KR101068754B1 - Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101068754B1
KR101068754B1 KR1020090027597A KR20090027597A KR101068754B1 KR 101068754 B1 KR101068754 B1 KR 101068754B1 KR 1020090027597 A KR1020090027597 A KR 1020090027597A KR 20090027597 A KR20090027597 A KR 20090027597A KR 101068754 B1 KR101068754 B1 KR 101068754B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
unit
rotating member
supported
Prior art date
Application number
KR1020090027597A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090110222A (en
Inventor
테츠야 하마다
코지 니시야마
Original Assignee
가부시키가이샤 소쿠도
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 소쿠도 filed Critical 가부시키가이샤 소쿠도
Priority to KR1020090027597A priority Critical patent/KR101068754B1/en
Publication of KR20090110222A publication Critical patent/KR20090110222A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101068754B1 publication Critical patent/KR101068754B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02082Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209Cleaning of wafer backside
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판세정장치, 기판처리장치 및 기판세정방법에 관한 것이다. 기판의 이면세정처리시에는, 스핀척에 의해 기판이 회전함과 아울러, 기체공급관을 통하여 차단판과 기판 사이에 N2가스가 공급된다. 그 상태에서, 세정브러시가 모터에 의해 회전하면서 기판의 이면에 접촉한다. 기판과 세정브러시와의 접촉 부분에는, 세정노즐로부터 순수가 공급된다. 이것에 의해, 기판 이면의 전체가 세정브러시에 의해 세정되어, 기판의 이면에 부착되는 오염물이 제거된다.

Figure R1020090027597

기판세정장치, 기판처리장치, 세정액, 오염, 디포커스, 세정

The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, a substrate processing apparatus and a substrate cleaning method. In the back cleaning process of the substrate, the substrate is rotated by the spin chuck, and N 2 gas is supplied between the blocking plate and the substrate via the gas supply pipe. In that state, the cleaning brush contacts the back surface of the substrate while rotating by the motor. Pure water is supplied to the contact portion between the substrate and the cleaning brush from the cleaning nozzle. Thereby, the whole of the back surface of a board | substrate is wash | cleaned with a washing brush, and the contaminant adhering to the back surface of a board | substrate is removed.

Figure R1020090027597

Substrate Cleaning Equipment, Substrate Processing Equipment, Cleaning Liquid, Contamination, Defocus, Cleaning

Description

기판세정장치 및 기판처리장치{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판의 이면(裏面)을 세정하기 위한 기판세정장치와 그것을 구비한 기판처리장치 및 기판세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for cleaning the back surface of a substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate cleaning method.

반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위해, 기판처리장치가 사용되고 있다.Substrate processing apparatus for processing various substrates such as semiconductor substrate, liquid crystal display substrate, plasma display substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, magneto-optical disk substrate, photomask substrate Is being used.

이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로 1매의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행해진다. 일본 특허공개 2003-324139호 공보에 기재된 기판처리장치는 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스 블록에 의해 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록 기판처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치가 배치된다.In such a substrate processing apparatus, generally, several different processes are performed continuously with respect to one board | substrate. The substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-324139 is composed of an indexer block, an antireflection film processing block, a resist film processing block, a development processing block, and an interface block. An exposure apparatus, which is an external device separate from the substrate processing apparatus, is disposed adjacent to the interface block.

상기 기판처리장치에서는, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에 있어서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행해진 후, 인터페이스 블록을 통하여 노광장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판 위의 레지스트막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통하여 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에서 기판 위의 레지스트막에 현상처리가 행해짐으로써 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.In the above substrate processing apparatus, the substrate loaded from the indexer block is conveyed to the exposure apparatus through the interface block after formation of the antireflection film and coating process of the resist film are performed in the antireflection film processing block and the resist film processing block. After the exposure treatment is performed on the resist film on the substrate in the exposure apparatus, the substrate is conveyed to the developing block through the interface block. After the resist pattern is formed by developing the resist film on the substrate in the developing block, the substrate is transferred to the indexer block.

노광처리 전에서의 여러 가지의 성막(成膜)처리의 과정에서, 기판의 이면이 오염되는 경우가 있다. 그 경우, 오염물질에 의해 기판의 이면에 요철(凹凸)이 생겨, 기판이 불안정한 상태로 된다. 그 때문에, 노광처리시에, 노광 렌즈의 초점이 기판상의 레지스트막의 표면으로부터 벗어나는 디포커스(defocus)가 발생하는 경우가 있다. 그것에 의해, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생할 우려가 있다.In the course of various film forming processes before the exposure treatment, the back surface of the substrate may be contaminated. In that case, unevenness | corrugation arises on the back surface of a board | substrate by a contaminant, and a board | substrate will be in an unstable state. Therefore, in the exposure process, defocus may occur in which the focus of the exposure lens is out of the surface of the resist film on the substrate. Thereby, there exists a possibility that the dimension defect and shape defect of an exposure pattern may arise.

그래서, 각종의 성막처리 후에, 기판의 이면을 세정함이 제안되어 있다. 그렇지만, 기판 위에 형성된 레지스트막에 세정액 등의 액체가 부착되면, 레지스트막과 액체가 반응하여, 레지스트막의 상태가 변화된다. 그것에 의해, 그 후의 레지스트막의 처리를 정상적으로 행할 수 없게 된다.Therefore, it is proposed to wash the back surface of the substrate after various film forming processes. However, when a liquid such as a cleaning liquid adheres to the resist film formed on the substrate, the resist film and the liquid react to change the state of the resist film. As a result, the subsequent processing of the resist film cannot be performed normally.

본 발명의 목적은 기판의 표면에 액체가 부착되는 것을 방지하면서 기판의 이면을 충분히 세정하는 것이 가능한 기판세정장치 및 그것을 구비한 기판처리장치 및 기판세정방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus capable of sufficiently cleaning the back surface of a substrate while preventing liquid from adhering to the surface of the substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate cleaning method.

(1) 본 발명의 일 형태를 따르는 기판세정장치는 기판의 하면을 세정하는 기판세정장치로서, 기판을 거의 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 상면에 기체를 공급하는 기체공급부와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면을 세정하기 위한 세정구와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고, 기판회전지지장치는 거의 연직(鉛直)방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재의 상측에 설치되어, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 회전부재의 하측에 설치되어, 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주단부(外周端部)에 당접(當接)함으로써 기판을 지지하는 지지부재를 포함하는 것이다.(1) A substrate cleaning apparatus of one embodiment of the present invention is a substrate cleaning apparatus for cleaning a lower surface of a substrate, comprising: a substrate rotation support apparatus for rotating the substrate while being supported substantially horizontally, and a substrate supported by the substrate rotation support apparatus. A gas supply part for supplying gas to the upper surface, a cleaning tool for cleaning the lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus, and a cleaning liquid supply portion for supplying the cleaning liquid to the lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus, The substrate rotation support device is provided with a rotating member rotatably installed around a rotation axis along a substantially vertical direction, a rotating driving mechanism provided on an upper side of the rotating member, and a lower side of the rotating member. And a supporting member for supporting the substrate by abutting against an outer circumferential end of the substrate disposed below the rotating member. .

이 기판세정장치에서는, 회전부재의 하측에 설치된 지지부재에 의해, 회전부재의 하측에 배치된 기판의 외주단부가 지지된다. 그리고, 회전부재의 상측에 설치된 회전구동기구에 의해, 거의 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전부재가 회전한다. 그것에 의해, 기판이 거의 수평으로 지지된 상태로 회전한다.In this board | substrate cleaning apparatus, the outer peripheral end part of the board | substrate arrange | positioned under the rotating member is supported by the support member provided under the rotating member. Then, the rotary member rotates around the rotary axis along the substantially vertical direction by the rotary drive mechanism provided above the rotary member. As a result, the substrate is rotated while being supported almost horizontally.

회전하는 기판의 상면에, 기체공급부에 의해 기체가 공급된다. 또한, 회전하는 기판의 하면에, 세정액공급부에 의해 세정액이 공급됨과 아울러 세정구가 접촉한다. 이 경우, 기판의 상면에 세정액이 부착되는 것을 방지하면서 기판의 하면을 세정할 수 있다.Gas is supplied to the upper surface of the rotating substrate by the gas supply unit. In addition, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate by the cleaning liquid supply unit and the cleaning tool contacts. In this case, the lower surface of the substrate can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the upper surface of the substrate.

그것에 의해, 기판의 상면에 감광성막이 형성되어 있어도, 감광성막과 세정액과의 접촉이 방지되어, 감광성막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 또한, 기판의 하면에 부착되는 오염물을 제거함으로써, 노광처리시에 기판 이면의 요철에 기인하는 디포커스(defocus)가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들에 의해, 기판의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.Thereby, even if the photosensitive film is formed in the upper surface of a board | substrate, contact of a photosensitive film and a washing | cleaning liquid can be prevented, and the state of a photosensitive film can be kept normal. In addition, by removing contaminants adhering to the lower surface of the substrate, it is possible to reliably prevent defocus due to irregularities on the rear surface of the substrate during the exposure process. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of a board | substrate can be reliably prevented.

또한, 이 기판세정장치에서는, 회전구동기구가 기판의 위쪽에 있으므로, 회전하는 기판의 아래쪽에 충분한 공간이 형성된다. 그 공간에서 세정구 및 세정액공급부에 의한 기판 하면의 세정을 행할 수 있으므로, 기판 하면의 전체를 효율 좋게 확실히 세정할 수 있다.In this substrate cleaning apparatus, since the rotation driving mechanism is located above the substrate, a sufficient space is formed below the rotating substrate. Since the lower surface of the substrate can be cleaned by the cleaning tool and the cleaning liquid supply unit in the space, the entire lower surface of the substrate can be efficiently and reliably cleaned.

(2) 기판회전지지장치는 지지부재에 의해 지지되는 기판의 상면에 대향하도록 회전부재의 하측에 설치된 차단판을 더 포함하고, 기체공급부는 차단판과 기판 사이에 기체를 공급해도 좋다.(2) The substrate rotation support apparatus further includes a blocking plate provided on the lower side of the rotating member so as to face the upper surface of the substrate supported by the supporting member, and the gas supply unit may supply gas between the blocking plate and the substrate.

이 경우, 차단판에 의해 차단된 기판 위쪽의 공간이 기체공급부로부터 공급된 기체에 의해 채워진다. 그것에 의해, 기판의 하면에 공급되는 세정액이 기판의 상면으로 돌아 들어가는 것이 확실히 방지되어, 기판의 상면에 세정액이 부착되는 것이 확실히 방지된다.In this case, the space above the substrate blocked by the blocking plate is filled by the gas supplied from the gas supply part. As a result, the cleaning liquid supplied to the lower surface of the substrate is reliably prevented from returning to the upper surface of the substrate, and the adhesion of the cleaning liquid to the upper surface of the substrate is reliably prevented.

(3) 회전구동기구는 연직방향으로 뻗는 중공(中空)의 회전축을 갖고, 회전부재는 중앙부에 개구를 가짐과 아울러 회전축과 일체적으로 회전하도록 회전축에 장착되고, 기체공급부는 회전구동기구의 회전축 안 및 회전부재의 개구에 삽입 통과되어, 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈을 형성하도록 회전구동기구에 지지된 금속제의 외관(外管)과, 외관 내에 삽입됨과 아울러 기판의 표면에 대향하는 단부에 토출구를 갖고, 토출구로부터 기판에 기체를 공급하는 수지제의 내관(內管)을 포함해도 좋다.(3) The rotary drive mechanism has a hollow rotary shaft extending in the vertical direction, the rotary member has an opening in the center and is mounted to the rotary shaft so as to integrally rotate with the rotary shaft, and the gas supply portion is the rotary shaft of the rotary drive mechanism. The discharge port is inserted into the openings of the inner and the rotating members and is supported by the rotating drive mechanism so as to form a constant gap between the inner circumferential surface of the rotating shaft and the end of the outer surface which is inserted into the outer surface and faces the surface of the substrate. It may have a resin inner tube which supplies gas to a board | substrate from a discharge port.

이 경우, 금속제의 외관이 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈이 형성되도록 회전구동기구에 지지되어 있으므로, 회전축이 회전하는 경우에 있어서도, 외관과 회전축의 내주면 사이의 틈이 일정하게 유지된다. 따라서, 외관 및 회전축 마모가 방지된다.In this case, since the outer appearance of the metal is supported by the rotation driving mechanism so that a constant gap is formed between the inner circumferential surfaces of the rotating shaft, even when the rotating shaft rotates, the gap between the outer appearance and the inner circumferential surface of the rotating shaft is kept constant. Thus, appearance and rotation shaft wear are prevented.

또한, 외관이 회전구동기구에 지지되어 있으므로, 회전구동기구가 진동한 경우라도, 회전축과 외관과의 위치 관계가 유지된다. 그것에 의해, 외관이 회전축에 접촉하는 것이 확실히 방지된다.Moreover, since the external appearance is supported by the rotary drive mechanism, even if the rotary drive mechanism vibrates, the positional relationship between the rotary shaft and the external appearance is maintained. Thereby, the appearance is surely prevented from contacting the rotating shaft.

또한, 수지제의 내관은 가요성(可撓性)을 가지므로, 외관 내에 용이하게 삽입할 수 있다. 또한, 내관을 외관 내에 삽입함으로써, 기체공급부가 콤팩트(compact)하게 된다.In addition, since the inner tube made of resin has flexibility, it can be easily inserted into the outer tube. In addition, by inserting the inner tube into the outer tube, the gas supply unit is compact.

(4) 기판세정장치는 회전축이 연직방향으로 뻗도록 회전구동기구를 지지하는 지지부재를 더 구비하고, 외관은 플랜지(flange)부를 갖고, 플랜지부가 지지부재에 고정되어도 좋다.(4) The substrate cleaning apparatus further includes a supporting member for supporting the rotation driving mechanism so that the rotating shaft extends in the vertical direction, the exterior of which has a flange portion, and the flange portion may be fixed to the supporting member.

이 경우, 회전구동기구가 지지부재에 의해 지지되고, 외관의 플랜지부가 지지부재에 고정된다. 그것에 의해, 외관이 플랜지부 및 지지부재를 통하여 회전구동기구에 확실히 고정된다. 또한, 외관의 플랜지부를 지지부재에 장착함으로써, 외관 및 내관을 회전구동기구에 용이하게 고정할 수 있다. 따라서, 기판처리장치의 제조가 더 용이하게 된다.In this case, the rotary drive mechanism is supported by the support member, and the flange portion of the external appearance is fixed to the support member. Thereby, the external appearance is firmly fixed to the rotary drive mechanism via the flange portion and the supporting member. In addition, by attaching the outer flange portion to the support member, the outer shell and the inner tube can be easily fixed to the rotary drive mechanism. Therefore, the manufacturing of the substrate processing apparatus becomes easier.

(5) 본 발명의 다른 형태를 따르는 기판처리장치는 노광장치에 인접하도록 배치되어, 표면 및 이면을 갖는 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광장치 사이에서 기판의 주고 받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고, 처리부는 기판의 표면에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막 형성 유닛을 포함하고, 처리부 및 주고받기부중 적어도 한 쪽은 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 이면을 세정하는 기판세정장치를 포함하고, 기판세정장치는 표면을 위쪽으로 향해서 기판을 거의 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 표면에 기체를 공급하는 기체공급부와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 이면을 세정하기 위한 세정구와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고, 기판회전지지장치는 거의 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재의 상측에 설치되어, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 회전부재의 하측에 설치되어, 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주단부에 당접함으로써 기판을 지지하는 지지부재를 포함하는 것이다.(5) A substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus that is disposed adjacent to an exposure apparatus and performs processing on a substrate having a surface and a back surface, the processing unit for processing the substrate, the processing unit, and the exposure unit. A photosensitive film forming unit, comprising a photosensitive film forming unit for exchanging substrates between devices, wherein the processing section includes a photosensitive film formed of a photosensitive material on the surface of the substrate; And a substrate cleaning apparatus for cleaning the back surface of the substrate before the exposure treatment by the substrate cleaning apparatus, wherein the substrate cleaning apparatus is supported by a substrate rotation support apparatus for rotating the substrate while supporting the substrate almost horizontally, and supported by the substrate rotation support apparatus. The gas supply part which supplies gas to the surface of a board | substrate, and the back surface of the board | substrate supported by a board | substrate rotation support apparatus are counted. A cleaning device for supplying a cleaning liquid to a rear surface of the substrate supported by the substrate rotation support device, the substrate rotation support device being rotatably installed around a rotation axis along a substantially vertical direction, and rotating; It includes a rotary drive mechanism provided on the upper side of the member to rotate the rotating member, and a support member provided on the lower side of the rotating member to contact the outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member to support the substrate.

이 기판처리장치에서는, 처리부에 있어서 감광성막 형성 유닛에 의해 기판의 표면에 감광성막이 형성되고, 주고받기부에 의해 그 기판이 처리부로부터 노광장치에 주고받아진다. 노광장치에 의해 기판에 노광처리가 행해진 후, 그 기판이 주고받기부에 의해 노광장치로부터 처리부에 주고받아진다. 노광장치에 의한 노광처리 이전에는, 기판세정장치에 의해 기판의 이면이 세정된다.In this substrate processing apparatus, a photosensitive film is formed on the surface of the substrate by the photosensitive film forming unit in the processing portion, and the substrate is transferred from the processing portion to the exposure apparatus by the transfer portion. After the exposure treatment is performed on the substrate by the exposure apparatus, the substrate is transferred from the exposure apparatus to the processing portion by the feed-back portion. Before the exposure treatment by the exposure apparatus, the back surface of the substrate is cleaned by the substrate cleaning apparatus.

기판세정장치에서는, 회전부재의 하측에 설치된 지지부재에 의해, 표면을 위쪽으로 향해서 회전부재의 하측에 배치된 기판의 외주단부가 지지된다. 그리고, 회전부재의 상측에 설치된 회전구동기구에 의해, 거의 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전부재가 회전한다. 그것에 의해, 기판이 거의 수평으로 지지된 상태에서 회전한다.In the substrate cleaning apparatus, the outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member is supported by the support member provided below the rotating member with the surface facing upward. Then, the rotary member rotates around the rotary axis along the substantially vertical direction by the rotary drive mechanism provided above the rotary member. As a result, the substrate is rotated while being supported almost horizontally.

회전하는 기판의 표면에, 기판공급부에 의해 기체가 공급된다. 또한, 회전하는 기판의 이면에, 세정액공급부에 의해 세정액이 공급됨과 아울러 세정구가 접촉한다. 이 경우, 기판의 표면에 세정액이 부착되는 것을 방지하면서 기판의 이면을 세정할 수 있다.Gas is supplied to the surface of the rotating substrate by the substrate supply unit. In addition, the cleaning liquid is supplied to the rear surface of the rotating substrate by the cleaning liquid supply unit and the cleaning tool contacts. In this case, the back surface of the substrate can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the surface of the substrate.

이것에 의해, 기판의 표면에 형성된 감광성막에 세정액이 접촉하는 것이 방지되어, 감광성막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 또한, 기판의 이면에 부착되는 오염물을 제거함으로써, 노광처리시에 기판 이면의 요철에 기인하는 디포커스가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들에 의해, 기판의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.This prevents the cleaning liquid from contacting the photosensitive film formed on the surface of the substrate, thereby keeping the state of the photosensitive film normal. In addition, by removing contaminants adhering to the back surface of the substrate, it is possible to reliably prevent defocus due to irregularities on the back surface of the substrate during exposure processing. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of a board | substrate can be reliably prevented.

또한, 이 기판세정장치에서는, 회전구동기구가 기판의 위쪽에 있으므로, 회 전하는 기판의 아래쪽에 충분한 공간이 형성된다. 그 공간에서 세정구 및 세정액공급부에 의한 기판 이면의 세정을 행할 수 있으므로, 기판 이면의 전체를 효율 좋게 확실히 세정할 수 있다.In this substrate cleaning apparatus, since the rotation driving mechanism is located above the substrate, a sufficient space is formed below the substrate to rotate. Since the back surface of the substrate can be cleaned by the cleaning tool and the cleaning liquid supply unit in the space, the entire back surface of the substrate can be reliably and efficiently cleaned.

또한, 기판의 이면을 아래쪽으로 향한 채 기판의 이면을 세정할 수 있으므로, 기판의 이면이 위쪽으로 향해지는 경우와 달리, 기판의 이면에 공급된 세정액이 중력으로 기판의 표면측으로 유입되는 경우가 없다. 그 결과, 기판의 표면에 세정액이 부착되는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판을 반전시키기 위한 반전기구를 설치할 필요가 없으므로, 기판처리장치의 대형화 및 고비용화를 억제할 수 있다.In addition, since the back surface of the substrate can be cleaned with the back surface of the substrate facing downward, unlike the case where the back surface of the substrate is directed upward, the cleaning liquid supplied to the back surface of the substrate does not flow into the surface side of the substrate by gravity. . As a result, it is possible to more reliably prevent the cleaning liquid from adhering to the surface of the substrate. In addition, since it is not necessary to provide an inversion mechanism for inverting the substrate, it is possible to suppress an increase in size and cost of the substrate processing apparatus.

(6) 본 발명의 또 다른 형태를 따르는 기판세정방법은 기판을 세정하는 기판세정방법으로서, 회전부재의 하측에 설치되는 지지부재에 의해 기판의 외주단부를 지지함과 아울러, 회전부재의 상측에 설치되는 회전구동기구에 의해 회전부재를 회전시키는 단계와, 회전되는 기판의 상면에 기체를 공급하는 단계와, 회전되는 기판의 하면에 세정액을 공급하는 단계와, 회전되는 기판의 하면을 세정구에 의해 세정하는 단계를 구비한 것이다.(6) A substrate cleaning method according to another aspect of the present invention is a substrate cleaning method for cleaning a substrate, wherein the support member provided below the rotating member supports the outer periphery of the substrate and is provided on the upper side of the rotating member. Rotating the rotating member by a rotating driving mechanism installed, supplying a gas to the upper surface of the rotating substrate, supplying a cleaning liquid to the lower surface of the rotating substrate, and lowering the rotating substrate to the cleaning tool. It has a step of washing by.

이 기판세정방법에서는, 회전부재의 하측에 설치된 지지부재에 의해, 회전부재의 하측에 배치된 기판의 외주단부가 지지된다. 그리고, 회전부재의 상측에 설치된 회전구동기구에 의해 회전부재가 회전한다. 그것에 의해, 지지부재에 의해 지지된 기판이 회전한다.In this substrate cleaning method, the outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member is supported by the support member provided below the rotating member. Then, the rotating member is rotated by the rotating driving mechanism provided on the upper side of the rotating member. As a result, the substrate supported by the support member rotates.

회전하는 기판의 상면에, 기체공급부에 의해 기체가 공급된다. 또한, 회전 하는 기판의 하면에, 세정액공급부에 의해 세정액이 공급된다. 그리고, 세정구에 의해, 기판의 하면이 세정된다. 이 경우, 기판의 상면에 세정액이 부착되는 것을 방지하면서 기판의 하면을 세정할 수 있다.Gas is supplied to the upper surface of the rotating substrate by the gas supply unit. In addition, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate by the cleaning liquid supply unit. And the lower surface of a board | substrate is wash | cleaned by a washing | cleaning tool. In this case, the lower surface of the substrate can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the upper surface of the substrate.

그것에 의해, 기판의 표면에 감광성막이 형성되어 있어도, 감광성막과 세정액과의 접촉이 방지되어, 감광성막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 또한, 기판의 하면에 부착되는 오염물을 제거함으로써, 노광처리시에 기판 이면의 요철에 기인하는 디포커스가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들에 의해, 기판의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.Thereby, even if the photosensitive film is formed in the surface of a board | substrate, contact of a photosensitive film and a washing | cleaning liquid can be prevented, and the state of a photosensitive film can be kept normal. In addition, by removing contaminants adhering to the lower surface of the substrate, it is possible to reliably prevent defocus due to irregularities on the rear surface of the substrate during exposure processing. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of a board | substrate can be reliably prevented.

또한, 회전구동기구가 기판의 위쪽에 있으므로, 회전하는 기판의 아래쪽에 충분한 공간이 형성된다. 그 공간에서 세정액 및 세정구에 의한 기판 하면의 세정을 행할 수 있으므로, 기판 하면의 전체를 효율 좋게 확실히 세정할 수 있다.In addition, since the rotary drive mechanism is above the substrate, sufficient space is formed below the rotating substrate. In this space, the lower surface of the substrate can be cleaned by the cleaning liquid and the cleaning tool, so that the entire lower surface of the substrate can be efficiently and reliably cleaned.

본 발명에 의하면, 기판의 표면에 액체가 부착되는 것을 방지하면서 기판의 이면을 충분히 세정할 수 있다.According to the present invention, the back surface of the substrate can be sufficiently cleaned while preventing the liquid from adhering to the surface of the substrate.

이하, 본 발명의 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 도면을 사용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the substrate processing apparatus by embodiment of this invention is demonstrated using drawing. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.

(1)기판처리장치의 구성(1) structure of substrate processing equipment

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다. 또한, 도 1 및 후술하는 도 2∼도 4에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직(鉛直)방향에 상당한다. 또한, 각 방향에 서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대인 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전 방향을 θ방향으로 하고 있다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, the arrow which shows the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other is attached | subjected to FIG. 1 and FIGS. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In addition, in each direction, the direction the arrow points to is + direction, and the opposite direction is-direction. Moreover, the rotation direction centering on a Z direction is made into (theta) direction.

도 1에 도시하는 바와 같이, 기판처리장치(500)는 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12) 및 인터페이스 블록(15)을 포함한다. 또한, 인터페이스 블록(15)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에서는, 액침법에 의해 기판(W)에 노광처리가 행해진다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, and an interface block 15. It includes. In addition, the exposure apparatus 16 is disposed adjacent to the interface block 15. In the exposure apparatus 16, the exposure process is performed to the board | substrate W by the liquid immersion method.

이하, 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12) 및 인터페이스 블록(15)의 각각을 처리블록이라고 부른다.Hereinafter, each of the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, and the interface block 15 will be referred to as a processing block.

인덱서 블록(9)은 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어(carrier)재치대(載置台)(40) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(hand)(IRH)가 설치된다.The indexer block 9 includes a main controller (control unit) 30, a plurality of carrier mounting tables 40, and an indexer robot IR that control the operation of each processing block. The indexer robot IR is provided with a hand IRH for sending and receiving the substrate W. As shown in FIG.

반사방지막용 처리블록(10)은 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용도포처리부(50) 및 제1 센터로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용도포처리부(50)는 제1 센터로봇(CR1)을 사이에 두고 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향하여 설치된다. 제1 센터로봇(CRl)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1, CR12)가 상하에 설치된다.The anti-reflection film processing block 10 includes the anti-reflection film heat treatment units 100 and 101, the anti-reflection film coating unit 50, and the first center robot CR1. The anti-reflection film coating unit 50 is provided to face the heat treatment units 100 and 101 for the anti-reflection film with the first center robot CR1 interposed therebetween. In the first center robot CRl, hands CRH1 and CR12 for exchanging the substrate W are provided above and below.

인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)는 기판(W)을 인덱서블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서블록(9)으로 반송할 때에 사용된다.Between the indexer block 9 and the anti-reflection film processing block 10, a partition 17 for blocking the atmosphere is provided. The partition 17 is provided with substrate placing portions PASS1 and PASS2 close to the top and bottom to exchange the substrate W between the indexer block 9 and the anti-reflection film processing block 10. The upper substrate placing part PASS1 is used to convey the substrate W from the indexer block 9 to the anti-reflection film processing block 10, and the lower substrate placing part PASS2 reflects the substrate W. It is used when conveying from the processing block 10 for prevention film to the indexer block 9.

또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 그것에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에 서, 기판(W)이 재치되어 있는지 여부의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정 설치된 복수개의 지지핀(pin)이 설치되어 있다. 또한, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은 후술하는 기판재치부(PASS3∼PASSl3)에도 마찬가지로 설치된다.In addition, the optical sensor (not shown) which detects the presence or absence of the board | substrate W is provided in board | substrate mounting part PASS1, PASS2. This makes it possible to determine whether or not the substrate W is placed in the substrate placing portions PASS1 and PASS2. The substrate placing parts PASS1 and PASS2 are provided with a plurality of fixed pins. In addition, the said optical sensor and a support pin are similarly provided in the board | substrate mounting part PASS3-PASSl3 mentioned later.

레지스트막용 처리블록(11)은 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(60) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(60)은 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 두고 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향하여 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다. The resist film processing block 11 includes a resist film heat treatment unit 110 and 111, a resist film coating unit 60, and a second center robot CR2. The resist film coating unit 60 is provided to face the heat treatment units 110 and 111 for resist film with the second center robot CR2 therebetween. In the second center robot CR2, hands CRH3 and CRH4 for exchanging the substrate W are provided above and below.

반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS3)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)는 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용된다.Between the antireflection film processing block 10 and the resist film processing block 11, an atmosphere barrier partition wall 18 is provided. On the partition wall 18, substrate placing portions PASS3 and PASS4 for transferring the substrate W between the anti-reflection film processing block 10 and the resist film processing block 11 are provided close to each other. do. The upper substrate placing part PASS3 is used to convey the substrate W from the anti-reflection film processing block 10 to the resist film processing block 11, and the lower substrate placing part PASS4 is the substrate W. Is used to transfer the resist film processing block 11 from the resist film processing block 11 to the anti-reflection film processing block 10.

현상처리블록(12)은 현상용 열처리부(120), 노광후 베이킹용 열처리부(121), 현상처리부(70) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 노광후 베이킹용 열처리부(121)는 인터페이스 블록(15)에 인접하고, 후술하는 바와 같이, 기판재치부(PASS7, PASS8)를 구비한다. 현상처리부(70)는 제3 센터로봇(CR3)을 사이에 두고 현상용 열처리부(120)에 대향하여 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.The developing block 12 includes a developing heat treatment unit 120, a post-exposure bake heat treatment unit 121, a development treatment unit 70, and a third center robot CR3. The post-exposure bake heat treatment unit 121 is adjacent to the interface block 15 and includes substrate placing units PASS7 and PASS8 as described later. The developing unit 70 is installed to face the developing heat treatment unit 120 with the third center robot CR3 interposed therebetween. In the third center robot CR3, hands CRH5 and CRH6 for exchanging the substrate W are provided above and below.

레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS5)는 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때에 사용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용된다.Between the process block 11 for resist film and the development process block 12, the partition 19 for blocking an atmosphere is provided. The partitions 19 are provided with substrate placing portions PASS5 and PASS6 for transferring the substrate W between the resist film processing block 11 and the developing processing block 12 close up and down. The upper substrate placing portion PASS5 is used to convey the substrate W from the resist film processing block 11 to the developing block 12, and the lower substrate placing portion PASS6 develops the substrate W. It is used when conveying from the processing block 12 to the processing block 11 for resist films.

인터페이스 블록(15)은 이송버퍼부(sending buffer unit)(SBF), 이면세정처 리유닛(BC), 제4 센터로봇(CR4), 에지(edge)노광부(EEW), 귀환버퍼부(RBF), 재치겸냉각유닛(PASS-CP)(이하, P-CP로 약기(略記)함), 기판재치부(PASS9) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)를 포함한다. 이면세정처리유닛(BC)은 노광처리 전의 기판(W) 이면의 세정처리(이하, 이면세정처리라고 부른다)를 행한다. 여기서, 기판(W)의 상면이란, 위쪽으로 향해진 기판(W)의 면을 말하고, 기판(W)의 하면이란, 아래쪽으로 향해진 기판(W)의 면을 말한다. 또한, 기판(W)의 표면이란, 각 처리블록에 있어서 여러 가지의 막이 형성되는 면을 말하고, 기판(W)의 이면이란, 그 반대측의면을 말한다. 이면세정처리유닛(BC)의 상세한 사항은 후술한다.The interface block 15 includes a sending buffer unit (SBF), a back cleaning unit (BC), a fourth center robot (CR4), an edge exposure unit (EEW), and a return buffer unit (RBF). ), A mounting and cooling unit (PASS-CP) (hereinafter abbreviated as P-CP), a substrate placing unit (PASS9), and an interface conveyance mechanism (IFR). The back surface cleaning unit BC performs a cleaning process (hereinafter, referred to as a back surface cleaning process) of the back surface of the substrate W before the exposure process. Here, the upper surface of the substrate W refers to the surface of the substrate W facing upwards, and the lower surface of the substrate W refers to the surface of the substrate W facing downward. In addition, the surface of the board | substrate W means the surface in which the various film | membrane is formed in each process block, and the back surface of the board | substrate W means the surface on the opposite side. Details of the back surface washing processing unit BC will be described later.

또한, 제4 센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)(도 4 참조)가 상하에 설치되며, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)(도 4참조)가 상하에 설치된다. 인터페이스 블록(15)의 상세한 사항에 대해서는 후술한다.The fourth center robot CR4 is provided with hands CRH7 and CRH8 (see FIG. 4) for transferring the substrate W up and down, and the substrate W is placed in the interface transfer mechanism IFR. Hands H1 and H2 (see Fig. 4) for giving and receiving are installed above and below. Details of the interface block 15 will be described later.

본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, Y방향을 따라 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12) 및 인터페이스 블록(15)이 순서대로 병설(竝設)되어 있다.In the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment, the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, and the interface block along the Y direction. (15) These are added together in this order.

도 2는 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략 측면도이며, 도 3은 도 1의 기판처리장치(500)을 -X방향에서 본 개략 측면도이다. 또한, 도 2에 있어서는, 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 나타내며, 도 3에 있어서는, 기판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 나타내고 있다.2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 seen in the + X direction, and FIG. 3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 viewed in the -X direction. In addition, in FIG. 2, what is mainly provided in the + X side of the substrate processing apparatus 500 is shown, and in FIG. 3, what is mainly installed in the -X side of the substrate processing apparatus 500 is shown.

먼저, 도 2를 이용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대해 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(spin chuck)(51) 및 스핀척(51) 위에 지지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(nozzle)(52)을 구비한다. First, the structure of the + X side of the substrate processing apparatus 500 is demonstrated using FIG. As shown in FIG. 2, three coating units BARC are laminated | stacked up and down in the anti-reflective coating application part 50 (refer FIG. 1) of the anti-reflective coating process block 10. As shown in FIG. Each coating unit BARC supplies the coating liquid of the antireflection film to the spin chuck 51 and the substrate W supported on the spin chuck 51, which rotate and adsorb and support the substrate W in a horizontal position. A supply nozzle 52 is provided.

레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 위에 지지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.Three coating units RES are stacked on top of each other in the resist film coating unit 60 (see FIG. 1) of the resist film processing block 11. Each coating unit RES is supplied to a spin chuck 61 which rotates by adsorbing and supporting the substrate W in a horizontal position, and a supply nozzle 62 for supplying a coating liquid of a resist film to the substrate W supported on the spin chuck 61. ).

현상처리블록(12)의 현상처리부(70)(도 1 참조)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 위에 지지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다. In the developing processing unit 70 (see Fig. 1) of the developing processing block 12, five developing processing units DEV are stacked up and down. Each developing unit DEV includes a spin chuck 71 which rotates by adsorbing and supporting the substrate W in a horizontal position, and a supply nozzle 72 which supplies a developer solution to the substrate W supported on the spin chuck 71. Equipped.

인터페이스 블록(15) 내의 +X측에는, 에지노광부(EEW)가 배치되어 있다. 에지노광부(EEW)는 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(98) 및 스핀척(98) 위에 지지된 기판(W)의 주연(周緣)을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다.The edge exposure unit EEW is disposed on the + X side in the interface block 15. The edge exposure unit EEW adsorbs and supports the substrate W in a horizontal position to rotate the spin chuck 98 and the light irradiator 99 for exposing the periphery of the substrate W supported on the spin chuck 98. ).

다음으로, 도 3을 이용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 2개의 가열유닛(핫플레이트(hot plate))(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링플레이트(cooling plate))(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 반사방지막 용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(local controller)(LC)가 각각 배치된다.Next, the structure of the -X side of the substrate processing apparatus 500 is demonstrated using FIG. As shown in Fig. 3, the antireflection film heat treatment parts 100 and 101 of the antireflection film processing block 10 include two heating units (hot plates) HP and two cooling units (cooling). CPs are arranged in a stack. Further, in the heat treatment parts 100 and 101 for the antireflection film, a local controller LC for controlling the temperature of the heating unit HP and the cooling unit CP is disposed at the top.

레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the resist film heat treatment parts 110 and 111 of the resist film processing block 11, two heating units HP and two cooling units CP are stacked and arranged. Further, in the heat treatment parts 110 and 111 for resist films, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are arranged at the top.

현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 적층 배치되고, 노광후 베이킹용 열처리부(121)에는, 2개의 가열유닛(HP), 2개의 냉각유닛(CP) 및 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 적층 배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120) 및 노광후 베이킹용 열처리부(121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.Two heating units HP and two cooling units CP are stacked in the developing heat treatment unit 120 of the developing block 12, and two heating units are arranged in the heat treatment unit 121 for post-exposure baking. The unit HP, the two cooling units CP, and the substrate placing parts PASS7 and PASS8 are stacked up and down. Further, in the developing heat treatment unit 120 and the post-exposure baking heat treatment unit 121, local controllers LC for controlling the temperature of the heating unit HP and the cooling unit CP are disposed at the top.

다음으로, 도 4를 이용하여 인터페이스 블록(15)에 대해서 상세히 설명한다.Next, the interface block 15 will be described in detail with reference to FIG.

도 4는 인터페이스 블록(15)을 +Y측에서 본 개략 측면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 인터페이스 블록(15) 내에 있어서, -X측에는, 이송버퍼부(SBF) 및 3개의 이면세정처리유닛(BC)이 적층 배치된다. 또한, 인터페이스 블록(15) 내에 있어서, +X측의 상부에는, 에지노광부(EEW)가 배치된다.4 is a schematic side view of the interface block 15 seen from the + Y side. As shown in FIG. 4, in the interface block 15, the transfer buffer part SBF and three back surface washing | cleaning units BC are laminated | stacked on the -X side. In the interface block 15, an edge exposure unit EEW is disposed above the + X side.

에지노광부(EEW)의 아래쪽에 있어서, 인터페이스 블록(15) 내의 대략 중앙부에는, 귀환버퍼부(RBF), 2개의 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS9)가 상하에 적층 배치된다. Below the edge exposure portion EEW, a feedback buffer portion RBF, two mounting and cooling units P-CP, and a substrate placing portion PASS9 are stacked up and down substantially in the center portion of the interface block 15. Is placed.

또한, 인터페이스 블록(15) 내의 하부에는, 제4 센터로봇(CR4) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 설치되어 있다. 제4 센터로봇(CR4)은 이송버퍼부(SBF) 및 이면세정처리유닛(BC), 에지노광부(EEW), 귀환버퍼부(RBF), 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS9) 사이에서 상하 이동 가능하면서도 회동 가능하게 설치되어 있다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 귀환버퍼부(RBF), 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS9) 사이에서 상하이동 가능하면서도 회동 가능하게 설치되어 있다.Further, a fourth center robot CR4 and an interface conveyance mechanism IFR are provided below the interface block 15. The fourth center robot CR4 includes the transfer buffer unit SBF and the back cleaning unit BC, the edge exposure unit EEW, the return buffer unit RBF, the mounting and cooling unit P-CP and the substrate placing unit. It is installed so that it can move up and down between PASS9 and can rotate. The interface conveyance mechanism IFR is provided between the return buffer portion RBF, the mounting and cooling unit P-CP, and the substrate placing portion PASS9 so as to be movable and rotatable.

(1-2) 기판처리장치의 동작(1-2) Operation of Substrate Processing Apparatus

다음으로, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 동작에 대해서 도 1∼도 4를 참조하면서 설명한다.Next, the operation | movement of the substrate processing apparatus 500 which concerns on this embodiment is demonstrated, referring FIGS.

(1-2-1) 인덱서블록에서 현상처리블록까지의 동작(1-2-1) Operation from indexer block to development block

먼저, 인덱서블록(9)에서 현상처리블록(12)까지의 동작에 대해서 간단히 설명한다.First, the operation from the indexer block 9 to the development processing block 12 will be briefly described.

인덱서블록(9)의 캐리어 재치대(40) 위에는, 복수매의 기판(W)을 다단(多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서로봇(IR)은 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미(未)처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.On the carrier mounting base 40 of the indexer block 9, the carrier C which accommodates several board | substrate W in multiple steps is carried in. The indexer robot IR takes out the unprocessed board | substrate W accommodated in the carrier C using the hand IRH. Thereafter, the indexer robot IR is rotated in the ± θ direction while moving in the ± X direction, and the unprocessed substrate W is placed on the substrate placing part PASS1.

본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않으며, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드(pod)나 수납 기판(W)을 외기(外氣)에 노출하는 OC(open cassette) 등을 사용 해도 좋다.In this embodiment, although front opening unified pod (FOUP) is employ | adopted as carrier C, it is not limited to this, Outside air | atmosphere SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod and storage board | substrate W OC) may be used, for example, an open cassette (OC).

또한, 인덱서로봇(IR), 제1∼제4 센터로봇(CR1∼CR4) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이딩시켜 핸드의 진퇴 동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴 동작을 행하는 다관절형(多關節型) 반송로봇을 사용해도 좋다.Further, the indexer robot IR, the first to fourth center robots CR1 to CR4, and the interface conveyance mechanism IFR, respectively, linearly slide linearly with respect to the substrate W to perform the hand movement of the hand. Although a linear transfer robot is used, it is not limited to this, but a multi-joint transfer robot that linearly moves the hand by moving the joint may be used.

기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 수취된다. 제1 센터로봇(CRl)은 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.The untreated substrate W placed on the substrate placing unit PASS1 is received by the first center robot CR1 of the anti-reflection film processing block 10. The first center robot CRl carries the substrate W into the heat treatment parts 100 and 101 for the antireflection film.

그 후, 제1 센터로봇(CRl)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(50)에 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 할레이션(halation)을 감소시키기 위해서, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 위에 반사방지막이 도포 형성된다.Thereafter, the first center robot CRl takes out the heat-treated substrate W from the anti-reflection film heat treatment units 100 and 101, and carries the substrate W into the anti-reflection film coating unit 50. In this antireflection coating treatment unit 50, an antireflection film is formed on the substrate W by a coating unit BARC in order to reduce standing waves and halation occurring during exposure. do.

다음으로, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 도포처리부(50)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.Next, the first center robot CR1 takes out the coated substrate W from the antireflective coating treatment unit 50 and carries the substrate W into the antireflective coating heat treatment units 100 and 101. . After that, the first center robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the anti-reflection film heat treatment units 100 and 101, and places the substrate W on the substrate placing unit PASS3.

기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 수취된다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS3 is received by the second center robot CR2 of the processing block 11 for resist film. The second center robot CR2 carries the substrate W into the heat treatment parts 110 and 111 for the resist film.

그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(60)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포 형성된 기판(W) 위에 레지스트막이 도포 형성된다.Thereafter, the second center robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the heat treatment units 110 and 111 for the resist film, and carries the substrate W into the coating film 60 for the resist film. In the resist film coating processing section 60, a resist film is applied and formed on the substrate W on which the antireflection film is applied by the coating unit RES.

다음으로, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 도포처리부(60)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.Next, the second center robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist film coating unit 60 and carries the substrate W into the resist film heat treatment units 110 and 111. Thereafter, the second center robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the heat treatment units 110 and 111 for the resist film, and places the substrate W on the substrate placing unit PASS5.

기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS5 is received by the third center robot CR3 of the developing block 12. The third center robot CR3 mounts the substrate W on the substrate placing part PASS7.

기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취되고, 후술하는 바와 같이, 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에서 소정의 처리가 실시된다. 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에서 기판(W)에 소정의 처리가 실시된 후, 그 기판(W)은 제4 센터로봇(CR4)에 의해 현상처리블록(12)의 노광후 베이킹용 열처리부(121)에 반입된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS7 is received by the fourth center robot CR4 of the interface block 15 and, as described later, the substrate W is predetermined by the interface block 15 and the exposure apparatus 16. Processing is carried out. After the predetermined processing is performed on the substrate W in the interface block 15 and the exposure apparatus 16, the substrate W is subjected to post-exposure baking of the developing block 12 by the fourth center robot CR4. It is carried in to the heat processing part 121 for heat.

노광후 베이킹용 열처리부(121)에 있어서는, 기판(W)에 대하여 노광후 베이킹(PEB)이 행해진다. 그 후, 제4 센터로봇(CR4)은 노광후 베이킹용 열처리부(121)로부터 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS8)에 재치한다.In the post-exposure bake heat treatment part 121, post-exposure bake (PEB) is performed on the substrate W. As shown in FIG. Thereafter, the fourth center robot CR4 takes the substrate W out of the post-exposure bake heat treatment unit 121 and places the substrate W on the substrate placing unit PASS8.

기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에서는, 노광된 기판(W)에 대하여 현상처리가 실시된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS8 is received by the third center robot CR3 of the developing block 12. The third center robot CR3 carries the substrate W into the developing unit 70. In the development processing unit 70, development processing is performed on the exposed substrate W. FIG.

다음으로, 제3 센터로봇(CR3)은 현상처리부(70)로부터 현상처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120)에 반입한다. 그 후, 제3 센터로봇(CR3)은 현상용 열처리부(120)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.Next, the third center robot CR3 takes out the developed substrate W from the developing processing unit 70 and carries the substrate W into the developing heat treatment unit 120. Thereafter, the third center robot CR3 takes out the heat treated substrate W from the developing heat treatment unit 120 and places the substrate W on the substrate placing unit PASS6.

기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 레지스트용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.The substrate W placed on the substrate placing portion PASS6 is placed on the substrate placing portion PASS4 by the second center robot CR2 of the processing block 11 for resist. The substrate W mounted on the substrate placing part PASS4 is placed on the substrate placing part PASS2 by the first center robot CR1 of the anti-reflection film processing block 10.

기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은 인텍서블록(9)의 인덱서로봇(IR)에 의해 캐리어(C) 안에 수납된다. 이에 의해, 기판처리장치(500)에서의 기판(W)의 각 처리가 종료된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS2 is accommodated in the carrier C by the indexer robot IR of the indexer block 9. Thereby, each process of the board | substrate W in the substrate processing apparatus 500 is complete | finished.

(1-2-2)인터페이스 블록의 동작(1-2-2) Operation of the Interface Block

다음으로, 인터페이스 블록(15)의 동작에 대해서 상세히 설명한다.Next, the operation of the interface block 15 will be described in detail.

상술한 바와 같이, 인덱서블록(9)에 반입된 기판(W)은 소정의 처리가 실시된 후, 현상처리블록(12)(도 1)의 기판재치부(PASS7)에 재치된다.As described above, the substrate W loaded into the indexer block 9 is placed on the substrate placing portion PASS7 of the developing block 12 (FIG. 1) after a predetermined process is performed.

기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 에지노광부(EEW)(도 4)에 반입한다. 이 에지노광부(EEW)에서는, 기판(W)의 주연부(周緣部)에 노광처리가 실시된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS7 is received by the fourth center robot CR4 of the interface block 15. The fourth center robot CR4 carries the substrate W into the edge exposure portion EEW (Fig. 4). In this edge exposure part EEW, an exposure process is performed to the periphery of the board | substrate W. As shown in FIG.

다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은 에지노광부(EEW)로부터 에지노광이 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 이면세정처리유닛(BC)의 어느 쪽에 반입한다. 이면세정처리유닛(BC)에서는, 상술한 바와 같이 노광처리 전의 기판(W)에 이면세정처리가 실시된다.Next, the fourth center robot CR4 takes out the edge-exposed board | substrate W from the edge exposure part EEW, and carries in the board | substrate W to either side of the back surface washing | cleaning unit BC. In the back surface cleaning processing unit BC, the back surface cleaning process is performed on the substrate W before the exposure process as described above.

여기에서, 노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은 통상, 다른 처리 공정 및 반송 공정보다 길다. 그 결과, 노광장치(16)가 이후의 기판(W)의 받아들임을 할 수 없는 경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 이송버퍼부(SBF)(도 4)에 일시적으로 수납 보관된다. 본 실시형태에서는, 제4 센터로봇(CR4)은 이면세정처리유닛(BC)으로부터 이면세정처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 이송버퍼부(SBF)로 반송한다.Here, the time of exposure processing by the exposure apparatus 16 is usually longer than other processing steps and conveyance steps. As a result, the exposure apparatus 16 may not be able to accept the subsequent board | substrate W in many cases. In this case, the substrate W is temporarily stored in the transfer buffer portion SBF (Fig. 4). In this embodiment, the 4th center robot CR4 takes out the back surface cleaning process board | substrate W from the back surface washing process unit BC, and conveys the board | substrate W to the transfer buffer part SBF.

다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은 이송버퍼부(SBF)에 수납 보관되어 있는 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 재치겸냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치겸냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은 노광장치(16) 안과 같은 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다.Next, the 4th center robot CR4 takes out the board | substrate W accommodated in the transfer buffer part SBF, and carries in the board | substrate W to a mounting and cooling unit P-CP. The substrate W carried in the placing and cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (eg, 23 ° C.) in the exposure apparatus 16.

또한, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 갖는 경우에는, 이송버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납 보관하지 않고, 이면세정처리유닛(BC)으로부터 재치겸냉각유닛(P-CP)으로 기판(W)을 반송해도 좋다.When the exposure apparatus 16 has a sufficient processing speed, the substrate W is not stored and stored in the transfer buffer portion SBF, and the mounting and cooling unit P-CP is removed from the back surface cleaning processing unit BC. You may convey the board | substrate W.

이어서, 재치겸냉각유닛(P-CP)에서 상기 소정온도로 유지된 기판(W)이 인터 페이스용 반송기구(IFR)의 상측의 핸드(H1)(도 4)에 의해 수취되어, 노광장치(16) 내의 기판반입부(16a)(도 1)에 반입된다.Subsequently, the substrate W held at the predetermined temperature in the placement and cooling unit P-CP is received by the hand H1 (Fig. 4) on the upper side of the interface transfer mechanism IFR, and the exposure apparatus ( It carries in to the board | substrate carrying-in part 16a (FIG. 1) in 16. FIG.

노광장치(16)에서, 노광처리가 실시된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 기판반출부(16b)(도 1)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.In the exposure apparatus 16, the substrate W subjected to the exposure treatment is carried out from the substrate carrying out portion 16b (FIG. 1) by the interface transfer mechanism IFR. The interface conveyance mechanism IFR mounts the board | substrate W in the board | substrate mounting part PASS9.

기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 현상처리블록(12)(도 1)의 노광후 베이킹용 열처리부(121)로 반송한다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS9 is received by the fourth center robot CR4. The fourth center robot CR4 conveys the substrate W to the post-exposure bake heat treatment unit 121 of the developing block 12 (FIG. 1).

또한, 현상처리유닛(DEV)(도 2)의 고장 등에 의해, 현상처리블록(12)이 일시적으로 기판(W)을 받아들일 수 없을 때는 귀환버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.In addition, when the developing block 12 cannot temporarily receive the substrate W due to a failure of the developing unit DEV (FIG. 2) or the like, the substrate W after the exposure process to the feedback buffer portion RBF. Can be temporarily stored and stored.

(2) 이면세정처리유닛(2) Back cleaning unit

다음으로, 이면세정처리유닛(BC)에 대하여 도면을 사용하여 상세히 설명한다. 도 5 및 도 6은 이면세정처리유닛(BC)의 구성을 나타내는 측면도 및 개략 평면도이다. 또한, 도 6에는, 이면세정처리유닛(BC)의 일부의 구성요소가 모식적으로 도시되어 있다.Next, the back surface cleaning processing unit BC will be described in detail with reference to the drawings. 5 and 6 are side views and schematic plan views showing the structure of the back surface washing processing unit BC. 6, components of a part of the back surface washing | cleaning processing unit BC are shown typically.

또한, 본 실시형태에 있어서, 이면세정처리유닛(BC)은 도시하지 않은 하우징을 구비하고, 그 하우징의 내부에 이하의 구성요소가 설치된다.In addition, in this embodiment, the back washing process unit BC is equipped with the housing which is not shown in figure, and the following components are provided in the inside of the housing.

도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 이면세정처리유닛(BC)은 기판(W)을 수평으로 지지하여 회전시키는 스핀척(600)을 구비한다. 스핀척(600)은 스핀모 터(200), 회전축(210), 원판형상의 스핀 플레이트(520), 플레이트 지지부재(510), 원판형상의 차단판(525), 자석 플레이트(614a, 614b) 및 복수의 척핀(615)을 포함한다.As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the back surface washing | cleaning unit BC is equipped with the spin chuck 600 which supports and rotates the board | substrate W horizontally. The spin chuck 600 includes a spin motor 200, a rotating shaft 210, a disc-shaped spin plate 520, a plate supporting member 510, a disc-shaped blocking plate 525, and magnet plates 614a and 614b. And a plurality of chuck pins 615.

이면세정처리유닛(BC)의 상부에 스핀모터(200)가 설치되어 있다. 스핀모터(200)는 모터지지부재(200s)에 의해 지지되어 있다. 모터지지부재(200s)는 연직방향으로 뻗는 관통구멍(200h)를 갖고, 모터고정부(290)에 장착되어 있다. 모터고정부(290)는 도시하지 않은 이면세정처리유닛(BC)의 하우징에 장착되어 있다.The spin motor 200 is provided above the rear surface cleaning unit BC. The spin motor 200 is supported by the motor support member 200s. The motor support member 200s has a through hole 200h extending in the vertical direction and is mounted to the motor fixing part 290. The motor fixing part 290 is mounted in the housing of the back washing process unit BC which is not shown in figure.

스핀모터(200)의 내부로부터 아래쪽으로 뻗도록 원통형상을 갖는 회전축(210)이 설치되어 있다. 회전축(210)은 스핀모터(200)의 출력축으로서 기능한다.A rotating shaft 210 having a cylindrical shape is installed to extend downward from the inside of the spin motor 200. The rotating shaft 210 functions as an output shaft of the spin motor 200.

회전축(210)의 하단부에는, 플레이트 지지부재(510)가 장착되어 있다. 후술하는 바와 같이, 플레이트 지지부재(510)는 원통형상을 갖는다. 플레이트 지지부재(510)에 의해 스핀 플레이트(520)가 수평으로 지지되어 있다. 플레이트 지지부재(510) 및 스핀 플레이트(520)의 하면에 차단판(525)이 고정부재(525a, 525b)에 의해 수평으로 고정되어 있다. 차단판(525)의 중심부에는, 관통구멍(525h)이 형성되어 있다. 스핀모터(200)에 의해 회전축(210)이 회전함으로써, 플레이트 지지부재(510), 스핀 플레이트(520) 및 차단판(525)이 연직축의 둘레로 일체적으로 회전한다.The plate support member 510 is attached to the lower end of the rotating shaft 210. As will be described later, the plate support member 510 has a cylindrical shape. The spin plate 520 is horizontally supported by the plate support member 510. The blocking plate 525 is horizontally fixed to the lower surfaces of the plate supporting member 510 and the spin plate 520 by the fixing members 525a and 525b. The through hole 525h is formed in the center of the blocking plate 525. As the rotating shaft 210 is rotated by the spin motor 200, the plate supporting member 510, the spin plate 520, and the blocking plate 525 rotate integrally around the vertical axis.

모터지지부재(200s)의 관통구멍(200h), 스핀모터(200)의 회전축(210)의 내부, 및 플레이트 지지부재(510)의 내부에는, 유체공급관(400)이 삽입 관통되어 있 다. 유체공급관(400)을 통하여, 스핀척(600)에 의해 지지되는 기판(W) 위에 기체를 공급할 수 있다. 유체공급관(400) 및 그 주변부재의 구조의 상세한 사항은 후술한다. The fluid supply pipe 400 is inserted through the through hole 200h of the motor support member 200s, the inside of the rotation shaft 210 of the spin motor 200, and the inside of the plate support member 510. Through the fluid supply pipe 400, the gas may be supplied onto the substrate W supported by the spin chuck 600. Details of the structure of the fluid supply pipe 400 and its peripheral members will be described later.

스핀 플레이트(520)의 주연부(周緣部)에는, 복수(도 6에서는, 5개)의 척핀(615)이 회전축(210)에 대하여 등각도 간격으로 설치되어 있다. 척핀(615)의 개수는 5개 이상인 것이 바람직하다. 그 이유에 대하여는 후술한다.A plurality of chuck pins 615 (five in FIG. 6) are provided at the equiangular intervals with respect to the rotation shaft 210 at the periphery of the spin plate 520. The number of chuck pins 615 is preferably five or more. The reason will be described later.

각 척핀(615)은 축부(615a), 핀지지부(615b), 지지부(615c) 및 자석(616)을 포함한다. 스핀 플레이트(520)를 관통하도록 축부(615a)가 설치되며, 축부(615a)의 하단부에 수평방향으로 뻗는 핀(pin)지지부(615b)가 접속되어 있다. 핀지지부(615b)의 선단부로부터 아래쪽으로 돌출하도록 지지부(615c)가 설치되어 있다. 또한, 스핀 플레이트(520)의 상면측에서, 축부(615a)의 상단부에 자석(616)이 장착되어 있다.Each chuck pin 615 includes a shaft portion 615a, a pin support portion 615b, a support portion 615c, and a magnet 616. A shaft portion 615a is provided to penetrate the spin plate 520, and a pin support portion 615b extending in the horizontal direction is connected to the lower end of the shaft portion 615a. The support part 615c is provided so that it may protrude downward from the front-end | tip part of the pin support part 615b. In addition, the magnet 616 is attached to the upper end of the shaft portion 615a on the upper surface side of the spin plate 520.

각 척핀(615)은 축부(615a)를 중심으로 연직축의 둘레로 회전가능하여, 지지부(615c)가 기판(W)의 외주 단부에 당접하는 닫힘상태와, 지지부(615c)가 기판(W)의 외주 단부로부터 이간(離間)되는 열림상태로 전환가능하다. 또한, 본 예에서는, 자석(616)의 N극이 내측에 있는 경우에 각 척핀(615)이 닫힘상태로 되고, 자석(616)의 S극이 내측에 있는 경우에 각 척핀(615)이 열림상태로 된다.Each chuck pin 615 is rotatable about a vertical axis about the shaft portion 615a, so that the supporting portion 615c abuts against the outer peripheral end of the substrate W, and the supporting portion 615c is connected to the substrate W. It is switchable to the open state spaced apart from the outer peripheral end. In this example, each chuck pin 615 is closed when the N pole of the magnet 616 is inward, and each chuck pin 615 is opened when the S pole of the magnet 616 is inward. It is in a state.

스핀 플레이트(520)의 위쪽에는, 회전축(210)을 중심으로 하는 둘레방향을 따라 자석 플레이트(614a, 614b)가 배치된다. 자석 플레이트(614a, 614b)는 외측에 S극을 갖고, 내측에 N극을 갖는다. 자석 플레이트(614a, 614b)는 자석승강기 구(617a, 617b)에 의해 각각 독립적으로 승강하며, 척핀(615)의 자석(616)보다 높은 위쪽 위치와 척핀(615)의 자석(616)과 거의 같은 높이인 아래쪽 위치 사이에서 이동한다.Above the spin plate 520, the magnet plates 614a and 614b are disposed along the circumferential direction around the rotation shaft 210. The magnet plates 614a and 614b have an S pole on the outside and an N pole on the inside. The magnet plates 614a and 614b are independently lifted by the magnet lift spheres 617a and 617b, respectively, and are substantially the same as the upper position higher than the magnet 616 of the chuck pin 615 and the magnet 616 of the chuck pin 615. Move between the lower positions of height.

자석 플레이트(614a, 614b)의 승강에 따라, 각 척핀(615)이 열림상태와 닫힘상태로 전환된다. 자석 플레이트(614a, 614b) 및 척핀(615)의 동작의 상세 사항에 대하여는 후술한다.As the magnet plates 614a and 614b move up and down, each chuck pin 615 is switched to an open state and a closed state. Details of operations of the magnet plates 614a and 614b and the chuck pins 615 will be described later.

스핀척(600)의 바깥쪽에는, 기판(W)으로부터 비산하는 세정액을 받기 위한 가드(guard)(618)가 설치되어 있다. 가드(618)는 스핀척(600)의 회전축(210)에 대하여 회전 대칭인 형상을 갖는다. 또한, 가드(618)는 가드승강기구(618a)에 의해 승강한다. 가드(618)에 의해 받은 세정액은 도시하지 않은 배액장치 또는 회수장치에 의해 배액 또는 회수된다.On the outside of the spin chuck 600, a guard 618 for receiving a cleaning liquid scattered from the substrate W is provided. The guard 618 has a shape that is rotationally symmetric about the axis of rotation 210 of the spin chuck 600. In addition, the guard 618 moves up and down by the guard elevating mechanism 618a. The cleaning liquid received by the guard 618 is drained or recovered by a drainage or recovery device not shown.

가드(618)의 바깥쪽에는, 3개 이상(본 예에서는, 3개)의 기판 주고받기기구(620)가 스핀척(600)의 회전축(210)을 중심으로 하여 등각도 간격으로 배치되어 있다. 각 기판 주고받기 기구(620)는 승강회전구동부(621), 회전축(622), 아암(623) 및 지지핀(624)을 포함한다. 승강회전구동부(621)로부터 위쪽으로 뻗도록 회전축(622)이 설치되고, 회전축(622)의 상단부로부터 수평방향으로 뻗도록 아암(623)이 연결되어 있다. 아암(623)의 선단부에, 기판(W)의 외주 단부를 지지하기 위한 지지핀(624)이 설치되어 있다.Outside the guard 618, three or more substrate transfer mechanisms 620 (in this example, three) are arranged at equiangular intervals about the rotation shaft 210 of the spin chuck 600. . Each substrate exchange mechanism 620 includes a lift rotation driving unit 621, a rotation shaft 622, an arm 623, and a support pin 624. The rotating shaft 622 is provided so as to extend upward from the lifting lowering rotation driving unit 621, and the arm 623 is connected to extend in the horizontal direction from the upper end of the rotating shaft 622. At the distal end of the arm 623, a support pin 624 for supporting the outer peripheral end of the substrate W is provided.

승강회전구동부(621)에 의해, 회전축(622)이 승강 동작 및 회전 동작을 행한다. 그것에 의해, 지지핀(624)이 수평방향 및 상하방향으로 이동한다.By the lifting lowering rotation driver 621, the rotating shaft 622 performs the lifting operation and the rotation operation. Thereby, the support pin 624 moves to a horizontal direction and an up-down direction.

또한, 이면세정처리유닛(BC)의 하부에는, 대략 원주형상의 이면세정브러시(630)가 배치되어 있다. 이면세정브러시(630)는 모터(635)의 회전축에 장착되어 있어, 연직축의 둘레로 회전 구동된다. 모터(635)는 브러시지지부재(631)에 의해 지지되어 있다. 브러시지지부재(631)는 브러시이동기구(632)에 의해 구동된다. 그것에 의해, 세정브러시(630)가 수평방향 및 상하방향으로 이동한다.In the lower part of the back surface washing processing unit BC, a rear cylindrical brush 630 having a substantially cylindrical shape is disposed. The back cleaning brush 630 is attached to the rotating shaft of the motor 635 and is driven to rotate around the vertical shaft. The motor 635 is supported by the brush support member 631. The brush support member 631 is driven by the brush moving mechanism 632. As a result, the cleaning brush 630 moves in the horizontal direction and the vertical direction.

세정브러시(630)의 근방에서의 브러시지지부재(631)의 부분에는, 세정노즐(633)이 장착되어 있다. 세정노즐(633)에는, 세정액이 공급되는 액공급관(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 세정노즐(633)의 토출구는 세정브러시(630) 주변을 향하여 있고, 토출구로부터 세정브러시(630) 주변을 향하여 세정액이 토출된다. 또한, 본 예에서는, 세정수로서 순수가 사용된다.The cleaning nozzle 633 is attached to the portion of the brush support member 631 in the vicinity of the cleaning brush 630. A liquid supply pipe (not shown) to which the cleaning liquid is supplied is connected to the cleaning nozzle 633. The discharge port of the cleaning nozzle 633 faces the cleaning brush 630 and the cleaning liquid is discharged from the discharge port toward the cleaning brush 630. In this example, pure water is used as the washing water.

(3) 유체공급관의 상세(3) Details of fluid supply pipe

도 5의 유체공급관(400) 및 그 주변부재의 구조의 상세를 도 7 및 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 7은 주로 도 5의 유체공급관(400)의 구조를 나타내는 종단면도이다. 도 8(a)는 도 5의 유체공급관(400)의 선단부 근방의 구조를 나타내는 확대 종단면도이며, 도 8(b)는 도 8(a) 의 화살표 YA에서 본 유체공급관(400)의 선단부의 평면도이다.Details of the structure of the fluid supply pipe 400 of FIG. 5 and its peripheral members will be described with reference to FIGS. 7 and 8. 7 is a longitudinal sectional view mainly showing the structure of the fluid supply pipe 400 of FIG. FIG. 8 (a) is an enlarged longitudinal sectional view showing the structure near the tip end of the fluid supply pipe 400 of FIG. 5, and FIG. 8 (b) shows the tip part of the fluid supply pipe 400 seen from the arrow YA of FIG. Top view.

상술한 바와 같이, 유체공급관(400)은 모터지지부재(200s), 스핀모터(200), 회전축(210) 및 플레이트 지지부재(510)에 삽입 통과되어 있다.As described above, the fluid supply pipe 400 is inserted into the motor support member 200s, the spin motor 200, the rotation shaft 210, and the plate support member 510.

도 7에 나타내는 바와 같이, 유체공급관(400)은 모터지지부재(200s)의 위쪽으로 만곡하여, 수평방향으로 뻗어 있다. 이하의 설명에서, 연직방향으로 뻗는 직 관부(直管部)의 단부를 선단부라고 부르고, 수평방향으로 뻗는 직관부의 단부를 후단부라고 부른다. As shown in FIG. 7, the fluid supply pipe 400 is curved upward of the motor support member 200s and extends in the horizontal direction. In the following description, the end of the straight pipe portion extending in the vertical direction is called the leading end, and the end of the straight pipe portion extending in the horizontal direction is called the rear end.

유체공급관(400)에 있어서, 연직방향으로 뻗는 직관부의 만곡부 근방에는, 제1 플랜지(flange)(FR1)가 일체로 형성되어 있다. 또한, 후단부에는, 제2 플랜지(FR2)가 일체로 형성되어 있다.In the fluid supply pipe 400, a first flange FR1 is integrally formed near the curved portion of the straight pipe portion extending in the vertical direction. Moreover, the 2nd flange FR2 is integrally formed in the rear end part.

제1 플랜지(FR1)가 모터지지부재(200s)에 고정되며, 제2 플랜지(FR2)가 관고정부(280)에 고정된다. 관고정부(280)는 도시하지 않은 이면세정처리유닛(BC)의 하우징에 장착된다.The first flange FR1 is fixed to the motor support member 200s, and the second flange FR2 is fixed to the fixing part 280. The warehousing section 280 is mounted to the housing of the back washing processing unit BC, not shown.

이것에 의해, 유체공급관(400)은 관고정부(280), 모터지지부재(200s) 및 모터고정부(290)에 의해, 이면세정처리유닛(BC)의 하우징에 고정된다.As a result, the fluid supply pipe 400 is fixed to the housing of the rear surface cleaning processing unit BC by the tube fixing portion 280, the motor supporting member 200s, and the motor fixing portion 290.

상술한 바와 같이, 스핀모터(200)는 모터지지부재(200s)에 의해 지지되어 있다. 이것에 의해, 유체공급관(400)이 모터지지부재(200s)에 장착됨으로써, 스핀모터(200)가 동작하는 경우라도, 유체공급관(400)과 스핀모터(200)의 위치 관계가 유지된다. 따라서, 유체공급관(400)에 위치 어긋남이 발생하는 것이 방지된다.As described above, the spin motor 200 is supported by the motor support member 200s. As a result, the fluid supply pipe 400 is attached to the motor support member 200s, so that the positional relationship between the fluid supply pipe 400 and the spin motor 200 is maintained even when the spin motor 200 is operated. Therefore, the position shift is prevented from occurring in the fluid supply pipe 400.

도 8(a) 및 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 유체공급관(400)은 가이드관(410)의 내부에 기체공급관(420)이 수용된 구조를 갖는다. 기체공급관(420)은 기판(W)에 기체(본 예에서는, N2가스)를 공급하기 위하여 사용된다.As shown in FIGS. 8A and 8B, the fluid supply pipe 400 has a structure in which a gas supply pipe 420 is accommodated in the guide pipe 410. The gas supply pipe 420 is used to supply gas (N 2 gas in this example) to the substrate W. As shown in FIG.

본 실시형태에 있어서, 가이드관(410)은 스테인레스강으로 이루어진다. 기체공급관(420)은 PTFE(사불화에틸렌수지) 및 PFA (사불화에틸렌 ·퍼플루오로알콕 시에틸렌 공중합체) 등의 불소수지로 이루어진다.In the present embodiment, the guide tube 410 is made of stainless steel. The gas supply pipe 420 is made of a fluorine resin such as PTFE (ethylene tetrafluoride resin) and PFA (ethylene tetrafluoride perfluoroalkoxy ethylene copolymer).

도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 기체공급관(420)은 그 선단부가 차단판(525)의 관통구멍(525h)으로부터 약간 아래쪽으로 돌출하도록 설치된다. 이것에 의해, 차단판(525)과 기판(W) 사이에 N2가스를 확실히 공급할 수 있다. 또한, 기체공급관(420)의 선단부를 차단판(525)에 고정해도 좋다.As shown in FIG. 8 (a), the gas supply pipe 420 is provided so that the tip thereof protrudes slightly downward from the through hole 525h of the blocking plate 525. As a result, it is possible to certainly supply the N 2 gas between the shield plate 525 and the substrate (W). In addition, the tip end of the gas supply pipe 420 may be fixed to the blocking plate 525.

유체공급관(400)의 선단부의 주변부재에 대하여 설명한다. 본 예에서는, 회전축(210)은 약 20mm의 내경을 갖고, 가이드관(410)은 약 18mm의 외경을 갖는다. 이것에 의해, 유체공급관(400)이 도 7의 모터지지부재(200s) 및 관고정부(280)에 장착된 상태에서, 회전축(210)과 가이드관(410) 사이에 약 1mm의 갭(gap)(GA)이 형성된다.The peripheral member of the front end of the fluid supply pipe 400 is demonstrated. In this example, the rotating shaft 210 has an inner diameter of about 20 mm, and the guide tube 410 has an outer diameter of about 18 mm. As a result, a gap of about 1 mm between the rotating shaft 210 and the guide tube 410 in a state where the fluid supply pipe 400 is mounted on the motor support member 200s and the tube fixing part 280 of FIG. 7. (GA) is formed.

유체공급관(400)의 선단부 근방에서, 회전축(210)에는, 대략 원통형상을 갖는 플레이트 지지부재(510)가 장착되어 있다. 플레이트 지지부재(510)의 내주면(510h)은 축심을 따라 계단형상으로 형성되어 있다.In the vicinity of the distal end of the fluid supply pipe 400, the plate support member 510 having a substantially cylindrical shape is attached to the rotation shaft 210. The inner circumferential surface 510h of the plate supporting member 510 is formed in a step shape along the axis.

플레이트 지지부재(510)를 회전축(210)에 장착할 때는, 플레이트 지지부재(510)의 내주면(510h)과 회전축(210)의 외주면 사이의 틈에 원통형상의 패드(pad)고정편(512)을 끼워 넣고, 패드고정편(512)을 플레이트 지지부재(510)의 나사받침부(511)에 나사 고정한다. 이것에 의해, 플레이트 지지부재(510)가 회전축(210)의 선단부에 확실히 고정된다.When the plate supporting member 510 is mounted on the rotating shaft 210, a cylindrical pad fixing piece 512 is provided in a gap between the inner circumferential surface 510h of the plate supporting member 510 and the outer circumferential surface of the rotating shaft 210. Insert the pad fixing piece 512 to the screw support 511 of the plate support member 510. As a result, the plate supporting member 510 is securely fixed to the distal end of the rotation shaft 210.

플레이트 지지부재(510)의 하단부 근방에는, 플랜지(510F)가 형성되어 있다. 플랜지(510F)와 스핀 플레이트(520)가 나사 고정됨으로써, 스핀 플레이트(520)가 회전축(210)에 고정된다.The flange 510F is formed in the vicinity of the lower end of the plate support member 510. As the flange 510F and the spin plate 520 are screwed, the spin plate 520 is fixed to the rotation shaft 210.

도 7로 돌아가서, 유체공급관(400)의 후단부에는, 상술한 바와 같이 제2 플랜지(FR2)가 형성되어 있다. 그리고, 제2 플랜지(FR2)는 관고정부(280)에 고정된다. 또한, 유체공급관(400)의 후단부 근방에는, 공급관고정부(490)가 설치된다. 공급관고정부(490)에서, 기체공급관(420)이 가이드관(410)에 고정된다.Returning to FIG. 7, the 2nd flange FR2 is formed in the rear end part of the fluid supply pipe 400 as mentioned above. In addition, the second flange FR2 is fixed to the fixing part 280. In addition, near the rear end of the fluid supply pipe 400, a supply pipe fixing part 490 is provided. In the supply pipe fixing unit 490, the gas supply pipe 420 is fixed to the guide pipe 410.

기체공급관(420)은 가이드관(410)의 후단부로부터 외부로 뻗어 있다. 가이드관(410) 후단부로부터 뻗는 기체공급관(420)의 후단부는 도시하지 않은 기체공급장치에 접속된다. 기체공급장치로부터 기체공급관(420)에 N2가스가 공급됨으로써, 기판(W)에 N2가스가 공급된다.The gas supply pipe 420 extends outward from the rear end of the guide pipe 410. The rear end of the gas supply pipe 420 extending from the rear end of the guide pipe 410 is connected to a gas supply device (not shown). Being N 2 gas is supplied to the gas supply pipe 420 from the gas supply, the N 2 gas is supplied to the substrate (W).

(4) 기판의 지지 동작(4) supporting operation of substrate

스핀척(600)에 의한 기판(W)의 지지 동작에 대하여 설명한다. 도 9 및 도 10은 스핀척(600)에 의한 기판(W)의 지지 동작을 설명하기 위한 도면이다.The supporting operation of the substrate W by the spin chuck 600 will be described. 9 and 10 are diagrams for explaining a supporting operation of the substrate W by the spin chuck 600.

먼저, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 가드(618)가 척핀(615)보다 낮은 위치로 이동한다. 그리고, 복수의 기판 주고받기기구(620)(도 5)의 지지핀(624)이 가드(618)의 위쪽을 통과하여 스핀 플레이트(520)의 아래쪽으로 이동한다. 복수의 지지핀(624) 위에 제4 센터로봇(CR4)(도 1)에 의해 기판(W)이 재치된다.First, as shown in FIG. 9 (a), the guard 618 moves to a position lower than the chuck pins 615. In addition, the support pins 624 of the plurality of substrate exchange mechanisms 620 (FIG. 5) pass through the top of the guard 618 and move downward of the spin plate 520. The substrate W is mounted on the plurality of support pins 624 by the fourth center robot CR4 (FIG. 1).

이 때, 자석 플레이트(614a, 614b)는 위쪽 위치에 있다. 이 경우, 자석 플레이트(614a, 614b)의 자력선(B)은 척핀(615)의 자석(616)의 높이에서 내측으로부 터 외측으로 향한다. 그것에 의해, 각 척핀(615)의 자석(616)의 S극이 내측으로 흡인된다. 따라서, 각 척핀(615)은 열림상태로 된다.At this time, the magnet plates 614a and 614b are in the upper position. In this case, the magnetic force lines B of the magnet plates 614a and 614b are directed from the inner side to the outer side at the height of the magnet 616 of the chuck pin 615. Thereby, the S pole of the magnet 616 of each chuck pin 615 is attracted inward. Thus, each chuck pin 615 is in an open state.

이어서, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 지지핀(624)이 기판(W)을 지지한 상태에서 상승한다. 이것에 의해, 기판(W)이 복수의 척핀(615)의 지지부(615c) 사이로 이동한다.Subsequently, as shown in FIG. 9B, the plurality of support pins 624 are raised in a state in which the substrate W is supported. As a result, the substrate W moves between the support portions 615c of the chuck pins 615.

이어서, 도 10(c)에 나타내는 바와 같이, 자석 플레이트(614a, 614b)가 아래 쪽 위치로 이동한다. 이 경우, 각 척핀(615)의 자석(616)의 N극이 내측으로 흡인된다. 그것에 의해, 각 척핀(615)이 닫힘상태로 되어, 각 척핀(615)의 지지부(615c)에 의해 기판(W)의 외주 단부가 지지된다. 또한, 각 척핀(615)은 인접하는 지지핀(624) 사이에서 기판(W)의 외주 단부를 지지한다. 그 때문에, 척핀(615)과 지지핀(624)은 서로 간섭하지 않는다. 그 후, 복수의 지지핀(624)이 가드(618)의 바깥쪽으로 이동한다.Subsequently, as shown in FIG.10 (c), the magnet plates 614a and 614b move to a downward position. In this case, the N pole of the magnet 616 of each chuck pin 615 is sucked inward. As a result, the respective chuck pins 615 are in a closed state, and the outer circumferential end portion of the substrate W is supported by the support portion 615c of each chuck pin 615. In addition, each chuck pin 615 supports the outer peripheral end of the substrate W between adjacent support pins 624. Therefore, the chuck pins 615 and the support pins 624 do not interfere with each other. Thereafter, the plurality of support pins 624 move out of the guard 618.

이어서, 도 10(d)에 나타내는 바와 같이, 가드(618)가 척핀(615)에 의해 지지되는 기판(W)을 둘러싸는 높이로 이동한다. 그리고, 기판(W)의 이면세정처리가 행해진다.Next, as shown in FIG.10 (d), the guard 618 moves to the height which surrounds the board | substrate W supported by the chuck pin 615. Then, as shown in FIG. And the back surface cleaning process of the board | substrate W is performed.

(5) 이면세정처리(5) back washing

도 ll 및 도 12은 기판(W)의 이면세정처리에 대하여 설명하기 위한 측면도이다.Ll and 12 are side views for explaining the back cleaning process of the substrate W. FIG.

도 11에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 이면세정처리시에는, 스핀척(600)에 의해 기판(W)이 회전함과 아울러, 기체공급관(420)을 통하여 차단판(525)과 기 판(W) 사이에 N2가스가 공급된다. 이것에 의해, 차단판(525)과 기판(W) 사이에서, 기판(W)의 중심부 위로부터 외측으로 향하는 N2가스의 기류가 형성된다.As shown in FIG. 11, during the back cleaning process of the substrate W, the substrate W is rotated by the spin chuck 600, and the blocking plate 525 and the substrate are connected through the gas supply pipe 420. N 2 gas is supplied between (W). As a result, an air flow of N 2 gas is formed between the blocking plate 525 and the substrate W from the center of the substrate W to the outside.

그 상태에서, 세정브러시(630)가 모터(635)에 의해 회전하면서 기판(W)의 이면에 접촉한다. 그리고, 세정브러시(630)가 기판(W)의 중심부 아래쪽과 주연부 아래쪽 사이로 이동하여, 기판(W)의 이면의 전역에 접촉한다. 기판(W)과 세정브러시(630)의 접촉 부분에는, 세정노즐(633)로부터 순수가 공급된다. 이것에 의해, 기판(W)의 이면의 전체가 세정브러시(630)에 의해 세정되어, 기판(W)의 이면에 부착되는 오염물이 제거된다.In this state, the cleaning brush 630 contacts the back surface of the substrate W while rotating by the motor 635. The cleaning brush 630 moves between the lower portion of the center of the substrate W and the lower portion of the peripheral portion to contact the entire area of the rear surface of the substrate W. Pure water is supplied from the cleaning nozzle 633 to the contact portion between the substrate W and the cleaning brush 630. Thereby, the whole of the back surface of the board | substrate W is wash | cleaned with the washing brush 630, and the contaminant adhering to the back surface of the board | substrate W is removed.

이어서, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 자석 플레이트(614a)가 아래쪽 위치에 배치되며, 자석 플레이트(614b)가 위쪽 위치에 배치된다. 이 경우, 도 12(a) 및 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 자석 플레이트(614a)의 바깥쪽 영역(R1)(도 12(b) 참조)에 있어서는, 각 척핀(615)이 닫힘상태로 되고, 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)(도 12(b) 참조)에 있어서는, 각 척핀(615)이 열림상태로 된다. 즉, 각 척핀(615)의 지지부(615c)는 자석 플레이트(614a)의 바깥쪽 영역(R1)을 통과할 때에 기판(W)의 외주 단부에 접촉한 상태로 유지되며, 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)을 통과할 때에 기판(W)의 외주 단부로부터 이간된다.Subsequently, as shown in Fig. 12A, the magnet plate 614a is disposed at the lower position, and the magnet plate 614b is disposed at the upper position. In this case, as shown in FIGS. 12A and 12B, in the outer region R1 of the magnet plate 614a (see FIG. 12B), each chuck pin 615 is in a closed state. In the outer region R2 (see Fig. 12 (b)) of the magnet plate 614b, each chuck pin 615 is in an open state. That is, the support 615c of each chuck pin 615 is maintained in contact with the outer peripheral end of the substrate W when passing through the outer region R1 of the magnet plate 614a, When passing through the outer region R2, the substrate is spaced apart from the outer peripheral end of the substrate W. As shown in FIG.

따라서, 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)에서, 기판(W)의 외주 단부의 하면측의 부분을 세정브러시(630)에 의해 세정할 수 있다.Therefore, in the outer region R2 of the magnet plate 614b, the portion of the lower surface side of the outer peripheral end of the substrate W can be cleaned by the cleaning brush 630.

또한, 본 예에서는, 5개의 척핀(615) 중 적어도 4개의 척핀(615)이 자석 플 레이트(614a)의 바깥쪽 영역(R1)에 위치한다. 이 경우, 각 척핀(615)의 지지부(615c)가 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)을 통과할 때에 기판(W)의 외주 단부로부터 이간되어도, 적어도 4개의 척핀(615)에 의해 기판(W)이 지지된다. 그것에 의해, 기판(W)의 안정성이 확보된다.Also, in this example, at least four chuck pins 615 of the five chuck pins 615 are located in the outer region R1 of the magnet plate 614a. In this case, at least four chuck pins 615 are separated from the outer peripheral end of the substrate W when the support portion 615c of each chuck pin 615 passes through the outer region R2 of the magnet plate 614b. The substrate W is supported. As a result, the stability of the substrate W is secured.

이면세정처리의 종료 후, 자석 플레이트(614a, 615b)가 아래쪽 위치에 배치되어, 모든 척핀(615)에 의해 기판(W)이 지지된다. 그 상태에서, 스핀척(600)에 의해 기판(W)이 고속으로 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)에 부착되는 순수가 털어내져, 기판(W)이 건조된다.After completion of the back cleaning process, the magnet plates 614a and 615b are disposed in the lower position, and the substrate W is supported by all the chuck pins 615. In this state, the substrate W rotates at high speed by the spin chuck 600. Thereby, pure water adhering to the board | substrate W is shaken off, and the board | substrate W is dried.

(6) 실시형태의 효과(6) Effect of Embodiment

본 실시형태에서는, 이면세정처리유닛(BC)에서 노광처리 전의 기판(W)에 이면세정처리가 행해진다. 이 경우, 기판(W)의 표면에 계속적으로 N2가스가 공급되는 상태에서, 기판(W)의 이면이 세정브러시(630)에 의해 세정된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 액체가 부착되는 것을 방지하면서 기판(W)의 이면에 부착되는 오염물을 확실히 제거할 수 있다.In the present embodiment, the back surface cleaning process is performed on the substrate W before the exposure process in the back surface cleaning processing unit BC. In this case, while the N 2 gas is continuously supplied to the surface of the substrate W, the back surface of the substrate W is cleaned by the cleaning brush 630. Thereby, the contaminant adhering to the back surface of the board | substrate W can be reliably removed, preventing a liquid from adhering to the surface of the board | substrate W.

따라서, 노광처리시에 기판(W) 이면의 요철에 기인하는 디포커스가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)의 표면에 형성된 레지스트막에 액체가 부착되는 것이 방지되어, 레지스트막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 이것들에 의해, 기판(W)의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to reliably prevent occurrence of defocus due to irregularities on the back surface of the substrate W during the exposure process. In addition, liquid is prevented from adhering to the resist film formed on the surface of the substrate W, so that the state of the resist film can be kept normal. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of the board | substrate W can be prevented reliably.

또한, 이면세정처리유닛(BC)에서는, 기판(W)을 지지하는 스핀척(600)이 기 판(W)의 위쪽에 위치한다. 그 때문에, 기판(W)의 이면을 아래쪽으로 향한 채 세정브러시(630)에 의해 기판(W)의 이면의 전역을 세정하는 것이 가능하다. 따라서, 기판(W)의 이면이 위쪽으로 향하는 경우와 달리, 기판(W)의 이면에 공급된 액체가 중력에 의해 기판(W)의 표면측으로 유입되는 경우가 없다. 그 결과, 기판(W)의 표면에 액체가 부착되는 것을 더 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)을 반전시키기 위한 반전기구를 설치할 필요가 없으므로, 기판처리장치(500)의 대형화 및 고비용화를 억제할 수 있다. In addition, in the back surface cleaning processing unit BC, the spin chuck 600 supporting the substrate W is positioned above the substrate W. As shown in FIG. Therefore, it is possible to clean the whole area | region of the back surface of the board | substrate W with the washing brush 630, facing the back surface of the board | substrate W downward. Therefore, unlike the case where the rear surface of the substrate W faces upward, the liquid supplied to the rear surface of the substrate W does not flow into the surface side of the substrate W by gravity. As a result, it is possible to more reliably prevent the liquid from adhering to the surface of the substrate W. FIG. In addition, since it is not necessary to provide an inversion mechanism for inverting the substrate W, it is possible to suppress an increase in size and cost of the substrate processing apparatus 500.

또한, 이면세정처리유닛(BC)에서는, 스핀모터(200)의 회전축(210) 안 및 플레이트 지지부재(510)의 내부에, 유체공급관(400)의 스테인레스제의 가이드관(410)이 삽입 통과되어 있다. 가이드관(410)은 회전축(210)의 내주면과의 사이에 갭(GA)이 형성되도록 스핀모터(200)를 지지하는 모터지지부재(200s)에 지지되어 있다. 스테인레스제의 가이드관(410)은 높은 강성을 가지므로, 회전축(210)이 회전하는 경우에서도, 가이드관(410)과 회전축(210)의 내주면 사이의 갭(GA)이 일정하게 유지된다. 그것에 의해, 가이드관(410)이 회전축(210)에 접촉하는 것이 확실히 방지된다.In the back cleaning unit BC, a stainless guide tube 410 of the fluid supply pipe 400 is inserted into the rotation shaft 210 of the spin motor 200 and inside the plate support member 510. It is. The guide tube 410 is supported by a motor support member 200s that supports the spin motor 200 so that a gap GA is formed between the inner circumferential surface of the rotation shaft 210. Since the guide tube 410 made of stainless steel has high rigidity, even when the rotating shaft 210 rotates, the gap GA between the guide tube 410 and the inner circumferential surface of the rotating shaft 210 is kept constant. Thereby, the guide tube 410 is surely prevented from contacting the rotating shaft 210.

또한, 가이드관(410)이 스핀모터(200)에 지지되어 있으므로, 스핀모터(200)가 진동한 경우라도, 회전축(210)과 가이드관(410)의 위치 관계가 유지된다. 그것에 의해, 가이드관(410)이 회전축(210)에 접촉하는 것이 더 확실히 방지된다.In addition, since the guide tube 410 is supported by the spin motor 200, even when the spin motor 200 vibrates, the positional relationship between the rotation shaft 210 and the guide tube 410 is maintained. Thereby, the guide tube 410 is more surely prevented from contacting the rotating shaft 210.

또한, 수지제의 기체공급관(420)은 가요성을 가지므로, 가이드관(410) 안에 용이하게 삽입할 수 있다.In addition, since the resin gas supply pipe 420 has flexibility, it can be easily inserted into the guide pipe 410.

또한, 기체공급관(420)이 삽입된 가이드관(410)을 스핀모터(200)에 장착함으로써 유체공급관(400)을 용이하게 이면세정처리유닛(BC)에 조립할 수 있다.In addition, by mounting the guide tube 410 into which the gas supply pipe 420 is inserted to the spin motor 200, the fluid supply pipe 400 can be easily assembled to the back surface cleaning processing unit BC.

구체적으로는, 스핀모터(200)가 모터지지부재(200s)에 의해 지지되어, 가이드관(410)의 제1 플랜지(FRl)가 모터지지부재(200s)에 고정된다. 그것에 의해, 가이드관(410)이 제1 플랜지(FRl) 및 모터지지부재(200s)를 통하여 스핀모터(200)에 확실히 고정된다. 또한, 가이드관(410)의 제1 플랜지(FR1)을 모터지지부재(200s)에 장착함으로써, 유체공급관(400)을 스핀모터(200)에 용이하게 고정할 수 있다. 따라서, 이면세정처리유닛(BC)의 제조가 더 용이하게 된다.Specifically, the spin motor 200 is supported by the motor support member 200s so that the first flange FRl of the guide tube 410 is fixed to the motor support member 200s. As a result, the guide tube 410 is securely fixed to the spin motor 200 through the first flange FRl and the motor supporting member 200s. In addition, the fluid supply pipe 400 may be easily fixed to the spin motor 200 by mounting the first flange FR1 of the guide pipe 410 to the motor support member 200s. Therefore, the manufacturing of the back surface washing processing unit BC becomes easier.

(7) 변형예(7) Modification

(7-1) (7-1)

상기 실시형태에서는, 유체공급관(400)의 가이드관(410)이 스테인레스강에 의해 형성되는 취지를 설명하였지만, 가이드관(410)을 형성하는 재료로서는, 스테인레스강 이외, 철, 구리, 청동, 황동, 알루미늄, 은 또는 금 등의 강인한 금속재료를 사용할 수 있다.In the above embodiment, the guide tube 410 of the fluid supply pipe 400 has been described as being formed of stainless steel, but as the material for forming the guide tube 410, iron, copper, bronze, brass other than stainless steel Tough metal materials such as aluminum, silver or gold can be used.

또한, 기체공급관(420)이 불소수지에 의해 형성되는 취지를 설명하였지만, 기체공급관(420)을 형성하는 재료로서는, 불소수지 이외 PVC(폴리염화비닐), PPS(폴리페닐렌설파이드), PTFE(폴리데트라플루오로에틸렌) 또는 PFA(데트라플루오로에틸렌· 퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 등의 플렉시블(flexible)성을 갖는 수지재료를 사용할 수도 있다.In addition, although the explanation has been made that the gas supply pipe 420 is formed of a fluorine resin, the materials for forming the gas supply pipe 420 include PVC (polyvinyl chloride), PPS (polyphenylene sulfide), and PTFE (other than fluorine resin). It is also possible to use a resin material having flexibility such as polydetrafluoroethylene) or PFA (detrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer).

(7-2) (7-2)

이면세정처리유닛(BC)에서, 차단판(525)을 설치하지 않고, 스핀 플레이트(520)와 기판(W)을 근접시켜 그 사이의 공간에 N2가스를 공급해도 좋다.In the back surface washing processing unit BC, the spin plate 520 may be brought close to the substrate W without supplying the blocking plate 525, and N 2 gas may be supplied to the space therebetween.

(7-3) (7-3)

이면세정처리유닛(BC), 도포유닛(BARC, RES), 현상처리유닛(DEV), 가열유닛(HP), 냉각유닛(CP) 및 재치겸냉각유닛(P-CP)의 개수는 각 처리블록의 처리속도에 맞춰 적당히 변경해도 좋다.The number of the back cleaning unit BC, the coating unit BARC, RES, the developing unit DEV, the heating unit HP, the cooling unit CP, and the mounting and cooling unit (P-CP) is the number of each processing block. It may be appropriately changed in accordance with the processing speed.

(7-4) (7-4)

또한, 상기 실시형태에서는, 이면세정처리유닛(BC)이 인터페이스 블록(15) 안에 배치되지만, 이면세정처리유닛(BC)이 도 1에 나타내는 현상처리블록(12) 안에 배치되어도 좋다. 혹은 이면세정처리유닛(BC)을 포함하는 이면세정처리블록을 도 1에 나타내는 현상처리블록(12)과 인터페이스 블록(15) 사이에 설치해도 좋다.In addition, in the said embodiment, although the back washing process unit BC is arrange | positioned in the interface block 15, the back washing process unit BC may be arrange | positioned in the developing process block 12 shown in FIG. Alternatively, the backside washing processing block including the backside washing processing unit BC may be provided between the developing processing block 12 and the interface block 15 shown in FIG.

(8) 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소의 대응(8) Correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment

이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소의 대응 예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 아래의 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, although the corresponding example of each component of an claim and each element of embodiment is demonstrated, this invention is not limited to the following example.

상기 실시형태에서는, 이면세정처리유닛(BC)이 기판세정장치의 예이고, 스핀척(600)이 기판회전지지장치의 예이고, 유체공급관(400)이 기체공급부의 예이고, 이면세정브러시(630)가 세정구의 예이고, 세정노즐(633)이 세정액공급부의 예이고, 스핀 플레이트(520)가 회전부재의 예이고, 스핀모터(200) 및 회전축(210)이 회전구동기구의 예이고, 지지부(615c)가 지지부재의 예이고, 가이드관(410)이 외관의 예 이고, 기체공급관(420)이 내관의 예이고, 모터지지부재(200s)가 지지부재의 예이며, 제1 플랜지(FR1)가 플랜지부의 예이다.In the above embodiment, the back cleaning unit BC is an example of the substrate cleaning apparatus, the spin chuck 600 is an example of the substrate rotation support apparatus, the fluid supply pipe 400 is an example of the gas supply unit, and the back cleaning brush ( 630 is an example of the cleaning tool, the cleaning nozzle 633 is an example of the cleaning liquid supply unit, the spin plate 520 is an example of the rotating member, the spin motor 200 and the rotating shaft 210 is an example of the rotary drive mechanism, The support 615c is an example of the support member, the guide tube 410 is an example of the appearance, the gas supply pipe 420 is an example of the inner tube, the motor support member 200s is an example of the support member, and the first flange ( FR1) is an example of a flange part.

또한, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11) 및 현상처리블록(12)이 처리부의 예이고, 인터페이스 블록(15)이 주고받기부의 예이며, 도포유닛(RES)이 감광성막 형성 유닛의 예이다.In addition, the indexer block 9, the anti-reflection film processing block 10, the resist film processing block 11, and the developing processing block 12 are examples of the processing unit, and the interface block 15 is an example of the exchange unit. The unit RES is an example of the photosensitive film forming unit.

청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 이외의 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.As each component of a claim, you may use various elements other than having the structure or function which were described in a claim.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도.FIG. 2 is a side view of one side of the substrate treating apparatus of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1의 기판처리장치의 다른 쪽의 측면도.3 is a side view of the other side of the substrate processing apparatus of FIG.

도 4는 인터페이스 블록을 노광장치측에서 본 개략 측면도.4 is a schematic side view of the interface block seen from the exposure apparatus side.

도 5는 이면세정처리유닛의 구성을 나타내는 측면도.Fig. 5 is a side view showing the structure of the back surface washing processing unit.

도 6은 이면세정처리유닛의 구성을 나타내는 개략 평면도.Fig. 6 is a schematic plan view showing the structure of the back surface washing processing unit.

도 7은 주로 도 5의 유체공급관의 구조를 나타내는 종단면도.7 is a longitudinal sectional view mainly showing the structure of the fluid supply pipe of FIG.

도 8(a)는 도 5의 유체공급관의 선단부 근방의 구조를 나타내는 확대 종단면도이고, 도 8(b)는 도 8(a)의 화살표 YA에서 본 유체공급관의 선단부의 평면도.Fig. 8 (a) is an enlarged longitudinal sectional view showing the structure near the tip end of the fluid supply pipe of Fig. 5, and Fig. 8 (b) is a plan view of the tip end of the fluid supply pipe as seen from arrow YA of Fig. 8 (a).

도 9는 스핀척에 의한 기판의 지지동작을 설명하기 위한 도면.9 is a view for explaining a supporting operation of a substrate by a spin chuck.

도 10은 스핀척에 의한 기판의 지지동작을 설명하기 위한 도면.10 is a view for explaining a supporting operation of a substrate by a spin chuck.

도 11은 기판의 이면세정처리유닛에 대하여 설명하기 위한 측면도.Fig. 11 is a side view for explaining the back surface cleaning processing unit of the substrate.

도 12는 기판의 이면세정처리유닛에 대하여 설명하기 위한 측면도 및 평면도.12 is a side view and a plan view for explaining the back surface cleaning processing unit of the substrate;

Claims (6)

기판의 하면을 세정하는 기판세정장치로서,A substrate cleaning device for cleaning a lower surface of a substrate, 기판을 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와,A substrate rotation support device which rotates while supporting the substrate horizontally; 상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 상면에 기체를 공급하는 기체공급부와,A gas supply unit supplying gas to an upper surface of the substrate supported by the substrate rotation support device; 상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면을 세정하기 위한 세정구와,A cleaning tool for cleaning the lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support device; 상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고,A cleaning solution supply unit for supplying a cleaning solution to a lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus; 상기 기판회전지지장치는The substrate rotation support device 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,A rotating member rotatably installed around a rotation axis along the vertical direction, 상기 회전부재의 상측에 설치되어, 상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,A rotary drive mechanism installed above the rotating member to rotate the rotating member; 상기 회전부재의 하측에 설치되어, 상기 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주 단부(端部)에 당접(當接)함으로써 기판을 지지하는 지지부재와,A support member provided below the rotating member and supporting the substrate by abutting against an outer peripheral end portion of the substrate disposed below the rotating member; 상기 지지부재에 의해 지지되는 기판의 상면에 대향하도록 상기 회전부재의 하측에 설치된 차단판을 포함하고,It includes a blocking plate provided on the lower side of the rotating member to face the upper surface of the substrate supported by the support member, 상기 기판회전지지장치에 의해 회전되는 기판의 상면에 기체공급부에 의해 기체가 공급되면서 상기 회전되는 기판의 하면에 세정액공급부에 의해 세정액이 공급되며,While the gas is supplied to the upper surface of the substrate rotated by the substrate rotation support device by the gas supply unit, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotated substrate by the cleaning liquid supply unit. 상기 기체공급부는 상기 차단판과 기판 사이에 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.The gas supply unit substrate cleaning apparatus, characterized in that for supplying gas between the blocking plate and the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회전구동기구는 연직방향으로 뻗는 중공의 회전축을 갖고,The rotary drive mechanism has a hollow rotating shaft extending in the vertical direction, 상기 회전부재는 중앙부에 개구를 가짐과 아울러 상기 회전축과 일체적으로 회전하도록 상기 회전축에 장착되고,The rotating member has an opening in the center and is mounted to the rotating shaft to rotate integrally with the rotating shaft, 상기 기체공급부는,The gas supply unit, 상기 회전구동기구의 상기 회전축 내 및 상기 회전부재의 상기 개구에 삽입 통과되어, 상기 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈을 형성하도록 상기 회전구동기구에 지지된 금속제의 외관과,An outer appearance of a metal supported by the rotary drive mechanism to be inserted into the rotary shaft of the rotary drive mechanism and the opening of the rotary member to form a predetermined gap between the inner circumferential surface of the rotary shaft; 상기 외관 내에 삽입됨과 아울러 기판의 상기 상면에 대향하는 단부에 토출구를 갖고, 상기 토출구로부터 기판에 기체를 공급하는 수지제의 내관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판세정장치.And a resin inner tube which is inserted into the outer surface and has a discharge port at an end portion opposite to the upper surface of the substrate and supplies gas to the substrate from the discharge port. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 회전축이 연직방향으로 뻗도록 상기 회전구동기구를 지지하는 지지부Support portion for supporting the rotation drive mechanism such that the rotation axis extends in the vertical direction 재를 더 구비하고,With more ash, 상기 외관은 플랜지부를 갖고, 상기 플랜지부가 상기 지지부재에 고정된 것을 특징으로 하는 기판세정장치.The appearance has a flange portion, the substrate cleaning apparatus, characterized in that the flange portion is fixed to the support member. 노광장치에 인접하도록 배치되어, 표면 및 이면을 갖는 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서,A substrate processing apparatus arranged to be adjacent to an exposure apparatus and performing a process on a substrate having a surface and a back surface, the substrate processing apparatus comprising: 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,A processing unit for processing the substrate, 상기 처리부와 상기 노광장치 사이에서 기판의 주고 받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고,A exchange part for exchanging a substrate between the processor and the exposure apparatus; 상기 처리부는 기판의 상기 표면에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막형성유닛을 포함하고,The processing portion includes a photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the surface of the substrate, 상기 처리부 및 상기 주고받기부 중 적어도 한 쪽은,At least one of the processing unit and the exchange unit, 상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 상기 이면을 세정하는 기판세정장치를 포함하고, A substrate cleaning device for cleaning the back surface of the substrate before the exposure treatment by the exposure apparatus; 상기 기판세정장치는,The substrate cleaning device, 상기 표면을 위쪽으로 향하여 기판을 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와,A substrate rotation support device which rotates while supporting the substrate horizontally with the surface upward; 상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 표면에 기체를 공급하는 기체공급부와,A gas supply unit supplying gas to a surface of the substrate supported by the substrate rotation support device; 상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 이면을 세정하기 위한 세정구와,A cleaning tool for cleaning the back surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus; 상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 상기 이면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고,A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the rear surface of the substrate supported by the substrate rotation support device; 상기 기판회전지지장치는,The substrate rotation support device, 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,A rotating member rotatably installed around a rotation axis along the vertical direction, 상기 회전부재의 상측에 설치되어, 상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,A rotary drive mechanism installed above the rotating member to rotate the rotating member; 상기 회전부재의 하측에 설치되어, 상기 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주 단부에 당접함으로써 기판을 지지하는 지지부재와,A support member provided below the rotating member and supporting the substrate by contacting an outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member; 상기 지지부재에 의해 지지되는 기판의 상면에 대향하도록 상기 회전부재의 하측에 설치된 차단판을 포함하고,It includes a blocking plate provided on the lower side of the rotating member to face the upper surface of the substrate supported by the support member, 상기 기판회전지지장치에 의해 회전되는 기판의 상면에 기체공급부에 의해 기체가 공급되면서 상기 회전되는 기판의 하면에 세정액공급부에 의해 세정액이 공급되며,While the gas is supplied to the upper surface of the substrate rotated by the substrate rotation support device by the gas supply unit, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotated substrate by the cleaning liquid supply unit. 상기 기체공급부는 상기 차단판과 기판 사이에 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The gas supply unit substrate processing apparatus, characterized in that for supplying gas between the blocking plate and the substrate. 삭제delete
KR1020090027597A 2008-04-16 2009-03-31 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus KR101068754B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090027597A KR101068754B1 (en) 2008-04-16 2009-03-31 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-107167 2008-04-16
KR1020090027597A KR101068754B1 (en) 2008-04-16 2009-03-31 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110071055A Division KR101178973B1 (en) 2008-04-16 2011-07-18 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090110222A KR20090110222A (en) 2009-10-21
KR101068754B1 true KR101068754B1 (en) 2011-09-28

Family

ID=41538076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090027597A KR101068754B1 (en) 2008-04-16 2009-03-31 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101068754B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6061484B2 (en) * 2012-03-27 2017-01-18 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus having the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319869A (en) * 2000-05-11 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd Developing apparatus and developing method
KR20040011829A (en) * 2002-07-30 2004-02-11 삼성전자주식회사 Apparatus for cleaning a wafer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319869A (en) * 2000-05-11 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd Developing apparatus and developing method
KR20040011829A (en) * 2002-07-30 2004-02-11 삼성전자주식회사 Apparatus for cleaning a wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090110222A (en) 2009-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101001061B1 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
KR100983421B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101012554B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4926433B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4832201B2 (en) Substrate processing equipment
JP5008268B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5008280B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4667252B2 (en) Substrate processing equipment
KR101178973B1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP2006310724A (en) Substrate processing equipment and method
JP4794232B2 (en) Substrate processing equipment
KR20070079565A (en) Substrate processing apparatus
JP6001896B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus having the same
JP5269956B2 (en) Substrate processing equipment
JP2007214365A (en) Substrate processor
JP2007201078A (en) Substrate processing apparatus
JP5091687B2 (en) Substrate processing equipment
JP2008288447A (en) Substrate treating apparatus
KR101068754B1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
KR101099304B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4753641B2 (en) Substrate processing system
JP2007012998A (en) Substrate cleaner and substrate processing system with same
JP2009231553A (en) Substrate cleaning apparatus, and substrate processing apparatus having the same
JP6096132B2 (en) Substrate drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate drying method
JP2007208021A (en) Substrate treatment device and substrate treatment method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140902

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150820

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160818

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170823

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180904

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190829

Year of fee payment: 9