KR20060077575A - 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060077575A KR20060077575A KR1020040116478A KR20040116478A KR20060077575A KR 20060077575 A KR20060077575 A KR 20060077575A KR 1020040116478 A KR1020040116478 A KR 1020040116478A KR 20040116478 A KR20040116478 A KR 20040116478A KR 20060077575 A KR20060077575 A KR 20060077575A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- image sensor
- micro lens
- protective film
- layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title abstract description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title abstract description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
본 발명은 보호막을 이용한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 패드 오픈공정을 마이크로 렌즈 형성과 동시에 구현하는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서는 옥사이드 층(oxide layer) 위 부분에 증착되고, 희생 마이크로 렌즈가 형성된 후 전면식각되는 보호막용 질화막; 상기 보호막용 질화막 위에 형성된 희생 마이크로 렌즈막; 및 상기 희생 마이크로 렌즈막으로부터 형성되고, 전면식각되는 희생 마이크로 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.
보호막, 패드 오픈, 마이크로 렌즈
Description
도 1은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다.
도 2는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다.
도 3은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다.
도 4는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타낸 것이다.
도 5는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타낸 것이다.
도 6은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제6공정을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다.
도 9은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 CMOS 이미지 센서 및 제4공정을 나타낸 것이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
200 : 포토다이오드 210 : 제1금속층
220 : 제1금속간 절연층 230 : 제2금속층
240 : 제2금속간 절연층 250 : 상부 금속층
260 : 옥사이드 층 270 : 보호막용 질화막
본 발명은 보호막을 이용한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 패드 오픈공정을 마이크로 렌즈 형성과 동시에 구현하는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 단위 화소영역과 패드부위의 주변영역을 동시에 나타내고 있다. 실리콘 기판에 선택적으로 붕소(boron)이온을 주입하여 p-well(50) 및 n-well을 형성하고, 트렌치 (60)소자 분리공정을 사용하여 필드 산화막을 형성한다. 이 후, 원하는 문턱전압을 형성하기 위한 소정두께의 게이트 산화막을 형성하고, 그 위에 게이트 전극으로 사용할 폴리 실리콘막(40)과 텅스텐 실리사이드막(80)을 형성하며, 선택적 식각공정으로 소자의 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 선택적 이온주입에 의해서 실리콘 기판에 n-이온주입영역(20)과 p-이온주입영역(10)을 형성하여 포토다이오드를 형성한다. 이어서, well 지역 내 트랜지스터의 소스 드레인을 LDD(Lightly Doped Drain) 구조로 만들기 위하여 저농도 소스/드레인 이온주입을 실시하고, 저압 화학증착(LPCVD) 방법을 이용하여 TEOS 산화막 또는 SiN을 증착한 후, 전면 식각하면 게이트 전극 측벽에 스페이서(70)를 형성한 다음, 고농도 소스/드레인 이온주입을 실시하여 N형(30) 및 P형 접합영역을 형성한다.
도 2는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 금속배선 절연막(pre-metal dielectric: 이하 PMD)으로 LPCVD 방법으로 TEOS 산화막을 1000Å 정도로 증착하고, 그 위에 상압 화학증착방법으로 PBSG를 증착한다. 이후, BPSG 막의 플로우 목적으로 열처리를 한다. 이후, PMD층(90)을 선택적으로 식각하여 소정의 접합영역과 게이트 전극이 노출되는 콘택홀(100)을 형성한 다음, 글루층인 티타늄(Ti, 110), 배선용 알루미늄(Al, 120) 비반사 티타늄타이트라이드(TiN, 130)을 각각 증착한 다음, 선택적 식각에 의해 제1금속배선을 형성한다. 여기서, 상기 콘택홀(100) 형성은 플라즈마 식각 공정으로 진행하여 형성한다.
도 3은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 화막증착(plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD) 방법을 이용하여 TEOS 산화막(150) 및 SOG(Spin On Glass) 산화막(140)을 코팅한 후에 열처리를 하고 평탄화 공정를 거친다. 이어서, 그 위에 PECVD 방법으로 산화막(160)을 증착하여 제1금속간 절연층(inter-metal dielectric: 이하 PMD, 90)을 형성한다.
도 4는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타낸 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 선택적으로 제1IMD층을 식각하여 비아홀(VIA hole)을 형성하고, 글루층인 티타늄(Ti), 배선용 알루미늄(Al) 비반사 티타늄 나이트라이드(TiN)을 적층한 후 플라즈마 식각 공정을 통하여 제2금속배선을 형성한다. 이어서, 제1IMD층 형성방법과 동일하게 TEOS 산화막(150), SOG 산화막(140) 및 산화막(160)을 형성하여 제2IMD층을 형성한다. 상기 설명한 과정과 같은 프로세스(process)를 반복하여 필 요한 금속배선층의 적층 수를 만들게 된다.
도 5는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타낸 것이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 최상층의 금속배선을 형성한 후에는 소자보호막으로서 PECVD 방법으로, 8000A의 산화막을 증착하고 주변영역의 패드부위 금속을 드러내어 전극단자로 사용하기 위한 패드오픈공정을 실시한다. 즉, 소자보호막용 산화막 및 TiN 막을 식각하여 패드오픈부를 형성한다.
도 6은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제6공정을 나타낸 것이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 컬러필터(170) 어레이(color filter array)를 형성하고, 평탄화 층인 PL층(180)을 형성한다. 그 위에 마이크로 렌즈(micro lens, 190)를 형성한다.
그러나, 종래에는 상기 보호막용 질화막을 형성한 후, 컬러필터 어레이와 마이크로 렌즈를 형성하여 전체적으로 단차가 매우 높아 이미지 구현에 어려움이 많은 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 패드 오픈공정을 마이크로 렌즈 형성과 동시에 구현하여 종래의 단차가 높아 생기는 이미지 구현의 문제점을 개선시키는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 보호막을 이용한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 패드 오픈공정을 마이크로 렌즈 형성과 동시에 구현하는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서는 옥사이드 층(oxide layer) 위 부분에 증착되고, 희생 마이크로 렌즈가 형성된 후 전면식각되는 보호막용 질화막; 상기 보호막용 질화막 위에 형성된 희생 마이크로 렌즈막; 및 상기 희생 마이크로 렌즈막으로부터 형성되고, 전면식각되는 희생 마이크로 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서 제조방법은 옥사이드 층 위 부분에 보호막용 질화막을 증착하는 제1공정; 상기 보호막용 질화막 위에 희생 마이크로 렌즈막을 형성하는 제2공정; 상기 희생 마이크로 렌즈막으로부터 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 제3공정; 및 상기 질화막을 전면식각하는 제4공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시에 대한 구성 및 그 작용을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타낸 것이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 하부에 포토다이오드(200)가 형성되어 있고, 포토다이오드(200) 상부에는 층간절연막이 형성되어 있다. 층간 절연막 상부에는 제1금속층(210)이 형성되어 있고, 제1금속층(210)은 포토다이오드(200)와 전극을 통하여 연결되어 있다. 제1금속층(210) 상부에는 제1금속간 절연층(220)이 형성되어 있고, 제1금속간 절연층(220) 상부에는 제2금속층(230)이 형성되어 있다. 제2금속층(230) 상부에는 제2금속간 절연층(240)이 형성되어 있으며, 제2금속간 절연층(240) 상부에는 상부 금속층(250)이 형성되어 있다. 상부 금속층(250) 상부에는 패드 오픈된 옥사이드 층(260)이 형성되어 있다. 먼저, 옥사이드 층(260) 상부에 보호막용 질화막(270)을 증착한다. 옥사이드 층(260)과 보호막용 질화막(270)에 패드가 오픈된 부분이 있음을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타낸 것이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 보호막용 질화막(270) 위에 희생 마이크로 렌즈막(280)을 형성한다. 패드가 오픈된 부분까지 희생 마이크로 렌즈막(280)이 형성됨을 알 수 있다.
도 9은 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타낸 것이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 희생 마이크로 렌즈막(280)으로부터 희생 마이크로 렌즈(290)를 형성한다. 도 8에서 패드가 오픈된 부분까지 희생 마이크로 렌즈막(280)을 형성하였는데, 도 7과 같은 상태로 다시 패드가 오픈된 부분이 있음을 알 수 있다.
도 10은 본 발명의 CMOS 이미지 센서 및 제4공정을 나타낸 것이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 보호막용 질화막(270)을 전면식각하여 희생 마이크로 렌즈(290)와 동일한 형태를 형성하는 동시에 패드 상부의 질화막(270)을 노출시켜 패드를 오픈한다. 전면식각으로 인하여 희생 마이크로 렌즈(290)는 모두 제거된다. 여기서, 보호막용 질화막(270)과 희생 마이크로 렌즈(290)의 건식식각비를 1:1로 유지하도록 하며, 희생 마이크로 렌즈막(280)은 화소 어레이에서만 형성되도록 하여 마이크로 렌즈(300) 형성시에 질화막(270)의 패드가 자동으로 오픈되게 한다.
상기 공정을 통하여 제조된 본 발명의 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서는 다음을 포함하여 구성된다. 보호막용 질화막(270)이 옥사이드 층(260) 위 부분에 증착되고, 희생 마이크로 렌즈(290)가 형성된 후 전면식각된다. 희생 마이크로 렌즈막(280)은 상기 보호막용 질화막(270) 위에 형성되고, 희생 마이크로 렌즈(290)는 상기 희생 마이크로 렌즈막(280)으로부터 형성된다.
상기와 같이 본 발명은 패드 오픈공정을 마이크로 렌즈 형성과 동시에 구현하는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법으로서 종래의 보호막용 질화막을 형성한 후에 CFA와 마이크로 렌즈를 형성하여 전체적인 단차가 매우 높아 이미지 구현에 어려움이 많았던 문제점을 해결한 특징이 있다.
이상에서 설명한 내용을 통해 본 업에 종사하는 당업자라면 본 발명의 기술사상을 이탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용만으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.
이상에서와 같이 본 발명에 의한 보호막을 이용한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법은 패드 오픈공정을 마이크로 렌즈 형성과 동시에 구현하여 종래의 단차가 높아 생기는 이미지 구현의 문제점을 개선시킬 수 있다.
Claims (4)
- 옥사이드 층(oxide layer) 위 부분에 증착되고, 희생 마이크로 렌즈가 형성된 후 전면식각되는 보호막용 질화막;상기 보호막용 질화막 위에 형성된 희생 마이크로 렌즈막; 및상기 마이크로 렌즈막으로부터 형성되고, 전면식각되는 희생 마이크로 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서.
- 옥사이드 층 위 부분에 보호막용 질화막을 증착하는 제1공정;상기 보호막용 질화막 위에 희생 마이크로 렌즈막을 형성하는 제2공정;상기 희생 마이크로 렌즈막으로부터 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 제3공정; 및상기 질화막을 전면식각하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 보호막용 질화막과 희생 마이크로 렌즈의 건식식각비는 1:1로 하는 것을 특징으로 하는 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 희생 마이크로 렌즈막은 화소 어레이에서만 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 보호막을 이용한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040116478A KR100640958B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US11/319,597 US20060148122A1 (en) | 2004-12-30 | 2005-12-29 | CMOS image sensor and method for manufacturing the same |
CNB2005100971177A CN100416846C (zh) | 2004-12-30 | 2005-12-30 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
CN2008101335721A CN101320746B (zh) | 2004-12-30 | 2005-12-30 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040116478A KR100640958B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060077575A true KR20060077575A (ko) | 2006-07-05 |
KR100640958B1 KR100640958B1 (ko) | 2006-11-02 |
Family
ID=36641010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040116478A KR100640958B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060148122A1 (ko) |
KR (1) | KR100640958B1 (ko) |
CN (2) | CN101320746B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100857999B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-09-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100920541B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2009-10-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197320B (zh) * | 2006-12-05 | 2010-05-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Cmos图像传感器和cmos图像传感器的制造方法 |
KR100806781B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
US7755120B2 (en) * | 2007-01-22 | 2010-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101038851B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-06-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP2011023409A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
CN104865619B (zh) | 2015-06-05 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种防反射膜、其制作方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4793897A (en) * | 1987-03-20 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Selective thin film etch process |
EP0576144B1 (en) * | 1992-05-22 | 1998-08-05 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensor and manufacturing method thereof |
JP2950714B2 (ja) * | 1993-09-28 | 1999-09-20 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US5929962A (en) * | 1998-02-03 | 1999-07-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for integrating microlens array into a liquid crystal display device using a sacrificial substrate |
NL1011381C2 (nl) * | 1998-02-28 | 2000-02-15 | Hyundai Electronics Ind | Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
US5853960A (en) * | 1998-03-18 | 1998-12-29 | Trw Inc. | Method for producing a micro optical semiconductor lens |
US6069087A (en) * | 1998-08-25 | 2000-05-30 | Micron Technology, Inc. | Highly selective dry etching process |
US6137634A (en) * | 1999-02-01 | 2000-10-24 | Intel Corporation | Microlens array |
US20020003126A1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-01-10 | Ajay Kumar | Method of etching silicon nitride |
US6221687B1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-04-24 | Tower Semiconductor Ltd. | Color image sensor with embedded microlens array |
KR100533166B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2005-12-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법 |
JP3759435B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
JP3789365B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2006-06-21 | シャープ株式会社 | 層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法 |
US6869542B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-03-22 | International Business Machines Corporation | Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials |
US20040223071A1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-11-11 | David Wells | Multiple microlens system for image sensors or display units |
US7443005B2 (en) * | 2004-06-10 | 2008-10-28 | Tiawan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lens structures suitable for use in image sensors and method for making the same |
KR101106336B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2012-01-18 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | 신호대잡음비를 개선할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
KR100606936B1 (ko) * | 2004-10-18 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
KR100606919B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 컬러필터 물질을 채우기 위한 씨모스 이미지 센서 및 그제조방법 |
KR100649012B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 색재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100606922B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US7449357B2 (en) * | 2005-04-06 | 2008-11-11 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Method for fabricating image sensor using wafer back grinding |
KR100664790B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
JP2007081401A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Magnachip Semiconductor Ltd | 光干渉を減少させたイメージセンサ |
KR20080015643A (ko) * | 2006-08-16 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 내부 렌즈들을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100788375B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040116478A patent/KR100640958B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-29 US US11/319,597 patent/US20060148122A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-30 CN CN2008101335721A patent/CN101320746B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-30 CN CNB2005100971177A patent/CN100416846C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100857999B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-09-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100920541B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2009-10-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100416846C (zh) | 2008-09-03 |
US20060148122A1 (en) | 2006-07-06 |
CN101320746B (zh) | 2010-06-09 |
KR100640958B1 (ko) | 2006-11-02 |
CN101320746A (zh) | 2008-12-10 |
CN1822374A (zh) | 2006-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10062728B2 (en) | Image sensor device and method | |
JP5731024B2 (ja) | 背面照射型イメージセンサ及びその製造方法 | |
US7745862B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
JP2011129935A (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
US7582504B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
US20060148122A1 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
US9356060B2 (en) | Image sensor device and method | |
KR100606919B1 (ko) | 컬러필터 물질을 채우기 위한 씨모스 이미지 센서 및 그제조방법 | |
TWI541988B (zh) | 半導體元件及其製法 | |
KR100628236B1 (ko) | 웨이퍼 뒷면을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100628229B1 (ko) | 광감도 향상 및 고집적화를 위한 씨모스 이미지 센서 및그 제조방법 | |
KR100538068B1 (ko) | 광감도 개선을 위한 씨모스 이미지센서 제조방법 | |
KR20090022329A (ko) | 이미지 센서의 금속배선 형성방법 | |
KR100628228B1 (ko) | 색 재현성 향상을 위한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
US7829367B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
KR20060077526A (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
KR20080011550A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110920 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |