KR20060072059A

KR20060072059A - Method of manufacturing self-light-emitting panel

Info

Publication number: KR20060072059A
Application number: KR1020050126806A
Authority: KR
Inventors: 마사시 후쿠자키; 미치오 멘다; 겐이치 호리에
Original assignee: 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤; 가부시끼가이샤 쓰리본드
Priority date: 2004-12-22
Filing date: 2005-12-21
Publication date: 2006-06-27
Also published as: TWI423723B; TW200626000A; CN1794483A; JP2006179352A; JP4731902B2; CN100521291C; KR101089487B1

Abstract

본 발명은 고체의 밀봉재를 이용함으로써 공정의 간이화 및 밀봉재와 밀봉 기재 사이에서의 기포 발생의 방지를 도모하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to simplify the process and to prevent bubble generation between the sealing material and the sealing substrate by using a solid sealing material.

대향하는 한 쌍의 전극(101) 사이에 협지된 발광층(102)을 구비하는 자체 발광 소자(103)를 지지하는 지지 기판(104)과 시트형 밀봉재(106)를, 자체 발광 소자(103)를 밀봉하도록 접합시키는 제1 접합 공정과, 밀봉재(106)가 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 감압 상태에서 접합시키는 제2 접합 공정과, 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 일체화하는 일체화 공정을 포함한다. The self-light emitting element 103 is sealed with a support substrate 104 and a sheet-like sealant 106 supporting the self-light emitting element 103 having the light emitting layer 102 sandwiched between a pair of opposing electrodes 101. A first bonding step of bonding the bonding substrate so as to be bonded to each other, a second bonding step of bonding the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 to which the sealing material 106 is bonded in a reduced pressure state through the sealing material 106, and the supporting substrate to be bonded. The integration process which integrates 104 and the sealing base material 105 via the sealing material 106 is included.

Description

Manufacturing method of self-luminous panel {METHOD OF MANUFACTURING SELF-LIGHT-EMITTING PANEL}

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 자체 발광 패널의 구성의 일례를 도시하는 측면도. 1 is a side view showing an example of the configuration of a self-luminous panel according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 실시 형태에 따른 제1 접합 공정을 도시하는 측면도. It is a side view which shows the 1st bonding process which concerns on embodiment of this invention.

도 2b는 본 발명의 실시 형태에 따른 제2 접합 공정을 도시하는 측면도. 2B is a side view illustrating a second bonding step according to the embodiment of the present invention.

도 2c는 본 발명의 실시 형태에 따른 일체화 공정을 도시하는 측면도. 2C is a side view illustrating an integration process according to an embodiment of the present invention.

도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 자체 발광 소자 형성 공정을 도시하는 측면도. 3A is a side view illustrating a process of forming a self-luminous device according to an embodiment of the present invention.

도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 제1 접합 공정을 도시하는 측면도. 3B is a side view illustrating a first joining process according to an embodiment of the present invention.

도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 제2 접합 공정을 도시하는 측면도. 3C is a side view illustrating a second joining process according to an embodiment of the present invention.

도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 일체화 공정을 도시하는 측면도. 3D is a side view illustrating an integration process in accordance with an embodiment of the present invention.

도 4는 본 실시예의 자체 발광 패널의 제조 방법이 채용할 수 있는 복수의 공정을 나타내는 공정도. 4 is a flowchart showing a plurality of processes that can be employed in the method of manufacturing a self-luminous panel of the present embodiment.

도 5a는 지지 기판에 대하여 밀봉 기재를 기울인 상태에서 접합시킬 때의 측면도. 5A is a side view when bonding a sealing substrate in an inclined state with respect to a supporting substrate.

도 5b는 지지 기판에 대하여 밀봉 기재를 접합시킨 상태를 도시하는 측면도. 5B is a side view illustrating a state in which a sealing substrate is bonded to a supporting substrate.

도 5c는 지지 기판에 대하여 밀봉 기재를 접합시킨 다른 상태를 도시하는 측면도.5C is a side view illustrating another state in which a sealing substrate is bonded to a supporting substrate.

도 6은 특정 성분 가스량의 시간 경과에 따른 변화를 나타낸 도표. 6 is a chart showing changes over time of a specific component gas amount.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 자체 발광 패널100: self-illuminating panel

101: 한 쌍의 전극101: a pair of electrodes

102: 발광층102: light emitting layer

103: 자체 발광 소자103: self-luminous element

104: 지지 기판104: support substrate

105: 밀봉 기재105: sealing substrate

106: 밀봉재106: sealing material

본 발명은 자체 발광 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a self-luminous panel.

종래, 대향하는 한 쌍의 전극과 이 전극 사이에 협지된 발광층을 구비하는 자체 발광 소자와, 자체 발광 소자를 지지하는 지지 기판과, 지지 기판에 대하여 발광층을 통해 대향하는 밀봉 기재와, 지지 기판과 밀봉 기재 사이에 마련되며 자체 발광 소자를 밀봉하는 동시에 지지 기판과 밀봉 기판 사이에 충전되는 상태에서 지지 기판과 밀봉 기판을 접합시키는 밀봉재를 구비하는 자체 발광 패널이 있다. Conventionally, a self-light emitting element having a pair of opposed electrodes and a light emitting layer sandwiched between the electrodes, a support substrate supporting the self light emitting element, a sealing substrate facing the support substrate via a light emitting layer, and a support substrate There is a self-luminous panel provided with a sealing material provided between the sealing substrate and sealing the self-luminous element and bonding the supporting substrate and the sealing substrate in a state filled between the supporting substrate and the sealing substrate.

이러한 자체 발광 패널의 밀봉으로서는, 예컨대 시트(필름)형 밀봉재를 이용하여 자체 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 방법이 있다. 이 밀봉 방법에서는 자체 발광 소자를 밀봉하도록 시트형 밀봉재를 지지 기판에 접합시킨 후에, 밀봉재가 접합된 지지 기판과, 밀봉 기재를 접합시켜 일체화한다. 또, 밀봉재가 접합된 밀봉 기재와 지지 기판을 접합시키도록 하더라도 좋다. As sealing of such a self-luminous panel, there exists a sealing method which seals a self-luminous element, for example using a sheet (film) type sealing material. In this sealing method, after the sheet-like sealing material is bonded to the support substrate so as to seal the self-light emitting element, the supporting substrate to which the sealing material is bonded and the sealing substrate are bonded together to integrate. Moreover, you may make it join the sealing base material with which the sealing material was bonded, and the support substrate.

자체 발광 소자의 밀봉에 시트(필름)형 밀봉재를 이용함으로써, 액체형 수지를 사용하여 발광층을 밀봉하는 밀봉법(예컨대, 특허문헌 1 참조)을 이용한 경우보다 공정을 간략화할 수 있다. 이 시트(필름)형 밀봉재를 이용한 밀봉법에서는, 예컨대 열 경화형 수지로 형성된 밀봉재를 이용하여, 이 밀봉재를 가열함으로써 자체 발광 소자와 밀봉 기재를 밀봉재를 통해 일체화하고 있다. By using a sheet (film) type sealing material for sealing a self-luminous element, a process can be simplified rather than using the sealing method (for example, refer patent document 1) which seals a light emitting layer using liquid resin. In the sealing method using this sheet (film) type sealing material, the self-light emitting element and a sealing base material are integrated through the sealing material by heating this sealing material, for example using the sealing material formed from thermosetting resin.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-216950호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-216950

그러나 시트(필름)형 밀봉재를 이용하여 자체 발광 소자를 밀봉하는 경우, 밀봉재가 시트형이나 필름형이라는 일정한 형상을 유지하는 고체이기 때문에, 밀봉재 혹은 지지 기판의 접합면에 요철이 있으면, 접합된 밀봉재와 지지 기판 사이에 기포가 발생한다고 하는 문제를 일례로서 들 수 있다. However, when the self-light emitting element is sealed using a sheet (film) type sealing material, since the sealing material is a solid that maintains a constant shape such as a sheet shape or a film shape, if the uneven surface of the sealing material or the supporting substrate has irregularities, The problem that a bubble generate | occur | produces between a support substrate is mentioned as an example.

또한, 일체화에 있어서 밀봉재를 경화하기 위해서 가열하면, 밀봉재를 형성하는 재료 중에 혼재하는 용매나 물 또는 반응 생성 가스 등이 기화하여, 밀봉재와, 지지 기판 혹은 자체 발광 소자와의 사이에서 기포가 발생한다고 하는 문제를 일례로서 들 수 있다. 밀봉재를 밀봉 기재에 접착하는 경우도 마찬가지로 밀봉재와 지지 기판 사이에 기포가 남는다고 하는 문제를 야기한다. 또한, 상기의 기화한 용매, 물, 반응 생성 가스 등이 자체 발광 소자의 열화 인자 등이 될 우려가 있다. In addition, when it heats in order to harden a sealing material in integration, the solvent, water, reaction reaction gas, etc. which mix in the material which forms a sealing material will vaporize, and a bubble will generate | occur | produce between a sealing material, a support substrate, or a self-light emitting element. The problem of doing is an example. Similarly, in the case where the sealing material is adhered to the sealing substrate, a problem arises in that bubbles remain between the sealing material and the supporting substrate. In addition, the vaporized solvent, water, reaction product gas and the like may be a deterioration factor of the self-light emitting device.

또한, 이러한 기포가 밀봉재와 자체 발광 소자 사이에 발생하면, 기포에 포함되는 용매나 수분이 발광층에 악영향을 미쳐, 자체 발광 패널의 발광 성능을 저하시킨다고 하는 문제를 일례로서 들 수 있다. 상기 각종 문제는 밀봉재를 밀봉 기재에 접착하는 경우에도 마찬가지로 발생한다. Moreover, when such a bubble arises between a sealing material and a self-light emitting element, the problem that the solvent and water contained in a bubble adversely affect a light emitting layer, and lowers the luminous performance of a self-luminous panel is mentioned as an example. The various problems occur similarly when the sealing material is adhered to the sealing substrate.

청구항 1의 발명에 따른 자체 발광 패널의 제조 방법은 지지 기판과, 지지 기판상에 대향하는 한 쌍의 전극과 이 한 쌍의 전극 사이에 협지된 발광층을 구비하는 자체 발광 소자와, 상기 지지 기판에 대하여 상기 자체 발광 소자를 통해 대향하는 밀봉 기재와, 상기 지지 기판과 상기 밀봉 기재 사이에 마련되며 상기 자체 발광 소자를 밀봉하는 밀봉재를 구비하는 자체 발광 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 밀봉재와 상기 지지 기판을, 상기 자체 발광 소자를 밀봉하도록 접합시키는 제1 접합 공정과, 상기 제1 접합 공정에서 상기 밀봉재가 접합된 지지 기판과 상기 밀봉 기재를, 상기 밀봉재를 통해 감압 상태에서 접합시키는 제2 접합 공정과, 상기 제2 접합 공정에서 접합된 상기 지지 기판 및 상기 밀봉 기재를, 상기 밀봉재를 통해 일체화하는 일체화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. A method for manufacturing a self-luminous panel according to the invention of claim 1 includes a self-light emitting device having a support substrate, a pair of electrodes opposing on the support substrate, and a light emitting layer sandwiched between the pair of electrodes; A method of manufacturing a self-luminous panel, comprising: a sealing substrate facing the self-luminous element and a sealing member provided between the supporting substrate and the sealing substrate and sealing the self-luminescent element; And a second bonding step of bonding the self-light emitting element to the sealing, a second bonding step of bonding the supporting substrate and the sealing substrate to which the sealing material is bonded in the first bonding step, under the reduced pressure, through the sealing material; An integration ball for integrating the support substrate and the sealing substrate bonded in the second bonding step through the sealing material. It is characterized by including a tablet.

청구항 2의 발명에 따른 자체 발광 패널의 제조 방법은 지지 기판과, 지지 기판상에 대향하는 한 쌍의 전극과 이 한 쌍의 전극 사이에 협지된 발광층을 구비하는 자체 발광 소자와, 상기 지지 기판에 대하여 상기 자체 발광 소자를 통해 대 향하는 밀봉 기재와, 상기 지지 기판과 상기 밀봉 기재 사이에 마련되며 상기 자체 발광 소자를 밀봉하는 밀봉재를 구비하는 자체 발광 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 밀봉재와 상기 밀봉 기재를 접합시키는 제1 접합 공정과, 상기 제1 접합 공정에서 상기 밀봉재가 접합된 밀봉 기재와 상기 지지 기판을, 상기 밀봉재를 통해 상기 자체 발광 소자를 밀봉하도록 감압 상태에서 접합시키는 제2 접합 공정과, 상기 제2 접합 공정에서 접합된 상기 지지 기판 및 상기 밀봉 기재를, 상기 밀봉재를 통해 일체화하는 일체화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a self-luminous panel, comprising: a self-light emitting device having a support substrate, a pair of electrodes opposing on the support substrate, and a light emitting layer sandwiched between the pair of electrodes; In the method of manufacturing a self-luminous panel comprising a sealing substrate facing the self-luminous element against the self-luminous element, and a sealing material provided between the supporting substrate and the sealing substrate and sealing the self-luminous element. A first bonding step of joining the second bonding step, a second bonding step of bonding the sealing substrate and the supporting substrate on which the sealing material is bonded in the first bonding step in a reduced pressure state to seal the self-light emitting element through the sealing material; Integrating ball which integrates the said support substrate and the said sealing base material joined at the said 2nd bonding process through the said sealing material. It is characterized by including a tablet.

이하에 첨부 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 자체 발광 패널의 제조 방법의 적합한 실시 형태를 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, with reference to an accompanying drawing, preferred embodiment of the manufacturing method of the self-luminous panel which concerns on this invention is described in detail.

(실시 형태)(Embodiment)

우선, 본 발명의 실시 형태에 따른 자체 발광 패널의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 자체 발광 패널의 구성의 일례를 도시하는 측면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 자체 발광 패널(100)은 한 쌍의 전극(101)(101a, 101b)과 발광층(102)을 구비하는 자체 발광 소자(103)와, 지지 기판(104)과, 밀봉 기재(105)와, 밀봉재(106)를 갖고 있다. First, the structure of the self-luminous panel which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. 1 is a side view illustrating an example of a configuration of a self-luminous panel according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the self-luminous panel 100 includes a self-luminous element 103 having a pair of electrodes 101 (101a, 101b) and a light emitting layer 102, a support substrate 104, The sealing base material 105 and the sealing material 106 are provided.

자체 발광 소자(103)는 대향하는 한 쌍의 전극(101)과, 한 쌍의 전극(101) 사이에 협지된 발광층(102)에 의해 구성되어 있다. 한 쌍의 전극(101) 및 발광층(102)은 지지 기판(104) 상에 마련된다. 한 쌍의 전극(101)은 지지 기판(104)의 두께 방향에 따라서 대향하도록 마련된다. 이 때문에 한 쌍의 전극(101) 및 발광층(102)은 지지 기판(104)의 두께 방향에 따라서 적층된 상태로 지지 기판(104)에 의 해 지지되어 있다. 밀봉 기재(105)는 지지 기판(104)의 자체 발광 소자(103)측에 대향하여 배치된다. The self-luminous element 103 is comprised by the pair of electrodes 101 which oppose, and the light emitting layer 102 pinched between the pair of electrodes 101. The pair of electrodes 101 and the light emitting layer 102 are provided on the support substrate 104. The pair of electrodes 101 are provided to face each other along the thickness direction of the support substrate 104. For this reason, the pair of electrodes 101 and the light emitting layer 102 are supported by the support substrate 104 in a stacked state along the thickness direction of the support substrate 104. The sealing substrate 105 is disposed to face the self-luminous element 103 side of the supporting substrate 104.

밀봉재(106)는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105) 사이에 마련되며 자체 발광 소자(103)를 밀봉한다. 예컨대, 자체 발광 소자(103)로서 유기 EL 소자를 이용한 경우, 대기 중에 포함되는 산소나 수분으로부터 자체 발광 소자(103)를 보호하기 위해 이 자체 발광 소자(103)를 외기에 대하여 밀봉해야 한다. 본 실시 형태에서는 밀봉 기재(105) 및 밀봉재(106)를 이용하여, 전면에 걸쳐 접합시킴으로써 자체 발광 소자(103)를 밀봉하고 있다. The sealant 106 is provided between the support substrate 104 and the sealing substrate 105 and seals the self light emitting element 103. For example, when the organic EL device is used as the self-light emitting device 103, the self-light emitting device 103 must be sealed against the outside air in order to protect the self-light emitting device 103 from oxygen or moisture contained in the atmosphere. In this embodiment, the self-light emitting element 103 is sealed by bonding over the whole surface using the sealing base material 105 and the sealing material 106.

고체의 밀봉재를 이용함으로써, 액체(형상 유지가 곤란한 것)를 이용하여 자체 발광 소자(103)를 밀봉하는 밀봉법에 비해 공정을 간이화할 수 있다. 본 실시 형태의 밀봉재(106)는 시트(필름)형으로 성형되어 있다. By using a solid sealing material, a process can be simplified compared with the sealing method which seals the self-light emitting element 103 using a liquid (it is difficult to maintain shape). The sealing material 106 of this embodiment is shape | molded in the sheet (film) shape.

다음에, 본 발명의 실시 형태에 따른 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도시를 생략하지만, 자체 발광 패널(100)의 제조에 있어서는 우선, 지지 기판(104) 상에 한 쌍의 전극(101) 중 한쪽의 전극(101a)을 형성한다. 이 전극(101a) 위에 발광층(102)을 형성하고, 발광층(102) 위에 한 쌍의 전극(101) 중 다른 쪽의 전극(101b)을 형성하여 자체 발광 소자(103)를 형성한다. Next, the manufacturing method of the self-emission panel 100 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. Although not shown, in the manufacture of the self-luminous panel 100, first, one electrode 101a of the pair of electrodes 101 is formed on the support substrate 104. The light emitting layer 102 is formed on the electrode 101a, and the other electrode 101b of the pair of electrodes 101 is formed on the light emitting layer 102 to form the self-light emitting element 103.

도 2a는 본 발명의 실시 형태에 따른 제1 접합 공정을 도시하는 측면도이다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 자체 발광 소자(103)가 형성된 지지 기판(104)에 대하여 자체 발광 소자(103)의 상면에서 이 자체 발광 소자(103)를 덮도록 라미네이터 등을 이용하여 밀봉재(106)를 접합시킨다. It is a side view which shows the 1st bonding process which concerns on embodiment of this invention. As shown in FIG. 2A, the sealing material 106 is formed using a laminator or the like so as to cover the self-light emitting device 103 on the upper surface of the self-light emitting device 103 with respect to the supporting substrate 104 on which the self-light emitting device 103 is formed. ).

도 2b는 본 발명의 실시 형태에 따른 제2 접합 공정을 도시하는 측면도이다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 제2 접합 공정에서는 제1 접합 공정에서 밀봉재(106)가 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 감압 상태에서 접합시킨다. 이 제2 접합 공정에서는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 밀착하는 방향으로 가압한다. 또한, 제2 접합 공정에서는 서로 접합되는 면(201, 202)이 평행하게 되고, 또한 대향하도록 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 유지한다. 그리고 대향하는 면(201, 202)이 접근하는 방향으로 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킨다. It is a side view which shows the 2nd bonding process which concerns on embodiment of this invention. As shown in FIG. 2B, in the second bonding step, the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 to which the sealing material 106 is bonded in the first bonding step are bonded through the sealing material 106 under a reduced pressure. In this second bonding step, the supporting substrate 104 is pressed in the direction in which the sealing substrate 105 is in close contact. In the second bonding step, the support substrate 104 and the sealing substrate 105 are held so that the surfaces 201 and 202 joined to each other are parallel to each other and face each other. And the support substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded together in the direction which the opposing faces 201 and 202 approach.

도 2c는 본 발명의 실시 형태에 따른 일체화 공정을 도시하는 측면도이다. 도 2c에 도시한 바와 같이, 제2 접합 공정에서 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 일체화한다. 이 일체화 공정은 감압 상태에서 행해진다. 여기서 말하는 감압 상태란, 진공 상태를 포함한 10∼10^-6 Pa 범위의 기압 상태이다. 통상, 약 10∼10^-2 Pa의 범위의 기압 상태를 음압 상태, 약 10^-2∼10^-6 Pa 범위의 기압 상태를 진공 상태로 칭하고 있다. 또한, 밀봉재(106)로부터 배출되는 특정 가스 성분이 규정량 이하가 된 이후에는 감압 상태로부터 대기압으로 바꿀 수도 있다. 이 일체화 공정은 감압 상태, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중, 혹은 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중 어느 하나, 혹은 순차 조합시킨 환경하에서 행해진다. 또한, 일체화 공정에서는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 밀착하는 방향으로 가압하더라도 좋다.2C is a side view illustrating an integration process according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2C, the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 joined in the second bonding step are integrated through the sealing material 106. This integration process is performed in a reduced pressure state. The decompression state herein is an air pressure state in the range of 10 to 10 ^-6 Pa including a vacuum state. In general, it refers to pressure conditions ranging from about 10~10 ^-2 Pa the pressure condition of negative pressure, from about 10 ^-2 ~10 ^-6 Pa range in vacuum. In addition, after the specific gas component discharged | emitted from the sealing material 106 becomes below a prescribed amount, you may change from a pressure reduction state into atmospheric pressure. This integration process is performed in the reduced pressure state, the inert gas set to atmospheric pressure, the inert gas set to the reduced pressure state, or the environment combined sequentially. In the integration step, the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 may be pressed in a direction in which the supporting substrate 104 is in close contact.

이와 같이, 상기한 제조 방법에 의하면, 제2 접합 공정에서 밀봉재(106)가 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 진공 중에서 접합시킴으로써 공정의 간이화를 실현할 수 있다. 또한, 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다. 이로써 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105)의 접착 면적의 저하에 의한 접착 불량이나 광 전달 효율의 저하를 방지할 수 있다. In this manner, according to the above-described manufacturing method, the support substrate 104 and the sealing substrate 105 to which the sealing material 106 is bonded in the second bonding step are bonded together in a vacuum through the sealing material 106 to realize a simplified process. Can be. Moreover, generation | occurrence | production of the bubble between the sealing material 106 and the sealing base material 105 can be prevented. Thereby, the adhesion failure and the fall of light transmission efficiency by the fall of the adhesion area of the sealing material 106 and the sealing base material 105 can be prevented.

또한, 상기한 제조 방법에 의하면, 제2 접합 공정에서 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 밀착하는 방향으로 가압한 경우에는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 보다 양호하게 밀착시킬 수 있다. 또한, 제2 접합 공정에서 서로 접합되는 면(201, 202)이 평행하게 되고 또한 대향하도록 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 유지하면서, 대향하는 면(201, 202)이 접근하는 방향으로 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킨 경우에는 접합 도중에 밀봉재(106)에 왜곡을 발생시키는 일이 없다. 이로써, 밀봉재(106)의 왜곡에 의해 밀봉재(106)의 표면에 요철이 발생하는 것을 방지하여, 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. In addition, according to the above-described manufacturing method, when the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are pressed in the direction in which the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are in close contact with each other, the sealing material 106 is sealed with the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105. ) Can be better adhered to. In addition, the direction in which the opposing surfaces 201 and 202 approach, while holding the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 so that the surfaces 201 and 202 bonded to each other in the second bonding step are parallel to and face each other. In the case where the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are bonded together, no distortion is generated in the sealing material 106 during the bonding. Thereby, unevenness | corrugation generate | occur | produces on the surface of the sealing material 106 by the distortion of the sealing material 106, and generation | occurrence | production of the bubble between the sealing material 106 and the sealing base material 105 can be prevented more reliably.

특히, 대형의 자체 발광 패널(100)을 제조하는 경우, 밀봉 기재(105)를 휘게 하는 방법에서는 밀봉 기재(105)가 대형이 되기 위해서 대규모의 접합용 장치가 필요하지만, 상기한 바와 같이, 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 평행하게 접합시키는 제조 방법에 의하면, 밀봉 기재(105)를 휘게 하는 일 없이 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킬 수 있기 때문에 이러한 대규모의 접합용 장치가 불필요 하다. In particular, in the case of manufacturing the large size self-luminous panel 100, a method for bending the sealing substrate 105 requires a large-scale bonding apparatus in order to make the sealing substrate 105 large. According to the manufacturing method of joining the board | substrate 104 and the sealing base material 105 in parallel, since the support substrate 104 and the sealing base material 105 can be bonded together without bending the sealing base material 105, such a large scale No bonding device is necessary.

그런데, 밀봉 기재(105)를 휘게 하여 접합시키는 방법에서는 자체 발광 패널(100)을 대형화한 경우에, 밀봉 기재(105)를 휘게 하는 것 자체가 밀봉 기재(105)를 파손시킬 우려가 있지만, 상기한 제조 방법에 의하면, 밀봉 기재(105)를 휘게 하지 않고서 행할 수 있기 때문에, 예컨대 대형 텔레비젼 등과 같은 대형의 자체 발광 패널(100)이라도, 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또, 접합에 관한 방법으로서는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 평행하게 접합시키는 제조 방법에 한정되는 것이 아니라, 밀봉 기재(105)를 휘게 하여 자체 발광 패널(100)을 제조하는 방법도 포함하여 공지된 각종 기술을 이용하는 것이 가능하다. By the way, in the method of bending and bonding the sealing substrate 105, when the self-light emitting panel 100 is enlarged, bending the sealing substrate 105 itself may damage the sealing substrate 105. According to one manufacturing method, since the sealing substrate 105 can be carried out without bending, even in a large self-luminous panel 100 such as a large-sized television or the like, the bubble between the sealing member 106 and the sealing substrate 105 may be formed. The occurrence can be prevented more reliably. In addition, the method of bonding is not limited to the manufacturing method of bonding the support substrate 104 and the sealing base material 105 in parallel, but also the method of manufacturing the self-light emitting panel 100 by bending the sealing base material 105. It is possible to use various known techniques, including.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 의하면, 일체화 공정을 감압 상태에서 행한 경우에는 열 경화에 있어서 밀봉재(106)를 형성하는 수지 중으로부터 발생하는 특정 가스 성분을 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이로부터 밖으로 빼낼 수 있기 때문에, 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. As explained above, according to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of this embodiment, when the integration process is performed in a reduced pressure state, the specific gas component which generate | occur | produces from resin which forms the sealing material 106 in thermosetting is carried out. Since it can be taken out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105, the generation | occurrence | production of the bubble between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105 is considered more. It can be reliably prevented.

또한, 일체화 공정에서 밀봉재(106)로부터 배출되는 특정 가스 성분이 규정량 이하가 된 이후에 감압 상태로부터 대기압으로 바꾼 경우에는 밀봉재(106)에 대하여 열을 양호하게 전달할 수 있게 된다. 즉, 감압 상태에서는 지지 기판(104)이나 밀봉 기재(105)에 열원을 직접 접촉시켜야 하지만, 대기압으로 함으로써 자체 발광 패널(100) 주위의 기체(공기나 불활성 가스)를 가열하는 것으로 밀봉재(106)를 가열할 수 있어 효율적으로 가열할 수 있다. 게다가 가열을 위해 에너지를 과도하게 소비하는 것을 방지하여 제조 비용의 상승을 억제할 수 있게 된다. In addition, when the specific gas component discharged from the sealing material 106 becomes less than the prescribed amount in the integration process, when the pressure is changed from the reduced pressure to the atmospheric pressure, heat can be transferred to the sealing material 106 satisfactorily. That is, although the heat source should be brought into direct contact with the support substrate 104 or the sealing substrate 105 in a reduced pressure state, the sealing material 106 is heated by heating the gas (air or inert gas) around the self-light emitting panel 100 by setting it to atmospheric pressure. It can heat and can heat efficiently. In addition, excessive consumption of energy for heating can be prevented, thereby increasing the manufacturing cost.

그런데, 본 실시 형태에서는 상기한 일체화 공정을 감압 상태에서 행하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중에서 일체화 공정을 행한 경우에는 자체 발광 소자(103)가 완전히 밀봉되기 전에 산소나 물 등이 들어가 자체 발광 소자(103)의 발광 성능을 저하시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 일체화 공정을 감압 상태에서 행하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 음압 상태로 설정된 불활성 가스 중에서 일체화 공정을 행한 경우에는 열 경화에 있어서 밀봉재(106)를 형성하는 수지 중으로부터 발생하는 특정 가스 성분을 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이로부터 밖으로 빼낼 수 있기 때문에, 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. By the way, although this integration process was performed in the reduced pressure state in this embodiment, it is not limited to this. For example, when the integration process is performed in an inert gas set to atmospheric pressure, oxygen or water, or the like, can be prevented from lowering the light emitting performance of the self-light emitting device 103 before the self-light emitting device 103 is completely sealed. In addition, in this embodiment, although the integration process was performed in a reduced pressure state, it is not limited to this, For example, when the integration process is performed in the inert gas set to the negative pressure state, it is in resin which forms the sealing material 106 in thermosetting. Since the specific gas component which arises from the inside can be taken out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105, between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105 The occurrence of bubbles at can be prevented more reliably.

또, 본 발명은 전술한 바와 같은 지지 기판(104)에 시트형 밀봉재(106)를 접합시키고 나서 지지 기재(105)를 접합시키는 공정으로 하는 것에 한정되지 않는다. 우선, 시트형 밀봉재(106)를 밀봉 기재(105)에 접합시키더라도 좋다. 즉, 밀봉 기재(105)에 시트형 밀봉재(106)를 접합시키는 제1 접합 공정과, 밀봉재(106)가 접합된 밀봉 기재(105)와, 지지 기판(104)을 밀봉재(106)를 통해 감압 상태에서 접합시키는 제2 접합 공정과, 접합된 지지 기판(104) 및 밀봉 기재(105)를 밀봉재(106)를 통해 일체화하는 일체화 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법에 의해 자체 발광 패널(100)을 제조하더라도 좋다. In addition, this invention is not limited to setting it as the process of bonding the support base material 105 after joining the sheet-like sealing material 106 to the support substrate 104 as mentioned above. First, the sheet sealing material 106 may be bonded to the sealing substrate 105. That is, the 1st bonding process which bonds the sheet-like sealing material 106 to the sealing base material 105, the sealing base material 105 with which the sealing material 106 was bonded, and the support substrate 104 are pressure-reduced through the sealing material 106 The self-light emitting panel 100 by a manufacturing method, comprising a second bonding process for bonding at the substrate and an integration process for integrating the bonded support substrate 104 and the sealing substrate 105 through the sealing material 106. May be prepared.

이와 같이, 제1 접합 공정에서 밀봉 기재에 시트형 밀봉재를 접합시키고, 제2 접합 공정에서 이 밀봉 기재와 지지 기판을 밀봉재를 통해 감압 상태에서 접합시킴으로써 고체의 밀봉재를 이용함으로써 공정의 간이화를 실현하면서, 밀봉재(106)와 지지 기판 및 자체 발광 소자(103)와의 사이에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다. 이로써 밀봉재(106)와 지지 기판 및 자체 발광 소자(103)와의 접착 면적의 저하에 의한 접착 불량이나 광 전달 효율의 저하를 방지할 수 있다. In this way, the sheet-like sealing material is bonded to the sealing substrate in the first bonding step, and the sealing substrate and the supporting substrate are bonded together under the reduced pressure through the sealing material in the second bonding step to realize the simplicity of the process by using a solid sealing material. The generation of bubbles between the sealing material 106 and the support substrate and the self-light emitting element 103 can be prevented. Thereby, the adhesion failure and the fall of light transmission efficiency by the fall of the adhesion area of the sealing material 106, the support substrate, and the self-light emitting element 103 can be prevented.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 의하면, 기포가 쉽게 발생하는 제2 접합 공정을 감압 상태에서 행함으로써 고체의 밀봉재를 이용하는 것에 의한 공정의 간이화를 실현할 수 있다. 또한, 자체 발광 소자(103) 내에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다. 그리고 밀봉재(106)에 대한 각 부재의 접착 불량이나 기포의 존재에 의한 광 전달 효율의 저하를 방지할 수 있다. As described above, according to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of embodiment of this invention, the process of simplifying a process by using a solid sealing material can be implement | achieved by performing the 2nd bonding process which bubbles generate | occur | produce easily in a reduced pressure state. Can be. In addition, generation of bubbles in the self-light emitting element 103 can be prevented. And the fall of the light transmission efficiency by the adhesion failure of each member with respect to the sealing material 106, or the presence of a bubble can be prevented.

실시예Example

(자체 발광 패널의 구성)(Configuration of Self-luminous Panel)

다음에, 본 발명의 실시예에 따른 자체 발광 패널의 구성에 대해서 설명한다. 또, 본 발명의 실시예에 따른 자체 발광 패널의 외관 구성은 전술한 도 1에 도시하는 자체 발광 패널과 마찬가지이기 때문에 여기서는 도시를 생략하고 도 1에 따른 부호를 이용하여 설명한다. Next, the configuration of the self-luminous panel according to the embodiment of the present invention will be described. In addition, since the external structure of the self-luminous panel according to the embodiment of the present invention is the same as that of the self-luminous panel shown in FIG. 1 described above, illustration is omitted here and description will be made using reference numerals according to FIG. 1.

우선, 본 실시예에서의 자체 발광 패널(100)이 갖는 자체 발광 소자(103)에 대해서 설명한다. 본 실시예에서의 자체 발광 패널(100)이 갖는 자체 발광 소자(103)는, 예컨대 전압을 인가함으로써 발생하는 전계 에너지가 더해짐으로써, 더해진 전계 에너지를 빛의 형태로 방출하는 EL(Electro Luminescence) 소자 등을 들 수 있다. EL 소자에는 무기 EL 소자와 유기 EL 소자가 있지만, 본 실시예에서는 유기 EL 소자를 자체 발광 소자(103)로 한 예를 나타낸다. First, the self-light emitting element 103 of the self-light emitting panel 100 in the present embodiment will be described. The self-luminous element 103 of the self-luminous panel 100 in this embodiment is an EL (Electro Luminescence) element which emits the added field energy in the form of light by adding, for example, electric field energy generated by applying a voltage. Etc. can be mentioned. The EL element includes an inorganic EL element and an organic EL element, but in this embodiment, an example in which the organic EL element is used as the self-light emitting element 103 is shown.

유기 EL 소자는 유기 EL(OEL) 디바이스, 유기 발광 다이오드(OLED) 디바이스, 전장 발광 광원라고 불리는 경우도 있지만, 본 실시예에서는 유기 EL 소자로서 설명한다. 유기 EL 소자에는 고분자 재료를 이용하여 형성된 것과, 저분자 재료를 이용하여 형성된 것이 있다. 이후, 본 실시예에서는 일례로서 저분자 재료를 이용하여 형성된 유기 EL 소자를 자체 발광 소자(103)로서 이용한 예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는 한 쌍의 전극(101) 및 한 쌍의 전극(101) 사이의 발광층(102)에 의해 구성되는 소자 구조를 「유기 EL 소자」라고 한다. The organic EL element may be referred to as an organic EL (OEL) device, an organic light emitting diode (OLED) device, or an electroluminescent light source, but this embodiment will be described as an organic EL element. The organic EL device is one formed using a polymer material and one formed using a low molecular material. In the present embodiment, an example is described in which an organic EL element formed using a low molecular material is used as the self-emitting element 103 as an example. In this embodiment, the element structure constituted by the light emitting layer 102 between the pair of electrodes 101 and the pair of electrodes 101 is referred to as an "organic EL element".

일반적으로 유기 EL 소자는 애노드(양극, 정공 주입 전극)와 캐소드(음극, 전자 주입 전극) 사이에 유기층을 끼워 넣은 구조를 갖고 있다. 여기서 유기층이란, 발광층을 포함하고 있다. 유기 EL 소자에서는 양 전극에 전압을 인가함으로써 애노드로부터 유기층 내로 주입·수송된 정공과, 캐소드로부터 유기층 내로 주입· 수송된 전자를 유기층 내(발광층)에서 재결합시켜, 이 재결합에서 발생하는 빛을 얻고 있다. 현재는 재료 개발 및 제조 프로세스의 개발 진척 등의 배경으로부터 유기층에 저분자 재료를 이용한 것이 풀 컬러 디스플레이로서 제품화되어 있지만, 본 실시예에서는 저분자, 고분자는 아무래도 좋다. In general, an organic EL device has a structure in which an organic layer is sandwiched between an anode (anode, hole injection electrode) and a cathode (cathode, electron injection electrode). The organic layer includes a light emitting layer here. In the organic EL device, holes injected and transported from the anode into the organic layer and electrons injected and transported from the cathode into the organic layer are recombined in the organic layer (light emitting layer) to obtain light generated by the recombination. . At present, the use of low molecular materials in the organic layer has been commercialized as a full color display from the background of the development of materials development and manufacturing process, etc. In the present embodiment, low molecular weight and polymer may be used.

유기 EL 소자는 각종 기능을 갖는 층을 복수 적층한 구조이다. 유기 EL 소자에서의 각 층의 적층 구조로서는 「하부 전극(양극)/정공 주입층/정공 수송층/유기 EL 발광층/전자 수송층/전자 주입층/상부 전극(음극)」이라는 순서로 적층된 구조가 일반적이다. 또, 본 실시예에서는 전극(101a)에 의해 하부 전극이 실현되고, 전극(101b)에 의해 상부 전극이 실현되어 있다. The organic EL device has a structure in which a plurality of layers having various functions are laminated. As a laminated structure of each layer in organic electroluminescent element, the structure laminated | stacked in order of "lower electrode (anode) / hole injection layer / hole transport layer / organic electroluminescent light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / upper electrode (cathode)" is common. to be. In this embodiment, the lower electrode is realized by the electrode 101a, and the upper electrode is realized by the electrode 101b.

유기 EL 소자에서의 각 층은 모두 단일의 유기 재료로 형성되더라도 좋고, 복수의 재료를 혼합함으로써 형성되어 있더라도 좋으며(혼합층), 고분자 바인더 중에 유기계 혹은 무기계의 기능 재료를 분산시킨 것이라도 좋다. 또, 기능 재료로서는 전하 수송 기능, 발광 기능, 전하 블로킹 기능, 광학 기능 등을 들 수 있다. Each layer in the organic EL device may be formed of a single organic material, may be formed by mixing a plurality of materials (mixed layer), or may be a dispersion of organic or inorganic functional materials in a polymer binder. Moreover, as a functional material, a charge transport function, a light emission function, a charge blocking function, an optical function, etc. are mentioned.

유기 EL 소자에서의 각 층에는 스퍼터법에 의해 발광층(102)의 상측에 전극(101b)을 형성할 때에 발광층(102)이 손상을 받지 않도록 하기 위한 버퍼 기능이나, 발광층(102)의 성막 프로세스에 의해 발생하는 발광층(102) 표면의 요철을 방지하기 위한 평탄화 기능을 갖는 층이나 유기 EL 소자를 보호하는, 예컨대 SiN이나 SiON의 무기막 등의 보호층, 및 이들로 이루어지는 복수의 층이 포함되어 있더라도 좋다. In each layer of the organic EL element, a buffer function for preventing the light emitting layer 102 from being damaged when the electrode 101b is formed on the light emitting layer 102 by the sputtering method or a film forming process of the light emitting layer 102 is performed. Even if the layer which has a planarization function for preventing the unevenness | corrugation of the surface of the light emitting layer 102 which arises by this, and a protective layer which protects organic electroluminescent element, such as an inorganic film of SiN and SiON, etc., and several layer which consists of these are included, good.

이 밖에 유기 EL 소자는 발광층(102)의 위쪽에 위치하는 전극을 양극으로 하고, 발광층(102)의 아래쪽에 위치하는 전극을 음극으로 한 것이나, 복수의 층에 의해 발광층(102)을 구성한 것, 발광색이 다른 복수의 발광층(102)을 적층시킨 것(SOLED: Stacked OLED), 캐소드와 애노드 사이에 도시하지 않는 전하 발생층을 개 재시킨 것(멀티 포톤 소자), 정공 수송층 등의 층을 생략한 것이나 복수 적층시킨 것, 유기층 1층만의 소자 구성인 것(각 기능층을 연속적으로 형성시킨, 층 경계를 없게 한 것) 등도 있다. 또, 본 발명은 유기 EL 소자의 구성을 한정하는 것은 아니다. In addition, the organic EL device uses an electrode located above the light emitting layer 102 as an anode, and an electrode located below the light emitting layer 102 as a cathode, or a light emitting layer 102 formed of a plurality of layers. Stacking a plurality of light emitting layers 102 having different emission colors (SOLED: Stacked OLED), interposing a charge generating layer (not shown) between the cathode and the anode (multi-photon element), omitting layers such as a hole transport layer Or a plurality of stacked layers, an element structure of only one organic layer (one layer formed by successively forming each functional layer), and the like. In addition, this invention does not limit the structure of organic electroluminescent element.

다음에, 밀봉 기재(105)에 대해서 설명한다. 밀봉 기재(105)는 지지 기판(104)의 발광층(102)측에 대향하여 배치된다. 밀봉 기재(105)를 형성하는 재료로서는 소다 유리, 납 유리, 경질 유리 등의 유리 기재, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 플라스틱 기재, 알루미늄, 스테인레스 등의 금속 기재 등의 각종 재료를 이용할 수 있다. 밀봉 기재(105)를 형성하는 재료는 자체 발광 소자(103)의 구성에 따라 적절하게 적합한 재료를 선택하는 것이 가능하다. Next, the sealing substrate 105 will be described. The sealing substrate 105 is disposed to face the light emitting layer 102 side of the supporting substrate 104. Examples of the material for forming the sealing substrate 105 include glass substrates such as soda glass, lead glass, and hard glass, plastic substrates such as polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and polymethyl methacrylate, and metal substrates such as aluminum and stainless steel. Various materials of can be used. The material for forming the sealing substrate 105 can be appropriately selected according to the configuration of the self-light emitting element 103.

예컨대, 자체 발광 소자(103)가 지지 기판(104)측과 반대측으로부터 빛을 추출하는 상부 방출(Top Emission) 구조의 유기 EL 소자인 경우, 혹은 지지 기판(104)측과 그 반대측 양측으로부터 빛을 추출하는 TOLED 구조의 유기 EL 소자인 경우에는 밀봉 기재(105)를 형성하는 재료로서 투명성이 높은 재료를 이용하는 것, 이 밀봉 기재의 두께로서 고투과율을 갖는 두께인 것이 적합하다. 이에 대해, 예컨대 자체 발광 소자(103)가 지지 기판(104)측으로부터 빛을 추출하는 하부 방출(Bottom Emission) 구조의 유기 EL 소자인 경우에는 투명성이 결여된 금속 기재 등을 밀봉 기재(105)를 형성하는 재료로서 이용하더라도 상관없다. For example, when the self-emission element 103 is an organic EL element having a top emission structure that extracts light from the side opposite to the support substrate 104 side, or the light is emitted from both sides of the support substrate 104 side and the opposite side thereof. In the case of the organic EL element of the TOLED structure to extract, it is suitable to use a material with high transparency as a material which forms the sealing base material 105, and to have a thickness which has high transmittance as thickness of this sealing base material. On the other hand, for example, when the self-emitting element 103 is an organic EL element having a bottom emission structure that extracts light from the side of the supporting substrate 104, a metal substrate or the like, which lacks transparency, may be sealed. You may use as a material to form.

다음에, 밀봉재(106)에 대해서 설명한다. 밀봉재(106)는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105) 사이에 마련된다. 밀봉재(106)는 수지를 시트(필름)형으로 성형함으로써 형성되어 있다. 밀봉재(106)는 표면에 요철이 없고(또는 적고), 평탄성이 우수한 것이 적합하다. 평탄성이 우수한 밀봉재를 이용함으로써, 밀봉재(106)를 지지 기판(104) 또는 밀봉 기재(105)에 접합시킬 때에 지지 기판(104) 또는 밀봉 기재(105)에 대하여 밀착하는 밀착면에 있어서 지지 기판(104) 또는 밀봉 기재(105)와 밀봉재(106) 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. Next, the sealing material 106 will be described. The sealing material 106 is provided between the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105. The sealing material 106 is formed by molding resin into a sheet (film) shape. It is suitable that the sealing material 106 has no (or less) irregularities on the surface and is excellent in flatness. By using the sealing material excellent in flatness, the support substrate (in a close contact surface which is in close contact with the supporting substrate 104 or the sealing substrate 105 when the sealing member 106 is bonded to the supporting substrate 104 or the sealing substrate 105) 104 or bubbles can be prevented from being mixed between the sealing substrate 105 and the sealing member 106.

밀봉재(106)의 두께는 잔존 응력이 최대한 작아지도록 설정되어 있는 것이 적합하다. 예컨대, 밀봉재(106)의 형성시에 내부 응력이 많이 남겨져 있으면, 시간 경과에 따라 어느 일부분이 늘어나거나 줄어든다. 이러한 밀봉재(106)를 이용한 경우, 밀봉재(106)가 자체 발광 소자(유기 EL 소자)(103)에 대하여 응력을 미쳐, 시간 경과에 따른 밀봉재(106)의 변화에 의해 자체 발광 패널(100)에서의 각 층의 적층 상태가 무너지거나, 지지 기판(104)이나 밀봉 기재(105)에 대한 밀봉재(106)의 밀착성이 저하하여 밀봉 불량이 발생하는 각종 문제의 발생이 염려된다. 즉, 밀봉재(106)의 두께를 잔존 응력이 최대한 작아지도록 하는 두께로 설정함으로써 이러한 문제를 회피할 수 있다. 또한 이 밀봉재의 두께를 결정하는 다른 요인, 예컨대 이 밀봉재 중에 잔존하는 수분량을 최대한 저감하도록 하는 두께로 설정하는 것도 가능하다. It is preferable that the thickness of the sealing material 106 is set so that residual stress may become as small as possible. For example, if a large amount of internal stress is left at the time of formation of the sealing material 106, a portion thereof increases or decreases over time. When such a sealing material 106 is used, the sealing material 106 stresses the self-light emitting device (organic EL device) 103, and the self-light emitting panel 100 changes in the sealing material 106 over time. The lamination state of each layer may collapse, or the adhesion of the sealing member 106 to the supporting substrate 104 or the sealing substrate 105 may be lowered, resulting in the occurrence of various problems in which sealing failure occurs. That is, such a problem can be avoided by setting the thickness of the sealing material 106 to a thickness such that the residual stress is as small as possible. In addition, it is also possible to set the thickness so that the amount of water remaining in this sealing material can be reduced as much as another factor which determines the thickness of this sealing material.

밀봉재(106)를 형성하는 수지로서는, 예컨대 폴리에스테르아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리우레탄아크릴레이트 등의 각종 아크릴레이트를 주성분으로 하는 광 라디칼 중합성 수지나, 에폭시, 비닐에테르 등의 수지를 주성분으로 하는 광 양이온 중합성 수지나, 티올·엔 부가형 수지 등의 광 경화성 수지나, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 아크릴 수지, 폴리아크릴니트릴, 폴리비닐아세탈, 폴리아미드, 폴리이미드, 디아크릴프탈레이트 수지, 셀룰로오스계 플라스틱, 폴리아세트산비닐, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등이나, 이들의 2개 또는 3개 이상의 공중합체 등의 열가소성 수지나, 열 경화형 수지 등을 들 수 있다. As resin which forms the sealing material 106, radical photopolymerizable resin which mainly has various acrylates, such as polyester acrylate, a polyether acrylate, an epoxy acrylate, a polyurethane acrylate, an epoxy, a vinyl ether, etc. Photocurable resins such as photocationic polymerizable resins and thiol-en-added resins, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyether sulfone, polyarylate, Polycarbonate, polyurethane, acrylic resin, polyacrylonitrile, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide, diacryl phthalate resin, cellulose-based plastics, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and the like. Thermoplastic resins such as dogs or three or more copolymers, There may be mentioned, a curable resin or the like.

밀봉재(106)를 형성하는 수지는 자체 발광 패널(100)의 제작 도중에 열화 원인이 되는 가스를 발생하지 않는(또는 발생량이 적은) 것이나, 주위의 온도나 시간 경과적으로 변형·수축·팽창 등의 변화가 거의 없는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나 지지 기판(104) 및 밀봉 기재(105)에 대한 밀착성 및 접착성이 양호하다는 점에서, 밀봉재(106)를 형성하는 수지로서는 가열됨으로써 경화하는 열 경화형 수지가 적합하다. 이후, 본 실시예에서는 가열됨으로써 경화하는 열 경화형 수지로 형성된 밀봉재(106)를 이용한 경우에 대해서 설명한다. The resin forming the sealant 106 does not generate (or generates a small amount of) a gas that causes deterioration during the manufacture of the self-light emitting panel 100, but deforms, contracts, expands, and so on the surrounding temperature or time. If there is little change, it will not specifically limit. However, since the adhesiveness and adhesiveness with respect to the support substrate 104 and the sealing base material 105 are favorable, as the resin which forms the sealing material 106, the thermosetting resin hardened | cured by heating is suitable. Hereinafter, in this embodiment, the case where the sealing material 106 formed from the thermosetting resin hardened | cured by heating is used is demonstrated.

(자체 발광 패널의 제조 방법)(Manufacturing Method of Self-luminous Panel)

다음에, 본 발명의 실시예에 따른 자체 발광 패널(100)의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다. 도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 자체 발광 소자 형성 공정을 도시하는 측면도이다. 자체 발광 패널(100)의 제조에 있어서는 우선, 지지 기판(104) 상에 자체 발광 소자(103)를 형성하는 자체 발광 소자 형성 공정을 행한다. 자체 발광 소자 형성 공정에서는, 우선 지지 기판(104)에 전극(101a)을 형성하고, 그 위에 발광층(102), 전극(101b)을 순차적으로 적층한다. 지지 기판(104) 상에 대한 자체 발광 소자(103)의 형성에 대해서는 공지된 기술이기 때문에 여기서는 설명을 생략한다. Next, an example of the manufacturing method of the self-luminous panel 100 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. 3A is a side view illustrating a process of forming a light emitting device according to an embodiment of the present invention. In manufacture of the self-luminous panel 100, first, the self-luminous element formation process of forming the self-light emitting element 103 on the support substrate 104 is performed. In the self-luminous element formation process, first, the electrode 101a is formed in the support substrate 104, and the light emitting layer 102 and the electrode 101b are sequentially laminated on it. Since the formation of the self-luminous element 103 on the support substrate 104 is a well-known technique, description is omitted here.

도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 제1 접합 공정을 도시하는 측면도이다. 다음에 자체 발광 소자(103)가 형성된 지지 기판(104)에 대하여, 시트형 밀봉재(106)를 자체 발광 소자(103)를 밀봉하도록 접합시키는 제1 접합 공정을 행한다. 지지 기판(104)에서 밀봉재(106)를 접합시키는 면은 자체 발광 소자(103)가 형성되어 있는 면이다. 제1 접합 공정은 감압 상태, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중, 혹은 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중 어느 하나의 상태에서 행해진다. 본 실시예에서는 감압 상태에서 행하는 것으로 한다. 3B is a side view illustrating the first bonding process according to the embodiment of the present invention. Next, to the support substrate 104 on which the self-light emitting element 103 is formed, a first bonding step of joining the sheet-like sealing material 106 to seal the self-light emitting element 103 is performed. The surface to which the sealing material 106 is bonded by the support substrate 104 is the surface in which the self-light emitting element 103 is formed. The first bonding step is performed in either a reduced pressure state, an inert gas set to atmospheric pressure, or an inert gas set to reduced pressure. In this embodiment, it is performed under reduced pressure.

지지 기판(104)과 밀봉재(106)의 접합은, 예컨대 지지 기판(104)과 밀봉재(106)를 중첩시켜, 중첩된 지지 기판(104)과 밀봉재(106)에 대하여 폭 방향의 중앙부로부터 주변부를 향하여 압력을 가함으로써 행한다. 이 때, 가압에 더하여, 중첩된 지지 기판(104)과 밀봉재(106)를 가열하도록 하더라도 좋다. 제1 접합 공정은, 예컨대 일본 특허 공개 제2002-361742호 공보에 개시되어 있는 기술을 이용하여 행해지는 것이 가능하지만, 지지 기판(104)과 밀봉재(106)의 밀착면에 기포나 이물의 혼입을 막는 것이 가능한 방법이면 특별히 이 방법에 한정되는 것은 아니다. Bonding of the support substrate 104 and the sealing material 106 superimposes the support substrate 104 and the sealing material 106, for example, and a peripheral part from the center part of the width direction with respect to the overlapping support substrate 104 and the sealing material 106. By applying pressure against the At this time, in addition to pressurization, the superposed support substrate 104 and the sealing material 106 may be heated. The first bonding step can be performed using, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-361742, but it is possible to mix bubbles or foreign matter on the contact surface of the support substrate 104 and the sealing material 106. If it is a method which can be prevented, it will not specifically limit to this method.

제1 접합 공정에서는 지지 기판(104)과 밀봉재(106)를 각각이 밀착하는 방향으로 가압한다. 예컨대, 제1 접합 공정에서는 대향하는 한 쌍의 롤러(301)를 이용하여, 중첩된 지지 기판(104)과 밀봉재(106)를 이 롤러(301) 사이를 통과시킴으로 써 각각이 밀착하는 방향으로 지지 기판(104)과 밀봉재(106)를 가압한다. 본 실시예에서의 제1 접합 공정은 지지 기판(104)과 밀봉재(106)의 접합을 감압 상태, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중, 혹은 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중 어느 하나의 상태에서 행한다. In the 1st bonding process, the support substrate 104 and the sealing material 106 are pressed in the direction which each adheres closely. For example, in the first bonding step, the pair of rollers 301 facing each other are used to pass the superposed support substrate 104 and the sealing material 106 between the rollers 301 so that they are supported in the direction in which they are in close contact with each other. The substrate 104 and the sealing material 106 are pressed. In the first bonding step in the present embodiment, bonding of the support substrate 104 and the sealing material 106 is performed in any one of a reduced pressure state, an inert gas set to atmospheric pressure, or an inert gas set to reduced pressure.

도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 제2 접합 공정을 도시하는 측면도이다. 다음에 제1 접합 공정에서 밀봉재(106)가 접합된 지지 기판(104)과, 밀봉 기재(105)를 감압 상태에서 접합시키는 제2 접합 공정을 행한다. 본 실시예에서는 제2 접합 공정을 감압 상태에서 행한다. 이 제2 접합 공정에서는 서로 접합되는 면(201, 202)이 평행하게 되고 또한 대향하도록 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 유지하면서, 대향하는 면(201, 202)이 접근하는 방향으로 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킨다. 3C is a side view illustrating a second bonding process according to an embodiment of the present invention. Next, a second bonding step is performed in which the supporting substrate 104 to which the sealing material 106 is bonded in the first bonding step and the sealing substrate 105 are bonded in a reduced pressure state. In this embodiment, the second bonding step is performed under reduced pressure. In the second bonding step, the supporting surfaces 104 and the sealing substrate 105 are held so that the surfaces 201 and 202 joined to each other are parallel to and face each other while the facing surfaces 201 and 202 approach each other. The support substrate 104 and the sealing substrate 105 are bonded to each other.

제2 접합 공정에서의 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)의 접합은, 예컨대 일본 특허 공개 제2002-216958호 공보에 개시되어 있는 기술을 이용하여 행해지는 것이 가능하지만, 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105)의 밀착면에 기포나 이물의 혼입을 막는 것이 가능한 방법이면, 특별히 이 방법에 한정되는 것은 아니다. 덧붙여, 제2 접합 공정에서는 밀봉재(106)를 가온한다. 이 가온에 있어서의 온도는 밀봉재(106)에 대하여 열 경화 반응을 생기게 할 정도의 높은 온도가 아니라, 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)가 밀봉재(106)에 의해 외관상 일체화되는 정도로 밀봉재(106)를 연화시키는 정도의 온도까지 밀봉재(106)가 가온되면 좋다. Bonding of the support substrate 104 and the sealing substrate 105 in the second bonding step can be performed using, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-216958, but with the sealing member 106 It will not be specifically limited to this method as long as it is a method which can prevent mixing of foam | bubble and a foreign material in the contact | adherent surface of the sealing base material 105. In addition, the sealing material 106 is heated in a 2nd bonding process. The temperature at this heating is not a temperature high enough to cause a thermosetting reaction with respect to the sealing material 106, but the sealing material (such that the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are apparently integrated by the sealing material 106) The sealing material 106 may be heated to a temperature that softens the 106.

도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 일체화 공정을 도시하는 측면도이다. 다음 에 제2 접합 공정에서 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 밀봉재(106)를 통해 일체화하는 일체화 공정을 행한다. 3D is a side view illustrating an integration process in accordance with an embodiment of the present invention. Next, the integration process which integrates the support substrate 104 and the sealing base material 105 joined by the 2nd bonding process through the sealing material 106 is performed.

본 실시예의 밀봉재(106)는 열 경화형 수지로 형성되어 있기 때문에, 일체화 공정에서 밀봉재(106)를 가열하면, 밀봉재(106)를 형성하는 수지가 열 경화 반응을 일으킨다. 이 열 경화 반응 과정에서 밀봉재(106)를 형성하는 열 경화형 수지가 지지 기판(104), 자체 발광 소자(103) 및 밀봉 기재(105)에 접착하면서 경화하기 때문에, 이에 따라 자체 발광 소자(103)가 마련된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)가 밀봉재(106)를 통해 일체화된다. 이와 같이, 밀봉재(106)를 경화(본 실시예에서는 열 경화)시킴으로써 밀봉재(106)의 시간 경과에 따른 변화를 없애는(혹은 저감하는) 것이 가능하다. 본 실시예에서는 이 일체화 공정을 감압 상태에서 행한다. Since the sealing material 106 of the present embodiment is formed of a thermosetting resin, when the sealing material 106 is heated in the integration step, the resin forming the sealing material 106 causes a thermosetting reaction. Since the thermosetting resin forming the sealing member 106 is cured while adhering to the supporting substrate 104, the self-light emitting element 103, and the sealing substrate 105 in the heat curing reaction process, the self-light emitting element 103 is thus cured. The supporting substrate 104 provided with the sealing substrate 105 is integrated through the sealing member 106. In this way, it is possible to eliminate (or reduce) the change over time of the sealing material 106 by curing the sealing material 106 (heat curing in this embodiment). In this embodiment, this integration process is performed under reduced pressure.

밀봉재(106)의 가열 방법은 핫 플레이트 등의 열원에 접촉시킨 밀봉 기재(105)를 통해 밀봉재(106)를 가열하거나, 적외선을 밀봉 기재(105)에 조사하여 밀봉 기재(105)를 가온함으로써 밀봉재(106)를 가열하거나, 일체화 공정을 행하는 실내를 히터 등에 의해 따뜻한 공기로 함으로써 밀봉재(106)를 가열하는 등의 방법을 들 수 있다. 밀봉재(106)의 가열 방법은 밀봉재(106)를 가열하여 열 경화 반응시켜 밀봉재(106)를 형성하는 재료로부터 배출되는 잔류 휘발 성분을 제거할 수 있으면 전술한 가열 방법에 특별히 한정되는 것은 아니지만, 밀봉재(106)에 대하여 매우 근접하게 열을 가할 수 있다고 하는 점에서 전술한 방법 중에서는 핫 플레이트 등의 열원에 접촉시키는 방법이 적합하다. The heating method of the sealing material 106 heats the sealing material 106 through the sealing base material 105 brought into contact with a heat source such as a hot plate, or heats the sealing base material 105 by irradiating the sealing base material 105 with infrared rays. The method of heating the sealing material 106, etc. by heating 106 or the room which performs an integration process with warm air by a heater etc. is mentioned. The heating method of the sealing material 106 is not particularly limited to the above-described heating method as long as it can remove the residual volatile components discharged from the material forming the sealing material 106 by heating the sealing material 106 to be thermally cured to react. Among the above-described methods, a method of contacting a heat source such as a hot plate is suitable in that heat can be applied very close to 106.

또한, 본 실시예에 있어서의 일체화 공정에서는 밀봉재(106)로부터 배출되는 특정 가스 성분이 규정량 이하가 된 이후에는 분위기를 불활성 가스이며 대기압으로 한다. 여기서, 특정 가스 성분이란, 일체화 공정에서 가열함으로써 밀봉재(106)를 형성하는 수지가 열 경화 반응(가교 반응)할 때에 발생하는 가스 성분 중, 밀봉재(106)를 형성하는 수지의 종류에 따라서 설정된 특정 분자량의 가스 성분이다. 열 경화형 수지의 열 경화 반응에 있어서 발생하는 가스 성분은 밀봉재(106)를 형성하는 수지의 종류에 따라 다르지만, 주로 이 수지의 합성시에 사용한 잔존 용매나 수분 등이 기화한 것이다. 수지의 열 경화 반응에 있어서 발생하는 가스 성분의 구체적인 예로서, 예컨대 메틸에틸케톤, 톨루엔, 물, 수지나 첨가제의 분해물 등을 들 수 있다. In addition, in the integration process in this embodiment, after the specific gas component discharged | emitted from the sealing material 106 becomes below a prescribed amount, an atmosphere is made into inert gas and atmospheric pressure. Here, the specific gas component is the specific gas set according to the kind of resin which forms the sealing material 106 among the gas components which generate | occur | produce when the resin which forms the sealing material 106 by thermosetting reaction (crosslinking reaction) by heating in an integration process. It is a gas component of molecular weight. Although the gas component which arises in the thermosetting reaction of thermosetting resin depends on the kind of resin which forms the sealing material 106, the residual solvent, water, etc. which were used at the time of the synthesis | combination of this resin mainly vaporize. As a specific example of the gas component generate | occur | produced in the thermosetting reaction of resin, methyl ethyl ketone, toluene, water, the decomposition product of resin, an additive, etc. are mentioned, for example.

또한, 일체화 공정에서는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 밀착하는 방향으로 가압한다(도 3d 참조). 이 때, 지지 기판(104) 및 밀봉 기판(105)의 면 방향에 대하여 수직으로 지지 기판(104) 및 밀봉 기판(105)의 면 전체에 걸쳐 균일하게 가압한다. 가압 시간, 압력값 등은 기포의 발생 정도 등에 의해 적절하게 조정하는 것이 가능하며, 특별히 한정되는 것은 아니다. In the integration step, the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are pressed in the direction in which the supporting substrate 104 is brought into close contact (see FIG. 3D). At this time, it pressurizes uniformly over the whole surface of the support substrate 104 and the sealing substrate 105 perpendicularly to the surface direction of the support substrate 104 and the sealing substrate 105. Pressing time, a pressure value, etc. can be adjusted suitably according to the generation | occurrence | production degree of a bubble, etc., It is not specifically limited.

본 실시예에서는 일체화 공정을 감압 상태에서 개시하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중, 혹은 감압으로 설정된 불활성 가스 중에서 행하더라도 좋다. 또한, 예컨대 일체화 공정을 대기압으로 설정된 불활성 가스 중에서 개시하는 경우, 열 경화 온도 도달 이후에는 감압 상태로 하더라도 좋다. 한편, 예컨대 일체화 공정을 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중에서 개시하는 경우, 또한, 특정 가스 성분이 규정량 이하가 된 이후에 진공 상태로 하더라도 좋다. 음압 상태나 진공 상태로 하는 타이밍이나 시간 등은 기포의 발생 정도 등에 의해 적절하게 조정하는 것이 가능하며, 특별히 한정되는 것은 아니다. In the present embodiment, the integration process is started at a reduced pressure, but is not limited to this, and may be performed in an inert gas set to atmospheric pressure or in an inert gas set to reduced pressure. In addition, when starting an integrating process in the inert gas set to atmospheric pressure, for example, you may make it pressure-reduced after reaching thermosetting temperature. On the other hand, for example, when starting the integration process in an inert gas set in a reduced pressure state, the specific gas component may be in a vacuum state after the specified amount or less. The timing, time, etc. to make a negative pressure state or a vacuum state can be adjusted suitably according to the generation | occurrence | production degree of a bubble, etc., It is not specifically limited.

도 4는 본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법이 채용할 수 있는 복수의 공정을 나타내는 공정도이다. 본 실시예의 자체 발광 패널의 제조 방법에서는 제1 접합 공정을, 감압 상태, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중, 혹은 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중 어느 하나의 환경하에서 행할 수 있다. 한편, 본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에서는 제2 접합 공정은 감압 상태에서만 행한다. 4 is a flowchart showing a plurality of processes that can be employed in the method for manufacturing the self-luminous panel 100 of the present embodiment. In the manufacturing method of the self-luminous panel of a present Example, a 1st bonding process can be performed in either the reduced pressure state, the inert gas set to atmospheric pressure, or the inert gas set to the reduced pressure state. On the other hand, in the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of this embodiment, a 2nd bonding process is performed only in a reduced pressure state.

본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에서는 일체화 공정을 감압 상태, 대기압으로 설정된 불활성 가스 중, 혹은 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중 어느 하나의 환경하에서 행한다. 일체화 공정을 감압 상태에서 행한 경우에는 그대로 최후까지 감압 상태에서 처리를 행하는 경우와, 도중에서부터 감압 상태로 설정된 불활성 가스 분위기로 하는 경우와, 혹은 대기압으로 설정된 불활성 가스 분위기로 하는 경우의 3가지의 순서를 채용할 수 있다. 한편, 일체화 공정을 대기압으로 설정된 불활성 가스 중에서 행한 경우에는 감압 상태를 음압 상태로 설정하거나, 진공 상태까지 감압하는 2가지의 순서를 채용할 수 있다. 또한, 일체화 공정을 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중에서 행한 경우에는 그 후 진공 상태까지 감압하거나, 대기압으로 설정된 불활성 가스 분위기로 하는 순서를 채용할 수 있다. In the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of this embodiment, an integration process is performed in either the reduced pressure state, the inert gas set to atmospheric pressure, or the inert gas set to the reduced pressure state. When the integration process is carried out under reduced pressure, three steps are performed: the process is carried out in the reduced pressure state to the last, the inert gas atmosphere set in the reduced pressure state from the middle, or the inert gas atmosphere set in the atmospheric pressure. Can be adopted. On the other hand, when the integration process is performed in an inert gas set to atmospheric pressure, two procedures of setting the reduced pressure state to a negative pressure state or reducing the pressure to a vacuum state can be adopted. In addition, when the integration process is performed in an inert gas set in a reduced pressure state, the procedure to reduce pressure to a vacuum state after that or to set it as an inert gas atmosphere set to atmospheric pressure can be employ | adopted.

이와 같이, 본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 의하면, 제1 접합 공정에 의해 시트형 밀봉재(106)와 지지 기판(104)을, 자체 발광 소자(103)를 밀봉하도록 접합시키고, 제2 접합 공정에 의해 밀봉재(106)가 접합된 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 감압 상태에서 접합시키며, 일체화 공정에 의해 제2 접합 공정에서 접합된 지지 기판(104) 및 밀봉 기재(105)를, 밀봉재(106)를 통해 일체화한다. 이러한 밀봉법을 이용함으로써, 공정의 간이화를 실현하면서, 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다. 이로써 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105)의 접착 면적의 저하에 의한 접착 불량이나, 광 전달 효율의 저하를 방지할 수 있다. Thus, according to the manufacturing method of the self-light emitting panel 100 of this embodiment, the sheet-shaped sealing material 106 and the support substrate 104 are bonded together so that the self-light emitting element 103 may be sealed by a 1st bonding process, The support substrate 104 with which the sealing material 106 was bonded by the 2 bonding process, and the sealing base material 105 were bonded together in the pressure reduction state via the sealing material 106, and the support substrate bonded by the 2nd bonding process by the integration process. The 104 and the sealing base material 105 are integrated through the sealing material 106. By using such a sealing method, generation | occurrence | production of the bubble between the sealing material 106 and the sealing base material 105 can be prevented, realizing the process simplified. Thereby, the adhesion failure by the fall of the adhesion area of the sealing material 106 and the sealing base material 105, and the fall of light transmission efficiency can be prevented.

그리고 제2 접합 공정에서 지지 기판(104)과 밀봉재(106)를 밀착하는 방향으로 가압함으로써, 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105)를 접합시킨 직후에 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에 기포가 생긴 경우에도, 그 기포를 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이로부터 밖으로 압출할 수 있다. Then, in the second bonding step, the supporting substrate 104 and the sealing member 106 are pressed in the direction of close contact, so that the sealing member 106 and the sealing substrate 105 are bonded immediately after the sealing member 106 and the sealing substrate 105 are bonded together. Even in the case where bubbles are generated, the bubbles can be extruded out from between the sealing material 106 and the sealing substrate 105.

도 5a는 지지 기판에 대하여 밀봉 기재를 기울인 상태에서 접합시킬 때의 측면도이며, 도 5b는 지지 기판에 밀봉 기재(105)를 접합시킨 상태를 도시하는 측면도이다. 도 5a에 도시한 바와 같이, 지지 기판(104)에 대하여 밀봉 기재(105)를 기울인 상태로 해서 단부에서부터 서서히 접합시켜 가는 경우, 밀봉재(106)가 한쪽에서 다른 쪽을 향하여 눌러지면서 접합이 행해진다. 이 때문에 도 5b에 도시한 바와 같이, 밀봉재(106)가 왜곡되어 밀봉재(106)의 표면에 요철이 생겨 기포(501)가 발생하는 것이 있다. FIG. 5A is a side view when the sealing substrate is bonded to the supporting substrate in an inclined state, and FIG. 5B is a side view illustrating the sealing substrate 105 bonded to the supporting substrate. As shown in FIG. 5A, in the case where the sealing substrate 105 is inclined with respect to the supporting substrate 104 and gradually joined from the end portion, bonding is performed while the sealing material 106 is pressed from one side to the other. . For this reason, as shown in FIG. 5B, the sealing material 106 may be distorted, and unevenness may generate | occur | produce on the surface of the sealing material 106, and the bubble 501 may generate | occur | produce.

이에 대해 본 실시예의 제2 접합 공정에서는 서로 접합되는 면(201, 202)이 평행하게 되고 또한 대향하도록 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 유지하면서, 대향하는 면(201, 202)이 접근하는 방향으로 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시키도록 하고 있다. 이에 따라, 밀봉재(106)에 왜곡을 생기게 하는 일이 없기 때문에, 밀봉재(106)의 표면에 요철이 생기는 것을 방지하여 감압 상태에서의 접합에 의해 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. In contrast, in the second bonding step of the present embodiment, the facing surfaces 201 and 202 are held while the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are held so that the surfaces 201 and 202 joined to each other are parallel to and face each other. The supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are bonded to each other in the approaching direction. As a result, since the distortion is not caused to the sealing material 106, the unevenness is prevented from occurring on the surface of the sealing material 106, and the bonding material between the sealing material 106 and the sealing base material 105 is joined by the bonding under reduced pressure. The generation of bubbles can be prevented more reliably.

도 5c는 지지 기판에 대하여 밀봉 기재를 접합시킨 다른 상태를 도시하는 측면도이다. 도 5a에 도시한 바와 같이, 지지 기판(104)에 대하여 밀봉 기재(105)를 기울인 상태로 해서 단부로부터 서서히 접합시켜 가면, 도 5c에 도시한 바와 같이, 밀봉재(106)의 두께가 패널 단부와 중앙부에서 다른 경우가 있다. 1개의 자체 발광 패널(100)에서 밀봉재(106)의 두께가 장소에 따라 다르면, 발광 성능이 장소에 따라 다르게 되고 나아가서는 자체 발광 패널(100)의 품질 저하의 원인이 된다. 5C is a side view illustrating another state in which a sealing substrate is bonded to a supporting substrate. As shown in FIG. 5A, when the sealing substrate 105 is inclined with respect to the supporting substrate 104 and gradually joined from the end, as shown in FIG. 5C, the thickness of the sealing material 106 is determined by the panel end. There is a different case in the center. If the thickness of the sealing material 106 in one self-luminous panel 100 varies from place to place, the light-emitting performance varies from place to place, and thus, the quality of the self-luminous panel 100 is degraded.

이에 대해 본 실시예의 제2 접합 공정에서는 서로 접합되는 면(201, 202)이 평행하게 되고 또한 대향하도록 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 유지하면서, 대향하는 면(201, 202)이 접근하는 방향으로 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킴으로써 밀봉재(106)의 두께를 자체 발광 패널(100) 전체에 걸쳐 균일하게 할 수 있다. In contrast, in the second bonding step of the present embodiment, the facing surfaces 201 and 202 are held while the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 are held so that the surfaces 201 and 202 joined to each other are parallel to and face each other. By bonding the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 in the approaching direction, the thickness of the sealing member 106 can be uniformed over the entire self-light emitting panel 100.

그런데, 지지 기판(104)에 대하여 밀봉 기재(105)를 단부로부터 서서히 접합시키기 위해서, 밀봉 기재(105)를 휘게 하면서 행하는 방법이 있지만, 이 방법을 이용하여 대형의 자체 발광 패널(100)을 제조하기 위해서는 대형화된 밀봉 기재(105)를 휘게 하기 위한 대규모의 접합용 장치가 필요해지거나, 대형화된 밀봉 기 재(105)를 휘게 하기 위해서 밀봉 기재(105)가 파손되는 것이 염려된다. By the way, in order to bond the sealing base material 105 to the support substrate 104 gradually from an end part, there exists a method of carrying out bending the sealing base material 105, but the large size self-luminous panel 100 is manufactured using this method. In order to do so, a large-scale bonding apparatus for bending the enlarged sealing substrate 105 is required or the sealing substrate 105 is broken in order to bend the enlarged sealing substrate 105.

이에 대해 본 실시예의 제조 방법은 밀봉 기재(105)에 휘어짐을 발생시키는 일 없이 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킬 수 있기 때문에, 예컨대 대형 텔레비젼 등의 대형 자체 발광 패널(100)을 제조하는 경우에도, 사이즈가 큰 밀봉 기재(105)를 휘게 하기 위한 대규모의 접합용 장치를 불필요하게 할 수 있다. 또한, 사이즈가 큰 밀봉 기재(105)를 휘게 함으로써 밀봉 기재(105)의 파손을 염려하는 일없이 품질이 양호한 자체 발광 패널(100)을 제조할 수 있다. On the other hand, since the manufacturing method of the present embodiment can bond the supporting substrate 104 and the sealing substrate 105 without causing warpage to the sealing substrate 105, for example, the large-sized light emitting panel 100 of a large-sized television or the like. Even in the case of manufacturing the substrate, a large-scale bonding apparatus for bending the large-size sealing substrate 105 can be unnecessary. In addition, by bending the sealing substrate 105 having a large size, the self-luminous panel 100 having good quality can be manufactured without fear of damage to the sealing substrate 105.

즉, 본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 의하면, 제조하는 자체 발광 패널(100)의 사이즈에 좌우되는 일 없이 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105) 사이에서의 기포의 발생을 방지하여 품질이 양호한 자체 발광 패널(100)을 얻을 수 있다. 또, 제조 방법으로서는 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 평행하게 접합시키는 제조 방법에 한정되는 것이 아니라, 밀봉 기재(105)를 휘게 하여 자체 발광 패널(100)을 제조하는 방법도 포함하여 공지된 각종 기술을 이용하는 것이 가능하다. That is, according to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of this embodiment, generation | occurrence | production of the bubble between the sealing material 106 and the sealing base material 105 is prevented, without being influenced by the size of the self-luminous panel 100 to manufacture. The self-luminous panel 100 of high quality can be obtained. In addition, the manufacturing method is not limited to the manufacturing method of bonding the support substrate 104 and the sealing substrate 105 in parallel, but also includes a method of manufacturing the self-luminous panel 100 by bending the sealing substrate 105. It is possible to use various known techniques.

본 실시예에서는 열 경화형 수지로 형성된 밀봉재(106)를 이용함과 함께, 일체화 공정에서는 감압 상태에서 밀봉재(106)를 가열하고 있다. 이에 따라 열 경화에 있어서 밀봉재(106)를 형성하는 수지 중으로부터 발생하는 특정 가스 성분을 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이로부터 밖으로 빼낼 수 있기 때문에, 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. In the present embodiment, the sealing material 106 formed of a thermosetting resin is used, and the sealing material 106 is heated at a reduced pressure in the integration step. Thereby, since the specific gas component which generate | occur | produces in resin which forms the sealing material 106 in thermosetting can be taken out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105, the sealing material 106 ) And the generation of bubbles between the support substrate 104 or the sealing substrate 105 can be more reliably prevented.

그리고 이 일체화 공정에 있어서, 밀봉재(106)로부터 배출되는 특정 가스 성 분이 규정량 이하가 된 이후에는 대기압으로 함으로써 밀봉재(106)에 대하여 양호하게 열전도 할 수 있다. 즉, 감압 상태에서는 지지 기판(104)이나 밀봉 기재(105)에 열원을 직접 접촉시켜야 하지만, 대기압으로 함으로써 자체 발광 패널(100) 주위의 기체(공기나 불활성 가스)를 통해 열 전도함으로써 밀봉재(106)를 가열할 수 있어 효율적으로 가열할 수 있다. 나아가서는 가열을 위해 에너지를 과도하게 소비하는 것을 방지하여 제조 비용의 상승을 억제할 수 있다. And in this integration process, after the specific gas component discharged | emitted from the sealing material 106 becomes below a prescribed amount, it can be made thermally favorable with respect to the sealing material 106 by setting it as atmospheric pressure. That is, although the heat source should be in direct contact with the supporting substrate 104 or the sealing substrate 105 in a depressurized state, the sealing material 106 is formed by heat conduction through the gas (air or inert gas) around the self-light emitting panel 100 by bringing it into atmospheric pressure. ) Can be heated and can be efficiently heated. Furthermore, excessive consumption of energy for heating can be prevented, thereby increasing the manufacturing cost.

도 6은 특정 성분 가스량의 시간에 따른 변화를 나타낸 도표이다. 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 접합시킨 후 열원에 접촉시킨 경우에 밀봉재(106)로부터 배출되는 특정 성분 가스량의 시간에 따른 변화를 나타내고 있다. 특정 성분 가스량의 시간에 따른 변화의 측정에 있어서는 우선, 40℃ 정도로 설정된 열원에 자체 발광 패널(100)에서의 지지 기판(104)을 접촉시킨다. 접촉시킨 직후에 배출되는 가스량을 1.0, 시간을 0으로 정의한다. 도 6에서는 시간 0으로부터 열원의 온도를 밀봉재의 경화 온도 100℃ 정도까지 올려 밀봉재의 경화 온도로 유지했을 때에 검출된 가스량의 시간에 따른 변화를 나타내고 있다. 도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 밀봉재(106)로부터 배출되는 특정 성분 가스량은 일정 기간 상승하여 피크점인 10분을 넘긴 후 서서히 저하하고, 40분 이후에는 거의 일정량이 된다. 6 is a chart showing the change over time of a specific component gas amount. When the support substrate 104 and the sealing base material 105 are bonded to each other and brought into contact with a heat source, a change in time of the specific component gas discharged from the sealing material 106 is shown. In the measurement of the change over time of the specific component gas amount, the support substrate 104 in the self-luminous panel 100 is first brought into contact with a heat source set at about 40 ° C. The amount of gas discharged immediately after contacting is defined as 1.0 and the time is defined as 0. In FIG. 6, the time-dependent change of the amount of gas detected when the temperature of the heat source was raised to the curing temperature of the sealing material to about 100 degreeC of the sealing material from time 0 is shown. As can be seen from FIG. 6, the amount of the specific component gas discharged from the sealing member 106 rises for a period of time and gradually decreases after exceeding the peak point of 10 minutes, and after 40 minutes, becomes almost a constant amount.

본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 의하면, 예컨대 특정 성분 가스량이 피크가 되는 10분 혹은 10∼40분까지 사이는 감압 상태로 함으로써 열 경화 반응에 의해 밀봉재(106)로부터 발생하는 특정 가스 성분을 외부로 배출함과 함께, 그 이후에는 대기압으로 함으로써 열원으로부터의 열을 자체 발광 패널(100) 전체에 효율적으로 전도하여 양호한 열 경화 반응을 행하게 할 수 있다. According to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of this embodiment, the specific substance which generate | occur | produces from the sealing material 106 by the thermosetting reaction by making it into the pressure reduction state for 10 minutes or 10 to 40 minutes when the amount of a specific component gas becomes a peak, for example By discharging the gas component to the outside and then setting it to atmospheric pressure, it is possible to efficiently conduct heat from the heat source to the entire self-luminous panel 100 and to perform a good thermosetting reaction.

일체화 공정은 감압 상태에서 행하는 것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 열 경화형 수지로 형성된 밀봉재(106)를 이용함과 함께, 일체화 공정에서는 대기압으로 설정된 불활성 가스 중에서 밀봉재(106)를 가열함으로써 자체 발광 소자(103)가 완전히 밀봉되기 전에 산소나 물 등이 들어가 자체 발광 소자(103)의 발광 성능을 저하시키는 것을 방지할 수 있다. The integration process is not limited to being carried out in a reduced pressure state. For example, the sealing material 106 formed of a thermosetting resin is used, and in the integration process, the self-light emitting element 103 is heated by heating the sealing material 106 in an inert gas set to atmospheric pressure. It is possible to prevent oxygen, water, or the like from entering the light emitting device before it is completely sealed to lower the light emitting performance of the self-light emitting device 103.

마찬가지로 일체화 공정은 감압 상태에서 행하는 것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 열 경화형 수지로 형성된 밀봉재(106)를 이용함과 함께, 일체화 공정에서는 감압 상태로 설정된 불활성 가스 중에서 밀봉재(106)를 가열함으로써 열 경화에 있어서 밀봉재(106)를 형성하는 수지 중으로부터 발생하는 특정 가스 성분을 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이로부터 밖으로 빼낼 수 있기 때문에, 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이에서의 기포의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. Similarly, the integration step is not limited to the one carried out in a reduced pressure state. For example, the sealant 106 formed of a thermosetting resin is used, and in the integration step, the sealant 106 is heated in an inert gas set in a reduced pressure state. Since the specific gas component which arises from the resin which forms the sealing material 106 can be taken out from between the sealing material 106 and the support substrate 104 or the sealing base material 105, the sealing material 106 and the support substrate 104 ) Or the occurrence of bubbles between the sealing substrate 105 can be more reliably prevented.

또한, 일체화 공정에서 지지 기판(104)과 밀봉 기재(105)를 밀착하는 방향으로 가압함으로써, 열 경화에 있어서 밀봉재(106)를 형성하는 수지 중으로부터 발생한 특정 가스 성분이 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 혹은 밀봉 기재(105)와의 사이로부터 밖으로 빠져나가기 위해 통과한 경로가 경화 도중의 밀봉재(106)에 형성된 경우에도 이 경로를 압착할 수 있기 때문에, 밀봉재(106)에 특정 가스 성분이 통과한 경로(패스)가 남는 것을 방지할 수 있다. In addition, in the integration step, by pressing the support substrate 104 and the sealing substrate 105 in a close contact with each other, a specific gas component generated from the resin forming the sealant 106 in the thermal curing is caused by the sealing member 106 and the support substrate. Since the path can be compressed even when the path that passes through the 104 or the sealing substrate 105 to escape out is formed in the sealing material 106 during curing, the specific gas component passes through the sealing material 106. One path can be prevented from remaining.

덧붙여 본 실시예의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 의하면, 제1 접합 공정을 감압 상태에서 행함으로써 지지 기판(104)과 밀봉재(106) 사이에서의 기포의 발생을 방지할 수 있다. 제1 접합 공정은 감압 상태에서 행하는 것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 제1 접합 공정을 대기압으로 설정된 불활성 가스 중에서 행한 경우에는 지지 기판(104)과 밀봉재(106) 사이에 산소나 물 등이 들어가 자체 발광 소자(103)의 발광 성능을 저하시키는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the manufacturing method of the self-luminous panel 100 of a present Example, generation | occurrence | production of the bubble between the support substrate 104 and the sealing material 106 can be prevented by performing a 1st bonding process in a reduced pressure state. The first bonding step is not limited to the one carried out under reduced pressure. For example, when the first bonding step is performed in an inert gas set to atmospheric pressure, oxygen, water, or the like enters between the supporting substrate 104 and the sealing member 106 to emit light by itself. It is possible to prevent the light emission performance of the element 103 from being lowered.

이 밖에 예컨대 제1 접합 공정을 음압 상태로 설정된 불활성 가스 중에서 행한 경우에는 밀봉재(106)와 지지 기판(104) 사이에 산소나 물 등을 함유하는 기포의 발생을 방지할 수 있어, 기포에 함유된 산소나 물 등에 의해 자체 발광 소자(103)의 발광 성능이 열화되는 것을 방지할 수 있다. In addition, in the case where the first bonding step is performed in an inert gas set in a negative pressure state, for example, bubbles between oxygen and water can be prevented from occurring between the sealing material 106 and the supporting substrate 104, and the bubbles contained in the bubbles can be prevented. It is possible to prevent the light emitting performance of the self-light emitting element 103 from deteriorating due to oxygen or water.

자체 발광 패널(100)의 제조는 일관적으로 동일한 작업 공간 내에서 행하더라도 좋고, 공정마다 작업 공간을 다르게 하더라도 좋지만, 작업 공간을 다르게 하기 위해 반송하는 것에 의해 이물 혼입 등이 염려되므로 제1 및 제2 접합 공정까지는 동일한 작업 공간에서 행하고, 일체화 공정을 별도의 작업 공간에서 행하는 것이 바람직하다. 자체 발광 패널(100)의 제조에 있어서는, 예컨대 불활성 가스로 채워진 대기압 하의 실내에서 밀봉재(106)를 지지 기판(104)에 접합시킨 후 작업 공간 내를 가압하여 밀착을 강화하는 등과 같이, 동일한 작업 공간 내의 압력을 바꾸도록 하더라도 좋다. The manufacturing of the self-luminous panel 100 may be performed in the same working space consistently, or the working space may be different for each process. It is preferable to perform in a same work space until 2 joining processes, and to perform an integration process in a separate work space. In the manufacture of the self-luminous panel 100, the same working space, for example, bonding the sealant 106 to the support substrate 104 in a room under atmospheric pressure filled with an inert gas and then pressurizing the inside of the working space to enhance the adhesion. The internal pressure may be changed.

또, 본 실시예에서는 자체 발광 소자(103)가 마련된 지지 기판(104)에 밀봉재를 접합시키고, 그 후 밀봉 기재(105)를 접합시키도록 했지만, 자체 발광 패널(100)의 제조 방법은 이 공정 순서에 한정되는 것이 아니며, 밀봉재(106)를 밀봉 기재(105)에 접합시킨 후에 자체 발광 소자(103)가 마련된 지지 기판(104)을 접합시키도록 하더라도 좋다. 이 경우, 밀봉 기재(105)와 지지 기판(104)을 감압 상태에서 접합시킴으로써 전술과 동일한 효과를 얻을 수 있다. In the present embodiment, the sealing material is bonded to the supporting substrate 104 on which the self-light emitting element 103 is provided, and then the sealing substrate 105 is bonded to each other. However, the manufacturing method of the self-light emitting panel 100 is performed in this step. It is not limited to the order, You may make it adhere | attach the support substrate 104 provided with the self-light emitting element 103 after bonding the sealing material 106 to the sealing base material 105. In this case, the same effects as described above can be obtained by bonding the sealing substrate 105 and the supporting substrate 104 in a reduced pressure state.

(구체예)(Example)

이하에, 본 발명의 구체예로서의 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 또, 본 발명의 구체예에 따른 자체 발광 패널(100)은 전술한 도 1에 도시하는 자체 발광 패널(100)과 동일한 구조이기 때문에 도시를 생략한다. Hereinafter, the manufacturing method of the self-emission panel 100 as a specific example of this invention is demonstrated. In addition, since the self-luminous panel 100 which concerns on the specific example of this invention is the same structure as the self-luminous panel 100 shown in FIG. 1 mentioned above, illustration is abbreviate | omitted.

(구체예 1)(Example 1)

본 발명의 구체예 1에서는 지지 기판(104)으로서 유리 기판을 이용했다. 이후, 이 유리 기판에는 부호 104를 붙여 설명한다. 본 구체예 1에서의 자체 발광 패널(100)의 제조에 있어서는 우선, 전처리 공정을 행한다. 전처리 공정에서는 유리 기판(104) 상에 투명하고 또한 도전성을 갖는 인듐 주석 산화막(ITO)을 스퍼터법을 이용하여 성막한다. 계속해서, 성막한 ITO에 대하여 포토리소법을 이용하여 패터닝을 실시한다. 또한, 포지티브형 폴리이미드를 이용하여 ITO 상에 발광 영역을 미리 패터닝한다. 한편, 네가티브형 레지스트를 이용하여 절연막 상에 스핀코트법을 이용하여 성막, 패터닝하여 리브(rib)를 마련한다. 이어서, ITO 부착 유리 기판을 UV 오존 세정한다. 이로써 유리 기판(104) 상에 전극(양극)(101a)이 형성된다. In Embodiment 1 of the present invention, a glass substrate was used as the support substrate 104. Thereafter, this glass substrate is denoted by the reference numeral 104. In manufacture of the self-luminous panel 100 in this specific example 1, a pretreatment process is performed first. In the pretreatment step, a transparent and conductive indium tin oxide film (ITO) is formed on the glass substrate 104 by the sputtering method. Subsequently, patterning is performed on the film-formed ITO using the photolithographic method. In addition, the light emitting region is previously patterned on the ITO using positive polyimide. On the other hand, a film is formed and patterned by spin coating on the insulating film using a negative resist to form ribs. Subsequently, UV ozone cleaning of the glass substrate with ITO is carried out. As a result, an electrode (anode) 101a is formed on the glass substrate 104.

계속해서, 성막 공정을 행한다. 성막 공정에서는, 우선 10^-4 Pa까지 진공 배기한 진공 성막 장치 내에 전술한 전처리 공정 후의 유리 기판(104)을 반입한다. 이 유리 기판(104)에 대하여 정공 주입층으로서 CuPc를 50 nm의 두께로 적층하고, 정공 수송층으로서 NPD를 50 nm의 두께로 적층하며, 또한 백색 유기 EL층으로서 청색 발광층과 오렌지색 발광층을 적층시켰다. Then, a film forming process is performed. In the film-forming process, the glass substrate 104 after the above-mentioned preprocessing process is first carried in in the vacuum film-forming apparatus which evacuated to 10 <^-4> Pa. CuPc was laminated to the glass substrate 104 at a thickness of 50 nm as a hole injection layer, NPD was deposited at a thickness of 50 nm as a hole transport layer, and a blue light emitting layer and an orange light emitting layer were laminated as a white organic EL layer.

백색 유기 EL층의 적층에 있어서는, 우선 청색 발광층을 적층한다. 본 구체예에서는 호스트재로서의 DPVBi에 대하여 도펀트로서의 BCzVBi를 1 중량% 혼합한 청색 발광층을 공증착에 의해 50 nm의 두께로 성막했다. 또한, 본구체예에서는 호스트재로서의 Alq₃에 대하여 도펀트로서의 DCM을 1 중량% 혼합한 오렌지색 발광층을 공증착에 의해 50 nm의 두께로 성막했다. In lamination of the white organic EL layer, first, the blue light emitting layer is laminated. In this embodiment, a blue light emitting layer in which 1 wt% of BCzVBi as a dopant was mixed with DPVBi as a host material was deposited to a thickness of 50 nm by co-deposition. In the present embodiment, an orange light-emitting layer in which 1 wt% of DCM as a dopant was mixed with Alq ₃ as a host material was deposited to a thickness of 50 nm by co-deposition.

또한, 성막 공정에서는 백색 유기 EL층의 위쪽에, 전자 수송층으로서 Alq₃를 20 nm의 두께로 적층하고, 음극으로서 Al을 150 nm의 두께로 증착에 의해 적층했다. 이로써 전극(양극)(101a) 상에 발광층(103)인 유기 EL층은 형성된다. In the film forming step, Alq ₃ was deposited to a thickness of 20 nm as an electron transporting layer on top of the white organic EL layer, and Al was deposited to a thickness of 150 nm as a cathode. Thereby, the organic EL layer which is the light emitting layer 103 is formed on the electrode (anode) 101a.

성막 공정을 거친 유리 기판(104)을 진공으로 된 챔버로부터 진공으로 된 밀봉실로 반송한다. 또, 밀봉실을 포함한, 자체 발광 패널(100)의 제조에 있어서 이용하는 각 장치에 대해서는 공지된 기술이기 때문에 여기서는 도시 및 설명을 생략한다. The glass substrate 104 which passed through the film-forming process is conveyed from the vacuum chamber to the vacuum sealing chamber. In addition, since it is a well-known technique about each apparatus used in manufacture of the self-luminous panel 100 containing a sealing chamber, illustration and description are abbreviate | omitted here.

또한, 유리 기판(104)을 밀봉실 내에 반송할 때까지, 이 밀봉실 내에는 밀봉재(106)와 밀봉 기재(105)를 반입해 둔다. 본 구체예에서는 밀봉재(106)로서 에폭시 수지로 형성된 35 ㎛ 두께의 필름을 이용하고, 밀봉 기재(105)로서 0.7 mm의 두께의 유리 기판(밀봉용 유리 기판)을 이용했다. 이후, 밀봉용 유리 기판에는 부호 105를 붙여 설명한다. Moreover, the sealing material 106 and the sealing base material 105 are carried in in this sealing chamber until the glass substrate 104 is conveyed in the sealing chamber. In this embodiment, a 35-micrometer-thick film formed of an epoxy resin was used as the sealing material 106, and a glass substrate (glass substrate for sealing) having a thickness of 0.7 mm was used as the sealing substrate 105. Subsequently, reference numeral 105 is given to the glass substrate for sealing and described.

그리고 밀봉용 유리 기판(105)에 대하여 밀착면에 기포가 혼입하지 않도록 밀봉재(106)로서의 필름을 라미네이터를 이용하여 접합시킨다. 이후, 필름에는 부호 106을 붙여 설명한다. 또, 밀봉용 유리 기판(105)과 밀봉재(106)의 접합은 라미네이터의 롤 온도를 90℃로 설정하여 이루어졌다. 필름(106)과 밀봉용 유리 기판(105)을 접합시킨 후에는 기판 온도가 40℃가 되도록 기판 스테이지 온도를 설정하여 밀봉실 내의 N₂가스를 배기하고 10^-2 Pa까지 감압한다. 또, 감압을 마친 단계에서는 필름(106)과 밀봉용 유리 기판(105)과의 밀착면 내에는 기포가 없는 것을 눈으로 확인했다. And the film as the sealing material 106 is bonded together using a laminator so that a bubble may not mix in the adhesion surface with respect to the sealing glass substrate 105. FIG. Thereafter, the film is denoted by reference numeral 106 and described. In addition, the bonding of the sealing glass substrate 105 and the sealing material 106 was performed by setting the roll temperature of a laminator to 90 degreeC. After the film 106 and the sealing glass substrate 105 are bonded together, the substrate stage temperature is set such that the substrate temperature is 40 ° C, the N ₂ gas in the sealing chamber is exhausted, and the pressure is reduced to 10 ^-2 Pa. Moreover, it confirmed visually that there was no bubble in the contact surface between the film 106 and the sealing glass substrate 105 in the step which completed pressure reduction.

감압 상태에서 필름(106)과 성막면이 대향하도록 밀봉용 유리 기판(105)과 성막 공정을 거친 유리 기판(104)을 중첩시켜 일체화시킨다. 또, 일체화에 있어서는 전용의 접합 장치를 이용했다. 이 접합 장치는 공지된 각종 접합 장치를 사용하는 것이 가능하며, 본 구체예 1에서는 설명을 생략한다. The sealing glass substrate 105 and the glass substrate 104 which went through the film-forming process are superimposed and integrated so that the film 106 and a film-forming surface may face in a reduced pressure state. Moreover, in the integration, the exclusive bonding apparatus was used. This bonding apparatus can use well-known various bonding apparatuses, and description is abbreviate | omitted in this specific example 1. As shown in FIG.

일체화시킨 후, 진공으로부터 10 Pa까지 압력을 올리고 또한 90℃까지 온도를 높여 음압 상태에서 양 기판만을 가압한다. 이 가압을 끝낸 단계에서 밀봉용 유리 기판(105)과 성막 공정을 거친 유리 기판(104)과의 밀착면 내에는 기포가 없는 것을 눈으로 확인했다. After integration, the pressure is raised from vacuum to 10 Pa and the temperature is raised to 90 ° C. to press only the positive substrate in a negative pressure state. It confirmed visually that there was no bubble in the contact surface between the glass substrate 105 for sealing and the glass substrate 104 which went through the film-forming process at the stage of this pressurization.

다음에, 일체화시킨 유기 EL 표시 장치를 핫 플레이트가 마련되는 가열용 챔버로 반송한다. 반송 후, 가열용 챔버 내를 배기하여 10^-4 Pa의 진공 상태까지 감압 한다. 진공 상태에 도달하면, 100℃로 안정시킨 핫 플레이트에 밀봉용 유리 기판(105)을 접촉시키고 필름(106)을 가열하여 충분히 필름(106)의 탈기 및 경화를 행한다. 필름(106)의 탈기 및 경화가 완료되면, 핫 플레이트로부터 자체 발광 패널(100)을 이탈시킨다. 이 자체 발광 패널(100)을 충분히 냉각하고, 그 후 자체 발광 패널(100)을 가열용 챔버로부터 밀봉실로 반송한다. 그리고 밀봉실에서 밀봉 불량이 없는 것을 확인한 자체 발광 패널(100)을 대기중으로 추출했다. Next, the integrated organic EL display device is conveyed to a heating chamber in which a hot plate is provided. After conveyance, the inside of a heating chamber is evacuated and pressure-reduced to the vacuum state of ^10-4 Pa. When the vacuum state is reached, the sealing glass substrate 105 is brought into contact with the hot plate stabilized at 100 ° C, and the film 106 is heated to sufficiently degas and harden the film 106. When the degassing and curing of the film 106 is completed, the self-luminous panel 100 is separated from the hot plate. This self-luminous panel 100 is fully cooled, and the self-luminous panel 100 is conveyed from a heating chamber to a sealing chamber after that. And the self-luminous panel 100 which confirmed that there was no sealing failure in the sealing chamber was taken out to air | atmosphere.

본 구체예 1에서는 전술된 바와 같이 제조함으로써 기포의 발생이 없고 발광 성능이 양호한 자체 발광 패널(100)을 얻을 수 있었다. In the first embodiment, the self-light emitting panel 100 having no light bubbles and good light emission performance was obtained by manufacturing as described above.

(구체예 2)(Example 2)

본구체예 2에서는 액티브 패널 중의 하부 방출(Bottom Emission) 구조를 갖는 자체 발광 패널(100)에 대해서 설명한다. 또, 전술한 구체예 1과 동일 부분에 대해서는 설명을 생략한다. 이하의 구체예에 대해서도 마찬가지로 한다. In Embodiment 2, the self-luminous panel 100 having a bottom emission structure in the active panel will be described. In addition, description is abbreviate | omitted about the part similar to the specific example 1 mentioned above. The same applies to the following specific examples.

본 발명의 구체예 2에서는, 우선 유리 기판(104) 상에 고상 성장법에 의해 다결정 실리콘 박막을 형성하고, 이 다결정 실리콘 박막을 섬 형상으로 가공하여 실리콘 활성층을 형성했다. 이 실리콘 활성층 위에 SiO₂에 의해 형성되는 게이트 절연막과, Al에 의해 형성되는 게이트 전극을 형성했다. 다음에, 실리콘 활성층에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 채널 형성 영역, 드레인 영역을 형성했다. 이들의 상부 전면에 SiO₂의 층 사이 절연막을 형성했다. 그리고 층 사이 절연막에 유기 EL 발광의 개구부가 되는 부분을 에칭 처리로써 개구하고, ITO의 화소 전극(하부 전극) 을 스퍼터법으로써 성막했다. In the specific example 2 of this invention, the polycrystalline silicon thin film was formed on the glass substrate 104 by the solid-phase growth method first, and this polycrystalline silicon thin film was processed into island shape, and the silicon active layer was formed. A gate insulating film formed of SiO ₂ and a gate electrode formed of Al were formed on the silicon active layer. Next, an impurity was doped into the silicon active layer to form a source region, a channel formation region, and a drain region. The upper front thereof to form the insulating film between layers of SiO _2. And the part used as the opening part of organic electroluminescent light emission was opened to the insulating film between layers by the etching process, and the pixel electrode (lower electrode) of ITO was formed into a film by the sputtering method.

다음에, 질화티탄막을 100 nm의 두께로 성막했다. 이것을 에칭 처리하고, 소스 영역과 드레인 영역의 ITO에 접속하는 부분에 질화티탄막으로 이루어지는 배리어 메탈과 밀착용 금속을 동시에 형성했다. 계속해서, Al막을 600 nm의 두께로 성막하고, 이 Al막에 대하여 에칭 처리를 실시하여 소스 전극 및 드레인 전극의 Al 배선을 형성했다. 그 후 TFT를 피복하도록 SiO₂의 보호막을 형성했다. 이후, 구체예 1과 동일한 제조 프로세스에 의해 유리 기판(104) 상의 전극(101a) 상면에 유기 EL 소자를 형성하고 밀봉을 행했다. Next, a titanium nitride film was formed to a thickness of 100 nm. This was etched to simultaneously form a barrier metal made of a titanium nitride film and an adhesion metal at portions connected to ITO in the source region and the drain region. Subsequently, an Al film was formed to a thickness of 600 nm, and the Al film was etched to form Al wirings of the source electrode and the drain electrode. Thereafter, a protective film of SiO ₂ was formed to cover the TFT. Thereafter, an organic EL device was formed on the upper surface of the electrode 101a on the glass substrate 104 by the same manufacturing process as in Example 1 and sealed.

본 구체예 2에서는 전술한 바와 같이 제조함으로써, 기포의 발생이 없고 발광 성능이 양호한 자체 발광 패널(100)을 얻을 수 있었다. In the second specific example, the self-light emitting panel 100 having no light bubbles and good light emission performance was obtained by manufacturing as described above.

(구체예 3)(Example 3)

본 구체예 3에서는 액티브 패널 중의 상부 방출(Top Emission) 구조를 갖는 자체 발광 패널(100)에 대해서 설명한다. In Embodiment 3, the self-luminous panel 100 having a top emission structure in the active panel will be described.

본 발명의 구체예 3에서는 층 사이 절연막 상에 Cr에 의해 형성되는 반사층과 ITO에 의해 형성되는 양극(화소 전극)으로서의 전극(101a)을 적층시킨 것 및 음극으로서의 전극(101b)은 Al막 두께를 2 nm으로 하여 스퍼터법에 의해 IZO를 적층한 것 이외에는 구체예 2와 동일하게 행했다. In Embodiment 3 of the present invention, the reflective layer formed by Cr and the electrode 101a as an anode (pixel electrode) formed by ITO are laminated on the insulating film between the layers, and the electrode 101b as the cathode has an Al film thickness. It carried out similarly to the specific example 2 except having laminated | stacked IZO by sputtering at 2 nm.

본 구체예 3에서는 전술된 바와 같이 제조함으로써, 기포의 발생이 없고 발광 성능이 양호한 자체 발광 패널을 얻을 수 있었다. In the third embodiment, by producing as described above, a self-luminous panel having no bubble generation and good light emission performance could be obtained.

(구체예 4)(Example 4)

본 구체예 4에서는 특정한 시간, 대기압 혹은 음압 상태에서 가열함으로써 탈기하고, 또한 가열 온도를 올리고 또한 진공 상태로 함으로써 완전히 탈기하며, 또한 경화했다. 구체적으로 본 구체예 4에서는 성막 공정을 거친 유리 기판(104)과 밀봉용 유리 기판(105)을 일체화시키는 공정까지는 전술한 구체예 2와 동일한 방법으로 행하고, 일체화시킨 유리 기판(104)과 밀봉용 유리 기판(105)을 가열용 챔버로 반송하여, 챔버의 분위기를 불활성 가스로 채우고 또한 챔버 내압을 약 10 Pa까지 배기한 후, 90℃로 안정화시킨 핫 플레이트에 밀봉용 유리 기판(105)을 면 접촉시킴으로써 필름(106)을 가열했다. In the present specific example 4, it degassed by heating at a specific time, atmospheric pressure, or negative pressure state, and further degassing and hardening | curing by raising heating temperature and making it into a vacuum state. Specifically, in the fourth specific example, the process of integrating the glass substrate 104 and the sealing glass substrate 105 which have undergone the film forming process is performed in the same manner as in the second specific example, and the integrated glass substrate 104 and the sealing are used. After conveying the glass substrate 105 to a heating chamber, filling the atmosphere of the chamber with an inert gas and evacuating the chamber internal pressure to about 10 Pa, the sealing glass substrate 105 is faced to a hot plate stabilized at 90 ° C. The film 106 was heated by contacting.

이어서 핫 플레이트의 온도를 120℃까지 서서히 승온시키면서, 챔버 내의 불활성 가스를 배기하여 내압이 10^-4 Pa가 될 때까지 감압했다. 10^-4 Pa의 진공 상태에 도달하여 충분히 경과한 후, 핫 플레이트로부터 자체 발광 패널(100)을 이탈시키고 충분히 냉각한 후에 밀봉실로 반송했다. 밀봉실에서 밀봉 불량이 없는 것을 확인한 후, 이 자체 발광 패널(100)을 대기 중으로 추출했다. Subsequently, the temperature of the hot plate was gradually raised to 120 ° C while exhausting the inert gas in the chamber and reducing the pressure until the internal pressure was 10 ^-4 Pa. After reaching a vacuum state of 10 ^-4 Pa and sufficiently passing, the self-luminous panel 100 was separated from the hot plate and sufficiently cooled, and then returned to the sealed chamber. After confirming that there was no sealing failure in the sealing chamber, the self-luminous panel 100 was extracted to the air.

본 구체예 4에서는 전술한 바와 같이 제조함으로써, 기포의 발생이 없고 발광 성능이 양호한 자체 발광 패널(100)을 얻을 수 있었다. In the fourth embodiment, the self-light emitting panel 100 having no light bubbles and good light emission performance was obtained by manufacturing as described above.

본 발명은 고체의 밀봉재를 이용함으로써 공정을 간이화하고 밀봉재와 밀봉 기재 사이에서의 기포 발생을 방지하는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of simplifying the process by using a solid sealing material and preventing bubble generation between the sealing material and the sealing substrate.

Claims

A self-light emitting element having a support substrate, a pair of electrodes formed on the support substrate and opposing each other, and a light emitting layer sandwiched between the pair of electrodes, and a sealing substrate facing the support substrate via the self-light emitting element. And a sealing material provided between the support substrate and the sealing substrate and sealing the self-luminous element,

A first bonding step of bonding the sealing member and the supporting substrate to seal the self-luminous element;

A second bonding step of bonding the supporting substrate to which the sealing material is bonded in the first bonding step and the sealing substrate in a reduced pressure state through the sealing material;

Integrating step of integrating the supporting substrate and the sealing substrate bonded in the second bonding step through the sealing material.

Method for producing a self-luminous panel comprising a.

A first bonding step of bonding the sealing material and the sealing substrate;

A second bonding step of bonding the sealing substrate and the supporting substrate on which the sealing material is bonded in the first bonding step in a reduced pressure state to seal the self-luminescent element through the sealing material;

Integrating step of integrating the support substrate and the sealing substrate bonded in the second bonding step through the sealing material.

Method for producing a self-luminous panel comprising a.

The method of manufacturing a self-luminous panel according to claim 1 or 2, wherein the second bonding step is pressed in a direction in which the supporting substrate and the sealing substrate are brought into close contact with each other.

The said 2nd bonding process is a support substrate of Claim 1 or 2 which hold | maintains the said support substrate and the said sealing base material so that the surfaces joined to each other may be parallel and opposed, and the said support substrate may be approached in the direction which the surfaces joined to each other approach. And the sealing substrate are bonded to each other.

The said sealing material is formed with the thermosetting resin hardened | cured by heating,

The said integration process is performed in a reduced pressure state, The manufacturing method of the self-luminous panel characterized by the above-mentioned.

The method of manufacturing a self-luminous panel according to claim 5, wherein the integration step is performed from a reduced pressure to atmospheric pressure after a specific gas component discharged from the sealing material becomes below a prescribed amount.

The integration process is performed in an inert gas set to atmospheric pressure.

The integration process is performed in an inert gas set in a reduced pressure state.

The method of manufacturing a self-luminous panel according to claim 5, wherein the integration step is pressed in a direction in which the support substrate and the sealing material are brought into close contact with each other.

The method of manufacturing a self-luminous panel according to claim 1 or 2, wherein the first bonding step is performed under reduced pressure.

The method of manufacturing a self-luminous panel according to claim 1 or 2, wherein the first bonding step is performed in an inert gas set at atmospheric pressure.

The method of manufacturing a self-luminous panel according to claim 1 or 2, wherein the first bonding step is performed in an inert gas set in a reduced pressure state.

The method for producing a self-luminous panel according to claim 1 or 2, wherein the self-luminous element is an organic EL element.