KR20060074538A - 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템 - Google Patents

반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20060074538A
KR20060074538A KR1020040113294A KR20040113294A KR20060074538A KR 20060074538 A KR20060074538 A KR 20060074538A KR 1020040113294 A KR1020040113294 A KR 1020040113294A KR 20040113294 A KR20040113294 A KR 20040113294A KR 20060074538 A KR20060074538 A KR 20060074538A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
developer
alarm
wafer
supply pipe
leak detection
Prior art date
Application number
KR1020040113294A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100607735B1 (ko
Inventor
김욱현
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040113294A priority Critical patent/KR100607735B1/ko
Publication of KR20060074538A publication Critical patent/KR20060074538A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100607735B1 publication Critical patent/KR100607735B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G03F7/3028—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck characterised by means for on-wafer monitoring of the processing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템에 관한 것으로, 현상액 분사 노즐이 종단에 구비된 현상액 공급관을 대기 위치에서 웨이퍼가 안착된 현상액 분사 위치로 이동시켜 웨이퍼로 현상액을 분사하는 반도체 현상 장치로서, 현상액 분사 노즐이 형성된 부위에서 현상액 공급관과 연결 장착되어 현상액 분사 노즐에서 분사되는 현상액의 누출을 감지하는 누액 감지 센싱 수단과, 누액 감지 센싱 수단의 센싱 신호에 대응하여 외부로 경보 메시지를 송출하는 경보 발생 수단과, 현상 공정의 정해진 래서피를 벗어난 과정에서 누액 감지 센싱 수단으로부터 센싱 신호가 인가되면 경보 발생 제어 신호를 경보 발생 수단으로 제공하여 경보 메시지를 외부로 송출케 하는 제어 수단을 포함한다. 본 발명에 의하면, 모든 웨이퍼에 대해서 현상액 분사 노즐의 불량을 실시간을 감시할 수 있기 때문에, 문제가 발생한 웨이퍼가 이온주입 공정이나 식각 공정 등의 후속 공정으로 진행되는 것을 사전에 차단하여 반도체 수율을 높이는 효과가 있다.
현상액 분사 노즐, 스핀 척

Description

반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템{SYSTEM FOR DETECTING DEVELOPER LEAKAGE IN SEMICONDUCTOR DEVELOP UNIT}
도 1은 전형적인 반도체 현상 장치의 평면도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템의 구성도,
도 3은 도 2의 시스템에서 수행되는 현상액 누출 감지 및 경보 발생 과정의 흐름도.
본 발명은 반도체 현상 장치에 관한 것으로, 특히 현상 공정 레서피(recipe)를 벗어나는 구간에서 현상액의 누출을 감지하는데 적합한 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템에 관한 것이다.
도 1은 전형적인 반도체 현상 장치의 평면도를 나타낸 것으로, 웨이퍼(W)가 안착되는 스테이지(10)와, 현상액이 공급되는 현상액 공급관(12)과, 현상액 공급관(12)을 통해 현상액이 분사되는 현상액 분사 노즐(14)과, 현상액 공급관(12)을 웨이퍼(W)상 또는 대기위치로 이동시키는 액츄에이터(16)를 구비한다.
이러한 구성으로 진행되는 개략적인 현상 과정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 노광 및 소프트-베이크(soft-bake)가 완료된 웨이퍼(W)가 현상 장치의 스핀 척(spin chuck)(도시 생략) 상에 형성된 스테이지(10)에 안착되면, 현상액 공급관(12)이 액츄에이터(16)의 구동에 의해 대기 위치에서 현상액 분사 위치로 이동하게 된다.
현상액 공급관(12)이 현상액 분사 위치, 즉 웨이퍼(W) 상단 중앙에 배치되면, 현상 공정의 레서피에 의거하여 정해진 단계 및 정해진 시간 동안 현상액 공급관(12) 및 현상액 분사 노즐(14)을 통해 현상액을 웨이퍼(W) 표면에 분사하게 된다.
현상액 분사가 완료되면, 현상액이 일정시간 동안 그대로 웨이퍼 표면에 존재하게 된다. 이것을 자동-댐핑(auto-damping) 과정이라 칭한다.
이 과정이 완료되면, 탈이온수(DIW) 린스 과정 및 드라이 과정을 거치면서 현상 공정이 완료된다.
이때, 현상액 분사 노즐(14)의 「suck-back」이 불량하다면 현상액 공급관(12)이 "대기 위치에서 현상액 분사 위치로 이동하는 과정"에서 현상액이 웨이퍼 위로 분사될 수 있다.
이렇게 되면, 웨이퍼의 현상액이 닿은 부분들은 현상이 시작되고, 정상적으로 현상이 되는 영역과는 다른 CD(Critical Dimension)를 갖게 된다. 즉, 현상액 분사 노즐(14)의「suck-back」불량으로 인해 현상액이 분사된 부분은 과도하게 현상이 되는 결과를 낳게 되어 정상적인 영역과는 CD 차이가 발생하게 되는 것이다.
이것은 결국 웨이퍼 내에서 CD 균일도 차이를 발생시키는데, 만일 이렇게 CD 균일도가 불량한 웨이퍼가 후속 공정인 이온주입 공정이나 식각 공정을 거치게 되면 반도체 수율이 심각하게 떨어지게 된다.
물론, 패턴이 완료된 후에는 SEM으로 패턴 CD를 측정하게 되지만, 웨이퍼가 여러 장(24∼25장)으로 이루어진 1슬롯 내에서 1∼3장을 샘플링하여 CD를 측정하기 때문에, 샘플링된 웨이퍼가 아닌 다른 웨이퍼를 현상 중에 「suck-back」불량이 발생하여 현상액이 웨이퍼로 잘못 뿌려지는 경우에는 이를 확인할 수 있는 방도가 없게 된다.
즉, 모든 웨이퍼에 대해서 CD 측정을 실시하는 것이 현실적으로 불가능하기 때문에, 현상 과정에서 미리 웨이퍼의 불량을 감시, 즉 정해진 레서피를 벗어난 과정에서 현상액이 웨이퍼 상에 분사되는 경우를 감시하여 불량 웨이퍼를 사전에 선별할 수 있는 기술적 방안이 요구되는 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술에서 요구되는 사항을 충족하기 위해 구현한 것으로, 현상액 분사 노즐이 마련되는 현상액 공급관의 끝단에 누액 감지 센서를 장착하고 현상액 공급관이 웨이퍼 중심으로 이동하는 동안에 누액이 감지되는 경우, 운영자에게 자동 경보를 발생케 한 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 현상액 분사 노즐이 종단에 구비된 현상액 공급관을 대기 위치에서 웨이퍼가 안착된 현상 액 분사 위치로 이동시켜 상기 웨이퍼로 현상액을 분사하는 반도체 현상 장치로서, 상기 현상액 분사 노즐이 형성된 부위에서 상기 현상액 공급관과 연결 장착되어 상기 현상액 분사 노즐에서 분사되는 현상액의 누출을 감지하는 누액 감지 센싱 수단과, 상기 누액 감지 센싱 수단의 센싱 신호에 대응하여 외부로 경보 메시지를 송출하는 경보 발생 수단과, 현상 공정의 정해진 래서피를 벗어난 과정에서 상기 누액 감지 센싱 수단으로부터 센싱 신호가 인가되면 경보 발생 제어 신호를 상기 경보 발생 수단으로 제공하여 경보 메시지를 외부로 송출케 하는 제어 수단을 포함하는 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템에 관한 구성도로서, 현상액 공급관(12) 끝단의 현상액 분사 노즐(14) 형성 부위에 장착된 누액 감지 센서(18)와, 누액 감지 센서(18)의 센싱 동작을 모니터링하는 시스템 제어부(20)와, 시스템 제어부(20)의 제어 신호에 의거하여 경고 동작(문자 메시지 또는 경보음)을 수행하는 경보 발생부(22)를 포함한다.
도시한 바와 같이, 현상액 공급관(12)은 도시 생략된 현상액 공급부로부터 제공되는 현상액을 릴레이하여 웨이퍼(W)로 분사시키기 위한 수단으로서, 금속재질로 된 현상액 공급관 보호관(12')에 의해 보호된다. 이러한 현상액 공급관(12)은 액츄에이터(16)에 의해 구동되어 도 1에 도시한 바와 같이 대기 위치에서 현상액 분사 위치로, 또는 그 반대의 방향으로 이동된다.
보다 상세히 설명하면, 웨이퍼(W)가 스테이지(10)에 안착되면 정해진 레서피에 따라 시스템 제어부(20)에서 액츄에이터(16)로 구동 제어 신호가 제공되고, 시스템 제어부(20)로부터의 구동 제어 신호에 따라 액츄에이터(16)가 액티베이트(activate) 상태로 전환되어 현상액 공급관(12)을 대기 위치에서 현상액 분사 위치로 이동시킨다.
본 실시예에 따른 누액 감지 센서(18)는 현상액 분사 노즐(14)이 형성된 부위, 보다 구체적으로는 현상액 분사 노즐(14)을 감싸는 형태로 현상액 공급관(12)과 연결 장착되어 현상액 분사 노즐(14)에서 분사되는 현상액의 누출을 감지한다. 이러한 누액 감지 센서(18)는, 예를 들면 수/발광 소자 등으로 구성될 수 있으며, 이러한 구성은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 구현할 수 있는 바, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
시스템 제어부(20)는 액츄에이터(16) 등을 구동시킴과 함께, 반도체 현상 장치의 전반적인 레서피에 관여한다. 본 실시예에서 시스템 제어부(20)는 정해진 레서피를 벗어난 과정, 즉 현상액이 웨이퍼(W)에 분사되는 과정이 아닌 현상액 공급관이 웨이퍼 중심으로 이동하는 과정에서 누액 감지 센서(18)로부터 센싱 신호가 인가될 경우에, 현상액 분사 노즐(14) 불량에 따른 시스템 에러로 판단하여 그에 따른 신호 처리, 예를 들면 경보 발생 제어를 수행한다.
경보 발생부(22)는 이러한 시스템 제어부(20)의 경보 발생 제어에 따라 외부 로 경보 알람을 발생한다. 이러한 경보 알람으로는, 운영자의 작업 화면에 해당 웨이퍼의 현상 공정 에러를 알리는 문구를 디스플레이하거나, 운영자에게 청각적으로 경보 상황을 환기시키기 위한 경보음을 출력할 수 있다.
이하, 상술한 구성과 함께, 본 발명에 따른 시스템 제어부(20)에서 수행되는 현상액 누출 감지 및 경보 과정을 첨부한 도 3의 흐름도를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 단계(S300)에서 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척 상에 형성된 스테이지(10)에 안착되면, 시스템 제어부(20)는 단계(S302)로 진행하여 현재 상황이 정해진 현상 공정 레서피에 해당되는지, 보다 구체적으로는 현상액 공급관(12)이 현상액 분사 위치에 배치되지 아니하고, 대기 위치에서 웨이퍼 중앙으로 이동 중인지를 판단한다.
단계(S302)에서의 판단 결과, 현상액 공급관(12)이 웨이퍼 중앙으로 이동 중인 것으로 판단되면, 시스템 제어부(20)는 단계(S304)로 진행하여 누액 감지 센서(18)로부터 누액 감시 신호, 즉 현상액 분사 노즐(14)에서 현상액이 분사됨에 따른 현상액 누출 신호가 인가되는지를 판단한다.
단계(S304)에서의 판단 결과, 누액 감지 신호가 인가되면 시스템 제어부(20)는 단계(S306)로 진행하여 경보 발생부(22)로 경보 발생 제어 신호를 제공한다.
시스템 제어부(20)로부터의 경보 발생 제어 신호에 따라 경보 발생부(22)는 소정의 경보 메시지 또는 경보음을 외부로 송출할 수 있을 것이다.
이러한 과정을 통해 현상 공정을 진행 중인 모든 웨이퍼에 대해 현상액 분사 노즐의 불량에 의해 발생될 수 있는 웨이퍼 불량을 감시하고 미연에 조치를 취하도록 할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예를 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 누액 감지 센서로서 수/발광 소자뿐만 아니라 기구적인 용량 게이지를 적용하여 본 발명을 실시할 수 있는 것이 명백하다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 모든 웨이퍼에 대해서 현상액 분사 노즐의 불량을 실시간을 감시할 수 있기 때문에, 문제가 발생한 웨이퍼가 이온주입 공정이나 식각 공정 등의 후속 공정으로 진행되는 것을 사전에 차단하여 반도체 수율을 높이는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 현상액 분사 노즐이 종단에 구비된 현상액 공급관을 대기 위치에서 웨이퍼가 안착된 현상액 분사 위치로 이동시켜 상기 웨이퍼로 현상액을 분사하는 반도체 현상 장치로서,
    상기 현상액 분사 노즐이 형성된 부위에서 상기 현상액 공급관과 연결 장착되어 상기 현상액 분사 노즐에서 분사되는 현상액의 누출을 감지하는 누액 감지 센싱 수단과,
    상기 누액 감지 센싱 수단의 센싱 신호에 대응하여 외부로 경보 메시지를 송출하는 경보 발생 수단과,
    현상 공정의 정해진 래서피를 벗어난 과정에서 상기 누액 감지 센싱 수단으로부터 센싱 신호가 인가되면 경보 발생 제어 신호를 상기 경보 발생 수단으로 제공하여 경보 메시지를 외부로 송출케 하는 제어 수단
    을 포함하는 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 래서피를 벗어난 과정은 상기 현상액 공급관이 상기 대기 위치에서 상기 현상액 분사 위치로 이동 중인 과정인 것을 특징으로 하는 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 현상액 분사 위치는 상기 안착된 웨이퍼의 중심 위치인 것을 특징으로 하는 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템.
KR1020040113294A 2004-12-27 2004-12-27 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템 KR100607735B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040113294A KR100607735B1 (ko) 2004-12-27 2004-12-27 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040113294A KR100607735B1 (ko) 2004-12-27 2004-12-27 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060074538A true KR20060074538A (ko) 2006-07-03
KR100607735B1 KR100607735B1 (ko) 2006-08-01

Family

ID=37167285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040113294A KR100607735B1 (ko) 2004-12-27 2004-12-27 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100607735B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781457B1 (ko) * 2006-08-28 2007-12-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지시스템
EP4333036A1 (en) * 2022-09-05 2024-03-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61207018A (ja) 1985-03-11 1986-09-13 Nec Corp 現像装置
KR100790254B1 (ko) * 2002-12-16 2007-12-31 동부일렉트로닉스 주식회사 감광막 현상 장치
KR20060014897A (ko) * 2004-08-12 2006-02-16 삼성전자주식회사 현상 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781457B1 (ko) * 2006-08-28 2007-12-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지시스템
EP4333036A1 (en) * 2022-09-05 2024-03-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100607735B1 (ko) 2006-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7944363B2 (en) Apparatus and method of sensing leakage of chemical liquid
JP6553353B2 (ja) 基板処理方法及びその装置
KR100607735B1 (ko) 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템
KR20100048403A (ko) 유량 감지 장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 알람 제어 방법
JP4957820B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR100781457B1 (ko) 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지시스템
KR100942588B1 (ko) 기판에 작용하는 충격을 감지하기 위한 기판처리장치와 기판처리방법
TWI689970B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
KR20070063648A (ko) 웨이퍼 세정장치의 브러쉬 감지장치 및 이를 이용한 브러쉬감지방법
KR100979757B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100523613B1 (ko) 반도체 세정장치 및 세정방법
KR20060075925A (ko) 감광제 분사노즐의 후방흡입 관측장치 및 그 제어방법
JP2001155990A (ja) 液体供給装置及びそれを用いた基板処理装置
KR20220003469A (ko) 가스 유출을 감지하는 센서부를 포함하는 기판 처리 시스템
KR20040063301A (ko) 웨이퍼 이송장치용 웨이퍼 감지장치 및 웨이퍼 감지방법
KR20060075857A (ko) 초순수 세정베스내 피스톤 구동 모니터링 장치 및 그 방법
KR100979758B1 (ko) 현상 공정 모니터링 유닛 및 기판 처리 장치
KR100587908B1 (ko) 웨이퍼 카운터를 포함하는 코팅 장치
KR20020088262A (ko) 분사 감시기능을 갖는 포토레지스트 코팅장치
KR20070041135A (ko) 압력 게이지를 포함하는 ｉｐａ 증기 건조기 및 상기 압력게이지를 이용한 ｉｐａ 증기 건조기의 인터락 구동방법
KR20050121339A (ko) 반도체 제조 설비의 캐미칼 닉 감지장치 및 그 감지방법
KR200149833Y1 (ko) 반도체의 감광막 도포장치
KR20070028193A (ko) 스핀 챔버 세정장치
KR20050068470A (ko) 감광제 노즐의 후방흡입 불량 감지장치 및 이를 이용한제어방법
KR20040012235A (ko) 반도체 설비의 배기량 모니터링 시스템 및 배기량모니터링 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee