KR20060071010A - 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치 - Google Patents

광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치 Download PDF

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KR20060071010A
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Abstract

광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 제공한다. 상기 노광장치는 레티클(Reticle)을 구비한다. 상기 레티클의 상부 또는 하부에 마스킹 블레이드(Masking blade)가 배치된다. 상기 마스킹 블레이드 하부에 상기 레티클 및 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지할 수 있는 광 감지센서 시스템이 배치된다. 상기 광 감지센서 시스템은 상기 레티클 및 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것이 바람직하다.
광 감지센서 시스템, 마스킹 블레이드, 레티클, 오버레이 현상

Description

광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치{Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device having light detect sensor system}
도 1a는 종래의 노광장치를 나타낸 개략도이다.
도 1b는 도 1a의 마스킹 블레이드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 2b는 도 2a의 레티클, 마스킹 블레이드 및 광 감지센서 시스템을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3b는 도 3a의 마스킹 블레이드, 레티클 및 광 감지센서 시스템을 설명하기 위한 사시도이다.
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치에 관한 것이다.
일반적으로 고집적 회로를 가지는 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer)를 가공 및 연마한 후, 그 실리콘 웨이퍼 상에 사진공정, 식각공정, 박막증착공정 및 확산공정 등 여러 가지 공정을 반복하여 소정 회로패턴을 갖는 박막을 복층으로 적층함으로써 제작된다.
이와 같은 공정 중에서 미리 설계된 회로패턴을 실리콘 웨이퍼 상에 찍는 공정을 포토리소그래피 공정이라고 하며, 이 포토리소그래피 공정은 크게 감광막 도포공정, 노광공정 및 현상공정으로 이루어진다.
이때, 노광공정은 광원으로부터 주사된 광이 패턴이 형성된 레티클(Reticle)과 광학계를 거치면서 감광막이 도포된 웨이퍼 상에 광학적으로 레티클의 패턴이 축소 전사되도록 하는 공정이다. 여기서 레티클은 이미 언급한 바와 같이 웨이퍼에 형성될 소자에 대한 한 층(Layer)의 패턴이 석영기판에 크롬(Chrome)으로 형성되어 있다.
근래의 반도체 소자는 수십 층의 다층 박막으로 이루어짐에 따라 레티클도 하나의 반도체 소자를 제조하기 위하여 수십 개가 함께 사용된다. 그리고 이와 같이 다층으로 반도체 소자를 제조함에 따라 각층의 패턴이 정확하게 정렬되어 있는가를 검사하는, 즉 오버레이 메칭 상태를 검사하는 오버레이 검사가 필수적으로 동반된다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 종래의 노광장치에 대해 설명한다. 도 1a는 종래의 노광장치를 나타낸 개략도이며, 도 1b는 도 1a의 마스킹 블레이드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 노광장치는 반도체 웨이퍼(2)에 반도체 패턴을 형성하기 위한 광을 발생시키는 광 발생램프(3)가 배치된다. 상기 광 발생램프(3)에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈(4)가 배치된다. 상기 집광렌즈(4) 하부에 상기 반도체 패턴이 형성된 레티클(5)이 고정 설치되는 레티클 스테이지(6)가 배치된다. 상기 레티클 스페이지(6) 하부에는 상기 레티클(5) 상의 원하는 패턴 영역만 반도체 웨이퍼에 조사하기 위한 마스킹 블레이드(7)가 배치된다.
상기 마스킹 블레이드(7)는 도 1b에 나타낸바와 같이, X축의 좌, 우에 각각 제 1 X축 블레이드(x1) 및 제 2 X축 블레이드(x2)가 배치되며, Y축의 전, 후방에 각각 제 1 Y축 블레이드(y1) 및 제 2 Y축 블레이드(y2)가 배치된다. 상기 제 1,2 X축 블레이드(x1, x2) 및 제 1,2 Y축 블레이드(y1, y2)는 각각의 구동모터에 의해 움직이게 되며, 상기 레티클(5) 상의 원하는 패턴 영역을 오픈하기 위해 상기 제 1,2 X축 블레이드(x1, x2) 및 제 1,2 Y축 블레이드(y1, y2)를 각각 움직여 정사각형 또는 직사각형의 오픈영역(10)을 형성한다.
상기 마스킹 블레이드(7)의 하부에는 상기 반도체 웨이퍼(2)가 고정되는 웨이퍼 스테이지(8)가 배치된다. 상기 웨이퍼 스테이지(8)는 X축 또는 Y축 방향으로 움직일 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(8)와 상기 마스킹 블레이드(7) 사이에 상기 레티클(5)에 형성된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소하여 상기 반도체 웨이퍼(2)에 형성하기 위한 축소렌즈(9)가 배치된다.
상기와 같은 구조의 노광장치는 먼저, 상기 웨이퍼 스테이지(8)에 노광할 반도체 웨이퍼(2)를 고정한 후, 상기 레티클(5) 상에 원하는 부분만큼 상기 반도체 웨이퍼(2)에 조사하기 위한 상기 마스킹 블레이드(7)를 개방하여 상기 광 발생램프(3)의 광을 상기 반도체 웨이퍼(2)에 노광시킨다. 이어, 상기 웨이퍼 스테이지(8)를 X축 또는 Y축 상으로 이동시켜 반복적으로 노광시키게 된다. 그러나, 상기 종래기술에 따른 노광장치는 상기 마스킹 블레이드(7)를 통과한 상을 감지할 수 가 없어 실제로 렌즈에 투영되는 상의 위치 및 모양을 알 수 가 없다. 따라서, 상기 마스킹 블레이드(7)의 구동 불량 또는 다른 원인 등에 의해 상기 마스킹 블레이드(7)를 통과한 상이 원하는 위치에 정확히 조사되지 않을 경우, 이에 의해 레티클 전사 현상이나 오버레이(Over Lay) 현상이 발생하게 되어 상기 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 반도체 패턴의 불량을 초래하게 되는 문제점이 있다.
따라서, 노광공정에서 발생할 수 있는 레티클 전사 현상 및 오버레이 현상을 방지할 수 있는 노광장치에 대한 연구가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 노광공정에서 발생할 수 있는 레티클 전사 현상 및 오버레이 현상에 의한 반도체 패턴의 불량을 방지하기에 적합한 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예들은 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 제공한다. 상기 노광장치는 레티클(Reticle)을 구비한다. 상기 레티클의 상부 또는 하부에 마스킹 블레이드(Masking blade)가 배치된다. 상기 마스킹 블레이드 하부에 상기 레티클 및 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지할 수 있는 광 감 지센서 시스템이 배치된다.
상기 광 감지센서 시스템은 상기 레티클 및 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것이 바람직하다.
상기 광 감지센서 시스템은 적어도 하나의 발광부 및 상기 발광부 각각에 대응하는 수광부로 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들은 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 제공한다. 상기 노광장치는 광 발생램프 및 상기 광 발생램프에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈를 구비한다. 상기 집광렌즈 하부에 반도체의 패턴이 배치된 레티클이 위치한다. 상기 레티클이 고정 설치되고 X 또는 Y축 상으로 움직일 수 있는 레티클 스테이지가 배치된다. 상기 레티클 스테이지의 하부에 마스킹 블레이드가 배치된다. 상기 마스킹 블레이드의 하부에 웨이퍼 스테이지가 배치된다. 상기 웨이퍼 스테이지는 반도체 웨이퍼가 고정되고 또한 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지와 상기 마스킹 블레이드 사이에 축소렌즈가 배치된다. 상기 축소렌즈는 상기 레티클에 배치된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소한다. 상기 마스킹 블레이드와 상기 축소렌즈 사이에 광 감지센서 시스템이 배치된다. 상기 광 감지센서 시스템은 상기 마스킹 블레이드을 통과한 상을 감지할 수 있다.
상기 마스킹 블레이드는 상기 레티클 상의 원하는 부분만을 상기 반도체 웨이퍼에 조사하기 위하여 배치될 수 있다.
상기 광 감지센서 시스템은 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것이 바람직하다.
상기 광 감지센서 시스템은 적어도 하나의 발광부 및 상기 발광부 각각에 대응하는 수광부로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예들은 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 제공한다. 상기 노광장치는 광 발생램프 및 상기 광 발생램프에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈를 구비한다. 상기 집광렌즈 하부에 반도체의 패턴이 배치된 레티클이 위치한다. 상기 레티클이 고정 설치되고 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있는 레티클 스테이지가 배치된다. 상기 집광렌즈 및 상기 레티클 스테이지의 사이에 마스킹 블레이드가 배치된다. 상기 레티클 스테이지의 하부에 반도체 웨이퍼가 고정되고 또한 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있게 되어 있는 웨이퍼 스테이지가 배치된다. 상기 웨이퍼 스테이지와 상기 레티클 스테이지 사이에 축소렌즈가 배치된다. 상기 축소렌즈는 상기 레티클에 배치된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소하기 위한 것이다. 상기 레티클 스테이지와 상기 축소렌즈 사이에 광 감지센서 시스템이 배치된다. 이때, 상기 광 감지센서 시스템은 상기 마스킹 블레이드 및 상기 레티클을 통과한 상을 감지할 수 있다.
상기 마스킹 블레이드는 상기 광 발생램프에서 조사된 광을 상기 레티클 상의 원하는 부분에만 조사하기 위하여 배치되는 것이 바람직하다.
상기 광 감지센서 시스템은 상기 마스킹 블레이드 및 상기 레티클을 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것이 바람직하다.
상기 광 감지센서 시스템은 적어도 하나의 발광부 및 상기 발광부 각각에 대응하는 수광부로 구성될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 설명하기 위한 개략도이며, 도 2b는 도 2a의 레티클, 마스킹 블레이드 및 광 감지센서 시스템을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 노광장치는 반도체 웨이퍼(12)에 반도체 패턴을 형성하기 위한 광을 발생시키는 광 발생램프(13)가 배치된다. 상기 광 발생램프(13)에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈(14)가 배치된다. 상기 집광렌즈(14) 하부에 상기 반도체 패턴이 형성된 레티클(15)이 고정 설치되는 레티클 스테이지(16)가 배치된다. 상기 레티클 스페이지(16) 하부에는 상기 레티클(15)상의 원하는 패턴 영역만 반도체 웨이퍼에 조사하기 위한 마스킹 블레이드(17) 가 배치된다.
상기 마스킹 블레이드(17)의 하부에는 상기 반도체 웨이퍼(12)가 고정되는 웨이퍼 스테이지(18)가 배치된다. 상기 웨이퍼 스테이지(18)는 X축 또는 Y축 방향으로 움직일 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(18)와 상기 마스킹 블레이드(17) 사이에 상기 레티클(15)에 형성된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소하여 상기 반도체 웨이퍼(12)에 형성하기 위한 축소렌즈(19)가 배치된다.
상기 마스킹 블레이드(17)와 상기 축소렌즈(19) 사이에 광 감지센서 시스템(S)이 배치된다. 상기 광 감지센서 시스템(S)은 상기 마스킹 블레이드(17)를 통과한 상을 감지할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 마스킹 블레이드(17)는 X축의 좌, 우에 각각 제 1 X축 블레이드(x1) 및 제 2 X축 블레이드(x2)가 배치되며, Y축의 전, 후방에 각각 제 1 Y축 블레이드(y1) 및 제 2 Y축 블레이드(y2)가 배치된다. 상기 제 1,2 X축 블레이드(x1, x2) 및 제 1,2 Y축 블레이드(y1, y2)는 각각의 구동모터에 의해 움직이게 된다.
상기 마스킹 블레이드(17)의 상부에는 상기 레티클(15)의 반도체 패턴(P1)을 투과한 상이 조사되며, 상기 마스킹 블레이드(17)는 상기 반도체 패턴(P1)의 원하는 영역을 오픈하기 위해 상기 제 1,2 X축 블레이드(x1, x2) 및 제 1,2 Y축 블레이드(y1, y2)를 각각 움직여 정사각형 또는 직사각형의 오픈영역(20)을 형성한다. 상기 마스킹 블레이드(17)의 상기 오픈영역(20)을 통해 상기 반도체 패턴(P1)의 일부 영역만이 최종적으로 투과되어 상기 광 감지센서 시스템(S)에 조사된다.
상기 광 감지센서 시스템(S)은 발광부(S1) 및 수광부(S2)로 구성된다. 상기 발광부(S1) 및 수광부(S2)에 의해 일정한 면을 투과하는 광을 감지할 수 있게 된다. 상기 광 감지센서 시스템(S)은 미리 설정해 놓은 기준상(I0)을 가지고 있으며 상기 마스킹 블레이드(17)의 오픈영역(20)을 통과한 상(I)이 상기 기준상(I0)에 일치하는지를 판단하게 된다. 따라서, 일치하게 되면 상기 반도체 웨이퍼(12)에 노광을 진행하게 되며 이와 달리, 일치하지 않게 되면 작업자에게 에러메시지를 전달한다. 결과적으로, 상기 마스킹 블레이드(17)의 구동 불량 또는 다른 원인 등에 의해 상기 마스킹 블레이드(17)를 통과한 상이 원하는 위치에 정확히 조사되지 않는 경우 발생되는 레티클 전사 현상이나 오버레이(Over Lay) 현상등의 노광불량을 미리 방지할 수 있게 된다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 감지센서 시스템을 갖는 반도체소자 제조용 노광장치를 설명하기 위한 개략도이며, 도 3b는 도 3a의 마스킹 블레이드, 레티클 및 광 감지센서 시스템을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3a를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광장치는 반도체 웨이퍼(22)에 반도체 패턴을 형성하기 위한 광을 발생시키는 광 발생램프(23)가 배치된다. 상기 광 발생램프(23)에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈(24)가 배치된다. 상기 집광렌즈(24) 하부에 상기 반도체 패턴이 형성된 레티클(25)이 고정 설치되는 레티클 스테이지(26)가 배치된다. 상기 집광렌즈(24)와 상기 레티클 스페이지(26) 사이에 상기 광 발생램프(23)에서 조사된 광을 상기 레티클(25)상의 원하는 패턴 영역에만 조사하기 위한 마스킹 블레이드(27)가 배치된다.
상기 레티클 스테이지(26)의 하부에는 상기 반도체 웨이퍼(22)가 고정되는 웨이퍼 스테이지(28)가 배치된다. 상기 웨이퍼 스테이지(28)는 X축 또는 Y축 방향으로 움직일 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(28)와 상기 레티클 스테이지(26) 사이에 상기 레티클(25)에 형성된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소하여 상기 반도체 웨이퍼(22)에 형성하기 위한 축소렌즈(29)가 배치된다.
상기 레티클 스테이지(26)와 상기 축소렌즈(29) 사이에 광 감지센서 시스템(S)이 배치된다. 상기 광 감지센서 시스템(S)은 상기 마스킹 블레이드(27) 및 상기 레티클(25)을 통과한 상을 감지할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 마스킹 블레이드(27)는 X축의 좌, 우에 각각 제 1 X축 블레이드(x1) 및 제 2 X축 블레이드(x2)가 배치되며, Y축의 전, 후방에 각각 제 1 Y축 블레이드(y1) 및 제 2 Y축 블레이드(y2)가 배치된다. 상기 제 1,2 X축 블레이드(x1, x2) 및 제 1,2 Y축 블레이드(y1, y2)는 각각의 구동모터에 의해 움직이게 된다.
상기 마스킹 블레이드(27)는 상기 광 발생램프(23)에서 조사된 광을 상기 레티클(25) 상의 반도체 패턴(P1)의 원하는 부분에만 조사하기 위하여 상기 제 1,2 X축 블레이드(x1, x2) 및 제 1,2 Y축 블레이드(y1, y2)를 각각 움직여 정사각형 또는 직사각형의 오픈영역(30)을 형성한다. 상기 마스킹 블레이드(27)의 상기 오픈영역(30)을 통해 상기 레티클(25)의 상기 반도체 패턴(P1)의 일부 영역(P2)에만 광이 투과되어 상기 광 감지센서 시스템(S)에 조사된다.
상기 광 감지센서 시스템(S)은 발광부(S1) 및 수광부(S2)로 구성된다. 상기 발광부(S1) 및 수광부(S2)에 의해 일정한 면을 투과하는 광을 감지할 수 있게 된다. 상기 광 감지센서 시스템(S)은 미리 설정해 놓은 기준상(I0)을 가지고 있으며 상기 마스킹 블레이드(27)의 오픈영역(30) 및 상기 레티클(25)의 반도체 패턴의 일부 영역(P2)을 통과한 상(I)이 상기 기준상(I0)에 일치하는지를 판단하게 된다. 따라서, 일치하게 되면 상기 반도체 웨이퍼(22)에 노광을 진행하게 되며, 이와 달리, 일치하지 않게 되면 작업자에게 에러메시지를 전달한다. 결과적으로, 상기 마스킹 블레이드(27)의 구동 불량 또는 다른 원인 등에 의해 상기 마스킹 블레이드(27)를 통과한 상이 원하는 위치에 정확히 조사되지 않는 경우 발생되는 레티클 전사 현상이나 오버레이(Over Lay) 현상 등과 같은 노광불량을 미리 방지할 수 있게 된다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 마스킹 블레이드 하부에 광 감지센서 시스템을 배치하여 상기 광 감지센서 시스템에서 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지하여 미리 설정해 놓은 기준상과의 일치여부를 판단한다. 그 결과,일치되지 않을 경우 작업자에게 에러메시지를 전달하여 레티클 전사 현상이나 오버레이(Over Lay) 현상 등과 같은 웨이퍼의 노광불량을 미리 방지할 수 있게 된다. 따라서, 노광공정에서의 반도체 패턴 불량률을 최소화함으로써 반도체소자의 제조수율을 향상시킬 수 있게 된다.

Claims (11)

  1. 레티클(Reticle);
    상기 레티클의 상부 또는 하부에 배치된 마스킹 블레이드(Masking blade); 및
    상기 마스킹 블레이드 하부에 배치된 상기 레티클 및 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지할 수 있는 광 감지센서 시스템을 포함하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 광 감지센서 시스템은 상기 레티클 및 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 광 감지센서 시스템은 적어도 하나의 발광부 및 상기 발광부 각각에 대응하는 수광부로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  4. 광 발생램프;
    상기 광 발생램프에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈;
    상기 집광렌즈 하부에 레티클이 배치되되, 상기 레티클에 반도체의 패턴이 배치되고;
    상기 레티클이 고정 설치되고 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있는 레티클 스테이지;
    상기 레티클 스테이지의 하부에 배치된 마스킹 블레이드;
    상기 마스킹 블레이드의 하부에 배치된 반도체 웨이퍼가 고정되고 또한 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있게 되어 있는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 스테이지와 상기 마스킹 블레이드 사이에 배치되되, 상기 레티클에 배치된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소하여 상기 반도체 웨이퍼에 형성하기 위한 축소렌즈; 및
    상기 마스킹 블레이드와 상기 축소렌즈 사이에 배치되되, 상기 마스킹 블레이드을 통과한 상을 감지할 수 있는 광 감지센서 시스템을 포함하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 마스킹 블레이드는 상기 레티클 상의 원하는 부분만을 상기 반도체 웨이퍼에 조사하기 위하여 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 광 감지센서 시스템은 상기 마스킹 블레이드를 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 광 감지센서 시스템은 적어도 하나의 발광부 및 상기 발광부 각각에 대응하는 수광부로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  8. 광 발생램프;
    상기 광 발생램프에서 조사된 광을 집광하기 위한 집광렌즈;
    상기 집광렌즈 하부에 레티클이 배치되되, 상기 레티클에 반도체의 패턴이 배치되고;
    상기 레티클이 고정 설치되고 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있는 레티클 스테이지;
    상기 집광렌즈 및 상기 레티클 스테이지의 사이에 배치된 마스킹 블레이드;
    상기 레티클 스테이지의 하부에 배치된 반도체 웨이퍼가 고정되고 또한 X축 또는 Y축 상으로 움직일 수 있게 되어 있는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 스테이지와 상기 레티클 스테이지 사이에 배치되되, 상기 레티클에 배치된 반도체의 패턴을 원하는 크기로 축소하여 상기 반도체 웨이퍼에 형성 하기 위한 축소렌즈; 및
    상기 레티클 스테이지와 상기 축소렌즈 사이에 배치되되, 상기 마스킹 블레이드 및 상기 레티클을 통과한 상을 감지할 수 있는 광 감지센서 시스템을 포함하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 마스킹 블레이드는 상기 광 발생램프에서 조사된 광을 상기 레티클 상의 원하는 부분에만 조사하기 위하여 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 광 감지센서 시스템은 상기 마스킹 블레이드 및 상기 레티클을 통과한 상을 감지하고 미리 설정해 놓은 기준상과 비교하여 상기 마스킹 블레이드의 오동작 여부를 판단할 수 있는 시스템인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 광 감지센서 시스템은 적어도 하나의 발광부 및 상기 발광부 각각에 대응하는 수광부로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 노광장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100860659B1 (ko) * 2006-03-07 2008-09-26 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 방법 그리고 디바이스의 제조방법
CN102445859A (zh) * 2011-11-28 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种测试光刻机遮光挡板的方法

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