KR101178973B1 - Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판세정장치, 기판처리장치 및 기판세정방법에 관한 것이다. 기판의 이면세정처리시에는, 스핀척에 의해 기판이 회전함과 아울러, 기체공급관을 통하여 차단판과 기판 사이에 N2가스가 공급된다. 그 상태에서, 세정브러시가 모터에 의해 회전하면서 기판의 이면에 접촉한다. 기판과 세정브러시와의 접촉 부분에는, 세정노즐로부터 순수가 공급된다. 이것에 의해, 기판 이면의 전체가 세정브러시에 의해 세정되어, 기판의 이면에 부착되는 오염물이 제거된다.The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, a substrate processing apparatus and a substrate cleaning method. In the back cleaning process of the substrate, the substrate is rotated by the spin chuck, and N 2 gas is supplied between the blocking plate and the substrate via the gas supply pipe. In that state, the cleaning brush contacts the back surface of the substrate while rotating by the motor. Pure water is supplied to the contact portion between the substrate and the cleaning brush from the cleaning nozzle. Thereby, the whole of the back surface of a board | substrate is wash | cleaned with a washing brush, and the contaminant adhering to the back surface of a board | substrate is removed.
Description
본 발명은 기판의 이면(裏面)을 세정하기 위한 기판세정장치와 그것을 구비한 기판처리장치 및 기판세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위해, 기판처리장치가 사용되고 있다.Substrate processing apparatus for processing various substrates such as semiconductor substrate, liquid crystal display substrate, plasma display substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, magneto-optical disk substrate, photomask substrate Is being used.
이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로 1매의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행해진다. 일본 특허공개 2003-324139호 공보에 기재된 기판처리장치는 인덱서 블록, 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스 블록에 의해 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록 기판처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치가 배치된다.In such a substrate processing apparatus, generally, several different processes are performed continuously with respect to one board | substrate. The substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-324139 is composed of an indexer block, an antireflection film processing block, a resist film processing block, a development processing block, and an interface block. An exposure apparatus, which is an external device separate from the substrate processing apparatus, is disposed adjacent to the interface block.
상기 기판처리장치에서는, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에 있어서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행해진 후, 인터페이스 블록을 통하여 노광장치로 반송된다. 노광장치에서 기판 위의 레지스트막에 노광처리가 행해진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통하여 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에서 기판 위의 레지스트막에 현상처리가 행해짐으로써 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.In the above substrate processing apparatus, the substrate loaded from the indexer block is conveyed to the exposure apparatus through the interface block after formation of the antireflection film and coating process of the resist film are performed in the antireflection film processing block and the resist film processing block. After the exposure process is performed on the resist film on the substrate in the exposure apparatus, the substrate is conveyed to the developing block through the interface block. After the resist pattern is formed by developing the resist film on the substrate in the developing block, the substrate is transferred to the indexer block.
노광처리 전에서의 여러 가지의 성막(成膜)처리의 과정에서, 기판의 이면이 오염되는 경우가 있다. 그 경우, 오염물질에 의해 기판의 이면에 요철(凹凸)이 생겨, 기판이 불안정한 상태로 된다. 그 때문에, 노광처리시에, 노광 렌즈의 초점이 기판상의 레지스트막의 표면으로부터 벗어나는 디포커스(defocus)가 발생하는 경우가 있다. 그것에 의해, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생할 우려가 있다.In the course of various film forming processes before the exposure treatment, the back surface of the substrate may be contaminated. In that case, unevenness | corrugation arises on the back surface of a board | substrate by a contaminant, and a board | substrate will be in an unstable state. Therefore, in the exposure process, defocus may occur in which the focus of the exposure lens is out of the surface of the resist film on the substrate. Thereby, there exists a possibility that the dimension defect and shape defect of an exposure pattern may arise.
그래서, 각종의 성막처리 후에, 기판의 이면을 세정함이 제안되어 있다. 그렇지만, 기판 위에 형성된 레지스트막에 세정액 등의 액체가 부착되면, 레지스트막과 액체가 반응하여, 레지스트막의 상태가 변화된다. 그것에 의해, 그 후의 레지스트막의 처리를 정상적으로 행할 수 없게 된다.Therefore, it is proposed to wash the back surface of the substrate after various film forming processes. However, when a liquid such as a cleaning liquid adheres to the resist film formed on the substrate, the resist film and the liquid react to change the state of the resist film. As a result, the subsequent processing of the resist film cannot be performed normally.
본 발명의 목적은 기판의 표면에 액체가 부착되는 것을 방지하면서 기판의 이면을 충분히 세정하는 것이 가능한 기판세정장치 및 그것을 구비한 기판처리장치 및 기판세정방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus capable of sufficiently cleaning the back surface of a substrate while preventing liquid from adhering to the surface of the substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate cleaning method.
(1) 본 발명의 일 형태를 따르는 기판세정장치는 기판의 하면을 세정하는 기판세정장치로서, 기판을 거의 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 상면에 기체를 공급하는 기체공급부와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면을 세정하기 위한 세정구와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고, 기판회전지지장치는 거의 연직(鉛直)방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재의 상측에 설치되어, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 회전부재의 하측에 설치되어, 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주단부(外周端部)에 당접(當接)함으로써 기판을 지지하는 지지부재를 포함하는 것이다.(1) A substrate cleaning apparatus of one embodiment of the present invention is a substrate cleaning apparatus for cleaning a lower surface of a substrate, comprising: a substrate rotation support apparatus for rotating the substrate while being supported substantially horizontally, and a substrate supported by the substrate rotation support apparatus. A gas supply part for supplying gas to the upper surface, a cleaning tool for cleaning the lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus, and a cleaning liquid supply portion for supplying the cleaning liquid to the lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus, The substrate rotation support device is provided with a rotating member rotatably installed around a rotation axis along a substantially vertical direction, a rotating driving mechanism provided on an upper side of the rotating member, and a lower side of the rotating member. And a supporting member for supporting the substrate by abutting against an outer circumferential end of the substrate disposed below the rotating member. .
이 기판세정장치에서는, 회전부재의 하측에 설치된 지지부재에 의해, 회전부재의 하측에 배치된 기판의 외주단부가 지지된다. 그리고, 회전부재의 상측에 설치된 회전구동기구에 의해, 거의 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전부재가 회전한다. 그것에 의해, 기판이 거의 수평으로 지지된 상태로 회전한다.In this board | substrate cleaning apparatus, the outer peripheral end part of the board | substrate arrange | positioned under the rotating member is supported by the support member provided under the rotating member. Then, the rotary member rotates around the rotary axis along the substantially vertical direction by the rotary drive mechanism provided above the rotary member. As a result, the substrate is rotated while being supported almost horizontally.
회전하는 기판의 상면에, 기체공급부에 의해 기체가 공급된다. 또한, 회전하는 기판의 하면에, 세정액공급부에 의해 세정액이 공급됨과 아울러 세정구가 접촉한다. 이 경우, 기판의 상면에 세정액이 부착되는 것을 방지하면서 기판의 하면을 세정할 수 있다.Gas is supplied to the upper surface of the rotating substrate by the gas supply unit. In addition, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate by the cleaning liquid supply unit and the cleaning tool contacts. In this case, the lower surface of the substrate can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the upper surface of the substrate.
그것에 의해, 기판의 상면에 감광성막이 형성되어 있어도, 감광성막과 세정액과의 접촉이 방지되어, 감광성막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 또한, 기판의 하면에 부착되는 오염물을 제거함으로써, 노광처리시에 기판 이면의 요철에 기인하는 디포커스(defocus)가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들에 의해, 기판의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.Thereby, even if the photosensitive film is formed in the upper surface of a board | substrate, contact of a photosensitive film and a washing | cleaning liquid can be prevented, and the state of a photosensitive film can be kept normal. In addition, by removing contaminants adhering to the lower surface of the substrate, it is possible to reliably prevent defocus due to irregularities on the rear surface of the substrate during the exposure process. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of a board | substrate can be reliably prevented.
또한, 이 기판세정장치에서는, 회전구동기구가 기판의 위쪽에 있으므로, 회전하는 기판의 아래쪽에 충분한 공간이 형성된다. 그 공간에서 세정구 및 세정액공급부에 의한 기판 하면의 세정을 행할 수 있으므로, 기판 하면의 전체를 효율 좋게 확실히 세정할 수 있다.In this substrate cleaning apparatus, since the rotation driving mechanism is located above the substrate, a sufficient space is formed below the rotating substrate. Since the lower surface of the substrate can be cleaned by the cleaning tool and the cleaning liquid supply unit in the space, the entire lower surface of the substrate can be efficiently and reliably cleaned.
(2) 기판회전지지장치는 지지부재에 의해 지지되는 기판의 상면에 대향하도록 회전부재의 하측에 설치된 차단판을 더 포함하고, 기체공급부는 차단판과 기판 사이에 기체를 공급해도 좋다.(2) The substrate rotation support apparatus further includes a blocking plate provided on the lower side of the rotating member so as to face the upper surface of the substrate supported by the supporting member, and the gas supply unit may supply gas between the blocking plate and the substrate.
이 경우, 차단판에 의해 차단된 기판 위쪽의 공간이 기체공급부로부터 공급된 기체에 의해 채워진다. 그것에 의해, 기판의 하면에 공급되는 세정액이 기판의 상면으로 돌아 들어가는 것이 확실히 방지되어, 기판의 상면에 세정액이 부착되는 것이 확실히 방지된다.In this case, the space above the substrate blocked by the blocking plate is filled by the gas supplied from the gas supply part. As a result, the cleaning liquid supplied to the lower surface of the substrate is reliably prevented from returning to the upper surface of the substrate, and the adhesion of the cleaning liquid to the upper surface of the substrate is reliably prevented.
(3) 회전구동기구는 연직방향으로 뻗는 중공(中空)의 회전축을 갖고, 회전부재는 중앙부에 개구를 가짐과 아울러 회전축과 일체적으로 회전하도록 회전축에 장착되고, 기체공급부는 회전구동기구의 회전축 안 및 회전부재의 개구에 삽입 통과되어, 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈을 형성하도록 회전구동기구에 지지된 금속제의 외관(外管)과, 외관 내에 삽입됨과 아울러 기판의 표면에 대향하는 단부에 토출구를 갖고, 토출구로부터 기판에 기체를 공급하는 수지제의 내관(內管)을 포함해도 좋다.(3) The rotary drive mechanism has a hollow rotary shaft extending in the vertical direction, the rotary member has an opening in the center and is mounted to the rotary shaft so as to integrally rotate with the rotary shaft, and the gas supply portion is the rotary shaft of the rotary drive mechanism. The discharge port is inserted into the openings of the inner and the rotating members and is supported by the rotating drive mechanism so as to form a constant gap between the inner circumferential surface of the rotating shaft and the end of the outer surface which is inserted into the outer surface and faces the surface of the substrate. It may have a resin inner tube which supplies gas to a board | substrate from a discharge port.
이 경우, 금속제의 외관이 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈이 형성되도록 회전구동기구에 지지되어 있으므로, 회전축이 회전하는 경우에 있어서도, 외관과 회전축의 내주면 사이의 틈이 일정하게 유지된다. 따라서, 외관 및 회전축 마모가 방지된다.In this case, since the outer appearance of the metal is supported by the rotation driving mechanism so that a constant gap is formed between the inner circumferential surfaces of the rotating shaft, even when the rotating shaft rotates, the gap between the outer appearance and the inner circumferential surface of the rotating shaft is kept constant. Thus, appearance and rotation shaft wear are prevented.
또한, 외관이 회전구동기구에 지지되어 있으므로, 회전구동기구가 진동한 경우라도, 회전축과 외관과의 위치 관계가 유지된다. 그것에 의해, 외관이 회전축에 접촉하는 것이 확실히 방지된다.Moreover, since the external appearance is supported by the rotary drive mechanism, even if the rotary drive mechanism vibrates, the positional relationship between the rotary shaft and the external appearance is maintained. Thereby, the appearance is surely prevented from contacting the rotating shaft.
또한, 수지제의 내관은 가요성(可撓性)을 가지므로, 외관 내에 용이하게 삽입할 수 있다. 또한, 내관을 외관 내에 삽입함으로써, 기체공급부가 콤팩트(compact)하게 된다.In addition, since the inner tube made of resin has flexibility, it can be easily inserted into the outer tube. In addition, by inserting the inner tube into the outer tube, the gas supply unit is compact.
(4) 기판세정장치는 회전축이 연직방향으로 뻗도록 회전구동기구를 지지하는 지지부재를 더 구비하고, 외관은 플랜지(flange)부를 갖고, 플랜지부가 지지부재에 고정되어도 좋다.(4) The substrate cleaning apparatus further includes a supporting member for supporting the rotation driving mechanism so that the rotating shaft extends in the vertical direction, the exterior of which has a flange portion, and the flange portion may be fixed to the supporting member.
이 경우, 회전구동기구가 지지부재에 의해 지지되고, 외관의 플랜지부가 지지부재에 고정된다. 그것에 의해, 외관이 플랜지부 및 지지부재를 통하여 회전구동기구에 확실히 고정된다. 또한, 외관의 플랜지부를 지지부재에 장착함으로써, 외관 및 내관을 회전구동기구에 용이하게 고정할 수 있다. 따라서, 기판처리장치의 제조가 더 용이하게 된다.In this case, the rotary drive mechanism is supported by the support member, and the flange portion of the external appearance is fixed to the support member. Thereby, the external appearance is firmly fixed to the rotary drive mechanism via the flange portion and the supporting member. In addition, by attaching the outer flange portion to the support member, the outer shell and the inner tube can be easily fixed to the rotary drive mechanism. Therefore, the manufacturing of the substrate processing apparatus becomes easier.
(5) 본 발명의 다른 형태를 따르는 기판처리장치는 노광장치에 인접하도록 배치되어, 표면 및 이면을 갖는 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광장치 사이에서 기판의 주고 받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고, 처리부는 기판의 표면에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막 형성 유닛을 포함하고, 처리부 및 주고받기부중 적어도 한 쪽은 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 이면을 세정하는 기판세정장치를 포함하고, 기판세정장치는 표면을 위쪽으로 향해서 기판을 거의 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 표면에 기체를 공급하는 기체공급부와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 이면을 세정하기 위한 세정구와, 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고, 기판회전지지장치는 거의 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재의 상측에 설치되어, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 회전부재의 하측에 설치되어, 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주단부에 당접함으로써 기판을 지지하는 지지부재를 포함하는 것이다.(5) A substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus that is disposed adjacent to an exposure apparatus and performs processing on a substrate having a surface and a back surface, the processing unit for processing the substrate, the processing unit, and the exposure unit. A photosensitive film forming unit, comprising a photosensitive film forming unit for exchanging substrates between devices, wherein the processing section includes a photosensitive film formed of a photosensitive material on the surface of the substrate; And a substrate cleaning apparatus for cleaning the back surface of the substrate before the exposure treatment by the substrate cleaning apparatus, wherein the substrate cleaning apparatus is supported by a substrate rotation support apparatus for rotating the substrate while supporting the substrate almost horizontally, and supported by the substrate rotation support apparatus. The gas supply part which supplies gas to the surface of a board | substrate, and the back surface of the board | substrate supported by a board | substrate rotation support apparatus are counted. A cleaning device for supplying a cleaning liquid to a rear surface of the substrate supported by the substrate rotation support device, the substrate rotation support device being rotatably installed around a rotation axis along a substantially vertical direction, and rotating; It includes a rotary drive mechanism provided on the upper side of the member to rotate the rotating member, and a support member provided on the lower side of the rotating member to contact the outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member to support the substrate.
이 기판처리장치에서는, 처리부에 있어서 감광성막 형성 유닛에 의해 기판의 표면에 감광성막이 형성되고, 주고받기부에 의해 그 기판이 처리부로부터 노광장치에 주고받아진다. 노광장치에 의해 기판에 노광처리가 행해진 후, 그 기판이 주고받기부에 의해 노광장치로부터 처리부에 주고받아진다. 노광장치에 의한 노광처리 이전에는, 기판세정장치에 의해 기판의 이면이 세정된다.In this substrate processing apparatus, a photosensitive film is formed on the surface of the substrate by the photosensitive film forming unit in the processing portion, and the substrate is transferred from the processing portion to the exposure apparatus by the transfer portion. After the exposure treatment is performed on the substrate by the exposure apparatus, the substrate is transferred from the exposure apparatus to the processing portion by the feed-back portion. Before the exposure treatment by the exposure apparatus, the back surface of the substrate is cleaned by the substrate cleaning apparatus.
기판세정장치에서는, 회전부재의 하측에 설치된 지지부재에 의해, 표면을 위쪽으로 향해서 회전부재의 하측에 배치된 기판의 외주단부가 지지된다. 그리고, 회전부재의 상측에 설치된 회전구동기구에 의해, 거의 연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전부재가 회전한다. 그것에 의해, 기판이 거의 수평으로 지지된 상태에서 회전한다.In the substrate cleaning apparatus, the outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member is supported by the support member provided below the rotating member with the surface facing upward. Then, the rotary member rotates around the rotary axis along the substantially vertical direction by the rotary drive mechanism provided above the rotary member. As a result, the substrate is rotated while being supported almost horizontally.
회전하는 기판의 표면에, 기판공급부에 의해 기체가 공급된다. 또한, 회전하는 기판의 이면에, 세정액공급부에 의해 세정액이 공급됨과 아울러 세정구가 접촉한다. 이 경우, 기판의 표면에 세정액이 부착되는 것을 방지하면서 기판의 이면을 세정할 수 있다.
Gas is supplied to the surface of the rotating substrate by the substrate supply unit. In addition, the cleaning liquid is supplied to the rear surface of the rotating substrate by the cleaning liquid supply unit and the cleaning tool contacts. In this case, the back surface of the substrate can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the surface of the substrate.
*이것에 의해, 기판의 표면에 형성된 감광성막에 세정액이 접촉하는 것이 방지되어, 감광성막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 또한, 기판의 이면에 부착되는 오염물을 제거함으로써, 노광처리시에 기판 이면의 요철에 기인하는 디포커스가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들에 의해, 기판의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.This prevents the cleaning liquid from contacting the photosensitive film formed on the surface of the substrate, thereby keeping the state of the photosensitive film normal. In addition, by removing contaminants adhering to the back surface of the substrate, it is possible to reliably prevent defocus due to irregularities on the back surface of the substrate during exposure processing. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of a board | substrate can be reliably prevented.
또한, 이 기판세정장치에서는, 회전구동기구가 기판의 위쪽에 있으므로, 회전하는 기판의 아래쪽에 충분한 공간이 형성된다. 그 공간에서 세정구 및 세정액공급부에 의한 기판 이면의 세정을 행할 수 있으므로, 기판 이면의 전체를 효율 좋게 확실히 세정할 수 있다.In this substrate cleaning apparatus, since the rotation driving mechanism is located above the substrate, a sufficient space is formed below the rotating substrate. Since the back surface of the substrate can be cleaned by the cleaning tool and the cleaning liquid supply unit in the space, the entire back surface of the substrate can be reliably and efficiently cleaned.
또한, 기판의 이면을 아래쪽으로 향한 채 기판의 이면을 세정할 수 있으므로, 기판의 이면이 위쪽으로 향해지는 경우와 달리, 기판의 이면에 공급된 세정액이 중력으로 기판의 표면측으로 유입되는 경우가 없다. 그 결과, 기판의 표면에 세정액이 부착되는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판을 반전시키기 위한 반전기구를 설치할 필요가 없으므로, 기판처리장치의 대형화 및 고비용화를 억제할 수 있다.In addition, since the back surface of the substrate can be cleaned with the back surface of the substrate facing downward, unlike the case where the back surface of the substrate is directed upward, the cleaning liquid supplied to the back surface of the substrate does not flow into the surface side of the substrate by gravity. . As a result, it is possible to more reliably prevent the cleaning liquid from adhering to the surface of the substrate. In addition, since it is not necessary to provide an inversion mechanism for inverting the substrate, it is possible to suppress an increase in size and cost of the substrate processing apparatus.
(6) 본 발명의 또 다른 형태를 따르는 기판세정방법은 기판을 세정하는 기판세정방법으로서, 회전부재의 하측에 설치되는 지지부재에 의해 기판의 외주단부를 지지함과 아울러, 회전부재의 상측에 설치되는 회전구동기구에 의해 회전부재를 회전시키는 단계와, 회전되는 기판의 상면에 기체를 공급하는 단계와, 회전되는 기판의 하면에 세정액을 공급하는 단계와, 회전되는 기판의 하면을 세정구에 의해 세정하는 단계를 구비한 것이다.(6) A substrate cleaning method according to another aspect of the present invention is a substrate cleaning method for cleaning a substrate, wherein the support member provided below the rotating member supports the outer periphery of the substrate and is provided on the upper side of the rotating member. Rotating the rotating member by a rotating driving mechanism installed, supplying a gas to the upper surface of the rotating substrate, supplying a cleaning liquid to the lower surface of the rotating substrate, and lowering the rotating substrate to the cleaning tool. It has a step of washing by.
이 기판세정방법에서는, 회전부재의 하측에 설치된 지지부재에 의해, 회전부재의 하측에 배치된 기판의 외주단부가 지지된다. 그리고, 회전부재의 상측에 설치된 회전구동기구에 의해 회전부재가 회전한다. 그것에 의해, 지지부재에 의해 지지된 기판이 회전한다.In this substrate cleaning method, the outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member is supported by the support member provided below the rotating member. Then, the rotating member is rotated by the rotating driving mechanism provided on the upper side of the rotating member. As a result, the substrate supported by the support member rotates.
회전하는 기판의 상면에, 기체공급부에 의해 기체가 공급된다. 또한, 회전하는 기판의 하면에, 세정액공급부에 의해 세정액이 공급된다. 그리고, 세정구에 의해, 기판의 하면이 세정된다. 이 경우, 기판의 상면에 세정액이 부착되는 것을 방지하면서 기판의 하면을 세정할 수 있다.Gas is supplied to the upper surface of the rotating substrate by the gas supply unit. The cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotating substrate by the cleaning liquid supply unit. And the lower surface of a board | substrate is wash | cleaned by a washing | cleaning tool. In this case, the lower surface of the substrate can be cleaned while preventing the cleaning liquid from adhering to the upper surface of the substrate.
그것에 의해, 기판의 표면에 감광성막이 형성되어 있어도, 감광성막과 세정액과의 접촉이 방지되어, 감광성막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 또한, 기판의 하면에 부착되는 오염물을 제거함으로써, 노광처리시에 기판 이면의 요철에 기인하는 디포커스가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 이들에 의해, 기판의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.Thereby, even if the photosensitive film is formed in the surface of a board | substrate, contact of a photosensitive film and a washing | cleaning liquid can be prevented, and the state of a photosensitive film can be kept normal. In addition, by removing contaminants adhering to the lower surface of the substrate, it is possible to reliably prevent defocus due to irregularities on the rear surface of the substrate during exposure processing. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of a board | substrate can be reliably prevented.
또한, 회전구동기구가 기판의 위쪽에 있으므로, 회전하는 기판의 아래쪽에 충분한 공간이 형성된다. 그 공간에서 세정액 및 세정구에 의한 기판 하면의 세정을 행할 수 있으므로, 기판 하면의 전체를 효율 좋게 확실히 세정할 수 있다.In addition, since the rotary drive mechanism is above the substrate, sufficient space is formed below the rotating substrate. In this space, the lower surface of the substrate can be cleaned by the cleaning liquid and the cleaning tool, so that the entire lower surface of the substrate can be efficiently and reliably cleaned.
본 발명에 의하면, 기판의 표면에 액체가 부착되는 것을 방지하면서 기판의 이면을 충분히 세정할 수 있다.According to the present invention, the back surface of the substrate can be sufficiently cleaned while preventing the liquid from adhering to the surface of the substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 한 쪽의 측면도.
도 3은 도 1의 기판처리장치의 다른 쪽의 측면도.
도 4는 인터페이스 블록을 노광장치측에서 본 개략 측면도.
도 5는 이면세정처리유닛의 구성을 나타내는 측면도.
도 6은 이면세정처리유닛의 구성을 나타내는 개략 평면도.
도 7은 주로 도 5의 유체공급관의 구조를 나타내는 종단면도.
도 8(a)는 도 5의 유체공급관의 선단부 근방의 구조를 나타내는 확대 종단면도이고, 도 8(b)는 도 8(a)의 화살표 YA에서 본 유체공급관의 선단부의 평면도.
도 9는 스핀척에 의한 기판의 지지동작을 설명하기 위한 도면.
도 10은 스핀척에 의한 기판의 지지동작을 설명하기 위한 도면.
도 11은 기판의 이면세정처리유닛에 대하여 설명하기 위한 측면도.
도 12는 기판의 이면세정처리유닛에 대하여 설명하기 위한 측면도 및 평면도.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view of one side of the substrate treating apparatus of FIG. 1. FIG.
3 is a side view of the other side of the substrate processing apparatus of FIG.
4 is a schematic side view of the interface block seen from the exposure apparatus side.
Fig. 5 is a side view showing the structure of the back surface washing processing unit.
Fig. 6 is a schematic plan view showing the structure of the back surface washing processing unit.
7 is a longitudinal sectional view mainly showing the structure of the fluid supply pipe of FIG.
Fig. 8 (a) is an enlarged longitudinal sectional view showing the structure near the tip end of the fluid supply pipe of Fig. 5, and Fig. 8 (b) is a plan view of the tip end of the fluid supply pipe as seen from arrow YA of Fig. 8 (a).
9 is a view for explaining a supporting operation of a substrate by a spin chuck.
10 is a view for explaining a supporting operation of a substrate by a spin chuck.
Fig. 11 is a side view for explaining the back surface cleaning processing unit of the substrate.
12 is a side view and a plan view for explaining the back surface cleaning processing unit of the substrate;
이하, 본 발명의 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 도면을 사용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the substrate processing apparatus by embodiment of this invention is demonstrated using drawing. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.
(1)기판처리장치의 구성(1) structure of substrate processing equipment
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다. 또한, 도 1 및 후술하는 도 2~도 4에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직(鉛直)방향에 상당한다. 또한, 각 방향에 서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대인 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전 방향을 θ방향으로 하고 있다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition, the arrow which shows the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other is attached | subjected to FIG. 1 and FIGS. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In addition, in each direction, the direction the arrow points to is + direction, and the opposite direction is-direction. Moreover, the rotation direction centering on a Z direction is made into (theta) direction.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판처리장치(500)는 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12) 및 인터페이스 블록(15)을 포함한다. 또한, 인터페이스 블록(15)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에서는, 액침법에 의해 기판(W)에 노광처리가 행해진다.As shown in FIG. 1, the
이하, 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12) 및 인터페이스 블록(15)의 각각을 처리블록이라고 부른다.Hereinafter, each of the
인덱서 블록(9)은 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어(carrier)재치대(載置台)(40) 및 인덱서 로봇(IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(hand)(IRH)가 설치된다.The
반사방지막용 처리블록(10)은 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용도포처리부(50) 및 제1 센터로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용도포처리부(50)는 제1 센터로봇(CR1)을 사이에 두고 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향하여 설치된다. 제1 센터로봇(CRl)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1, CR12)가 상하에 설치된다.The anti-reflection
인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)는 기판(W)을 인덱서블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서블록(9)으로 반송할 때에 사용된다.Between the
또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 그것에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에 서, 기판(W)이 재치되어 있는지 여부의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정 설치된 복수개의 지지핀(pin)이 설치되어 있다. 또한, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은 후술하는 기판재치부(PASS3~PASSl3)에도 마찬가지로 설치된다.In addition, the optical sensor (not shown) which detects the presence or absence of the board | substrate W is provided in board | substrate mounting part PASS1, PASS2. This makes it possible to determine whether or not the substrate W is placed in the substrate placing portions PASS1 and PASS2. The substrate placing parts PASS1 and PASS2 are provided with a plurality of fixed pins. In addition, the said optical sensor and a support pin are similarly provided in the board | substrate mounting part PASS3-PASSl3 mentioned later.
레지스트막용 처리블록(11)은 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(60) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(60)은 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 두고 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향하여 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다. The resist
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS3)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)는 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용된다.Between the anti-reflection
현상처리블록(12)은 현상용 열처리부(120), 노광후 베이킹용 열처리부(121), 현상처리부(70) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 노광후 베이킹용 열처리부(121)는 인터페이스 블록(15)에 인접하고, 후술하는 바와 같이, 기판재치부(PASS7, PASS8)를 구비한다. 현상처리부(70)는 제3 센터로봇(CR3)을 사이에 두고 현상용 열처리부(120)에 대향하여 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.The developing
레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에서 기판(W)의 주고 받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS5)는 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때에 사용되며, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용된다.Between the
인터페이스 블록(15)은 이송버퍼부(sending buffer unit)(SBF), 이면세정처리유닛(BC), 제4 센터로봇(CR4), 에지(edge)노광부(EEW), 귀환버퍼부(RBF), 재치겸냉각유닛(PASS-CP)(이하, P-CP로 약기(略記)함), 기판재치부(PASS9) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)를 포함한다. 이면세정처리유닛(BC)은 노광처리 전의 기판(W) 이면의 세정처리(이하, 이면세정처리라고 부른다)를 행한다. 여기서, 기판(W)의 상면이란, 위쪽으로 향해진 기판(W)의 면을 말하고, 기판(W)의 하면이란, 아래쪽으로 향해진 기판(W)의 면을 말한다. 또한, 기판(W)의 표면이란, 각 처리블록에 있어서 여러 가지의 막이 형성되는 면을 말하고, 기판(W)의 이면이란, 그 반대측의면을 말한다. 이면세정처리유닛(BC)의 상세한 사항은 후술한다.The
또한, 제4 센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)(도 4 참조)가 상하에 설치되며, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)(도 4참조)가 상하에 설치된다. 인터페이스 블록(15)의 상세한 사항에 대해서는 후술한다.The fourth center robot CR4 is provided with hands CRH7 and CRH8 (see FIG. 4) for transferring the substrate W up and down, and the substrate W is placed in the interface transfer mechanism IFR. Hands H1 and H2 (see Fig. 4) for giving and receiving are installed above and below. Details of the
본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, Y방향을 따라 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12) 및 인터페이스 블록(15)이 순서대로 병설(竝設)되어 있다.In the
도 2는 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략 측면도이며, 도 3은 도 1의 기판처리장치(500)을 -X방향에서 본 개략 측면도이다. 또한, 도 2에 있어서는, 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 나타내며, 도 3에 있어서는, 기판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 나타내고 있다.2 is a schematic side view of the
먼저, 도 2를 이용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대해 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(spin chuck)(51) 및 스핀척(51) 위에 지지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(nozzle)(52)을 구비한다. First, the structure of the + X side of the
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 위에 지지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.Three coating units RES are stacked on top of each other in the resist film coating unit 60 (see FIG. 1) of the resist
현상처리블록(12)의 현상처리부(70)(도 1 참조)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 위에 지지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다. In the developing processing unit 70 (see Fig. 1) of the developing
인터페이스 블록(15) 내의 +X측에는, 에지노광부(EEW)가 배치되어 있다. 에지노광부(EEW)는 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지해서 회전하는 스핀척(98) 및 스핀척(98) 위에 지지된 기판(W)의 주연(周緣)을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다.The edge exposure unit EEW is disposed on the + X side in the
다음으로, 도 3을 이용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 2개의 가열유닛(핫플레이트(hot plate))(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링플레이트(cooling plate))(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(local controller)(LC)가 각각 배치된다.Next, the structure of the -X side of the
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.In the resist film
현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 적층 배치되고, 노광후 베이킹용 열처리부(121)에는, 2개의 가열유닛(HP), 2개의 냉각유닛(CP) 및 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 적층 배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120) 및 노광후 베이킹용 열처리부(121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.Two heating units HP and two cooling units CP are stacked in the developing
다음으로, 도 4를 이용하여 인터페이스 블록(15)에 대해서 상세히 설명한다.Next, the
도 4는 인터페이스 블록(15)을 +Y측에서 본 개략 측면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 인터페이스 블록(15) 내에 있어서, -X측에는, 이송버퍼부(SBF) 및 3개의 이면세정처리유닛(BC)이 적층 배치된다. 또한, 인터페이스 블록(15) 내에 있어서, +X측의 상부에는, 에지노광부(EEW)가 배치된다.4 is a schematic side view of the
에지노광부(EEW)의 아래쪽에 있어서, 인터페이스 블록(15) 내의 대략 중앙부에는, 귀환버퍼부(RBF), 2개의 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS9)가 상하에 적층 배치된다. Below the edge exposure portion EEW, a feedback buffer portion RBF, two mounting and cooling units P-CP, and a substrate placing portion PASS9 are stacked up and down substantially in the center portion of the
또한, 인터페이스 블록(15) 내의 하부에는, 제4 센터로봇(CR4) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 설치되어 있다. 제4 센터로봇(CR4)은 이송버퍼부(SBF) 및 이면세정처리유닛(BC), 에지노광부(EEW), 귀환버퍼부(RBF), 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS9) 사이에서 상하 이동 가능하면서도 회동 가능하게 설치되어 있다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 귀환버퍼부(RBF), 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS9) 사이에서 상하이동 가능하면서도 회동 가능하게 설치되어 있다.Further, a fourth center robot CR4 and an interface conveyance mechanism IFR are provided below the
(1-2) 기판처리장치의 동작(1-2) Operation of Substrate Processing Apparatus
다음으로, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 동작에 대해서 도 1~도 4를 참조하면서 설명한다.Next, the operation of the
(1-2-1) 인덱서블록에서 현상처리블록까지의 동작(1-2-1) Operation from indexer block to development block
먼저, 인덱서블록(9)에서 현상처리블록(12)까지의 동작에 대해서 간단히 설명한다.First, the operation from the
인덱서블록(9)의 캐리어 재치대(40) 위에는, 복수매의 기판(W)을 다단(多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서로봇(IR)은 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C) 내에 수납된 미(未)처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.On the
본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이것에 한정되지 않으며, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드(pod)나 수납 기판(W)을 외기(外氣)에 노출하는 OC(open cassette) 등을 사용해도 좋다.In this embodiment, although front opening unified pod (FOUP) is employ | adopted as carrier C, it is not limited to this, Outside air | atmosphere SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pod and storage board | substrate W You may use an OC (open cassette) etc. which expose to i).
또한, 인덱서로봇(IR), 제1~제4 센터로봇(CR1~CR4) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이딩시켜 핸드의 진퇴 동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴 동작을 행하는 다관절형(多關節型) 반송로봇을 사용해도 좋다.In addition, the indexer robot IR, the first to fourth center robots CR1 to CR4, and the transfer mechanism IFR for the interface respectively slide linearly with respect to the substrate W to perform the hand retraction operation. Although a linear transfer robot is used, it is not limited to this, but a multi-joint transfer robot that linearly moves the hand by moving the joint may be used.
기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 수취된다. 제1 센터로봇(CRl)은 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.The untreated substrate W placed on the substrate placing unit PASS1 is received by the first center robot CR1 of the anti-reflection
그 후, 제1 센터로봇(CRl)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(50)에 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 할레이션(halation)을 감소시키기 위해서, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 위에 반사방지막이 도포 형성된다.Thereafter, the first center robot CRl takes out the heat-treated substrate W from the anti-reflection film
다음으로, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 도포처리부(50)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.Next, the first center robot CR1 takes out the coated substrate W from the antireflective
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 수취된다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS3 is received by the second center robot CR2 of the
그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(60)에서는, 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포 형성된 기판(W) 위에 레지스트막이 도포 형성된다.Thereafter, the second center robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the
다음으로, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 도포처리부(60)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.Next, the second center robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS5 is received by the third center robot CR3 of the developing
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취되고, 후술하는 바와 같이, 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에서 소정의 처리가 실시된다. 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에서 기판(W)에 소정의 처리가 실시된 후, 그 기판(W)은 제4 센터로봇(CR4)에 의해 현상처리블록(12)의 노광후 베이킹용 열처리부(121)에 반입된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS7 is received by the fourth center robot CR4 of the
노광후 베이킹용 열처리부(121)에 있어서는, 기판(W)에 대하여 노광후 베이킹(PEB)이 행해진다. 그 후, 제4 센터로봇(CR4)은 노광후 베이킹용 열처리부(121)로부터 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS8)에 재치한다.In the post-exposure bake
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에서는, 노광된 기판(W)에 대하여 현상처리가 실시된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS8 is received by the third center robot CR3 of the developing
다음으로, 제3 센터로봇(CR3)은 현상처리부(70)로부터 현상처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120)에 반입한다. 그 후, 제3 센터로봇(CR3)은 현상용 열처리부(120)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.Next, the third center robot CR3 takes out the developed substrate W from the developing
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 레지스트용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.The substrate W placed on the substrate placing portion PASS6 is placed on the substrate placing portion PASS4 by the second center robot CR2 of the
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은 인텍서블록(9)의 인덱서로봇(IR)에 의해 캐리어(C) 안에 수납된다. 이에 의해, 기판처리장치(500)에서의 기판(W)의 각 처리가 종료된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS2 is accommodated in the carrier C by the indexer robot IR of the
(1-2-2)인터페이스 블록의 동작(1-2-2) Operation of the Interface Block
다음으로, 인터페이스 블록(15)의 동작에 대해서 상세히 설명한다.Next, the operation of the
상술한 바와 같이, 인덱서블록(9)에 반입된 기판(W)은 소정의 처리가 실시된 후, 현상처리블록(12)(도 1)의 기판재치부(PASS7)에 재치된다.As described above, the substrate W loaded into the
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 에지노광부(EEW)(도 4)에 반입한다. 이 에지노광부(EEW)에서는, 기판(W)의 주연부(周緣部)에 노광처리가 실시된다.The substrate W mounted on the substrate placing unit PASS7 is received by the fourth center robot CR4 of the
다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은 에지노광부(EEW)로부터 에지노광이 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 이면세정처리유닛(BC)의 어느 쪽에 반입한다. 이면세정처리유닛(BC)에서는, 상술한 바와 같이 노광처리 전의 기판(W)에 이면세정처리가 실시된다.Next, the fourth center robot CR4 takes out the edge-exposed board | substrate W from the edge exposure part EEW, and carries in the board | substrate W to either side of the back surface washing | cleaning unit BC. In the back surface cleaning processing unit BC, the back surface cleaning process is performed on the substrate W before the exposure process as described above.
여기에서, 노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은 통상, 다른 처리 공정 및 반송 공정보다 길다. 그 결과, 노광장치(16)가 이후의 기판(W)의 받아들임을 할 수 없는 경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 이송버퍼부(SBF)(도 4)에 일시적으로 수납 보관된다. 본 실시형태에서는, 제4 센터로봇(CR4)은 이면세정처리유닛(BC)으로부터 이면세정처리가 끝난 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 이송버퍼부(SBF)로 반송한다.Here, the time of exposure processing by the
다음으로, 제4 센터로봇(CR4)은 이송버퍼부(SBF)에 수납 보관되어 있는 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 재치겸냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치겸냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은 노광장치(16) 안과 같은 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다.Next, the 4th center robot CR4 takes out the board | substrate W accommodated in the transfer buffer part SBF, and carries in the board | substrate W to a mounting and cooling unit P-CP. The substrate W carried in the placing and cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (eg, 23 ° C.) in the
또한, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 갖는 경우에는, 이송버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납 보관하지 않고, 이면세정처리유닛(BC)으로부터 재치겸냉각유닛(P-CP)으로 기판(W)을 반송해도 좋다.When the
이어서, 재치겸냉각유닛(P-CP)에서 상기 소정온도로 유지된 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFR)의 상측의 핸드(H1)(도 4)에 의해 수취되어, 노광장치(16) 내의 기판반입부(16a)(도 1)에 반입된다.Subsequently, the substrate W held at the predetermined temperature in the placement and cooling unit P-CP is received by the hand H1 (FIG. 4) on the upper side of the interface transfer mechanism IFR, and the
노광장치(16)에서, 노광처리가 실시된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 기판반출부(16b)(도 1)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.In the
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은 제4 센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 현상처리블록(12)(도 1)의 노광후 베이킹용 열처리부(121)로 반송한다.The substrate W placed on the substrate placing unit PASS9 is received by the fourth center robot CR4. The fourth center robot CR4 conveys the substrate W to the post-exposure bake
또한, 현상처리유닛(DEV)(도 2)의 고장 등에 의해, 현상처리블록(12)이 일시적으로 기판(W)을 받아들일 수 없을 때는 귀환버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.In addition, when the developing
(2) 이면세정처리유닛(2) Back cleaning unit
다음으로, 이면세정처리유닛(BC)에 대하여 도면을 사용하여 상세히 설명한다. 도 5 및 도 6은 이면세정처리유닛(BC)의 구성을 나타내는 측면도 및 개략 평면도이다. 또한, 도 6에는, 이면세정처리유닛(BC)의 일부의 구성요소가 모식적으로 도시되어 있다.Next, the back surface cleaning processing unit BC will be described in detail with reference to the drawings. 5 and 6 are side views and schematic plan views showing the structure of the back surface washing processing unit BC. 6, components of a part of the back surface washing | cleaning processing unit BC are shown typically.
또한, 본 실시형태에 있어서, 이면세정처리유닛(BC)은 도시하지 않은 하우징을 구비하고, 그 하우징의 내부에 이하의 구성요소가 설치된다.In addition, in this embodiment, the back washing process unit BC is equipped with the housing which is not shown in figure, and the following components are provided in the inside of the housing.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 이면세정처리유닛(BC)은 기판(W)을 수평으로 지지하여 회전시키는 스핀척(600)을 구비한다. 스핀척(600)은 스핀모터(200), 회전축(210), 원판형상의 스핀 플레이트(520), 플레이트 지지부재(510), 원판형상의 차단판(525), 자석 플레이트(614a, 614b) 및 복수의 척핀(615)을 포함한다.As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the back surface washing | cleaning unit BC is equipped with the
이면세정처리유닛(BC)의 상부에 스핀모터(200)가 설치되어 있다. 스핀모터(200)는 모터지지부재(200s)에 의해 지지되어 있다. 모터지지부재(200s)는 연직방향으로 뻗는 관통구멍(200h)를 갖고, 모터고정부(290)에 장착되어 있다. 모터고정부(290)는 도시하지 않은 이면세정처리유닛(BC)의 하우징에 장착되어 있다.The
스핀모터(200)의 내부로부터 아래쪽으로 뻗도록 원통형상을 갖는 회전축(210)이 설치되어 있다. 회전축(210)은 스핀모터(200)의 출력축으로서 기능한다.A
회전축(210)의 하단부에는, 플레이트 지지부재(510)가 장착되어 있다. 후술하는 바와 같이, 플레이트 지지부재(510)는 원통형상을 갖는다. 플레이트 지지부재(510)에 의해 스핀 플레이트(520)가 수평으로 지지되어 있다. 플레이트 지지부재(510) 및 스핀 플레이트(520)의 하면에 차단판(525)이 고정부재(525a, 525b)에 의해 수평으로 고정되어 있다. 차단판(525)의 중심부에는, 관통구멍(525h)이 형성되어 있다. 스핀모터(200)에 의해 회전축(210)이 회전함으로써, 플레이트 지지부재(510), 스핀 플레이트(520) 및 차단판(525)이 연직축의 둘레로 일체적으로 회전한다.The
모터지지부재(200s)의 관통구멍(200h), 스핀모터(200)의 회전축(210)의 내부, 및 플레이트 지지부재(510)의 내부에는, 유체공급관(400)이 삽입 관통되어 있다. 유체공급관(400)을 통하여, 스핀척(600)에 의해 지지되는 기판(W) 위에 기체를 공급할 수 있다. 유체공급관(400) 및 그 주변부재의 구조의 상세한 사항은 후술한다. The
스핀 플레이트(520)의 주연부(周緣部)에는, 복수(도 6에서는, 5개)의 척핀(615)이 회전축(210)에 대하여 등각도 간격으로 설치되어 있다. 척핀(615)의 개수는 5개 이상인 것이 바람직하다. 그 이유에 대하여는 후술한다.A plurality of chuck pins 615 (five in FIG. 6) are provided at the equiangular intervals with respect to the
각 척핀(615)은 축부(615a), 핀지지부(615b), 지지부(615c) 및 자석(616)을 포함한다. 스핀 플레이트(520)를 관통하도록 축부(615a)가 설치되며, 축부(615a)의 하단부에 수평방향으로 뻗는 핀(pin)지지부(615b)가 접속되어 있다. 핀지지부(615b)의 선단부로부터 아래쪽으로 돌출하도록 지지부(615c)가 설치되어 있다. 또한, 스핀 플레이트(520)의 상면측에서, 축부(615a)의 상단부에 자석(616)이 장착되어 있다.Each
각 척핀(615)은 축부(615a)를 중심으로 연직축의 둘레로 회전가능하여, 지지부(615c)가 기판(W)의 외주 단부에 당접하는 닫힘상태와, 지지부(615c)가 기판(W)의 외주 단부로부터 이간(離間)되는 열림상태로 전환가능하다. 또한, 본 예에서는, 자석(616)의 N극이 내측에 있는 경우에 각 척핀(615)이 닫힘상태로 되고, 자석(616)의 S극이 내측에 있는 경우에 각 척핀(615)이 열림상태로 된다.Each
스핀 플레이트(520)의 위쪽에는, 회전축(210)을 중심으로 하는 둘레방향을 따라 자석 플레이트(614a, 614b)가 배치된다. 자석 플레이트(614a, 614b)는 외측에 S극을 갖고, 내측에 N극을 갖는다. 자석 플레이트(614a, 614b)는 자석승강기구(617a, 617b)에 의해 각각 독립적으로 승강하며, 척핀(615)의 자석(616)보다 높은 위쪽 위치와 척핀(615)의 자석(616)과 거의 같은 높이인 아래쪽 위치 사이에서 이동한다.Above the
자석 플레이트(614a, 614b)의 승강에 따라, 각 척핀(615)이 열림상태와 닫힘상태로 전환된다. 자석 플레이트(614a, 614b) 및 척핀(615)의 동작의 상세 사항에 대하여는 후술한다.As the
스핀척(600)의 바깥쪽에는, 기판(W)으로부터 비산하는 세정액을 받기 위한 가드(guard)(618)가 설치되어 있다. 가드(618)는 스핀척(600)의 회전축(210)에 대하여 회전 대칭인 형상을 갖는다. 또한, 가드(618)는 가드승강기구(618a)에 의해 승강한다. 가드(618)에 의해 받은 세정액은 도시하지 않은 배액장치 또는 회수장치에 의해 배액 또는 회수된다.On the outside of the
가드(618)의 바깥쪽에는, 3개 이상(본 예에서는, 3개)의 기판 주고받기기구(620)가 스핀척(600)의 회전축(210)을 중심으로 하여 등각도 간격으로 배치되어 있다. 각 기판 주고받기 기구(620)는 승강회전구동부(621), 회전축(622), 아암(623) 및 지지핀(624)을 포함한다. 승강회전구동부(621)로부터 위쪽으로 뻗도록 회전축(622)이 설치되고, 회전축(622)의 상단부로부터 수평방향으로 뻗도록 아암(623)이 연결되어 있다. 아암(623)의 선단부에, 기판(W)의 외주 단부를 지지하기 위한 지지핀(624)이 설치되어 있다.
Outside the
*승강회전구동부(621)에 의해, 회전축(622)이 승강 동작 및 회전 동작을 행한다. 그것에 의해, 지지핀(624)이 수평방향 및 상하방향으로 이동한다.By the elevating
또한, 이면세정처리유닛(BC)의 하부에는, 대략 원주형상의 이면세정브러시(630)가 배치되어 있다. 이면세정브러시(630)는 모터(635)의 회전축에 장착되어 있어, 연직축의 둘레로 회전 구동된다. 모터(635)는 브러시지지부재(631)에 의해 지지되어 있다. 브러시지지부재(631)는 브러시이동기구(632)에 의해 구동된다. 그것에 의해, 세정브러시(630)가 수평방향 및 상하방향으로 이동한다.In the lower part of the back surface washing processing unit BC, a rear
세정브러시(630)의 근방에서의 브러시지지부재(631)의 부분에는, 세정노즐(633)이 장착되어 있다. 세정노즐(633)에는, 세정액이 공급되는 액공급관(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 세정노즐(633)의 토출구는 세정브러시(630) 주변을 향하여 있고, 토출구로부터 세정브러시(630) 주변을 향하여 세정액이 토출된다. 또한, 본 예에서는, 세정수로서 순수가 사용된다.The cleaning
(3) 유체공급관의 상세(3) Details of fluid supply pipe
도 5의 유체공급관(400) 및 그 주변부재의 구조의 상세를 도 7 및 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 7은 주로 도 5의 유체공급관(400)의 구조를 나타내는 종단면도이다. 도 8(a)는 도 5의 유체공급관(400)의 선단부 근방의 구조를 나타내는 확대 종단면도이며, 도 8(b)는 도 8(a) 의 화살표 YA에서 본 유체공급관(400)의 선단부의 평면도이다.Details of the structure of the
상술한 바와 같이, 유체공급관(400)은 모터지지부재(200s), 스핀모터(200), 회전축(210) 및 플레이트 지지부재(510)에 삽입 통과되어 있다.As described above, the
도 7에 나타내는 바와 같이, 유체공급관(400)은 모터지지부재(200s)의 위쪽으로 만곡하여, 수평방향으로 뻗어 있다. 이하의 설명에서, 연직방향으로 뻗는 직관부(直管部)의 단부를 선단부라고 부르고, 수평방향으로 뻗는 직관부의 단부를 후단부라고 부른다. As shown in FIG. 7, the
유체공급관(400)에 있어서, 연직방향으로 뻗는 직관부의 만곡부 근방에는, 제1 플랜지(flange)(FR1)가 일체로 형성되어 있다. 또한, 후단부에는, 제2 플랜지(FR2)가 일체로 형성되어 있다.In the
제1 플랜지(FR1)가 모터지지부재(200s)에 고정되며, 제2 플랜지(FR2)가 관고정부(280)에 고정된다. 관고정부(280)는 도시하지 않은 이면세정처리유닛(BC)의 하우징에 장착된다.The first flange FR1 is fixed to the
이것에 의해, 유체공급관(400)은 관고정부(280), 모터지지부재(200s) 및 모터고정부(290)에 의해, 이면세정처리유닛(BC)의 하우징에 고정된다.As a result, the
상술한 바와 같이, 스핀모터(200)는 모터지지부재(200s)에 의해 지지되어 있다. 이것에 의해, 유체공급관(400)이 모터지지부재(200s)에 장착됨으로써, 스핀모터(200)가 동작하는 경우라도, 유체공급관(400)과 스핀모터(200)의 위치 관계가 유지된다. 따라서, 유체공급관(400)에 위치 어긋남이 발생하는 것이 방지된다.As described above, the
도 8(a) 및 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 유체공급관(400)은 가이드관(410)의 내부에 기체공급관(420)이 수용된 구조를 갖는다. 기체공급관(420)은 기판(W)에 기체(본 예에서는, N2가스)를 공급하기 위하여 사용된다.As shown in FIGS. 8A and 8B, the
본 실시형태에 있어서, 가이드관(410)은 스테인레스강으로 이루어진다. 기체공급관(420)은 PTFE(사불화에틸렌수지) 및 PFA (사불화에틸렌 ·퍼플루오로알콕시에틸렌 공중합체) 등의 불소수지로 이루어진다.In the present embodiment, the
도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 기체공급관(420)은 그 선단부가 차단판(525)의 관통구멍(525h)으로부터 약간 아래쪽으로 돌출하도록 설치된다. 이것에 의해, 차단판(525)과 기판(W) 사이에 N2가스를 확실히 공급할 수 있다. 또한, 기체공급관(420)의 선단부를 차단판(525)에 고정해도 좋다.As shown in FIG. 8 (a), the
유체공급관(400)의 선단부의 주변부재에 대하여 설명한다. 본 예에서는, 회전축(210)은 약 20mm의 내경을 갖고, 가이드관(410)은 약 18mm의 외경을 갖는다. 이것에 의해, 유체공급관(400)이 도 7의 모터지지부재(200s) 및 관고정부(280)에 장착된 상태에서, 회전축(210)과 가이드관(410) 사이에 약 1mm의 갭(gap)(GA)이 형성된다.The peripheral member of the front end of the
유체공급관(400)의 선단부 근방에서, 회전축(210)에는, 대략 원통형상을 갖는 플레이트 지지부재(510)가 장착되어 있다. 플레이트 지지부재(510)의 내주면(510h)은 축심을 따라 계단형상으로 형성되어 있다.In the vicinity of the distal end of the
플레이트 지지부재(510)를 회전축(210)에 장착할 때는, 플레이트 지지부재(510)의 내주면(510h)과 회전축(210)의 외주면 사이의 틈에 원통형상의 패드(pad)고정편(512)을 끼워 넣고, 패드고정편(512)을 플레이트 지지부재(510)의 나사받침부(511)에 나사 고정한다. 이것에 의해, 플레이트 지지부재(510)가 회전축(210)의 선단부에 확실히 고정된다.When the
플레이트 지지부재(510)의 하단부 근방에는, 플랜지(510F)가 형성되어 있다. 플랜지(510F)와 스핀 플레이트(520)가 나사 고정됨으로써, 스핀 플레이트(520)가 회전축(210)에 고정된다.The
도 7로 돌아가서, 유체공급관(400)의 후단부에는, 상술한 바와 같이 제2 플랜지(FR2)가 형성되어 있다. 그리고, 제2 플랜지(FR2)는 관고정부(280)에 고정된다. 또한, 유체공급관(400)의 후단부 근방에는, 공급관고정부(490)가 설치된다. 공급관고정부(490)에서, 기체공급관(420)이 가이드관(410)에 고정된다.Returning to FIG. 7, the 2nd flange FR2 is formed in the rear end part of the
기체공급관(420)은 가이드관(410)의 후단부로부터 외부로 뻗어 있다. 가이드관(410) 후단부로부터 뻗는 기체공급관(420)의 후단부는 도시하지 않은 기체공급장치에 접속된다. 기체공급장치로부터 기체공급관(420)에 N2가스가 공급됨으로써, 기판(W)에 N2가스가 공급된다.The
(4) 기판의 지지 동작(4) supporting operation of substrate
스핀척(600)에 의한 기판(W)의 지지 동작에 대하여 설명한다. 도 9 및 도 10은 스핀척(600)에 의한 기판(W)의 지지 동작을 설명하기 위한 도면이다.The supporting operation of the substrate W by the
먼저, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 가드(618)가 척핀(615)보다 낮은 위치로 이동한다. 그리고, 복수의 기판 주고받기기구(620)(도 5)의 지지핀(624)이 가드(618)의 위쪽을 통과하여 스핀 플레이트(520)의 아래쪽으로 이동한다. 복수의 지지핀(624) 위에 제4 센터로봇(CR4)(도 1)에 의해 기판(W)이 재치된다.First, as shown in FIG. 9 (a), the
이 때, 자석 플레이트(614a, 614b)는 위쪽 위치에 있다. 이 경우, 자석 플레이트(614a, 614b)의 자력선(B)은 척핀(615)의 자석(616)의 높이에서 내측으로부터 외측으로 향한다. 그것에 의해, 각 척핀(615)의 자석(616)의 S극이 내측으로 흡인된다. 따라서, 각 척핀(615)은 열림상태로 된다.At this time, the
이어서, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 지지핀(624)이 기판(W)을 지지한 상태에서 상승한다. 이것에 의해, 기판(W)이 복수의 척핀(615)의 지지부(615c) 사이로 이동한다.Subsequently, as shown in FIG. 9B, the plurality of support pins 624 are raised in a state in which the substrate W is supported. As a result, the substrate W moves between the
이어서, 도 10(c)에 나타내는 바와 같이, 자석 플레이트(614a, 614b)가 아래 쪽 위치로 이동한다. 이 경우, 각 척핀(615)의 자석(616)의 N극이 내측으로 흡인된다. 그것에 의해, 각 척핀(615)이 닫힘상태로 되어, 각 척핀(615)의 지지부(615c)에 의해 기판(W)의 외주 단부가 지지된다. 또한, 각 척핀(615)은 인접하는 지지핀(624) 사이에서 기판(W)의 외주 단부를 지지한다. 그 때문에, 척핀(615)과 지지핀(624)은 서로 간섭하지 않는다. 그 후, 복수의 지지핀(624)이 가드(618)의 바깥쪽으로 이동한다.Subsequently, as shown in FIG.10 (c), the
이어서, 도 10(d)에 나타내는 바와 같이, 가드(618)가 척핀(615)에 의해 지지되는 기판(W)을 둘러싸는 높이로 이동한다. 그리고, 기판(W)의 이면세정처리가 행해진다.Next, as shown in FIG.10 (d), the
(5) 이면세정처리(5) back washing
도 ll 및 도 12은 기판(W)의 이면세정처리에 대하여 설명하기 위한 측면도이다.Ll and 12 are side views for explaining the back cleaning process of the substrate W. FIG.
도 11에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 이면세정처리시에는, 스핀척(600)에 의해 기판(W)이 회전함과 아울러, 기체공급관(420)을 통하여 차단판(525)과 기판(W) 사이에 N2가스가 공급된다. 이것에 의해, 차단판(525)과 기판(W) 사이에서, 기판(W)의 중심부 위로부터 외측으로 향하는 N2가스의 기류가 형성된다.As shown in FIG. 11, during the back cleaning process of the substrate W, the substrate W is rotated by the
그 상태에서, 세정브러시(630)가 모터(635)에 의해 회전하면서 기판(W)의 이면에 접촉한다. 그리고, 세정브러시(630)가 기판(W)의 중심부 아래쪽과 주연부 아래쪽 사이로 이동하여, 기판(W)의 이면의 전역에 접촉한다. 기판(W)과 세정브러시(630)의 접촉 부분에는, 세정노즐(633)로부터 순수가 공급된다. 이것에 의해, 기판(W)의 이면의 전체가 세정브러시(630)에 의해 세정되어, 기판(W)의 이면에 부착되는 오염물이 제거된다.In this state, the cleaning
이어서, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 자석 플레이트(614a)가 아래쪽 위치에 배치되며, 자석 플레이트(614b)가 위쪽 위치에 배치된다. 이 경우, 도 12(a) 및 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 자석 플레이트(614a)의 바깥쪽 영역(R1)(도 12(b) 참조)에 있어서는, 각 척핀(615)이 닫힘상태로 되고, 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)(도 12(b) 참조)에 있어서는, 각 척핀(615)이 열림상태로 된다. 즉, 각 척핀(615)의 지지부(615c)는 자석 플레이트(614a)의 바깥쪽 영역(R1)을 통과할 때에 기판(W)의 외주 단부에 접촉한 상태로 유지되며, 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)을 통과할 때에 기판(W)의 외주 단부로부터 이간된다.Subsequently, as shown in Fig. 12A, the
따라서, 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)에서, 기판(W)의 외주 단부의 하면측의 부분을 세정브러시(630)에 의해 세정할 수 있다.Therefore, in the outer region R2 of the
또한, 본 예에서는, 5개의 척핀(615) 중 적어도 4개의 척핀(615)이 자석 플레이트(614a)의 바깥쪽 영역(R1)에 위치한다. 이 경우, 각 척핀(615)의 지지부(615c)가 자석 플레이트(614b)의 바깥쪽 영역(R2)을 통과할 때에 기판(W)의 외주 단부로부터 이간되어도, 적어도 4개의 척핀(615)에 의해 기판(W)이 지지된다. 그것에 의해, 기판(W)의 안정성이 확보된다.Also, in this example, at least four
이면세정처리의 종료 후, 자석 플레이트(614a, 615b)가 아래쪽 위치에 배치되어, 모든 척핀(615)에 의해 기판(W)이 지지된다. 그 상태에서, 스핀척(600)에 의해 기판(W)이 고속으로 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)에 부착되는 순수가 털어내져, 기판(W)이 건조된다.After completion of the back cleaning process, the
(6) 실시형태의 효과(6) Effect of Embodiment
본 실시형태에서는, 이면세정처리유닛(BC)에서 노광처리 전의 기판(W)에 이면세정처리가 행해진다. 이 경우, 기판(W)의 표면에 계속적으로 N2가스가 공급되는 상태에서, 기판(W)의 이면이 세정브러시(630)에 의해 세정된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 액체가 부착되는 것을 방지하면서 기판(W)의 이면에 부착되는 오염물을 확실히 제거할 수 있다.In the present embodiment, the back surface cleaning process is performed on the substrate W before the exposure process in the back surface cleaning processing unit BC. In this case, while the N 2 gas is continuously supplied to the surface of the substrate W, the back surface of the substrate W is cleaned by the cleaning
따라서, 노광처리시에 기판(W) 이면의 요철에 기인하는 디포커스가 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)의 표면에 형성된 레지스트막에 액체가 부착되는 것이 방지되어, 레지스트막의 상태를 정상으로 유지할 수 있다. 이것들에 의해, 기판(W)의 처리 불량의 발생을 확실히 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to reliably prevent occurrence of defocus due to irregularities on the back surface of the substrate W during the exposure process. In addition, liquid is prevented from adhering to the resist film formed on the surface of the substrate W, so that the state of the resist film can be kept normal. By these, generation | occurrence | production of the processing defect of the board | substrate W can be prevented reliably.
또한, 이면세정처리유닛(BC)에서는, 기판(W)을 지지하는 스핀척(600)이 기판(W)의 위쪽에 위치한다. 그 때문에, 기판(W)의 이면을 아래쪽으로 향한 채 세정브러시(630)에 의해 기판(W)의 이면의 전역을 세정하는 것이 가능하다. 따라서, 기판(W)의 이면이 위쪽으로 향하는 경우와 달리, 기판(W)의 이면에 공급된 액체가 중력에 의해 기판(W)의 표면측으로 유입되는 경우가 없다. 그 결과, 기판(W)의 표면에 액체가 부착되는 것을 더 확실히 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)을 반전시키기 위한 반전기구를 설치할 필요가 없으므로, 기판처리장치(500)의 대형화 및 고비용화를 억제할 수 있다. In the back cleaning unit BC, the
또한, 이면세정처리유닛(BC)에서는, 스핀모터(200)의 회전축(210) 안 및 플레이트 지지부재(510)의 내부에, 유체공급관(400)의 스테인레스제의 가이드관(410)이 삽입 통과되어 있다. 가이드관(410)은 회전축(210)의 내주면과의 사이에 갭(GA)이 형성되도록 스핀모터(200)를 지지하는 모터지지부재(200s)에 지지되어 있다. 스테인레스제의 가이드관(410)은 높은 강성을 가지므로, 회전축(210)이 회전하는 경우에서도, 가이드관(410)과 회전축(210)의 내주면 사이의 갭(GA)이 일정하게 유지된다. 그것에 의해, 가이드관(410)이 회전축(210)에 접촉하는 것이 확실히 방지된다.In the back cleaning unit BC, a
또한, 가이드관(410)이 스핀모터(200)에 지지되어 있으므로, 스핀모터(200)가 진동한 경우라도, 회전축(210)과 가이드관(410)의 위치 관계가 유지된다. 그것에 의해, 가이드관(410)이 회전축(210)에 접촉하는 것이 더 확실히 방지된다.In addition, since the
또한, 수지제의 기체공급관(420)은 가요성을 가지므로, 가이드관(410) 안에 용이하게 삽입할 수 있다.In addition, since the resin
또한, 기체공급관(420)이 삽입된 가이드관(410)을 스핀모터(200)에 장착함으로써 유체공급관(400)을 용이하게 이면세정처리유닛(BC)에 조립할 수 있다.In addition, by mounting the
구체적으로는, 스핀모터(200)가 모터지지부재(200s)에 의해 지지되어, 가이드관(410)의 제1 플랜지(FRl)가 모터지지부재(200s)에 고정된다. 그것에 의해, 가이드관(410)이 제1 플랜지(FRl) 및 모터지지부재(200s)를 통하여 스핀모터(200)에 확실히 고정된다. 또한, 가이드관(410)의 제1 플랜지(FR1)을 모터지지부재(200s)에 장착함으로써, 유체공급관(400)을 스핀모터(200)에 용이하게 고정할 수 있다. 따라서, 이면세정처리유닛(BC)의 제조가 더 용이하게 된다.Specifically, the
(7) 변형예(7) Modifications
(7-1) (7-1)
상기 실시형태에서는, 유체공급관(400)의 가이드관(410)이 스테인레스강에 의해 형성되는 취지를 설명하였지만, 가이드관(410)을 형성하는 재료로서는, 스테인레스강 이외, 철, 구리, 청동, 황동, 알루미늄, 은 또는 금 등의 강인한 금속재료를 사용할 수 있다.In the above embodiment, the
또한, 기체공급관(420)이 불소수지에 의해 형성되는 취지를 설명하였지만, 기체공급관(420)을 형성하는 재료로서는, 불소수지 이외 PVC(폴리염화비닐), PPS(폴리페닐렌설파이드), PTFE(폴리데트라플루오로에틸렌) 또는 PFA(데트라플루오로에틸렌· 퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 등의 플렉시블(flexible)성을 갖는 수지재료를 사용할 수도 있다.In addition, although the explanation has been made that the
(7-2) (7-2)
이면세정처리유닛(BC)에서, 차단판(525)을 설치하지 않고, 스핀 플레이트(520)와 기판(W)을 근접시켜 그 사이의 공간에 N2가스를 공급해도 좋다.In the back surface washing processing unit BC, the
(7-3) (7-3)
이면세정처리유닛(BC), 도포유닛(BARC, RES), 현상처리유닛(DEV), 가열유닛(HP), 냉각유닛(CP) 및 재치겸냉각유닛(P-CP)의 개수는 각 처리블록의 처리속도에 맞춰 적당히 변경해도 좋다.The number of the back cleaning unit BC, the coating unit BARC, RES, the developing unit DEV, the heating unit HP, the cooling unit CP, and the mounting and cooling unit (P-CP) is the number of each processing block. It may be appropriately changed in accordance with the processing speed.
(7-4) (7-4)
또한, 상기 실시형태에서는, 이면세정처리유닛(BC)이 인터페이스 블록(15) 안에 배치되지만, 이면세정처리유닛(BC)이 도 1에 나타내는 현상처리블록(12) 안에 배치되어도 좋다. 혹은 이면세정처리유닛(BC)을 포함하는 이면세정처리블록을 도 1에 나타내는 현상처리블록(12)과 인터페이스 블록(15) 사이에 설치해도 좋다.In addition, in the said embodiment, although the back washing process unit BC is arrange | positioned in the
(8) 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소의 대응(8) Correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소의 대응 예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 아래의 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, although the corresponding example of each component of an claim and each element of embodiment is demonstrated, this invention is not limited to the following example.
상기 실시형태에서는, 이면세정처리유닛(BC)이 기판세정장치의 예이고, 스핀척(600)이 기판회전지지장치의 예이고, 유체공급관(400)이 기체공급부의 예이고, 이면세정브러시(630)가 세정구의 예이고, 세정노즐(633)이 세정액공급부의 예이고, 스핀 플레이트(520)가 회전부재의 예이고, 스핀모터(200) 및 회전축(210)이 회전구동기구의 예이고, 지지부(615c)가 지지부재의 예이고, 가이드관(410)이 외관의 예이고, 기체공급관(420)이 내관의 예이고, 모터지지부재(200s)가 지지부재의 예이며, 제1 플랜지(FR1)가 플랜지부의 예이다.In the above embodiment, the back cleaning unit BC is an example of the substrate cleaning apparatus, the
또한, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11) 및 현상처리블록(12)이 처리부의 예이고, 인터페이스 블록(15)이 주고받기부의 예이며, 도포유닛(RES)이 감광성막 형성 유닛의 예이다.In addition, the
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 이외의 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.As each component of a claim, you may use various elements other than having the structure or function which were described in a claim.
Claims (6)
기판을 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와,
상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 상면에 기체를 공급하는 기체공급부와,
상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면을 세정하기 위한 세정구와,
상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 하면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고,
상기 기판회전지지장치는
연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,
상기 회전부재의 상측에 설치되어, 상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,
상기 회전부재의 하측에 설치되어, 상기 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주 단부(端部)에 당접(當接)함으로써 기판을 지지하는 지지부재를 포함하고,
상기 회전구동기구는 연직방향으로 뻗는 중공의 회전축을 갖고,
상기 회전부재는 중앙부에 개구를 가짐과 아울러 상기 회전축과 일체적으로 회전하도록 상기 회전축에 장착되고,
상기 기체공급부는,
상기 회전구동기구의 상기 회전축 내 및 상기 회전부재의 상기 개구에 삽입 통과되어, 상기 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈을 형성하도록 상기 회전구동기구에 지지된 금속제의 외관과,
상기 외관 내에 삽입됨과 아울러 기판의 상기 상면에 대향하는 단부에 토출구를 갖고, 상기 토출구로부터 기판에 기체를 공급하는 수지제의 내관을 포함하며,
상기 기판회전지지장치에 의해 회전되는 기판의 상면에 기체공급부에 의해 기체가 공급되면서 상기 회전되는 기판의 하면에 세정액공급부에 의해 세정액이 공급되는 기판세정장치.A substrate cleaning device for cleaning a lower surface of a substrate,
A substrate rotation support device which rotates while supporting the substrate horizontally;
A gas supply unit supplying gas to an upper surface of the substrate supported by the substrate rotation support device;
A cleaning tool for cleaning the lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support device;
A cleaning solution supply unit for supplying a cleaning solution to a lower surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus;
The substrate rotation support device
A rotating member rotatably installed around a rotation axis along the vertical direction,
A rotary drive mechanism installed above the rotating member to rotate the rotating member;
A support member provided below the rotating member and supporting the substrate by abutting against an outer peripheral end portion of the substrate disposed below the rotating member,
The rotary drive mechanism has a hollow rotating shaft extending in the vertical direction,
The rotating member has an opening in the center and is mounted to the rotating shaft to rotate integrally with the rotating shaft,
The gas supply unit,
An outer appearance of a metal supported by the rotary drive mechanism to be inserted into the rotary shaft of the rotary drive mechanism and the opening of the rotary member to form a predetermined gap between the inner circumferential surface of the rotary shaft;
A resin inner tube inserted into the outer surface and having a discharge port at an end portion opposite to the upper surface of the substrate, for supplying gas to the substrate from the discharge port;
And a cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotated substrate while the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the substrate rotated by the substrate rotation support device.
상기 회전축이 연직방향으로 뻗도록 상기 회전구동기구를 지지하는 지지부
재를 더 구비하고,
상기 외관은 플랜지부를 갖고, 상기 플랜지부가 상기 지지부재에 고정된 것을 특징으로 하는 기판세정장치.The method of claim 1,
Support portion for supporting the rotation drive mechanism such that the rotation axis extends in the vertical direction
With more ash,
The appearance has a flange portion, the substrate cleaning apparatus, characterized in that the flange portion is fixed to the support member.
기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,
상기 처리부와 상기 노광장치 사이에서 기판의 주고 받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고,
상기 처리부는 기판의 상기 표면에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막형성유닛을 포함하고,
상기 처리부 및 상기 주고받기부 중 적어도 한 쪽은,
상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 상기 이면을 세정하는 기판세정장치를 포함하고,
상기 기판세정장치는,
상기 표면을 위쪽으로 향하여 기판을 수평으로 지지하면서 회전시키는 기판회전지지장치와,
상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 표면에 기체를 공급하는 기체공급부와,
상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 이면을 세정하기 위한 세정구와,
상기 기판회전지지장치에 의해 지지되는 기판의 상기 이면에 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하고,
상기 기판회전지지장치는,
연직방향을 따르는 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,
상기 회전부재의 상측에 설치되어, 상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,
상기 회전부재의 하측에 설치되어, 상기 회전부재의 하측에 배치되는 기판의 외주 단부에 당접함으로써 기판을 지지하는 지지부재를 포함하고,
상기 회전구동기구는 연직방향으로 뻗는 중공의 회전축을 갖고,
상기 회전부재는 중앙부에 개구를 가짐과 아울러 상기 회전축과 일체적으로 회전하도록 상기 회전축에 장착되고,
상기 기체공급부는,
상기 회전구동기구의 상기 회전축 내 및 상기 회전부재의 상기 개구에 삽입 통과되어, 상기 회전축의 내주면 사이에 일정한 틈을 형성하도록 상기 회전구동기구에 지지된 금속제의 외관과,
상기 외관 내에 삽입됨과 아울러 기판의 상기 표면에 대향하는 단부에 토출구를 갖고, 상기 토출구로부터 기판에 기체를 공급하는 수지제의 내관을 포함하며,
상기 기판회전지지장치에 의해 회전되는 기판의 상면에 기체공급부에 의해 기체가 공급되면서 상기 회전되는 기판의 하면에 세정액공급부에 의해 세정액이 공급되는 기판처리장치.A substrate processing apparatus arranged to be adjacent to an exposure apparatus and performing a process on a substrate having a surface and a back surface, the substrate processing apparatus comprising:
A processing unit for processing the substrate,
A exchange part for exchanging a substrate between the processor and the exposure apparatus;
The processing portion includes a photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film made of a photosensitive material on the surface of the substrate,
At least one of the processing unit and the exchange unit,
A substrate cleaning device for cleaning the back surface of the substrate before the exposure treatment by the exposure apparatus;
The substrate cleaning device,
A substrate rotation support device which rotates while supporting the substrate horizontally with the surface upward;
A gas supply unit supplying gas to a surface of the substrate supported by the substrate rotation support device;
A cleaning tool for cleaning the back surface of the substrate supported by the substrate rotation support apparatus;
A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the rear surface of the substrate supported by the substrate rotation support device;
The substrate rotation support device,
A rotating member rotatably installed around a rotation axis along the vertical direction,
A rotary drive mechanism installed above the rotating member to rotate the rotating member;
A support member provided below the rotating member and supporting the substrate by abutting against an outer peripheral end of the substrate disposed below the rotating member,
The rotary drive mechanism has a hollow rotating shaft extending in the vertical direction,
The rotating member has an opening in the center and is mounted to the rotating shaft to rotate integrally with the rotating shaft,
The gas supply unit,
An outer appearance of a metal supported by the rotary drive mechanism to be inserted into the rotary shaft of the rotary drive mechanism and the opening of the rotary member to form a predetermined gap between the inner circumferential surface of the rotary shaft;
A resin inner tube inserted into the outer surface and having an ejection opening at an end portion opposite to the surface of the substrate, for supplying gas to the substrate from the ejection opening;
And a cleaning liquid is supplied to the lower surface of the rotated substrate by the cleaning liquid supply unit while the gas is supplied to the upper surface of the substrate rotated by the substrate rotation support device.
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