方向へのスキャン移動の他、所望のＸ−Ｙ位置に２次元的に水平移動できる機能を備えてよい。本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構においては、エッジリンス液を供給している間に行うスキャン移動の他、エッジリンス液の供給前に、基板のエッジ位置を検出し、ステージ４０からの回転中心からの偏心を算出し、これを低減するような制御を行うことも可能である。そのような、偏心低減制御を行う場合には、ステージ４０は、Ｘ−Ｙの水平方向に移動できる機能を有してよい。   The stage 40 may have a function of two-dimensionally horizontally moving to a desired XY position in addition to scanning movement in a predetermined radial direction as necessary. In the edge rinse method and the edge rinse mechanism according to the present embodiment, in addition to the scan movement performed while supplying the edge rinse liquid, the edge position of the substrate is detected before the edge rinse liquid is supplied. It is also possible to perform control to calculate the eccentricity from the rotation center and reduce it. When performing such eccentricity reduction control, the stage 40 may have a function capable of moving in the XY horizontal direction.

なお、ステージ４０は、その表面にチャック機能を備え、ウエハＷをステージ４０上に吸着固定する機能を有していてよい。   The stage 40 may have a chuck function on the surface thereof and a function of attracting and fixing the wafer W onto the stage 40.

モータ５０は、ステージ４０を移動させるための駆動源である。本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構のステージ４０は、上述のように、回転運動と、径方向へのスキャン運動を行うので、モータ５０は、回転駆動用モータ５１と、例えば、スキャン移動をＸ方向に行う場合には、Ｘ駆動用モータ５２を備える。また、必要に応じて、Ｙ方向にもステージ４０を移動させることができるＹ駆動用モータ５３を備えてもよい。   The motor 50 is a drive source for moving the stage 40. As described above, the stage 40 of the edge rinsing method and the edge rinsing mechanism according to the present embodiment performs the rotational motion and the scanning motion in the radial direction, so that the motor 50 is connected to the rotational drive motor 51, for example, the scan. When moving in the X direction, an X driving motor 52 is provided. Moreover, you may provide the motor 53 for Y drive which can move the stage 40 also to a Y direction as needed.

モータ５０は、回転駆動用モータ５１には、回転式モータが用いられることが好ましいが、Ｘ駆動用モータ５２及びＹ駆動用モータ５３には、ステージ４０の種類や用途に応じて、回転式モータの他、リニアモータ等が適用されてもよい。   As the motor 50, a rotary motor is preferably used as the rotary drive motor 51, but a rotary motor is used as the X drive motor 52 and the Y drive motor 53 depending on the type and application of the stage 40. In addition, a linear motor or the like may be applied.

ステージ制御手段６０は、ステージ４０の移動及び駆動を制御する手段であり、上述のモータ５０を適切に駆動させる制御を行う。ステージ制御手段６０は、演算制御処理を行うため、所定の電子回路の他、ＣＰＵ（Central Processing Unit、中央処理装置）、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等の記憶手段を備え、プログラムを読み込むことにより処理を実行するマイクロコンピュータ等が適用されてもよい。   The stage control means 60 is a means for controlling the movement and driving of the stage 40 and performs control for appropriately driving the motor 50 described above. The stage control means 60 includes storage means such as a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), etc., in addition to a predetermined electronic circuit, for performing arithmetic control processing. A microcomputer or the like that executes processing by reading a program may be applied.

なお、ステージ制御手段６０が実行する具体的な制御内容は、後述する。   The specific control contents executed by the stage control means 60 will be described later.

塗布処理カップ７０は、レジスト塗布処理を行う際、レジストが周囲に飛散しないようにするための容器である。レジスト塗布処理後に行われる本実施例に係るエッジリンス方法においても、エッジリンス液を周囲に飛散させないための容器としての役割を果たす。   The coating processing cup 70 is a container for preventing the resist from scattering around when performing the resist coating processing. Also in the edge rinse method according to the present embodiment performed after the resist coating process, the edge rinse liquid serves as a container for preventing the edge rinse liquid from being scattered around.

ウエハ塗布処理室７５は、ウエハＷへのホトレジスト塗布処理を行うチャンバであって、外部にレジストが飛散しないように周囲を囲っている。本実施例に係るエッジリンス方法においても、エッジリンス液が周囲に飛散するのを防止する役割を果たしている。   The wafer coating chamber 75 is a chamber for performing a photoresist coating process on the wafer W, and surrounds the periphery so that the resist is not scattered outside. The edge rinse method according to the present embodiment also plays a role of preventing the edge rinse liquid from being scattered around.

演算部８０は、塗布装置全体を管理する演算処理手段である。レジスト塗布やエッジリンス等の処理の他、異常の発生等を検出する役割も果たす。演算部８０は、所定の電子回路で構成されてもよいが、ＣＰＵ（Central Processing Unit、中央処理装置）、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等の記憶手段を備え、プログラムを読み込むことにより処理を実行するマイクロコンピュータが適用されることが好ましい。   The calculation unit 80 is calculation processing means for managing the entire coating apparatus. In addition to processing such as resist coating and edge rinsing, it also serves to detect the occurrence of abnormalities. The calculation unit 80 may be configured by a predetermined electronic circuit, but includes storage means such as a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and the like. It is preferable to apply a microcomputer that executes processing by reading.

パネル表示部９０は、塗布装置全体で何らかの異常が発生したときに、異常の発生をアラームとして表示して操作者に了知させるための手段である。   The panel display unit 90 is a means for displaying the occurrence of an abnormality as an alarm and notifying the operator when any abnormality occurs in the entire coating apparatus.

警告灯９１は、パネル表示部９０と同様に、塗布装置全体で何らかの異常が発生したときに、異常の発生を、警告灯９１を点灯させて操作者に知らせるための手段である。   Similar to the panel display unit 90, the warning lamp 91 is a means for notifying the operator of the occurrence of an abnormality by turning on the warning lamp 91 when any abnormality occurs in the entire coating apparatus.

図２は、実施例１に係るエッジリンス機構１００を含む塗布装置のシステム構成を示したブロック図である。図２においては、信号の流れも含めてブロック構成が示されている。   FIG. 2 is a block diagram illustrating a system configuration of a coating apparatus including the edge rinse mechanism 100 according to the first embodiment. FIG. 2 shows a block configuration including a signal flow.

図２において、ウエハエッジ部は、ＣＣＤカメラ２１により撮像される。撮像手段２０は、他の種類のカメラ等を用いてもよいが、図２においては、ＣＣＤカメラ２１を用いている。   In FIG. 2, the wafer edge portion is imaged by the CCD camera 21. The image pickup means 20 may use another type of camera or the like, but a CCD camera 21 is used in FIG.

ＣＣＤカメラ２１で撮像されたウエハエッジ部の画像は、図１の画像処理部３０に対応する画像処理制御基板３１に送られ、ウエハエッジ部を検出するために必要な画像処理が行われる。図１において説明したように、例えば、ウエハＷのエッジ部とステージ４０のエッジ分が特徴部分として抽出され、その間隔が算出されることにより、ウエハＷのエッジ位置が検出されてよい。ＣＣＤカメラ２１及び画像処理制御基板３１は、エッジ位置検出手段としての機能を果たす。   The image of the wafer edge portion captured by the CCD camera 21 is sent to the image processing control board 31 corresponding to the image processing portion 30 in FIG. 1, and image processing necessary for detecting the wafer edge portion is performed. As described with reference to FIG. 1, for example, the edge portion of the wafer W may be detected by extracting the edge portion of the wafer W and the edge portion of the stage 40 as feature portions and calculating the interval therebetween. The CCD camera 21 and the image processing control board 31 function as edge position detection means.

画像処理制御基板３１でエッジ位置が算出された後、エッジ位置の情報は、演算処理部８０に送られる。演算処理部８０では、個別の処理は行わないが、検出されたエッジ位置から動作異常を認識した場合には、パネル表示部９０にアラーム表示を行わせ、異常発生を操作者に知らせる。一方、正常な動作範囲内にある場合には、エッジ位置の情報をステージ制御手段６０である塗布制御基板６１に送る。   After the edge position is calculated by the image processing control board 31, the edge position information is sent to the arithmetic processing unit 80. The arithmetic processing unit 80 does not perform individual processing, but if an operation abnormality is recognized from the detected edge position, an alarm is displayed on the panel display unit 90 to notify the operator of the occurrence of the abnormality. On the other hand, if it is within the normal operating range, the information on the edge position is sent to the application control substrate 61 which is the stage control means 60.

塗布部制御基板６１は、エッジ位置の変化に基づいて、ステージ４０を追従駆動制御させるための制御手段である。つまり、ステージ４０の回転速度は予め分かっているので、エッジ位置検出手段２１、３１で検出したウエハＷのエッジ位置が、何秒後にエッジリンスノズル１０の真下に到達するかは容易に算出できる。よって、塗布部制御基板６１は、検出したエッジ位置がエッジリンスノズル１０の真下に来るタイミングに合わせてステージ４０をスキャン移動させ、エッジ位置から所定の一定距離にある位置がエッジリンス液供給位置となるように、制御を行う。具体的な制御は、ウエハステージ４０を移動させるモータ５０を駆動するモータドライバー６５を制御することにより行う。   The application part control board 61 is a control means for performing follow-up driving control of the stage 40 based on a change in the edge position. That is, since the rotational speed of the stage 40 is known in advance, it can be easily calculated how many seconds later the edge position of the wafer W detected by the edge position detection means 21 and 31 reaches directly below the edge rinse nozzle 10. Therefore, the application unit control substrate 61 scans and moves the stage 40 in accordance with the timing at which the detected edge position comes directly below the edge rinse nozzle 10, and the position at a predetermined constant distance from the edge position is the edge rinse liquid supply position. Control is performed so that Specific control is performed by controlling a motor driver 65 that drives a motor 50 that moves the wafer stage 40.

モータドライバー６５は、モータ５０を駆動させる駆動回路である。モータドライバー６５は、塗布部制御基板６１の指令信号に従い、モータ５０を駆動する。   The motor driver 65 is a drive circuit that drives the motor 50. The motor driver 65 drives the motor 50 in accordance with a command signal from the application unit control board 61.

モータ５０は、塗布部制御基板６１の制御通りに移動し、エッジリンスがエッジ位置から一定幅を有して行われるように、エッジリンス液が供給される。   The motor 50 moves as controlled by the application unit control substrate 61, and the edge rinse liquid is supplied so that the edge rinse is performed with a certain width from the edge position.

図３は、実施例１に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構１００に関連する構成要素を抜き出した拡大構成図である。図３において、エッジリンス機構１００は、エッジリンスノズル１０と、ＣＣＤカメラ２１と、画像処理部３０と、ステージ４０と、モータ５０と、モータ制御部６０とを含む。そして、ステージ４０は、塗布処理カップ７０に収容され、画像処理部３０からのエッジ位置信号は、演算部８０を経由して制御部６０に送られている。   FIG. 3 is an enlarged configuration diagram illustrating components related to the edge rinse method and the edge rinse mechanism 100 according to the first embodiment. In FIG. 3, the edge rinse mechanism 100 includes an edge rinse nozzle 10, a CCD camera 21, an image processing unit 30, a stage 40, a motor 50, and a motor control unit 60. The stage 40 is accommodated in the application processing cup 70, and the edge position signal from the image processing unit 30 is sent to the control unit 60 via the calculation unit 80.

機能的には、図１及び図２で説明した内容と同様であるが、図３において、ＣＣＤカメラ２１とエッジリンスノズル１０は、略反対側に設けられているため、ＣＣＤカメラ２１で撮像したエッジ位置は、ステージ４０が回転してエッジリングノズル１０のエッジリンス液供給位置に到達したときに、制御的に反映される構成となっている。エッジリンスノズル１０は所定位置に固定されているため、そのような駆動制御を実現するために、ステージ制御部６０は、回転駆動用モータ５１を所定速度で回転駆動させるとともに、径方向のうちのいずれか一軸に沿ってスキャン移動を行わせる。図３においては、Ｘ方向（紙面に平行な方向）にステージ４０を駆動するＸ駆動用モータ５２が設けられ、Ｘ駆動用モータ５２がＸ方向にステージ４０をスキャン駆動させてエッジ位置に追従する制御を行わせる構成となっている。   Functionally, the contents are the same as those described with reference to FIGS. 1 and 2, but in FIG. 3, the CCD camera 21 and the edge rinse nozzle 10 are provided on substantially opposite sides, so that the image was taken by the CCD camera 21. The edge position is configured to be reflected in a control manner when the stage 40 rotates and reaches the edge rinse liquid supply position of the edge ring nozzle 10. Since the edge rinse nozzle 10 is fixed at a predetermined position, in order to realize such drive control, the stage control unit 60 rotates the rotation drive motor 51 at a predetermined speed, and in the radial direction. The scanning movement is performed along any one axis. In FIG. 3, an X driving motor 52 for driving the stage 40 in the X direction (direction parallel to the paper surface) is provided, and the X driving motor 52 scans the stage 40 in the X direction to follow the edge position. It is the structure which performs control.

また、スキャン駆動以外の移動を行うため、Ｙ方向（紙面に垂直な方向）にステージ４０を移動させるＹ駆動用モータ５３も必要に応じて備えられてよく、図３においても、Ｙ駆動用モータ５３が設けられている。   Further, a Y drive motor 53 for moving the stage 40 in the Y direction (direction perpendicular to the paper surface) may be provided as necessary in order to perform movement other than scan drive. 53 is provided.

このように、本実施例に係るエッジリンス機構１００においては、エッジリンスノズル１０は、エッジリンス処理中は移動しないので、安定してエッジリンス液をウエハＷ上に供給できる。また、制御のための移動機構は、ステージ４０の駆動手段として内部に設けられているので、制御機構がエッジリンス液の影響を受けず、メインテナンス等が容易な構成となっている。更に、ステージ４０を、スキャン方向のみでなく、それと垂直な方向にも移動可能に構成することにより、ステージ４０を移動させて偏心を是正する制御も可能となる。   Thus, in the edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment, the edge rinse nozzle 10 does not move during the edge rinse process, so that the edge rinse liquid can be stably supplied onto the wafer W. Further, since the moving mechanism for control is provided inside as the driving means for the stage 40, the control mechanism is not affected by the edge rinse liquid, and the maintenance and the like are easy. Further, by configuring the stage 40 so as to be movable not only in the scanning direction but also in a direction perpendicular thereto, it is possible to control the eccentricity by moving the stage 40.

次に、図４乃至図６を用いて、実施例１に係るエッジリンス方法の具体的な内容の一例について説明する。図４は、ステージ４０上に、ウエハＷが位置ズレを有して配置された状態を示した図である。図４において、左側のＡ点と右側のＢ点を比較すると、Ａ点ではステージ４０の外周部とウエハＷの外周部の距離が離間してｔ１となっており、Ｂ点では、ステージ４０の外周部とウエハＷの外周部の距離がｔ１よりも接近したｔ２となっており、Ｂ点側に偏ってウエハＷがステージ４０上に載置された状態となっている。   Next, an example of specific contents of the edge rinse method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a view showing a state where the wafer W is arranged on the stage 40 with a positional deviation. In FIG. 4, when the left A point and the right B point are compared, the distance between the outer peripheral portion of the stage 40 and the outer peripheral portion of the wafer W is t1 at the A point, and at the B point, the stage 40 The distance between the outer peripheral portion and the outer peripheral portion of the wafer W is t2, which is closer than t1, and the wafer W is placed on the stage 40 with a bias toward the point B side.

図５は、図４で示したウエハＷのステージ４０への載置状態において、実施例１に係るエッジリンス機構１００を用いて、実施例１に係るエッジリンス方法を適用する例を説明するための図である。   FIG. 5 illustrates an example in which the edge rinse method according to the first embodiment is applied using the edge rinse mechanism 100 according to the first embodiment when the wafer W is placed on the stage 40 illustrated in FIG. FIG.

図５において、Ｂ点で、撮像手段２０を用いてウエハＷのエッジ位置とステージ４０の外周部との間隔ｔ２を撮像し、図示しない画像処理装置３０によりエッジ位置を画像認識して検出する。ステージ４０は回転（図５中、矢印Ｒ）し、半回転後にノズル１０の位置に到達する。このとき、図示しないステージ制御手段は、Ｂ点におけるエッジ位置、つまり間隔ｔ２に応じて、ステージ４０を右側（図５中、矢印Ｌの右側移動）に移動させる。このときの右側への移動距離は、ウエハＷの中心が正確にステージ４０の中心と一致して載置された場合の間隔ｔｓを予め把握していれば、（ｔｓ−ｔ２）で容易に算出することができる。   In FIG. 5, at a point B, the imaging unit 20 is used to image the interval t2 between the edge position of the wafer W and the outer periphery of the stage 40, and the edge position is image-recognized and detected by the image processing apparatus 30 (not shown). The stage 40 rotates (arrow R in FIG. 5), and reaches the position of the nozzle 10 after half rotation. At this time, the stage control means (not shown) moves the stage 40 to the right (moving to the right of the arrow L in FIG. 5) according to the edge position at point B, that is, the interval t2. The movement distance to the right side at this time can be easily calculated by (ts−t2) if the interval ts when the center of the wafer W is placed in exact alignment with the center of the stage 40 is known in advance. can do.

この間、撮像手段２０は、同様に連続的にウエハＷのエッジ位置の撮像及び検出を行い、それに対応したエッジ位置情報がステージ制御手段６０に送られ、ステージ制御手段６０では、撮像したエッジ位置がノズル１０からエッジリンス液が供給される位置に到達したときに、順次ステージ４０を移動させる制御を行う。つまり、ウエハＷのエッジ位置のステージ４０に対するエッジ位置の変化に追従するように、エッジリンス液の供給がエッジ位置から一定距離となるようにステージ４０をスキャン移動させる制御が連続的に行われる。例えば、図５の場合であれば、Ｂ点がノズル１０の直下に到達したときにはステージ４０は最も右側に移動し、Ａ点がノズル１０の直下に到達したときには、ステージ４０は最も左側に移動することになる。   During this time, the image pickup means 20 continuously picks up and detects the edge position of the wafer W, and the corresponding edge position information is sent to the stage control means 60. The stage control means 60 determines the imaged edge position. When the position where the edge rinse liquid is supplied from the nozzle 10 is reached, the stage 40 is sequentially moved. That is, the control of continuously moving the stage 40 so that the supply of the edge rinse liquid is at a constant distance from the edge position so as to follow the change of the edge position with respect to the stage 40 at the edge position of the wafer W is continuously performed. For example, in the case of FIG. 5, the stage 40 moves to the right when the point B reaches just below the nozzle 10, and the stage 40 moves to the left when the point A reaches just below the nozzle 10. It will be.

図６は、実施例１に係るエッジリンス機構１００を用いたエッジリンス方法を実行することにより、エッジリンス処理が行われたウエハＷの一例を示した図である。図６に示すうように、エッジリンス幅は、ウエハＷの全周に亘ってｄで均一となっていることが分かる。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the wafer W that has been subjected to the edge rinse process by executing the edge rinse method using the edge rinse mechanism 100 according to the first embodiment. As shown in FIG. 6, it can be seen that the edge rinse width is uniform at d over the entire circumference of the wafer W.

図７は、オリエンテーションフラットＯＲを有するウエハＷ１に実施例１に係るエッジリンス方法を実行した例を示した図である。図７に示すように、オリエンテーションフラットＯＲを有するウエハＷ１に対しても、均一なエッジリンス幅ｄでレジストの除去が行われることが分かる。同様に、ノッチを有する半導体ウエハに対しても同様に本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構１００を適用することができる。このように、本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構１００によれば、半導体ウエハＷ、Ｗ１の種類によらず、エッジリンス幅を一定としてレジスト除去を行うことができる。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which the edge rinse method according to the first embodiment is performed on the wafer W1 having the orientation flat OR. As shown in FIG. 7, it is understood that the resist is removed with a uniform edge rinse width d even for the wafer W1 having the orientation flat OR. Similarly, the edge rinse method and the edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment can be similarly applied to a semiconductor wafer having a notch. As described above, according to the edge rinse method and the edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment, it is possible to remove the resist with a constant edge rinse width regardless of the types of the semiconductor wafers W and W1.

図８は、本発明を適用した実施例２に係るエッジリンス方法の内容を説明するための図である。実施例２に係るエッジリンス方法においては、実施例１に係るエッジリンス方法を実行する前に、ウエハＷの偏心を低減させる制御を加えて実行する。なお、実施例２に係るエッジリンス方法を実行するためには、エッジリンス機構１００は、Ｘ駆動用モータ５２及びＹ駆動用モータ５３の双方を備え、二次元的に移動できることが必要である。つまり、実施例２に係るエッジリンス方法に適用されるエッジリンス機構１００は、モータ５０がＸ駆動用モータ５２及びＹ駆動用モータ５３の双方を有するとともに、ステージ制御手段６０がステージ４０のＸ−Ｙの二次元方向の移動を制御できる機能を有すればよく、実施例１において説明した内容と、基本的には同様の構成でよい。   FIG. 8 is a diagram for explaining the contents of the edge rinse method according to the second embodiment to which the present invention is applied. In the edge rinse method according to the second embodiment, the control for reducing the eccentricity of the wafer W is performed before the edge rinse method according to the first embodiment is executed. In order to execute the edge rinse method according to the second embodiment, the edge rinse mechanism 100 needs to include both the X drive motor 52 and the Y drive motor 53 and be able to move two-dimensionally. That is, in the edge rinse mechanism 100 applied to the edge rinse method according to the second embodiment, the motor 50 includes both the X drive motor 52 and the Y drive motor 53, and the stage control unit 60 uses the X− of the stage 40. It only needs to have a function capable of controlling the movement of Y in the two-dimensional direction, and may basically have the same configuration as that described in the first embodiment.

図８において、ウエハＷがステージ４０上に載置されているが、ウエハＷの中心ＣＷとステージ４０の中心ＣＳとがやや大きく離間しており、ウエハＷの偏心が大きい状態が示されている。なお、図８においては、理解の容易のため、偏心の程度は実際よりも大きくして記載されている。   In FIG. 8, the wafer W is placed on the stage 40, but the center CW of the wafer W and the center CS of the stage 40 are slightly separated from each other, and the state where the eccentricity of the wafer W is large is shown. . In FIG. 8, for the sake of easy understanding, the degree of eccentricity is shown larger than the actual degree.

図８において、ウエハＷのエッジＤ点とステージ４０の外周部Ｃ点の距離は最も小さく、ウエハＷのエッジＥ点とステージ４０の外周部Ｆ点の距離は最も大きい配置となっている。このような場合、そのまま実施例１に係るエッジリンス方法を適用し、撮像手段２０でウエハＷのエッジ位置を検出し、ノズル１０の下で適切な位置となるようにステージ４０をスキャン移動させる制御をそのまま行うことも可能であるが、実施例２においては、そのような追従スキャン制御を行う前に、ウエハＷの偏心を減少させる制御を行う。つまり、追従スキャン制御を行う前に、ウエハＷを１回以上回転させて、エッジ位置検出手段２０、３０により予備的にエッジ位置を検出する。この、予備的エッジ位置検出工程において、エッジ位置の変化量を把握する。そして、エッジ位置の変化量が大きく、偏心を減少させてからリアルタイムの追従スキャン制御を行う方が、制御負担が小さい場合には、ウエハＷの偏心を減少させるようにステージ４０をまず移動させる。このときの移動は、例えば、ウエハＷの中心ＣＷと、ステージ４０の中心ＣＳを結んだ中間点ＣＭに、ウエハＷの中心ＣＷが来るように、ステージ４０を移動させればよい。ステージ４０が移動すると、当然にステージ４０の中心も同じ方向に移動するので、相対的な位置関係については、当然変化は無い。しかし、ステージ４０を回転させたときに物理的に偏心量が減少するので、ステージ４０をスキャン移動させるリアルタイムの制御時のステージ移動量を減少させることができる。なお、この場合には、ステージ４０の二次元的移動の移動量と方向は記憶しておき、それをリアルタイムのスキャン移動制御時にも反映させ、中心のズレ分を補正しつつ追従制御を行うようにする。   In FIG. 8, the distance between the edge D point of the wafer W and the outer peripheral portion C point of the stage 40 is the smallest, and the distance between the edge E point of the wafer W and the outer peripheral portion F point of the stage 40 is the largest. In such a case, the edge rinse method according to the first embodiment is applied as it is, the edge position of the wafer W is detected by the imaging unit 20, and the stage 40 is scanned and moved so as to be an appropriate position under the nozzle 10. However, in the second embodiment, control for reducing the eccentricity of the wafer W is performed before such follow-up scanning control is performed. That is, before the follow-up scan control is performed, the wafer W is rotated at least once, and the edge position is preliminarily detected by the edge position detection means 20 and 30. In this preliminary edge position detection step, the amount of change in the edge position is grasped. When the amount of change in the edge position is large and the real-time follow-up scan control is performed after the eccentricity is reduced, the stage 40 is first moved so as to reduce the eccentricity of the wafer W when the control burden is small. For example, the stage 40 may be moved so that the center CW of the wafer W comes to an intermediate point CM connecting the center CW of the wafer W and the center CS of the stage 40. When the stage 40 moves, the center of the stage 40 naturally moves in the same direction, so there is no change in the relative positional relationship. However, since the amount of eccentricity is physically reduced when the stage 40 is rotated, the amount of stage movement during real-time control for moving the stage 40 in scan can be reduced. In this case, the movement amount and direction of the two-dimensional movement of the stage 40 are stored and reflected in the real-time scan movement control so that the follow-up control is performed while correcting the deviation of the center. To.

なお、実施例２に係る制御を追加するか否かは、偏心の量に基づいて定めるようにしてもよく、例えば、ウエハＷの回転中心ＣＷとステージ４０の回転中心ＣＳ間の距離が所定値以上のときに、実施例２に係る偏心低減制御を行うようにしてもよい。   Whether or not the control according to the second embodiment is added may be determined based on the amount of eccentricity. For example, the distance between the rotation center CW of the wafer W and the rotation center CS of the stage 40 is a predetermined value. At the time described above, the eccentricity reduction control according to the second embodiment may be performed.

次に、図９を用いて、実施例２に係るエッジリンス方法の処理フローについて説明する。図９は、実施例２に係るエッジリンス方法の処理フロー図である。   Next, the processing flow of the edge rinse method according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a process flowchart of the edge rinse method according to the second embodiment.

ステップ１００では、ステージ４０上のウエハＷの予備的位置検出工程が実行される。ノズル１０からエッジリンス液を供給する前に、ステージ４０を１回以上回転させ、撮像手段２０及び画像処理部３０を含むエッジ位置検出手段によりエッジ位置を検出する。   In step 100, a preliminary position detecting step for the wafer W on the stage 40 is executed. Before supplying the edge rinse liquid from the nozzle 10, the stage 40 is rotated once or more, and the edge position is detected by the edge position detection means including the imaging means 20 and the image processing unit 30.

ステップ１１０では、ウエハＷの中心ＣＷの、ステージ４０の中心ＣＳに対する偏心量が算出される。ステージ４０の中心ＣＳの位置は既知であるので、例えば、図８において示したように、ステージ４０の外周部とウエハＷのエッジの間隔が最も大きい箇所と、最も小さい箇所から、偏心量が算出されてよい。   In step 110, the amount of eccentricity of the center CW of the wafer W with respect to the center CS of the stage 40 is calculated. Since the position of the center CS of the stage 40 is known, for example, as shown in FIG. 8, the amount of eccentricity is calculated from the position where the distance between the outer periphery of the stage 40 and the edge of the wafer W is the largest and the smallest. May be.

ステップ１２０では、ステップ１１０で算出した偏心量が所定値以上であるか否かが判定される。偏心量が所定値以上であったときには、ステップ１３０に進む。一方、偏心量が所定値未満であったときには、ステップ１４０に進む。   In step 120, it is determined whether or not the amount of eccentricity calculated in step 110 is greater than or equal to a predetermined value. When the amount of eccentricity is not less than the predetermined value, the process proceeds to step 130. On the other hand, when the amount of eccentricity is less than the predetermined value, the routine proceeds to step 140.

ステップ１３０では、偏心量を低減させるステージ４０の移動が行われる。これにより、物理的なウエハＷの偏心量を減少させることができる。   In step 130, the stage 40 is moved to reduce the amount of eccentricity. Thereby, the amount of physical wafer W eccentricity can be reduced.

ステップ１４０では、実施例１において説明した制御が行われ、まず、ウエハＷのエッジ位置が検出される。エッジ位置の検出は、撮像手段２０及び画像処理部３０により行われてよい。   In step 140, the control described in the first embodiment is performed, and first, the edge position of the wafer W is detected. The detection of the edge position may be performed by the imaging unit 20 and the image processing unit 30.

ステップ１５０では、エッジ位置の変化に追従するステージ４０のスキャン移動制御がリアルタイムで行われる。このとき、ステップ１３０において、偏心低減制御が行われた場合には、ステージ４０の移動分を考慮して制御が行われ、ステップ１３０が実行去れていない場合には、実施例１で説明したような追従制御をそのまま実行する。   In step 150, the scan movement control of the stage 40 following the change of the edge position is performed in real time. At this time, when the eccentricity reduction control is performed in step 130, the control is performed in consideration of the amount of movement of the stage 40, and when step 130 is not executed, as described in the first embodiment. Follow-up control is executed as it is.

ステップ１６０では、エッジリンス処理が所定時間又は所定回転数に到達したか否かが判定される。まだ、規定の処理時間又は処理回転数に到達していないときは、ステップ１４０に戻り、エッジリンス処理を繰り返す。一方、規定の処理時間又は処理回転数に到達し、エッジリンス処理が終了した場合には、処理フローを終了する。   In step 160, it is determined whether or not the edge rinse process has reached a predetermined time or a predetermined rotation speed. If the prescribed processing time or processing speed has not yet been reached, the process returns to step 140 and the edge rinse process is repeated. On the other hand, when the specified processing time or processing rotation speed is reached and the edge rinse processing is completed, the processing flow is ended.

なお、図９の処理フローにおいて、実施例１に係るエッジリンス方法を実行する場合には、ステップ１００〜ステップ１３０を行わず、ステップ１４０から開始すれば、実施例１に係るエッジリンス方法を行うことができる。   In the processing flow of FIG. 9, when the edge rinse method according to the first embodiment is executed, steps 100 to 130 are not performed, and if the process starts from step 140, the edge rinse method according to the first embodiment is performed. be able to.

図１０は、フォトリソグラフィの工程フローを示した図である。図１０に示すように、フォトリソグラフィ工程は、ステップ２００でレジストをウエハＷに塗布し、その後、ステップ２１０でサイドリンス工程が行われ、ステップ２２０の感光工程を経て、ステップ２３０の現像処理が行われる。本実施例に係るエッジリンス方法及びエッジリンス機構１００は、このような、フォトリソグラフィ工程にも適用することが可能である。また、対象とする基板も、ウエハＷに限るものではなく、ステップ２００のレジスト塗布工程とステップ２１０のサイドリンス工程に類似する工程を有する総ての製造プロセスに適用することができる。   FIG. 10 is a diagram showing a process flow of photolithography. As shown in FIG. 10, in the photolithography process, a resist is applied to the wafer W in Step 200, and then a side rinse process is performed in Step 210. After the photosensitive process in Step 220, the development process in Step 230 is performed. Is called. The edge rinse method and the edge rinse mechanism 100 according to the present embodiment can be applied to such a photolithography process. Further, the target substrate is not limited to the wafer W, and can be applied to all manufacturing processes having processes similar to the resist coating process in step 200 and the side rinse process in step 210.

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.

実施例１に係るエッジリンス方法を実行するためのエッジリンス機構１００を含む塗布装置の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of a coating apparatus including an edge rinse mechanism 100 for executing an edge rinse method according to Embodiment 1. FIG. 実施例１に係るエッジリンス機構１００を含む塗布装置のブロック図である。1 is a block diagram of a coating apparatus including an edge rinse mechanism 100 according to Embodiment 1. FIG. 実施例１に係るエッジリンス機構１００の拡大構成図である。1 is an enlarged configuration diagram of an edge rinse mechanism 100 according to Embodiment 1. FIG. ステージ４０上にウエハＷが位置ズレを有して配置された状態を示した図である。FIG. 4 is a view showing a state where a wafer W is arranged on the stage 40 with a positional deviation. 実施例１に係るエッジリンス方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the edge rinse method which concerns on Example 1. FIG. 実施例１に係るエッジリンス方法により処理が行われたウエハＷの一例を示した図である。6 is a diagram showing an example of a wafer W that has been processed by the edge rinse method according to Embodiment 1. FIG. オリエンテーションフラットＯＲを有するウエハＷ１に実施例１に係るエッジリンス方法を実行した例を示した図である。It is the figure which showed the example which performed the edge rinse method which concerns on Example 1 with respect to the wafer W1 which has orientation flat OR. 実施例２に係るエッジリンス方法の内容を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the content of the edge rinse method which concerns on Example 2. FIG. 実施例２に係るエッジリンス方法の処理フロー図である。It is a processing flowchart of the edge rinse method which concerns on Example 2. FIG. フォトリソグラフィの工程フローを示した図である。It is the figure which showed the process flow of photolithography.

符号の説明Explanation of symbols

１０ エッジリンスノズル
２０ 撮像手段
２１ ＣＣＤカメラ
３０ 画像処理部
３１ 画像処理制御基板
４０ ステージ
５０ モータ
５１ 回転駆動用モータ
５２ Ｘ駆動用モータ
５３ Ｙ駆動用モータ
６０ ステージ制御手段
６１ 塗布部制御基板
６５ モータドライバー
７０ 塗布処理カップ
８０ 演算部
９０ パネル表示部
９１ 警告灯
１００ エッジリンス機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Edge rinse nozzle 20 Imaging means 21 CCD camera 30 Image processing part 31 Image processing control board 40 Stage 50 Motor 51 Rotation drive motor 52 X drive motor 53 Y drive motor 60 Stage control means 61 Coating part control board 65 Motor driver 70 Application processing cup 80 Calculation unit 90 Panel display unit 91 Warning light 100 Edge rinse mechanism

Claims (7)

回転するステージ上に載置された基板の外周部上に、所定位置に設けられたノズルからエッジリンス液を供給して塗布されたレジストを除去するエッジリンス方法であって、
前記ステージ上で回転する前記基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、
該エッジ位置検出工程で検出された前記エッジ位置に基づいて、前記ノズルから供給される前記エッジリンス液が、前記エッジ位置から一定の距離を有する位置に供給されるように前記ステージをスキャン移動させるエッジリンス液供給工程と、を有することを特徴とするエッジリンス方法。 An edge rinse method for removing an applied resist by supplying an edge rinse liquid from a nozzle provided at a predetermined position on an outer peripheral portion of a substrate placed on a rotating stage,
An edge position detecting step for detecting an edge position of the substrate rotating on the stage;
Based on the edge position detected in the edge position detection step, the stage is scanned and moved so that the edge rinse liquid supplied from the nozzle is supplied to a position having a certain distance from the edge position. An edge rinsing liquid supply step. 前記エッジ位置検出工程は、前記基板のエッジ部分を上方から撮像し、前記ステージの外周と前記基板の前記エッジ位置との間隔を検出することにより行われることを特徴とする請求項１に記載のエッジリンス方法。   The edge position detecting step is performed by imaging an edge portion of the substrate from above and detecting an interval between an outer periphery of the stage and the edge position of the substrate. Edge rinse method. 前記ステージの前記スキャン移動は、前記基板の径方向の直線水平移動であることを特徴とする請求項１又は２に記載のエッジリンス方法。   3. The edge rinse method according to claim 1, wherein the scanning movement of the stage is a linear horizontal movement in a radial direction of the substrate. 前記エッジ位置検出工程の前に、前記基板の外周の総ての外周について、予備的にエッジ位置を検出する予備的エッジ位置検出工程と、
該予備的エッジ位置検出工程により検出された前記エッジ位置の変化に基づいて、前記基板の偏心が小さくなるように、前記ステージを二次元的に移動させる偏心低減工程と、を更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエッジリンス方法。 Prior to the edge position detection step, a preliminary edge position detection step for preliminarily detecting edge positions for all the outer circumferences of the substrate;
An eccentricity reduction step of moving the stage two-dimensionally so that the eccentricity of the substrate is reduced based on the change in the edge position detected by the preliminary edge position detection step. The edge rinse method according to any one of claims 1 to 3. 基板が載置され、該基板を回転させるステージと、
該ステージ上に載置された前記基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出手段と、
前記基板の外周部上に、エッジリンス液を供給する所定位置に設けられたノズルと、
前記エッジ位置検出手段により検出された前記基板の前記エッジ位置に基づいて、前記エッジ位置から一定の距離を有する位置に前記エッジリンス液が供給されるように、前記ステージを前記基板の径方向にスキャン移動させるステージ制御手段と、を有することを特徴とするエッジリンス機構。 A stage on which the substrate is placed and rotating the substrate;
Edge position detection means for detecting an edge position of the substrate placed on the stage;
A nozzle provided at a predetermined position for supplying an edge rinse liquid on the outer peripheral portion of the substrate;
Based on the edge position of the substrate detected by the edge position detection means, the stage is moved in the radial direction of the substrate so that the edge rinse liquid is supplied to a position having a certain distance from the edge position. An edge rinse mechanism, comprising: stage control means for moving the scan. 前記エッジ位置検出手段は、前記基板のエッジ位置を上方から撮像する撮像手段を含むことを特徴とする請求項５に記載のエッジリンス機構。   6. The edge rinse mechanism according to claim 5, wherein the edge position detection means includes an image pickup means for picking up an edge position of the substrate from above. 前記ノズルから前記エッジリンス液が供給される前に、前記エッジ位置検出手段は、前記基板の外周の総てについて予備的にエッジ位置を検出し、
前記ステージ制御手段は、前記エッジ位置検出手段により予備的に検出された前記エッジ位置に基づいて前記基板の偏心を算出し、該偏心を低減するように前記ステージを二次元的に移動させることを特徴とする請求項５又は６に記載のエッジリンス機構。 Before the edge rinse liquid is supplied from the nozzle, the edge position detection means preliminarily detects the edge position for the entire outer periphery of the substrate,
The stage control means calculates the eccentricity of the substrate based on the edge position preliminarily detected by the edge position detection means, and moves the stage two-dimensionally so as to reduce the eccentricity. The edge rinse mechanism according to claim 5 or 6, characterized by the above.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016100565A (en) * 2014-11-26 2016-05-30 東京エレクトロン株式会社 Measurement/processing device, substrate processing system, measurement jig, measurement/processing method, and storage medium
KR20160126904A (en) * 2015-04-24 2016-11-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101769166B1 (en) 2011-04-12 2017-08-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing method, recording medium which recorded program for executing substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system

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