따라서 본 발명은, 광역 주파수 대역을 가지며 매우 높은 순도의 선형 편광을 가지는 콤팩트한 안테나를 얻을 수 있게 하는, 상기에서 기술한 바와 같은 선로/슬롯 트랜지션에 의해 공급되는 슬롯-타입 안테나를 사용하는 전자기 신호의 송신을 위한 안테나 시스템에 관한 것이다.
또한 본 발명은, 수신시 방사 다이버시티를 가진 콤팩트 디바이스를 얻을 수 있게 하는, 위에 기술된 바와 같은 안테나의 새로운 형태에 관한 것이다.
본 발명의 주제는 전자기 신호의 송신을 위한 안테나 시스템으로서, 슬롯 안테나 타입의 신호 송신을 위한 제 1 수단 및 신호를 이용하는 수단에 상기 제 1 수단을 연결하기 위한 제 1 공급 선로를 포함하며, 상기 제 1 공급 선로는 선로/슬롯 트랜지션에 의해 상기 슬롯 안테나 타입의 신호 송신을 위한 상기 제 1 수단에 전자기적으로 커플링된, 전자기 신호의 송신을 위한 안테나 시스템에 있어서, 상기 시스템은 제 1 점(P)에 대하여 상기 제 1 수단과 대칭적인 상기 슬롯 안테나 타입의 신호 송신을 위한 제 2 수단을 포함하며, 상기 제 2 수단은 상기 제 1 대칭점을 통과하는 평면 내에 있는 상기 제 1 공급 선로에 선로/슬롯 트랜지션에 의해 전자기적으로 커플링되고, 상기 트랜지션은 상기 공급 선로의 해당 단락-회로 평면에 가까이 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 구조에 의하여, 높은 순도의 선형 편광을 가진 안테나를 얻는 것이 가능하다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라, 상기 슬롯 안테나 타입의 신호 송신을 위한 제 1 및 제 2 수단은 각각 두 개의 퍼터베이션(perturbation)이 제공되며, 상기 퍼터베이션은 상기 송신 수단의 중심과 상기 제 1 대칭점을 통과하는 평면에서 약 45 또는 135도에 위치한다. 퍼터베이션의 추가는, 상기 선형 편광을 선택된 각도에 따라 오른쪽 또는 왼쪽 원형 편광(right or left circular polarizatin)으로 변형시킨다.
본 발명의 또 다른 특징, 즉 송신에서 방사 다이버시티를 획득하는 것을 가 능하게 하는 특징에 따라, 상기 시스템은 제 2 점에 대하여 두 개의 전자기파 송신 수단 중 하나와 대칭적인 선로/슬롯 트랜지션에 의해 공급되는 슬롯 안테나 타입의 전자기파 송신을 위한 제 3 수단 및 신호를 이용하는 수단에 상기 제 1 공급 선로과 공통으로 연결된 제 2 공급 선로를 포함하며, 상기 제 2 공급 수단은 선로/슬롯 트랜지션에 의해 공급되는 상기 슬롯 안테나 타입의 전자기파 송신 수단에 전자기적으로 커플링되고 상기 제 2 대칭점을 통과하는 평면 내에 존재하고, 상기 제 1 및 제 2 공급 선로의 자유단은 일구성부품에 연결되어 상기 선로들 중 하나의 단부에서 단락 회로 또는 개방 회로를 시뮬레이트할 수 있게 하고 다른 선로의 단부에서 개방 회로 또는 단락 회로를 시뮬레이트할 수 있게 한다.
본 발명의 추가적인 특징에 따라, 상기 전자 구성부품과 상기 대칭점 사이의 상기 각 공급 선로의 길이는, k는 정수이고 λm 은 상기 선로 내에서 안내되는 파장일 때, 약 kλm/4 여서, 대칭 점들을 포함하는 평면 내에서 상기 구성부품의 상태에 의존하여 전기적 단락-회로 또는 개방-회로 평면을 복구하도록 한다. 이 경우, 만약 상기 선로가 k = 2일 때 kλm/4 의 길이라면, 동일한 특성을 발견하기 위하여 다이오드 상태를 반전시키기에 충분하다. 따라서, k = 1 인 경우, 온 상태의 다이오드(CC) 더하기 1/4파장 선로는 트랜지션에서 개방 회로(CO)를 나타내고, k = 2 인 경우, 오프 상태의 다이오드(CO) 더하기 반-파장 선로는 개방 회로를 나타낸다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라, 선로/슬롯 트랜지션에 의해 공급되는 슬롯 안테나 타입의 전자기파 송신을 위한 수단들은 고리형 또는 다각형 모양의 슬롯으 로 이루어지며, 상기 다각형 모양은 직사각형 또는 정사각형 또는 알려진 임의의 다각형 모양일 수 있다.
또한, 상기 슬롯의 원주는, k'는 정수 λs 는 상기 슬롯 내에서 안내되는 파장일 때, 약 k'λs 의 길이를 가진다.
본 발명의 또 다른 추가적인 특징에 따라, 상기 디바이스는 송신 수단에 연결되고 선로/슬롯 트랜지션에 의해 중앙 전자기파 송신 수단에 전자기적으로 커플링된 제 3 공급 선로를 더 포함한다.
바람직한 실시예들에 따라, 상기 구성부품은 다이오드, 트랜지스터, 전자 스위치 및 마이크로전기역학(microelectromechanical) 시스템으로 이루어진다. 또한, 상기 공급 선로들은 마이크로스트립(microstrip) 기술 또는 코플레이너(coplanar) 기술을 사용하여 만들어진다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 다양한 실시예들을, 첨부된 도면들을 참조하여 읽음으로써 명백하게 될 것이다.
설명을 단순하게 하기 위하여, 동일한 요소는 동일한 참조번호를 가진다. 본 발명에 있어서, "전자기파 송신 수단"이란 용어는 전자기파를 송신 및/또는 수신가능한 임의의 수단을 지칭하며, 이러한 수단은 "안테나"라는 용어로 알려져 있다.
먼저, 매우 순수한 선형 편광을 가진 광대역 안테나 시스템을 얻을 수 있도록 하는 실시예가 도 3, 도 3a, 및 도 3b를 참조하여 설명될 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 안테나 시스템은 두 개의 슬롯(10, 11)에 점(P')에서 접하는 마이크로스트립 공급 선로(12)의 각각의 측면에 배치된 두 개의 고리형 슬롯(10, 11)으로 이루어진 슬롯-타입 안테나를 포함한다. 이 경우, 두 개의 고리형 슬롯은 공급 선로(12)와 슬롯들 사이의 자기적 커플링을 제공하는 선로/슬롯 트랜지션에 의해 공급된다. 입력 포트에서 먼쪽의 단부와 접하는 점 사이의 공급 선로의 길이는, k는 홀수 정수이고 λm 은 상기 선로 내에서 안내되는 파장일 때, 약 kλm/4 이다.
도 1의 경우와 같이, 각각의 고리형 슬롯(10, 11)의 원주는, k'은 정수이며 λs는 슬롯 내에서 안내되는 파장일 때, 실질적으로 k'λs 와 동일하다. 이 구조에 있어서는, 마이크로스트립 선로(12)의 각 측면 상에 위치하는 각각의 슬롯(10. 11)의 타원 편광이 반대방향으로 치우쳐(of opposite handedness)지기 때문에, 특히 안테나의 축 방향으로, 매우 높은 순도의 선형 편광을 야기시킨다. 이 경우에, 안테나의 중심 주파수를 보존하기 위해 각 고리형 슬롯의 원주는, λs가 고립된 슬롯 내에서 안내되는 파장일 때, k'λs 보다 약간 작다.
도 3b는 중심 주파수 5.7 GHz에서 E 및 H 평면 내에서 도 3의 안테나 시스템의 방사 패턴을 보여준다. 상기 시스템은 도 1의 시스템과 동일 타입의 기판 상에서 제작되기 때문에, 특히 안테나의 축 방향으로, 크로스(cross) 편광이 -19.1 dB 보다 작다는 점을 알 수 있다.
도 3a는 측정에 대하여 그리고 시뮬레이션에 대하여 주파수의 함수로서 도 3의 시스템의 반사 계수 S11을 보여준다. 안테나 시스템은 -10 dB에서 시뮬레이션에서 15.7 % 이상 측정에서 22% 이상 매칭된다.
이런 타입의 디바이스는, 예컨대, 유전율 εr1 및 εr2의 두 개의 기판에 대해 트리플레이트(triplate) 기술을 사용함으로써 제작될 수 있다. 이런 방식에 있어서, 두 개의 고리형 슬롯이 제 1 기판의 상부 표면 상에서 에칭된다. 마이크로스트립 기술에 의해 만들어진 공급 선로는, 두 개의 기판 사이에 만들어지고 접지 평면이 제 2 기판의 하부 표면 상에 형성된다.
본 발명의 추가적인 특징에 따라, 상기 두 개의 고리형 슬롯은 알려져 있는 방식으로 선형 편광을 원형 편광으로 변형시키는 퍼터베이션(perturbation)이 제공될 수 있다. 더 상세하게는, 각각의 고리형 슬롯은 두 개의 대각으로 대향하는 퍼터베이션이 제공되며, 상기 퍼터베이션은 상기 송신 수단의 중심과 상기 제 1 대칭점을 통과하는 평면에서 약 45 또는 135도 되는 위치에 존재한다. 퍼터베이션은, 해당 기술분야에서 알려진 바와 같은, 여러 모양의 절개부(cut) 또는 돌출부(projection)에 의해 형성될 수 있다.
다음으로, 방사 다이버시티를 획득하는 것을 가능하게 하는 본 발명의 실시예가 도 4, 도 5 및 도 6을 참조하여 기술될 것이다. 이 방사 모드는 위에서 기술된 기본 구조를 사용한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 전자기 신호 송신 시스템의 새로운 기술은 고리형 슬롯 타입의 세 개의 안테나(20, 21, 22)로 이루어진다. 이들 슬롯은 점(P1 및 P2)에서 쌍으로 접한다. 더 상세하게는, 고리형 슬롯(20 및 21)은 점(P1)에서 접하고 한편 슬롯(21 및 22)은 점(P2)에서 접한다. 따라서 점(P1 및 P2)은 평면, 더 상세 하게는 접평면(plane of tangency)이 통과할 수 있는 대칭점이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 슬롯(20, 21, 22)은 점(P1, P2)을 통과하는 접평면들 안에 각각 존재하는 마이크로스트립 선로(23, 24)에 의해 공급된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 마이크로스트립 선로(23, 24)는, T-모양의 접합부에 의해, 공급 회로(미도시됨)와의 연결을 위한 포트 1에 결합된다.
또한, 점(P1 또는 P2)과 포트 1에서 먼쪽의 단부(23' 또는 24') 사이의 선로(23 또는 24)의 길이는, k는 정수이고 λm 은 공급 선로 내에서 안내되는 파장일 때, 약 kλm/4 인 것이 바람직하다.
도 4에 도시된 바와 같이, 선로들 중 하나의 단부에서 단락 회로 또는 개방 회로를 그리고 다른 선로 단부에서 개방 회로 또는 단락회로를 시뮬레이트할 수 있게 해주는 전자 구성부품이 각각의 선로(23, 24)의 단부에 장착된다. 더 상세하게는, 하나의 다이오드(25)가 단부(23')와 접지 사이에 역방향으로 장착되는 한편, 하나의 다이오드(26)가 단부(24')와 접지 사이에 순방향으로 장착된다. 이러한 장착은 다이오드(25 및 26)의 바이어스 상태에 의존하여 세 개의 상태 사이의 방사 패턴을 스위칭하는 것을 가능하게 하며, 상기 바이어스는 본 기술 분야의 당업자에게 알려져 있는 방식으로 이루어진다. 여러 스위칭 상태들이 아래 표 2에 보여진다:
|
다이오드 상태 |
인가 전압 |
다이오드(25) |
다이오드(26) |
-V |
오프 |
온 |
0 |
오프 |
오프 |
+V |
온 |
오프 |
도 4의 구조로부터, 도 5에 도시된 바와 같이, 주파수의 함수로서 반사 계수 S11을 나타내는 곡선이 얻어진다. 이 곡선을 기초로 하여, -10 dB에서 매칭된 대역폭은 하나의 다이오드가 오프인 경우 22%, 그리고 두 다이오드 모두 오프인 경우는 17.8%라는 점이 주목될 것이다.
또한, 도 6은 동작 주파수 5,4 GHz에서 두 개의 이상적인 다이오드의 상태에 따라 안테나의 세 개의 방사 상태를 보여준다. 이렇게 하여, 안테나 디바이스에 있어서 3 차(order)의 방사 다이버시티가 얻어진다.
도 4에 도시된 안테나 형태를 가진 송신 채널을 얻기 위해서, 도 7에 도시된 바와 같이, 마이크로스트립 선로(27)를 크노르(Knorr)에 의해 기술된 바와 같은 종래의 선로/슬롯 트랜지션을 생성하도록 포지셔닝된 마이크로스트립 라인(27)에 의해 중앙 고리형 슬롯 즉 슬롯(21)을 공급하는 것이 제안된다. 이 선로의 단부에는, 수신 모드에서 상기 선로(27)의 단부에 단락 회로를 복구하는 다이오드(33)가 장착된다.
송신과 수신 사이의 최대한의 격리를 보장하기 위하여, 두 개의 다이오드(25, 26)는 반드시 온 상태에 있어야만, 다시 말해서 송신 모드에서 마이크로스트립 선로(23 및 24)의 단부에 단락 회로를 가져야만 하고, 또한 다이오드(33)는 오프 상태에 있어야만, 다시 말해서 송신 모드에서 선로(27)의 단부에 개방 회로(CO)를 가져야만 한다. 이 경우에 있어서, 도 7에 도시된 시스템은 아래 표 3에 언급된 바와 같이 네 개의 동작 상태를 가진다:
|
다이오드 상태 |
다이오드(25) |
다이오드(26) |
다이오드(33) |
수신모드 |
상태 1 |
오프 |
온 |
온 |
상태 2 |
오프 |
오프 |
온 |
상태 3 |
온 |
오프 |
온 |
송신모드 |
상태 4 |
온 |
온 |
오프 |
이들 네 개의 상태를 관리할 수 있도록 하는 제어 디바이스는 세 개의 다이오드 각각을 독립적으로 제어하는 하나의 디바이스에 의해 제공된다. 이 제어 디바이스는, 예컨대 상기 T-접합부와 공급 선로(23, 24) 사이에 장착된 블록(block) 디바이스(28', 28)로 이루어진다. 이 블록 디바이스는 알려져 있는 타입의 DC-블록으 로 이루어진다. 또한 DC-블록(29)이 선로(27)과 포트 2 사이에 제공된다. 이에 더하여, 여러 다이오드(25, 26 및 33)를 바이어싱하기 위하여 각각의 선로(23, 24 및 27)와 그 종단부 사이에, 선로 단부 또는 "토막(stub)"(30, 31, 32)이 장착된다. 각각의 방사상의(radial) 선로 단부의 길이는 교차 점에서 개방 회로가 복구되도록 하는 길이이다. 이런 방식으로, 바이어스 전압은 무선주파수(radiofrequency) RF 를 교란시키지 않고(투명 조건), 각각의 다이오드에 제공된다. 또한, DC-블록 디바이스는 안테나 액세스에서 DC 전류를 필터링하는 것을 가능하게 한다.
도 7에 도시된 시스템에 있어서, 송신 주파수의 함수로서 디바이스의 파라미터 S의 진폭을 나타내는 곡선이 얻어지는데, 이것은 다이오드(25 및 26)가 도 8에서 단락 회로로 존재하는 경우이다. 이 경우, 송신 채널의 매칭된 대역폭은 22% 이상이라는 것이 주목될 것이다.
더욱이, 송신에 있어서, 도 9에 도시된 바와 같은 방사 패턴이 상기 디바이스에 대해 얻어진다. 여러 방사 패턴을 보면, 안테나 축방향으로 고품질의 선형 편광이 얻어진다는 점이 주목될 것이다. 더욱이, 송신 및 수신 사이에 격리가 양호한 레벨로 얻어지며 송신 및 수신에 대해 동일한 편광이 얻어진다는 점이 주목될 것이다. 더욱이, 이 콤팩트한 안테나 스트레처(stretcher)는 3차의 방사 패턴 다이버시티를 제공한다.
본 기술분야의 당업자에게는 상기 실시예들이 예시로서 주어진 것이며 여러 방식으로 수정될 수 있다는 점이 명백하다. 따라서, 슬롯은 고리형 모양이 아닌 다른 모양을 가질 수 있다: 슬롯은 다각형 모양, 즉 정사각형 또는 직사각형 등을 가 질 수 있다. 공급 선로는 마이크로스트립 기술로 또는 코플레이너 기술로 제작될 수 있다. 다이오드는 트랜지스터, 전자 스위치 및 마이크로전기역학 시스템과 같은 다른 구성부품에 의해 대체될 수 있다.