KR20060050087A - 광대역 전방향성 방사 디바이스 - Google Patents

광대역 전방향성 방사 디바이스 Download PDF

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KR20060050087A
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Abstract

본 발명은, 슬롯 연결형 안테나 유형의 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하기 위한 적어도 2개의 수단(A1, A2)과, 공통 슬롯(FC)과, 수신 및/또는 송신하기 위한 상기 수단(A1, A2) 중 적어도 하나를 전자기 신호의 처리 수단에 연결시키기 위한 연결 수단(L, P)을 포함하는 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하도록 의도된 방사 디바이스에 관한 것이다. 연결 수단(L, P)은 적어도 하나의 안테나(A)로 하여금 전자기 신호의 처리 수단에 연결되도록 한다. 연결 수단(L, P)은 처리 수단에 연결된 2개의 연결 라인(L1, L2)을 포함한다. 2개의 라인(L1, L2)은 개방 회로에 의해 종료되고, 연결이 연결 라인(L1, L2) 상에 존재하는 스위칭 디바이스(3)에 의해 하나의 라인에서 다른 라인으로 스위칭될 때 2개의 안테나(A1, A2)의 전자기 신호 사이에 위상차가 도입되도록 하기 위해 2개의 안테나(A1, A2)의 공통 슬롯(FC)에 전자기적으로 결합된다.

Description

광대역 전방향성 방사 디바이스{WIDEBAND OMNIDIRECTIONAL RADIATING DEVICE}
도 1은 종래 기술에 따른 슬롯/라인 결합 유형의 안테나의 연결을 도시한 블록도.
도 2는 종래 기술에 따른 슬롯/라인 결합 유형의 2개의 안테나의 직렬 연결을 도시한 블록도.
도 3은 종래 기술에 따른 슬롯/라인 결합 유형의 2개의 안테나의 병렬 연결을 도시한 블록도.
도 4는 종래 기술에 따른 공통/슬롯 라인 결합 유형의 2개의 안테나의 유리한 병렬 연결을 도시한 블록도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 사용된 2개의 안테나의 연결 수단을 도시한 블록도.
도 6a, 도 6b, 및 도 6c는 2개의 안테나 사이의 각도의 함수로서 도 5의 디바이스의 방사 패턴을 도시한 도면.
도 7a 및 도 7b는 2N개의 안테나를 갖는 방사 디바이스의 경우를 도시한 도면, 및 대응하는 회로도.
도 8은 안테나의 2개의 쌍을 갖는 본 발명의 일실시예를 도시한 블록도.
도 9는 N=4개의 안테나를 갖는 본 발명의 일실시예를 도시한 도면.
도 10은 도 9에 제안된 방사 디바이스의 부분을 도시한 도면.
도 11은 도 9에 도시된 방사 디바이스로 얻어진 방사 패턴을 도시한 릴리프 도면(relief view).
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
A1, A2: 송수신 수단 FC: 공통 슬롯
L, P: 연결 수단 3: 스위칭 디바이스
A: 안테나 L1, L2: 연결 라인
본 발명은 슬롯 연결된 안테나 유형의 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하기 위한 적어도 2개의 수단을 포함하는, 전자기 신호를 수신 및/또는 방출하도록 의도된 방사 디바이스에 관한 것으로, 더 구체적으로, 이들 안테나는, 상기 수신 및/또는 송신 수단 중 적어도 하나를 전자기 신호를 처리하기 위한 수단에 연결하기 위한 연결 수단 및 공통 슬롯을 구비한다.
"옥내" 통신 분야에서, 무선 링크는 가정 내의 상이한 디바이스를 연결하는데 필요하다. 이로 인해, 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하기 위한 수단, 또는 엔드-파이어 테이퍼된(end-fire tapered) 슬롯형의 안테나가 사용된다. 주로 금속 기판 상에 실현된 테이퍼된 슬롯으로 구성된 그러한 안테나는 공통적으로 비발디 안테나 또는 LTSA(Linear Tapered Slot Antenna)로 불린다. 상기 안테나는 디바이스 내에 더 쉽게 통합될 수 있는데, 이는 그러한 안테나가 기판의 평면에서 방사하기 때문이다. 이러한 유형의 수 개의 안테나가 예를 들어 네트워크에서 사용되면, 방사 디바이스의 연결은 순식간에 복잡해진다.
비발디 안테나의 크기 조정(dimensioning)은 당업자에게 잘 알려져 있다. 이것은 도 1에 도시된 3개 부분으로 나누어질 수 있는데, 이것은 안테나(A1)(비발디 프로파일)의 크기 조정과, 연결 부분(P)에 링크된 연결 라인(2)의 크기 조정과, 라인(2)의 에너지가 안테나(A1)로 전송되도록 하는 라인 2/슬롯(F1) 전이의 크기 조정이다. 라인(2)과 슬롯(F1) 사이의 정확한 에너지 결합을 보장하기 위해, 안테나(A1)의 슬롯(F1) 및 연결 라인(2)의 상대적 위치에 관한 특정한 기하학적 조건에서 위치를 얻는 것이 필요하다. 일례는 예를 들어 문서 US 6,246,377에 주어진다.
네트워크에서 비발디 안테나(A1 및 A2)를 위치시키는 2가지 기술이 있다. 도 2에 도시된 제 1 기술은 동일한 라인(2)에 의해 상기 비발디 안테나들을 직렬로 연결시키는 것을 수반한다. 2개의 라인 2/슬롯 F 전이 사이의 라인 길이는 2개의 연속적인 안테나(A1 및 A2)에 의해 송신되거나 수신된 신호 사이의 위상차를 결정한다. 예를 들어 마이크로스트립 라인 기술에 따라 실현된 연결 라인 아래에 안내된 반파장의 라인 길이의 홀수배를 취함으로써, 즉 L=nLm/2(n=2k+1, k는 정수)를 취함으로써, 송신된 전계(E1 및 E2)는 2개의 안테나(A1 및 A2)의 대칭축에 대해 대칭적이다. 이러한 직렬 연결에 대해, 안테나(A1 및 A2)의 결합은 진폭 및 주파수 위상차의 시점과 상이하다. 이것은 안테나(A1 및 A2) 각각과 연결 포트(P) 사이의 상이 한 라인 길이 때문이다.
도 3에 도시된 제 2 기술은 상기 안테나들을 병렬로 연결시키는 것이다. L1과 L2 사이의 길이의 차는 송신된 전계(E1 및 E2) 사이의 위상차가 결정되도록 한다. 동일한 길이를 취하거나, |L1-L2|=n*Lm(n은 정수)가 되도록 함으로써, 송신된 전계(E1 및 E2)는 도 3에 도시된 것과 같다. 이러한 연결 기술은 균형된 연결을 제공하지만, 더 복잡한 연결 회로를 필요로 한다. 특히, 안테나의 수가 증가하면, 연결 네트워크의 치수는 증가하고, 그 구현은 종종 구성요소의 이용을 필요로 한다. 그 결과, 그러한 구조의 비용은 증가한다.
문서 EP 0,301,216에 제공된 한가지 해법은, 도 4에 도시된 바와 같이 2개의 슬롯을 함께 연결시킴으로써 2개의 라인/슬롯 전이를 단일 라인 2/슬롯 FC 전이로 대체하는 것이다. 그러므로, 단일 라인 2/슬롯 FC 전이만이 존재하고, 슬롯 FC는 안테나의 2개의 극단 각각에서, 안테나(A1 및 A2)에서 종료한다. 라인(2)으로부터 슬롯(FC)으로의 결합 에너지는 안테나(A1 및 A2)로 동일하게 향하게 된다.
그러나, 그러한 방사 디바이스는, 고정된 방사 패턴 소유, 특히 라인(2)이 A1 및 A2의 동일한 거리에서 슬롯을 절단할 때 안테나의 대칭축에서의 널(null)을 갖는다. 그러한 특성은 방사 디바이스에서 높은 등방성을 요구하는 응용의 구조 내에서 매우 손상을 입는 것으로 나타날 수 있다.
본 발명은 간단한 연결로 동적으로 재구성될 수 있는 방사 패턴을 제공하는 방사 디바이스를 제안한다.
본 발명은, 연결 수단이 처리 수단에 연결된 2개의 연결 라인을 포함하는 도입부에 설명된 방사 디바이스에 관한 것으로, 개방 회로에 의해 종료된 2개의 라인은, 연결 라인 상에 존재하는 적어도 하나의 스위칭 디바이스를 이용하여 연결이 한 라인에서 다른 라인으로 스위칭될 때 2개의 수신 및/또는 송신 수단의 전자기 신호 사이에 위상차가 도입되도록 하기 위해 2개의 수신 및/또는 송신 수단의 공통 슬롯과 전자기적으로 결합된다.
사실상, 2개의 안테나에 공통인 슬롯에 결합된 2개의 라인에 의해 허용된 공통 연결은, 방사 디바이스의 방사 패턴이 한 라인에서 다른 라인으로 스위칭함으로써 변조되도록 한다.
일실시예에 따라, 수신 및/또는 송신 수단은 공통 슬롯과 쌍으로 그룹화되고, 각 쌍의 연결은, 상기 쌍의 수신 및/또는 송신 수단 사이에 위상차를 도입하도록 수신 및/또는 송신 수단의 쌍의 대칭축으로부터 상이한 거리로 공통 슬롯을 절단하도록 위치한 2개의 라인을 이용하여 실현된다.
이 경우에, 한 라인은 예를 들어 안테나의 대칭축 상에 중심을 두고, 다른 라인은 1/4 파장만큼 오프셋된다. 그 다음에 180°의 위상차는 상기 쌍의 2개의 안테나에 의해 송신된 신호 사이에 도입된다. 따라서, 방사 패턴은 상기 축에서 어떠한 널 포인트도 더 이상 갖지 않는다.
일실시예에 따라, 쌍들은 동일한 2개의 연결 라인에 의해 연결된 2개의 쌍의 그룹에 의해 그룹화되고, 고정된 위상차는 2개의 쌍 중 하나의 쌍의 연결을 위해 라인 중 하나의 라인 상에 도입된다.
이러한 실시예는, 예를 들어 4개의 안테나가 2개의 라인으로 제어되도록 한다. 예를 들어, 고정된 위상차는 180°이다.
일실시예에 따라, 수신 및/또는 송신 수단은, N개의 분기를 갖는 공통 슬롯에서 N개의 슬롯을 연결시킴으로써 수신 및/또는 송신하기 위한 N개의 수단의 그룹으로 그룹화되고, 서로 단절된 연결 라인은 공통 슬롯 상에 중심을 둔 N'개의 분기를 형성하고, 공통 슬롯의 분기에 대해 회전시 오프셋 방식으로 배열된다.
실시예는 많은 안테나의 간략화된 연결을 가능하게 한다. 예를 들어, 각 라인이 별도의 평면을 점유하는 다층-기판에 유리하게 사용될 수 있다.
짝수(N)를 선택하는 것이 유리하다. 또한 N'=N을 선택하는 것이 유리하다. 이러한 방식으로, 회전 시프트는, 각 라인이 공통 슬롯의 분기 사이에 형성된 각각의 각도 섹터에 삽입되도록 이루어진다.
일실시예에 따라, 수신 및/또는 송신 수단은 중심점 주위에 균일하게 이격된 비발디형 안테나이다.
그러한 안테나는 공통적으로 사용되고, 당업자에게 잘 알려져 있다. 본 발명은 이러한 안테나로 유리하게 실현되지만, 또한 예를 들어 인쇄 다이폴, LTSA(Linear Tapered Slot Antenna) 디바이스와 같은, 라인/슬롯 전이에 의해 연결된 임의의 유형의 안테나에 의해 실현될 수 있다.
일실시예에 따라, 연결 라인은 마이크로스트립 라인 또는 공동 평면 라인으로 구성된다.
일실시예에 따라, 스위칭 디바이스는 적어도 하나의 다이오드를 포함한다.
다른 실시예에 따라, 스위칭 디바이스는 하나의 연결 라인 또는 다른 연결 라인을 선택적으로 활성화시키기 위한 별도의 스위치를 포함한다.
본 발명의 다른 특성 및 장점은 서로 다른 실시예의 설명을 읽음으로써 나타나고, 이러한 설명은 첨부 도면을 참조하여 이루어진다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 1 실시예를 도시한다. 이들 도면에서, 2개의 안테나(A1 및 A2)는 동일한 라인(L1 또는 L2)/슬롯(FC) 전이에 의해 연결되고 공급된다. 슬롯 상에 포트(P)에 링크된, 라인(L1 및 L2)의 위치에 따라, A1에 의해 송신된 신호(E1)와 A2에 의해 송신된 신호(E2) 사이의 위상차는 한정될 수 있다. 이러한 위상차는 라인/슬롯 전이와 안테나(A1 및 A2) 사이의 거리에서의 차이로 인한 것이다.
이것은 상이한 패턴이 라인/슬롯 전이의 위치에 따라 얻어지도록 한다. 따라서, 2개의 안테나(A1 및 A2) 사이의 각도가 90°일 때, 2개의 별도의 방사 패턴이 얻어지며, 이는 도 6b에 도시된다.
이 도면에서, 라인(L1)이 안테나(A1 및 A2)로부터 동일한 거리에서 슬롯을 교차할 때, 라인(L1)에 의한 연결에 대응하는 패턴(D1)은 축에서 널(null)을 갖는데, 이는 송신된 신호가 안테나(A1 및 A2)의 레벨에서 동일한 진폭 및 동위상이지만, 이러한 축을 따라 반대 위상에서 음으로 재결합하기 때문이다. 그러나, 라인(L2)이 슬롯에서의 안내된 파장의 1/4(Ls/4)만큼 오프셋되는데, 이는 90°의 위상차가 도입되도록 한다. 따라서, 180°의 위상차는 안테나(A1)에 도달하는 신호에 비교하여 안테나(A2)에 도달하는 신호 상에 도입된다. 이에 따라 2개의 안테나에 의해 송신된 방사는 축을 따라 구조적으로 재결합한다. 따라서, 라인(L2)에 대응하는 패턴(D2)은 더 이상 축을 따라 어떠한 널도 갖지 않는다.
도 5a 및 도 5b는 2개의 라인(L1 및 L2) 사이에 스위칭 디바이스(3)의 구현에 의해 상이하다. 스위칭 디바이스는, 하나의 라인의 연결이 다른 하나의 연결로 스위칭되도록 하여, 그 결과 다른 방사 패턴을 갖는 구조를 얻도록 한다.
도 5a에서, 스위칭 디바이스(3a)는 상대방에 대해 결합이 금지되는 동시에 라인 상의 결합을 허가하기 위해 라인(L1 및 L2)의 마지막에 있는 다이오드를 포함한다.
도 5b에서, 2개의 라인(L1 및 L2) 사이의 스위칭 디바이스(3b)는 예를 들어 SPDT(Single Port Double Through)와 같은 별도의 또는 통합형 스위치를 포함한다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 실시예에서, 라인 중 하나가 안테나의 대칭축 상에 중심을 두고, 다른 라인은 중심에서 벗어나 있는 것이 주지될 것이다. 그러나, 그러한 연결 라인이 모두 중심에서 벗어나고, 안테나들로부터 상이한 거리에 위치하는 것이 또한 가능하다. 이것은 특히 본 발명에 따른 디바이스에서의 2개의 안테나 사이에 도입된 위상차가 제어되도록 하여, 그러므로 글로벌 방사 패턴을 제어할 수 있게 한다.
다양한 방사 패턴의 개념은 도 5에 도시된 디바이스를 통해 각도(a)의 수 개의 값에 대한 시뮬레이션에서 확인된다. 방사 패턴에 대한 결과는 도 6에 주어진다. 안테나 사이의 각도와 무관하게, 유효 다이버시티가 연결 라인이 오프셋될 때 방사 극대 위치에서 방사 널을 통해 발견된다는 것이 나타난다. 극대 및 널의 형태 및 위치는 안테나 사이의 거리 및 각도에 따라 좌우된다. 이러한 기하학적 위상차는 전기적 위상차에 추가된다. 본 발명에 특징적인 이러한 효과는 필요한 패턴을 얻기 위해 디바이스가 크기 조정되도록 한다.
라인, 예를 들어 마이크로스트립과 수 개의 슬롯 사이의 전이가 정확히 동작하는 것이 주지될 것이다. 2개의 안테나가 동일한 슬롯 상에 결합되고 동일한 라인에 의해 연결될 때, 전기도의 관점에서 이것은 안테나 임피던스를 병렬로 유지시킨다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 안테나(A)의 수가 증가될 때, 공통 슬롯은 전자기 신호가 결합되는 분기(B)를 포함하고, 수 개의 분기(B)는 분기(B)로 구성된 라인(L)/공통 슬롯 전이의 레벨에서 동일한 위치에서 교차한다. 도 7b에 도시된 회로도의 관점에서, 이것은 안테나(A)의 임피던스(ZA)를 직렬로 놓이도록 한다. 그러므로, 동일한 라인(L)에 의해 연결된 안테나의 수를 증가시킬 수 있다. 방사 디바이스의 안테나의 수를 증가시키는 본 발명의 일실시예는 도 8에 도시된다. 4개의 안테나(A1, A2, A3, A4)는 각각 공통 슬롯 각각(FC1 및 FC2)과 쌍으로{(A1,A4) 및 (A2,A3)} 그룹화된다. 병렬 연결을 제공하는 그러한 구조는 양호한 대역폭을 가지므로, 다양한 주파수에서 동작하도록 한다. 스위칭 디바이스(3)는, 예를 들어 도 5b에 도시된 바와 같이 2개의 다이오드를 포함하고, 슬롯(FC1 및 FC2)이 라인(L1 및 L2)의 하나 또는 다른 하나에 연결되도록 하는 스위치에 의해 구성된다. 스위칭 디바이스(3)는 신호 공급 및/또는 처리 수단에 그 자체가 연결되는 연결 포트에 연 결된다.
상기 연결이 라인(L1)에서 라인(L2)으로 스위칭할 때, 안테나(A3)에 제공된 신호(E3)는, 도 8 상의 벡터(E3)의 배향에서의 변화로 나타난, 안테나(A2)에 제공된 신호에 대해 180°만큼 위상 시프트된다. 도입된 위상차가 180°일 때, 안테나(A3)에서의 신호(E3)의 배향은 도 8에 도시된 바와 같이 변한다.
전자기 신호의 작용은 안테나(A4 및 A1)에 대해 모두 동일하게 유사하다. 그러나, 방사 패턴 다이버시티를 잘 관찰할 수 있게 하는 위상 변화를 얻기 위해, 180°의 고정된 위상차는 안테나 쌍(A1 및 A4) 다음의 라인(L1) 상에서 실현된다.
안테나의 수가 증가되도록 하는 다른 실시예는 도 9에 도시된다. 이러한 도 9에서, 4개의 안테나(A1, A2, A3, A4)는 4-분기의 별(star)의 형태로 공통 슬롯(FC)에 의해 연결된다. 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 4개의 안테나는 예를 들어 접지면(M)에서 새겨진다. 제 1 공급기 라인(L1)은 제 1 기판(S1) 상에서 접지면(M) 위에 배열되고, 제 2 공급기 라인(L2)은 제 2 기판(S2) 상에서 접지면(M) 위에 배열된다. 따라서, 라인은 서로 단절된다. 이러한 구조는, 저가의 다층 기판(S)이 사용되는 경우, 얘를 들어 FR4에 유리하다. 이러한 유형의 기판은 특히 RF 보드를 실현하는데 사용될 수 있다.
그러한 다층 기판은 안테나 및 연결 수단으로 하여금 이 둘 사이의 추가 구성요소를 사용하지 않고도 동일한 기판 상에서 실현되도록 한다.
이에 따라 얻어진 방사 디바이스는 안테나 사이의 에너지의 동일한 분배 상태로, 매칭 및 송신을 위한 동작 대역폭을 갖는다. 연결의 우수한 고유 단절로 인 해, 이러한 실시예는 라인 사이의 단절을 제공하기 위한 어떠한 추가 구성요소도 필요하지 않는다. 우수한 방사 다이버시티가 얻어지며, 각 라인에 대해 얻어진 방사 패턴은 상호 보완적이다.
도 11의 (a) 및 (b)는 도 9에 도시된, 4중 안테나 구조의 그래프로 방사 패턴(Da 및 Db)을 도시한다. 각 라인(L1 및 L2) 중 하나에 대해 각각 얻어진 이들 2개의 패턴(Da 및 Db)이 서로 상이하고, 우수한 상호 보완성을 나타내는 것이 주지된다. 따라서, 한 라인에서 다른 라인으로 스위칭함으로써, 동적으로 구성가능한 방사가 이용가능하다. 그러한 패턴의 상호 보완성은 또한 2개의 안테나에 대해 2개의 치수로 도 6에 도시된다.
본 발명은 설명된 실시예에 한정되지 않고, 당업자는, 예를 들어 본 발명의 원리에 따라 연결된 다수의 안테나와 같은 다양한 실시예 변형의 존재를 인식할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 슬롯 연결된 안테나 유형의 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하기 위한 적어도 2개의 수단을 포함하는, 전자기 신호를 수신 및/또는 방출하도록 의도된 방사 디바이스 등에 효과적이다.

Claims (11)

  1. 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하도록 의도된 방사 디바이스로서, 슬롯 연결형 안테나 유형의 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하기 위한 것으로 공통 슬롯(FC)을 구비하는 적어도 2개의 수단(A1, A2)과, 수신 및/또는 송신하기 위한 상기 수단(A1, A2) 중 적어도 하나를 전자기 신호의 처리 수단에 연결시키기 위한 연결 수단(L, P)을 포함하는, 방사 디바이스에 있어서,
    상기 연결 수단(L, P)은 상기 처리 수단에 연결된 2개의 연결 라인(L1, L2)을 포함하고, 개방 회로로 종결된 2개의 라인(L1, L2)은, 상기 연결이 상기 연결 라인(L1, L2)에 존재하는 스위칭 디바이스(3)에 의해 한 라인(L1, L2)에서 다른 라인(L2, L1)으로 스위칭될 때, 수신 및/또는 송신하기 위한 2개의 수단(A1, A2)의 전자기 신호 사이에 위상차가 도입되도록 하기 위해 상기 수신 및/또는 송신하기 위한 2개의 수단(A1, A2)의 공통 슬롯(FC)과 전자기적으로 결합되는 것을 특징으로 하는, 방사 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 수신 및/또는 송신하기 위한 수단(A1, A2)은 공통 슬롯(FC)과 쌍으로(A1,A2) 그룹화되고, 상기 쌍(A1,A2)의 연결은, 수신 및/또는 송신하기 위한 수단(A1,A2) 사이에 위상차가 도입되도록 하기 위해 수신 및/또는 송신하기 위한 수단의 쌍(A1,A2)의 대칭축으로부터 상이한 거리에서 상기 공통 슬롯(FC)을 절단하도록 위치한 2개의 라인(L1,L2)에 의해 실현되는, 방사 디바이스.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 쌍은 동일한 2개의 연결 라인(L1, L2)에 의해 연결된 2개의 쌍{(A2,A3)(A1,A4)}의 그룹으로 그룹화되고, 고정된 위상차는 2개의 쌍 중 한 쌍의 연결을 위해 상기 라인들 중 하나 상에 도입되는, 방사 디바이스.
  4. 제 1항에 있어서, 수신 및/또는 송신하기 위한 수단(A1, A2, A3, A4)은, N개의 슬롯을 N개의 분기를 갖는 공통 슬롯(FC)에 연결시킴으로써 상기 수신 및/또는 송신하기 위한 N개의 수단의 그룹에 의해 그룹화되고, 서로 절연된 연결 라인(L1,L2)은 상기 공통 슬롯(FC) 상에 중심을 둔 N'개의 분기를 형성하고, 상기 공통 슬롯(FC)의 분기에 대해 회전시 오프셋 방식으로 배열되는, 방사 디바이스.
  5. 제 4항에 있어서, N은 짝수인, 방사 디바이스.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, N'=N인, 방사 디바이스.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수신 및/또는 송신하기 위한 수단(A)은 중심점 주위에 일정하게 이격된 엔드-파이어(end-fire) 어레이인, 방사 디바이스.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결 라인(L)은 마이크로 스트립 라인 또는 공동 평면 라인에 의해 구성되는, 방사 디바이스.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 디바이스(3)는 적어도 하나의 다이오드를 포함하는, 방사 디바이스.
  10. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 디바이스(3)는 상기 연결 라인(L1, L2) 중 하나 또는 다른 하나를 선택적으로 활성화시키기 위한 별도의 스위치인, 방사 디바이스.
  11. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 디바이스(3)는 상기 연결 라인(L1, L2) 중 하나 또는 다른 하나를 선택적으로 활성화시키기 위한 통합형 스위치인, 방사 디바이스.
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