KR20060048657A - 탄소 나노튜브 마이크로섬유 - Google Patents

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KR20060048657A
KR20060048657A KR1020050056704A KR20050056704A KR20060048657A KR 20060048657 A KR20060048657 A KR 20060048657A KR 1020050056704 A KR1020050056704 A KR 1020050056704A KR 20050056704 A KR20050056704 A KR 20050056704A KR 20060048657 A KR20060048657 A KR 20060048657A
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시몬 오웬 룸스돈
데이비드 엠. 스코트
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

본 발명은 나노기술의 분야에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 후속으로 전기장에 노출되는, 분산된 탄소 나노튜브 단편으로부터 탄소 나노튜브 마이크로섬유의 제조에 관한 것이다.
나노기술, 탄소 나노튜브 단편, 탄소 나노튜브 마이크로섬유

Description

탄소 나노튜브 마이크로섬유 {Carbon Nanotube Microfibers}
도 1a는 마이크로와이어를 성장시키는데 사용되는 전극 배치의 사진이다. 도 1b는 마이크로와이어를 성장시키는데 사용되는 전극 배치의 개략도이다.
도 2는 25 ㎛ 전극 갭에서 성장된 탄소 나노튜브의 전형적인 전류-전압 반응을 보여주는 그래프이다.
도 3은 5 ㎛ 전극 갭에 걸친 마이크로섬유 성장에 필요한 역치 전압을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명에 의해 제조된 CNT의 SEM 콜라주(collage)이다.
(1) 문헌 [T. B. Jones, Electromechanics of Particles; 캠브리지대 출판부(영국 캠브리지 소재), 1995; H. A. Pohl, Dielectrophoresis, 캠브리지대 출판부(영국 캠브리지 소재), 1978; 및 R. Pethig 등, J. Phys. D: Appl. Phys. 1992, 24, 881]
(2) 문헌 [T. Muller 등, J. Phys. D; Appl. Phys. 1996, 29, 340]
(3) 문헌 [Krupke 등, Science 2003, 301, 344]
(4) 문헌 [M. S. Kumar 등, Chemical Physics Letters 2004, 383, 235]
기술분야
본 발명 나노기술의 분야에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 후속으로 전기장에 노출되는, 분산된 탄소 나노튜브 단편으로부터 탄소 나노튜브 마이크로섬유의 제조에 관한 것이다.
배경기술
일정한 (DC) 전기장 내의 하전 입자는 그것의 이동을 유발하는 전기영동력을 받게 된다는 것은 거의 200년간 알려져 왔다. 더욱 최근에는, 탄소 나노튜브를 비롯한 콜로이드성 입자는 접촉 전극에 의해 생성된 전기장의 인가에 의해 다양한 소규모 구조체로 조립될 수 있다는 것이 관찰되었다. 그러나, 전기영동 기술은 강한 표면 전하가 입자 상에 존재하고 인가된 전압이 낮은 (가수분해에 대한 역치 미만) 콜로이드성 계로 제한된다. 이 제한은 교류 (AC) 전계 및 유전전기영동력의 사용에 의해 극복될 수 있다. 예를 들어, 문헌 [T. B. Jones, Electromechanics of Particles; 캠브리지대 출판부(영국 캠브리지 소재), 1995; H. A. Pohl, Dielectrophoresis, 캠브리지대 출판부(영국 캠브리지 소재), 1978; 및 R. Pethig 등, J. Phys. D: Appl. Phys. 1992, 24, 881]을 참고한다.
콜로이드성 입자의 현탁액에 걸친 AC 전계의 인가는 분극화를 초래한다. 수득된 유도 쌍극자의 부호 또는 크기는 입자의 유효 분극성에 의해 좌우되며, 이는 하기 클라우시우스-모쏘티(Clausius-Mossotti) 함수 K의 실수부에 의해 주어진다:
Figure 112005034838780-PAT00001
(식 중에서, ε1 (및 ε2) 및 σ1 (및 σ2)는 매체 및 입자의 각각의 유전율 및 전도도이다). 금속성 입자는 높은 전계 구배의 영역으로 항상 이끌린다. 유전 입자의 경우, 크로스오버 주파수 ωc = (τMW)-1 (식 중에서, τMW는 맥스웰-와그너(Maxwell-Wagner) 전하 완화 시간
Figure 112005034838780-PAT00002
임)에서 인력에서 척력으로 힘이 변화한다. 상호작용의 부호(sign)의 그러한 주파수-종속적 변화는 통상 물 내 중합체 미소구에서 관찰되므로 높은 조절도를 허용한다. 또한 문헌 [T. Muller 등, J. Phys. D; Appl. Phys. 1996, 29, 340]을 참고한다.
크로스오버 주파수 ωc보다 훨씬 더 큰 주파수 ω의 극한에서, 수학식 (1)은 단지 하기의 유전 상수의 함수가 된다:
Figure 112005034838780-PAT00003
ωc보다 훨씬 더 낮은 주파수의 극한에서, 수학식 (1)은 단지 하기의 전도도의 함수가 된다:
Figure 112005034838780-PAT00004
분극화된 입자의 쌍극자는 부가된 전기장과 상호작용한다. 수득된 유전전기영동(DEP)력(
Figure 112005034838780-PAT00005
)는 전계 구배(
Figure 112005034838780-PAT00006
) 및 입자의 반경(r)에 종속된다:
Figure 112005034838780-PAT00007
교류 전압의 사용은 임의의 유형의 매체에서 사실상 모든 유형의 분극성 입자의 조작을 허용하며, 입자 플럭스를 붕괴시킬 수 있는 가수분해 또는 전기삼투압 전류를 유발하지 않으면서 높은 전계 강도를 허용하는 이점을 가진다.
문헌 [Krupke 등, Science 2003, 301, 344]은 단일벽 탄소 나노튜브(SWCNT)를 중수(D20) 중에 분산시키고, 4시간 동안 매우 높은 가속(170,000 g)으로 원심분리하여, 물 중 매우 낮은 농도의 SWCNT를 제조하는 방법을 기재하고 있다. 이어서, 매우 높은 주파수 (10 MHz) AC 전위를 분산액과 직접 접촉하는 전극에 인가한다. 전극들 간의 갭은 일반적으로 적으며, 대략 40 ㎛이다. 명백히 상기 저자는 수학식 (1)이 유전 상수의 함수이고, 그것이 본원에 나와 있는 수학식 (2) 및 (4)의 조합으로 볼 수 있기 때문에 높은 주파수 한도 내에서 공정을 수행했을 것이다.
문헌 [M. S. Kumar 등, Chemical Physics Letters 2004, 383, 235]은 비교적 높은 주파수(3 V, 1 MHz)에서 AC 전계를 통한 SWCNT의 형성을 기재하고 있다. 생성된 SWCNT는 길이가 대략 3 내지 5 ㎛이었고, 직경이 10 내지 15 nm이었으며, 로 프의 외형을 가졌다. 이 단편을 수시간 동안 초음파 처리를 통해 분산시켰다.
분산된 CNT 단편으로부터 신속한 방식으로 탄소 나노튜브를 포함하는 비교적 긴 마이크로섬유를 제조할 필요성이 있다. 상기 기재된 방법들과 달리, 본 발명은 비교적 고가인 중수 대신에 H2O 중에서 제조될 수 있다. 원심분리는 훨씬 더 짧은 기간 내 (4시간 대신 30분)에, 또한 더 낮은 강도(단지 6000 g)에서 이루어진다. 인가된 전압의 주파수는 100 Hz 내지 10 kHz 범위로서 [Krupke 등]에 의해 교시된 것보다 3 차수 초과 더 낮다. 높은 주파수에서, 기생 용량(parasitic capacitance)은 유전전기영동과 유해한 위치에서 마이크로섬유의 후속 성장을 초래할 수 있는 의도하지 않은 신호 경로를 생성하므로 정착물 및 전극 구조체의 전기 디자인을 복잡하게 만든다. 그러므로 낮은 주파수의 사용의 이점은 회로, 케이블 및 정착물의 디자인 및 구성을 단순화한다는 것이다.
본 발명의 부가적 이점은, CNT 단편의 혼합물 정제를 사용할 수 있다는 것이다. 2종의 정제, 즉 반도체 CNT로부터의 금속성 CNT의 분리, 및 CNT 형성 공정에서 주로 생성되는 집적 및 응집 물질로부터 (임의의 유형의) CNT 단편의 추출이 가능하다. 반도체와 금속성 유형의 CNT 간의 전기 전도도 차이가 크기 때문에(문헌 [Bachtold 등, Phys. Rev. Lett. 2000, 845, 6082] 참고), 수학식 (4)의 낮은 주파수 극한에서, 유전전기영동력은 금속성 CNT의 경우 양이고, 반도성 CNT의 경우 음이 되도록 매체(물)의 전도도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 금속성 유형은 보다 높은 전계 강도의 영역 쪽으로 이동할 것이며, 반도체 유형은 보다 낮은 전계 강도의 영역 쪽으로 이동할 것이다. 이 이동은 그 전자적 성질에 따라 CNT 단편의 분리를 제공한다. 또한 매체의 전도도 또는 주파수의 조작을 통해 유전전기영동력의 균형을 잡아서 특정 전자적 구조에 따라 주어진 유형의 CNT 단편들을 더 분류할 수 있어야 한다.
CNT를 제조하는데 사용되는 공지된 거의 모든 1차 공정들에 의해 생성된 물질의 고 집적 및 응집되는 성질이 제공되는 경우에 두 번째 종류의 정제(CNT 단편의 추출)는 중요한 이점을 가진다. CNT의 집적물 및 응집물은 그 크기가 매우 크기 때문에(전형적으로 1 내지 50 마이크론 범위), 분산액 내 매우 작은 이동성을 가진다. 그러므로, CNT 단편은 유전전기영동의 적용을 통해 상기 더 큰 구조체로부터 물리적으로 추출될 수 있다. 개별적 CNT 단편의 수율은, 더 큰 구조체를 조각으로 파쇄하는 분쇄(밀링), 또는 집적된 물질로부터 단편을 유리시키는 적당한 계면활성제 및 분산제를 통해 증가될 수 있다.
본 발명의 다른 한 이점은, 그것이 다양한 전자 및 센싱 장치에서 사용될 수 있는, 전기 레지스터로서 기능하는 서브마이크론 어셈블리를 생성시킬 수 있다는 것이다. 레지스터는 전자 회로의 기초 성분이고, 여기에서 생성된 마이크로섬유는 칩(IC) 또는 웨이퍼 규모로 회로를 구축하는데 사용될 수 있다. 또한 이 마이크로섬유의 표면은 특정 단백질 또는 생물학적 물질과 결합하도록 개질될 수 있어, 그러한 분자가 존재하는 경우, 마이크로섬유의 전기 저항이 변화한다. 그러므로 이 CNT 마이크로섬유는 화학적 및 생의학적 분야에서 센서로 사용될 수 있다.
발명의 개요
본 발명은 하기 단계들을 포함하는 탄소 나노튜브 섬유의 제조 방법에 관한 것이다:
(a) 분산된 CNT 단편을 포함하는 분산된 탄소 나노튜브 용액을 한 쌍의 전극 사이에 두는 단계; 및
(b) 유효 AC 전압을 전극에 인가하여, 다중 탄소 나노튜브 단편을, 분산된 CNT 단편의 평균 길이보다 긴 길이의 탄소 나노튜브 섬유로 조립하는 단계 (여기에서, 유효 인가 전압의 주파수는 1 MHz 이하임).
본 발명은 또한 하기 단계들을 포함하는 탄소 나노튜브 섬유의 제조 방법에 관한 것이다:
(c) 분산된 CNT 단편을 포함하는 분산된 탄소 나노튜브 용액을 한 쌍의 전극 사이에 두는 단계; 및
(d) 유효 DC 전압을 전극에 인가하여, 다중 탄소 나노튜브 단편을, 분산된 CNT 단편의 평균 길이보다 긴 길이의 탄소 나노튜브 섬유로 조립하는 단계.
발명의 상세한 설명
본 발명은 탄소 나노튜브의 마이크로규모 섬유로의 유전전기영동 조립에 관한 것이다. 이 마이크로섬유는 서브마이크론의 직경 및 100 nm 내지 수 mm의 길이의 전기 와이어로서 사용될 수 있다.
나노구조의 한 부류는 그 치수 및 예측된 구조-민감성 성질로 인해 많은 주 목을 받고 있는 탄소 나노튜브(CNT)이다. 탄소 나노튜브는 약 수 나노미터의 직경 및 수 마이크로미터 이하의 길이를 가진다. 이 연장된 나노튜브는 튜브의 양 말단이 오각형을 포함하는 버크민스터풀러렌(buckminsterfullerene)-형 구조에 의해 캐핑되고 동심 방식으로 배열된 탄소 육각형으로 구성된다. 나노튜브는 벽 내의 흑연계 환의 배열의 직경 및 키랄성 (chirality)에 따라 반도체 또는 금속으로서 거동할 수 있다. 부가적으로, 상이한 탄소 나노튜브들이 함께 결합되어, 유익한 전기적, 자기적, 비선형 광학적, 열적 및 기계적 성질을 갖는 분자 와이어를 형성할 수 있다.
나노튜브의 특유한 성질은, 패널 디스플레이, 단일-분자 트랜지스터, 주사 프로브 현미경 팁, 기체 및 전기화학적 에너지 저장, 촉매, 단백질/DNA 지지체, 분자 여과막, 및 에너지 흡수 물질에서 전자 전계 방출원용 신규 물질을 비롯한, 재료 과학 및 나노 기술에서 수많은 다양한 용도들을 제시한다(예를 들어, 문헌 [M. Dresselhaus 등, Phys. World, January, 33, 1988; P. M. Ajayan, 및 T. W. Ebessen, Rep. Prog. Phys., 60, 1027, 1997; R. Dagani, C&E News, January 11, 31, 1999]을 참고한다).
특정 치수로 절단된, 금속성 또는 반도체 성질을 갖는 나노구조는 전자제품, 통신 컴퓨터 및 기타 산업에서 유용한 나노규모 전기 기계 및 회로의 구축에 용도를 가진다. 예를 들어 균일한 길이 또는 특정 크기-분포의 속성을 갖는 나노튜브의 대량 생산은 전자 분야, 예컨대 전계-방출 트랜지스터, 인공 액츄에이터, 분자-여과막, 에너지-흡수 물질, 분자 트랜지스터 및 기타 광전자 디바이스, 또한 기체 저장, 단일-전자 디바이스, 및 화학적 및 생물학적 센서에 사용될 수 있다.
용어 "나노튜브"는 약 1 내지 200 nm의 짧은 치수(직경) 및 긴 치수(길이)를 갖는 중공 물품을 가리키며, 여기에서 긴 치수:짧은 치수의 비, 즉 종횡비는 5이상이다. 일반적으로, 종횡비는 10 내지 2000이다.
용어 "탄소 나노튜브 단편"은 3개 이상의 탄소 나노튜브 직경의 길이를 일반적으로 가지는 탄소 나노튜브 구획을 가리킨다.
용어 "탄소 나노튜브 섬유"는 단편의 평균 길이보다 긴 길이를 갖는 탄소 나노튜브 단편의 조립체를 가리킨다. 이 섬유는 또한 컨덕턴스 및 비저항을 비제한적으로 포함하는 전기적 성질을 갖는 와이어인 것으로 간주될 수도 있다.
본원의 "탄소-기초 나노튜브" 또는 "탄소 나노튜브" 또는 "CNT"는 탄소 원자로 주로 구성된 중공 구조체를 의미한다. 탄소 나노튜브는 다른 원소, 예컨대 금속으로 도핑될 수 있다.
분산제 용액 내의 나노튜브를 가리키는 경우에서 용어 "정렬된"은 개별적 나노튜브, 또는 나노튜브 응집체의 서로에 대한 배향(즉, 정렬된 대 비-정렬된)을 가리킨다. 본원에 사용된 용어 "정렬된"은 기재 상에 (평평하게 놓인) 나노구조의 2 차원적 배향을 가리킬 수도 있다.
본 발명의 바람직한 나노로드(nano-rod)는 탄소-기초 나노튜브(CNT)가 가장 바람직한 나노튜브이다. 본 발명의 나노튜브는 일반적으로 길이가 약 1 내지 200 nm이고, 긴 치수 대 짧은 치수의 비, 즉 종횡비는 5 이상이다. 일반적으로 종횡비는 10 내지 2000이다. 탄소 나노튜브는 주로 탄소 원자로 구성되나, 다른 원소들, 예컨대 금속으로 도핑될 수 있다. 본 발명의 탄소-기초 나노튜브는 다중벽 나노튜브(MWCNT) 또는 단일벽 나노튜브(SWCNT)일 수 있다. MWCNT는 예를 들어, 각기 상이한 직경을 갖는 수개의 동심의 (concentric) 나노튜브를 포함한다. 이에 따라, 가장 작은 직경의 튜브는 보다 큰 직경의 튜브에 의해 캡슐화되고, 이는 다시 또 다른 보다 큰 직경의 나노튜브에 의해 캡슐화된다. 한편 SWCNT는 단지 하나의 나노튜브를 포함한다.
본 발명의 한 구현예에서, 나노튜브는 초음파 처리에 의해 분산된다. 초음파 처리는 초음파력의 적용을 의미한다. 다른 비제한적 분산 방법은 계면활성제 및 DNA 회합의 사용을 포함한다.
실시예
물질
반스테드 이지퓨어(Barnstead Easypure)
Figure 112005034838780-PAT00008
역삼투 시스템으로부터 초순수 수를 수득하였다. MER 코포레이션(미국 아리조나주 턱손 소재)으로부터 단일벽 및 다중벽 탄소 나노튜브를 수득하였다. 이 나노튜브는 대략 15 nm의 직경(주사 전자 현미경으로 관찰)을 가졌으나, 다른 직경의 나노튜브도 또한 사용될 수 있다. 나노튜브를 대략 0.01 중량%의 농도로 초음파 프로브(소닉스 & 머티리얼즈 바이브라-셀(Sonics & Materials Vibra-Cell), 2분간 20 kHz에서 작동)를 이용하여 물 중에 분산시켰다.
장치
본원에서 마이크로와이어로도 표기되는 마이크로섬유는 2개의 전극들 간의 교류 전기장에서 조립되고; 이 전극들 간의 갭은 10 ㎛ 내지 3 mm 범위 내이다. 2개 유형의 전극 어셈블리를 제조하였다. 첫 번째 유형에서, 100 nm 두께의 금 전극을 유리 슬라이드 상에 침착시켰고, 전극들 간의 갭을 침착 중에 마스크로서 작용하는 테플론(Teflon)
Figure 112005034838780-PAT00009
테이프의 폭에 의해 결정하였다. 전극 갭은 4 내지 8 mm 범위 내이다. 두 번째 유형의 전극 구조체(갭 크기가 10 마이크론 내지 100 마이크론 범위 내임)를 포토리소그래피를 통해 유리 기재 상에서 제작하였다. 100 nm 두께의 금층을 10 nm 크롬층 상에 침착시킴으로써 상기 전극을 형성시켰다. 전극의 크기 및 모양을 한정하는 포토마스크를 사용하여 에치-레지스트 층을 적용한 후, 과량의 금속을 제거하였다. 전형적인 전극 배치의 사진 및 개략도가 도 1에 나와 있다.
마이크로와이어를 조립하기 위해, 콜로이드성 현탁액을 전극 갭 상에 두고, 유리 커버 슬립으로 덮는다. 도 1에 나와 있는 함수 발생기(웨이브텍(Wavetek) 모델 23) 및 전기 회로를 이용하여 교류 전기장을 적용한다. 도 1의 레지스터는 와이어가 갭을 연결할 때 전류의 서지를 제한하여 와이어가 갭에 조립되도록 하고, 커패시터는 함수 발생기에 의해 생성된 임의의 DC 바이어스를 차단한다. 그러한 작은 갭의 사용은 마이크로와이어를 성장시키는데 필요한 인가 전압을 낮추고, 따라서 (전 작업에서 사용된) 외부 선형 증폭기가 필요없음을 주목해야 한다. 인가된 전계의 주파수는 100 내지 10,000 Hz에서 변화하였고, 인가된 전압 및 전류는 디지털 멀티미터(플루크(Fluke) 모델 87)를 이용하여 측정하였다.
종래 기술은 전극이 탄소 나노튜브의 분산액과 직접적으로 접촉되어야 한다 고 전제하고 있으나, 실제로 AC 전기장으로 인해 유전전기영동력이 생겨난다. 필요한 강도의 전기장은 액체와의 직접적 접촉없이도 생길 수 있다. 얇은 절연(유전) 물질이 전극과 분산액 사이에 놓이는 경우, 전기장의 강도는 유전체의 존재에 의해 부분적으로 감소되나, 분산액에서는 전기장이 여전히 나타난다. 그러므로 분산액과 직접적으로 접촉할 필요가 없다. 본 발명의 이점은, 전극면에서 일어날 수 있는 가능한 가수분해를 방지한다는 것이다.
실험 방법
SWCNT 또는 MWCNT의 수성 콜로이드를 제조하고, 교류 전기장을 받게하고, 마이크로섬유의 성장을 관찰함으로써 실험을 수행하였다. 수많은 실험 변수들, 즉 입자 크기, 농도, 조성, 전극 갭, 전극에 인가된 제곱 평균 제곱근(RMS) 전압, 및 주파수를 변화시켰다. 관찰은 섬유 성장 중에 콜로이드를 통과하는 RMS 전류, 섬유 성장을 개시하는데 필요한 역치 전압, 성장 속도, 조립된 마이크로섬유의 직경과 형태, 및 완성된 마이크로섬유의 전기 저항을 포함하였다.
와이어를 통해 교류 전류를 주입하고, 양 전극들 간의 상응하는 전압 강하를 기록함으로써 저항을 평가하였다. 이 데이터를 사용하여, 와이어에 대한 I-V(즉, 전류 대 전압) 곡선을 만들었고; 수득된 선의 기울기의 역수(도 2 참고)는 와이어의 저항이다. 도 2에서, 와이어(마이크로섬유)의 저항은 대략 2.5 MΩ이나, 본 발명에 의해 다양한 다른 저항들(및 부피 비저항)이 생겼다. 마이크로와이어가 부분적으로 고갈된 콜로이드성 현탁액에 아직 존재하는 동안에 측정을 행한다. 콜로이드의 존재는 확실히 측정을 교란시키나, 와이어가 완성될 때 회로를 통과하여 흐르 는 전류가 수 차수(order) 증가하기 때문에, 본 출원인은 이 교란이 작다고 본다.
와이어 어셈블리의 메커니즘
콜로이드성 입자에 대한 유전전기영동력은 그것을, 기하학상으로 유리 슬라이드의 표면을 따라 놓여있는 최대 전계 강도의 영역 쪽으로 보낸다. 입자가 분산되어 있을 때, 입자 간의 척력은 집적을 방지한다. 그러나 고농도의 영역에서 척력은 유전전기영동력에 의해 극복되어서 입자들이 와이어 팁 상에 집적되도록 한다.
와이어 성장을 개시하는데 필요한 최소 전압은 수많은 변수에 의존한다. 수학식 (1) 및 (2)에 따르면, 유전전기영동력은 인가된 전계의 주파수, 입자 반경 및 입자와 그것을 둘러싸는 매체의 전도도 및 유전율의 함수이다. 도 3에서, 역치 전압은 SWCNT 및 MWCNT 현탁액에 대한 인가된 전계의 주파수의 함수로서 플로팅된다. 5 ㎛ 갭에 걸쳐, 전계 강도는 단지 1 내지 10 볼트의 비교적 낮은 인가 전압에서 매우 강하고(전형적으로 2000 내지 20,000 V/cm), 입자는 CNT 단편들을 함께 압착하는 유전력의 결과로서 마이크로와이어로 용이하게 조립된다. 수학식 (1)에 따르면, 고정된 전기장 강도에서 주파수가 증가함에 따라 유전력이 감소하기 때문에, 주파수가 증가함에 따라 역치 전압이 증가한다. CNT 단편을 단일 구조체로 융합시키기 위해서는 최소량의 에너지가 필요하며, 따라서 인가된 전압은 이 기준을 충족하도록 증가되어야 할 것으로 가정된다. 전기장 강도는 갭의 폭에 반비례하므로, 비교적 낮은 주파수(100 kHz 미만)를 이용하여 매우 긴 와이어가 성장되어야 한다.
탄소 나노튜브의 제조 및 응용은 산업계 및 학계 모두에서 매우 주목되나, 그 성공은 순수 나노튜브 샘플의 사용에 의존한다. 상기 방법들을 이용하여, 도 4에 나와 있는 바와 같이 20 mm 초과의 MWCNT 마이크로와이어가 형성되었다. 높은 저항 값을 나타내는 길고(수 mm 이하) 매우 얇은 마이크로섬유를 제조하는 이점은, 그러한 마이크로섬유에 기초하는 센서의 민감도가 증가된다는 것이다. 즉, 표적 분자 농도의 비교적 작은 변화도 여전히 절대 저항의 상당한 변화를 일으킬 것이다.
본 발명에 따라, 분산된 CNT 단편으로부터 신속한 방식으로 탄소 나노튜브를 포함하는 비교적 긴 마이크로섬유를 제작할 수 있다.

Claims (24)

  1. (a) 분산된 CNT 단편을 포함하는 분산된 탄소 나노튜브 용액을 한 쌍의 전극 사이에 두는 단계; 및
    (b) 유효 AC 전압을 전극에 인가하여, 다중 탄소 나노튜브 단편을, 분산된 CNT 단편의 평균 길이보다 긴 길이의 탄소 나노튜브 섬유로 조립하는 단계
    를 포함하며, 유효 인가 전압의 주파수는 1 MHz 이하인 탄소 나노튜브 섬유의 제조 방법.
  2. (a) 분산된 CNT 단편을 포함하는 분산된 탄소 나노튜브 용액을 한 쌍의 전극 사이에 두는 단계; 및
    (b) 유효 DC 전압을 전극에 인가하여, 다중 탄소 나노튜브 단편을, 분산된 CNT 단편의 평균 길이보다 긴 길이의 탄소 나노튜브 섬유로 조립하는 단계
    를 포함하는 탄소 나노튜브 섬유의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 인가된 유효 전압의 주파수가 100 Hz 이하인 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, CNT 단편이 초음파 처리에 의해 분산되는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 조립된 탄소 나노튜브 섬유의 길이가 분산된 CNT 단편의 평균 길이의 3배 이상인 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 조립된 탄소 나노튜브 섬유의 길이가 분산된 CNT 단편의 평균 길이의 5배 이상인 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 조립된 탄소 나노튜브 섬유의 길이가 분산된 CNT 단편의 평균 길이의 100배 이상인 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 조립된 탄소 나노튜브 섬유의 저항이 2.5 MΩ 이상인 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 탄소 나노튜브가 단일벽 탄소 나노튜브(SWCNT)인 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 탄소 나노튜브가 다중벽 탄소 나노튜브(MWCNT)인 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극들 중 하나 이상이 CNT 용액과 직접적으로 접촉하는 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극들 중 어느 것도 CNT 용액과 직접적으로 접촉하지 않는 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, CNT가 정제되는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 금속성 CNT가 반도체 CNT로부터 분리되는 방법.
  15. 제14항에 있어서, CNT 단편이 CNT 집적물로부터 추출되는 방법.
  16. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 전기 디바이스.
  17. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 복합 물질.
  18. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 전계 방출 디스플레이.
  19. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 전자 방출원.
  20. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 배터리.
  21. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 연료 전지.
  22. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 전자파 간섭(EMI) 차폐기.
  23. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 화학적 센서.
  24. 제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 하나 이상의 CNT 섬유를 포함하는 생물학적 센서.
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